JPH04340931A - アクティブデバイス - Google Patents
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- JPH04340931A JPH04340931A JP3113322A JP11332291A JPH04340931A JP H04340931 A JPH04340931 A JP H04340931A JP 3113322 A JP3113322 A JP 3113322A JP 11332291 A JP11332291 A JP 11332291A JP H04340931 A JPH04340931 A JP H04340931A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明のアクティブデバイスは、
容量層に電圧を印加させるものであり、例えば液晶表示
用に用いられるものに関し、その薄膜積層構造に関する
。
容量層に電圧を印加させるものであり、例えば液晶表示
用に用いられるものに関し、その薄膜積層構造に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来、図２に示すようなアクティブデバ
イスが知られていた。図２の構造は次の様である。硝子
基板１の上に、ＩＴＯから成る第１配線層２のみが設け
られ、その上に、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリデン
／トリフルオロエチレン）共重合体から成る強誘電体層
４が設けられ、その上にＡｌから成る第２配線層５が設
けられている。
イスが知られていた。図２の構造は次の様である。硝子
基板１の上に、ＩＴＯから成る第１配線層２のみが設け
られ、その上に、ＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビニリデン
／トリフルオロエチレン）共重合体から成る強誘電体層
４が設けられ、その上にＡｌから成る第２配線層５が設
けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術のアクティブデバイスには、以下に述べるよう
な問題点があった。すなわち、アクティブデバイスとし
て動作させるために、前記強誘電体層４に分極を生じさ
せ、その分極を反転させる必要がある。そのために、前
記第１配線層２と前記第２配線層５の間に交流電圧を印
加する。ところが、強誘電体層４は圧電性を有するため
に、電圧を印加する事により次式で示される応力Ｔを生
じる。ゆえに、電圧を反転させる事によりそれに応じて
、図２−（ｂ）におけるデバイス能動部分６において振
動を生ずる。
従来技術のアクティブデバイスには、以下に述べるよう
な問題点があった。すなわち、アクティブデバイスとし
て動作させるために、前記強誘電体層４に分極を生じさ
せ、その分極を反転させる必要がある。そのために、前
記第１配線層２と前記第２配線層５の間に交流電圧を印
加する。ところが、強誘電体層４は圧電性を有するため
に、電圧を印加する事により次式で示される応力Ｔを生
じる。ゆえに、電圧を反転させる事によりそれに応じて
、図２−（ｂ）におけるデバイス能動部分６において振
動を生ずる。
【０００４】
【数１】Ｔ＝ｅＶ
Ｔ：応力
ｅ：圧電応用定数
Ｖ：印加電圧
この振動が原因となって、デバイス能動部分６において
、強誘電体層４が第１配線層２から剥離する。ところが
、振動はデバイス能動部分６のみにとどまらず、デバイ
ス能動部分６の周辺部分にまで及び、また、ＩＴＯとＶ
ＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の接着強度よりも、硝子とＶＤ
Ｆ／ＴｒＦＥ共重合体の接着強度のほうが小さいため、
剥離はデバイス能動部分６を中心にかなりの広範囲にま
で及び、結果として第１配線層２と第２配線層５の間隔
が大きくなり、強誘電体層４に分極を生じさせるに充分
な電圧を印加できなくなる。
、強誘電体層４が第１配線層２から剥離する。ところが
、振動はデバイス能動部分６のみにとどまらず、デバイ
ス能動部分６の周辺部分にまで及び、また、ＩＴＯとＶ
ＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の接着強度よりも、硝子とＶＤ
Ｆ／ＴｒＦＥ共重合体の接着強度のほうが小さいため、
剥離はデバイス能動部分６を中心にかなりの広範囲にま
で及び、結果として第１配線層２と第２配線層５の間隔
が大きくなり、強誘電体層４に分極を生じさせるに充分
な電圧を印加できなくなる。
【０００５】さらに、この剥離は時間と共に増大するた
めに、デバイスの特性も、時間と共に低下する。
めに、デバイスの特性も、時間と共に低下する。
【０００６】そこで本発明は、このような問題点を克服
