CN100342453C - 铁电存储电路及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种铁电存储电路，包括铁电聚合物薄膜形式的铁电存储单元以及在其相对表面分别接触所述铁电存储单元的第一和第二电极，由此所述单元的极化状态可以通过向所述电极施加电压来设置、转换以及检测，其特征在于所述电极中至少一个包括：至少一个接触层，所述至少一个接触层包含与所述存储单元接触的导电聚合物；以及与所述导电聚合物接触的金属薄膜的第二层，所述第二层是可选的，由此，所述电极中至少一个或者仅包括导电聚合物接触层或者包括导电聚合物接触层和金属薄膜层的组合。本发明还提供了相对应的铁电存储电路的制造方法。本发明可以改善采用铁电聚合物薄膜作为存储材料的铁电存储电路中的极化和转换特性。

Description

铁电存储电路及其制造方法
技术领域
本发明涉及铁电存储电路，它包括铁电聚合物薄膜形式的铁电存储单元以及在其相对表面上分别接触铁电存储单元的第一和第二电极，由此，单元的极化状态可以通过向电极施加适当电压来设置、转换以及检测。本发明还涉及制造这种铁电存储电路的方法，其中存储电路设置在绝缘衬底上。
本发明涉及存储电路中铁电聚合物薄膜的极化和转换过程。这类电路用来实现双稳态铁电存储装置。
具体地说，本发明涉及如何改善这种电路中铁电聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)聚合物薄膜和超薄膜的性能，其中通过电场使薄膜中的存储单元在两种极化状态之间转换。
背景技术
铁电薄膜(0.1μm至1μm)和超薄膜(小于0.1μm)可用作先有技术中众所周知的双稳态存储装置。薄膜形式的铁电聚合物的使用可实现完全集成的装置，其中极化转换可在低电压上进行。但是，对根据先有技术的最常用铁电聚合物、即聚偏氟乙烯-三氟乙烯(PVDF-TrFE)的极化特性与厚度的相关性的调查表明，随着厚度减小，极化程度减小以及转换场增大，此外，当厚度减小到低于100nm时，还观察到极化程度的大幅下降。在PVDF-TrFE聚合物薄膜中，极化特性直接与薄膜中的结晶度和微晶大小相关。人们相信，在薄膜中，通常在上面通过旋涂来淀积薄膜的刚性金属衬底可由于确定受衬底影响的微晶取向的异相成核过程而抑制结晶过程。结果，相邻微晶可能有大的取向失配，这在薄膜中产生高的弹性能，并阻止微晶进一步增长，从而产生金属衬底和薄膜之间的界面区。另一方面，最近的实验结果似乎表明，即使采用金属衬底也能获得高结晶度，使得目前的实际机制仍然有些不明确。该界面厚度占薄膜厚度的相当一部分，从而导致较低的极化程度和较高的矫顽场。由于所述界面，与金属层接触的薄膜呈现较低的极化程度和较高的转换场。
发明内容
因此，本发明的主要目的是排除关于铁电存储电路的先有技术的上述缺陷。特别是，本发明还有一个目的是改善采用铁电聚合物薄膜作为存储材料的铁电存储电路中的极化和转换特性。
采用根据本发明的铁电存储电路来实现上述目的以及其它特征和优点，本发明的特征在于，至少一个电极包括：至少一个接触层，所述至少一个接触层包含与存储单元接触的导电聚合物；以及可选的第二层接触导电聚合物的金属薄膜，因此，所述至少一个电极或者仅包括导电聚合物接触层或者包括导电聚合物接触层与金属薄膜层的组合。
在本发明的铁电存储电路的一个有利实施例中，只有一个电极包括导电聚合物接触层，另一个电极则包括单个金属薄膜层。
铁电聚合物薄膜的厚度最好是1μm或小于1μm，导电聚合物的厚度最好是在20nm与100nm之间。
铁电存储单元最好是包括选自下列各项之一的至少一种聚合物：聚偏氟乙烯(PVDF)、具有其任何共聚物的聚亚乙烯(polyvinylidene)、基于共聚物或PVDF-三氟乙烯(PVDF-TrFE)的三元共聚物、奇数尼龙、具有其任何共聚物的奇数尼龙、氰基聚合物(cyanopolymer)以及具有其任何共聚物的氰基聚合物。在这方面，接触层的导电聚合物最好是选自下列各项之一：掺杂聚吡咯(PPy)、掺杂聚吡咯(PPy)衍生物、掺杂聚苯胺、掺杂聚苯胺衍生物、掺杂聚噻吩以及掺杂聚噻吩衍生物。
一般来说，接触层的导电聚合物最好是选自以下聚合物之一：掺杂聚吡咯(PPy)、掺杂聚吡咯(PPY)衍生物、掺杂聚苯胺、掺杂聚苯胺衍生物、掺杂聚噻吩以及掺杂聚噻吩衍生物。
而且，金属薄膜层的金属最好是选自下列各项之一：铝、铂、钛以及铜。
根据本发明的铁电存储电路有利地构成类似电路的矩阵可寻址阵列中的存储电路，其中存储电路的存储单元构成铁电聚合物薄膜的全层中的一部分，以及第一和第二电极分别构成第一和第二电极装置的组成部分，各电极装置包含多个平行条状电极，其中第二电极装置的电极的取向与第一电极装置的电极成一定角度、最好是相互垂直，而铁电聚合物薄膜全层夹在其间，使得铁电存储单元定义在第一电极装置的电极分别与第二电极装置的电极的交叉点处的铁电聚合物薄膜中，因此，电极装置和具有存储单元的铁电聚合物薄膜所形成的阵列构成一种集成无源矩阵可寻址铁电存储装置，其中通过与用于驱动、控制和检测的外部电路适当连接的电极装置的电极对用于读写操作的相应存储单元进行寻址。
还通过制造根据本发明的铁电存储电路的方法实现上述目的以及其它特征和优点，该方法的特征在于，在衬底上淀积导电聚合物的接触层，随后在接触层上淀积铁电聚合物薄膜，然后在铁电聚合物薄膜之上淀积第二接触层。
在根据本发明的方法中，人们认为，最好是在淀积第一接触层之前在衬底上淀积金属薄膜层，然后再淀积第一接触层。
在根据本发明的方法中，最好是通过旋涂来淀积导电聚合物薄膜以及以类似方式通过旋涂在第一接触层上淀积铁电聚合物薄膜。
在根据本发明的方法的一个最佳实施例中，在相应的淀积步骤之后在大约140℃的温度对第一接触层和/或铁电聚合物薄膜进行热处理。
在根据本发明的方法的另一个最佳实施例中，导电聚合物薄膜的第二接触层淀积在铁电聚合物薄膜之上。在这个方面，最好是在淀积第二接触层之前未对铁电聚合物薄膜进行热处理的情况下在大约140℃的温度对第二接触层进行热处理，最好是可以将金属薄膜层淀积在第二接触层之上。
下面结合对示范实施例和实例的讨论并参照附图来详细说明本发明。
附图说明
