JPH0743744A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH0743744A JPH0743744A JP18988393A JP18988393A JPH0743744A JP H0743744 A JPH0743744 A JP H0743744A JP 18988393 A JP18988393 A JP 18988393A JP 18988393 A JP18988393 A JP 18988393A JP H0743744 A JPH0743744 A JP H0743744A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】簡略な工程で製造出来、視野角が広い液晶表示
装置の構造を提供する。 【構成】半導体膜のパタ−ンを、薄膜トランジスタ部か
ら映像信号電極１４及びソ−ス電極１５を形成する領域
に延存させて形成し、映像信号電極１４及びソ−ス電極
１５を化学気相成長法により半導体膜上に金属膜を選択
成長させることにより形成した。また、同一基板上に形
成したソ−ス電極１５とコモン電極１６によって作られ
る基板面に平行な方向の電界により液晶層を駆動する様
にした。 【効果】ホトエッチング工程を経ることなしに映像信号
電極１４及びソ−ス電極１５のパタ−ンを形成できるの
で製造工程が簡略隣製造コストを削減出来る。また、液
晶層を基板面に平行な電界で駆動するようにしたので視
野角が大幅に向上する。
装置の構造を提供する。 【構成】半導体膜のパタ−ンを、薄膜トランジスタ部か
ら映像信号電極１４及びソ−ス電極１５を形成する領域
に延存させて形成し、映像信号電極１４及びソ−ス電極
１５を化学気相成長法により半導体膜上に金属膜を選択
成長させることにより形成した。また、同一基板上に形
成したソ−ス電極１５とコモン電極１６によって作られ
る基板面に平行な方向の電界により液晶層を駆動する様
にした。 【効果】ホトエッチング工程を経ることなしに映像信号
電極１４及びソ−ス電極１５のパタ−ンを形成できるの
で製造工程が簡略隣製造コストを削減出来る。また、液
晶層を基板面に平行な電界で駆動するようにしたので視
野角が大幅に向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＯＡ機器等の画像、文字
情報の表示機器として用いられる液晶表示装置の構造お
よび製造方法に関する。
情報の表示機器として用いられる液晶表示装置の構造お
よび製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス等の絶縁基板上に薄膜トランジス
タ（以下ＴＦＴと記す）をマトリックス状に形成し、こ
れをスイッチング素子として用いるアクティブマトリッ
クス型の液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）は高画質のフ
ラットパネルディスプレイとして期待が大きい。現在、
ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては、製造コストの低減が重要な
課題である。同時に、表示画像の多階調化、広視野角化
等の表示性能の向上も強く求められている。
タ（以下ＴＦＴと記す）をマトリックス状に形成し、こ
れをスイッチング素子として用いるアクティブマトリッ
クス型の液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）は高画質のフ
ラットパネルディスプレイとして期待が大きい。現在、
ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては、製造コストの低減が重要な
課題である。同時に、表示画像の多階調化、広視野角化
等の表示性能の向上も強く求められている。
【０００３】コスト低減のためには、先ず第１に製造歩
留まりの向上が強く望まれる。また、製造に必要なホト
マスク数を削減することによる工程の簡略化や製造装置
のスル−プット向上もコスト低減に有効である。ホトマ
スク数削減による工程簡略化に関してはこれまで多くの
提案がなされている。一例として、特開昭６２−２９９
８８５号公報においては背面露光法を用いて電極パタ−
ニング用のホトレジストパタ−ンを形成する方法による
マスク数削減が述べられている（第１の従来技術）。ま
た、製造歩留まりに関係しては、配線の断線を防止する
ため、例えば特開平４−３０９９２８号公報に記載され
ているように、映像信号電極を多結晶シリコンと選択的
化学気相成長法で形成したアルミニウム層の二層構造と
する方法がある（第２の従来技術）。
