RU2295174C2 - Светоизлучающее устройство, содержащее светоизлучающие элементы (варианты) - Google Patents

Светоизлучающее устройство, содержащее светоизлучающие элементы (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2295174C2
RU2295174C2 RU2005103616A RU2005103616A RU2295174C2 RU 2295174 C2 RU2295174 C2 RU 2295174C2 RU 2005103616 A RU2005103616 A RU 2005103616A RU 2005103616 A RU2005103616 A RU 2005103616A RU 2295174 C2 RU2295174 C2 RU 2295174C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
leds
light
electrode
led
led elements
Prior art date
Application number
RU2005103616A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2005103616A (ru
Inventor
Широ САКАИ (JP)
Широ САКАИ
Джин-Пинг ЭЙО (JP)
Джин-Пинг ЭЙО
Ясуо ОНО (JP)
Ясуо ОНО
Original Assignee
Широ САКАИ
Нитрайд Семикондакторс Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=31972605&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2295174(C2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from JP2002249957A external-priority patent/JP3822545B2/ja
Application filed by Широ САКАИ, Нитрайд Семикондакторс Ко., Лтд. filed Critical Широ САКАИ
Publication of RU2005103616A publication Critical patent/RU2005103616A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2295174C2 publication Critical patent/RU2295174C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector

Abstract

Использование: в источниках света, в устройствах отображения информации и других устройствах. Технический результат изобретения: создание светоизлучающего устройства, работающего при высоком напряжении возбуждения и малом токе возбуждения. Сущность: светоизлучающее устройство выполнено так, что на изолирующей подложке сформировано множество светодиодных элементов на основе GaN. Множество светодиодных элементов расположено на изолирующей подложке в виде двумерной структуры. Светодиодные элементы сгруппированы в первую группу и вторую группу с одинаковым количеством элементов, при этом первая и вторая группы включены между двумя электродами встречно-параллельно для подачи питания переменного тока. Электрод одного из светодиодных элементов первой группы электрически соединен и является общим с электродом одного из светодиодных элементов второй группы, соседним с указанным одним из светодиодных элементов первой группы. Каждая из групп может быть также размещена в виде зигзагообразной структуры. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 31 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству, в котором на подложке сформировано множество светоизлучающих элементов.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Когда светоизлучающее средство, например светоизлучающий элемент (светодиод), используется для отображения информации и т.п., типичное напряжение возбуждения обычно составляет приблизительно от 1 В до 4 В, а ток - приблизительно 20 мА. Последние достижения в области коротковолновых светодиодов, в которых используются полупроводники на основе GaN, и выход на коммерческий рынок многоцветных твердотельных источников света, источников белого цвета и т.д., привели к рассмотрению возможности использования светодиодов в качестве источников освещения. Когда светодиод используется для освещения, могут возникать ситуации, при которых светодиод используется при условиях, отличающихся от вышеописанных 1 В - 4 В для напряжения возбуждения и 20 мА для тока возбуждения. В результате были предприняты меры, чтобы повысить ток через светодиод и повысить интенсивность светового излучения. Для обеспечения пропускания большего тока область р-n перехода в светодиоде необходимо увеличивать, чтобы плотность тока уменьшилась.
Когда светодиод используется в качестве источника света, удобно использовать источник питания переменного тока и напряжения возбуждения 100 В или выше. Кроме того, если необходимо получить такую же интенсивность излучения при подаче той же мощности, можно снизить потери мощности путем подачи высокого напряжения при сохранении малой величины тока. Однако в известных светодиодах не всегда можно увеличить напряжение возбуждения в достаточной степени.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Целью настоящего изобретения является создание светоизлучающего устройства, которое может работать при высоком напряжении возбуждения.
Согласно одному из аспектов настоящего изобретения, предлагается светоизлучающее устройство, в котором множество светоизлучающих элементов на основе GaN сформировано на изолирующей подложке, и эти светоизлучающие элементы сформированы монолитно и соединены последовательно.
Согласно другому аспекту настоящего изобретения, предпочтительно, чтобы в светоизлучающем устройстве, множество светоизлучающих элементов было расположено на подложке в виде двумерной структуры.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения, предпочтительно, чтобы в светоизлучающем устройстве множество светоизлучающих элементов было сгруппировано в две группы, и эти две группы были включены между двумя электродами параллельно, с противоположной полярностью.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения, предпочтительно, чтобы в светоизлучающем устройстве множество светоизлучающих элементов было соединено воздушными перемычками.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения, предпочтительно, чтобы в светоизлучающем устройстве множество светоизлучающих элементов было электрически разделено сапфиром, который используется в качестве подложки.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения, предпочтительно, чтобы в светоизлучающем устройстве множество светоизлучающих элементов было сгруппировано в две группы, содержащие равное количество светоизлучающих элементов, причем светоизлучающие элементы в каждой группе расположены зигзагом, и эти две группы светоизлучающих элементов включены между двумя электродами параллельно, с противоположной полярностью. Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения, предпочтительно, чтобы в светоизлучающем устройстве две группы светоизлучающих элементов были расположены с чередованием.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения, предпочтительно, чтобы в светоизлучающем устройстве светоизлучающие элементы и электроды были плоскими и имели приблизительно квадратную или треугольную форму.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения, предпочтительно, чтобы в светоизлучающем устройстве множество светоизлучающих элементов и электроды в целом имело приблизительно квадратную форму.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения, предпочтительно, чтобы в светоизлучающем устройстве электрод являлся электродом для подачи питания переменного тока.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения, предпочтительно, чтобы в светоизлучающем устройстве две группы светоизлучающих элементов имели общий n-электрод.
В настоящем изобретении множество светоизлучающих элементов сформировано монолитно, то есть на одной подложке, и соединены последовательно. При такой структуре настоящее изобретение позволяет подать высокое напряжение возбуждения. Соединяя множество светоизлучающих элементов в одном направлении, можно обеспечить возбуждение постоянным током. Группируя множество светоизлучающих элементов в две группы и включая эти две группы между электродами так, чтобы в этих двух группах (матрицах светоизлучающих элементов) светоизлучающие элементы имели противоположные полярности друг относительно друга, можно обеспечить также возбуждение переменным током. Количество элементов в группах может быть одинаковым или разным.
Существуют различные способы двумерного размещения или упорядочения множества светоизлучающих элементов, и желателен способ, при котором площадь, занимаемая на подложке, была бы минимальной. Например, при размещении двух групп светоизлучающих элементов зигзагообразно, то есть при размещении множества светоизлучающих элементов вдоль изогнутой линии и при поочередном размещении светоизлучающих элементов матриц, можно эффективно использовать площадь подложки и соединить большее количество светоизлучающих элементов. Когда две матрицы светоизлучающих элемента расположены с чередованием, возможно возникновение участков пересечений линий. Можно эффективно предотвратить короткое замыкание на участках пересечений путем соединения светоизлучающих элементов воздушными (проходящими в воздухе) перемычками. Форма светоизлучающих элементов и электродов ничем не ограничена. Если светоизлучающие элементы и электроды являются планарными, например приблизительно квадратными, то и форма всей конструкции становится приблизительно квадратной, что позволяет использовать стандартную конструкцию держателя. Кроме того, для светоизлучающих элементов и электродов можно использовать и другую геометрическую форму, кроме квадратной, например треугольную, но так, чтобы в результате комбинации треугольников вся конструкция в целом имела приблизительно квадратную форму и, как следствие, можно было использовать стандартную конструкцию держателя аналогичным образом.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
На фиг.1 схематично показана базовая структура светоизлучающего элемента (светодиода),
на фиг.2 показана эквивалентная схема светоизлучающего устройства,
на фиг.3 показан вид сверху двух светодиодов,
на фиг.4 показано сечение по линии IV-IV, изображенной на фиг.3,
на фиг.5 показана другая эквивалентная схема светоизлучающего устройства,
на фиг.6 показана схема структуры, в которой 40 светодиодов расположены в двумерной конфигурации,
на фиг.7 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.6,
на фиг.8 показана схема структуры, в которой 6 светодиодов расположены в двумерной конфигурации,
на фиг.9 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.8,
на фиг.10 показана схема структуры, в которой 14 светодиодов расположены в двумерной конфигурации,
на фиг.11 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.10,
на фиг.12 показана схема структуры, в которой 6 светодиодов расположены в двумерной конфигурации,
на фиг.13 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.12,
на фиг.14 показана схема структуры, в которой 16 светодиодов расположены в двумерной конфигурации,
на фиг.15 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.14,
на фиг.16 показана схема структуры, включающей 2 светодиода,
на фиг.17 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.16,
на фиг.18 показана схема структуры, в которой 4 светодиода расположены в двумерной конфигурации,
на фиг.19 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.18,
на фиг.20 показана схема структуры, в которой 3 светодиода расположены в двумерной конфигурации,
на фиг.21 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.20,
на фиг.22 показана схема структуры, в которой 6 светодиодов расположены в двумерной конфигурации,
на фиг.23 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.22,
на фиг.24 показана схема структуры, в которой 5 светодиодов расположены в двумерной конфигурации,
на фиг.25 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.24,
на фиг.26 показана схема другой двумерной конфигурации,
на фиг-27 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.26,
на фиг.28 показана схема еще одной двумерной конфигурации,
на фиг.29 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.28,
на фиг.30 показана схема еще одной двумерной конфигурации,
на фиг.31 показана электрическая схема структуры, изображенной на фиг.30.
ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫЙ ВАРИАНТ ВЫПОЛНЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Ниже со ссылками на чертежи описан предпочтительный вариант выполнения настоящего изобретения.
