JPH05232516A - アクティブデバイス及びその製造方法 - Google Patents
アクティブデバイス及びその製造方法Info
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- JPH05232516A JPH05232516A JP5124391A JP5124391A JPH05232516A JP H05232516 A JPH05232516 A JP H05232516A JP 5124391 A JP5124391 A JP 5124391A JP 5124391 A JP5124391 A JP 5124391A JP H05232516 A JPH05232516 A JP H05232516A
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- Japan
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- ferroelectric
- wiring layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的とするところは、アクティブデバ
イスの薄膜積層構造に関し、特に薄膜間の接着力を向上
させ、寿命及び信頼性を向上させたデバイスを提供する
にある。 【構成】本発明は、硝子基板上に形成された第１配線
層、前記第１配線層上に形成されたカップリング剤と強
誘電体の混合物から成る接着層、前記接着層上に形成さ
れた強誘電体層、前記強誘電体層上に形成された第２配
線層を有する事を特徴とする、アクティブデバイス。
硝子基板上に第１配線層を形成する工程、前記第１配
線層上にカップリング剤と強誘電体の混合物から成る接
着層を設け、前記接着層を前記強誘電体のキュリー点以
上に加熱し冷却する工程、前記接着層上に強誘電体層
を形成する工程、前記強誘電体層上に第２配線層を形
成する工程を少なくとも含む事を特徴とするアクティブ
デバイスの製造方法。
イスの薄膜積層構造に関し、特に薄膜間の接着力を向上
させ、寿命及び信頼性を向上させたデバイスを提供する
にある。 【構成】本発明は、硝子基板上に形成された第１配線
層、前記第１配線層上に形成されたカップリング剤と強
誘電体の混合物から成る接着層、前記接着層上に形成さ
れた強誘電体層、前記強誘電体層上に形成された第２配
線層を有する事を特徴とする、アクティブデバイス。
硝子基板上に第１配線層を形成する工程、前記第１配
線層上にカップリング剤と強誘電体の混合物から成る接
着層を設け、前記接着層を前記強誘電体のキュリー点以
上に加熱し冷却する工程、前記接着層上に強誘電体層
を形成する工程、前記強誘電体層上に第２配線層を形
成する工程を少なくとも含む事を特徴とするアクティブ
デバイスの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明のアクティブデバイスは、
容量層に電圧を印加させるものであり、例えば液晶表示
用に用いられるものに関し、その薄膜積層構造に関す
る。
容量層に電圧を印加させるものであり、例えば液晶表示
用に用いられるものに関し、その薄膜積層構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、図２に示すようなアクティブデバ
イスが知られていた。図２の構造は次の様である。硝子
基板１の上に、ＩＴＯから成る第１配線層２が設けら
れ、その上に、直接、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリ
デン／トリフルオロエチレン）共重合体から成る強誘電
体層３が設けられ、その上にＡｌから成る第２配線層４
が設けられている。
イスが知られていた。図２の構造は次の様である。硝子
基板１の上に、ＩＴＯから成る第１配線層２が設けら
れ、その上に、直接、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリ
デン／トリフルオロエチレン）共重合体から成る強誘電
体層３が設けられ、その上にＡｌから成る第２配線層４
が設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術のアクティブデバイスには、以下に述べるよう
な問題点があった。すなわち、アクティブデバイスとし
て動作させるために、前記強誘電体層３に分極を生じさ
せ、その分極を反転させる必要がある。そのために、前
記第１配線層２と前記第２配線層４の間に交流電圧を印
加する。ところが、強誘電体層３は圧電性を有するため
に、電圧を印加する事により次式で示される応力Ｔを生
じる。ゆえに、電圧を反転させる事によりそれに応じ
