CN109936890B - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子装置，包括发光单元以及至少一电路单元。发光单元包括至少两个二极管，以串联方式彼此耦接，其中该多个二极管至少其中之一为发光二极管，用以产生光线。电路单元包括薄膜晶体管或开关元件，耦接于发光单元的一第一端与一电压源之间。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特别是涉及一种具有多颗彼此电性串联的二极管的发光电子装置。
背景技术
由于发光二极管具有体积小、效率高、耗电量低、寿命长、反应速度快、演色度高又不含对环境有害的汞等优点，因此已广泛地应用于人们日常的照明系统以及显示设备中。针对显示电子装置来说，发光二极管已取代传统的阴极射线管，作为背光的光源，除此之外，随着发光二极管制程的不断进步，发光二极管的尺寸可越来越小，使其可另作为显示电子装置的像素单元，例如尺寸介于100微米到300微米之间的小型发光二极管(mini-LED)，或是介于1微米到100微米之间的微型发光二极管(micro-LED)。一般小型发光二极管为电流驱动组件，且其驱动电流需数毫安，因此传统驱动单颗小型发光二极管的方式是利用内建有单颗或数颗晶体管的驱动电路，以具有足够的驱动电流。不过，驱动电路中的晶体管的功率占比相对较高，因此如何提升发光二极管整体的功率占比是目前亟需解决的问题之一。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种电子装置，以提升发光单元的功率占比。
本发明的一实施例提供一种电子装置，包括发光单元以及至少一电路单元。发光单元包括至少两颗二极管，以串联方式彼此耦接，其中至少两颗二极管中的至少一者为发光二极管，用以产生光线。电路单元包括第一薄膜晶体管，耦接于发光单元的一第一端与一电压源之间。
本发明的电子装置通过串联多个且尺寸较小的发光二极管的设计可提升发光二极管的功率占比，且还可有效地提升驱动单元中的薄膜晶体管或开关元件的寿命。除此之外，由于使用尺寸较小的发光二极管，因此发光单元还可产生较高亮度的光线。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例的电子装置的电路示意图；
图2所示为本发明第一实施例的发光单元的俯视示意图；
图3所示为本发明第一实施例的发光单元沿着图2剖视线A-A’的剖视示意图；
图4所示为本发明第二实施例的电子装置的电路示意图；
图5所示为本发明第三实施例的电子装置的电路示意图；
图6所示为本发明第三实施例的单一封装体的俯视示意图；
图7所示为本发明第四实施例的电子装置的电路示意图；
图8所示为本发明第四实施例的单一封装体的俯视示意图；
图9，所示为本发明第五实施例的电子装置的电路示意图；
图10所示为本发明第六实施例的电子装置的电路示意图；
图11所示为本发明第七实施例的电子装置的示意图；以及
图12所示为本发明第八实施例的电子装置的示意图。
附图标记说明：DA1、DA2、LD1、LD2、LD3、LD4、LD5、LD6-电子装置；LU、LU1、LU2、LU3、LU4-发光单元；CU1、CU2、CU5、CU6-电路单元；DC-二极管；T1-第一端；T2-第二端；LP-低电压源；HP-高电压源；DU-驱动单元；SU-开关单元；TFT1-第一薄膜晶体管；TFT2-第二薄膜晶体管；C-电容；GL-栅极线；DL-数据线；PK1、PK3、PK4-封装体；SC1-P型半导体层；LL-发光层；SC2-N型半导体层；Sub-载板；CL-连接线；AE-阳极；CE-阴极；EU-发光控制单元；DSU-数据程序存储单元；LM-发光模块；DP-显示面板。
具体实施方式
下文结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述，且为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下文各附图为可能为简化的示意图，且其中的组件可能并非按比例绘制。并且，附图中的各组件的数量与尺寸仅为示意，并非用于限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件，且本文并未意图区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词均为开放式词语，因此应被解释为「含有但不限定为…」之意。还应当理解，当一组件被称作"耦接"到另一组件(或其变型)时，它可以直接连接到另一组件或通过一或多个组件间接地连接(例如，电性连接)到另一组件。
