JPH111387A - Ｐｚｔ薄膜バイモルフ構造体、ｐｚｔ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体、及びその製造方法 - Google Patents
Ｐｚｔ薄膜バイモルフ構造体、ｐｚｔ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体、及びその製造方法Info
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- JPH111387A JPH111387A JP15510997A JP15510997A JPH111387A JP H111387 A JPH111387 A JP H111387A JP 15510997 A JP15510997 A JP 15510997A JP 15510997 A JP15510997 A JP 15510997A JP H111387 A JPH111387 A JP H111387A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- CMOAHYOGLLEOGO-UHFFFAOYSA-N oxozirconium;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.[Zr]=O CMOAHYOGLLEOGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 7
- RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N lead nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Pb]O[N+]([O-])=O RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 11
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 10
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】容易に多数のバイモルフ構造を得ることがで
き、小型化が可能なＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体を提供
する。 【解決手段】平行平板構造体１は、一対のバイモルフ構
造体からなる圧電素子２を互いに相対させ、その上下両
端に対して角柱状の絶縁スペーサ３をそれぞれ挟んで互
いに固着した構成とされている。バイモルフ構造体から
なる圧電素子２は、チタンからなる平板状の基材４の表
裏両面に対して厚さ数十μｍのＰＺＴ薄膜５が水熱法に
より形成され、その表裏両面のＰＺＴ薄膜５上にはアル
ミニウムからなる厚さ数μｍの電極膜６が形成されてい
る。基材４の厚みは２０μｍとされている。
き、小型化が可能なＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体を提供
する。 【解決手段】平行平板構造体１は、一対のバイモルフ構
造体からなる圧電素子２を互いに相対させ、その上下両
端に対して角柱状の絶縁スペーサ３をそれぞれ挟んで互
いに固着した構成とされている。バイモルフ構造体から
なる圧電素子２は、チタンからなる平板状の基材４の表
裏両面に対して厚さ数十μｍのＰＺＴ薄膜５が水熱法に
より形成され、その表裏両面のＰＺＴ薄膜５上にはアル
ミニウムからなる厚さ数μｍの電極膜６が形成されてい
る。基材４の厚みは２０μｍとされている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＰＺＴ薄膜バイモルフ構
造体、ＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体、及び
その製造方法に関するものである。
造体、ＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体、及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から圧電素子としてバルクのＰＺＴ
（ジルコン・チタン酸鉛：チタン酸鉛，ジルコン酸鉛の
固溶体からなるセラミックス）素子を板状の基材の表裏
両面にそれぞれ設け、前記ＰＺＴ素子の表面に電極を設
けたバイモルフ（Ｂｉｍｏｒｐｈ）構造体が知られてい
る。このバイモルフ構造体は、両ＰＺＴ素子に対して電
圧を印加すると、一方のＰＺＴ素子が引き伸ばされ、他
方のＰＺＴ素子が圧縮されて、構造体の全体が変形しア
クチュエータとして利用される。又、逆に一方のＰＺＴ
素子を引き伸ばし、他方のＰＺＴ素子を圧縮した場合に
は、１つのＰＺＴ素子（圧電素子）の場合よりも２倍の
電圧を発生するセンサとして利用される。
（ジルコン・チタン酸鉛：チタン酸鉛，ジルコン酸鉛の
固溶体からなるセラミックス）素子を板状の基材の表裏
両面にそれぞれ設け、前記ＰＺＴ素子の表面に電極を設
けたバイモルフ（Ｂｉｍｏｒｐｈ）構造体が知られてい
る。このバイモルフ構造体は、両ＰＺＴ素子に対して電
圧を印加すると、一方のＰＺＴ素子が引き伸ばされ、他
方のＰＺＴ素子が圧縮されて、構造体の全体が変形しア
クチュエータとして利用される。又、逆に一方のＰＺＴ
素子を引き伸ばし、他方のＰＺＴ素子を圧縮した場合に
は、１つのＰＺＴ素子（圧電素子）の場合よりも２倍の
電圧を発生するセンサとして利用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なバイモルフ構造体は、バルクのＰＺＴ素子を使用して
いるため、バルクそのものの薄形化が難しく、バイモル
フ構造体全体の小型化が難しい問題があった。さらに、
バルクのＰＺＴを使用してバイモルフ構造を得ようとし
た場合、バルクを基材の表裏面にそれぞれ貼着する必要
があるため、貼着工程が多くなる問題があった。
なバイモルフ構造体は、バルクのＰＺＴ素子を使用して
いるため、バルクそのものの薄形化が難しく、バイモル
フ構造体全体の小型化が難しい問題があった。さらに、
バルクのＰＺＴを使用してバイモルフ構造を得ようとし
た場合、バルクを基材の表裏面にそれぞれ貼着する必要
があるため、貼着工程が多くなる問題があった。
【０００４】又、バイモルフ構造体を構成する場合、１
枚のバイモルフ構造体であると従来のバイモルフ構造体
は板状に形成されているため、変位時に変位方向以外の
力が加わると捩じれた状態で変位しやすく、正確な変位
ができない問題もあった。さらに、従来のバイモルフ構
造体は、バルクのＰＺＴ素子を基材の表裏両面に貼着し
て製造する必要があるため、１度に多くのバイモルフ構
造体を得ることができない問題もあった。
枚のバイモルフ構造体であると従来のバイモルフ構造体
は板状に形成されているため、変位時に変位方向以外の
