JPH04248521A - アクティブデバイス - Google Patents
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- JPH04248521A JPH04248521A JP1326091A JP1326091A JPH04248521A JP H04248521 A JPH04248521 A JP H04248521A JP 1326091 A JP1326091 A JP 1326091A JP 1326091 A JP1326091 A JP 1326091A JP H04248521 A JPH04248521 A JP H04248521A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明のアクティブデバイスは、
容量層に電圧を印加させるものであり、例えば液晶表示
用に用いられるものに関し、その薄膜積層構造に関する
。
容量層に電圧を印加させるものであり、例えば液晶表示
用に用いられるものに関し、その薄膜積層構造に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来、図２に示すようなアクティブデバ
イスが知られていた。図２の構造は次の様である。硝子
基板１の上に、ＩＴＯから成る第１配線層２が設けられ
、その上に、直接、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリデ
ン／トリフルオロエチレン）共重合体から成る強誘電体
層３が設けられ、その上にＡｌから成る第２配線層４が
設けられている。
イスが知られていた。図２の構造は次の様である。硝子
基板１の上に、ＩＴＯから成る第１配線層２が設けられ
、その上に、直接、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリデ
ン／トリフルオロエチレン）共重合体から成る強誘電体
層３が設けられ、その上にＡｌから成る第２配線層４が
設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術のアクティブデバイスには、以下に述べるよう
な問題点があった。すなわち、アクティブデバイスとし
て動作させるために、前記強誘電体層３に分極を生じさ
せ、その分極を反転させる必要がある。そのために、前
記第１配線層２と前記第２配線層４の間に交流電圧を印
加する。ところが、強誘電体層３は圧電性を有するため
に、電圧を印加する事により次式で示される応力Ｔを生
じる。ゆえに、電圧を反転させる事によりそれに応じて
、図２−（ｂ）における能動部分６において振動を生ず
る。
従来技術のアクティブデバイスには、以下に述べるよう
な問題点があった。すなわち、アクティブデバイスとし
て動作させるために、前記強誘電体層３に分極を生じさ
せ、その分極を反転させる必要がある。そのために、前
記第１配線層２と前記第２配線層４の間に交流電圧を印
加する。ところが、強誘電体層３は圧電性を有するため
に、電圧を印加する事により次式で示される応力Ｔを生
じる。ゆえに、電圧を反転させる事によりそれに応じて
、図２−（ｂ）における能動部分６において振動を生ず
る。
【０００４】
【数１】
【０００５】この振動が原因となって、前記第１配線層
２上に、直接、強誘電体層３を形成する方法では、能動
部分６において、強誘電体層３が第１配線層２から剥離
していた。このため、第１配線層２と第２配線層４の間
隔が大きくなり、強誘電体層３に分極を生じさせるに充
分な電圧を印加できなくなる。
２上に、直接、強誘電体層３を形成する方法では、能動
部分６において、強誘電体層３が第１配線層２から剥離
していた。このため、第１配線層２と第２配線層４の間
隔が大きくなり、強誘電体層３に分極を生じさせるに充
分な電圧を印加できなくなる。
【０００６】さらに、この剥離は時間と共に増大するた
めに、素子の特性も、時間と共に低下する。
めに、素子の特性も、時間と共に低下する。
【０００７】そこで本発明は、このような問題点を克服
するためのもので、その目的とするところは、従来のデ
バイスに比較して、第１配線層２と強誘電体層３の接着
力を向上させ、能動部分６において剥離を防止し、寿命
および信頼性を向上させたデバイスを提供するにある。
するためのもので、その目的とするところは、従来のデ
バイスに比較して、第１配線層２と強誘電体層３の接着
力を向上させ、能動部分６において剥離を防止し、寿命
および信頼性を向上させたデバイスを提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブデバ
イスは、硝子基板上に形成された第１配線層、前記第１
配線層上に形成されたチタネート系カップリング剤から
成る接着層、前記接着層上に形成された強誘電体層、前
記強誘電体層上に形成された第２配線層を有する事を特
徴とする。
イスは、硝子基板上に形成された第１配線層、前記第１
配線層上に形成されたチタネート系カップリング剤から
成る接着層、前記接着層上に形成された強誘電体層、前
記強誘電体層上に形成された第２配線層を有する事を特
徴とする。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１−（ａ），（ｂ）は本発明にかかるアクティ