图1说明根据先有技术的铁电存储单元；
图2a是根据本发明的铁电存储单元的第一实施例；
图2b是根据本发明的铁电存储单元的第二实施例；
图2c是根据本发明的铁电存储单元的第三实施例；
图2d是根据本发明的铁电存储单元的第四实施例；
图2e是根据本发明的铁电存储单元的第五实施例；
图3是先有技术中已知的、但具有根据本发明的存储电路的铁电存储装置的示意平面图；
图4a是沿图3中X-X线截取的剖面；
图4b是用于图3的存储装置中的根据本发明的存储电路的详图；
图5是对分别采用根据本发明的存储电路和先有技术的存储电路获得的滞后回线的比较；以及
图6是根据本发明的存储电路与先有技术的存储电路相比的疲劳特性。
具体实施方式
下面讨论根据本发明的存储电路的各种实施例，从图1所示的先有技术存储电路开始。图1中说明先有技术的存储电路的一个剖面，铁电薄膜聚合物层F夹在第一和第二电极E1、E2之间。电极是以金属薄膜M1、M2的形式来提供的，应当理解，电极的金属可以是相同的，但不一定如此。
如图2a所示的根据本发明的存储电路C的第一实施例与图1的先有技术存储电路相似，但是在底部电极E1中，金属薄膜M1由导电聚合物的薄膜P1取代，顶部电极E2仍为金属薄膜电极。
根据本发明的存储电路C的第二实施例如图2b所示，其中两个电极E1、E2都以导电聚合物的薄膜P1、P2来实现，它们在任何情况下都可以是相同的或不同的导电聚合物。
图2c说明根据本发明的存储电路C的第三实施例，其中第一电极E1包括导电聚合物薄膜P1，作为与铁电聚合物F相连接的接触层。在导电聚合物薄膜P1上设置了金属薄膜M1，使得本例中的第一电极E1是两层M1、P1所构成的组合体。第二电极E2与第一实施例相似，包括与构成存储材料、即存储单元本身的铁电薄膜聚合物F接触的金属薄膜M2。
根据本发明的存储单元的第四实施例如图2d所示，它与图2c所示实施例的不同点在于，第二电极E2仅包括导电聚合物薄膜的接触层P2。
最后，根据本发明的存储电路的第五实施例如图2e所示，其中两个电极E1、E2都是组合体，它们分别由金属薄膜M1、M2和作为在金属薄膜M1、M2之间并连接存储单元本身的铁电薄膜聚合物F的接触层而设置的薄膜导电聚合物P1、P2所组成。
按照常规，如本领域的技术人员所知，先有技术的存储单元可用作图3所示的无源矩阵可寻址铁电存储装置中的存储单元，其中存储材料、即铁电薄膜是作为全层G提供的。但是，具有类似层G的无源矩阵铁电存储装置也可结合图2a-2e的存储电路实施例中的任一种。存储装置则包括在全层G中提供的铁电薄膜聚合物，并用作存储电路C中的存储材料。此外，存储装置还包括条状平行底部电极E1形式的第一电极装置，这些电极接触铁电薄膜聚合物的全层G。类似的电极E2的第二电极装置则设置在铁电薄膜聚合物之上，但是其中的条状平行电极E2的取向与第一电极装置的电极E1成一定角度、最好是相互垂直。图4a说明图3中无源矩阵可寻址存储装置沿X-X线截取的剖面图。如图所示，该铁电存储装置配备了与图2c或图2d所示实施例对应的存储电路C，即，金属薄膜M1和接触到用作存储单元中存储材料的铁电聚合物薄膜的全层G的部分F的导电聚合物接触层P1的组合底部电极E1。
在图3和图4a所示的存储装置中，第二电极装置的电极E2与第一电极装置的电极E1的重叠交叉定义了其间铁电聚合物薄膜容量中的存储单元F，如图3和4a所示。因此，根据本发明的存储电路C构成具有铁电存储材料F和电极E1、E2的完整存储器阵列的一部分，如图3、4a所示，虽然全体应用到图3的铁电存储装置中时，存储电路的电极E1、E2及其存储材料F均形成电极E1、E2以及存储材料F的相应可定义部分。
图4b详细说明用于无源矩阵可寻址铁电存储装置中的存储电路C，如图3或图4a的着重说明。可以看到，本例中的存储电路C对应于图2c中的实施例或图2d中的实施例。换句话说，底部电极E1包括金属薄膜M1和导电聚合物的接触层P1。顶部电极E2可以是金属薄膜M2或导电聚合物P2。当然，也绝不排除将图2a-2e所示实施例中任一种用于图3或图4a所示的矩阵可寻址存储装置中。
下面概括说明本发明。根据本发明的存储电路C包括在导电聚合物覆盖的衬底上的铁电聚合物薄膜。根据本发明的一个方面，软性导电聚合物、如导电聚噻吩被淀积在金属化衬底、如被铂或铝覆盖的硅片上。然后，厚度可为20nm至1μm的铁电聚合物薄膜、如聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物(PVDF-TrFE)通过例如旋涂而淀积在衬底上。导电聚合物用作底部电极，代替传统上使用的金属电极，例如Al、Pt、Au等金属。只要根据本发明的方法，与金属电极上的相应薄膜相比，认为导电聚合物电极提高了铁电聚合物薄膜中的结晶度，从而提高极化程度，并且减小转换场。
将导电聚合物用作本发明的存储单元中的电极用于减小薄膜刚性(即增加薄膜的结晶度)，并且还修改界面电势垒。一般来说，聚合物之间的析相作用减少其界面附近的结晶区。通过首先将导电聚合物薄膜加到衬底上以构成底部电极，将这种特性用于本发明。铁电薄膜和导电聚合物薄膜具有良好的析相作用，这在随后的热处理过程中会减少铁电薄膜的非结晶区。由于导电共聚物中不同于金属的电荷传导机制，人们相信，电极与铁电聚合物薄膜之间的界面势垒以某种方式被修改，使铁电聚合物薄膜中的极化程度和转换速度得以提高，同时减小转换场，正如实验中实际观察的那样。
在本发明中，可使用的导电聚合物包括但不限于掺杂聚吡咯(PPy)及其掺杂衍生物、掺杂聚苯胺及其掺杂衍生物、掺杂聚噻吩及其掺杂衍生物。
可用于本发明的铁电聚合物包括但不限于聚偏氟乙烯(PVDF)及其与三氟乙烯的共聚物(PVRF-TFE)、基于共聚物或PVDF-TrFE的三元共聚物、如奇数尼龙或氰基聚合物之类的其它铁电聚合物。
在本发明中，与薄膜接触电极金属如Al、Pt、Au等相比，导电聚合物电极的使用增加了PVDF-TrFE共聚物薄膜中的结晶度。如下面将讨论的图5所示，极化滞后回线表明，在相同的施加电场下，在导电聚合物电极上设置的PVDF-TrFE共聚物薄膜具有高于采用金属电极、如钛时提供的极化程度。以下实例中将说明在覆盖了导电聚合物的平面衬底上制造薄的和超薄的铁电聚合物膜。