て、図２−（ｂ）における能動部分６において振動を生
ずる。
従来技術のアクティブデバイスには、以下に述べるよう
な問題点があった。すなわち、アクティブデバイスとし
て動作させるために、前記強誘電体層３に分極を生じさ
せ、その分極を反転させる必要がある。そのために、前
記第１配線層２と前記第２配線層４の間に交流電圧を印
加する。ところが、強誘電体層３は圧電性を有するため
に、電圧を印加する事により次式で示される応力Ｔを生
じる。ゆえに、電圧を反転させる事によりそれに応じ
て、図２−（ｂ）における能動部分６において振動を生
ずる。
【０００４】
【数１】
【０００５】この振動が原因となって、前記第１配線層
２上に、直接、強誘電体層３を形成する方法では、能動
部分６において、強誘電体層３が第１配線層２から剥離
していた。このため、第１配線層２と第２配線層４の間
隔が大きくなり、強誘電体層３に分極を生じさせるに充
分な電圧を印加できなくなる。
２上に、直接、強誘電体層３を形成する方法では、能動
部分６において、強誘電体層３が第１配線層２から剥離
していた。このため、第１配線層２と第２配線層４の間
隔が大きくなり、強誘電体層３に分極を生じさせるに充
分な電圧を印加できなくなる。
【０００６】さらに、この剥離は時間と共に増大するた
めに、素子の特性も、時間と共に低下する。
めに、素子の特性も、時間と共に低下する。
【０００７】そこで本発明は、このような問題点を克服
するためのもので、その目的とするところは、従来のデ
バイスに比較して、第１配線層２と強誘電体層３の接着
力を向上させ、デバイス能動部分６において剥離を防止
し、寿命及び信頼性を向上させたデバイスを提供するに
ある。
するためのもので、その目的とするところは、従来のデ
バイスに比較して、第１配線層２と強誘電体層３の接着
力を向上させ、デバイス能動部分６において剥離を防止
し、寿命及び信頼性を向上させたデバイスを提供するに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブデバ
イスは、硝子基板上に形成された第１配線層、前記第１
配線層上に形成されたカップリング剤と強誘電体層の混
合物から成る接着層、前記接着層上に形成された強誘電
体層、前記強誘電体層上に形成された第２配線層を有す
る事を特徴とする。本発明のアクティブデバイスの製造
方法は硝子基板上に第１配線層を形成する工程、前
記第１配線層上にカップリング剤と強誘電体の混合物か
ら成る接着層を設け、前記接着層を前記強誘電体のキュ
リー点以上に加熱し冷却する工程、前記接着層上に強
誘電体層を形成する工程、前記強誘電体層上に第２配
線層を形成する工程を少なくとも含む事を特徴とする。
イスは、硝子基板上に形成された第１配線層、前記第１
配線層上に形成されたカップリング剤と強誘電体層の混
合物から成る接着層、前記接着層上に形成された強誘電
体層、前記強誘電体層上に形成された第２配線層を有す
る事を特徴とする。本発明のアクティブデバイスの製造
方法は硝子基板上に第１配線層を形成する工程、前
記第１配線層上にカップリング剤と強誘電体の混合物か
ら成る接着層を設け、前記接着層を前記強誘電体のキュ
リー点以上に加熱し冷却する工程、前記接着層上に強
誘電体層を形成する工程、前記強誘電体層上に第２配
線層を形成する工程を少なくとも含む事を特徴とする。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１−（ａ），（ｂ）は本発明にかかるアクティ
ブデバイスを示す図であり、図１−（ａ）は上視図、同
図−（ｂ）は同図−（ａ）中Ｘ−Ｘにおける断面図であ
る。
する。図１−（ａ），（ｂ）は本発明にかかるアクティ
ブデバイスを示す図であり、図１−（ａ）は上視図、同
図−（ｂ）は同図−（ａ）中Ｘ−Ｘにおける断面図であ
る。
【００１０】図１に示す実施例の構造は次の様である。
すなわち、硝子基板１の上に、ＩＴＯから成る第１配線
層２が設けられ、その上にカップリング剤と前述の、Ｖ
ＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリデン／トリフルオロエチ
レン）共重合体の混合物から成る接着層５が設けられ、
その上にＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリデン／トリフ
ルオロエチレン）共重合体から成る強誘電体層３が設け
られ、その上にＡｌから成る第２配線層４が設けられて
いる。
すなわち、硝子基板１の上に、ＩＴＯから成る第１配線
層２が設けられ、その上にカップリング剤と前述の、Ｖ
ＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリデン／トリフルオロエチ
