KR100358973B1 - 공동 발진기를 이용한 비방사성 유전체 발진기 회로 - Google Patents

Abstract

본 발명은 공동발진기를 이용한 비방사성유전체 발진기에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 NRD 가이드 선로, 모드 억압기, 모드 변환기, 고유전율시트, 건 다이오드, SMA 커넥터, 나사, λ/4 2단 초크형 필터 스페이서, 반사판으로 공동 발진기를 구성한다.

공동 발진기의 반사판, 나사, 건 다이오드는 외부에서 조정할 수 있도록 한다. 반사판은 건 다이오드의 중심과의 거리를 조절하여 동작주파수를 약 2GHz 정도 변화시킬 수 있고, 나사를 풀고 조임에 따라 동작주파수를 약 1GHz 변화를 얻을 수 있다. 또한, 건 다이오드의 높이를 조절하여 주파수를 약 2 ~ 3GHz 변화시킬 수 있다.

종래의 스트립 공진기를 이용한 발진기는 외부에서의 주파수 조절이 어렵고, 내부의 스트립공진기의 구조가 외부의 충격이나 열, 습도 등에 의해 쉽게 변할 수 있으므로 주파수 및 출력의 안정성이 보장되지 못하였다. 이러한 여러가지 문제점을 본 발명의 공동발진기를 이용함으로써 해결할 수 있다.

Description

공동 발진기를 이용한 비방사성 유전체 발진기 회로 {Non-Radiative Dielectric Waveguide Cavity Oscillator}

본 발명은 밀리미터파 발진기에 관한 것으로서, 밀리미터파 대역의 전자파를 공동(Cavity)내에서 발생시키고 이것을 NRD 가이드(Non Radiative Dielectric Waveguide : 비방사성유전체도파관)로 급전하며, 외부에서 주파수 조절이 가능한 공동발진기(Cavity Oscillator)구조의 회로를 제공한다.

멀티미디어 시대의 도래로 인하여 텍스트, 그래픽, 동영상 등 다양한 컨텐츠의 요구를 충족시키기 위해 초고속 통신을 요구하게 된다. 이러한 무선기기의 개발은 지구촌의 중요한 과제로 떠오르고 있다.

짧은 시간 내에 보다 많은 데이터를 전송하기 위해서는 사용주파수를 높혀야 한다는 것이 이 기술분야에서는 공지의 사실이다. 기존의 광통신을 이용하여 대량의 데이터를 전송할 수 있지만 설치 등의 어려움과 많은 비용이 소요된다. 따라서, 이러한 단점을 무선으로 대체한다면 상기 어려움을 극복할 수 있을 것이다.

또한 기존의 마이크로파 회로에서는 파장이 짧아짐으로 인하여 전송손실이 발생하는 문제가 있다. 즉, 일반적으로 마이크로웨이브 이상의 대역을 처리하는 기술로 MMIC 방법을 생각할 수 있으나, 이 기술은 사용주파수 50GHz에서 1m에 60dB 정도의 급격한 전송손실이 발생하기 때문에 사실상 이러한 기술로는 높은 주파수에 대한 회로의 구성이 어렵다.

상기 문제점을 극복할 수 있는 기술로 비방사성유전체도파관이 연구되고 있으며, 이러한 비방사성유전체도파관은 밀리미터파 대역에서 비방사성 특징을 가지므로 마이크로 스트립 회로에 비해 전송손실이 낮고, 도파관에 비하여 전송선로 및 회로 구성이 용이하며, 밀리미터파 대역에서의 전송선로 및 구성 회로로서의 중요한 역할을 담당할 수 있는 기술로 주목받고 있는 것이다.

일반적으로 비방사성유전체도파관을 밀리미터파에 응용하기 위해서는 밀리미터파를 발생시키는 기본적인 기술이 필요하다. 이러한 기술로서 대부분이 건 다이오드를 이용하는 방법이 사용되어져 왔다. 건 다이오드의 실장기술로서는 건 다이오드의 Anode(+)전극에 납땜을 이용하거나 빔 리드를 이용하여 바이어스(Bias)를 인가하는 방법 등이 있으나, 납땜시 건 다이오드에 120° 이상의 열이 가해지는 경우에는 주파수의 불안정 및 출력저하를 가져오는 문제점이 있다.