На фиг.1 показана базовая структура светодиода 1, который представляет собой светоизлучающий элемент из полупроводника на основе GaN. Светодиод 1 имеет следующую структуру: на подложку 10 последовательно нанесены слой 12 из GaN, слой 14 n-типа из GaN, легированного Si, светоизлучающий слой 16 из InGaN, слой 18 из AIGaN и слой 20 р-типа из GaN, при этом электрод 22 р-типа сформирован на слое 20 р-типа из GaN, а электрод 24 n-типа сформирован на слое 14 n-типа из GaN,
Светодиод, изображенный на фиг.1, изготовлен следующим способом. Сначала подложку из сапфира, вырезанную в кристаллической плоскости, подвергают нагреву в течение 10 минут в атмосфере водорода при температуре 1100°С в установке химического осаждения из паровой фазы (MOCVD). Затем температуру уменьшают до 500°С и подают в течение 100 секунд газообразный силан и газообразный аммиак для формирования на подложке 10 разрывной пленки SiN. Такая технология используется для уменьшения плотности дислокации в устройстве, и на фиг.1 пленка SiN не показана. Затем при той же температуре подают триметил галлия и газообразный аммиак и выращивают пленку GaN толщиной 20 нм. Температуру повышают до 1050°С, и вновь подают триметил галлия и газообразный аммиак для выращивания нелегированного слоя 12 из GaN (u-GaN) и легированного кремнием слоя 14 n-типа из GaN толщиной 2 мкм каждый. Затем температуру уменьшают приблизительно до 700°С и выращивают светоизлучающую пленку 16 из InGaN толщиной 2 нм. Целевым составом является х=0,15, то есть In0.15Ga0.85N. После выращивания светоизлучающей пленки 16 температуру доводят до 1000°С и выращивают слой 18 из AlGaN для инжекции дырок и слой 20 р-типа из GaN.
После выращивания слоя 20 р-типа из GaN, пластину вынимают из MOCVD-устройства, и на поверхности выращенного слоя последовательным напылением в вакууме выращивают слой Ni толщиной 10 нм и слой Au толщиной 10 нм. Затем проводят термообработку при температуре 520°С в атмосфере азота, содержащей 5% кислорода, чтобы в результате металлическая пленка превратилась в прозрачный электрод 22 р-типа. После формирования прозрачного электрода на всю поверхность наносят фоторезист и производят травление для формирования электрода n-типа с использованием фоторезиста в качестве фотошаблона. Глубина травления составляет, например, приблизительно 600 нм. На слой 14 n-типа из GaN, обнажившийся в результате травления, наносят слой из Ti толщиной 5 нм и слой Al толщиной 5 нм, и производят термообработку в атмосфере азота при температуре 450°С в течение 30 минут для формирования электрода 24 n-типа. Наконец, с тыльной стороны подложку 10 доводят до толщины 100 мкм и полученные чипы разрезают и устанавливают с формированием светодиода 1.
На фиг.1 на подложке 1 сформирован один светодиод 1 на основе GaN, но в данном варианте выполнения изобретения множество светодиодов 1 монолитно сформировано на подложке 10 в виде двумерной матрицы, и эти светодиоды соединены с формированием светоизлучающего устройства (чипа). В данном контексте термин "монолитный" указывает на то, что все элементы сформированы на одной единой подложке.
На фиг.2 показана эквивалентная схема светоизлучающего устройства. На фиг.2 светоизлучающие элементы, сформированные в виде двумерной матрицы, сгруппированы в две группы с одинаковым количеством светоизлучающих элементов (на фиг.2 показано по 4 светоизлучающих элемента в группе). Светодиоды 1 в каждой группе соединены последовательно, а две группы светодиодных матриц включены параллельно между питающими электродами (электродами возбуждения) так, что эти две группы включены с противоположной полярностью. При этом, соединяя светодиоды в матрицы последовательно, можно возбуждать светодиоды 1 высоким напряжением, равным сумме напряжений возбуждения для каждого светодиода. Поскольку матрицы светодиодов включены между электродами параллельно с противоположной полярностью, то даже при использовании источника питания переменного тока в каждый период напряжения источника питания одна из матриц светодиодов всегда будет испускать свет, что позволяет обеспечить эффективное световое излучение.
На фиг.3 на виде сверху частично показано множество светодиодов, монолитно сформированных на подложке 10. На фиг.4 показано сечение по линии IV-IV на фиг.3. На фиг.3 р-электрод 22 и n-электрод 24 сформированы на верхней поверхности светодиода 1, как показано на фиг.1. Электроды 22 и 24 соседних светодиодов 1 соединены навесной перемычкой 28, а множество светодиодов 1 соединены последовательно.
На фиг.4 с пояснительной целью светодиоды 1 показаны упрощенно. А именно, показаны только слой 14 n-GaN, слой 20 p-GaN, электрод 22 и электрод 24. В реальных приложениях имеется также светоизлучающий слой 16 из InGaN, как показано на фиг.1. Навесная воздушная перемычка 28 проходит от электрода 22 к электроду 24 в воздухе. При этом, в отличие от способа, в котором используется нанесение изолирующей пленки на поверхность элемента, формирование электродов на изолирующей пленке и электрическое соединение р-электрода 22 и n-электрода 24, удается избежать проблемы деградации светодиодов 1 в результате тепловой диффузии элементов, формирующих изолирующий материал, в слой n-типа и слой р-типа от линии разделения или изолирующей пленки, поскольку отпадает необходимость в размещении электродов вдоль протравленных канавок. В дополнение к соединению светодиодов 1 воздушная перемычка 28 используется также для соединения светодиода 1 и электрода, который на фиг.4 не показан.
Кроме того, как показано на фиг.4, светодиоды 1 должны быть независимыми и электрически изолированными друг от друга. С этой целью светодиоды 1 отделены друг от друга на сапфировой подложке 10. Поскольку сапфир является изолирующим материалом, оказывается возможным электрически разделить светодиоды 1. При использовании сапфировой подложки 10 в качестве изолирующего тела для обеспечения электрического разделения между светодиодами это разделение можно осуществить легко и надежно.
В качестве светоизлучающего элемента вместо светодиода, имеющего р-n переход, можно также использовать МДП-структуру (структуру металл-диэлектрик-полупроводник).
На фиг.5 показана другая эквивалентная схема светоизлучающего устройства. На фиг.5 двадцать светодиодов 1 соединены последовательно с формированием одной матрицы светодиодов, а две такие матрицы светодиодов (в общей сложности 40 светодиодов) подключены к источнику питания параллельно. Напряжение возбуждения светодиода 1 равно 5 В, и, таким образом, напряжение возбуждения каждой матрицы светодиодов составляет 100 В. Две матрицы светодиодов включены параллельно источнику питания в противоположной полярности, аналогично тому, как показано на фиг.2. Независимо от полярности источника питания один из матриц светодиодов всегда излучает свет.
На фиг.6 показана конкретная конструкция двумерной матрицы, соответствующая эквивалентной схеме на фиг.2. На фиг.6 в общей сложности 40 светодиодов 1 сформированы на сапфировой подложке 10 и сгруппированы в две группы по 20 светодиодов 1. Группы светодиодов 1 соединены последовательно воздушными перемычками 28 с формированием двух матриц светодиодов. Более конкретно, все светодиоды 1 являются квадратными и имеют одинаковые размеры и форму. Первая матрица светодиодов содержит, сверху вниз, горизонтальный ряд из 6 светодиодов, расположенных по прямой линии, ряд из 7 светодиодов, расположенных по прямой линии, и ряд из 7 светодиодов, расположенных по прямой линии. Первый ряд (6 светодиодов) и второй ряд (7 светодиодов) обращены в противоположные стороны, а второй ряд и третий ряд также обращены в противоположные стороны. Первый ряд и второй ряд отделены друг от друга, и второй ряд и третий ряд отделены друг от друга, поскольку между ними через один расположены ряды другой матрицы светодиодов, как описано ниже. Крайний правый светодиод 1 из первого ряда и крайний правый светодиод 1 из второго ряда соединены воздушной перемычкой 28, а крайний левый светодиод 1 из второго ряда и крайний левый светодиод 1 из третьего ряда соединены воздушной перемычкой 28 с формированием зигзагообразной конфигурации. Крайний левый светодиод 1 из первого ряда соединен с электродом (контактной площадкой) 32, сформированным в левой верхней секции подложки 10, воздушной перемычкой 28, а крайний правый светодиод 1 из третьего ряда соединен с электродом (контактной площадкой) 32, сформированным в нижней правой секции подложки 10, воздушной перемычкой 28. Эти два электрода (контактные площадки) 32 имеют такую же квадратную форму, как и светодиоды 1. Вторая матрица светодиодов сформирована в промежутках первой матрицы светодиодов. Более конкретно, во второй матрице светодиодов, сверху вниз, 7 светодиодов, 7 светодиодов и 6 светодиодов расположены по прямым горизонтальным линиям, причем первый ряд сформирован между первым рядом и вторым рядом первой матрицы светодиодов, второй ряд сформирован между вторым рядом и третьим рядом первой матрицы светодиодов, а третий ряд сформирован ниже третьего ряда первой матрицы светодиодов. Первый ряд и второй ряд второй матрицы светодиодов обращены в противоположные стороны, и второй ряд и третий ряд второй матрицы светодиодов обращены в противоположные стороны. Крайний правый светодиод 1 первого ряда соединен с крайним правым светодиодом 1 второго ряда воздушной перемычкой 28, а крайний левый светодиод 1 второго ряда соединен с крайним левым светодиодом 1 третьего ряда воздушной перемычкой 28 с формированием зигзагообразной конфигурации. Крайний левый светодиод первого ряда второй матрицы светодиодов соединен с электродом 32, сформированным в левой верхней секции подложки 10, воздушной перемычкой 28, а крайний правый светодиод 1 третьего ряда соединен с электродом 32, сформированным в правой нижней секции подложки 10, воздушной перемычкой 28. Полярности матриц светодиодов относительно электродов 32 противоположны друг другу. Форма светоизлучающего устройства (чипа) в целом является прямоугольной. Следует отметить, что два электрода 32, к которым подключен источник питания, расположены на противоположных концах диагонали прямоугольника и пространственно разнесены.