ブデバイスを示す図であり、図１−（ａ）は上視図、同
図−（ｂ）は同図−（ａ）中Ｘ−Ｘにおける断面図であ
る。
する。図１−（ａ），（ｂ）は本発明にかかるアクティ
ブデバイスを示す図であり、図１−（ａ）は上視図、同
図−（ｂ）は同図−（ａ）中Ｘ−Ｘにおける断面図であ
る。
【００１０】図１に示す実施例の構造は次の様である。
すなわち、硝子基板１の上に、ＩＴＯから成る第１配線
層２が設けられ、その上にチタネート系カップリング剤
から成る接着層５が設けられ、その上に前述の、ＶＤＦ
／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン
）共重合体から成る強誘電体層３が設けられ、その上に
Ａｌから成る第２配線層４が設けられている。
層２が設けられ、その上にチタネート系カップリング剤
から成る接着層５が設けられ、その上に前述の、ＶＤＦ
／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン
）共重合体から成る強誘電体層３が設けられ、その上に
Ａｌから成る第２配線層４が設けられている。
【００１１】次に、図１に従い、アクティブデバイスの
製造法を簡単に説明する。まず、硝子基板（例えば、日
本電気硝子株式会社製ＯＡ−２）１を洗浄し、その上に
スパッタリング法あるいは蒸着法によって、２００から
９０００Åの膜厚のＩＴＯ層を製膜する。製膜したＩＴ
Ｏ層をパターニングして、ＩＴＯから成る第１配線層２
を形成する。その上に、次に示すような構造式を有する
チタネート系カップリング剤、化１−（ａ）（イソプロ
ピルトリイソステアロイルチタネート）、化１−（ｂ）
（イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフエート
）チタネート）、化１−（ｃ）（イソプロピルトリ（Ｎ
−アミノエチル−アミノエチル）チタネート）、化２−
（ａ）（テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイ
ト）チタネート）、化２−（ｂ）（テトラ（２．２−ジ
アリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル
）ホスファイトチタネート）、化３−（ａ）（ビス（ジ
オクチルパイロホスフェート）化３−（ｂ）（ビス（ジ
オクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート）
製造法を簡単に説明する。まず、硝子基板（例えば、日
本電気硝子株式会社製ＯＡ−２）１を洗浄し、その上に
スパッタリング法あるいは蒸着法によって、２００から
９０００Åの膜厚のＩＴＯ層を製膜する。製膜したＩＴ
Ｏ層をパターニングして、ＩＴＯから成る第１配線層２
を形成する。その上に、次に示すような構造式を有する
チタネート系カップリング剤、化１−（ａ）（イソプロ
ピルトリイソステアロイルチタネート）、化１−（ｂ）
（イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフエート
）チタネート）、化１−（ｃ）（イソプロピルトリ（Ｎ
−アミノエチル−アミノエチル）チタネート）、化２−
（ａ）（テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイ
ト）チタネート）、化２−（ｂ）（テトラ（２．２−ジ
アリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル
）ホスファイトチタネート）、化３−（ａ）（ビス（ジ
オクチルパイロホスフェート）化３−（ｂ）（ビス（ジ
オクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート）
【００１２】
【化１】
【００１３】
【化２】
【００１４】
【化３】
【００１５】を有機溶剤（例えば、ｎ−ヘキサン、鉱油
、あるいは、メチルエチルケトン等のケトン類、あるい
は、ｎ−プロパノールやメタノール等のアルコール類）
および水に対して、溶質：溶媒＝１：１０〜１００００
の比率で溶解し、それをスピンコーター法あるいはディ
ッピング法によって塗布する。次にそれを焼成あるいは
自然乾燥し、接着層５を形成する。その上に、前記ＶＤ
Ｆ／ＴｒＦＥ共重合体を有機溶剤（例えばジオキサン）
と混合したものをスピンコーター法によって、数千Åの
強誘電体層３を形成する。次にそれを乾燥、焼成した後
、その上に蒸着法によって、数千Åの膜厚のＡｌ層を製
膜する。製膜したＡｌ層をパターニングして、Ａｌから
成る第２配線層４を形成する。
、あるいは、メチルエチルケトン等のケトン類、あるい
は、ｎ−プロパノールやメタノール等のアルコール類）
および水に対して、溶質：溶媒＝１：１０〜１００００
の比率で溶解し、それをスピンコーター法あるいはディ
ッピング法によって塗布する。次にそれを焼成あるいは
自然乾燥し、接着層５を形成する。その上に、前記ＶＤ
Ｆ／ＴｒＦＥ共重合体を有機溶剤（例えばジオキサン）
と混合したものをスピンコーター法によって、数千Åの
強誘電体層３を形成する。次にそれを乾燥、焼成した後
、その上に蒸着法によって、数千Åの膜厚のＡｌ層を製