또한, 건 다이오드와 비방사성유전체도파관을 상기의 방법으로 바이어스가 인가되어 발진을 하게 되고, 빔 리드나 스트립 공진기 등을 이용하여 비방사성유전체도파관에 급전이 되며, 밀리미터파의 주파수를 이러한 스트립 공진기나 빔 리드의 구조 혹은 길이와 같은 매개변수(Parameter)를 조절하여 고정시켜 버리기 때문에 주파수 조절이 불가능하므로, 다른 주파수를 사용코자 할 경우에는 새로이 그 주파수에 맞도록 전체구조를 바꿔야 하는 어려움이 있다.

또한, 상기 바이어스 인가 방법 및 급전 방법, 주파수 조절의 방법에 있어서, 구형(사각형) 도파관 혹은 원형 도파관이 비방사성 유전체 선로와 호환되기 위해서는 TE, TM, TEM 모드와 같은 모드가 비방사성유전체도파관의 혼합형(Hybrid) 모드로 서로 변환되어 질 수 있는 호환성이 낮다.

상기 기술한 비방사성유전체도파관에 급전하기 위한 건 다이오드의 바이어스 인가 방법에 있어서, 본 발명은 바이어스의 인가방법에 있어 건 다이오드를 하부도체판 위에 반사판과 일정한 간격의 위치에 일정한 높이로 고착하고, 건 다이오드를 SMA 커넥터로 연결하여 실장하고, 상부 도체판에 구멍을 뚫어 나사를 동공내에 삽입하고, 상.하부도체판 사이에 λ/4 2단 초크형 스페이서를 실장하여 공동을 형성하게 함과 동시 밀리미터파의 외부 누설을 막도록 하고, λ/4 2단 초크형 반사판은 공동을 형성하게 하는 기능을 갖는 동시에 밀리미터파가 후방으로 누설되는 것을 막아 주도록 실장하여 공동발진기를 제공한다.또한, λ/4 2단 초크형 반사판을 건 다이오드와의 간격을 조절하는 방법으로 원하는 주파수를 외부에서 조절이 가능하도록 공동발진기를 제공한다.또한, 상기 상부 도체판을 통해 삽입된 나사를 조이고 푸는 방법을 통하여 주파수의 미세 조정이 가능하도록 공동발진기를 제공한다.

또한, 공동발진기 내의 건 다이오드의 높이를 조절하여 주파수를 조정할 수 있는 공동발진기를 제공한다.

본 발명에서는 설명의 편의상 60GHz 대역에서의 사용되어질 공동발진기에 대한 구현 예로서, 다른 주파수 대역에서도 본 발명을 이용하여 공동발진기를 실시할 수 있음을 명백히 밝혀 둔다.

도 1 : 본 발명에 적용되는 공동발진기를 이용한 비방사성유전체도파관 회로의 전체 사시도.

도 2(a): 도 1의 A-A'자른 사시도 도 2(b): 도1의 B-B'자른 사시도

도 3(a), 3(b): 본 발명에서 사용된 두 가지 형태의 SMA 커넥터에 대한 단면도로서, 3(a)는 기존 SMA 커낵터의 단면도이고, 3(b)는 λ/4 2단 초크형 도체심으로서 필터의 역할을 할 수 있는 SMA커넥터 단면도

도 4(a), 4(b): 모드 변환부의 전체 사시도와 각각의 구성요소를 분리하여 놓은 사시도.

도 5 : LSM 모드와 TE 모드가 존재하는 비방사성유전체도파관의 단면도

도 6 : λ/4 2단 초크형 도체심을 가지는 SMA 커넥터와 건 다이오드의 접합부분을 나타내는 단면도

도 7 : 반사판의 위치를 조정하여 주파수를 조절하는 단면도

도 8 : 반사판의 위치에 따른 주파수의 변화를 나타내는 결과 그래프

도 9 : 나사에 의한 주파수 조절을 위한 단면도

도 10 : 나사에 의한 주파수의 변화를 나타내는 결과 그래프

도 11 : 건 다이오드의 높이를 0.1mm 높게 하여 실시된 공동발진기를 이용한 비방사성유전체도파관의 결과 그래프

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)