するためのもので、その目的とするところは、従来のデ
バイスに比較して、第１配線層２と強誘電体層４の接着
力を向上させ、デバイス能動部分６において剥離を防止
し、寿命及び信頼性を向上させたデバイスを提供するに
ある。
するためのもので、その目的とするところは、従来のデ
バイスに比較して、第１配線層２と強誘電体層４の接着
力を向上させ、デバイス能動部分６において剥離を防止
し、寿命及び信頼性を向上させたデバイスを提供するに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブデバ
イスは、硝子基板上に形成された、第１配線層と非配線
層、前記第１配線層と非配線層上に形成された強誘電体
層、前記強誘電体層上に形成された第２配線層を有する
事を特徴とする。
イスは、硝子基板上に形成された、第１配線層と非配線
層、前記第１配線層と非配線層上に形成された強誘電体
層、前記強誘電体層上に形成された第２配線層を有する
事を特徴とする。
【０００８】
（実施例１）以下に本発明の実施例を図面に基づいて説
明する。図１−（ａ），（ｂ）は本発明にかかるアクテ
ィブデバイスを示す図であり、図１−（ａ）は上視図、
同図−（ｂ）は同図−（ａ）中Ｘ−Ｘにおける断面図で
ある。
明する。図１−（ａ），（ｂ）は本発明にかかるアクテ
ィブデバイスを示す図であり、図１−（ａ）は上視図、
同図−（ｂ）は同図−（ａ）中Ｘ−Ｘにおける断面図で
ある。
【０００９】図１に示す実施例の構造は次の様である。
すなわち、硝子基板１の上に、溝部だけを抜き取る事に
より分別された、ＩＴＯから成る第１配線層２と非配線
層３が設けられ、その上にＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビ
ニリデン／トリフルオロエチレン）共重合体から成る強
誘電体層４が設けられ、その上にＡｌから成る第２配線
層５が設けられている。
より分別された、ＩＴＯから成る第１配線層２と非配線
層３が設けられ、その上にＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ化ビ
ニリデン／トリフルオロエチレン）共重合体から成る強
誘電体層４が設けられ、その上にＡｌから成る第２配線
層５が設けられている。
【００１０】次に、図１に従い、アクティブデバイスの
製造法を簡単に説明する。まず、硝子基板１を洗浄し、
その上にスパッタリング法あるいは蒸着法によって、２
００〜９０００Åの膜厚のＩＴＯ層を製膜する。製膜し
たＩＴＯ層の、０．１〜１０００μｍの幅の溝部だけ抜
き取り、ＩＴＯから成る第１配線層２と非配線層３を形
成する。その上に、前記ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体を有
機溶剤（ジオキサンを含むエーテル、ケトン類。アミン
等の極性の強い溶剤）と混合したものをスピンコーター
法によって、数千Åの強誘電体層４を形成する。次にそ
れを乾燥、焼成した後、その上に蒸着法あるいはスパッ
タ法によって、数千Åの膜厚のＡｌ層を製膜する。製膜
したＡｌ層をパターニングして、Ａｌから成る第２配線
層５を形成する。
製造法を簡単に説明する。まず、硝子基板１を洗浄し、
その上にスパッタリング法あるいは蒸着法によって、２
００〜９０００Åの膜厚のＩＴＯ層を製膜する。製膜し
たＩＴＯ層の、０．１〜１０００μｍの幅の溝部だけ抜
き取り、ＩＴＯから成る第１配線層２と非配線層３を形
成する。その上に、前記ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体を有
機溶剤（ジオキサンを含むエーテル、ケトン類。アミン
等の極性の強い溶剤）と混合したものをスピンコーター
法によって、数千Åの強誘電体層４を形成する。次にそ
れを乾燥、焼成した後、その上に蒸着法あるいはスパッ
タ法によって、数千Åの膜厚のＡｌ層を製膜する。製膜
したＡｌ層をパターニングして、Ａｌから成る第２配線
層５を形成する。
【００１１】硝子とＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の接着強
度はＩＴＯとＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の接着強度に比
較すると小さい。ゆえにデバイス能動部分６の面積を可
能な限り大きくし、ＩＴＯとＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体
の接触面積を増やせば良いのであるが、デバイスとして
の適正な容量があるため、デバイス能動部分６の面積を
大きくするには限界がある。デバイス能動部分６および
その周辺のＩＴＯとＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の接触面
積をＳ１、デバイス能動部分６の振動の及ぶ範囲の面積
