JPS60257581A - 高感度圧電素子及びその製造方法 - Google Patents
高感度圧電素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS60257581A JPS60257581A JP59113097A JP11309784A JPS60257581A JP S60257581 A JPS60257581 A JP S60257581A JP 59113097 A JP59113097 A JP 59113097A JP 11309784 A JP11309784 A JP 11309784A JP S60257581 A JPS60257581 A JP S60257581A
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- JP
- Japan
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- electrode
- piezoelectric
- aromatic
- substance
- pvdf
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/857—Macromolecular compositions
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は圧電素子用電極を得る場合における、集電効率
の良い電極及びその製造方法に関する。
の良い電極及びその製造方法に関する。
従来、圧電素子の電極を形成する場合、圧電体（通常１
０μｍ〜１鰭厚）フィルムの両面にアルミニウムや金な
どの金属導体を蒸着等で着は圧電体の電極として使用し
ている。しかし、圧電体と蒸着金属体との密着性及びそ
の界面の不均一性が起シやすく、圧電が理論値よシ低い
という問題点があった。
０μｍ〜１鰭厚）フィルムの両面にアルミニウムや金な
どの金属導体を蒸着等で着は圧電体の電極として使用し
ている。しかし、圧電体と蒸着金属体との密着性及びそ
の界面の不均一性が起シやすく、圧電が理論値よシ低い
という問題点があった。
本発明はこれらの欠点を解決するだめになされたもので
あり、その目的は集電効率の良い高感度の圧電素子及び
その製造方法を提供することにある。
あり、その目的は集電効率の良い高感度の圧電素子及び
その製造方法を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第２１の発明は圧電素子
に関する発明であって、圧電性高分子フィルム中に芳香
族化合物の電解重合により得られる芳香族キ高分子材を
含む、圧電性高分子フィルムを包含することを特徴とす
る。
に関する発明であって、圧電性高分子フィルム中に芳香
族化合物の電解重合により得られる芳香族キ高分子材を
含む、圧電性高分子フィルムを包含することを特徴とす
る。
そして、本発明の第２の発明は圧電素子の製造方法に関
する発明であって、電極上に圧電性高分子フィルムをコ
ートする工程、該高分子フイルム付電極上で芳香族化合
物の電解重合を行い芳香族高分子材を形成させる工程、
及び分極処理する工程の各工程を包含することを特徴と
する。
する発明であって、電極上に圧電性高分子フィルムをコ
ートする工程、該高分子フイルム付電極上で芳香族化合
物の電解重合を行い芳香族高分子材を形成させる工程、
及び分極処理する工程の各工程を包含することを特徴と
する。
圧電性高分子フィルムとしては、ポリフッ化ビニリデン
（以下、ＰＶＤＦと略記する）、フッ化ビニリデン−ト
リフッ化エチレン共重合体〔以下、ｐ（ｖＤｐ−’ｒｒ
Ｆｇ）と略記する〕、フッ化ビニリデン−テトラフッ化
エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル
、シアン化ビニリデン−酢酸ビニル共重合体等の極性高
分子物質の単体若しくは前記の極性高分子物質と無機強
誘電体であるチタンジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ＰｂＴｉ
０１． ＺｎＯ等との混合体が使用で・きる。
（以下、ＰＶＤＦと略記する）、フッ化ビニリデン−ト
リフッ化エチレン共重合体〔以下、ｐ（ｖＤｐ−’ｒｒ
Ｆｇ）と略記する〕、フッ化ビニリデン−テトラフッ化
エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル
、シアン化ビニリデン−酢酸ビニル共重合体等の極性高
分子物質の単体若しくは前記の極性高分子物質と無機強
誘電体であるチタンジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ＰｂＴｉ
０１． ＺｎＯ等との混合体が使用で・きる。
また、電解重合できる芳香族化合物としては、ビロール
、３−メチルビロール、Ｎ−メチルピロール、チオフェ
ン、フラン、フェノール、テ１ 、＃−フェノール、セ