须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本发明精神的情况下构成另一实施例。
请参考图1，所示为本发明第一实施例的电子装置(本实施例为发光装置，于其他实施例中可以是显示设备或光侦测装置)的电路示意图。如图1所示，电子装置LD1可包括一发光单元LU1以及至少一电路单元CU1。发光单元LU1可指发光二极管芯片(chip)或更复杂封装的发光二极管单元。发光单元LU1包括至少两个二极管DC(二极管晶粒，Die)，以串联方式耦接。各二极管DC具有一阳极与一阴极，且其中一二极管DC的阳极耦接另一二极管DC的阴极。发光单元LU1可具有第一端T1与第二端T2，于本实施例中，第一端T1耦接串联的二极管DC未与阴极耦接的阳极，第二端T2耦接串联的二极管DC未与阳极耦接的阴极。于其他实施例中，第一端T1耦接串联的二极管DC未与阳极耦接的阴极，第二端T2耦接串联的二极管DC未与阴极耦接的阳极。于本实施例中，发光单元LU1的第一端T1耦接电路单元CU1的第二端，且第二端T2耦接低电压源LP，并且，电路单元CU1的第一端耦接高电压源HP。于其他实施例中，发光单元LU1的第一端T1耦接高电压源HP，且第二端耦接电路单元CU1的第一端，并且，电路单元CU1的第二端耦接低电压源LP。
此外，二极管DC中的至少一者为发光二极管，用以产生光线。于本实施例中，各二极管DC皆为发光二极管。于其他实施例中，二极管DC可分别为发光二极管及非发光二极管的搭配。举例来说，发光二极管芯片可例如为无机发光二极管或有机发光二极管。依据电子装置LD1的应用需求，无机发光二极管可例如为尺寸范围从1微米到100微米的微型发光二极管、尺寸范围从100微米到300微米的小型发光二极管或尺寸范围从300微米到2毫米的发光二极管。本发明不限彼此串联的二极管均为发光二极管。于另一实施例中，彼此串联的二极管中的其中至少一者也可为其他非发光的二极管。于又一实施例中，发光单元LU1也可包括至少另一二极管，与上述二极管DC的其中一者并联，或与上述彼此串联的二极管DC并联，但不限于此，重点在于发光单元LU1的功率占比能够提升，二极管DC的串联或并联能够造成此效果的电路设计皆可应用于本发明。
电路单元CU1耦接发光单元LU1，用以驱动发光单元LU1，使其产生光线，且电路单元CU1的一端(第一端或第二端)耦接于发光单元LU1的第一端T1与第二端T2的其中一端与一电压源之间。于本实施例中，电路单元CU1可包括一驱动单元DU以及一开关单元SU，其中开关单元SU用于控制驱动单元DU的开关。举例来说，于本实施例中，驱动单元DU可包括至少一第一薄膜晶体管TFT1，且第一薄膜晶体管TFT1的源极与漏极分别耦接发光单元LU1的第一端T1与高电压源HP。于其他实施例中，第一薄膜晶体管TFT1可包括至少一开关元件，该开关元件可以是金氧半晶体管(MOS transistor)或其他非薄膜晶体管TFT种类的晶体管开关元件，第一薄膜晶体管TFT1可以该开关元件所取代。举例来说，第一薄膜晶体管具有一主动层，主动层的材料包括低温多晶硅半导体、非晶硅半导体及金属氧化物半导体至少其中之一。高电压源HP例如为一高电压准位的直流电压源，且低电压源LP可例如为接地准位或一共享电压准位，但不限于此。开关单元SU可包括至少一晶体管。本实施例的开关单元SU的晶体管可包括一第二薄膜晶体管TFT2，第二薄膜晶体管TFT2的栅极、源极与漏极可分别耦接至开关信号源、第一薄膜晶体管TFT1的栅极以及数据信号源。此外，电路单元CU1可另包括一电容C，耦接于第一薄膜晶体管TFT1的漏极与栅极之间，用以在第二薄膜晶体管TFT2关闭时维持第一薄膜晶体管TFT1的漏极与栅极之间的电压。以电子装置LD1作为显示面板中的一子像素为例，第二薄膜晶体管TFT2的栅极可通过栅极线GL电连接至开关信号源，漏极可通过数据线DL电连接至数据信号源，但不限于此。于一变化实施例中，薄膜晶体管的源极与漏极可互换。于其他实施例中，第二薄膜晶体管TFT2可以金氧半晶体管(MOS transistor)或其他非薄膜晶体管TFT种类的晶体管开关元件所取代。