をＳ２とすると、従来のデバイス構造では、デバイス能
動部分６およびその周辺のＩＴＯとＶＤＦ／ＴｒＦＥ共
重合体の接触面積＝デバイス能動部分６の面積であるた
め、Ｓ１＜＜Ｓ２となり充分な接着強度が得られなかっ
た。ところが、本発明によるデバイス構造によると、デ
バイス能動部分６およびその周辺のＩＴＯとＶＤＦ／Ｔ
ｒＦＥ共重合体の接触面積＞デバイス能動部分６の面積
となるため、Ｓ１＞Ｓ２とする事が可能になり、デバイ
ス能動部分６の面積を大きくすることなくデバイス能動
部分６の周辺の、ＩＴＯとＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の
接触面積を増やす事が可能となる。このため、第１配線
層２と強誘電体層４の剥離をすこぶる抑制することが可
能となる。
度はＩＴＯとＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の接着強度に比
較すると小さい。ゆえにデバイス能動部分６の面積を可
能な限り大きくし、ＩＴＯとＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体
の接触面積を増やせば良いのであるが、デバイスとして
の適正な容量があるため、デバイス能動部分６の面積を
大きくするには限界がある。デバイス能動部分６および
その周辺のＩＴＯとＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の接触面
積をＳ１、デバイス能動部分６の振動の及ぶ範囲の面積
をＳ２とすると、従来のデバイス構造では、デバイス能
動部分６およびその周辺のＩＴＯとＶＤＦ／ＴｒＦＥ共
重合体の接触面積＝デバイス能動部分６の面積であるた
め、Ｓ１＜＜Ｓ２となり充分な接着強度が得られなかっ
た。ところが、本発明によるデバイス構造によると、デ
バイス能動部分６およびその周辺のＩＴＯとＶＤＦ／Ｔ
ｒＦＥ共重合体の接触面積＞デバイス能動部分６の面積
となるため、Ｓ１＞Ｓ２とする事が可能になり、デバイ
ス能動部分６の面積を大きくすることなくデバイス能動
部分６の周辺の、ＩＴＯとＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の
接触面積を増やす事が可能となる。このため、第１配線
層２と強誘電体層４の剥離をすこぶる抑制することが可
能となる。
【００１２】なお、実験結果によると、ＩＴＯとＶＤＦ
／ＴｒＦＥ共重合体の接着強度は、硝子とＶＤＦ／Ｔｒ
ＦＥ共重合体の接着強度に比較して数十〜数百倍の強度
がある。ところが、本発明によるデバイスの構造による
と、デバイス能動部分６の周辺部の接着強度がすこぶる
大きく、かつ、その効果が絶大であるため、デバイス能
動部分６における剥離が極力抑えられ、デバイスの寿命
は数百〜数千倍に向上する事が明らかになった。
／ＴｒＦＥ共重合体の接着強度は、硝子とＶＤＦ／Ｔｒ
ＦＥ共重合体の接着強度に比較して数十〜数百倍の強度
がある。ところが、本発明によるデバイスの構造による
と、デバイス能動部分６の周辺部の接着強度がすこぶる
大きく、かつ、その効果が絶大であるため、デバイス能
動部分６における剥離が極力抑えられ、デバイスの寿命
は数百〜数千倍に向上する事が明らかになった。
【００１３】さらに、本発明のデバイスの製造プロセス
は、従来のデバイスに比較してフォトプロセス、エッチ
ングプロセスをはじめ、その他の工程が全く同じである
ため、製造の手間を全く変化させることなく、性能のす
こぶる向上したデバイスを提供することが可能である。
は、従来のデバイスに比較してフォトプロセス、エッチ
ングプロセスをはじめ、その他の工程が全く同じである
ため、製造の手間を全く変化させることなく、性能のす
こぶる向上したデバイスを提供することが可能である。
【００１４】さらに、第１配線層２の周辺部の溝は、強
誘電体層４の振動を都合良く吸収し分散してやる効果が
あるため、第１配線層２と第２配線層５の間に交流電圧
を印加した際、強誘電体層４に生じる前述の応力Ｔのス
トレスがかなり緩和されるので、第１配線層２と強誘電
体層４の剥離を防止する役割を果たす。
誘電体層４の振動を都合良く吸収し分散してやる効果が
あるため、第１配線層２と第２配線層５の間に交流電圧
を印加した際、強誘電体層４に生じる前述の応力Ｔのス
トレスがかなり緩和されるので、第１配線層２と強誘電
体層４の剥離を防止する役割を果たす。
【００１５】さらに、ＩＴＯのエッチングを行う部分が
溝部のみなので、ＩＴＯの表面が、全体的に平たんに保
たれているので、安定した性能のデバイスを得やすい。
溝部のみなので、ＩＴＯの表面が、全体的に平たんに保
たれているので、安定した性能のデバイスを得やすい。
【００１６】さらに、ＩＴＯのエッチングを行う部分が
溝部のみなので、ＩＴＯのエッチング溶液の汚染を極力