留まりの向上が強く望まれる。また、製造に必要なホト
マスク数を削減することによる工程の簡略化や製造装置
のスル−プット向上もコスト低減に有効である。ホトマ
スク数削減による工程簡略化に関してはこれまで多くの
提案がなされている。一例として、特開昭６２−２９９
８８５号公報においては背面露光法を用いて電極パタ−
ニング用のホトレジストパタ−ンを形成する方法による
マスク数削減が述べられている（第１の従来技術）。ま
た、製造歩留まりに関係しては、配線の断線を防止する
ため、例えば特開平４−３０９９２８号公報に記載され
ているように、映像信号電極を多結晶シリコンと選択的
化学気相成長法で形成したアルミニウム層の二層構造と
する方法がある（第２の従来技術）。
【０００４】性能向上のうち視野角の拡大に関しては、
例えば プロシ−ディング オブ１２ス インタ−ナシ
ョナル ディスプレイ リサ−チ コンファレンス
（１９９２年）第５９１頁から第５９４頁（Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇ ｏｆ １２ｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒ
ｅｎｃｅ（１９９２），ＰＰ５９１−５９４）において
は同一画素内でラビング方向が異なる配向膜を形成する
ことにより視野角拡大を図る方法が開示されている（第
３の従来技術）。
例えば プロシ−ディング オブ１２ス インタ−ナシ
ョナル ディスプレイ リサ−チ コンファレンス
（１９９２年）第５９１頁から第５９４頁（Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇ ｏｆ １２ｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒ
ｅｎｃｅ（１９９２），ＰＰ５９１−５９４）において
は同一画素内でラビング方向が異なる配向膜を形成する
ことにより視野角拡大を図る方法が開示されている（第
３の従来技術）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記第１の従来技術で
は、下層の電極等のパタ−ンをマスクとして背面露光法
によりホトレジストパタ−ンを形成するが、この方法に
より不要となるのは露光時のホトマスクとタ−ゲット基
板とのアライメント作業のみであり、ホトレジストの塗
布、現像、剥離等の工程は依然として必要である。従っ
て、工程の簡略の程度は全く不十分であった。
は、下層の電極等のパタ−ンをマスクとして背面露光法
によりホトレジストパタ−ンを形成するが、この方法に
より不要となるのは露光時のホトマスクとタ−ゲット基
板とのアライメント作業のみであり、ホトレジストの塗
布、現像、剥離等の工程は依然として必要である。従っ
て、工程の簡略の程度は全く不十分であった。
【０００６】第２の従来技術においては、ＴＦＴのソ−
ス，ドレイン領域と映像信号電極，画素電極とを接続す
るためのコンタクトホ−ルを形成する工程が必要であっ
たり、ソ−ス，ドレイン領域を映像信号電極と別の工程
で形成するなど、工程の簡略化に関しては十分考慮され
ているとは言えない。
ス，ドレイン領域と映像信号電極，画素電極とを接続す
るためのコンタクトホ−ルを形成する工程が必要であっ
たり、ソ−ス，ドレイン領域を映像信号電極と別の工程
で形成するなど、工程の簡略化に関しては十分考慮され
ているとは言えない。
【０００７】また、第３の従来技術においては、配向膜
の一部をマスキングして一部のみをラビングする工程を
２回繰り返すことになり、やはり工程が複雑になり工程
簡略化の課題を達成出来ない。
の一部をマスキングして一部のみをラビングする工程を
２回繰り返すことになり、やはり工程が複雑になり工程
簡略化の課題を達成出来ない。
【０００８】以上のように、従来の技術では性能の向上
と工程の簡略化を同時に達成することは困難であった。
と工程の簡略化を同時に達成することは困難であった。
【０００９】本発明の第１の目的は、上記第２の従来技
術のように、配線部を半導体膜または導電膜上に化学気
相成長法によって形成した金属膜により構成する構成に
おいて、工程の大幅な簡略化を図ることにある。
術のように、配線部を半導体膜または導電膜上に化学気
相成長法によって形成した金属膜により構成する構成に
おいて、工程の大幅な簡略化を図ることにある。
【００１０】本発明の第２の目的は、ホトマスク数や工
程ステップの増大を伴わず、むしろより簡単な工程で製
造出来、かつ広い視野角を有する液晶表示装置の構造及
び製造方法を与えることにある。
程ステップの増大を伴わず、むしろより簡単な工程で製