下文将进一步说明本发明的电子装置LD1的运作与功效，并与传统使用单颗的发光二极管的电子装置比较。值得说明的是，发光二极管是电流驱动的组件，因此每一颗发光二极管的两端的电压差均设计为约略相同。如此一来，单一颗发光二极管的压降会小于多颗彼此串联的发光二极管的压降，且在具有相同的功率消耗的情况下，单颗发光二极管的尺寸需大于多颗发光二极管中的单一颗的尺寸，且单颗发光二极管的驱动电流会大于多颗发光二极管的驱动电流。由于多颗串联的发光二极管所产生的压降大于单颗发光二极管，因此多颗串联的发光二极管的功率消耗占含有多颗发光二极管的电子装置LD1的功率消耗的功率占比可比单颗发光二极管的功率消耗占单颗发光二极管的电子装置的功率消耗的功率占比高。也就是说，相较于通过单颗且尺寸较大的发光二极管发光的发光单元而言，通过多颗串联且尺寸较小的发光二极管发光的发光单元LU1的功率消耗可占整个电子装置LD1的较高的功率占比，也就是可提升电子装置LD1使用在发光单元LU1的功率消耗的比例。藉此，本实施例的电子装置LD1使用至少两个彼此串联且具有较小尺寸的发光二极管的功率占比大于传统电子装置使用单颗具有较大尺寸的发光二极管的功率占比。除此之外，由于多颗串联的发光二极管的驱动电流可较单颗发光二极管的驱动电流低，也就是本实施例驱动单元DU中用以驱动发光单元LU1的第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)的导通电流比传统驱动单颗发光二极管的薄膜晶体管(或开关元件)的导通电流低，因此本实施例的第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)的负载可低于传统薄膜晶体管(或开关元件)的负载，也就是说，本实施例的发光单元LU1设计可提升第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)的使用寿命。以发光二极管的压降为2V为例，当传统电子装置的发光二极管的驱动电流为20mA时，传统电子装置的发光单元的功率为40mW。并且，当用于驱动的薄膜晶体管(或开关元件)的漏极与源极之间的压降为8V时，高电压源与低电压源之间的压降为10V，因此传统电子装置的发光单元的功率消耗(2×20mW)占电子装置的功率消耗(10×20mW)的供率占比为1/5。然而，当本实施例的每一个发光二极管的驱动电流降低为5mA，且两端的压降亦为2V时，在相同的功率消耗，也就是40mW，的情况下，本实施例的发光单元LU1中需设置四个串联的发光二极管，以具有8V的压降，因此所需功率亦为40mW。若以第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)的漏极与源极之间的压降相同为8V的情况来说，高电压源HP与低电压源LP之间的压降为16V，因此发光单元LU1的功率消耗(5×8mW)占电子装置LD1的功率消耗(5×16mW)的功率占比可下降为1/2。不过，由于本实施例驱动发光二极管的驱动电流下降为5mA，因此第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)的漏极与源极之间的压降可下降为4V，使得本实施例的高电压源与低电压源之间的压降为12V。虽然为了达到相同的亮度，本实施例高电压源HP与低电压源LP之间的压降须提高，但本实施例的发光单元LU1的功率消耗(5×8mW)占电子装置的功率消耗(5×12mW)的功率占比可大幅地下降为3/4。并且，由于驱动电流下降为5mA，因此第一薄膜晶体管TFT1的导通电流亦可降低，使得用以驱动发光二极管的第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)的负载降低，进而降低第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)在运作时所产生的热，以提升第一薄膜晶体管TFT1的寿命。换句话说，本实施例的电子装置LD1通过串联多颗且尺寸较小的发光二极管可具有较高的功率转换效率及功率占比，除此之外还可有效地提升驱动发光单元LU1的驱动单元SU中的第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)的寿命。当电子装置LD1作为显示面板的像素或子像素时，本发明的驱动单元DU不限由单一第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)所构成，而是可包括多个薄膜晶体管(或多个开关元件)，因此串联多颗且尺寸较小的发光二极管的设计可不只降低单一薄膜晶体管(或开关元件)的负载，而亦可降低多个薄膜晶体管(或多个开关元件)的负载。于另一实施例中，电路单元CU1还可包括三个薄膜晶体管或四个薄膜晶体管(或多个开关元件)。于本实施例中，电子装置LD1可单独作为显示画面之用，其发光单元LU1可为显示用的像素。于又一实施例中，电子装置LD1也可作为显示面板的背光源。