力が加わると捩じれた状態で変位しやすく、正確な変位
ができない問題もあった。さらに、従来のバイモルフ構
造体は、バルクのＰＺＴ素子を基材の表裏両面に貼着し
て製造する必要があるため、１度に多くのバイモルフ構
造体を得ることができない問題もあった。
【０００５】本発明は上記の課題を解消するためになさ
れたものであり、第１の目的は、容易に多数のバイモル
フ構造を得ることができ、かつ小型のバイモルフ構造体
にすることができるＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体を提供
することにある。
れたものであり、第１の目的は、容易に多数のバイモル
フ構造を得ることができ、かつ小型のバイモルフ構造体
にすることができるＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体を提供
することにある。
【０００６】第２の目的は、捩じれに強いＰＺＴ薄膜バ
イモルフ形の平行平板構造体を提供することにある。第
３の目的は、一度に多数のバイモルフ構造体を得ること
ができる製造方法を提供することにある。
イモルフ形の平行平板構造体を提供することにある。第
３の目的は、一度に多数のバイモルフ構造体を得ること
ができる製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明は、チタン基材の第１の側
面と、第１の側面とは１８０度反対側に位置する第２の
側面とに、ＰＺＴ薄膜が形成され、前記ＰＺＴ薄膜上に
電極がそれぞれ設けられたＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体
をその要旨としている。
めに、請求項１に記載の発明は、チタン基材の第１の側
面と、第１の側面とは１８０度反対側に位置する第２の
側面とに、ＰＺＴ薄膜が形成され、前記ＰＺＴ薄膜上に
電極がそれぞれ設けられたＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体
をその要旨としている。
【０００８】請求項２の発明は、チタン基材の第１の側
面と、同第１の側面とは１８０度反対側に位置する第２
の側面とにＰＺＴ薄膜が形成され、前記ＰＺＴ薄膜上に
電極がそれぞれ設けられた一対のＰＺＴ薄膜バイモルフ
構造体が互いにスペーサを介して、平行に連結されてい
ることを特徴とするＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板
構造体をその要旨としている。
面と、同第１の側面とは１８０度反対側に位置する第２
の側面とにＰＺＴ薄膜が形成され、前記ＰＺＴ薄膜上に
電極がそれぞれ設けられた一対のＰＺＴ薄膜バイモルフ
構造体が互いにスペーサを介して、平行に連結されてい
ることを特徴とするＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板
構造体をその要旨としている。
【０００９】請求項３の発明は、水熱法により、チタン
基材の第１の側面と、第１の側面とは１８０度反対側に
位置する第２の側面とにＰＺＴ薄膜を形成する工程と、
前記ＰＺＴ薄膜上に対して、それぞれ電極を形成する工
程とを含むＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体の製造方法をそ
の要旨としている。
基材の第１の側面と、第１の側面とは１８０度反対側に
位置する第２の側面とにＰＺＴ薄膜を形成する工程と、
前記ＰＺＴ薄膜上に対して、それぞれ電極を形成する工
程とを含むＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体の製造方法をそ
の要旨としている。
【００１０】請求項４の発明は、水熱法により、チタン
基材の第１の側面と、第１の側面とは１８０度反対側に
位置する第２の側面とにＰＺＴ薄膜を形成する工程と、
前記ＰＺＴ薄膜上に対して、それぞれ複数の電極を形成
する工程と、互いに隣接した電極間を切断して複数のＰ
ＺＴ薄膜バイモルフ構造体を得る工程とを含むことを特
徴とするＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体の製造方法をその
要旨としている。
基材の第１の側面と、第１の側面とは１８０度反対側に
位置する第２の側面とにＰＺＴ薄膜を形成する工程と、
前記ＰＺＴ薄膜上に対して、それぞれ複数の電極を形成
する工程と、互いに隣接した電極間を切断して複数のＰ
ＺＴ薄膜バイモルフ構造体を得る工程とを含むことを特
徴とするＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体の製造方法をその
要旨としている。
【００１１】請求項５の発明は、請求項３又は請求項４
において、前記水熱法は、硝酸鉛溶液、オキシ塩化ジル
コニウムを鉱化剤とともに攪拌し、加圧及び加熱して、
チタン基材の第１及び第２の側面上に種子結晶を得る工
程と、前記種子結晶を得た基材に対して、硝酸鉛溶液、
オキシ塩化ジルコニウム、四塩化チタンの溶液を鉱化剤
とともに攪拌し、加熱及び加圧して、チタン基材の第１
の側面と、第１の側面とは１８０度反対側に位置する第
２の側面のそれぞれに対してＰＺＴの結晶成長を行い、
チタン基材の第１及び第２の側面上にＰＺＴ薄膜を形成
する工程とを含むことをその要旨としている。 （作用）請求項１に記載の発明によると、チタン基材の
第１及び第２の側面に形成されたＰＺＴ薄膜は、薄いた
め、ＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体は、小型化がされる。
において、前記水熱法は、硝酸鉛溶液、オキシ塩化ジル
コニウムを鉱化剤とともに攪拌し、加圧及び加熱して、
チタン基材の第１及び第２の側面上に種子結晶を得る工
程と、前記種子結晶を得た基材に対して、硝酸鉛溶液、
オキシ塩化ジルコニウム、四塩化チタンの溶液を鉱化剤
とともに攪拌し、加熱及び加圧して、チタン基材の第１
の側面と、第１の側面とは１８０度反対側に位置する第
２の側面のそれぞれに対してＰＺＴの結晶成長を行い、
チタン基材の第１及び第２の側面上にＰＺＴ薄膜を形成
する工程とを含むことをその要旨としている。 （作用）請求項１に記載の発明によると、チタン基材の
第１及び第２の側面に形成されたＰＺＴ薄膜は、薄いた
め、ＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体は、小型化がされる。
【００１２】請求項２に記載の発明は、平行平板構造と
されて剛性が付与されるため、捩じれに対して強くな
る。請求項３の発明によると、水熱法により、チタン基
材の第１及び第２の側面にＰＺＴ薄膜が形成され、その
後、前記ＰＺＴ薄膜に対して、それぞれ電極が形成され
ることにより、ＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体となる。こ