造出来、かつ広い視野角を有する液晶表示装置の構造及
び製造方法を与えることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記の課題
を解決するために以下のような手段を採用する。
を解決するために以下のような手段を採用する。
【００１２】［手段１］基板上に形成された走査信号電
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタのソ−ス電極に接続された画素電極とからなり、
前記画素電極によって液晶を駆動する機能を有する液晶
表示装置において、前記薄膜トランジスタの能動領域を
構成する半導体膜が前記映像信号電極およびソ−ス電極
まで延在し、前記能動領域を除く半導体膜上に化学気相
成長法によって形成した金属膜を設けた。
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタのソ−ス電極に接続された画素電極とからなり、
前記画素電極によって液晶を駆動する機能を有する液晶
表示装置において、前記薄膜トランジスタの能動領域を
構成する半導体膜が前記映像信号電極およびソ−ス電極
まで延在し、前記能動領域を除く半導体膜上に化学気相
成長法によって形成した金属膜を設けた。
【００１３】［手段２］手段１において、前記画素電極
表面の大部分を絶縁膜で覆った。
表面の大部分を絶縁膜で覆った。
【００１４】［手段３］基板上に形成された走査信号電
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタのソ−ス電極に接続された画素電極とからなり、
前記画素電極によって液晶を駆動する機能を有する液晶
表示装置において、前記映像信号電極または走査信号電
極を、透明導電膜とその上に化学気相成長法によって形
成した金属膜とを有する構造とした。
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタのソ−ス電極に接続された画素電極とからなり、
前記画素電極によって液晶を駆動する機能を有する液晶
表示装置において、前記映像信号電極または走査信号電
極を、透明導電膜とその上に化学気相成長法によって形
成した金属膜とを有する構造とした。
【００１５】［手段４］基板上に形成された走査信号電
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記基板上に前
記薄膜トランジスタのソ−ス電極に対向するように形成
されたコモン電極とからなり、前記ソ−ス電極とコモン
電極との間に電圧を印加して液晶を駆動する機能を有す
る液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタの能動
領域を構成する半導体膜が前記映像信号電極およびソ−
ス電極まで延在し、前記能動領域を除く半導体膜上に化
学気相成長法によって形成した金属膜を設けた。
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記基板上に前
記薄膜トランジスタのソ−ス電極に対向するように形成
されたコモン電極とからなり、前記ソ−ス電極とコモン
電極との間に電圧を印加して液晶を駆動する機能を有す
る液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタの能動
領域を構成する半導体膜が前記映像信号電極およびソ−
ス電極まで延在し、前記能動領域を除く半導体膜上に化
学気相成長法によって形成した金属膜を設けた。
【００１６】［手段５］基板上に形成された走査信号電
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタのソ−ス電極に接続された画素電極とからなり、
前記画素電極によって液晶を駆動する機能を有する液晶
表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタの
能動領域を構成する半導体膜を前記映像信号電極および
ソ−ス電極まで延在して形成した後、前記能動領域を除
く半導体膜上に化学気相成長法によって金属膜を形成し
た。
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタのソ−ス電極に接続された画素電極とからなり、
前記画素電極によって液晶を駆動する機能を有する液晶
表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタの
能動領域を構成する半導体膜を前記映像信号電極および
ソ−ス電極まで延在して形成した後、前記能動領域を除