1: 상부도체판

2: 하부도체판

3, 3′: λ/4 2단 초크형 필터 스페이서(Spacer)

4: 반사판 또는 2단 초크형 필터 스페이서

5: 건 다이오드

6: SMA 커넥터

7: 나사(Screw)

8, 8′: 테프론으로서 8; 5㎜ 테프론, 8′; 1㎜ 테프론

9: 모드 변환기(Mode Converter)

10: TE 스프레서(TE Suppressor)

11: 비방사성유전체도파관

12: Rod 안테나

13: SMA 커넥터 외부 고정부

14: 수축 튜브

15: 도체심

16: λ/4 2단 초크형 필터 도체심

17. 금속 스트립

도 1은 건 다이오드(5)를 하부 도체판(1,2)에 반사판(4)과 일정한 간격을 갖도록 배치하고, 건 다이오드(5)에 바이어스를 공급하기 위하여 수축튜브로 감싼 SMA 커넥터(6)를 건 다이오드의 양의 단자에 닿도록 실장하고, 상부도체판에 구멍을 뚫어 공동으로 나사(7)를 삽입하고, 모드변환기(9)를 5㎜테프론(8)과 1㎜ 테프론(8′) 사이에 실장하고, TE스프레서(10)를 1㎜ 테프론(8′)과 비방사성유전체도파관(11) 사이에 실장한 구조의 공동발진기(Cavity)이다.상기 공동발진기를 구성하기 위하여 상·하부도체판(1,2) 사이에 공동을 형성하고, 밀리미터파가 외부로 누설되는 것을 방지하기 위하여 좌우 측방에 λ/4 초크형 필터 스페이서(3,3′)를 배치하고, 후방에 λ/4 초크형 반사판(4)를 삽입하였다.또한, 상기 스페이스(3,3′)와 반사판(4)은 비방사성유전체도파관(11)과 같이 λ/4 초크형 필터 스페이서(3,3′,4)의 높이를 각각 2.25mm로 하고, 형태는 폭 3.75㎜의 스페이스를 λ/4의 간격(1.25mm)을 두고 깊이 0.3㎜의 홈을 파서 가공한 2단 초크형 스페이스 구조를 갖도록 제작하여 삽입하였다.또한, 공동에서 발생한 밀리미터파가 비방사성유전체도파관(11)으로 전달되도록 5mm테프론(8), 모드 변환기(9), 1mm테프론(8′), TE 스프레서(10)으로 구성되어 있다.상기 공동발진기에서 발진된 밀리미터파의 주파수를 조절할 수 있도록 상부 도체판에 구멍을 뚫어 공동내에 나사(Screw)(7)을 삽입하였고, 발진된 밀리미터파를 외부로 전파(Propagation) 시키기 위해 로드 안테나(Rod Antenna)(12)를 비방사성유전체도파관(11)에 연결 장착하였다.도 2(a)와 2(b)는 도 1의 공동발진기를 A-A′와 B-B′로 자른 공동(Cavity) 영역의 단면도로서, 좌우측방 λ/4 초크형 필터 스페이서(3, 3′)의 간격은 구형 도파관의 가로 직경과 일치하는 3.8mm가 되게 하였다.SMA 커넥터(6)를 이용하여 건 다이오드(5)의 Anode(+)전극에 바이어스를 공급하게 되면, 바이어스가 인가된 건 다이오드에 의해 60GHz 대역의 밀리미터파가 발생하게 되고, 여기서 발진된 밀리미터파 공동 모드는 건 다이오드로부터 전후방 및 측방으로 유기되어 진다. 이때 공동내에서는 TE모드가 지배적이다.도 3(a)는 상기 공동발진기의 건 다이오드에 바이어스를 공급하기 위한 SMA 커넥터 구조이다. 상위 도체판으로 돌출되는 부분으로서 바이어스 공급 장치의 고정 탭(TAP)과 바이어스 입력 단자역할을 하는 SMA커넥터 외부고정부(13), 건 다이오드(5)의 Anode(+)전극에 Anode(+)전원을 공급하기 위한 도체심(15)으로서, 건 다이오드(5)와 연결하였다.