本发明所公开的实施例的目的在于说明而不是限制。这些实例并不是也不应看作是对本公开或权利要求的范围的限制。
实例1
本例中，称作PEDOT(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩))的导电聚合物将用作具有薄膜的存储电路中的铁电聚合物的电极之一。PEDOT薄膜可通过化学聚合反应、通过电化学聚合反应或者通过旋涂包含PEDOT-PSS(其中PSS为聚苯乙烯磺酸盐，polystyrene sulphonate)的现成溶液来产生。这里，已经使用制造PEDOT薄膜的化学方法。制备这种薄膜的溶液是市场上出售的Baytron M(3，4-亚乙二氧基噻吩EDOT)和Baytron C(甲苯磺酸铁的正丁醇溶液，浓度为40％)的混合物。在标准的混合溶液中，Baytron C和Baytron M之间的比率为6。EDOT向PEDOT的聚合反应在混合这两种溶液之后大约15分钟出现。
本例中的导电PEDOT聚合物是在敷金属Si片上旋涂而成的。为了聚合，把薄膜放置到热(100℃)板上1至2分钟。随后进行溶液洗涤处理以消除任何非聚合的EDOT和铁溶液。异丙醇和去离子水也可用于此处理。在导电PEDOT薄膜之上，本例中厚度为80nm的铁电薄膜通过旋涂工艺进行淀积，随后在145℃对其进行10分钟的热处理工序。由钛制成的顶部电极通过蒸发被加到铁电薄膜上。本例中的铁电薄膜是75/25共聚物PVDF-TrFE。
图5说明根据以上公开的实例1处理的铁电聚合物薄膜的滞后回线1。存储电路C配备PEDOT导电聚合物的底部电极E1，并采用钛作为顶部电极E2。
实例2
本例中为聚吡咯的导电聚合物以一种已知处理淀积在敷金属衬底(例如覆盖了Pt或Al的硅片)上，这种处理中，把衬底浸渍在聚合物溶液中。根据本实例，衬底被浸渍在低浓度聚合物溶液中以降低淀积速度。一般来说，衬底可在室温下浸入聚合溶液中大约3至30分钟。可用多步浸渍处理来获得所需厚度。本例中，30nm的最终厚度用于聚吡咯层，但该厚度可通过改变整个浸渍时间而在20nm至大约100nm的范围内变化。所述步骤之后是淀积过程工序，其中在导电聚合物层上旋涂铁电聚合物薄膜层。
本例中，平均分子量大约为200000的VDF/TFE的克分子含量之比为75/25和68/32的随机PVDF-TrFE共聚物用于形成薄膜层。这些薄膜随后在140℃热处理2小时，并且慢慢冷却到室温。
实例3
导电聚合物电极层通过从Baytron P溶液中进行旋涂，淀积在敷金属衬底(即覆盖了铂、钛或铝薄膜的硅片)上或者在铁电薄膜之上。商用BaytronP是存在用作胶体稳定剂的聚苯乙烯磺酸(PSS)时的PEDOT的水性溶液。由于所述金属薄膜和铁电薄膜中任一个的较差润湿性，必须在Baytron P中添加一定量的表面活性剂，以便实现均匀平滑的PEDOT-PSS薄膜形成。在旋涂之后，需要在100℃进行2-10分钟的热处理。这个过程可增加PEDOT/PSS的电导率。
用适当的溶剂来溶解铁电聚合物。唯一的要求是这种溶剂不会在室温下溶解或溶胀PEDOT-PSS薄膜，并且阻止铁电薄膜和PEDOT-PSS薄膜之间可能的扩散过程。DEC中的铁电聚合物浓度为3％。为了获得90nm厚的铁电薄膜a，使用了3800rpm的旋转速度。
第二PEDOT-PSS导电聚合物层是在铁电聚合物薄膜之上形成的。在这个第二导电层之上，淀积由钛制成的电极层。通过在导电聚合物之上蒸发150nm厚的钛薄膜来完成此过程。有效面积由荫罩来定义。
图5说明采用根据本发明的存储电路能够获得的滞后回线。这个存储电路C基本上对应于图2a和实例1中的存储电路C的实施例。对于底部电极E1，导电聚合物P1为C-PEDOT，它是掺杂了甲苯磺酸铁的聚噻吩。预计具有高于PEDOT-PSS的电导率。顶部电极E2由钛金属薄膜构成。回线1是根据本发明的存储电路C的滞后回线，回线2是顶部和底部电极E1、E2均由钛构成的先有技术存储电路C的滞后回线。从图中可看到，根据本发明的存储电路C表明大大高于先有技术存储电路的极化强度，如比较滞后回线中可见的。根据本发明的存储电路C的转换极化强度
Figure C0182220800121
也明显小于先有技术存储电路的转换极化强度
Figure C0182220800122
但应当指出，对于本发明的存储电路，矫顽电压Vc有些高，可能是由于超过所预期的铁电聚合物薄膜的较大厚度所造成的。但是，图5中所比较的滞后回线清楚地表明，具有导电聚合物、本例中为C-PEDOT的底部电极的使用稍微改善了用作存储材料的铁电薄膜聚合物的极化。
图6在室温下对根据本发明的存储电路C的疲劳与先有技术存储电路的疲劳进行比较。可以看到，根据本发明的存储电路表现出大大改善的极化以及疲劳特性，根据本发明的存储电路和先有技术存储电路之间的差别可看出高达106个疲劳周期以上。
人们相信，由于采用金属衬底为铁电聚合物薄膜规定的相邻微晶之间的取向失配，金属衬底可能将高弹性能强加到铁电薄膜和超薄膜中。这在超薄PVDF-TrFE膜中产生低结晶度。因此，这种超薄PVDF-TrFE共聚物膜呈现较低的剩余极化强度和较高的转换极化强度。另外，金属电极和铁电聚合物薄膜之间的界面势垒也可增加转换极化强度。在本发明中，厚度在0.05至1μm的PVDF-TrFE薄膜的铁电特性被表征。在不同电场下的转换速度已经被测量。实验结果表明，采用导电聚合物电极，由于其弹性模量与铁电聚合物薄膜的相匹配，所以结晶度和极化程度得到提高。它清楚表明，导电聚合物电极在铁电薄膜装置中正常工作。此外，还适当假定电极聚合物界面的修改还产生界面势垒的有利修改，使极化程度和转换速度得到提高。更重要的是，在相同实验条件下，与具有金属电极的铁电聚合物薄膜的相应结果相比，极化程度较高，而矫顽场或电压较低。

Claims (16)

1.一种铁电存储电路(C)，它包括铁电聚合物薄膜形式的铁电存储单元(F)以及在其相对表面分别接触所述铁电存储单元(F)的第一和第二电极(E1、E2)，由此所述单元的极化状态可以通过向所述电极(E1、E2)施加电压来设置、转换以及检测，