く半導体膜上に化学気相成長法によって金属膜を形成し
た。
【００１７】［手段６］基板上に形成された走査信号電
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタのソ−ス電極に接続された画素電極とからなり、
前記画素電極によって液晶を駆動する機能を有する液晶
表示装置の製造方法において、前記映像信号電極または
走査信号電極部、および画素電極部に透明導電膜のパタ
−ンを形成した後、前記透明導電膜パタ−ンの上に化学
気相成長法によって金属膜を形成した。
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタのソ−ス電極に接続された画素電極とからなり、
前記画素電極によって液晶を駆動する機能を有する液晶
表示装置の製造方法において、前記映像信号電極または
走査信号電極部、および画素電極部に透明導電膜のパタ
−ンを形成した後、前記透明導電膜パタ−ンの上に化学
気相成長法によって金属膜を形成した。
【００１８】［手段７］基板上に形成された走査信号電
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記基板上に前
記薄膜トランジスタのソ−ス電極に対向するように形成
されたコモン電極とからなり、前記ソ−ス電極とコモン
電極との間に電圧を印加して液晶を駆動する機能を有す
る液晶表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジ
スタの能動領域を構成する半導体膜を前記映像信号電極
およびソ−ス電極まで延在して形成した後、前記能動領
域を除く半導体膜上に化学気相成長法によって金属膜を
形成した。
極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映
像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交
差部に形成された薄膜トランジスタと、前記基板上に前
記薄膜トランジスタのソ−ス電極に対向するように形成
されたコモン電極とからなり、前記ソ−ス電極とコモン
電極との間に電圧を印加して液晶を駆動する機能を有す
る液晶表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジ
スタの能動領域を構成する半導体膜を前記映像信号電極
およびソ−ス電極まで延在して形成した後、前記能動領
域を除く半導体膜上に化学気相成長法によって金属膜を
形成した。
【００１９】
【作用】上記手段１，３，４の如く、映像信号電極、ソ
−ス電極または走査信号電極を化学気相成長法によって
形成した金属膜を含む構成することにより、これらの電
極をホトマスクなしで所望の形状に選択的に形成出来
る。従来ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては電極膜はスパッタリ
ング法により形成していたが、このような物理的蒸着法
では下地の違いにより成膜速度に差を持たせることは不
可能である。従って、所定のパタ−ンに加工するために
はレジストマスクを用いて膜をエッチングする必要があ
った。これに対して、化学的蒸着法である化学気相成長
法（以下ＣＶＤと記す）では一定の物質表面にのみ選択
成長が可能であるのでレジスト工程なしにパタ−ン形成
が可能となる。具体的には、、ＴＦＴを構成する半導体
膜または画素電極を構成する導電膜を配線とすべきパタ
−ン形状にあらかじめ加工し、その後ＣＶＤにより金属
膜を堆積すれば良い。ＣＶＤによる金属膜の堆積は半導
体や金属等の導電性を有する面にのみ成長し、ＳｉＯ2
等の絶縁膜上には成長しないため、金属膜は予め形成し
た半導体膜のパタ−ンの上にのみ形成されるので、従来
必要であったソ−ス電極および映像信号電極加工のため
のホトレジストパタ−ン形成は不要となる。
−ス電極または走査信号電極を化学気相成長法によって
形成した金属膜を含む構成することにより、これらの電
極をホトマスクなしで所望の形状に選択的に形成出来
る。従来ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては電極膜はスパッタリ
ング法により形成していたが、このような物理的蒸着法
では下地の違いにより成膜速度に差を持たせることは不
可能である。従って、所定のパタ−ンに加工するために
はレジストマスクを用いて膜をエッチングする必要があ
った。これに対して、化学的蒸着法である化学気相成長
法（以下ＣＶＤと記す）では一定の物質表面にのみ選択
成長が可能であるのでレジスト工程なしにパタ−ン形成
が可能となる。具体的には、、ＴＦＴを構成する半導体