도 3(b)는 건 다이오드로부터 발생한 밀리미터파가 누설 되는 것을 막고, 바이어스 전원으로부터 유입되는 미세 진동(Ripple)을 차단하기 위하여 λ/4 초크 형태의 도체심(16)을 가진 SMA 커넥터이다.도 4(a)와 도 4(b)와 같이 공동 내에서 발진된 밀리미터파의 모드 즉 공동내에서 지배적인 TE 모드를 LSM 모드로 변환하도록 하기 위하여 동일한 재질인 비방사성유전체로 5㎜ 테프론(8), 1㎜ 테프론(8')를 제작하여 이를 모드변환기(9), TE 스프레서(10) 순으로 연결 조립하여 도 1과 같이 상하.부 도체판(1,2) 사이에 실장하여 모드변환부(Mode Convert Part)를 형성하였다. 이 때, 5mm 테프론(8)은 공동 내의 전파를 모드변환기로 유도하기 위해 적절히 선택하였고, 1mm 테프론(8')은 TE 스프레서(10)와 모드변환기(9)의 사이에서 발생하는 TE 모드의 반사파가 억제 또는 상쇄될 수 있도록 하기 위한 것이다.상기 모드변환부의 모드변환기(9)는 LSM 모드와 TE 모드가 도 5에서와 같이 전계 성분이 서로 직교하고 있어 LSM 모드에서 TE 모드로의 변환은 자유공간 속에서 편파를 90도 회전시키는 원리의 특성을 가지고 있으므로, 본 발명에서는 모드 변환기(9)를 테프론(8)과 테프론(8′)사이에 삽입하여 사용하였으며, 이때, 변환손실을 줄이기 위하여 금속 스트립(17)의 굽어진 면이 접하는 부분 간격을 0.1mm로 하고, 금속 스트립(17)의 폭을 0.2mm로 하고, 모드 변환기(9)는 높이 2.25mm, 폭 2.5mm로하여 60GHz 대역에서의 비방사성유전체도파관의 높이 및 폭과 같이 되도록 하였다.상기 모드 변환부의 TE 스프레서(10)는 동박의 폭을 0.05mm로, 간격을 0.25mm로 조절하여 출력과 주파수 특성을 개선할 수 있었다. 모드 변환기(9)와 TE 스프레서(10)는 유전율이 2.6이고 두께가 0.3mm인 기판을 사용하였다.상기 모드변환부의 각각의 동작원리는 우선 건 다이오드로부터 발생한 밀리미터파가 테프론 선로(8)를 통하여 TE 모드의 밀리미터파가 전송되어 모드 변환기(9)를 거치면서 TE 모드가 LSM 모드로 변환되어 진다. 하지만, 완전히 변환되지 않고 남은 TE 모드는 60GHz의 대역에 해당하는 λ/4 길이 정도의 테프론 선로(8′)를 지나 TE 스프레서(Suppressor)(10)에 도달하게 된다. 이때, LSM 모드는 TE 스프레서(10)를 지나 비방사성유전체도파관(11)으로 전파되고 TE 모드는 반사되거나 감쇠된다. 이때, 반사된 TE 모드는 진행하는 전파와 반사된 전파의 위상이 90° 정도가 나도록 테프론(8′)을 삽입한 것이다.도 6는 도 3(b)와 같은 SMA 커넥터의 도체심(16) 단자와 건 다이오드(5)의 Anode(+)전극이 접하는 형태를 가지는 공동발진기의 단면도이다. SMA 커넥터의 도체심(16)이 상부 도체판(1)에 닿아 단락되는 것을 방지하기 위해서 수축튜브(14) 등 부도체를 사용하여 바이어스를 인가하도록 하였고, 건 다이오드가 동작할 때 발생하는 열을 발산시키는 역할과 Cathode(-)전극 혹은 접지 역할을 할 수 있도록 하기 위하여 건 다이오드를 하부 도체판(2)에 3-48UNC 탭을 이용하여 건 다이오드(5)에 장착하였다.