请参考图2与图3，图2所示为本发明第一实施例的发光单元的俯视示意图，图3所示为本发明第一实施例的发光单元沿着图2剖视线A-A’的剖视示意图。如图2与图3所示，本实施例的发光单元LU1包括一封装体PK1，且二极管DC设置于封装体PK1中。于本实施例中，由于各二极管DC分别为发光二极管，因此可例如包括N型半导体层SC2、设置于N型半导体层SC2上的发光层LL以及设置于发光层LL上的P型半导体层SC1，但本发明的发光二极管的结构并不以此为限。此外，各二极管DC可具有一阳极AE与一阴极CE。封装体PK1可另包括载板Sub、连接线CL与绝缘层IN。以发光单元LU1包括四个二极管DC为例，二极管DC可以阵列方式排列于载板Sub上并彼此分隔，部分连接线CL分别耦接两相邻二极管DC的阳极与阴极，以将位于同一封装体PK1中的二极管DC串联，且连接于串联的二极管DC的两端的连接线CL可分别作为发光单元LU1的第一端T1与第二端T2，或连接线CL与更外侧的导电接脚耦接，导电接脚形成发光单元LU1的第一端T1与第二端T2。绝缘层IN可设置于连接线CL与二极管DC之间。
值得说明的是，由于制作发光二极管的材料的折射率，例如2.5，大于外界的折射率，因此P型半导体层SC1与N型半导体层SC2容易构成一光波导(optical waveguide)结构，造成发光二极管不易从N型半导体层SC2上表面射出的光线，而容易从发光层LL的侧边射出，所以当发光二极管露出的总边长越长时，漏出的光线会越高。于本实施例中，因为发光单元LU1是具有多个尺寸较小的发光二极管，因此相较于单颗且尺寸较大的发光二极管而言，具有较长的总边长，使得在相同功率消耗下，本实施例的发光单元LU1漏出的光线较高，以产生较高亮度的光线。以传统矩形发光二极管的边长为100微米(μm)为例，其单位面积功率消耗为(2×20)/(100×100)＝1/250mW/μm2，且其总边长为400微米，而在相同的单位面积功率消耗下，本实施例的每个发光二极管边长需为50微米，且总边长可为(4×50)×4＝800微米，因此本实施例发光单元LU1可比传统发光单元产生较高的亮度。
本发明的电子装置并不以上述实施例为限，且可具有不同的变化实施例或其他实施例。为简化说明，下文中其他实施例将使用与第一实施例相同标号标注相同组件。为容易比较第一实施例与其他实施例之间的差异，下文将突显第一实施例与其他实施例的差异处，且不再对重复部分作赘述。
请参考图4，所示为本发明第二实施例的电子装置的电路示意图。如图4所示，相较于第一实施例，本实施例所提供的电子装置LD2的发光单元LU2的第一端T1(阳极)是耦接高电压源HP，且第二端T2耦接电路单元CU2的一端。并且，电路单元CU2的另一端耦接低电压源LP。具体来说，电路单元CU2的第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)的漏极与源极分别耦接于发光单元LU2的第二端T2与低电压源LP。并且，电容C是耦接于第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)的栅极与源极之间。
请参考图5与图6，图5所示为本发明第三实施例的电子装置的电路示意图，图6所示为本发明第三实施例的单一封装体的俯视示意图。如图5与图6所示，相较于第一实施例，本实施例所提供的电子装置LD3的二极管DC可分别设置于至少两个封装体PK3中。于本实施例中，发光单元LU3可包括至少四颗二极管DC，且发光单元LU3包括至少两封装体PK3，其中二极管DC的其中至少两者设置于封装体PK3的其中一者中，且二极管DC的其中至少另两者设置于封装体PK3的其中另一者中。举例来说，各封装体PK3可包括载板Sub以及连接线CL，且连接线CL用以将两发光二极管串联。并且，两封装体PK3可于设置于显示面板的阵列基板或背光模块中电路板上之后才进一步彼此串联。于另一实施例中，电子装置LD3的发光单元LU3与电路单元CU1也可适用上述第二实施例的连接方式。
请参考图7与图8，图7所示为本发明第四实施例的电子装置的电路示意图，图8所示为本发明第四实施例的单一封装体的俯视示意图。如图7与图8所示，相较于第一实施例，本实施例所提供的电子装置LD4的各二极管DC可分别设置于对应的一封装体PK4中。以发光单元LU4包括四个二极管DC为例，发光单元LU4可包括四个封装体PK4，且各封装体PK4可包括载板Sub以及连接线CL，且连接线CL分别耦接发光二极管的阳极AE与阴极CE。并且，各封装体PK4可于设置于显示面板的阵列基板或背光模块中电路板上之后才进一步彼此串联。于另一实施例中，电子装置LD4的发光单元LU4与电路单元CU1也可适用上述第二实施例的连接方式。