抑えることができ、エッチング溶液の寿命を飛躍的に延
ばす効果がある。
溝部のみなので、ＩＴＯのエッチング溶液の汚染を極力
抑えることができ、エッチング溶液の寿命を飛躍的に延
ばす効果がある。
【００１７】なお、第１配線層２はＩＴＯに限る必要は
なく、他の透明電極でもよい。非配線層３は第１配線層
と同一の材料に限る必要はなく、別種の材料でもよい。 非配線層３は導電性の材料に限る必要はなく、非導電性
の材料でもよい。非配線層３は透明な材料に限る必要は
なく、不透明な材料でもよい。第２配線層５はＡｌに限
る必要はなく、他の金属を用いてもよい。強誘電体層４
はＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体に限る必要はなく、ＰＶＤ
Ｆ（ポリフッ化ビニリデン）、ＶＤＦ／ＴｅＦＥ（フッ
化ビニリデン／テトラフルオロエチレン）共重合体、シ
アン化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体等の有機強誘電
体材料あるいは、ＢａＴｉＯ３等の無機強誘電体材料を
用いてもよい。強誘電体層４は必ずしも全面に形成する
必要はなく、デバイス能動部分６のみに形成してもよい
。第１配線層２をＡｌに、第２配線層５をＩＴＯに用い
てもよい。
なく、他の透明電極でもよい。非配線層３は第１配線層
と同一の材料に限る必要はなく、別種の材料でもよい。 非配線層３は導電性の材料に限る必要はなく、非導電性
の材料でもよい。非配線層３は透明な材料に限る必要は
なく、不透明な材料でもよい。第２配線層５はＡｌに限
る必要はなく、他の金属を用いてもよい。強誘電体層４
はＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体に限る必要はなく、ＰＶＤ
Ｆ（ポリフッ化ビニリデン）、ＶＤＦ／ＴｅＦＥ（フッ
化ビニリデン／テトラフルオロエチレン）共重合体、シ
アン化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体等の有機強誘電
体材料あるいは、ＢａＴｉＯ３等の無機強誘電体材料を
用いてもよい。強誘電体層４は必ずしも全面に形成する
必要はなく、デバイス能動部分６のみに形成してもよい
。第１配線層２をＡｌに、第２配線層５をＩＴＯに用い
てもよい。
【００１８】（実施例２）以下に本発明の別の実施例を
図面に基づいて説明する。図３−（ａ），（ｂ）は本発
明にかかるアクティブデバイスを示す図であり、図３−
（ａ）は上視図、同図−（ｂ）は同図−（ａ）中Ｘ−Ｘ
における断面図である。
図面に基づいて説明する。図３−（ａ），（ｂ）は本発
明にかかるアクティブデバイスを示す図であり、図３−
（ａ）は上視図、同図−（ｂ）は同図−（ａ）中Ｘ−Ｘ
における断面図である。
【００１９】図３に示す実施例の構造は次の様である。
すなわち、硝子基板１の上に、ＩＴＯから成る第１配線
層２と、第１配線層２のデバイス能動部分６の周辺に非
配線層３が設けられ、その上にＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ
化ビニリデン／トリフルオロエチレン）共重合体から成
る強誘電体層４が設けられ、その上にＡｌから成る第２
配線層５が設けられている。
層２と、第１配線層２のデバイス能動部分６の周辺に非
配線層３が設けられ、その上にＶＤＦ／ＴｒＦＥ（フッ
化ビニリデン／トリフルオロエチレン）共重合体から成
る強誘電体層４が設けられ、その上にＡｌから成る第２
配線層５が設けられている。
【００２０】次に、図３に従い、アクティブデバイスの
製造法を簡単に説明する。まず、硝子基板１を洗浄し、
その上にスパッタリング法あるいは蒸着法によって、２
００〜９０００Åの膜厚のＩＴＯ層を製膜する。製膜し
たＩＴＯ層をパターニングし、第１配線層２と、第１配
線層２のデバイス能動部分６の周辺部のみ、第１配線層
２から０．１〜１０００μｍの間隔をおいて非配線層３
を形成する。その上に、前記ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体
を有機溶剤（ジオキサンを含むエーテル、ケトン類。ア
ミン等の極性の強い溶剤）と混合したものをスピンコー
ター法によって、数千Åの強誘電体層４を形成する。次
にそれを乾燥、焼成した後、その上に蒸着法あるいはス
パッタ法によって、数千Åの膜厚のＡｌ層を製膜する。 製膜したＡｌ層をパターニングして、Ａｌから成る第２
配線層５を形成する。さて、実施例２は実施例１をデバ
イス能動部にのみ適応させたものであるが、このことに
よる特長として、以下のことが挙げられる。
製造法を簡単に説明する。まず、硝子基板１を洗浄し、
その上にスパッタリング法あるいは蒸着法によって、２
００〜９０００Åの膜厚のＩＴＯ層を製膜する。製膜し
たＩＴＯ層をパターニングし、第１配線層２と、第１配