На фиг.7 показана электрическая схема конструкции, изображенной на фиг.6. Видно, что каждая матрица состоит из последовательно соединенных светодиодов и изогнута в виде зигзагообразной структуры, а две матрицы светодиодов содержат зигзагообразные ряды, расположенные между рядами другой матрицы светодиодов. При такой конфигурации удается разместить на одной подложке 10 множество светодиодов 1. Кроме того, поскольку для 40 светодиодов 1 требуются только два электрода 32, эффективность использования подложки 10 можно повысить. Кроме того, когда светодиоды 1 сформированы индивидуально, для разделения светодиодов 1 плату необходимо разрезать, но в данном варианте выполнения изобретения разделение между светодиодами 1 может быть достигнуто путем травления, что позволяет сузить зазор между светодиодами 1. При такой конфигурации можно еще больше уменьшить размер сапфировой подложки 10. Разделение светодиодов 1 достигается удалением областей вне светодиодов 1 до достижения подложки 10 путем травления с использованием фоторезиста, травления химически активными ионами и влажного травления. Поскольку матрицы светодиодов испускают свет поочередно, эффективность свечения может быть повышена при одновременном улучшении теплового рассеяния. Кроме того, изменяя количество светодиодов 1, соединенных последовательно, можно менять полное напряжение возбуждения. Кроме того, при уменьшении площади светодиода 1 можно повысить напряжение возбуждения светодиода. Когда 20 светодиодов 1 соединены последовательно и возбуждаются от электросети (100 В, 60 Гц), можно достичь мощности свечения приблизительно 150 мВт. Ток возбуждения в этом случае составляет приблизительно 20 мА.
Из фиг.7 очевидно, что когда две матрицы светодиодов расположены зигзагообразно с чередованием, неизбежно возникает пересечение 34 воздушных перемычек 28. Например, когда первый ряд и второй ряд второй матрицы светодиодов соединяются, эта часть пересекает часть линии соединения первого ряда и второго ряда первой матрицы светодиодов. Однако воздушная перемычка 28 в данном варианте выполнения изобретения не прикреплена к подложке 10, как описано выше, а идет по воздуху на расстоянии от подложки 10. Вследствие такой конструкции удается легко избежать контакта воздушных перемычек 28 в пересекающихся частях. Это является одним из преимуществ использования воздушных перемычек 28. Воздушная перемычка 28 сформирована, например, по следующей технологии. Фоторезист наносят по всей поверхности на толщину 2 мкм, а после того, как будет открыто окно в форме воздушной перемычки, сушат. На эту структуру посредством вакуумного испарения напыляют пленку Ti толщиной 10 нм и пленку Au толщиной 10 нм. Вновь по всей поверхности наносят фоторезист толщиной 2 мкм, и открывают окна в частях, в которых должны быть сформированы воздушные перемычки. Затем, используя Ti и Au как электроды, осаждают Au по всей поверхности электродов на толщину 3-5 мкм посредством ионного осаждения (металлизации) в электролите. Затем образец погружают в ацетон, фоторезист растворяют и удаляют с помощью ультразвуковой очистки, и на этом изготовление воздушной перемычки 28 заканчивается.
При этом путем размещения множества светодиодов 1 в виде двумерной матрицы можно эффективно использовать площадь подложки и обеспечить подачу высокого напряжения возбуждения, в частности, возбуждение от сетей электроснабжения. В качестве структуры двумерной матрицы можно использовать и другие конфигурации. В общем случае, конфигурация двумерной матрицы предпочтительно должна удовлетворять следующим условиям:
(1) форма светодиодов и положения электродов предпочтительно должны быть одинаковыми, что обеспечивает протекание через светодиоды одинакового тока и, следовательно, однородное свечение;
(2) стороны светодиодов предпочтительно являются прямыми линиями, что облегчает резку платы на чипы;
(3) светодиод предпочтительно имеет плоскую форму, близкую к квадратной, что позволяет использовать стандартный держатель и использовать отражение от краев для повышения эффективности выхода света;
(4) размер двух электродов (контактных площадок) предпочтительно составляет приблизительно 100 квадратных микрометров, и эти два электрода предпочтительно отделены друг от друга; и
(5) с целью эффективного использования площади платы доля площади соединительных линий и контактной площадки предпочтительно должна быть минимальной.
Эти условия не являются обязательными, и можно, например, выполнить светодиод в виде плоского треугольника. Даже при треугольных светодиодах общая приблизительно квадратная форма может быть обеспечена за счет объединения треугольников. Ниже описаны некоторые примеры конфигураций двумерных матриц.
На фиг.8 показана двумерная конфигурация в общей сложности из 6 светодиодов 1, а на фиг.9 показана электрическая схема для этой конфигурации. Расположение на фиг.8 в основном идентично расположению на фиг.6. Шесть светодиодов сгруппированы в две группы с одинаковым количеством элементов и образуют матрицы светодиодов, в которых три светодиода соединены последовательно. Первая матрица светодиодов размещена зигзагообразно, при этом в первом ряду имеется один светодиод, а во втором ряду имеется два светодиода. Светодиод из первого ряда и крайний правый светодиод 1 из второго ряда соединены последовательно воздушной перемычкой 28, а два светодиода 1 из второго ряда соединены последовательно воздушной перемычкой 28. Электроды (контактные площадки) 32 сформированы в верхней секции с левой стороны и в нижней секции с левой стороны подложки 10. Светодиод 1 из первого ряда соединен с электродом 32 в верхней секции с левой стороны воздушной перемычкой, а крайний левый светодиод 1 из второго ряда соединен с электродом 32 в нижней секции с левой стороны. Вторая матрица светодиодов также идет зигзагообразно и содержит два светодиода 1 в первом ряду и один светодиод 1 во втором ряду. Первый ряд второй матрицы светодиодов сформирован между первым рядом и вторым рядом первой матрицы светодиодов, а второй ряд второй матрицы светодиодов сформирован ниже второго ряда первой матрицы светодиодов. Крайний правый светодиод 1 из первого ряда соединен последовательно со светодиодом 1 из второго ряда воздушной перемычкой 28, а эти два светодиода 1 в первом ряду соединены последовательно воздушной перемычкой 28. Крайний левый светодиод из первого ряда соединен с электродом 32 в верхней секции с левой стороны воздушной перемычкой 28, а светодиод 1 из второго ряда соединен с электродом 32 в нижней секции с левой стороны воздушной перемычкой 28. Как видно на фиг.9, в этой конфигурации две матрицы светодиодов также включены между электродами 32 параллельно, в противоположной полярности. Поэтому при подключении источника питания переменного тока две матрицы светодиодов испускают свет поочередно.
На фиг.10 показана двумерная конфигурация в общей сложности из 14 светодиодов, а на фиг.11 показана электрическая схема для этой конфигурации. 14 светодиодов сгруппированы в две группы с одинаковым количеством элементов и образуют матрицы светодиодов, в которых 7 светодиодов соединены последовательно. Первая матрица светодиодов размещена зигзагообразно, причем в первом ряду имеется 3 светодиода 1, во втором ряду имеется 4 светодиода 1. Крайний левый светодиод из первого ряда и крайний левый светодиод 1 из второго ряда соединены последовательно воздушной перемычкой 28, 3 светодиода из первого ряда соединены последовательно воздушными перемычками 28, и 4 светодиода 1 из второго ряда соединены последовательно воздушными перемычками 28. Электроды (контактные площадки) 32 сформированы в верхней правой секции и в нижней правой секции подложки 10, крайний правый светодиод 1 из первого ряда соединен с электродом 32 в верхней правой секции воздушной перемычкой, а крайний правый светодиод 1 из второго ряда соединен с электродом 32 в нижней правой секции. Вторая матрица светодиодов также идет зигзагообразно, причем первый ряд содержит 4 светодиода 1, а второй ряд содержит 3 светодиода 1. Первый ряд второй матрицы светодиодов сформирован между первым рядом и вторым рядом первой матрицы светодиодов, а второй ряд второй матрицы светодиодов сформирован ниже второго ряда первой матрицы светодиодов. Крайний левый светодиод 1 из первого ряда соединен последовательно с крайним левым светодиодом 1 из второго ряда воздушной перемычкой 28. 4 светодиода 1 в первом ряду соединены последовательно, и 3 светодиода 1 во втором ряду соединены последовательно. Крайний правый светодиод 1 в первом ряду соединен с электродом 32 в верхней правой секции воздушной перемычкой 28, а крайний правый светодиод 1 во втором ряду соединен с электродом 32 в нижней правой секции воздушной перемычкой 28. Как видно на фиг.11, в этой конфигурации две матрицы светодиодов также включены между электродами 32 параллельно, в противоположной полярности. Поэтому при подключении источника питания переменного тока две матрицы светодиодов испускают свет поочередно.
Общими характеристиками двумерных конфигураций, изображенных на фиг.6, 8 и 10, является то, что светодиоды 1 имеют приблизительно одинаковую квадратную форму и одинаковые размеры, два электрода (контактные площадки) также имеют приблизительно квадратную форму и не расположены рядом друг с другом (сформированы отдельно друг от друга), причем вся конфигурация является комбинацией двух матриц светодиодов, которые изогнуты, пересекают друг друга на чипе и включены между электродами в противоположной полярности и т.д.
На фиг.12 показана двумерная конфигурация, в которой светодиоды имеют треугольную форму, а на фиг.13 показана принципиальная электрическая схема этой конфигурации. На фиг.12 в общей сложности 6 светодиодов: светодиоды 1а, 1b, 1c, 1d, 1e и 1f сформированы так, что они имеют планарную треугольную конфигурацию. Светодиоды 1а и 1e лежат друг напротив друга одной стороной треугольника так, что эти два светодиода образуют приблизительно квадрат, и светодиоды 1b и 1f также расположены друг напротив друга так, что образуют приблизительно квадрат. Светодиод 1d и электрод 32 расположены друг напротив друга и соединены друг с другом, и светодиод 1e и электрод 32 расположены друг напротив друга и соединены друг с другом. Аналогично светодиодам, эти два электрода 32 также имеют форму плоского треугольника и размещены так, что совместно с соседними светодиодами образуют приблизительно квадрат. Противолежащие стороны светодиодов образуют n-электрод 24, то есть два противолежащих светодиода совместно используют n-электрод 24. Точно так же светодиод и электрод 32 соединены через n-электрод. В данной конфигурации эти 6 светодиодов также сгруппированы в две группы аналогично вышеописанным конфигурациям. Первая матрица светодиодов включает светодиоды 1а, 1b и 1c. Р-электрод 22 светодиода 1а соединен с электродом 32 воздушной перемычкой 28, и n-электрод 24 светодиода 1а соединен с р-электродом 22 светодиода 1b воздушной перемычкой 28. N-электрод 24 светодиода 1b соединен с р-электродом 22 светодиода 1c воздушной перемычкой 28. М-электрод 24 светодиода 1c соединен с электродом 32. Вторая матрица светодиодов включает светодиоды 1d, 1e и 1f. Электрод 32 соединен с р-электродом 22 светодиода 1f воздушной перемычкой 28, n-электрод 24 светодиода 1f соединен с р-электродом 22 светодиода 1e воздушной перемычкой 28, n-электрод 24 светодиода 1e соединен с р-электродом 22 светодиода 1d воздушной перемычкой 28, а n-электрод 24 светодиода 1d соединен с электродом 32.