レノフェン、テルロフェン、□、１ ビフェニル、アズレン、ｐ−ターフェニル、〇−ターフ
ェニル、Ｐ−クォータフェニル、２−ヒドロキシピフェ
ニル、ジフェニルスルフィド、２−（α−チェニル）チ
オフェン、２−（α−チェニル）フラン、２−（２−ピ
ロリル）ビロール、２−（２−ピロリル）チオフェン、
２−フェニルチオフェン、α−チェニルフェニルエーテ
ル、β−フリル−α−チェニルセレニド、２−（２−ピ
ロリル）セレノフェン、２−（２−セレニエニル）テル
ロフェン、Ｎ−ビニルカルバゾール、Ｎ−エチニルカル
バゾール、メチルアスレン、ピレン等の芳香族化合物が
使用できる。
、３−メチルビロール、Ｎ−メチルピロール、チオフェ
ン、フラン、フェノール、テ１ 、＃−フェノール、セ
レノフェン、テルロフェン、□、１ ビフェニル、アズレン、ｐ−ターフェニル、〇−ターフ
ェニル、Ｐ−クォータフェニル、２−ヒドロキシピフェ
ニル、ジフェニルスルフィド、２−（α−チェニル）チ
オフェン、２−（α−チェニル）フラン、２−（２−ピ
ロリル）ビロール、２−（２−ピロリル）チオフェン、
２−フェニルチオフェン、α−チェニルフェニルエーテ
ル、β−フリル−α−チェニルセレニド、２−（２−ピ
ロリル）セレノフェン、２−（２−セレニエニル）テル
ロフェン、Ｎ−ビニルカルバゾール、Ｎ−エチニルカル
バゾール、メチルアスレン、ピレン等の芳香族化合物が
使用できる。
次に、電解重合時の電解質としては有機第４級アンモニ
ウム塩、無機基、プロトン酸及びエステル等種々の化合
物が使用できる。溶剤としてはアセトニトリル系のもの
を通常使用するが、芳香族化合物の電解重合が可能で、
適当な電解質を溶解させるものであれば選択できる。
ウム塩、無機基、プロトン酸及びエステル等種々の化合
物が使用できる。溶剤としてはアセトニトリル系のもの
を通常使用するが、芳香族化合物の電解重合が可能で、
適当な電解質を溶解させるものであれば選択できる。
また、分極処理は常法で行ってよい。
以下、本発明を実施例°によシ更に具体的に説明するが
、本発明１ｄこれら実施例に限定されない。
、本発明１ｄこれら実施例に限定されない。
実施例１
ＰＶＤＦを、金又は白金のコートされた２０ｃｒｎＸ２
０ｃｆｎＸ？−のガラス基板上に、ジメチルホルムアミ
ドを溶媒として１００μグ厚に均一にキャスティングし
た。他方ビロール電解液（アセ）・ニトリル／エタノー
ル／ ＢＦ４ ／ ビロール＝７、５１ ／ ７．５
／ ／ １ ｋｇ／ １１ ）を５ＤｃｒｎＸ４０ｃｒ
ｎ×１０αのガラス製の電解浴槽に入れ対極に、２０ｃ
ｒｎＸ２０ｒｍのメツシュ状の白金電極を用意した。そ
して、ＰＶＤＦのついたガラスを■に、白金電極をＯに
して１．５ｖの電圧をかけＰＶＤＦＯ金のコートされた
側にビロールの重合体電極を形成した。ここで、金コー
トされたガラス上のＰＶＤＦは電解液の浸ってい々い所
で一部基板からはく離することによシ、そこから電極を
とることができる。次にビロール重合で電極形成したフ
ィルムをアセトニトリル／エタノール＝１／１の溶液で
洗浄した後、ピロール重合体電極の付いたＰＶＤＦを真
空乾燥（１００℃）しだ。
０ｃｆｎＸ？−のガラス基板上に、ジメチルホルムアミ
ドを溶媒として１００μグ厚に均一にキャスティングし
た。他方ビロール電解液（アセ）・ニトリル／エタノー
ル／ ＢＦ４ ／ ビロール＝７、５１ ／ ７．５
／ ／ １ ｋｇ／ １１ ）を５ＤｃｒｎＸ４０ｃｒ
ｎ×１０αのガラス製の電解浴槽に入れ対極に、２０ｃ
ｒｎＸ２０ｒｍのメツシュ状の白金電極を用意した。そ
して、ＰＶＤＦのついたガラスを■に、白金電極をＯに
して１．５ｖの電圧をかけＰＶＤＦＯ金のコートされた
側にビロールの重合体電極を形成した。ここで、金コー
トされたガラス上のＰＶＤＦは電解液の浸ってい々い所
で一部基板からはく離することによシ、そこから電極を
とることができる。次にビロール重合で電極形成したフ
ィルムをアセトニトリル／エタノール＝１／１の溶液で
洗浄した後、ピロール重合体電極の付いたＰＶＤＦを真
空乾燥（１００℃）しだ。
その後ピロール重合体電極の付いていないＰＶＤＦ側に
アルミニウム電極を真空蒸着で付け、１００℃でビロー
ル重合体電極を■に、アルミニウム電極側をＯにして３
００ｖの電界をかけて分極。
アルミニウム電極を真空蒸着で付け、１００℃でビロー
ル重合体電極を■に、アルミニウム電極側をＯにして３
００ｖの電界をかけて分極。
処理（２０時間）を施しだ。このようにして製造した圧
電素子は圧電−皿定数（ＰＣ／Ｎ、 ２０℃）が５０．
５と、従来のＡ／電極を両側につけた場合（（ｉｎ＝
４０１）に比べ向上することが分った。
電素子は圧電−皿定数（ＰＣ／Ｎ、 ２０℃）が５０．
５と、従来のＡ／電極を両側につけた場合（（ｉｎ＝
４０１）に比べ向上することが分った。
実施例２
Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ） （共重合比ｖｎｒ／Ｔｒｒｇ