線層２のデバイス能動部分６の周辺部のみ、第１配線層
２から０．１〜１０００μｍの間隔をおいて非配線層３
を形成する。その上に、前記ＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体
を有機溶剤（ジオキサンを含むエーテル、ケトン類。ア
ミン等の極性の強い溶剤）と混合したものをスピンコー
ター法によって、数千Åの強誘電体層４を形成する。次
にそれを乾燥、焼成した後、その上に蒸着法あるいはス
パッタ法によって、数千Åの膜厚のＡｌ層を製膜する。 製膜したＡｌ層をパターニングして、Ａｌから成る第２
配線層５を形成する。さて、実施例２は実施例１をデバ
イス能動部にのみ適応させたものであるが、このことに
よる特長として、以下のことが挙げられる。
【００２１】・実施例１の特長を維持している。
【００２２】・非配線層がデバイス能動部分６周辺のみ
と小さいのでＩＴＯをパターニングする際実施例１と比
較して、配線層と非配線層のショートする確率がすこぶ
る低下する。
と小さいのでＩＴＯをパターニングする際実施例１と比
較して、配線層と非配線層のショートする確率がすこぶ
る低下する。
【００２３】・第２配線層の下部に、非配線層３以外の
非配線層が存在しないため、実施例１と比較して、寄生
容量が極めて小さい。
非配線層が存在しないため、実施例１と比較して、寄生
容量が極めて小さい。
【００２４】なお、第１配線層２はＩＴＯに限る必要は
なく、他の透明電極でもよい。非配線層３は第１配線層
と同一の材料に限る必要はなく、別種の材料でもよい。 非配線層３は導電性の材料に限る必要はなく、非導電性
の材料でもよい。非配線層３は透明な材料に限る必要は
なく、不透明な材料でもよい。非配線層３は同一の材料
に限る必要はなく、別種の材料でもよい。第２配線層５
はＡｌに限る必要はなく、他の金属を用いてもよい。強
誘電体層４はＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体に限る必要はな
く、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）、ＶＤＦ／Ｔｅ
ＦＥ（フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン）共
重合体、シアン化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体等の
有機強誘電体材料あるいは、ＢａＴｉＯ３等の無機強誘
電体材料を用いてもよい。強誘電体層４は必ずしも全面
に形成する必要はなく、デバイス能動部分６のみに形成
してもよい。第１配線層２をＡｌに、第２配線層５をＩ
ＴＯに用いてもよい。
なく、他の透明電極でもよい。非配線層３は第１配線層
と同一の材料に限る必要はなく、別種の材料でもよい。 非配線層３は導電性の材料に限る必要はなく、非導電性
の材料でもよい。非配線層３は透明な材料に限る必要は
なく、不透明な材料でもよい。非配線層３は同一の材料
に限る必要はなく、別種の材料でもよい。第２配線層５
はＡｌに限る必要はなく、他の金属を用いてもよい。強
誘電体層４はＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体に限る必要はな
く、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）、ＶＤＦ／Ｔｅ
ＦＥ（フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン）共
重合体、シアン化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体等の
有機強誘電体材料あるいは、ＢａＴｉＯ３等の無機強誘
電体材料を用いてもよい。強誘電体層４は必ずしも全面
に形成する必要はなく、デバイス能動部分６のみに形成
してもよい。第１配線層２をＡｌに、第２配線層５をＩ
ＴＯに用いてもよい。
【００２５】（実施例３）次に、本発明を用いた液晶表
示体の実施例を、図面に基づいて説明する。図４−（ａ
）、（ｂ）は本発明を用いた液晶表示体を示す図であり
、図４−（ａ）は上視図、同図−（ｂ）は同図−（ａ）
中Ｘ−Ｘにおける断面図である。
示体の実施例を、図面に基づいて説明する。図４−（ａ
）、（ｂ）は本発明を用いた液晶表示体を示す図であり
、図４−（ａ）は上視図、同図−（ｂ）は同図−（ａ）
中Ｘ−Ｘにおける断面図である。
【００２６】図４に示す実施例の構造は次の様である。
すなわち、対向硝子基板８上に、ＩＴＯから成る第３配
線層７を設けた基板を、図１に示したアクティブデバイ
スに１〜１００μｍの間隔をおいて、対向する形で設け
られている。そして、両基板で液晶を保持している。
線層７を設けた基板を、図１に示したアクティブデバイ
スに１〜１００μｍの間隔をおいて、対向する形で設け