В связи с фиг.13 следует отметить, что n-электрод светодиода 1а, который является частью первой матрицы светодиодов, соединен с n-электродом светодиода 1е, который является частью второй матрицы светодиодов, а n-электрод светодиода 1b, который является частью первой матрицы светодиодов, соединен с n-электродом светодиода 1f, который является частью второй матрицы светодиодов. Путем совместного использования некоторых n-электродов в двух матрицах светодиодов можно уменьшить количество схемных соединений. Кроме того, в этой конфигурации две матрицы светодиодов также включены между электродами 32 параллельно, в противоположной полярности. Светодиоды имеют одинаковую форму и размеры, и размещая светодиоды так, чтобы они прилегали друг к другу одной стороной, и формируя электрод 32 треугольной формы, можно образовать плотную упаковку светодиодов и электродов, уменьшив необходимую площадь подложки.
На фиг.14 показана еще одна конфигурацию, в которой светодиоды, имеющие форму плоского треугольника, образуют двумерную конфигурацию, а на фиг.15 показана электрическая схема для этой конфигурации. В данном случае в общей сложности 16 светодиодов 1а-1r сформированы в двумерной структуре. Светодиоды 1а и 1j, светодиоды 1b и 1k, светодиоды 1с и 1m, светодиоды 1d и 1n, светодиоды 1е и 1р, светодиоды 1f и 1q и светодиоды 1g и 1r лежат друг напротив друга одной стороной треугольника. N-электрод 24 является общим для светодиодов, лежащих друг напротив друга. Светодиод 1i и электрод 32 лежат друг напротив друга, а светодиод 1n и электрод 32 лежат друг напротив друга. Первая матрица светодиодов включает светодиоды 1а, 1b, 1с, 1d, 1е, 1f, 1g и 1n, а вторая матрица светодиодов включает светодиоды 1r, 1q, 1р, 1n, 1m, 1k, 1j, и 1i. N-электрод 24 светодиода 1b соединен с р-электродом 22 светодиода 1с воздушной перемычкой 28, а n-электрод 24 светодиода 1e соединен с р-электродом 22 светодиода 1f воздушной перемычкой 28. N-электрод 24 светодиода 1q соединен с р-электродом 22 светодиода 1р воздушной перемычкой 28, а n-электрод светодиода 1m соединен с р-электродом 22 светодиода 1k воздушной перемычкой 28. На фиг.14, как и на фиг.12, имеют место пересечения проводников, но короткого замыкания можно избежать с помощью воздушных перемычек 28. В этой конфигурации с целью уменьшения количества необходимых соединений некоторые из n-электродов 24 в двух матрицах светодиодов также сформированы в виде общих структур. Кроме того, в этой конфигурации две матрицы светодиодов также включены между электродами 32 параллельно, в противоположной полярности, и устройство может питаться от сети переменного тока. На фиг.12 показана конструкция из 6 светодиодов, а на фиг.14 - из 16 светодиодов. Аналогичное двумерное размещение может быть также достигнуто при другом количестве светодиодов. Авторы настоящего изобретения создали светоизлучающее устройство, в котором в двумерной структуре размещены 38 светодиодов.
Были описаны варианты питания от переменного тока, но структура может питаться и постоянным током. В этом случае матрицы светодиодов включают между электродами не так, чтобы пропускать ток в противоположных направлениях, а вместо этого матрицы светодиодов соединяют в прямом направлении относительно полярности источника питания постоянного тока. Путем соединения множества светодиодов последовательно можно достигнуть высокого напряжения возбуждения. Ниже описаны конфигурации для возбуждения постоянным током.
На фиг.16 показана конфигурация, в которой два светодиода соединены последовательно, а на фиг.17 показана электрическая схема для этой конфигурации. Каждый светодиод 1 имеет форму плоского прямоугольника, а два светодиода соединены воздушной перемычкой 28. Около каждого светодиода 1 сформирован электрод 32, причем электрод 32 и светодиод 1 совместно образуют прямоугольную область. Другими словами, электрод 32 занимает часть прямоугольной области, а светодиод 1 сформирован в другой части этой прямоугольной области.
На фиг.18 показана двумерная конфигурация, включающая 4 светодиода, а на фиг.19 показана электрическая схема для этой конфигурации. В этой конфигурации каждый из светодиодов 1, изображенных на фиг.16, разделен на два светодиода, и эти два светодиода соединены параллельно. Такая конфигурация также может быть описана как две матрицы светодиодов, каждая из которых состоит из двух светодиодов, соединенных параллельно в прямом направлении. Светодиоды 1а и 1b образуют одну матрицу светодиодов, а светодиоды 1с и 1d образуют другую матрицу светодиодов. Светодиоды 1а и 1с совместно используют р-электрод 22 и n-электрод 24, а светодиоды 1b и 1d также совместно используют р-электрод 22 и n-электрод 24. У такой конфигурации имеется преимущество, которое заключается в том, что электрический ток является более однородным по сравнению с конфигурацией, изображенной на фиг.16.
На фиг.20 показана двумерная конфигурация, включающая три светодиода, а на фиг.21 показана электрическая схема для этой конфигурации. Светодиоды 1а, 1b и 1с имеют разную форму, а электрод 32 сформирован в части светодиода 1а. N-электрод 24 светодиода 1а соединен с р-электродом светодиода 1b воздушной перемычкой 28, проходящей над светодиодом 1b. Путем подбора формы и расположения светодиодов, даже при использовании трех светодиодов, можно добиться, чтобы форма светоизлучающего устройства в целом была близка к квадратной.
На фиг.22 показана двумерная конфигурация, включающая в общей сложности 6 светодиодов, а на фиг.23 показана электрическая схема для этой конфигурации. Светодиоды 1a-1f имеют одинаковую форму и размеры и соединены последовательно. Светодиоды 1а-1с размещены по прямой линии, а светодиоды 1d-1f размещены на другой прямой линии. Светодиоды 1с и 1d соединены воздушной перемычкой 28. При такой конфигурации также можно добиться, чтобы форма всего чипа была близка к квадратной.
На фиг.24 показана двумерная конфигурация, включающая в общей сложности 5 светодиодов, а на фиг.25 показана электрическая схема для этой конфигурации. Светодиоды 1а-1е имеют одинаковую (прямоугольную) форму и одинаковые размеры. При такой конфигурации также можно добиться, чтобы форма всего чипа была близка к квадратной.
Был описан предпочтительный вариант выполнения настоящего изобретения. Однако настоящее изобретение не ограничено этим предпочтительным вариантом его выполнения, и может включать различные изменения. В частности, конфигурации расположения множества светоизлучающих элементов (светодиодов и т.п.), составляющих двумерную структуру, могут отличаться от вышеописанных. В этом случае с целью уменьшения количества соединений все же предпочтительно обеспечивать общее использование электродов соседними светоизлучающими элементами, формировать устройство в целом в форме квадрата или прямоугольника, включать множество групп светоизлучающих элементов между электродами параллельно, при питании от переменного тока включать множества светоизлучающих элементов в противоположной полярности, объединять множество групп светоизлучающих элементов путем изгиба матриц светоизлучающих элементов зигзагообразно и т.д.
На фиг.26-31 иллюстрируются некоторые из этих альтернативных конфигураций. На фиг.26 показан пример двумерного устройства, в котором используется переменный ток возбуждения и которое состоит в общей сложности из 40 светодиодов. На фиг.27 показана электрическая схема для этой конфигурации. Конфигурация, изображенная на фиг.26, отличается от конфигурации на фиг.6 тем, что некоторые из двух групп матриц светодиодов совместно используют n-электрод 24 (см. фиг.5). Например, n-электрод 24 второго светодиода справа в первом ряду первой матрицы светодиодов (обозначена на чертеже позицией α) используется как n-электрод 24 для правого светодиода из первого ряда второй матрицы светодиодов (обозначена на чертеже позицией β). Воздушные перемычки 28 на концах матриц светодиодов (обозначены на чертеже позицией γ) выполнены общими и без пересечений.
На фиг.28 показано двумерное устройство с конфигурацией, в которой возбуждение осуществляется переменным током и имеется в общей сложности 14 светодиодов. На фиг.29 показана электрическая схема для такой конфигурации. Конфигурация, изображенная на фиг.28, отличается от конфигурации на фиг.10 тем, что некоторые светодиоды из двух групп матриц светодиодов используют общий n-электрод 24. Например, n-электрод 24 крайнего левого светодиода в первом ряду первой матрицы светодиодов (обозначена на чертеже позицией α) используется как n-электрод 24 для второго справа светодиода из первого ряда второй матрицы светодиодов (обозначена на чертеже позицией β). Воздушные перемычки 28 на концах матриц светодиодов выполнены общими (обозначены на чертеже позицией γ).
На фиг.30 показано двумерное устройство с конфигурацией, в которой возбуждение осуществляется переменным током и имеется в общей сложности 6 светодиодов. На фиг.31 показана электрическая схема для такой конфигурации. В этой конфигурации воздушные перемычки 28 также сформированы на концах общими (части γ). В этой конфигурации также предполагается, что n-электрод 24 в первой матрице светодиодов и n-электрод 24 во второй матрице светодиодов используются совместно.

Claims (12)

1. Светоизлучающее устройство, в котором на изолирующей подложке сформировано множество светодиодных элементов на основе GaN, при этом множество светодиодных элементов расположены на изолирующей подложке в виде двумерной структуры, множество светодиодных элементов сгруппированы в первую группу и вторую группу с одинаковым количеством элементов, при этом первая и вторая группы включены между двумя электродами для подачи питания переменного тока параллельно и в противоположной полярности, и
n-электрод одного из светодиодных элементов первой группы электрически соединен и является общим с n-электродом одного из светодиодных элементов второй группы, соседним с указанным одним из светодиодных элементов первой группы.
2. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что множество светодиодных элементов имеют приблизительно одинаковую форму и размер.
3. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из множества светодиодных элементов имеет плоскую, приблизительно квадратную, форму и множество светодиодных элементов расположены в виде матрицы.
4. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из множества светодиодных элементов имеет форму плоского треугольника.
5. Светоизлучающее устройство по п.4, отличающееся тем, что один из светодиодных элементов первой группы и один из светодиодных элементов второй группы, соседний с указанным одним из светодиодных элементов первой группы, размещены так, что одна из сторон одного из треугольников лежит напротив одной из сторон другого, так что два светодиодных элемента в целом имеют приблизительно квадратную форму и имеют общий n-электрод на противолежащих сторонах.
6. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что светодиодные элементы в каждой группе расположены в виде зигзагообразной структуры.
7. Светоизлучающее устройство по п.6, отличающееся тем, что две группы светодиодных элементов размещены с чередованием так, что каждая группа имеет зигзагообразные ряды, сформированные между рядами другой группы.
8. Светоизлучающее устройство по п.6, отличающееся тем, что светодиодные элементы и электроды имеют плоскую, приблизительно квадратную форму.
9. Светоизлучающее устройство по п.6, отличающееся тем, что светодиодные элементы и электроды имеют форму плоского треугольника.
10. Светоизлучающее устройство по п.2, отличающееся тем, что общая форма множества светодиодных элементов и электродов является приблизительно квадратной.
11. Светоизлучающее устройство по п.10, отличающееся тем, что множество светодиодных элементов размещены в виде зигзагообразной структуры.
12. Светоизлучающее устройство, в котором на изолирующей подложке сформировано множество светодиодных элементов на основе GaN, при этом множество светодиодных элементов расположены на изолирующей подложке в виде двумерной структуры, множество светодиодных элементов сгруппированы в первую группу и вторую группу с одинаковым количеством элементов, при этом первая и вторая группы включены между двумя электродами для подачи питания переменного тока параллельно и в противоположной полярности и каждая из групп размещена в виде зигзагообразной структуры, n-электрод одного из светодиодных элементов первой группы, не являющегося крайним, электрически соединен и является общим с n-электродом одного из светодиодных элементов второй группы, соседним с указанным одним из светодиодных элементов первой группы.
RU2005103616A 2002-08-29 2003-08-28 Светоизлучающее устройство, содержащее светоизлучающие элементы (варианты) RU2295174C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002249957A JP3822545B2 (ja) 2002-04-12 2002-08-29 発光装置
JP2002-249957 2002-08-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005103616A RU2005103616A (ru) 2005-10-10
RU2295174C2 true RU2295174C2 (ru) 2007-03-10

Family

ID=31972605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005103616A RU2295174C2 (ru) 2002-08-29 2003-08-28 Светоизлучающее устройство, содержащее светоизлучающие элементы (варианты)

Country Status (10)

Country Link
US (17) US7417259B2 (ru)
EP (10) EP2101355A1 (ru)
KR (1) KR100697803B1 (ru)
CN (2) CN100421266C (ru)
AT (1) ATE500616T1 (ru)
DE (1) DE60336252D1 (ru)
ES (1) ES2362407T3 (ru)
RU (1) RU2295174C2 (ru)
TW (1) TWI280672B (ru)
WO (1) WO2004023568A1 (ru)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2446511C1 (ru) * 2010-12-08 2012-03-27 Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ) Полупроводниковый прибор
US8289478B2 (en) 2008-03-28 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Backlight unit and liquid crystal display device
RU2465683C1 (ru) * 2011-08-09 2012-10-27 Вячеслав Николаевич Козубов Способ формирования светоизлучающих матриц
RU2469435C1 (ru) * 2008-10-17 2012-12-10 Нэшнл Юниверсити Корпорейшн Хоккайдо Юниверсити Массив полупроводниковых светоизлучающих элементов и способ его изготовления
RU2474920C1 (ru) * 2011-11-14 2013-02-10 Вячеслав Николаевич Козубов Способ формирования светоизлучающих матриц
RU2492550C1 (ru) * 2012-05-22 2013-09-10 Вячеслав Николаевич Козубов Способ формирования светоизлучающих матриц
RU2514055C1 (ru) * 2013-02-05 2014-04-27 Вячеслав Николаевич Козубов Способ размещения и соединения светоизлучающих элементов в гирляндах, размещаемых в монолитных светоизлучающих матрицах
RU2523747C2 (ru) * 2009-03-04 2014-07-20 ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи Iii-нитридный светоизлучающий прибор, включающий бор
RU2566383C1 (ru) * 2011-09-30 2015-10-27 Соко Кагаку Ко., Лтд. Нитридный полупроводниковый элемент и способ его изготовления

Families Citing this family (236)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE500616T1 (de) 2002-08-29 2011-03-15 Seoul Semiconductor Co Ltd Lichtemittierendes bauelement mit lichtemittierenden dioden
US6957899B2 (en) * 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US7213942B2 (en) * 2002-10-24 2007-05-08 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
WO2005022654A2 (en) 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
TW200529464A (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Super Nova Optoelectronics Corp Gallium nitride based light-emitting diode structure and manufacturing method thereof
WO2006004337A1 (en) 2004-06-30 2006-01-12 Seoul Opto-Device Co., Ltd. Light emitting element with a plurality of cells bonded, method of manufacturing the same, and light emitting device using the same
TW200501464A (en) 2004-08-31 2005-01-01 Ind Tech Res Inst LED chip structure with AC loop
JP3802910B2 (ja) 2004-09-13 2006-08-02 ローム株式会社 半導体発光装置
KR101216938B1 (ko) 2004-10-28 2012-12-31 서울반도체 주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를이용한 발광 장치
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7906788B2 (en) * 2004-12-22 2011-03-15 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element
KR101274041B1 (ko) * 2004-12-31 2013-06-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US7525248B1 (en) 2005-01-26 2009-04-28 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp
KR101138944B1 (ko) 2005-01-26 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및그것을 제조하는 방법
KR101121726B1 (ko) 2005-02-03 2012-03-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7535028B2 (en) * 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
EP2259318A3 (en) 2005-02-04 2014-01-08 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having a plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
DE102005009060A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
DE102005055997A1 (de) * 2005-05-02 2006-11-09 Hieke, Bernhard Homogene Lichtquelle
US7474681B2 (en) 2005-05-13 2009-01-06 Industrial Technology Research Institute Alternating current light-emitting device
TW200640045A (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Ind Tech Res Inst Alternating current light-emitting device
US8704241B2 (en) 2005-05-13 2014-04-22 Epistar Corporation Light-emitting systems
US8272757B1 (en) 2005-06-03 2012-09-25 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation
JP2008544540A (ja) 2005-06-22 2008-12-04 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
KR100691497B1 (ko) * 2005-06-22 2007-03-09 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
US8896216B2 (en) 2005-06-28 2014-11-25 Seoul Viosys Co., Ltd. Illumination system
CN101865375B (zh) 2005-06-28 2013-03-13 首尔Opto仪器股份有限公司 发光装置
KR100599012B1 (ko) 2005-06-29 2006-07-12 서울옵토디바이스주식회사 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법
KR100616415B1 (ko) * 2005-08-08 2006-08-29 서울옵토디바이스주식회사 교류형 발광소자
US8901575B2 (en) 2005-08-09 2014-12-02 Seoul Viosys Co., Ltd. AC light emitting diode and method for fabricating the same
KR101156452B1 (ko) * 2005-08-25 2012-06-13 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자
CN100413071C (zh) * 2005-09-21 2008-08-20 杭州士兰明芯科技有限公司 使用交流电源的发光二极管灯及其制造方法
KR101158071B1 (ko) * 2005-09-28 2012-06-22 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN101263610B (zh) 2005-09-30 2013-03-13 首尔Opto仪器股份有限公司 具有竖直堆叠发光二极管的发光器件
KR100721454B1 (ko) * 2005-11-10 2007-05-23 서울옵토디바이스주식회사 광 결정 구조체를 갖는 교류용 발광소자 및 그것을제조하는 방법
TWI318466B (en) * 2005-12-09 2009-12-11 Ind Tech Res Inst Ac_led single chip with three terminals
KR101158073B1 (ko) * 2005-12-13 2012-06-22 서울옵토디바이스주식회사 다수개의 발광 셀이 어레이된 발광 소자
TWI331406B (en) * 2005-12-14 2010-10-01 Advanced Optoelectronic Tech Single chip with multi-led
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100652864B1 (ko) * 2005-12-16 2006-12-04 서울옵토디바이스주식회사 개선된 투명전극 구조체를 갖는 교류용 발광 다이오드
JP2009527071A (ja) 2005-12-22 2009-07-23 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
JP4861437B2 (ja) 2006-01-09 2012-01-25 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド Ｉｔｏ層を有する発光ダイオード及びその製造方法
KR100659373B1 (ko) 2006-02-09 2006-12-19 서울옵토디바이스주식회사 패터닝된 발광다이오드용 기판 및 그것을 채택하는 발광다이오드
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
JP2007281081A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US7821194B2 (en) 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US8998444B2 (en) * 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
CN101128075B (zh) * 2006-08-18 2011-01-26 财团法人工业技术研究院 发光装置
KR100765240B1 (ko) 2006-09-30 2007-10-09 서울옵토디바이스주식회사 서로 다른 크기의 발광셀을 가지는 발광 다이오드 패키지및 이를 채용한 발광 소자
US7714348B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
US7897980B2 (en) * 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