其特征在于所述电极(E1、E2)中至少一个包括：至少一个接触层，所述至少一个接触层包含与所述存储单元(F)接触的导电聚合物；以及与所述导电聚合物接触的金属薄膜的第二层，所述第二层是可选的，由此，所述电极(E1、E2)中至少一个或者仅包括导电聚合物接触层或者包括导电聚合物接触层和金属薄膜层的组合。
2.如权利要求1所述的铁电存储电路(C)，其特征在于所述铁电聚合物薄膜(F)的厚度为1μm或小于1μm。
3.如权利要求1所述的铁电存储电路(C)，其特征在于所述导电聚合物的厚度在20nm与100nm之间。
4.如权利要求1所述的铁电存储电路(C)，其特征在于所述铁电存储单元(F)包括选自下列各项之一的至少一种聚合物，即，聚偏氟乙烯、具有其任何共聚物的聚亚乙烯、基于共聚物或聚偏氟乙烯-三氟乙烯的三元共聚物、奇数尼龙、具有其任何共聚物的奇数尼龙、氰基聚合物以及具有其任何共聚物的氰基聚合物。
5.如权利要求4所述的铁电存储电路(C)，其特征在于所述接触层(P)的所述导电聚合物选自下列各项之一，即，掺杂聚吡咯、掺杂聚吡咯衍生物、掺杂聚苯胺、掺杂聚苯胺衍生物、掺杂聚噻吩以及掺杂聚噻吩衍生物。
5.如权利要求1所述的铁电存储电路(C)，其特征在于所述接触层(P)的所述导电聚合物选自下列聚合物之一，即，掺杂聚吡咯、掺杂聚吡咯衍生物、掺杂聚苯胺、掺杂聚苯胺衍生物、掺杂聚噻吩以及掺杂聚噻吩衍生物。
7.如权利要求1所述的铁电存储电路(C)，其特征在于所述金属薄膜层(M)的金属选自下列各项之一，即，铝、铂、钛以及铜。
8.如权利要求1所述的铁电存储电路(C)，其特征在于所述铁电存储电路(C)构成矩阵可寻址阵列中的存储电路，其中所述存储电路(C)的存储单元(F)构成铁电聚合物薄膜的全层(G)中的一部分，以及第一和第二电极分别构成第一和第二电极装置的组成部分，所述第一和第二电极装置分别包括多个平行条状电极，其中所述第二电极装置的平行条状电极的取向与所述第一电极装置的平行条状电极成一定角度、而所述铁电聚合物薄膜全层(G)夹在其间，使得所述铁电存储单元(F)定义在所述第一电极装置的所述电极分别与所述第二电极装置的所述电极的交叉点处的所述铁电聚合物薄膜内，由此，所述电极装置和具有所述存储单元(F)的所述铁电聚合物薄膜所形成的阵列构成一个集成无源矩阵可寻址铁电存储装置，其中，通过与用于驱动、控制以及检测的外部电路连接的所述电极装置的平行条状电极对各个用于读写操作的存储单元(F)进行寻址。
9.一种制造铁电存储电路(C)的方法，其中所述存储电路(C)包括铁电聚合物薄膜形式的铁电存储单元(F)以及在其相对表面上分别接触所述铁电存储单元(F)的第一和第二电极，由此能够通过向所述电极施加电压来设置、转换或检测所述单元的极化状态，以及所述存储电路(C)设置在绝缘衬底(S)上，其特征在于将导电聚合物薄膜的第一接触层淀积在所述衬底上，然后将铁电聚合物薄膜淀积在所述第一接触层上，然后再将第二接触层淀积在所述铁电聚合物薄膜之上。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于在淀积所述第一接触层之前在所述衬底上淀积金属薄膜层，然后再淀积后面的层。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于通过旋涂来淀积所述导电聚合物薄膜。
12.如权利要求9所述的方法，其特征在于通过旋涂在所述第一接触层上淀积所述铁电聚合物薄膜。
13.如权利要求9所述的方法，其特征在于在相应的淀积步骤之后在140℃的温度下对所述第一接触层和/或所述铁电聚合物薄膜进行热处理。
14.如权利要求9所述的方法，其特征在于将导电聚合物薄膜的第二接触层淀积在所述铁电聚合物薄膜之上。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于在淀积所述第二接触层之前未对所述铁电聚合物薄膜进行热处理的情况下，在140℃的温度下对所述第二接触层进行热处理。
16.如权利要求14所述的方法，其特征在于将金属薄膜层淀积在所述第二接触层之上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104350625A (zh) * 2012-06-06 2015-02-11 沙特基础工业公司 铁电装置、相互连接件、及其制造方法

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
DE60220912T2 (de) * 2001-05-07 2008-02-28 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Speichervorrichtung mit einem sich selbst einbauenden polymer und verfahren zur herstellung derselben
CN1276518C (zh) 2001-05-07 2006-09-20 先进微装置公司 使用复合分子材料的浮置栅极存储装置
AU2002340793A1 (en) 2001-05-07 2002-11-18 Coatue Corporation Molecular memory device
WO2002091494A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Switch element having memeory effect
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6756620B2 (en) * 2001-06-29 2004-06-29 Intel Corporation Low-voltage and interface damage-free polymer memory device
US6624457B2 (en) 2001-07-20 2003-09-23 Intel Corporation Stepped structure for a multi-rank, stacked polymer memory device and method of making same