상기 도체심(16)은 도 3(a)의 일자형 도체심(15)을 λ/4 2단 초크형태로 가공하여 필터의 효과 즉, 밀리미터파의 바이어스 인가를 위한 도체심으로의 누설을 막고, 출력의 안정과 주파수의 안정을 기대할 수 있도록 가공한 λ/4 2단 초크형 필터 도체심이다.도 7은 도 3(b)와 같은 SMA 커넥터의 도체심(16) 단자와 건 다이오드(5)의 Anode(+)전극이 접하는 형태를 가지는 공동발진기의 측면도이다. 이러한 형태의 공동발진기에서 주파수를 조절할 수 있는 구성요소로서는 공동의 후방 반사판(4), 나사(7), 건 다이오드(5)의 높이이다.도 8은 반사판(4)와 건 다이오드(5)와의 간격을 조절하여 발진되는 밀리미터파의 주파수를 조절한다. 초기 반사판(4)과 건 다이오드(5)와의 간격을 60GHz 대역의 관내파장에 해당하는 1.7mm를 선택하고, 1.5mm 에서 0.5mm 단위로 사이 간격을 넓혀가며 주파수와 출력의 변화를 측정하였다, 그 결과 반사판(4)과 건 다이오드(5)와의 간격이 증가함에 따라 주파수가 내려가는 결과치를 알 수 있었다. 따라서, 반사판(4)과 건 다이오드(5)와의 간격이 주파수 및 출력의 변화에 영향을 미친다는 사실을 확인할 수 있었다.일정한 간격이 되면 발진이 발생하지 않았는데, 이는 일정구간 동안 발진된 출력이 공동 내에서 비방사성유전체도파관(11)으로 전파하지 못한다는 것을 의미한다.이와 같이 밀리미터파가 비방사성유전체도파관(11)을 통하여 전파되는 밀리미터파의 원하는 주파수를 얻을 수 있도록 반사판(4)을 움직여 건 다이오드(5)와의 간격을 조절한다. 이러한 과정을 통해서 반사판의 위치에 따른 주파수는 최대 2GHz까지 조절이 가능함을 측정확인할 수 있었으며, 반사판(4)은 주파수가 큰 변화를 갖도록 조정하기 위하여 대단히 중요한 역할을 한다는 사실을 밝혀 내었다.도 9는 나사(7)는 공동 내에 삽입되어 불연속면으로 간주되어 나사(7)를 조절함으로써 불연속면이 공동 내에서 차지하는 면적에 따라 주파수를 미세 조정할 수 있다. 나사(7)의 위치를 건 다이오드(5)의 중심으로부터 5λ/4의 거리에 해당하는 6.5mm 정도 떨어진 곳에 두었다.도 10은 도 9의 구조에 있어서, 반사판(4)의 간격을 8.5mm, 9.0mm, 9.5mm로 둔 다음 나사(7)끝 부분이 완전히 하부 도체판(2) 윗면에 닿게 한 경우와 나사(7) 끝 부분이 상위 도체판(1) 아랫면과 일치되록 실험한 결과, 나사를 풀어 상부 도체판의 이랫면과 일치되게 하고 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.하지만 나사를 조여서 하부 도체판(2) 윗면에 닿게 하였을 경우는 최대 약 500MHz의 변화가 발생하는 것을 알 수 있다. 따라서 나사(7)는 주파수의 미세 조정을 위하여 쓰여짐을 확인하였다.도 11 그래프는 건 다이오드(5)의 높이를 0.1mm 높였을 때 나타난 주파수 특성의 결과로서, 도 8의 결과와 비교해 약 2GHz 주파수가 높아진다. 또한 반사판(4)의 위치에 따른 주파수의 총편이량이 3GHz 정도이다.상술한 구현예들 과정에서 공동에서 발진을 일으킴으로써 도파관은 물론 마이크로스트립(17)과 비방사성유전체도파관(11) 등에 전파(電波, Wave)를 전파(傳波, Propagation)할 수 있음을 확인할 수 있었다. 또한 비방사성유전체도파관(11)으로 전파된 전파를 비방사성유전체도파관을 이용하는 회로의 발진부로 응용하여 사용할 수 있다.

