RU2003119441A - Ферроэлектрический запоминающий контур и способ его изготовления - Google Patents

Claims (16)

1. Ферроэлектрический запоминающий контур (С), содержащий ферроэлектрическую ячейку памяти в виде тонкой ферроэлектрической полимерной пленки (F) с первым и вторым электродами (Е1, Е2), контактирующими с ферроэлектрической ячейкой памяти на ее противоположных сторонах, причем состояние поляризации ячейки может быть установлено, переключено и детектировано путем приложения к электродам (Е1, Е2) соответствующих напряжений, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один из электродов (Е1, Е2) содержит, по меньшей мере, один контактный слой (Р1, Р2), содержащий проводящий полимер, находящийся в контакте с ячейкой памяти, и, в случае необходимости, второй слой (М1, М2) в виде металлической пленки, находящейся в контакте с проводящим полимером (Р1, Р2), при этом, по меньшей мере, указанный один из электродов (Е1, Е2) содержит либо только контактный слой (Р1, Р2) с проводящим полимером, либо комбинацию контактного слоя (Р1, Р2) с проводящим полимером и слоя (М1, М2) в виде металлической пленки.

2. Запоминающий контур по п.1, отличающийся тем, что только один из электродов (Е1, Е2) содержит контактный слой (Р1, Р2) проводящего полимера, тогда как другой электрод содержит только единственный слой (М1, М2) в виде металлической пленки.

3. Запоминающий контур по п.1, отличающийся тем, что тонкая ферроэлектрическая полимерная пленка (F) имеет толщину 1 мкм или менее.

4. Запоминающий контур по п.1, отличающийся тем, что слой проводящего полимера имеет толщину 20-100 мкм.

5. Запоминающий контур по п.1, отличающийся тем, что ферроэлектрическая ячейка памяти содержит, по меньшей мере, один полимер, выбранный из следующей группы полимеров: поливинилиденфторид (ПВДФ), поливинилиден с любым из его сополимеров, терполимеры на основе указанных сополимеров или ПВДФ-трифторэтилена (ПВДФ-ТрФЭ), найлоны с нечетным номером марки, найлоны с нечетным номером марки с любыми из их сополимеров, цианополимеры и цианополимеры с любыми из их сополимеров.

6. Запоминающий контур по любому из п.п.1-5, отличающийся тем, что проводящий полимер контактного слоя (Р) выбран из следующей группы полимеров:

допированный полипиррол, допированные производные полипиррола, допированный полианилин, допированные производные полианилина, допированные политиофены и допированные производные политиофенов.

7. Запоминающий контур по п.1, отличающийся тем, что металл в слое (М) в виде металлической пленки выбран из следующей группы металлов: алюминий, платина, титан и медь.

8. Запоминающий контур по п.1, отличающийся тем, что выполнен с возможностью его формирования в наборе аналогичных контуров, имеющем матричную адресацию, при этом ячейка памяти запоминающего контура (С) образует часть глобального слоя (G) в виде тонкой ферроэлектрической полимерной пленки, а первый и второй электроды (Е1, Е2) образуют части соответственно первых и вторых электродных средств, каждые из которых содержат множество полосковых электродов (Е1, Е2), причем электроды (Е2) вторых электродных средств ориентированы под углом, предпочтительно ортогонально по отношению к электродам (Е1) первых электродных средств, а глобальный слой (G) в виде тонкой ферроэлектрической полимерной пленки расположен между электродами первых и вторых электродных средств, так что в тонкой ферроэлектрической полимерной пленке в каждой зоне скрещивания электродов (Е1) первых электродных средств и электродов (Е2) вторых электродных средств образуется ферроэлектрическая ячейка памяти, при этом совокупность электродных средств и тонкой ферроэлектрической полимерной пленки с образованными в ней ячейками памяти образует ферроэлектрическое запоминающее устройство с пассивной матричной адресацией, в котором адресация соответствующих ячеек памяти для выполнения операций записи и считывания производится посредством электродов (Е1, Е2), входящих в состав электродных средств, которые связаны с соответствующими внешними драйверными, управляющими и детектирующими контурами.

9. Способ изготовления ферроэлектрического запоминающего контура (С), содержащего ферроэлектрическую ячейку памяти в виде тонкой ферроэлектрической полимерной пленки (F) с первым и вторым электродами (Е1, Е2), контактирующими с ячейкой памяти на ее противоположных сторонах, причем состояние поляризации ячейки может быть установлено, переключено и детектировано путем приложения к электродам (Е1, Е2) соответствующих напряжений, тогда как запоминающий контур (С) выполнен на изолирующей подложке (S), отличающийся тем, что на подложку наносят первый контактный слой в виде тонкой пленки проводящего полимера, после чего наносят тонкую ферроэлектрическую полимерную пленку на первый контактный слой и затем второй контактный слой на тонкую ферроэлектрическую полимерную пленку.

10. Способ по п.9, отличающийся тем, что непосредственно перед нанесением первого контактного слоя на подложку наносят слой металлической пленки.

11. Способ по п.9, отличающийся тем, что тонкую пленку проводящего полимера наносят центрифугированием.

12. Способ по п.9, отличающийся тем, что тонкую ферроэлектрическую полимерную пленку наносят на первый контактный слой центрифугированием.

13. Способ по п.9, отличающийся тем, что первый контактный слой и/или тонкую ферроэлектрическую полимерную пленку после завершения соответствующей операции нанесения подвергают отжигу при температуре при 140-145°С.

14. Способ по п.9, отличающийся тем, что поверх тонкой ферроэлектрической полимерной пленки наносят второй контактный слой в виде тонкой пленки проводящего полимера.

15. Способ по п.14, отличающийся тем, что второй контактный слой подвергают отжигу при температуре 140-145°С без осуществления отжига тонкой ферроэлектрической полимерной пленки перед нанесением второго контактного слоя.

16. Способ по п.14 отличающийся тем, что поверх второго контактного слоя наносят слой металлической пленки.