レン）共重合体の混合物から成る接着層５が設けられ、
その上にＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリデン／トリフ
ルオロエチレン）共重合体から成る強誘電体層３が設け
られ、その上にＡｌから成る第２配線層４が設けられて
いる。
【００１１】次に、図３に本発明によるアクティブデバ
イスの製造方法を示す。まず、硝子基板（例えば、日本
電気硝子株式会社製ＯＡ−２）１を洗浄し、その上にス
パッタリング法あるいは蒸着法によって、２００〜９０
００Åの膜厚のＩＴＯ層を製膜する。製膜したＩＴＯ層
をパターニングして、ＩＴＯから成る第１配線層２を形
成する。図３−（ａ）。その上に、次に示すような構造
式を有するアミノシラン系カップリング剤、化１−
（ａ）（Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン）、化１−（ｂ）（Ｎ−β（アミノエ
チル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン）、
化１−（ｃ）（γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン）
イスの製造方法を示す。まず、硝子基板（例えば、日本
電気硝子株式会社製ＯＡ−２）１を洗浄し、その上にス
パッタリング法あるいは蒸着法によって、２００〜９０
００Åの膜厚のＩＴＯ層を製膜する。製膜したＩＴＯ層
をパターニングして、ＩＴＯから成る第１配線層２を形
成する。図３−（ａ）。その上に、次に示すような構造
式を有するアミノシラン系カップリング剤、化１−
（ａ）（Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン）、化１−（ｂ）（Ｎ−β（アミノエ
チル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン）、
化１−（ｃ）（γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン）
【００１２】
【化１】
【００１３】及びチタネート系カップリング剤、化２−
（ａ）（イソプロピルトリイソステアロイルチタネー
ト）、化２−（ｂ）（イソプロピルトリス（ジオクチル
パイロホスフエート）チタネート）、化２−（ｃ）（イ
ソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チ
タネート）、化３−（ａ）（テトラオクチルビス（ジト
リデシルホスファイト）チタネート）、化３−（ｂ）
（テトラ（２．２−ジアリルオキシメチル−１−ブチ
ル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート）、
化４−（ａ）（ビス（ジオクチルパイロホスフェート）
化４−（ｂ）（ビス（ジオクチルパイロホスフェート）
エチレンチタネート）
（ａ）（イソプロピルトリイソステアロイルチタネー
ト）、化２−（ｂ）（イソプロピルトリス（ジオクチル
パイロホスフエート）チタネート）、化２−（ｃ）（イ
ソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チ
タネート）、化３−（ａ）（テトラオクチルビス（ジト
リデシルホスファイト）チタネート）、化３−（ｂ）
（テトラ（２．２−ジアリルオキシメチル−１−ブチ
ル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート）、
化４−（ａ）（ビス（ジオクチルパイロホスフェート）
化４−（ｂ）（ビス（ジオクチルパイロホスフェート）
エチレンチタネート）
【００１４】
【化２】
【００１５】
【化３】
【００１６】
【化４】
【００１７】を、前記ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体と、カ
ップリング剤：ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体＝１〜１００
０：１００の重量比にて混合し、有機溶剤（ジオキサン
を含むエーテル、ケトン類。アミン等の極性の強い溶
剤）に対して、溶質：溶媒＝１：１０〜１００００の比
率で溶解し、それをスピンコーター法あるいはディッピ
ング法によって塗布する。次にそれを、ＶＤＦ／ＴｒＦ
Ｅ共重合体のキュリー点以上の温度（ＶＤＦのモル％に
よっても異なるが、例えば１４０℃）で１時間アニール
する。次にそれを室温まで急冷し、数十〜数百Åの膜厚
の接着層５を形成する。図３−（ｂ）。その上に、前記
ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体を有機溶剤（ジオキサンを含