こで、水熱法とは、加熱・加圧下の水溶液から結晶を析
出、成長させる方法をいう。又、加圧とは、積極的に圧
力を加える場合の他、圧力容器内において、加熱により
蒸気圧の圧力上昇を含む趣旨である。なお、水熱法は、
一般的には水熱合成法ともいうが、この明細書では、水
熱法という。
されて剛性が付与されるため、捩じれに対して強くな
る。請求項３の発明によると、水熱法により、チタン基
材の第１及び第２の側面にＰＺＴ薄膜が形成され、その
後、前記ＰＺＴ薄膜に対して、それぞれ電極が形成され
ることにより、ＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体となる。こ
こで、水熱法とは、加熱・加圧下の水溶液から結晶を析
出、成長させる方法をいう。又、加圧とは、積極的に圧
力を加える場合の他、圧力容器内において、加熱により
蒸気圧の圧力上昇を含む趣旨である。なお、水熱法は、
一般的には水熱合成法ともいうが、この明細書では、水
熱法という。
【００１３】請求項４に記載の発明によると、水熱法に
より、チタン基材の第１及び第２の側面にＰＺＴ薄膜が
形成され、その後、前記ＰＺＴ薄膜に対して、それぞれ
複数の電極が形成される。そして、互いに隣接した電極
間が切断されると、複数のＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体
が得られる。
より、チタン基材の第１及び第２の側面にＰＺＴ薄膜が
形成され、その後、前記ＰＺＴ薄膜に対して、それぞれ
複数の電極が形成される。そして、互いに隣接した電極
間が切断されると、複数のＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体
が得られる。
【００１４】請求項５に記載の発明によると、硝酸鉛溶
液、オキシ塩化ジルコニウムを鉱化剤とともに攪拌し、
加圧及び加熱して、チタン基材の第１及び第２の側面上
に種子結晶を得る。その後、前記種子結晶を得た基材に
対して、硝酸鉛溶液、オキシ塩化ジルコニウム、四塩化
チタンの溶液を鉱化剤とともに攪拌し、加熱及び加圧し
て、チタン基材の第１及び第２の側面のそれぞれに対し
てＰＺＴの結晶成長を行うと、チタン基材の第１及び第
２の側面にＰＺＴ薄膜を得る。
液、オキシ塩化ジルコニウムを鉱化剤とともに攪拌し、
加圧及び加熱して、チタン基材の第１及び第２の側面上
に種子結晶を得る。その後、前記種子結晶を得た基材に
対して、硝酸鉛溶液、オキシ塩化ジルコニウム、四塩化
チタンの溶液を鉱化剤とともに攪拌し、加熱及び加圧し
て、チタン基材の第１及び第２の側面のそれぞれに対し
てＰＺＴの結晶成長を行うと、チタン基材の第１及び第
２の側面にＰＺＴ薄膜を得る。
【００１５】
【実施の形態】以下、本発明の実施形態を図１乃至図１
１を参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）はＰＺＴ薄
膜バイモルフ形の平行平板構造体の断面図を示してい
る。又、図９はＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板構造
体の斜視図を示している。なお、上記図面を含む各図面
に図示されている各部材の厚みは、説明の便宜上、実際
のものより適宜拡大して図示されている。
１を参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）はＰＺＴ薄
膜バイモルフ形の平行平板構造体の断面図を示してい
る。又、図９はＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板構造
体の斜視図を示している。なお、上記図面を含む各図面
に図示されている各部材の厚みは、説明の便宜上、実際
のものより適宜拡大して図示されている。
【００１６】図１（ａ），（ｂ）に示すように平行平板
構造体１は、一対のバイモルフ構造体からなる平板状の
圧電素子２を互いに相対させ、その上下両端に対して角
柱状の絶縁スペーサ３をそれぞれ挟んで互いに固着した
構成とされている。なお、絶縁スペーサ３としたのは、
圧電素子２間の短絡防止のためである。
構造体１は、一対のバイモルフ構造体からなる平板状の
圧電素子２を互いに相対させ、その上下両端に対して角
柱状の絶縁スペーサ３をそれぞれ挟んで互いに固着した
構成とされている。なお、絶縁スペーサ３としたのは、
圧電素子２間の短絡防止のためである。
【００１７】バイモルフ構造体からなる圧電素子２は、
厚みが均等に形成された平板状をなすチタンからなる基
材（チタン基材）４の両側面に対して厚さ数十μｍのＰ
ＺＴ薄膜５が形成され、その表裏両面のＰＺＴ薄膜５上
にはアルミニウムからなる厚さ数μｍの電極膜６が形成
されている。基材４の厚みは２０μｍとされている。前
記基材４の両側面は本発明における第１の側面、及び第
１の側面とは１８０度反対側に位置する第２の側面に相
当する。又、電極膜６は本発明の電極に相当する。
厚みが均等に形成された平板状をなすチタンからなる基
材（チタン基材）４の両側面に対して厚さ数十μｍのＰ
ＺＴ薄膜５が形成され、その表裏両面のＰＺＴ薄膜５上
にはアルミニウムからなる厚さ数μｍの電極膜６が形成
されている。基材４の厚みは２０μｍとされている。前
記基材４の両側面は本発明における第１の側面、及び第
１の側面とは１８０度反対側に位置する第２の側面に相
当する。又、電極膜６は本発明の電極に相当する。
【００１８】図１（ａ），（ｂ）には、上記のように構
成されたＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体１を
アクチュエータとして使用する場合の電気回路を示して
いる。図１（ａ）は、ＰＺＴ薄膜５の分極が方向Ａの場
合であり、直流電源Ｂ１，Ｂ２をそれぞれ直列に接続し
て、直流電源Ｂ１のプラス端子を、図１において各圧電
素子２の左側の側面の電極膜６に接続し、直流電源Ｂ２
のマイナス端子を右側の側面の電極膜６に接続し、直流
電源Ｂ１，Ｂ２の中間接続点を基材４に接続している。
これは、チタン基材４の両面側に形成されるＰＺＴ薄膜
５のそれぞれに、均一に電界を印加するためであり、Ｐ
ＺＴ薄膜５の膜厚が均一であれば、直流電源Ｂ１，Ｂ２
の中間接続点を基材４に接続する必要はない。なお、直
流電源Ｂ１，Ｂ２は同電圧を各電極膜６を介してＰＺＴ
薄膜５に印加するようになっている。
成されたＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体１を
アクチュエータとして使用する場合の電気回路を示して
いる。図１（ａ）は、ＰＺＴ薄膜５の分極が方向Ａの場
合であり、直流電源Ｂ１，Ｂ２をそれぞれ直列に接続し
て、直流電源Ｂ１のプラス端子を、図１において各圧電
素子２の左側の側面の電極膜６に接続し、直流電源Ｂ２
のマイナス端子を右側の側面の電極膜６に接続し、直流