膜または画素電極を構成する導電膜を配線とすべきパタ
−ン形状にあらかじめ加工し、その後ＣＶＤにより金属
膜を堆積すれば良い。ＣＶＤによる金属膜の堆積は半導
体や金属等の導電性を有する面にのみ成長し、ＳｉＯ2
等の絶縁膜上には成長しないため、金属膜は予め形成し
た半導体膜のパタ−ンの上にのみ形成されるので、従来
必要であったソ−ス電極および映像信号電極加工のため
のホトレジストパタ−ン形成は不要となる。
【００２０】また、この時ＴＦＴのソ−ス電極とドレイ
ン電極を分離するため、ＴＦＴチャネル部分（能動領
域）には金属膜は形成してはならない。そこで、上記手
段１のように、半導体膜上のうち映像信号電極とソ−ス
電極の間の能動領域以外の部分に選択的に化学気相成長
法によって金属膜を形成した。具体的には、能動領域の
上に絶縁膜を設けた後金属膜を形成すると、絶縁膜上に
は金属膜は成長しないのでソ−ス電極とドレイン電極は
自動的に分離される。
ン電極を分離するため、ＴＦＴチャネル部分（能動領
域）には金属膜は形成してはならない。そこで、上記手
段１のように、半導体膜上のうち映像信号電極とソ−ス
電極の間の能動領域以外の部分に選択的に化学気相成長
法によって金属膜を形成した。具体的には、能動領域の
上に絶縁膜を設けた後金属膜を形成すると、絶縁膜上に
は金属膜は成長しないのでソ−ス電極とドレイン電極は
自動的に分離される。
【００２１】ところで、ＣＶＤによる金属膜の形成は強
い還元性雰囲気で行われる場合が多い。例えばタングス
テン（Ｗ）を形成するときには六フッ化タングステン
（ＷＦ6）と水素（Ｈ2）またはモノシラン（ＳｉＨ4）
の混合ガスを用いるが、Ｈ2およびＳｉＨ4は強い還元性
ガスである。ＬＣＤの画素電極として通常用いられてい
るインジウム−スズ−酸化膜（ＩＴＯ）がこのような還
元性雰囲気に晒されると還元反応によりインジウムが析
出し、透明性が失われる。これを防止するために前記手
段２のように、画素電極表面の大部分を絶縁膜で覆うこ
とにより大部分の画素電極はこれによって保護されるた
め還元性の雰囲気に直接ＩＴＯ表面が晒されることがな
いので透明性が損なわれない。
い還元性雰囲気で行われる場合が多い。例えばタングス
テン（Ｗ）を形成するときには六フッ化タングステン
（ＷＦ6）と水素（Ｈ2）またはモノシラン（ＳｉＨ4）
の混合ガスを用いるが、Ｈ2およびＳｉＨ4は強い還元性
ガスである。ＬＣＤの画素電極として通常用いられてい
るインジウム−スズ−酸化膜（ＩＴＯ）がこのような還
元性雰囲気に晒されると還元反応によりインジウムが析
出し、透明性が失われる。これを防止するために前記手
段２のように、画素電極表面の大部分を絶縁膜で覆うこ
とにより大部分の画素電極はこれによって保護されるた
め還元性の雰囲気に直接ＩＴＯ表面が晒されることがな
いので透明性が損なわれない。
【００２２】上記手段４の如く、同一基板上にソ−ス電
極とこれと対向するコモン電極を設けることにより、ソ
−ス電極とコモン電極との間に電圧を印加すると液晶層
には基板面にほぼ平行な方向の電界が加わり、視野角が
大幅に拡大される。これは次の理由による。
極とこれと対向するコモン電極を設けることにより、ソ
−ス電極とコモン電極との間に電圧を印加すると液晶層
には基板面にほぼ平行な方向の電界が加わり、視野角が
大幅に拡大される。これは次の理由による。
【００２３】透明画素電極を用いて基板に垂直な方向の
電界により液晶分子を駆動する従来の方式では、電圧印
加により液晶分子の長軸を基板界面から立ち上がらせ
て、複屈折位相差を０にすることで黒表示状態を得てい
るが、複屈折位相差が０となる視角方向は、正面即ち基
板界面に垂直な方向のみであり、僅かでも傾くと複屈折
位相差が現れ、ノ−マリ−オ−プンの表示では光がもれ
てコントラストの低下や階調レベルの反転を引き起こ
す。ところが、上記の方法では、基板に水平な方向の電
界により液晶を駆動するため、液晶分子の長軸方向は基
板とほぼ平行であり、電圧を印加しても立ち上がること
がない。従って、視角方向を変えたときの明るさの変化
が少なく、視角特性は大幅に改善される。
電界により液晶分子を駆動する従来の方式では、電圧印
加により液晶分子の長軸を基板界面から立ち上がらせ
て、複屈折位相差を０にすることで黒表示状態を得てい
るが、複屈折位相差が０となる視角方向は、正面即ち基
板界面に垂直な方向のみであり、僅かでも傾くと複屈折
位相差が現れ、ノ−マリ−オ−プンの表示では光がもれ
てコントラストの低下や階調レベルの反転を引き起こ
す。ところが、上記の方法では、基板に水平な方向の電
界により液晶を駆動するため、液晶分子の長軸方向は基
板とほぼ平行であり、電圧を印加しても立ち上がること