むエーテル、ケトン類。アミン等の極性の強い溶剤）と
混合したものをスピンコーター法によって、数千Åの強
誘電体層３を形成する。図３−（ｃ）。次にそれを乾
燥、焼成した後、その上に蒸着法あるいはスパッタ法に
よって、数千Åの膜厚のＡｌ層を製膜する。製膜したＡ
ｌ層をパターニングして、Ａｌから成る第２配線層４を
形成する。図３−（ｄ）。
ップリング剤：ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体＝１〜１００
０：１００の重量比にて混合し、有機溶剤（ジオキサン
を含むエーテル、ケトン類。アミン等の極性の強い溶
剤）に対して、溶質：溶媒＝１：１０〜１００００の比
率で溶解し、それをスピンコーター法あるいはディッピ
ング法によって塗布する。次にそれを、ＶＤＦ／ＴｒＦ
Ｅ共重合体のキュリー点以上の温度（ＶＤＦのモル％に
よっても異なるが、例えば１４０℃）で１時間アニール
する。次にそれを室温まで急冷し、数十〜数百Åの膜厚
の接着層５を形成する。図３−（ｂ）。その上に、前記
ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体を有機溶剤（ジオキサンを含
むエーテル、ケトン類。アミン等の極性の強い溶剤）と
混合したものをスピンコーター法によって、数千Åの強
誘電体層３を形成する。図３−（ｃ）。次にそれを乾
燥、焼成した後、その上に蒸着法あるいはスパッタ法に
よって、数千Åの膜厚のＡｌ層を製膜する。製膜したＡ
ｌ層をパターニングして、Ａｌから成る第２配線層４を
形成する。図３−（ｄ）。
【００１８】さて、ＩＴＯから成る第１配線層２と強誘
電体層３の間の、接着層５に含有されているアミノシラ
ン系カップリング剤及び、チタネート系カップリング剤
は、分子中に無機物と結合する部分と有機物に親和する
部分を有している。従来のデバイス構造では、無機物で
ある第１配線層２の上に直接、有機物である強誘電体層
３を形成しているために、接着性が非常に悪かったのに
対し、接着層５が前述の性質を有したカップリング剤を
含有しているために、接着層５と、無機物である第１配
線層２及び、有機物であるＶＤＦ／ＴｒＦＥ層から成る
強誘電体層３は強力に接着され、換言すれば、第１配線
層２と強誘電体層３が強力に接着される事になる訳であ
る。さらにこれらのカップリング剤と、強誘電体層３を
形成するＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体を混合する事によ
り、特に、接着層５と強誘電体層３のなじみが良くな
り、接着力が飛躍的に向上し、第１配線層２と強誘電体
層３は比類なく強力に接着する。
電体層３の間の、接着層５に含有されているアミノシラ
ン系カップリング剤及び、チタネート系カップリング剤
は、分子中に無機物と結合する部分と有機物に親和する
部分を有している。従来のデバイス構造では、無機物で
ある第１配線層２の上に直接、有機物である強誘電体層
３を形成しているために、接着性が非常に悪かったのに
対し、接着層５が前述の性質を有したカップリング剤を
含有しているために、接着層５と、無機物である第１配
線層２及び、有機物であるＶＤＦ／ＴｒＦＥ層から成る
強誘電体層３は強力に接着され、換言すれば、第１配線
層２と強誘電体層３が強力に接着される事になる訳であ
る。さらにこれらのカップリング剤と、強誘電体層３を
形成するＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体を混合する事によ
り、特に、接着層５と強誘電体層３のなじみが良くな
り、接着力が飛躍的に向上し、第１配線層２と強誘電体
層３は比類なく強力に接着する。
【００１９】なお、実験結果によると、アミノシラン系
カップリング剤及び、チタネート系カップリング剤とＶ
ＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の混合性はすこぶる良好で、混
合する事により、デバイスの性能を劣化させる様な反応
はおこらない。さらに、接着層５に含有したアミノシラ
ン系カップリング剤及び、チタネート系カップリング剤
と、ＩＴＯ及び、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体それぞれの
相性はすこぶる良好で、実際にデバイスにした場合、接
着強度にして、従来のデバイスと比較し、数千倍〜数万
倍である。また、接着層５にカップリング剤を単独で用
いた場合に比較しても、接着層５にカップリング剤とＶ
ＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の混合物を用いた場合、接着強