電源Ｂ１，Ｂ２の中間接続点を基材４に接続している。
これは、チタン基材４の両面側に形成されるＰＺＴ薄膜
５のそれぞれに、均一に電界を印加するためであり、Ｐ
ＺＴ薄膜５の膜厚が均一であれば、直流電源Ｂ１，Ｂ２
の中間接続点を基材４に接続する必要はない。なお、直
流電源Ｂ１，Ｂ２は同電圧を各電極膜６を介してＰＺＴ
薄膜５に印加するようになっている。
【００１９】そして、上記の平行平板構造体１の下端を
図示しない台等に固定した状態で、図１（ａ）に示すよ
うに一対の圧電素子２の同一方向側に位置する側面に対
し電極膜６を介して同極性の電圧を印加すると、プラス
電位側に印加された方のＰＺＴ薄膜５は圧縮され、マイ
ナス電位に印加された側のＰＺＴ薄膜５は引き伸ばされ
る（図１（ａ）においては、左方へ変位する）。又、図
１（ａ）とは逆極性の電圧を各側面の電極膜６を介して
印加した場合には、前記とは反対側に位置するプラス電
位側に印加された側面（図１（ａ）において、各圧電素
子２の右側面）のＰＺＴ薄膜５は圧縮され、マイナス電
位に印加された側面（図１において、各圧電素子２の左
側面）のＰＺＴ薄膜５は引き伸ばされる（図１（ａ）に
おいては、右方へ変位する）。
図示しない台等に固定した状態で、図１（ａ）に示すよ
うに一対の圧電素子２の同一方向側に位置する側面に対
し電極膜６を介して同極性の電圧を印加すると、プラス
電位側に印加された方のＰＺＴ薄膜５は圧縮され、マイ
ナス電位に印加された側のＰＺＴ薄膜５は引き伸ばされ
る（図１（ａ）においては、左方へ変位する）。又、図
１（ａ）とは逆極性の電圧を各側面の電極膜６を介して
印加した場合には、前記とは反対側に位置するプラス電
位側に印加された側面（図１（ａ）において、各圧電素
子２の右側面）のＰＺＴ薄膜５は圧縮され、マイナス電
位に印加された側面（図１において、各圧電素子２の左
側面）のＰＺＴ薄膜５は引き伸ばされる（図１（ａ）に
おいては、右方へ変位する）。
【００２０】図１（ｂ）は、ＰＺＴ薄膜５の分極が方向
Ｂの場合であり、直流電源Ｂ３のマイナス端子を基材４
に接続し、プラス端子を各圧電素子２の左右の側面の電
極膜６に接続している。図１（ｂ）に示すように一対の
圧電素子２の両側面に位置する電極膜６を介してプラス
電位を印加すると右側のＰＺＴ薄膜５は引き伸ばされ、
左側のＰＺＴ薄膜５は圧縮される（図１（ｂ）において
は、左側へ変形する）、又、図１（ｂ）とは、逆極性の
電圧を印加した場合には、前記と反対方向の右側に変形
する。この場合は、図１（ａ）の１／２の電圧で、同じ
量の変位が得られる。
Ｂの場合であり、直流電源Ｂ３のマイナス端子を基材４
に接続し、プラス端子を各圧電素子２の左右の側面の電
極膜６に接続している。図１（ｂ）に示すように一対の
圧電素子２の両側面に位置する電極膜６を介してプラス
電位を印加すると右側のＰＺＴ薄膜５は引き伸ばされ、
左側のＰＺＴ薄膜５は圧縮される（図１（ｂ）において
は、左側へ変形する）、又、図１（ｂ）とは、逆極性の
電圧を印加した場合には、前記と反対方向の右側に変形
する。この場合は、図１（ａ）の１／２の電圧で、同じ
量の変位が得られる。
【００２１】又、上記の説明ではアクチュエータとして
説明したが、変位センサとして使用することも可能であ
る。この場合は、上記の平行平板構造体１の下端を図示
しない台等に固定した状態で、図１において、上端を左
方又は右方へ変位すると、圧電素子２の圧縮された側面
のＰＺＴ薄膜５と、引き伸ばされた側面のＰＺＴ薄膜５
とは、それぞれ逆電位の電圧が生ずる。この電圧の変化
を検出すると、変位センサとして使用することができ
る。なお、この変位センサは、この実施形態では単一の
圧電素子２から生ずる電圧に比較して、一対の圧電素子
２から電圧が生ずるため、２倍の電圧を得ることができ
る。
説明したが、変位センサとして使用することも可能であ
る。この場合は、上記の平行平板構造体１の下端を図示
しない台等に固定した状態で、図１において、上端を左
方又は右方へ変位すると、圧電素子２の圧縮された側面
のＰＺＴ薄膜５と、引き伸ばされた側面のＰＺＴ薄膜５
とは、それぞれ逆電位の電圧が生ずる。この電圧の変化
を検出すると、変位センサとして使用することができ
る。なお、この変位センサは、この実施形態では単一の
圧電素子２から生ずる電圧に比較して、一対の圧電素子
２から電圧が生ずるため、２倍の電圧を得ることができ
る。
【００２２】次に、上記平行平板構造体１の製造方法を
図２乃至図９を参照して説明する。図２は、基材４Ａを
示している。チタンからなる基材４Ａは、厚みが均等に
形成された平板状をなしており、前記基材４の複数個分
の面積を有している。まず、この基材４Ａを酸等で、ク
リーニングし、予め、一端側（図１において、基端とな
る側）を合成樹脂、又は、スパッタリングや真空蒸着等
の物理的成膜法にてチタン以外の金属等にて、被覆して
マスクＭを形成し、次に水熱法で、ＰＺＴ薄膜５を両面
に形成する。
図２乃至図９を参照して説明する。図２は、基材４Ａを
示している。チタンからなる基材４Ａは、厚みが均等に
形成された平板状をなしており、前記基材４の複数個分
の面積を有している。まず、この基材４Ａを酸等で、ク
リーニングし、予め、一端側（図１において、基端とな
る側）を合成樹脂、又は、スパッタリングや真空蒸着等
の物理的成膜法にてチタン以外の金属等にて、被覆して
マスクＭを形成し、次に水熱法で、ＰＺＴ薄膜５を両面
に形成する。
【００２３】この水熱法は２つの段階からなっている。 （第１段階）基材４Ａ、原材料としてのオキシ塩化ジル
コニウム（ＺｒＯＣ2 ・８Ｈ2 Ｏ）と硝酸塩（Ｐｂ（Ｎ
Ｏ3 ）2 ）の水溶液、及びＫＯＨ（８Ｎ）溶液をテフロ
ン瓶（図示しない）に投入し、攪拌する。なお、ＰＺＴ
薄膜５の圧電性は、ＰＺＴ薄膜５におけるチタン酸鉛，
ジルコン酸鉛の構成組成比によって決まるため、後にで
きあがるＰＺＴ薄膜５の圧電性に応じてオキシ塩化ジル
コニウムと硝酸塩とのモル比を決めればよい。
コニウム（ＺｒＯＣ2 ・８Ｈ2 Ｏ）と硝酸塩（Ｐｂ（Ｎ
Ｏ3 ）2 ）の水溶液、及びＫＯＨ（８Ｎ）溶液をテフロ
ン瓶（図示しない）に投入し、攪拌する。なお、ＰＺＴ
薄膜５の圧電性は、ＰＺＴ薄膜５におけるチタン酸鉛，
ジルコン酸鉛の構成組成比によって決まるため、後にで
きあがるＰＺＴ薄膜５の圧電性に応じてオキシ塩化ジル
コニウムと硝酸塩とのモル比を決めればよい。
【００２４】次に、図示しない圧力容器内において、基
材４Ａを上方に配置し、オキシ塩化ジルコニウム（Ｚｒ
ＯＣ2 ・８Ｈ2 Ｏ）、硝酸塩（Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 ）の水
溶液、及びＫＯＨ（８Ｎ）溶液を攪拌しながら、加熱・
加圧する。なお、ここでいう加圧とは、加熱された溶液
の蒸気圧よる加圧のことである。温度条件は１５０℃
で、４８時間この状態を継続する。なお、攪拌は、３０
０ｒｐｍで行う。
材４Ａを上方に配置し、オキシ塩化ジルコニウム（Ｚｒ