＝７５／２５）を用いて実施例１と同様にビロールの重
合電極を形成した。なお、電解液は（アセト二ｌ・ジル
／エタノール／テトラエチルアンモニウムバークロレー
ト／ビロール−７、５１／７．５１／１ｋｇ／１７？）
を用いノζ。基面にＡ／蒸着し、６００■、１００℃、
２０時間で分極処理を施した。これにより、Ｐ（ＶＤＦ
−ＴｒＦＫ）共重合体を用いた圧電素子の圧電ａｌｌｌ
定数（ＰＣ／Ｎ、２０℃）が４０，３と、従来のＡ／電
極を両側につけた場合（ｄｓ＋ ＝３ ｏ、Ｑ ）に比
べ向上することが分った。
＝７５／２５）を用いて実施例１と同様にビロールの重
合電極を形成した。なお、電解液は（アセト二ｌ・ジル
／エタノール／テトラエチルアンモニウムバークロレー
ト／ビロール−７、５１／７．５１／１ｋｇ／１７？）
を用いノζ。基面にＡ／蒸着し、６００■、１００℃、
２０時間で分極処理を施した。これにより、Ｐ（ＶＤＦ
−ＴｒＦＫ）共重合体を用いた圧電素子の圧電ａｌｌｌ
定数（ＰＣ／Ｎ、２０℃）が４０，３と、従来のＡ／電
極を両側につけた場合（ｄｓ＋ ＝３ ｏ、Ｑ ）に比
べ向上することが分った。
以上、説明したように、本発明によれば、強誘電体の片
面に電解重合によるポリピロール等の芳香族高分子材を
用いることにより、集電効果が向上するため、圧電定数
向上が図られる。
面に電解重合によるポリピロール等の芳香族高分子材を
用いることにより、集電効果が向上するため、圧電定数
向上が図られる。
したがって、高感度の圧電素子が製造できる利点がある
。
。
特許出願人 日本電信電話公社
代理人 中本 宏
同 井 上 昭
同 吉 嶺 桂
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 圧電性高分子フィルム中に芳香族化合物の電解重
合により得られる芳香族機高分子材を含む、圧電性高分
子フィルムを包含することを特徴とする圧電素子。 ２ 電極上に圧電性高分子フィルムをコートする工程１
．核高分子フィルム付電極上で芳香族化合物の電解重合
を行い芳香族高分子材を形成させる工程、及び分極処理
する工程の各工程を包含することを特徴とする圧電素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113097A JPS60257581A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 高感度圧電素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113097A JPS60257581A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 高感度圧電素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257581A true JPS60257581A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14603399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113097A Pending JPS60257581A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 高感度圧電素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257581A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198176A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 透明高分子圧電素子及びその製造方法 |
| JP2004515055A (ja) * | 2000-11-27 | 2004-05-20 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 強誘電性メモリ回路及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP59113097A patent/JPS60257581A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198176A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 透明高分子圧電素子及びその製造方法 |
| JP2004515055A (ja) * | 2000-11-27 | 2004-05-20 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 強誘電性メモリ回路及びその製造方法 |
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