US6806526B2 (en) 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
DE60130586T2 (de) 2001-08-13 2008-06-19 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Speicherzelle
US6768157B2 (en) 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6829092B2 (en) * 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
DE10156470B4 (de) * 2001-11-16 2006-06-08 Infineon Technologies Ag RF-ID-Etikett mit einer Halbleiteranordnung mit Transistoren auf Basis organischer Halbleiter und nichtflüchtiger Schreib-Lese-Speicherzellen
NO20015735D0 (no) * 2001-11-23 2001-11-23 Thin Film Electronics Asa Barrierelag
US6878980B2 (en) 2001-11-23 2005-04-12 Hans Gude Gudesen Ferroelectric or electret memory circuit
US6800238B1 (en) * 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
NO315399B1 (no) * 2002-03-01 2003-08-25 Thin Film Electronics Asa Minnecelle
NO316637B1 (no) * 2002-03-25 2004-03-15 Thin Film Electronics Asa Volumetrisk datalagringsapparat
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6839479B2 (en) 2002-05-29 2005-01-04 Silicon Light Machines Corporation Optical switch
NO322192B1 (no) * 2002-06-18 2006-08-28 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmate til fremstilling av elektrodelag av ferroelektriske minneceller i en ferroelektrisk minneinnretning, samt ferroelektrisk minneinnretning
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
CN1521565A (zh) 2002-12-20 2004-08-18 ϣ 电子器件的制造
US6890813B2 (en) * 2003-01-06 2005-05-10 Intel Corporation Polymer film metalization
DE10303316A1 (de) * 2003-01-28 2004-08-12 Forschungszentrum Jülich GmbH Schneller remanenter Speicher
ATE476739T1 (de) * 2003-01-29 2010-08-15 Polyic Gmbh & Co Kg Organisches speicherbauelement
US7046420B1 (en) 2003-02-28 2006-05-16 Silicon Light Machines Corporation MEM micro-structures and methods of making the same
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6930340B2 (en) * 2003-03-03 2005-08-16 Seiko Epson Corporation Memory cell array including ferroelectric capacitors, method for making the same, and ferroelectric memory device
US6656763B1 (en) * 2003-03-10 2003-12-02 Advanced Micro Devices, Inc. Spin on polymers for organic memory devices
US7259039B2 (en) * 2003-07-09 2007-08-21 Spansion Llc Memory device and methods of using and making the device
WO2005064705A1 (en) * 2003-12-22 2005-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Increasing the wettability of polymer solutions to be deposited on hydrophobic ferroelecric polymerb layers
US20050139879A1 (en) * 2003-12-24 2005-06-30 Diana Daniel C. Ion implanting conductive electrodes of polymer memories