ＯＣ2 ・８Ｈ2 Ｏ）、硝酸塩（Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 ）の水
溶液、及びＫＯＨ（８Ｎ）溶液を攪拌しながら、加熱・
加圧する。なお、ここでいう加圧とは、加熱された溶液
の蒸気圧よる加圧のことである。温度条件は１５０℃
で、４８時間この状態を継続する。なお、攪拌は、３０
０ｒｐｍで行う。
【００２５】この結果、過飽和状態で、基材４Ａの平板
状の両側面にＰＺＴの種子結晶（核）が形成される。上
記時間の経過後、基材４Ａを圧力容器から取り出し、水
洗・乾燥する。
状の両側面にＰＺＴの種子結晶（核）が形成される。上
記時間の経過後、基材４Ａを圧力容器から取り出し、水
洗・乾燥する。
【００２６】（第２段階）次に、種子結晶が核付けされ
た基材４Ａ、原材料としてのオキシ塩化ジルコニウム
（ＺｒＯＣ2 ・８Ｈ2 Ｏ）と硝酸塩（Ｐｂ（Ｎ
Ｏ3 ）2 ）の水溶液、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）及び
ＫＯＨ（４Ｎ）溶液をテフロン瓶（図示しない）に投入
し、攪拌する。なお、ＰＺＴ薄膜５の圧電性は、ＰＺＴ
におけるチタン酸鉛，ジルコン酸鉛の構成組成比によっ
て決まるため、後にできあがるＰＺＴの圧電性に応じて
オキシ塩化ジルコニウムと硝酸塩とのモル比を決めれば
よい。
た基材４Ａ、原材料としてのオキシ塩化ジルコニウム
（ＺｒＯＣ2 ・８Ｈ2 Ｏ）と硝酸塩（Ｐｂ（Ｎ
Ｏ3 ）2 ）の水溶液、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）及び
ＫＯＨ（４Ｎ）溶液をテフロン瓶（図示しない）に投入
し、攪拌する。なお、ＰＺＴ薄膜５の圧電性は、ＰＺＴ
におけるチタン酸鉛，ジルコン酸鉛の構成組成比によっ
て決まるため、後にできあがるＰＺＴの圧電性に応じて
オキシ塩化ジルコニウムと硝酸塩とのモル比を決めれば
よい。
【００２７】次に、図示しない圧力容器内において、基
材４Ａを上方に配置し、オキシ塩化ジルコニウム（Ｚｒ
ＯＣ2 ・８Ｈ2 Ｏ）、硝酸塩（Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 ）の水
溶液、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）及びＫＯＨ（４Ｎ）
溶液を攪拌しながら、加熱・加圧する。なお、ここでい
う加圧とは、加熱された溶液の蒸気圧よる加圧のことで
ある。温度条件は１２０℃で、４８時間この状態を継続
する。なお、攪拌は、３００ｒｐｍで行う。
材４Ａを上方に配置し、オキシ塩化ジルコニウム（Ｚｒ
ＯＣ2 ・８Ｈ2 Ｏ）、硝酸塩（Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 ）の水
溶液、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）及びＫＯＨ（４Ｎ）
溶液を攪拌しながら、加熱・加圧する。なお、ここでい
う加圧とは、加熱された溶液の蒸気圧よる加圧のことで
ある。温度条件は１２０℃で、４８時間この状態を継続
する。なお、攪拌は、３００ｒｐｍで行う。
【００２８】この結果、過飽和状態で、基材４Ａの平板
状の両側面にＰＺＴ薄膜５が所定厚み（この実施形態で
は数十μｍ）で形成される（図３参照）。上記時間の経
過後、基材４Ａを圧力容器から取り出し、水洗・乾燥す
る。この後、マスクＭを除去する。
状の両側面にＰＺＴ薄膜５が所定厚み（この実施形態で
は数十μｍ）で形成される（図３参照）。上記時間の経
過後、基材４Ａを圧力容器から取り出し、水洗・乾燥す
る。この後、マスクＭを除去する。
【００２９】次に、図４に示すように、ＰＺＴ薄膜５を
含む、基材４Ａの両側面に電極膜６をスパッタリングや
真空蒸着等の物理的成膜法により形成する。そして、基
材４Ａに対して複数個分（この実施形態では３個分）の
圧電素子２が取れるようにその表裏両面をパターニング
し、不必要な電極膜６の部分を除去する（図５及び図６
参照）。
含む、基材４Ａの両側面に電極膜６をスパッタリングや
真空蒸着等の物理的成膜法により形成する。そして、基
材４Ａに対して複数個分（この実施形態では３個分）の
圧電素子２が取れるようにその表裏両面をパターニング
し、不必要な電極膜６の部分を除去する（図５及び図６
参照）。
【００３０】続いて、図７に示すようにＰＺＴ薄膜５、
電極膜６を備えた一対の基材４Ａを互いに相対させ、そ
の両端間において、合成樹脂からなる角柱状の絶縁スペ
ーサ３を介して互いに固着し、平行平板構造体１Ａとす
る。この平行平板構造体１Ａは、単一の平行平板構造体
が互いに連結された構成となっている。なお、絶縁スペ
ーサ３は、硬化時に剛性の高い接着剤にて基材４Ａを固
着する（図８参照）。
電極膜６を備えた一対の基材４Ａを互いに相対させ、そ
の両端間において、合成樹脂からなる角柱状の絶縁スペ
ーサ３を介して互いに固着し、平行平板構造体１Ａとす
る。この平行平板構造体１Ａは、単一の平行平板構造体
が互いに連結された構成となっている。なお、絶縁スペ
ーサ３は、硬化時に剛性の高い接着剤にて基材４Ａを固
着する（図８参照）。
【００３１】次に、図８の平行平板構造体１Ａを点線箇
所にて切断し、単一の平行平板構造体１に分離する。な
お、この切断は、放電加工、或いはレーザカットにて行
う。さて、本実施形態によると、次のような作用効果を
奏する。
所にて切断し、単一の平行平板構造体１に分離する。な
お、この切断は、放電加工、或いはレーザカットにて行
う。さて、本実施形態によると、次のような作用効果を
奏する。
【００３２】（１） 本実施形態では、基材４の両側面
に形成されたＰＺＴ薄膜５は、数十μｍとして薄く形成
しているため、ＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体としての圧
電素子２を、小型化することができる。
に形成されたＰＺＴ薄膜５は、数十μｍとして薄く形成
しているため、ＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体としての圧
電素子２を、小型化することができる。
【００３３】（２） 本実施形態では、一対のバイモル
フ構造体からなる圧電素子２を互いに相対させ、平行平
板構造としているため、捩じれに対して強くすることが
できる。
フ構造体からなる圧電素子２を互いに相対させ、平行平
板構造としているため、捩じれに対して強くすることが
できる。
【００３４】図１０（ａ）は、単一のバイモルフ構造体
１０が振動する場合を示し、図１０（ｂ）は、同じく単
一のバイモルフ構造体１０が振動しているときであっ
て、上方から見た場合における、バイモルフ構造体１０
の上端の変位位置を示している。図１０（ｂ）の中央位
置Ｐ１は変位前の位置、Ｐ２は、中央位置Ｐ１から一方
に変位した場合の位置、Ｐ３は中央位置Ｐ１から、Ｐ２