膜する。製膜したＡｌ層をパターニングして、Ａｌから
成る第２配線層４を形成する。
【００１６】さて、ＩＴＯから成る第１配線層２と強誘
電体層３の間の、接着層５を形成するのに用いたチタネ
ート系カップリング剤は、分子中に無機物と結合する部
分と有機物に親和する部分を有しており、かつ分散性が
高い。このため、無機物である第１配線層２上に塗布を
行うと強力に接着し、単層あるいは数層の、非常に薄い
、有機物と親和しやすい被膜であるところの接着層５を
形成する事ができる。従来のデバイス構造では、無機物
である第１配線層２の上に直接、有機物である強誘電体
層３を形成しているために、接着性が非常に悪かったの
に対し、接着層５が前述の性質を有しているために、接
着層５と、有機物であるＶＤＦ／ＴｒＦＥ層から成る強
誘電体層３は強力に接着され、換言すれば、第１配線層
２と強誘電体層３が、強力に接着される事になる訳であ
る。なお、実験結果によるとチタネート系カップリング
剤と、ＩＴＯおよびＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体それぞれ
の相性はすこぶる良好で、接着強度にして、従来のデバ
イスと比較し、数百倍〜数千倍である。
電体層３の間の、接着層５を形成するのに用いたチタネ
ート系カップリング剤は、分子中に無機物と結合する部
分と有機物に親和する部分を有しており、かつ分散性が
高い。このため、無機物である第１配線層２上に塗布を
行うと強力に接着し、単層あるいは数層の、非常に薄い
、有機物と親和しやすい被膜であるところの接着層５を
形成する事ができる。従来のデバイス構造では、無機物
である第１配線層２の上に直接、有機物である強誘電体
層３を形成しているために、接着性が非常に悪かったの
に対し、接着層５が前述の性質を有しているために、接
着層５と、有機物であるＶＤＦ／ＴｒＦＥ層から成る強
誘電体層３は強力に接着され、換言すれば、第１配線層
２と強誘電体層３が、強力に接着される事になる訳であ
る。なお、実験結果によるとチタネート系カップリング
剤と、ＩＴＯおよびＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体それぞれ
の相性はすこぶる良好で、接着強度にして、従来のデバ
イスと比較し、数百倍〜数千倍である。
【００１７】以上の様に、第１配線層２と強誘電体層３
の間に、チタネート系カップリング層５を形成する事に
より、接着力が数百倍〜数千倍と非常に向上したために
、剥離のおそれが激減し、第１配線層２と第２配線層４
の間隔が大きくなるのを防止できる。ゆえに、強誘電体
層３に分極を起こさせるに充分な電圧を、長時間にわた
って印加できるため、すこぶる、長寿命および高信頼性
のデバイスの製造が可能となった。
の間に、チタネート系カップリング層５を形成する事に
より、接着力が数百倍〜数千倍と非常に向上したために
、剥離のおそれが激減し、第１配線層２と第２配線層４
の間隔が大きくなるのを防止できる。ゆえに、強誘電体
層３に分極を起こさせるに充分な電圧を、長時間にわた
って印加できるため、すこぶる、長寿命および高信頼性
のデバイスの製造が可能となった。
【００１８】さらに、接着層５は、前述の様に非常に薄
く、その部分での電圧降下が無視できるために、第１配
線層２と第２配線層４の間に電圧を印加するに際して、
デバイスとしての特性に全く影響を及ぼさない。
く、その部分での電圧降下が無視できるために、第１配
線層２と第２配線層４の間に電圧を印加するに際して、
デバイスとしての特性に全く影響を及ぼさない。
【００１９】さらに、強誘電体層３は、不純物を極力混
入させないようにしなければばらないのであるが、接着
層５は、硝子基板１の不純物が、強誘電体層３に拡散す
るのを保護する効果がある。
入させないようにしなければばらないのであるが、接着
層５は、硝子基板１の不純物が、強誘電体層３に拡散す
るのを保護する効果がある。
【００２０】さらに、実際このデバイスを液晶表示体と
して用いるには、第２配線層４上に配向膜（例えばポリ
イミド）を形成し、ラビングを行うのであるが、接着層
５はラビング時においても強誘電体層３の剥離を防止し
、かつ、液晶の配向状態の向上に大きく寄与する効果が
ある。
して用いるには、第２配線層４上に配向膜（例えばポリ
イミド）を形成し、ラビングを行うのであるが、接着層
５はラビング時においても強誘電体層３の剥離を防止し
、かつ、液晶の配向状態の向上に大きく寄与する効果が
ある。
【００２１】なお、第１配線層２はＩＴＯに限る必要は
なく、他の透明電極でもよい。第２配線層４はＡｌに限
る必要はなく、他の金属を用いてもよい。また、強誘電
体層３はＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体に限る必要はなく、
ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）、ＶＤＦ／ＴｅＦＥ
（フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン）共重合
体、シアン化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体等の有機
強誘電体材料を用いてもよい。