KR100898585B1 (ko) * 2006-11-16 2009-05-20 서울반도체 주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100803162B1 (ko) * 2006-11-20 2008-02-14 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광소자
US8338836B2 (en) * 2006-11-21 2012-12-25 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device for AC operation
US7947993B2 (en) 2006-12-18 2011-05-24 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having isolating insulative layer for isolating light emitting cells from each other and method of fabricating the same
DE112007002696T5 (de) 2006-12-26 2009-11-05 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Vorrichtung
US10586787B2 (en) 2007-01-22 2020-03-10 Cree, Inc. Illumination devices using externally interconnected arrays of light emitting devices, and methods of fabricating same
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP2010517273A (ja) 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド フォールト・トレラント発光体、フォールト・トレラント発光体を含むシステムおよびフォールト・トレラント発光体を作製する方法
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
KR101239853B1 (ko) * 2007-03-13 2013-03-06 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광 다이오드
JP4753904B2 (ja) 2007-03-15 2011-08-24 シャープ株式会社 発光装置
KR100974923B1 (ko) * 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
JP4474441B2 (ja) * 2007-06-29 2010-06-02 株式会社沖データ 発光パネル、表示装置及び光源装置
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
KR100889956B1 (ko) 2007-09-27 2009-03-20 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광다이오드
TWI369777B (en) * 2007-10-04 2012-08-01 Young Lighting Technology Corp Surface light source of backlight module in a flat panel display
CN101409318B (zh) * 2007-10-12 2010-06-09 台达电子工业股份有限公司 发光二极管芯片的制造方法
KR100928259B1 (ko) 2007-10-15 2009-11-24 엘지전자 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법
KR101423723B1 (ko) 2007-10-29 2014-08-04 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8350461B2 (en) * 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
US8461613B2 (en) 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
KR101495071B1 (ko) * 2008-06-24 2015-02-25 삼성전자 주식회사 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법
KR101025972B1 (ko) 2008-06-30 2011-03-30 삼성엘이디 주식회사 교류 구동 발광 장치
KR100956224B1 (ko) * 2008-06-30 2010-05-04 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 구동회로 및 ｌｅｄ 어레이 장치
US8058669B2 (en) 2008-08-28 2011-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-emitting diode integration scheme
JP5123269B2 (ja) 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
WO2010050694A2 (ko) * 2008-10-29 2010-05-06 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2010-07-06 서울반도체 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101017395B1 (ko) * 2008-12-24 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101557362B1 (ko) 2008-12-31 2015-10-08 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR20100095666A (ko) 2009-02-12 2010-09-01 서울반도체 주식회사 고전압 구동용 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지
US8333631B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-18 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US7967652B2 (en) 2009-02-19 2011-06-28 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US7982409B2 (en) 2009-02-26 2011-07-19 Bridgelux, Inc. Light sources utilizing segmented LEDs to compensate for manufacturing variations in the light output of individual segmented LEDs
JP5283539B2 (ja) * 2009-03-03 2013-09-04 シャープ株式会社 発光装置、発光装置ユニット、および発光装置製造方法
KR20100107165A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 조명장치
WO2010114250A2 (en) 2009-03-31 2010-10-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
TWI470824B (zh) 2009-04-09 2015-01-21 Huga Optotech Inc 電極結構及其發光元件
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
JP5336594B2 (ja) * 2009-06-15 2013-11-06 パナソニック株式会社 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置
US8558249B1 (en) 2009-06-30 2013-10-15 Applied Lighting Solutions, LLC Rectifier structures for AC LED systems
US7936135B2 (en) * 2009-07-17 2011-05-03 Bridgelux, Inc Reconfigurable LED array and use in lighting system
US20110037054A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Chan-Long Shieh Amoled with cascaded oled structures
US8324837B2 (en) * 2009-08-18 2012-12-04 Hung Lin Parallel light-emitting circuit of parallel LED light-emitting device and circuit board thereof
US20110049468A1 (en) * 2009-08-25 2011-03-03 Panasonic Corporation Led and led display and illumination devices
US8354680B2 (en) * 2009-09-15 2013-01-15 Seoul Opto Device Co., Ltd. AC light emitting diode having full-wave light emitting cell and half-wave light emitting cell
BR112012005826A2 (pt) * 2009-09-17 2016-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv módulo emissor de luz, dispositivo emissor de luz e dispositivo de iluminação
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
KR20110041401A (ko) * 2009-10-15 2011-04-21 샤프 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
US8872214B2 (en) 2009-10-19 2014-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device
US9324691B2 (en) 2009-10-20 2016-04-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
DE102009051129A1 (de) 2009-10-28 2011-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2011071559A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Nano And Advanced Materials Institute Limited Method for manufacturing a monolithic led micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic led micro-display
US9236532B2 (en) 2009-12-14 2016-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
KR101106151B1 (ko) 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
CN103474446B (zh) * 2010-01-15 2017-03-01 晶元光电股份有限公司 发光二极管阵列结构及其制造方法
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
KR101601624B1 (ko) 2010-02-19 2016-03-09 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
WO2011115361A2 (ko) * 2010-03-15 2011-09-22 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 장치
KR101649267B1 (ko) 2010-04-30 2016-08-18 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드
US8084775B2 (en) * 2010-03-16 2011-12-27 Bridgelux, Inc. Light sources with serially connected LED segments including current blocking diodes
JP2011199221A (ja) 2010-03-24 2011-10-06 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
CN102214771A (zh) * 2010-04-02 2011-10-12 菱生精密工业股份有限公司 导线架型式的预铸模成型多芯片承载模组
CN102859726B (zh) 2010-04-06 2015-09-16 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及其制造方法
JP5522462B2 (ja) 2010-04-20 2014-06-18 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
CN102270626B (zh) 2010-06-01 2013-12-25 展晶科技(深圳)有限公司 多晶封装发光二极管
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
EP2583317A4 (en) 2010-06-18 2016-06-15 Glo Ab NANODRAHT LED STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
TWI466284B (zh) * 2010-07-02 2014-12-21 Epistar Corp 光電元件
CN102340904B (zh) 2010-07-14 2015-06-17 通用电气公司 发光二极管驱动装置及其驱动方法
TWI557875B (zh) * 2010-07-19 2016-11-11 晶元光電股份有限公司 多維度發光裝置
TWI451596B (zh) * 2010-07-20 2014-09-01 Epistar Corp 一種陣列式發光元件
JP2012028749A (ja) 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード
KR101142539B1 (ko) * 2010-08-18 2012-05-08 한국전기연구원 역방향 직렬접속된 발광셀 어레이가 구비된 교류용 발광다이오드 칩 구조
CN101982883A (zh) * 2010-09-01 2011-03-02 晶科电子（广州）有限公司 一种由倒装发光单元阵列组成的发光器件及其制造方法
US9035329B2 (en) * 2010-09-13 2015-05-19 Epistar Corporation Light-emitting device
KR101142965B1 (ko) 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
TWI472058B (zh) * 2010-10-13 2015-02-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體裝置
TWI420959B (zh) * 2010-10-20 2013-12-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體模組
TW201233944A (en) * 2010-11-11 2012-08-16 Koninkl Philips Electronics Nv A LED assembly
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
KR20120070278A (ko) * 2010-12-21 2012-06-29 삼성엘이디 주식회사 발광모듈 및 발광모듈 제조방법
EP2663163B1 (en) * 2011-01-07 2020-02-26 Kaneka Corporation Organic el device and method for manufacturing organic el device
US9516713B2 (en) * 2011-01-25 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
KR101104767B1 (ko) * 2011-02-09 2012-01-12 (주)세미머티리얼즈 발광 장치
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US9490771B2 (en) 2012-10-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and frame
US9401692B2 (en) 2012-10-29 2016-07-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator having collar structure
US9490418B2 (en) 2011-03-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer
DE102011015821B4 (de) * 2011-04-01 2023-04-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
KR101216937B1 (ko) 2011-04-07 2012-12-31 서울반도체 주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치
US20120269520A1 (en) * 2011-04-19 2012-10-25 Hong Steve M Lighting apparatuses and led modules for both illumation and optical communication
DE102011102032A1 (de) 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module
US20120306390A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Architecture for Supporting Modulized Full Operation Junction Ultra High Voltage (UHV) Light Emitting Diode (LED) Device
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
CN102255012B (zh) * 2011-07-15 2013-03-20 上海蓝光科技有限公司 一种高压直流发光二极管芯片制造方法及其结构
JP5403832B2 (ja) * 2011-08-29 2014-01-29 星和電機株式会社 発光装置
US20130175516A1 (en) * 2011-09-02 2013-07-11 The Procter & Gamble Company Light emitting apparatus
KR101220426B1 (ko) 2011-09-19 2013-02-05 서울옵토디바이스주식회사 복수의 발광 셀을 구비하는 발광 소자
US8350251B1 (en) 2011-09-26 2013-01-08 Glo Ab Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same
TWI427760B (zh) * 2011-11-17 2014-02-21 Helio Optoelectronics Corp 高壓交流發光二極體結構
US20120087130A1 (en) * 2011-11-20 2012-04-12 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Alternating current led illumination apparatus