とは反対側の他方の位置に変位した場合の位置を示して
いる。この場合、単一のバイモルフ構造体１０は平板状
に形成されているため、振動方向以外の力が加わると、
図１０（ｂ）のＰ２，Ｐ３に示すように捩じられてしま
う問題がある。なお、図１０（ｂ）において、二点鎖線
は、捩じれが加わらなかった場合のバイモルフ構造体１
０の変位位置である。
１０が振動する場合を示し、図１０（ｂ）は、同じく単
一のバイモルフ構造体１０が振動しているときであっ
て、上方から見た場合における、バイモルフ構造体１０
の上端の変位位置を示している。図１０（ｂ）の中央位
置Ｐ１は変位前の位置、Ｐ２は、中央位置Ｐ１から一方
に変位した場合の位置、Ｐ３は中央位置Ｐ１から、Ｐ２
とは反対側の他方の位置に変位した場合の位置を示して
いる。この場合、単一のバイモルフ構造体１０は平板状
に形成されているため、振動方向以外の力が加わると、
図１０（ｂ）のＰ２，Ｐ３に示すように捩じられてしま
う問題がある。なお、図１０（ｂ）において、二点鎖線
は、捩じれが加わらなかった場合のバイモルフ構造体１
０の変位位置である。
【００３５】図１１（ａ）は、本実施形態の平行平板構
造体１が振動する場合を示し、図１１（ｂ）は、同じく
平行平板構造体１が振動しているときであって、上方か
ら見た場合における平行平板構造体１の上端の変位位置
を示している。
造体１が振動する場合を示し、図１１（ｂ）は、同じく
平行平板構造体１が振動しているときであって、上方か
ら見た場合における平行平板構造体１の上端の変位位置
を示している。
【００３６】図１１（ｂ）の中央位置Ｐ１は変位前の位
置、Ｐ２は、中央位置Ｐ１から一方に変位した場合の位
置、Ｐ３は中央位置Ｐ１から、Ｐ２とは反対側の他方の
位置に変位した場合の位置を示している。この場合、平
行平板構造体１は、振動方向以外の力が加わっても、剛
性があるため、捩じれに強く、図１１（ｂ）のＰ２，Ｐ
３に示すように捩じられてしまうことはない。
置、Ｐ２は、中央位置Ｐ１から一方に変位した場合の位
置、Ｐ３は中央位置Ｐ１から、Ｐ２とは反対側の他方の
位置に変位した場合の位置を示している。この場合、平
行平板構造体１は、振動方向以外の力が加わっても、剛
性があるため、捩じれに強く、図１１（ｂ）のＰ２，Ｐ
３に示すように捩じられてしまうことはない。
【００３７】、なお、図１０及び図１１はともに、説明
の便宜上、電極膜、ＰＺＴ薄膜は省略して図示してい
る。 （３） 本実施形態では、水熱法により、複数個分の基
材４の面積を有する基材４Ａの両側面にＰＺＴ薄膜５を
形成し、その後、基材４Ａの両側面に対して、電極膜６
を形成した。この結果、一度に複数個の基材４に対して
ＰＺＴ薄膜５及び電極膜６を形成できるため、従来と異
なり、一度に多くのバイモルフ構造体を形成することが
できる。
の便宜上、電極膜、ＰＺＴ薄膜は省略して図示してい
る。 （３） 本実施形態では、水熱法により、複数個分の基
材４の面積を有する基材４Ａの両側面にＰＺＴ薄膜５を
形成し、その後、基材４Ａの両側面に対して、電極膜６
を形成した。この結果、一度に複数個の基材４に対して
ＰＺＴ薄膜５及び電極膜６を形成できるため、従来と異
なり、一度に多くのバイモルフ構造体を形成することが
できる。
【００３８】（４） 本実施形態では、水熱法により、
基材４Ａの両側面にＰＺＴ薄膜５を形成し、その後、前
記ＰＺＴ薄膜５を形成した基材４Ａの両側面に対して、
それぞれ複数の電極膜６を形成し、互いに隣接した電極
６間を切断すると、複数のＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体
を得ることができる。
基材４Ａの両側面にＰＺＴ薄膜５を形成し、その後、前
記ＰＺＴ薄膜５を形成した基材４Ａの両側面に対して、
それぞれ複数の電極膜６を形成し、互いに隣接した電極
６間を切断すると、複数のＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体
を得ることができる。
【００３９】本発明の実施形態は、上記実施形態以外に
次のように変更することも可能である。 （１） 前記実施形態では、絶縁スペーサ３としたが、
圧電素子２間において、短絡の虞がないように形成した
場合には、金属製スペーサのように非絶縁性のスペーサ
にて構成してもよい。この場合、圧電素子２に対する固
着は溶接等により行う。
次のように変更することも可能である。 （１） 前記実施形態では、絶縁スペーサ３としたが、
圧電素子２間において、短絡の虞がないように形成した
場合には、金属製スペーサのように非絶縁性のスペーサ
にて構成してもよい。この場合、圧電素子２に対する固
着は溶接等により行う。
【００４０】（２） 前記実施形態では、電極膜６をア
ルミニウムで形成したが、Ａｕ（金）にて形成してもよ
く、又、他の金属にて形成してもよい。 （３） 前記実施形態では、電極膜６、ＰＺＴ薄膜５、
基材４の厚みをそれぞれ所定数値としたが、上記数値に
限定されるものではなく、必要に応じて、上記以外の数
値としてもよい。
ルミニウムで形成したが、Ａｕ（金）にて形成してもよ
く、又、他の金属にて形成してもよい。 （３） 前記実施形態では、電極膜６、ＰＺＴ薄膜５、
基材４の厚みをそれぞれ所定数値としたが、上記数値に
限定されるものではなく、必要に応じて、上記以外の数
値としてもよい。
【００４１】（４） 前記実施形態では、３個のバイモ
ルフ構造体の製造について説明したが、この個数には限
定されるものではなく、２個、或いは４個以上のものを
一度に形成するようにしてもよい。なお、勿論１個のバ
イモルフ構造体を製造することも可能である。
ルフ構造体の製造について説明したが、この個数には限
定されるものではなく、２個、或いは４個以上のものを
一度に形成するようにしてもよい。なお、勿論１個のバ
イモルフ構造体を製造することも可能である。
【００４２】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される
技術的思想をその効果とともに以下に挙げる。 （１） 請求項３乃至請求項５のいずれかにおいて、Ｐ
ＺＴ薄膜を形成する工程の前に、予めチタン基材の所定
部分には、マスクを施したＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体
の製造方法。こうすることにより、マスクされた部分に
は、ＰＺＴ薄膜を形成できないようにすることができ
る。
的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される
技術的思想をその効果とともに以下に挙げる。 （１） 請求項３乃至請求項５のいずれかにおいて、Ｐ
ＺＴ薄膜を形成する工程の前に、予めチタン基材の所定
部分には、マスクを施したＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体
の製造方法。こうすることにより、マスクされた部分に