NO321555B1 (no) * 2004-03-26 2006-05-29 Thin Film Electronics Asa Organisk elektronisk innretning og fremgangsmate til fremstilling av en slik innretning
KR100626912B1 (ko) 2004-04-23 2006-09-20 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 수직 전극 셀과 수직 전극 셀을 이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그 수직 전극 셀 제조방법
US20060000493A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Steger Richard M Chemical-mechanical post-etch removal of photoresist in polymer memory fabrication
US7045897B2 (en) * 2004-07-28 2006-05-16 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Electrical assembly with internal memory circuitized substrate having electronic components positioned thereon, method of making same, and information handling system utilizing same
US7253502B2 (en) * 2004-07-28 2007-08-07 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrate with internal organic memory device, electrical assembly utilizing same, and information handling system utilizing same
US7808024B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-05 Intel Corporation Ferroelectric polymer memory module
KR20060070716A (ko) * 2004-12-21 2006-06-26 한국전자통신연구원 유기 메모리 소자 및 제조 방법
NO322202B1 (no) * 2004-12-30 2006-08-28 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmate i fremstillingen av en elektronisk innretning
NO324809B1 (no) * 2005-05-10 2007-12-10 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmate til dannelse av ferroelektriske tynnfilmer, bruk av fremgangsmaten og et minne med et minnemateriale av ferroelektrisk oligomer
US20080128682A1 (en) * 2005-05-11 2008-06-05 University Of Seoul Foundation Of Industry- Academic Cooperation Ferrodielectric Memory Device And Method For Manufacturing The Same
NO324539B1 (no) * 2005-06-14 2007-11-19 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmate i fabrikasjonen av en ferroelektrisk minneinnretning
US20070003695A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Alexander Tregub Method of manufacturing a polymer memory device
KR100966302B1 (ko) * 2005-11-15 2010-06-28 서울시립대학교 산학협력단 메모리 장치
WO2007058436A1 (en) * 2005-11-15 2007-05-24 Iferro Co., Ltd. Memory device
US20070126001A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Sung-Yool Choi Organic semiconductor device and method of fabricating the same
GB2433646A (en) 2005-12-14 2007-06-27 Seiko Epson Corp Printing ferroelectric devices
EP1798732A1 (en) * 2005-12-15 2007-06-20 Agfa-Gevaert Ferroelectric passive memory cell, device and method of manufacture thereof.