度にして、数十倍〜数百倍である。接着強度が向上した
分に応じてデバイスとしての寿命も向上し、本発明によ
るデバイスの寿命は従来のデバイスと比較して数千倍〜
数万倍である。
カップリング剤及び、チタネート系カップリング剤とＶ
ＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の混合性はすこぶる良好で、混
合する事により、デバイスの性能を劣化させる様な反応
はおこらない。さらに、接着層５に含有したアミノシラ
ン系カップリング剤及び、チタネート系カップリング剤
と、ＩＴＯ及び、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体それぞれの
相性はすこぶる良好で、実際にデバイスにした場合、接
着強度にして、従来のデバイスと比較し、数千倍〜数万
倍である。また、接着層５にカップリング剤を単独で用
いた場合に比較しても、接着層５にカップリング剤とＶ
ＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の混合物を用いた場合、接着強
度にして、数十倍〜数百倍である。接着強度が向上した
分に応じてデバイスとしての寿命も向上し、本発明によ
るデバイスの寿命は従来のデバイスと比較して数千倍〜
数万倍である。
【００２０】さらに、接着層５は、前述の様に非常に薄
く、その部分での電圧降下が無視できるために、第１配
線層２と第２配線層４の間に電圧を印加するに際して、
デバイスとしての特性に全く影響を及ぼさない。
く、その部分での電圧降下が無視できるために、第１配
線層２と第２配線層４の間に電圧を印加するに際して、
デバイスとしての特性に全く影響を及ぼさない。
【００２１】さらに、強誘電体層３を形成する際、前述
の有機溶剤に侵される可能性があるが、接着層５を形成
する際、キュリー点以上の温度でアニールすると、接着
層５に含有されたＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体は、ジオキ
サンを含むエーテル、ケトン類、アミン等の極性の強い
溶剤に溶解しなくなる。このため、前述のアニールは、
接着層５が侵されるのを防止する効果がある。
の有機溶剤に侵される可能性があるが、接着層５を形成
する際、キュリー点以上の温度でアニールすると、接着
層５に含有されたＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体は、ジオキ
サンを含むエーテル、ケトン類、アミン等の極性の強い
溶剤に溶解しなくなる。このため、前述のアニールは、
接着層５が侵されるのを防止する効果がある。
【００２２】さらに、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体は、キ
ュリー点以上融点以下の温度でアニールした後、徐冷し
た場合大きな圧電性を生じる。しかし、キュリー点以上
でアニールし急冷した場合、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体
の圧電性は小さくなり、前述の応力Ｔは、徐冷した場合
に比較して半分以下になる。このため、第１配線層２及
び、強誘電体層３の接着性を向上すると同時に、第１配
線層２と第２配線層４の間に電圧を印加した際、接着層
５に含有したＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体は振動を生じ
ず、緩衝材として強誘電体層３の振動を適宜吸収する効
果がある。
ュリー点以上融点以下の温度でアニールした後、徐冷し
た場合大きな圧電性を生じる。しかし、キュリー点以上
でアニールし急冷した場合、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体
の圧電性は小さくなり、前述の応力Ｔは、徐冷した場合
に比較して半分以下になる。このため、第１配線層２及
び、強誘電体層３の接着性を向上すると同時に、第１配
線層２と第２配線層４の間に電圧を印加した際、接着層
５に含有したＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体は振動を生じ
ず、緩衝材として強誘電体層３の振動を適宜吸収する効
果がある。
【００２３】さらに、強誘電体層３は、不純物を極力混
入させないようにしなければばらないのであるが、接着
層５は、硝子基板１の不純物が、強誘電体層３に拡散す
るのを保護する効果がある。
入させないようにしなければばらないのであるが、接着
層５は、硝子基板１の不純物が、強誘電体層３に拡散す
るのを保護する効果がある。
【００２４】さらに、実際このデバイスを液晶表示体と
して用いるには、第２配線層４上に配向膜（例えばポリ
