KR970028759A - 전기광학장치 - Google Patents

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Abstract

활성메트릭스액정표시장치의 픽셀구조에 있어서, 특정전압으로 유지되는 공통라인으로부터 분리되는 공통 전극과 공통면에 배열된 박막트랜지스터의 드레인에 연결된 픽셀전극은 나선형으로 서로의 주위로 감긴다. 기판상의 각 픽셀에 배열된 공통전극과 픽셀전극 사이에는 기판에 평행하게 배향되는 전계가 발생한다. 이 전계는 액정재료를구동시켜 가시적으로 표시한다. 픽셀전극은 근처의 게이트라인 및/또는 소스라인으로부터의 간섭의 영향을 받지 않도록 각 픽셀의 공통전극에 의해 둘러싸인다.

Description

전기광학장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1구체예에 따른 픽셀레이아웃을 나타내는 평면도.

Claims (16)

  1. 함께 그리드 패턴을 형성하도록 기판에 배열된 게이트라인 및 소스라인과, 각각의 픽셀을 위치하며, 각각 상기 게이트라인중의 하나에 연결된 게이트와 상기 소스라인중의 하나에 연결된 소스를 갖는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터의 드레인에 각각 연결된 제1전극과, 특정전압으로 유지되는 공통라인과, 상기 공통라인으로부터 분기되는 제2전극으로 구성되는데, 상기 제1및 제2전극은 그 아암들이 각 픽셀에서 서로의 주위로 감기도록 나선형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2전극은 적어도 상기 기판상의 상기 제1전극과 상기 소스라인사이 또는 상기 제1전극과 상기 게이트라인사이의 갭에 위치하는 절편을 갖는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 기판상의 게이트라인 또는 상기 소스라인과 나란하게 연장되는 것을 방지하게 위하여 상기 제2전극에 의해 각각 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극은 공통면에 형성되는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극은 각 픽셀과 평행하게 연결된 보조 커패시턴스를 형성하는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  6. 함께 그리드패턴을 형성하도록 기판에 배열된 게이트라인 및 소스라인과, 각각의 픽셀에 위치하며, 각각 상기 게이트라인중의 하나에 연결된 게이트와 상기 소스라인중의 하나에 연결된 소스를 갖는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터의 드레인에각각 연결된 제1전극과, 특정전압으로 유지되는 공통라인과, 상기 공통라인에 각각 연결되는 제2전극으로 구성되는데, 상기 제1 및 제2전극은 그 아암들이 각 픽셀에서 서로의 아암사이의 공간에 위치하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2전극은 적어도 상기 기판상의 상기 제1전극과 상기 소스라인 사이 또는 상기 제1전극과 상기 게이트라인사이의 갭에 위치하는 절편을 갖는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 기판상의 상기 게이트라인 또는 상기 소스라인과 나란하게 연장되는 것을 방지하게 위하여 상기 제2전극에 의해 각각 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극은 공통면에 형성되는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제 1및 제2전극은 각 픽셀과 평행하게 연결된 보조 커패시턴스를 형성하는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  11. 기판상의 각 픽셀에 형성된 박막트랜지스터의 드레인에 각각 연결된 제1전극과,상기 제1 및 제2전극 사이에서 상기 기판에 평행한 성분을 포함하는 전계를 발생시키기 위한 제2전극으로 구성되는데, 상기 제1 및 제2전극은 그 아암들이 상기 기판상의 각 픽셀에서 서로의 주위로 감기도록 각각 나선형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1및 제2전극은 서로 평행하게 연결된 보조커패시티를 형성하는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 박막트랜지스터의 게이트에 연결된 게이트라인이나 상기 박막트랜지스터의 소스에 연결된 소스라인과 나란히 연장되는 것을 방지하기 위해 상기 제2전극에 의해 각각 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 보조커패시턴스의 값은 상기 제1및 제2전극의 권취수에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1및 제2전극은 공통면에 형성되는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
  16. 다수의 픽셀로 구성되는데, 각 픽셀은 기판상에 나선형태로 서로의 주위로 감기 는 한쌍의 전극을 구비하며, 상기 전극쌍은 상기 기판에 평행한 성분을 포함하는 전계가 상기 전극사이에 생기도록 배열되는 것을 특징으로 하는 활성매트릭스전기광학장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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