US7706165B2 (en) 2005-12-20 2010-04-27 Agfa-Gevaert Nv Ferroelectric passive memory cell, device and method of manufacture thereof
JP2007184462A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Agfa Gevaert Nv 強誘電性記憶素子、その素子を含むデバイス及びその製法
GB2436893A (en) * 2006-03-31 2007-10-10 Seiko Epson Corp Inkjet printing of cross point passive matrix devices
EP1995736A1 (en) 2007-05-22 2008-11-26 Rijksuniversiteit Groningen Ferro-electric device and modulatable injection barrier
CN101359665B (zh) * 2007-07-30 2011-12-28 徐海生 铁电随机存取芯片
KR20090059811A (ko) * 2007-12-07 2009-06-11 한국전자통신연구원 유기 메모리 소자 및 그의 제조방법
SG157267A1 (en) * 2008-05-29 2009-12-29 Sony Corp Ferroelectric memory device
KR101201673B1 (ko) * 2008-07-01 2012-11-15 한국과학기술원 수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치
EP2192636A1 (en) * 2008-11-26 2010-06-02 Rijksuniversiteit Groningen Modulatable light-emitting diode
US9476026B2 (en) * 2009-03-12 2016-10-25 New Jersey Institute Of Technology Method of tissue repair using a piezoelectric scaffold
KR20110062904A (ko) * 2009-12-04 2011-06-10 한국전자통신연구원 저항형 메모리 장치 및 그 형성 방법
US9412705B2 (en) * 2011-06-27 2016-08-09 Thin Film Electronics Asa Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate
CN104704565B (zh) * 2012-10-09 2017-04-19 沙特基础工业公司 由单一聚合物材料制成的电阻式存储装置
FR3004854B1 (fr) 2013-04-19 2015-04-17 Arkema France Dispositif de memoire ferroelectrique
CN103762217B (zh) * 2014-01-26 2016-05-04 江苏巨邦环境工程集团股份有限公司 一种铁电存储器的制造方法
KR101872632B1 (ko) 2014-06-09 2018-08-02 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 펄스 전자기 복사선을 이용한 박막 유기 강유전 물질의 제조방법
WO2016039830A1 (en) * 2014-09-12 2016-03-17 Sabic Global Technologies B.V. Use of ambient-robust solution processing for preparing nanoscale organic ferroelectric films
US9735004B2 (en) * 2015-08-05 2017-08-15 Thin Film Electronics Asa PVDF-TrFE co-polymer having improved ferroelectric properties, methods of making a PVDF-TrFE co-polymer having improved ferroelectric properties and methods of changing the end group of a PVDF-TrFE co-polymer
KR102599612B1 (ko) * 2019-06-27 2023-11-08 브이메모리 주식회사 전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법 및 전자 소자
EP3993072A1 (en) * 2020-10-27 2022-05-04 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Large-area printed piezoelectrics with high frequency response

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998014989A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Speicherzelle mit polymerkondensator
CN1267389A (zh) * 1997-06-17 2000-09-20 薄膜电子有限公司 电可寻址无源器件,电寻址该器件的方法以及所述器件和方法的使用

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60257581A (ja) * 1984-06-04 1985-12-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高感度圧電素子及びその製造方法