イミド）を形成し、ラビングを行うのであるが、接着層
５はラビング時においても強誘電体層３の剥離を防止
し、かつ、液晶の配向状態の向上に大きく寄与する効果
がある。
して用いるには、第２配線層４上に配向膜（例えばポリ
イミド）を形成し、ラビングを行うのであるが、接着層
５はラビング時においても強誘電体層３の剥離を防止
し、かつ、液晶の配向状態の向上に大きく寄与する効果
がある。
【００２５】なお、第１配線層２はＩＴＯに限る必要は
なく、他の透明電極でもよい。第２配線層４はＡｌに限
る必要はなく、他の金属を用いてもよい。接着層５に含
有されるカップリング剤は、アミノシラン系カップリン
グ剤あるいはチタネート系カップリング剤に限る必要は
なく、他のカップリング剤を用いてもよい。接着層５及
び強誘電体層３の形成法は、スピンコーター法あるいは
ディッピング法以外の印刷法等の他の形成法を用いても
よい。接着層５を形成する際のアニール時間は、１時間
に限る必要はなく、適宜変更してもよい。接着層５を形
成する際の冷却法は急冷に限る必要はなく、徐冷等の他
の冷却法でもよい。強誘電体層３はＶＤＦ／ＴｒＦＥ共
重合体に限る必要はなく、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリ
デン）、ＶＤＦ／ＴｅＦＥ（フッ化ビニリデン／テトラ
フルオロエチレン）共重合体、シアン化ビニリデン／酢
酸ビニル共重合体等の有機強誘電体材料を用いてもよ
い。強誘電体層３は必ずしも全面に形成する必要はな
く、デバイス能動部６のみに形成してもよい。
なく、他の透明電極でもよい。第２配線層４はＡｌに限
る必要はなく、他の金属を用いてもよい。接着層５に含
有されるカップリング剤は、アミノシラン系カップリン
グ剤あるいはチタネート系カップリング剤に限る必要は
なく、他のカップリング剤を用いてもよい。接着層５及
び強誘電体層３の形成法は、スピンコーター法あるいは
ディッピング法以外の印刷法等の他の形成法を用いても
よい。接着層５を形成する際のアニール時間は、１時間
に限る必要はなく、適宜変更してもよい。接着層５を形
成する際の冷却法は急冷に限る必要はなく、徐冷等の他
の冷却法でもよい。強誘電体層３はＶＤＦ／ＴｒＦＥ共
重合体に限る必要はなく、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリ
デン）、ＶＤＦ／ＴｅＦＥ（フッ化ビニリデン／テトラ
フルオロエチレン）共重合体、シアン化ビニリデン／酢
酸ビニル共重合体等の有機強誘電体材料を用いてもよ
い。強誘電体層３は必ずしも全面に形成する必要はな
く、デバイス能動部６のみに形成してもよい。
【００２６】次に、本発明を用いた液晶表示体の実施例
を、図面に基づいて説明する。図４−（ａ）、（ｂ）は
本発明を用いた液晶表示体を示す図であり、図４−
（ａ）は上視図、同図−（ｂ）は同図−（ａ）中Ｘ−Ｘ
における断面図である。
を、図面に基づいて説明する。図４−（ａ）、（ｂ）は
本発明を用いた液晶表示体を示す図であり、図４−
（ａ）は上視図、同図−（ｂ）は同図−（ａ）中Ｘ−Ｘ
における断面図である。
【００２７】図４に示す実施例の構造は次の様である。
すなわち、対向硝子基板８上に、ＩＴＯから成る第３配
線層７を設けた基板を、図１に示したアクティブデバイ
スに１〜１００μｍの間隔をおいて、対向する形で設け
られている。そして、両基板で液晶を保持している。
すなわち、対向硝子基板８上に、ＩＴＯから成る第３配
線層７を設けた基板を、図１に示したアクティブデバイ
スに１〜１００μｍの間隔をおいて、対向する形で設け
られている。そして、両基板で液晶を保持している。
【００２８】
【発明の効果】上述のように、本発明のデバイスの薄膜
積層構造によれば、従来のデバイスに比較して、薄膜間
の剥離のおそれが激減するために、すこぶる、寿命及び
信頼性の向上したデバイスを提供することができる。
積層構造によれば、従来のデバイスに比較して、薄膜間
の剥離のおそれが激減するために、すこぶる、寿命及び
信頼性の向上したデバイスを提供することができる。
【図１】（ａ）は本発明によるアクティブデバイスを示
す上視図。（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面
図。
す上視図。（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面
図。
【図２】（ａ）は従来のアクティブデバイスを示す上視
図。（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
図。（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明によるアクティブデバ