られている。そして、両基板で液晶を保持している。
【００２７】
【発明の効果】上述のように、本発明のデバイスの構造
によれば、従来のデバイスに比較して、薄膜間の剥離の
おそれが激減するために、すこぶる、寿命および信頼性
の向上したデバイスを提供することができる。
によれば、従来のデバイスに比較して、薄膜間の剥離の
おそれが激減するために、すこぶる、寿命および信頼性
の向上したデバイスを提供することができる。
【図１】（ａ）は本発明によるアクティブデバイスの１
例を示す上視図。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面
図。
例を示す上視図。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面
図。
【図２】（ａ）は従来のアクティブデバイスを示す上視
図。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
図。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
【図３】（ａ）は本発明によるアクティブデバイスの１
例を示す上視図。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面
図。
例を示す上視図。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面
図。
【図４】（ａ）は本発明によるアクティブデバイスを用
いた液晶表示体を示す上視図。 （ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
いた液晶表示体を示す上視図。 （ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘに沿った断面図。
１ 硝子基板
２ 第１配線層
３ 非配線層
４ 強誘電体層
５ 第２配線層
６ デバイス能動部分
７ 第３配線層
８ 対向硝子基板
Claims (1)
- 【請求項１】 硝子基板上に形成された、第１配線層
と非配線層、前記第１配線層と非配線層上に形成された
強誘電体層、前記強誘電体層上に形成された第２配線層
を有する事を特徴とするアクティブデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3113322A JPH04340931A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | アクティブデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3113322A JPH04340931A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | アクティブデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340931A true JPH04340931A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14609297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3113322A Pending JPH04340931A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | アクティブデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04340931A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473449A (en) * | 1992-07-24 | 1995-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display with a ferroelectric film control layer |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP3113322A patent/JPH04340931A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473449A (en) * | 1992-07-24 | 1995-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display with a ferroelectric film control layer |
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