JPS62198176A (ja) * 1986-02-26 1987-09-01 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 透明高分子圧電素子及びその製造方法
JPS6320883A (ja) * 1986-07-14 1988-01-28 Fujikura Ltd 圧電フイルムおよびその製造方法
JPS63104386A (ja) * 1986-10-20 1988-05-09 Onkyo Corp 高分子圧電素子
JPH02158173A (ja) * 1988-12-12 1990-06-18 Seiko Epson Corp 記憶装置
DE3925970A1 (de) 1989-08-05 1991-02-07 Hoechst Ag Elektrisch leitfaehige polymere und ihre verwendung als orientierungsschicht in fluessigkristall-schalt- und -anzeigeelementen
JPH03126275A (ja) * 1989-10-12 1991-05-29 Seiko Epson Corp 非線形２端子素子
JPH05232516A (ja) * 1991-03-15 1993-09-10 Seiko Epson Corp アクティブデバイス及びその製造方法
US5356500A (en) * 1992-03-20 1994-10-18 Rutgers, The State University Of New Jersey Piezoelectric laminate films and processes for their manufacture
JP2808380B2 (ja) 1992-04-17 1998-10-08 松下電器産業株式会社 空間光変調素子の駆動方法
JPH0764107A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Sharp Corp 非線形素子基板の製造方法
EP1271669A3 (en) * 1994-09-06 2005-01-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent device comprising a transparent structured electrode layer made from a conductive polymer
US6025618A (en) * 1996-11-12 2000-02-15 Chen; Zhi Quan Two-parts ferroelectric RAM
US6545384B1 (en) * 1997-02-07 2003-04-08 Sri International Electroactive polymer devices
US6072716A (en) * 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
JP3956190B2 (ja) * 2000-01-28 2007-08-08 セイコーエプソン株式会社 強誘電体キャパシタアレイ及び強誘電体メモリの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998014989A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Speicherzelle mit polymerkondensator
CN1267389A (zh) * 1997-06-17 2000-09-20 薄膜电子有限公司 电可寻址无源器件,电寻址该器件的方法以及所述器件和方法的使用

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104350625A (zh) * 2012-06-06 2015-02-11 沙特基础工业公司 铁电装置、相互连接件、及其制造方法
CN104350625B (zh) * 2012-06-06 2018-10-26 沙特基础工业公司 铁电装置、相互连接件、及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA2429887A1 (en) 2002-05-30
RU2259605C2 (ru) 2005-08-27
DE60109325D1 (de) 2005-04-14
AU2316502A (en) 2002-06-03
KR100504612B1 (ko) 2005-08-01
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CN1488148A (zh) 2004-04-07
NO20005980D0 (no) 2000-11-27
US20030056078A1 (en) 2003-03-20
NO20005980L (no) 2002-05-28
HK1063688A1 (en) 2005-01-07
KR20030059272A (ko) 2003-07-07
ES2236361T3 (es) 2005-07-16
WO2002043071A1 (en) 2002-05-30
EP1346367B1 (en) 2005-03-09
ATE290713T1 (de) 2005-03-15
AU2002223165B2 (en) 2005-02-17
EP1346367A1 (en) 2003-09-24
US6734478B2 (en) 2004-05-11
DE60109325T2 (de) 2006-04-13

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