본 발명의 많은 다양한 구현 예들을 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 한도 내에서 구성할 수 있다. 본 발명은 본 명세서에서 설명한 특정의 구현 예들에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 이에 반하여, 본 발명은 청구된 본 발명의 기술적 요지 범위 내에 포함되는 다양한 변형 예들 및 균등한 구성 예들을 포함한다. 첨부된 특허청구범위는 이러한 변형 예들, 균등한 구조들 및 기능들을 모두 포함하도록 가장 넓게 해석되어야 한다.

본 발명에 의하면, 공동발진기를 만들 수 있고, TE 모드 혹은 LSM 모드로 변환이 가능하여 비방사성유전체도파관을 이용하는 회로의 구성이 가능하고, 사용주파수를 반사판(4)과 나사(7), 건 다이오드의 높이에 따라 조절을 할 수 있다.

또한 공동발진기의 발진 소자인 건 다이오드에 SMA 커넥터를 이용하여 바이어스를 인가함으로써 건 다이오드 원래의 특성을 그대로 얻을 수 있다. 그리고, SMA 커넥터의 도체심(15) 대신 λ/4 2단 초크형의 필터 도체심(16)를 삽입함으로써 주파수 및 출력의 안정을 기대할 수 있다.

또한, 모드 변환기(9)를 사용하여 비방사성유전체도파관(11)에 밀리미터파를 급전할 수 있으므로 비방사성유전체도파관을 이용한 회로의 구성이 가능하고, 또한 모드 변환기에 TE 모드를 보다 원활히 공급하기 위하여 5mm의 테프론(8)을 삽입하였으며 TE 스프레서(10)를 사용하여 비방사성유전체도파관으로 TE 모드가 유입되는 것을 막았다. 또한 TE 스프레서에서 반사된 TE 모드는 TE 스프레서와 모드 변환기 사이에 λ/4의 길이를 갖는 테프론(8)을 삽입함으로써 반사파의 영향을 줄일 수 있다.

원하는 주파수의 조절은 반사판(4)의 위치, 나사(7)의 조임 정도 및 건 다이오드(5)의 높이에 따라 가능하다.

본 발명은 반사판의 위치는 주파수를 큰변화를 갖도록 사용되어 질 수 있고, 나사의 조임 정도에 따라 주파수의 미세 조정이 가능하게 되었으며, 건 다이오드의 높이에 따라 사용하고자 하는 주파수 대역을 선택할 수 있게 되었다. 또한 이러한 주파수를 외부에서 조절할 수 있다.

Claims (21)

1. 간격이 일정한 상. 하부도체판 사이에 구형 스페이서를 실장하고;

   수축튜브가 장착된 SMA 커넥터를 이용하여 건 다이오드에 바이어스를 인가하고;

   λ/4 2단 초크형 반사판과 건 다이오드를 일정한 간격으로 실장하고;

   모드변환기를 5㎜테프론과 1㎜ 테프론 사이에 실장하고;

   TE스프레서를 1㎜ 테프론과 비방사성유전체도파관 사이에 실장하고;

   밀리미터파를 얻을 수 있도록 구조를 갖춘 것을 특징으로 한 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
2. 제 1항에 있어서,

   λ/4 2단 초크형 반사판을 움직여 건 다이오드 중심축과의 간격을 조절함으로써 주파수를 조절할 수 있는 것을 특징으로 한 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
3. 제 1항에 있어서,

   공동 내에 불연속적 구조가 삽입된 것과 같은 효과를 가져 올 수 있도록 상부도체판에 구멍을 뚫고 공동 내에 나사를 삽입하여 풀거나 조임으로써 사용하고자 하는 주파수를 조절할 수 있음을 특징으로 한 공진기를 이용한 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
4. 제 1항에 있어서,

   공동 내의 건 다이오드 높이를 높이거나 낮춤으로써 원하는 주파수 대역을 선택할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
5. 간격이 일정한 두 금속판 사이에 구형 스페이서를 실장하고;

   건 다이오드로부터 발생한 밀리미터파가 전원부로 누설되는 것을 막기 위해 λ/4 2단 초크형 도체심을 수축튜브로 감싼 SMA 커넥터를 이용하여 건 다이오드에 바이어스를 인가하고;

   λ/4 2단 초크형 반사판과 건 다이오드를 일정한 간격으로 실장하고;

   모드변환기를 5㎜테프론과 1㎜ 테프론 사이에 실장하고;

   TE스프레서를 1㎜ 테프론과 비방사성유전체도파관 사이에 실장하여;