US9144121B2 (en) 2011-11-20 2015-09-22 Jacobo Frias, SR. Reconfigurable LED arrays and lighting fixtures
GB2496851A (en) 2011-11-21 2013-05-29 Photonstar Led Ltd Led light source with passive chromaticity tuning
CN104269424B (zh) * 2011-11-23 2017-01-18 俞国宏 一种集成电阻的发光二极管芯片
DE102012024599B4 (de) 2011-12-20 2020-07-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anordnung mit optisch transparenten und funktionalen Bauelementen
KR101634369B1 (ko) 2011-12-27 2016-06-28 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
CN103200728B (zh) 2012-01-10 2015-02-04 四川新力光源股份有限公司 交流电直接恒流驱动的白光led发光装置
EP2626901A1 (en) 2012-02-10 2013-08-14 Oki Data Corporation Semiconductor light emitting apparatus, image displaying apparatus, mobile terminal, head-up display apparatus, image projector, head-mounted display apparatus, and image forming apparatus
KR101202175B1 (ko) 2012-03-26 2012-11-15 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP5939055B2 (ja) * 2012-06-28 2016-06-22 住友電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8974077B2 (en) 2012-07-30 2015-03-10 Ultravision Technologies, Llc Heat sink for LED light source
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US20140056003A1 (en) * 2012-08-20 2014-02-27 John Frattalone Modular video and lighting displays
US9171826B2 (en) 2012-09-04 2015-10-27 Micron Technology, Inc. High voltage solid-state transducers and solid-state transducer arrays having electrical cross-connections and associated systems and methods
CN104620399B (zh) * 2012-09-07 2020-02-21 首尔伟傲世有限公司 晶圆级发光二极管阵列
CN106206558B (zh) * 2012-09-14 2019-04-09 晶元光电股份有限公司 具有改进的热耗散和光提取的高压led
US9076950B2 (en) 2012-09-14 2015-07-07 Tsmc Solid State Lighting Ltd. High voltage LED with improved heat dissipation and light extraction
JP6068073B2 (ja) * 2012-09-18 2017-01-25 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄアレイ
CN102903813B (zh) * 2012-09-29 2014-04-02 海迪科（南通）光电科技有限公司 集成图形阵列高压led器件的制备方法
US9385684B2 (en) 2012-10-23 2016-07-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator having guard ring
KR20140059985A (ko) * 2012-11-09 2014-05-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US8558254B1 (en) * 2012-11-29 2013-10-15 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited High reliability high voltage vertical LED arrays
KR102071035B1 (ko) 2012-12-21 2020-01-29 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
DE112013006123T5 (de) 2012-12-21 2015-09-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiode und Verfahren zu deren Herstellung
US9356212B2 (en) 2012-12-21 2016-05-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
CN103148381A (zh) * 2013-01-24 2013-06-12 左洪波 一种led灯封装结构
TW201431138A (zh) * 2013-01-25 2014-08-01 zhong-lin Wang 免封裝製程且免電路板式發光二極體裝置及其製造方法
JP6176032B2 (ja) * 2013-01-30 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
TWI610416B (zh) * 2013-02-15 2018-01-01 首爾偉傲世有限公司 抗靜電放電的ｌｅｄ晶片以及包含該ｌｅｄ晶片的ｌｅｄ封裝
US20140231852A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Led chip resistant to electrostatic discharge and led package including the same
KR102006389B1 (ko) 2013-03-14 2019-08-02 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 장치
CN103256574B (zh) * 2013-04-18 2015-02-04 李宪坤 一种led灯具智能布线方法及系统
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
TWI513068B (zh) * 2013-07-12 2015-12-11 Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd 發光二極體結構、發光二極體結構的金屬支架、及承載座模組
US9583689B2 (en) * 2013-07-12 2017-02-28 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. LED package
CN104282823A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 光宝科技股份有限公司 发光二极管封装结构
DE102014011893B4 (de) 2013-08-16 2020-10-01 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiode
CN104425539A (zh) * 2013-09-05 2015-03-18 亚世达科技股份有限公司 发光二极管单元及发光装置
US9117733B2 (en) * 2013-10-18 2015-08-25 Posco Led Company Ltd. Light emitting module and lighting apparatus having the same
EP2881982B1 (en) * 2013-12-05 2019-09-04 IMEC vzw Method for fabricating cmos compatible contact layers in semiconductor devices
KR102122359B1 (ko) * 2013-12-10 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법
US9660064B2 (en) * 2013-12-26 2017-05-23 Intel Corporation Low sheet resistance GaN channel on Si substrates using InAlN and AlGaN bi-layer capping stack
TWI614920B (zh) 2014-05-19 2018-02-11 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
US9577171B2 (en) * 2014-06-03 2017-02-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package having improved heat dissipation efficiency
TWI556478B (zh) * 2014-06-30 2016-11-01 億光電子工業股份有限公司 發光二極體裝置
JP6066025B2 (ja) * 2014-09-22 2017-01-25 株式会社村田製作所 半導体装置
KR102231646B1 (ko) 2014-10-17 2021-03-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
AT516416B1 (de) 2014-10-21 2019-12-15 Zkw Group Gmbh Leiterplatte mit einer Mehrzahl von an der Leiterplatte in zumindest einer Gruppe angeordneter elektronischer Bauteile
KR101651923B1 (ko) 2014-12-31 2016-08-29 최운용 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법
CN107223285B (zh) 2015-02-13 2020-01-03 首尔伟傲世有限公司 发光元件以及发光二极管
KR102268107B1 (ko) * 2015-02-26 2021-06-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN104992938A (zh) * 2015-07-20 2015-10-21 深圳市君和光电子有限公司 一种倒装集成led光源
DE102015114010A1 (de) * 2015-08-24 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelements
EP3378106B1 (en) * 2015-11-20 2019-10-02 Lumileds Holding B.V. Die bond pad design to enable different electrical configurations
KR101731058B1 (ko) 2016-02-11 2017-05-11 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR20160082491A (ko) 2016-02-11 2016-07-08 최운용 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법
KR101845907B1 (ko) * 2016-02-26 2018-04-06 피에스아이 주식회사 초소형 led 모듈을 포함하는 디스플레이 장치
CN105789400B (zh) * 2016-03-14 2018-08-14 聚灿光电科技股份有限公司 一种并联结构的led芯片及其制造方法
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
US20190237027A1 (en) * 2016-05-04 2019-08-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Color temperature adjustment device and mthod of liquid crystal panel and liquid crystal panel
DE102016109951A1 (de) * 2016-05-31 2017-11-30 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Lichterzeugungsvorrichtung für eine Kopf-oben-Anzeige eines Kraftfahrzeugs
JP6447580B2 (ja) 2016-06-15 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109936890B (zh) * 2017-12-18 2022-03-15 群创光电股份有限公司 电子装置
US20210036049A1 (en) * 2019-07-31 2021-02-04 Epistar Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof
JP7014973B2 (ja) 2019-08-28 2022-02-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11538849B2 (en) * 2020-05-28 2022-12-27 X Display Company Technology Limited Multi-LED structures with reduced circuitry
KR102447407B1 (ko) 2020-11-12 2022-09-27 주식회사 에스엘바이오닉스 반도체 발광소자
DE102021130804A1 (de) * 2021-11-24 2023-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtfolie, anzeigelement und verfahren zum betreiben einer leuchtfolie

Family Cites Families (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5829361Y2 (ja) * 1976-09-13 1983-06-28 シャープ株式会社 加熱調理装置のタ−ンテ−ブル
JPS54102886A (en) * 1978-01-31 1979-08-13 Futaba Denshi Kogyo Kk Light emitting diode indicator
JPS556687A (en) * 1978-06-29 1980-01-18 Handotai Kenkyu Shinkokai Traffic use display
JPS5517180A (en) * 1978-07-24 1980-02-06 Handotai Kenkyu Shinkokai Light emitting diode display
US4242281A (en) * 1978-11-17 1980-12-30 International Flavors & Fragrances Inc. Process for preparing 6-hydroxy-2,6-dimethylheptanal and intermediates thereof
JPS60960B2 (ja) * 1979-12-17 1985-01-11 松下電器産業株式会社 窒化ガリウム発光素子アレイの製造方法
JPS5714058A (en) * 1980-06-28 1982-01-25 Ricoh Co Ltd Printer
JPS59206873A (ja) * 1983-05-11 1984-11-22 株式会社東芝 発光表示装置
US4589745A (en) * 1985-01-25 1986-05-20 Polaroid Corporation Geometric LED layout for line exposure
JPH0716001B2 (ja) 1986-05-21 1995-02-22 日本電気株式会社 電界効果トランジスタおよびその製造方法
JPH0783053B2 (ja) * 1987-06-19 1995-09-06 三菱電機株式会社 半導体装置
US5187377A (en) * 1988-07-15 1993-02-16 Sharp Kabushiki Kaisha LED array for emitting light of multiple wavelengths
US4943539A (en) * 1989-05-09 1990-07-24 Motorola, Inc. Process for making a multilayer metallization structure
JPH03229426A (ja) * 1989-11-29 1991-10-11 Texas Instr Inc <Ti> 集積回路及びその製造方法
JPH0423154A (ja) 1990-05-18 1992-01-27 Hitachi Ltd 端末制御方法
JPH0423154U (ru) 1990-06-14 1992-02-26
JP2759117B2 (ja) 1990-11-28 1998-05-28 富士写真フイルム株式会社 感光材料処理装置
JPH04365382A (ja) * 1991-06-13 1992-12-17 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその駆動方法
JPH06104273A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 半導体装置
US5298853A (en) * 1992-12-18 1994-03-29 Lubos Ryba Electrical apparatus for detecting relationships in three phase AC networks
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
JPH0786691A (ja) 1993-09-14 1995-03-31 Sony Corp 発光装置
US5463280A (en) * 1994-03-03 1995-10-31 National Service Industries, Inc. Light emitting diode retrofit lamp
JPH07272849A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Nippondenso Co Ltd 薄膜ｅｌ表示器とその製造方法
JPH0856018A (ja) * 1994-08-11 1996-02-27 Rohm Co Ltd 半導体発光素子、および半導体発光素子の製造方法
US5693963A (en) * 1994-09-19 1997-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device with nitride
JPH08111562A (ja) * 1994-10-11 1996-04-30 Mitsubishi Electric Corp アレイ型半導体レーザ装置，及びその製造方法
US5608234A (en) * 1994-11-14 1997-03-04 The Whitaker Corporation Semi-insulating edge emitting light emitting diode
US5936599A (en) * 1995-01-27 1999-08-10 Reymond; Welles AC powered light emitting diode array circuits for use in traffic signal displays
US5585648A (en) * 1995-02-03 1996-12-17 Tischler; Michael A. High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
JP3905935B2 (ja) * 1995-09-01 2007-04-18 株式会社東芝 半導体素子及び半導体素子の製造方法