なく、他の透明電極でもよい。第２配線層４はＡｌに限
る必要はなく、他の金属を用いてもよい。また、強誘電
体層３はＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体に限る必要はなく、
ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）、ＶＤＦ／ＴｅＦＥ
（フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン）共重合
体、シアン化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体等の有機
強誘電体材料を用いてもよい。
【００２２】次に、本発明を用いた液晶表示体の実施例
を、図面に基づいて説明する。図３（ａ）、（ｂ）は本
発明を用いた液晶表示体を示す図であり、図３（ａ）は
上視図、同図（ｂ）は同図（ａ）中Ｘ−Ｘにおける断面
図である。
を、図面に基づいて説明する。図３（ａ）、（ｂ）は本
発明を用いた液晶表示体を示す図であり、図３（ａ）は
上視図、同図（ｂ）は同図（ａ）中Ｘ−Ｘにおける断面
図である。
【００２３】図３に示す実施例の構造は次の様である。
すなわち、対向硝子基板８上に、ＩＴＯから成る第３配
線層７を設けた基板を、図１に示したアクティブデバイ
スに１〜１００μｍの間隔をおいて、対向する形で設け
られている。そして、両基板で液晶を保持している。
線層７を設けた基板を、図１に示したアクティブデバイ
スに１〜１００μｍの間隔をおいて、対向する形で設け
られている。そして、両基板で液晶を保持している。
【００２４】
【発明の効果】上述のように、本発明のデバイスの薄膜
積層構造によれば、従来のデバイスに比較して、薄膜間
の剥離のおそれが激減するために、すこぶる、寿命およ
び信頼性の向上したデバイスを提供することができる。
積層構造によれば、従来のデバイスに比較して、薄膜間
の剥離のおそれが激減するために、すこぶる、寿命およ
び信頼性の向上したデバイスを提供することができる。
【図１】（ａ）は本発明によるアクティブデバイスを示
す上視図。 （ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
す上視図。 （ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
【図２】（ａ）は従来のアクティブデバイスを示す上視
図。 （ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
図。 （ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
【図３】（ａ）は本発明によるアクティブデバイスを用
いた液晶表示体を示す上視図。 （ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
いた液晶表示体を示す上視図。 （ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
１ 硝子基板
２ 第１配線層
３ 強誘電体層
４ 第２配線層
５ 接着層
６ デバイス能動部分
７ 第３配線層
８ 対向硝子基板
Claims (1)
- 【請求項１】 硝子基板上に形成された第１配線層、
前記第１配線層上に形成されたチタネート系カップリン
グ剤から成る接着層、前記接着層上に形成された強誘電
体層、前記強誘電体層上に形成された第２配線層を有す
る事を特徴とする、アクティブデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1326091A JPH04248521A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | アクティブデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1326091A JPH04248521A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | アクティブデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04248521A true JPH04248521A (ja) | 1992-09-04 |
Family
ID=11828253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1326091A Pending JPH04248521A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | アクティブデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04248521A (ja) |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP1326091A patent/JPH04248521A/ja active Pending
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