イスの製造方法を示す断面図。
イスの製造方法を示す断面図。
【図４】（ａ）は本発明によるアクティブデバイスを用
いた液晶表示体を示す上視図。
いた液晶表示体を示す上視図。
【図４】（ｂ）は図３（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
１ 硝子基板 ２ 第１配線層 ３ 強誘電体層 ４ 第２配線層 ５ 接着層 ６ デバイス能動部分 ７ 第３配線層 ８ 対向硝子基板
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明によるアクティブデバイスを示
す上視図。（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面
図。
す上視図。（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面
図。
【図２】（ａ）は従来のアクティブデバイスを示す上視
図。（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
図。（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明によるアクティブデバ
イスの製造方法を示す断面図。
イスの製造方法を示す断面図。
【図４】（ａ）は本発明によるアクティブデバイスを用
いた液晶表示体を示す上視図。（ｂ）は図３（ａ）のＸ
−Ｘに沿った断面図。
いた液晶表示体を示す上視図。（ｂ）は図３（ａ）のＸ
−Ｘに沿った断面図。
Claims (2)
- 【請求項１】 硝子基板上に形成された第１配線層、前
記第１配線層上に形成されたカップリング剤と強誘電体
の混合物から成る接着層、前記接着層上に形成された強
誘電体層、前記強誘電体層上に形成された第２配線層を
有する事を特徴とする、アクティブデバイス。 - 【請求項２】 硝子基板上に第１配線層を形成する工
程、前記第１配線層上にカップリング剤と強誘電体の
混合物から成る接着層を設け、前記接着層を前記強誘電
体のキュリー点以上に加熱し冷却する工程、前記接着
層上に強誘電体層を形成する工程、前記強誘電体層上
に第２配線層を形成する工程を少なくとも含む事を特徴
とするアクティブデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124391A JPH05232516A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | アクティブデバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124391A JPH05232516A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | アクティブデバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232516A true JPH05232516A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12881511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5124391A Pending JPH05232516A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | アクティブデバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05232516A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004515055A (ja) * | 2000-11-27 | 2004-05-20 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 強誘電性メモリ回路及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP5124391A patent/JPH05232516A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004515055A (ja) * | 2000-11-27 | 2004-05-20 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 強誘電性メモリ回路及びその製造方法 |
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