EP0852817A1 (en) * 1995-09-25 1998-07-15 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Surface light-emitting element and self-scanning type light-emitting device
US5583349A (en) * 1995-11-02 1996-12-10 Motorola Full color light emitting diode display
JPH09153644A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体表示装置
JP2768343B2 (ja) * 1996-02-14 1998-06-25 日本電気株式会社 窒化ｉｉｉ族化合物半導体の結晶成長方法
KR100190080B1 (ko) * 1996-08-20 1999-06-01 윤종용 반도체 메모리 장치의 메모리 셀 테스트용 고전압 감지 회로
JPH10107316A (ja) * 1996-10-01 1998-04-24 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
US5977612A (en) * 1996-12-20 1999-11-02 Xerox Corporation Semiconductor devices constructed from crystallites
CN1300859C (zh) * 1997-01-31 2007-02-14 松下电器产业株式会社 发光元件
JPH10261818A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Fujitsu Ltd 発光半導体装置
JP3934730B2 (ja) 1997-03-28 2007-06-20 ローム株式会社 半導体発光素子
US5986324A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Raytheon Company Heterojunction bipolar transistor
US6388696B1 (en) * 1997-05-28 2002-05-14 Oki Electric Industry Co., Ltd Led array, and led printer head
JP3505374B2 (ja) 1997-11-14 2004-03-08 三洋電機株式会社 発光部品
US6194743B1 (en) * 1997-12-15 2001-02-27 Agilent Technologies, Inc. Nitride semiconductor light emitting device having a silver p-contact
US6412971B1 (en) * 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
US6081031A (en) * 1998-06-29 2000-06-27 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package consisting of multiple conductive layers
JP4470237B2 (ja) 1998-07-23 2010-06-02 ソニー株式会社 発光素子，発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法
JP2000068555A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Hitachi Ltd 照明システム
US6461019B1 (en) * 1998-08-28 2002-10-08 Fiber Optic Designs, Inc. Preferred embodiment to LED light string
JP3497741B2 (ja) * 1998-09-25 2004-02-16 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光装置の駆動方法
US6307218B1 (en) * 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
JP2000182508A (ja) 1998-12-16 2000-06-30 Sony Corp 電界放出型カソード、電子放出装置、および電子放出装置の製造方法
JP4296644B2 (ja) 1999-01-29 2009-07-15 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP3702700B2 (ja) * 1999-03-31 2005-10-05 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
JP2000311876A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Hitachi Ltd 配線基板の製造方法および製造装置
US6489637B1 (en) * 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6639354B1 (en) * 1999-07-23 2003-10-28 Sony Corporation Light emitting device, production method thereof, and light emitting apparatus and display unit using the same
CN1134849C (zh) * 1999-09-20 2004-01-14 晶元光电股份有限公司 发光二极管
JP2001168388A (ja) * 1999-09-30 2001-06-22 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体チップ及びその製造方法ならびに窒化ガリウム系化合物半導体ウエハー
JP2001111109A (ja) 1999-10-07 2001-04-20 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2001150718A (ja) 1999-11-26 2001-06-05 Kyocera Corp 発光素子アレイ
JP3659098B2 (ja) 1999-11-30 2005-06-15 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2001156381A (ja) 1999-11-30 2001-06-08 Kyocera Corp 光モジュール
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
US6547246B2 (en) * 1999-12-21 2003-04-15 Prime Table Games Llc Method and apparatus for playing elective wagering card game
JP2001177146A (ja) 1999-12-21 2001-06-29 Mitsubishi Cable Ind Ltd 三角形状の半導体素子及びその製法
US6566808B1 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
US6486499B1 (en) * 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6885035B2 (en) * 1999-12-22 2005-04-26 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-chip semiconductor LED assembly
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
JP2001196634A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光ダイオードモジュール
JP2001307506A (ja) * 2000-04-17 2001-11-02 Hitachi Ltd 白色発光装置および照明器具
JP2001351789A (ja) * 2000-06-02 2001-12-21 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード駆動装置
JP2002016290A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Toshiba Lighting & Technology Corp Ｌｅｄ光源装置
JP2002026384A (ja) 2000-07-05 2002-01-25 Nichia Chem Ind Ltd 集積型窒化物半導体発光素子
DE10038213A1 (de) * 2000-08-04 2002-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Linsensform
DE10051159C2 (de) * 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
JP2002208541A (ja) 2001-01-11 2002-07-26 Shiro Sakai 窒化物系半導体装置及びその製造方法
US6891200B2 (en) * 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6547249B2 (en) * 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
US6841931B2 (en) * 2001-04-12 2005-01-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED lamp
US20020158261A1 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 Ming-Tang Lee Light emitting diode layout structure
JP3811624B2 (ja) * 2001-04-27 2006-08-23 松下電器産業株式会社 半導体装置
TW567619B (en) * 2001-08-09 2003-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lighting apparatus and card-type LED light source
US6641294B2 (en) * 2002-03-22 2003-11-04 Emteq, Inc. Vehicle lighting assembly with stepped dimming
JP3822545B2 (ja) 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置
JP4195041B2 (ja) 2002-04-12 2008-12-10 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光装置
WO2004013916A1 (ja) * 2002-08-01 2004-02-12 Nichia Corporation 半導体発光素子及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置
US7034470B2 (en) * 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
ATE500616T1 (de) * 2002-08-29 2011-03-15 Seoul Semiconductor Co Ltd Lichtemittierendes bauelement mit lichtemittierenden dioden
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
US6957899B2 (en) * 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US20040109833A1 (en) * 2002-12-09 2004-06-10 Xiaozhong Tang High efficacy, low irritation aluminum salts and related products
TW200501464A (en) * 2004-08-31 2005-01-01 Ind Tech Res Inst LED chip structure with AC loop
JP4648780B2 (ja) * 2005-07-11 2011-03-09 Ｈｏｙａ株式会社 電子内視鏡用撮像素子パッケージ
US8901575B2 (en) * 2005-08-09 2014-12-02 Seoul Viosys Co., Ltd. AC light emitting diode and method for fabricating the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8289478B2 (en) 2008-03-28 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Backlight unit and liquid crystal display device
RU2466439C2 (ru) * 2008-03-28 2012-11-10 Шарп Кабусики Кайся Модуль фоновой подсветки и жидкокристаллическое устройство отображения
RU2469435C1 (ru) * 2008-10-17 2012-12-10 Нэшнл Юниверсити Корпорейшн Хоккайдо Юниверсити Массив полупроводниковых светоизлучающих элементов и способ его изготовления
RU2523747C2 (ru) * 2009-03-04 2014-07-20 ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи Iii-нитридный светоизлучающий прибор, включающий бор
RU2446511C1 (ru) * 2010-12-08 2012-03-27 Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ) Полупроводниковый прибор
RU2465683C1 (ru) * 2011-08-09 2012-10-27 Вячеслав Николаевич Козубов Способ формирования светоизлучающих матриц
RU2566383C1 (ru) * 2011-09-30 2015-10-27 Соко Кагаку Ко., Лтд. Нитридный полупроводниковый элемент и способ его изготовления
RU2474920C1 (ru) * 2011-11-14 2013-02-10 Вячеслав Николаевич Козубов Способ формирования светоизлучающих матриц
RU2492550C1 (ru) * 2012-05-22 2013-09-10 Вячеслав Николаевич Козубов Способ формирования светоизлучающих матриц
RU2514055C1 (ru) * 2013-02-05 2014-04-27 Вячеслав Николаевич Козубов Способ размещения и соединения светоизлучающих элементов в гирляндах, размещаемых в монолитных светоизлучающих матрицах

Also Published As

Publication number Publication date
US8680533B2 (en) 2014-03-25
EP3389094A1 (en) 2018-10-17
EP1892764B1 (en) 2016-03-09
EP2149905A3 (en) 2014-05-07
EP2154721A3 (en) 2014-05-07
EP1553641A1 (en) 2005-07-13
EP2154721B1 (en) 2019-08-07
US20170154922A1 (en) 2017-06-01
US7615793B2 (en) 2009-11-10
US20090108275A1 (en) 2009-04-30
EP2149907A3 (en) 2014-05-07
US20130003377A1 (en) 2013-01-03
US7417259B2 (en) 2008-08-26
US8129729B2 (en) 2012-03-06
EP1553641A4 (en) 2007-03-14
US7646031B2 (en) 2010-01-12
TW200408148A (en) 2004-05-16
CN100421266C (zh) 2008-09-24
US20090108272A1 (en) 2009-04-30
US20080179603A1 (en) 2008-07-31
US20120305951A1 (en) 2012-12-06
EP2149906A2 (en) 2010-02-03
US8084774B2 (en) 2011-12-27
EP1553641B1 (en) 2011-03-02
CN100570883C (zh) 2009-12-16
US7897982B2 (en) 2011-03-01
US20050253151A1 (en) 2005-11-17
CN101093849A (zh) 2007-12-26
EP2154722B1 (en) 2017-10-11
US8097889B2 (en) 2012-01-17
EP2154722A2 (en) 2010-02-17
US20100102329A1 (en) 2010-04-29
DE60336252D1 (de) 2011-04-14
KR20050052474A (ko) 2005-06-02
US20090108274A1 (en) 2009-04-30
KR100697803B1 (ko) 2007-03-20
US20080246040A1 (en) 2008-10-09
EP2149907A2 (en) 2010-02-03
EP1892764A1 (en) 2008-02-27
US7569861B2 (en) 2009-08-04
US9947717B2 (en) 2018-04-17
ATE500616T1 (de) 2011-03-15
EP2101355A1 (en) 2009-09-16
US20110073879A1 (en) 2011-03-31
WO2004023568A1 (ja) 2004-03-18
EP2157609A2 (en) 2010-02-24
US20090108273A1 (en) 2009-04-30
TWI280672B (en) 2007-05-01
US20130248900A1 (en) 2013-09-26
EP2154722A3 (en) 2012-11-28
US8735911B2 (en) 2014-05-27
US20090237935A1 (en) 2009-09-24
EP2149906A3 (en) 2014-05-07
US7667237B2 (en) 2010-02-23
RU2005103616A (ru) 2005-10-10
EP2157609A3 (en) 2014-05-07
US20090267089A1 (en) 2009-10-29
US20150108497A1 (en) 2015-04-23
CN1679177A (zh) 2005-10-05
EP2154721A2 (en) 2010-02-17
US20070138500A1 (en) 2007-06-21
US7956367B2 (en) 2011-06-07
US8735918B2 (en) 2014-05-27
ES2362407T3 (es) 2011-07-04
EP2149905A2 (en) 2010-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2295174C2 (ru) Светоизлучающее устройство, содержащее светоизлучающие элементы (варианты)
JP4938821B2 (ja) 発光装置
JP2004006582A (ja) 発光装置
JP4195041B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PC4A Invention patent assignment

Effective date: 20071011