は、ＰＺＴ薄膜を形成できないようにすることができ
る。
【００４３】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の発明に
よれば、容易に多数のバイモルフ構造を得ることがで
き、又、ＰＺＴ薄膜となるため、小型のバイモルフ構造
体にすることができる。
よれば、容易に多数のバイモルフ構造を得ることがで
き、又、ＰＺＴ薄膜となるため、小型のバイモルフ構造
体にすることができる。
【００４４】請求項２の発明によれば、捩じれに強いＰ
ＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体とすることがで
きる。請求項３乃至請求項５の発明によれば、一度に多
数のバイモルフ構造体を得ることができる。
ＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体とすることがで
きる。請求項３乃至請求項５の発明によれば、一度に多
数のバイモルフ構造体を得ることができる。
【図１】（ａ），（ｂ）はＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平
行平板構造体の断面図。
行平板構造体の断面図。
【図２】基材の断面図。
【図３】ＰＺＴ薄膜にて被覆した状態の基材の断面図。
【図４】電極膜を形成した基材の断面図。
【図５】電極膜をパターンニングして形成された圧電素
子の断面図。
子の断面図。
【図６】同じく圧電素子の斜視図。
【図７】平行平板構造体の組付け方法を示す分解斜視
図。
図。
【図８】平行平板構造体を組付けた状態の斜視図。
【図９】ＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体の斜
視図。
視図。
【図１０】（ａ）は単一のＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体
の作用を示す斜視図、（ｂ）は同じく説明図。
の作用を示す斜視図、（ｂ）は同じく説明図。
【図１１】（ａ）は平行平板構造体の作用を示す斜視
図、（ｂ）は同じく説明図。
図、（ｂ）は同じく説明図。
【符号の説明】 １…平行平板構造体、２…圧電素子、３…絶縁スペー
サ、４，４Ａ…基材、５…ＰＺＴ薄膜、６…電極膜。
サ、４，４Ａ…基材、５…ＰＺＴ薄膜、６…電極膜。
【手続補正書】
【提出日】平成９年７月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】次に、図示しない圧力容器内において、基
材４Ａを上方に配置し、オキシ塩化ジルコニウム（Ｚｒ
ＯＣｌ 2 ・８Ｈ2 Ｏ）、硝酸塩（Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 ）の
水溶液、及びＫＯＨ（８Ｎ）溶液を攪拌しながら、加熱
・加圧する。なお、ここでいう加圧とは、加熱された溶
液の蒸気圧による加圧のことである。温度条件は１５０
℃で、４８時間この状態を継続する。なお、攪拌は、３
００ｒｐｍで行う。
材４Ａを上方に配置し、オキシ塩化ジルコニウム（Ｚｒ
ＯＣｌ 2 ・８Ｈ2 Ｏ）、硝酸塩（Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 ）の
水溶液、及びＫＯＨ（８Ｎ）溶液を攪拌しながら、加熱
・加圧する。なお、ここでいう加圧とは、加熱された溶
液の蒸気圧による加圧のことである。温度条件は１５０
℃で、４８時間この状態を継続する。なお、攪拌は、３
００ｒｐｍで行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】（第２段階）次に、種子結晶が核付けされ
た基材４Ａ、原材料としてのオキシ塩化ジルコニウム
（ＺｒＯＣｌ 2 ・８Ｈ2 Ｏ）と硝酸塩（Ｐｂ（ＮＯ3 ）
2 ）の水溶液、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）及びＫＯＨ
（４Ｎ）溶液をテフロン瓶（図示しない）に投入し、攪
拌する。なお、ＰＺＴ薄膜５の圧電性は、ＰＺＴにおけ
るチタン酸鉛，ジルコン酸鉛の構成組成比によって決ま
るため、後にできあがるＰＺＴの圧電性に応じてオキシ
塩化ジルコニウムと硝酸塩とのモル比を決めればよい。
た基材４Ａ、原材料としてのオキシ塩化ジルコニウム
（ＺｒＯＣｌ 2 ・８Ｈ2 Ｏ）と硝酸塩（Ｐｂ（ＮＯ3 ）
2 ）の水溶液、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）及びＫＯＨ
（４Ｎ）溶液をテフロン瓶（図示しない）に投入し、攪
拌する。なお、ＰＺＴ薄膜５の圧電性は、ＰＺＴにおけ
るチタン酸鉛，ジルコン酸鉛の構成組成比によって決ま
るため、後にできあがるＰＺＴの圧電性に応じてオキシ
塩化ジルコニウムと硝酸塩とのモル比を決めればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】次に、図示しない圧力容器内において、基
材４Ａを上方に配置し、オキシ塩化ジルコニウム（Ｚｒ
ＯＣｌ 2 ・８Ｈ2 Ｏ）、硝酸塩（Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 ）の
水溶液、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）及びＫＯＨ（４
Ｎ）溶液を攪拌しながら、加熱・加圧する。なお、ここ
でいう加圧とは、加熱された溶液の蒸気圧による加圧の
ことである。温度条件は１２０℃で、４８時間この状態
を継続する。なお、攪拌は、３００ｒｐｍで行う。
材４Ａを上方に配置し、オキシ塩化ジルコニウム（Ｚｒ
ＯＣｌ 2 ・８Ｈ2 Ｏ）、硝酸塩（Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 ）の
水溶液、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）及びＫＯＨ（４
Ｎ）溶液を攪拌しながら、加熱・加圧する。なお、ここ
でいう加圧とは、加熱された溶液の蒸気圧による加圧の
ことである。温度条件は１２０℃で、４８時間この状態
を継続する。なお、攪拌は、３００ｒｐｍで行う。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新井 史人 名古屋市千種区青柳町６丁目５番地の１ メイツ千種青柳501 (72)発明者 糸魚川 貢一 愛知県丹羽郡大口町大字豊田字野田１番地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)発明者 岩田 仁 愛知県丹羽郡大口町大字豊田字野田１番地 株式会社東海理化電機製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 チタン基材の第１の側面と、第１の側面