请参考图9，所示为本发明第五实施例的电子装置的电路示意图。如图9所示，相较于第一实施例，本实施例的电子装置LD5可包括多个电路单元CU5，以并联方式彼此电性连接，且各电路单元CU5均耦接至发光单元LU1的一端。于本实施例中，各电路单元CU5均耦接于发光单元LU1的第一端T1(阳极)与高电压源HP之间，且各电路单元CU5可例如与第一实施例的电路单元相同，但不限于此。值得说明的是，用于驱动发光二极管的薄膜晶体管(或开关元件)的导通电流为发光二极管的驱动电流，且薄膜晶体管(或开关元件)是运作在饱和区，因此当设计驱动发光二极管的驱动电流是大于单一电路单元CU5的第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)的导通电流时，本实施例通过并联多个电路单元CU5，以增加驱动发光二极管的驱动电流。举例来说，由于背光源的亮度大于单一像素或单一子像素的亮度，因此发光单元LU1中的发光二极管的驱动电流较高，所以通过并联电路单元CU5可使发光二极管可产生所需的亮度。举例来说，电路单元CU5的数量可约100到200个，但不限于此，主要以发光单元LU1的驱动电流来决定电路单元CU5的数量。值得说明的是，由于本实施例的发光单元LU1包括多颗串联的二极管DC，因此在相同的单位面积功率消耗下，二极管芯片DC的驱动电流可降低，使得驱动发光单元LU1的电路单元CU5的数量亦可下降。于另一实施例中，电子装置LD5的发光单元LU1与电路单元CU5也可适用上述第二实施例的连接方式，也就是各电路单元CU5可均耦接于发光单元LU1的第二端T2(阴极)与低电压源LP之间。
请参考图10，所示为本发明第六实施例的电子装置的电路示意图。如图10所示，相较于第一实施例，本实施例所提供的电子装置LD6的电路单元CU6可另包括至少一发光控制单元。于本实施例中，电路单元CU6可包括数据程序存储单元DSU，其包括开关单元SU与电容C。并且，电路单元CU6可包括两个发光控制单元EU，其中一发光控制单元EU耦接于高电压源HP与驱动单元DU的第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)之间，另一发光控制单元EU耦接于发光单元LU1与驱动单元DU的第一薄膜晶体管TFT1(或开关元件)之间，且发光控制单元EU可用以帮助发光单元LU1的发光更加稳定。其中，发光控制单元EU可包括薄膜晶体管或开关元件。
本发明的电子装置可进一步应用至显示设备中。请参考图11，所示为本发明第七实施例的电子装置的示意图。如图11所示，本实施例的电子装置DA1可包括含有多个发光单元LU的发光模块LM与显示面板DP，且发光模块LM设置于显示面板DP的背面，使显示面板DP相对发光单元LU设置。显示面板DP为非自发光显示面板，因此发光单元LU可用以作为显示面板DP的背光源，使发光模块LM所产生的光线可从显示面板DP的背面射入。本实施例的发光单元LU可适用上述任一实施例的电子装置。
请参考图12，所示为本发明第八实施例的电子装置的示意图。如图12所示，本实施例的电子装置DA2可包括多个发光单元LU，电子装置DA2可为显示面板，且各发光单元LU可作为电子装置DA2的一像素或一子像素。本实施例的发光单元LU可适用上述任一实施例的电子装置。
综上所述，本发明的电子装置通过串联多颗且尺寸较小的发光二极管的设计可具有较高的功率转换效率及功率占比，且还可有效地提升驱动单元中的薄膜晶体管或开关元件的寿命。除此之外，由于使用尺寸较小的发光二极管，因此发光单元还可产生较高亮度的光线。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一发光单元，具有一第一端，该发光单元包括以串联方式彼此耦接的一第一二极管及一第二二极管，其中该第一二极管及该第二二极管中的至少一者为发光二极管，用以产生光线；以及
一第一电路单元，包括耦接于该发光单元的该第一端与一电压源之间的一第一薄膜晶体管，