   밀리미터파를 얻을 수 있도록 구조를 갖춘 것을 특징으로 한 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
6. 제 5항에 있어서,

   λ/4 2단 초크형 반사판을 움직여 건 다이오드 중심축과의 간격을 조절함으로써 주파수를 조절할 수 있는 것을 특징으로 한 공진기를 이용한 비방사성유전체도파관 회로.
7. 제 5항에 있어서,

   제 3항에서와 같이 삽입된 나사를 풀거나 조여 주파수를 조절할 수 있음을 특징으로 한 공동과 비방사성유전체도판관을 이용한 공동 발진기 회로.
8. 제 5항에 있어서,

   공동 내의 건 다이오드 높이를 높이거나 낮춤으로써 원하는 주파수 대역을 선택할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
9. 건 다이오드에 바이어스를 인가하기 위하여 상.하부도체판 사이에 λ/4 2단 초크형 스페이서를 실장하고;

   수축튜브가 장착된 SMA 커넥터를 실장하고;

   λ/4 2단 초크형 반사판과 건 다이오드를 일정한 간격으로 실장하고;

   모드변환기를 5㎜테프론과 1㎜ 테프론 사이에 실장하고;

   TE스프레서를 1㎜ 테프론과 비방사성유전체도파관 사이에 실장하여;

   밀리미터파를 얻을 수 있도록 구조를 갖춘 것을 특징으로 한 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
10. 제 9항에 있어서,

    λ/4 2단 초크형 반사판을 움직여 건 다이오드 중심축과의 간격을 조절하여 주파수를 조절할 수 있음을 특징으로 한 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
11. 제 9항에 있어서,

    제 3항에서와 같이 삽입된 나사를 풀거나 조여 주파수를 조절할 수 있음을 특징으로 한 공동과 비방사성유전체도판관을 이용한 공동 발진기 회로.
12. 제 9항에 있어서,

    공동 내의 건 다이오드 높이를 높이거나 낮춤으로써 원하는 주파수 대역을 선택할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
13. 간격이 일정한 상하부도체판 사이에 λ/4 2단 초크형 스페이서를 실장하고;

    건 다이오드로부터 발생한 밀리미터파가 전원부로 누설되는 것을 막기 위해 λ/4 2단 초크형 도체심을 수축튜브로 감싼 SMA 커넥터를 이용하여 건 다이오드에 바이어스를 인가하고;

    λ/4 2단 초크형 반사판과 건 다이오드를 일정한 간격으로 실장하고;

    모드변환기를 5㎜테프론과 1㎜ 테프론 사이에 실장하고;

    TE스프레서를 1㎜ 테프론과 비방사성유전체도파관 사이에 실장하여;

    밀리미터파를 얻을 수 있도록 구조를 갖춘 것을 특징으로 한 공동발진기를 이용한 비방성유전체도파관회로.
14. 제 13항에 있어서,

    λ/4 2단 초크형 반사판을 움직여 건 다이오드 중심축과의 간격을 조절하여 주파수를 조절할 수 있음을 특징으로 한 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
15. 제 13항에 있어서,

    제 3항에서와 같이 삽입된 나사를 풀거나 조여 주파수를 조절할 수 있음을 특징으로 한 공동과 비방사성유전체도판관을 이용한 공동 발진기 회로.
16. 제 13항에 있어서,

    공동 내의 건 다이오드 높이를 높이거나 낮춤으로써 원하는 주파수 대역을 선택할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
17. 제 1항, 제 5항, 제 9항, 제 13항에 있어서,

    공동과 비방사성유전체도파관을 통해 발진된 밀리미터파를 공간으로 전파하기 위한 로드 안테나(Rod Antenna)를 가지는 것을 특징으로 하는 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
18. 제 3항, 제 7항, 제 11항, 제 15항에 있어서,

    공동 내로 삽입되는 나사의 높낮이를 조절하여 주파수의 미세한 조절을 위해 사용되어짐에 있어 나사곡면의 나사홈으로 인한 불요파 발생을 억제하기 위해 나사의 공동 내로 삽입되는 부분의 나사홈을 제거한 형태가 삽입되는 공동과 비방사성유전체도파관을 이용한 공동 발진기 회로.
19. 삭제
20. 삭제
21. 삭제