とは１８０度反対側に位置する第２の側面とに、ＰＺＴ
薄膜が形成され、前記ＰＺＴ薄膜上に電極がそれぞれ設
けられたＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体。 - 【請求項２】 チタン基材の第１の側面と、同第１の側
面とは１８０度反対側に位置する第２の側面とにＰＺＴ
薄膜が形成され、前記ＰＺＴ薄膜上に電極がそれぞれ設
けられた一対のＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体が互いにス
ペーサを介して、平行に連結されていることを特徴とす
るＰＺＴ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体。 - 【請求項３】 水熱法により、チタン基材の第１の側面
と、第１の側面とは１８０度反対側に位置する第２の側
面とにＰＺＴ薄膜を形成する工程と、 前記ＰＺＴ薄膜上に対して、それぞれ電極を形成する工
程とを含むＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体の製造方法。 - 【請求項４】 水熱法により、チタン基材の第１の側面
と、第１の側面とは１８０度反対側に位置する第２の側
面とにＰＺＴ薄膜を形成する工程と、 前記ＰＺＴ薄膜上に対して、それぞれ複数の電極を形成
する工程と、 互いに隣接した電極間を切断して複数のＰＺＴ薄膜バイ
モルフ構造体を得る工程とを含むことを特徴とするＰＺ
Ｔ薄膜バイモルフ構造体の製造方法。 - 【請求項５】 前記水熱法は、 硝酸鉛溶液、オキシ塩化ジルコニウムを鉱化剤とともに
攪拌し、加圧及び加熱して、チタン基材の第１及び第２
の側面上に種子結晶を得る工程と、 前記種子結晶を得た基材に対して、硝酸鉛溶液、オキシ
塩化ジルコニウム、四塩化チタンの溶液を鉱化剤ととも
に攪拌し、加熱及び加圧して、チタン基材の第１の側面
と、第１の側面とは１８０度反対側に位置する第２の側
面のそれぞれに対してＰＺＴの結晶成長を行い、チタン
基材の第１及び第２の側面上にＰＺＴ薄膜を形成する工
程とを含むことを特徴とする請求項３又は請求項４に記
載のＰＺＴ薄膜バイモルフ構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15510997A JPH111387A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | Ｐｚｔ薄膜バイモルフ構造体、ｐｚｔ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15510997A JPH111387A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | Ｐｚｔ薄膜バイモルフ構造体、ｐｚｔ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体、及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH111387A true JPH111387A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15598804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15510997A Pending JPH111387A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | Ｐｚｔ薄膜バイモルフ構造体、ｐｚｔ薄膜バイモルフ形の平行平板構造体、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH111387A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1020937A4 (en) * | 1997-07-04 | 2002-07-17 | Tokai Rika Co Ltd | PARALLEL PLANAR STRUCTURE WITH DIMENPHIC THIN-FILM ELEMENTS OF PZT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US6922274B2 (en) | 1999-12-27 | 2005-07-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Display device and method for producing the same |
| KR100683325B1 (ko) * | 1999-05-21 | 2007-02-15 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 박막 압전형 바이머프 소자와 이를 이용한 역학량 검출기,잉크젯 헤드 및 이들의 제조방법 |
| JP2009288144A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電素子、圧電センサ、圧電素子の製造方法、金属箔電極部材 |
-
1997
- 1997-06-12 JP JP15510997A patent/JPH111387A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1020937A4 (en) * | 1997-07-04 | 2002-07-17 | Tokai Rika Co Ltd | PARALLEL PLANAR STRUCTURE WITH DIMENPHIC THIN-FILM ELEMENTS OF PZT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| KR100683325B1 (ko) * | 1999-05-21 | 2007-02-15 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 박막 압전형 바이머프 소자와 이를 이용한 역학량 검출기,잉크젯 헤드 및 이들의 제조방법 |
| US6922274B2 (en) | 1999-12-27 | 2005-07-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Display device and method for producing the same |
| JP2009288144A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電素子、圧電センサ、圧電素子の製造方法、金属箔電極部材 |
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