其中该第一电路单元还包括一发光控制单元及一第二薄膜晶体管，该发光控制单元耦接于该第一薄膜晶体管与该发光单元的该第一端之间，该发光控制单元包括一第三薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管的源极及漏极的其中一个耦接于该第一薄膜晶体管的栅极，且该发光控制单元耦接于该第二薄膜晶体管的该源极及该漏极的其中另一个。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一薄膜晶体管具有一主动层，该主动层的材料包括低温多晶硅半导体、非晶硅半导体及金属氧化物半导体至少其中之一。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该电子装置更包括一第二电路单元，该第一电路单元及该第二电路单元以并联方式彼此电性连接，且该第二电路单元耦接于该电压源及该发光单元的该第一端之间。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一二极管及该第二二极管皆为发光二极管。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一二极管及该第二二极管分别包括一P型半导体层、一发光层以及一N型半导体层。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该发光单元包括一第一封装体，且该第一二极管及该第二二极管设置于该第一封装体中。
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该第一封装体包括一第一载板，且该第一二极管及该第二二极管设置于该第一载板上。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该发光单元包括一第一封装体及一第二封装体，该第一二极管设置于该第一封装体中，该第二二极管设置于该第二封装体中。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该发光单元更包括一第三二极管、一第一封装体及一第二封装体，该第三二极管与该第一二极管以串联方式彼此耦接，该第一二极管及该第二二极管设置于该第一封装体中，且该第三二极管设置于该第二封装体中。
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该发光单元更包括一第二端，该电压源为一高电压源，且该发光单元的该第二端耦接于一低电压源。
11.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该第一电路单元更包括一电容，该电容耦接于该第一薄膜晶体管的该栅极与漏极之间。
12.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第二薄膜晶体管的该源极及该漏极的其中该另一个耦接于一数据线，且该第二薄膜晶体管的栅极耦接于一扫描线。
13.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一电路单元还包括另一发光控制单元，该另一发光控制单元耦接于该第一薄膜晶体管与该电压源之间。
14.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括一显示面板，该显示面板相对该发光单元设置。
15.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该发光单元为一像素。
16.一种电子装置，其特征在于，包括：
一发光单元，具有一第一端，该发光单元包括以串联方式彼此耦接的一第一二极管及一第二二极管，其中该第一二极管及该第二二极管中的至少一者为发光二极管，用以产生光线；以及
一第一电路单元，包括一第一开关元件，该第一开关元件耦接于一电压源及该发光单元的该第一端之间，
其中该第一电路单元还包括一发光控制单元及一第二开关元件，该发光控制单元耦接于该第一开关元件与该发光单元的该第一端之间，该发光控制单元包括一第三开关元件，该第二开关元件的源极及漏极的其中一个耦接于该第一开关元件的栅极，且该发光控制单元耦接于该第二开关元件的该源极及该漏极的其中另一个。
17.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，该电子装置更包括一第二电路单元，该第一电路单元及该第二电路单元以并联方式彼此电性连接，且该第二电路单元耦接该电压源及该发光单元的该第一端之间。
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