がない。従って、視角方向を変えたときの明るさの変化
が少なく、視角特性は大幅に改善される。
【００２４】さらに、従来画素電極として必要であった
透明電極の形成工程が一切不要となるので製造工程を大
幅に短縮出来る。また、還元性雰囲気での透明電極の劣
化を心配する必要がなくプロセスマ−ジンを大きくでき
歩留まりが向上する。
透明電極の形成工程が一切不要となるので製造工程を大
幅に短縮出来る。また、還元性雰囲気での透明電極の劣
化を心配する必要がなくプロセスマ−ジンを大きくでき
歩留まりが向上する。
【００２５】本発明のその他の特長は以下の記載から明
らかとなるであろう。
らかとなるであろう。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２７】［実施例１］図１は本発明の第１の実施例
の単位画素の平面図である。図２、図３、図４はそれぞ
れ図１中にＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’で示した切断
面における断面図を示す。研磨したガラス基板１上にＣ
ｒよりなる走査信号電極１０を形成し、走査信号電極１
０を覆うようにゲ−ト窒化Ｓｉ（ゲ−トＳｉＮ）膜２１
と非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０を形成し、ａ−Ｓｉ膜
３０上に第１の保護絶縁膜２２としてＳｉＮ膜を形成し
た。第１の保護絶縁膜２２をマスクとしてｎ型不純物層
３１をイオン注入法によって形成した。ソ−ス電極１５
および映像信号電極１４としてはＷを還元ＣＶＤにより
形成した。前記ソ−ス電極１５に接続するように透明電
極であるインジウム−スズ−酸化物（ＩＴＯ）膜を形成
し画素電極１３となしている。
の単位画素の平面図である。図２、図３、図４はそれぞ
れ図１中にＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’で示した切断
面における断面図を示す。研磨したガラス基板１上にＣ
ｒよりなる走査信号電極１０を形成し、走査信号電極１
０を覆うようにゲ−ト窒化Ｓｉ（ゲ−トＳｉＮ）膜２１
と非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０を形成し、ａ−Ｓｉ膜
３０上に第１の保護絶縁膜２２としてＳｉＮ膜を形成し
た。第１の保護絶縁膜２２をマスクとしてｎ型不純物層
３１をイオン注入法によって形成した。ソ−ス電極１５
および映像信号電極１４としてはＷを還元ＣＶＤにより
形成した。前記ソ−ス電極１５に接続するように透明電
極であるインジウム−スズ−酸化物（ＩＴＯ）膜を形成
し画素電極１３となしている。
【００２８】ここで、ａ−Ｓｉ膜３０の平面形状を、図
３、図４に示すようにソ−ス電極１５および映像信号電
極１４とすべき形状に加工し、ソ−ス電極１５および映
像信号電極１４はＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ膜３０上のみ
に選択的に形成した点に特徴がある。この時ＴＦＴのチ
ャネル上部は第１の保護絶縁膜２２で保護したのでＷ膜
は形成されずソ−ス電極１５と映像信号電極１４は自動
的に分離される。このようにすることにより、ソ−ス電
極１５および映像信号電極１４を加工するためのホトマ
スクが不要となるので製造工程数を大幅に低減出来る。
３、図４に示すようにソ−ス電極１５および映像信号電
極１４とすべき形状に加工し、ソ−ス電極１５および映
像信号電極１４はＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ膜３０上のみ
に選択的に形成した点に特徴がある。この時ＴＦＴのチ
ャネル上部は第１の保護絶縁膜２２で保護したのでＷ膜
は形成されずソ−ス電極１５と映像信号電極１４は自動
的に分離される。このようにすることにより、ソ−ス電
極１５および映像信号電極１４を加工するためのホトマ
スクが不要となるので製造工程数を大幅に低減出来る。
【００２９】［実施例２］図５は本発明の第２の実施例
の単位画素の平面図である。図６は図５中にＤ−Ｄ’で
示した切断面における断面図を示す。研磨したガラス基
板１上にＡｌよりなる走査信号電極１０を形成し、陽極
酸化法によりその表面にアルミナ膜２０を形成した。Ｉ
ＴＯからなる画素電極１３はガラス基板１上に直接形成
され、画素電極１３および走査信号電極１０を覆うよう
にゲ−ト窒化Ｓｉ（ゲ−トＳｉＮ）膜２１と非晶質Ｓｉ
（ａ−Ｓｉ）膜３０を形成し、ａ−Ｓｉ膜３０上に第１
の保護絶縁膜２２としてＳｉＮ膜を形成した。画素電極
１３とＴＦＴはスル−ホ−ルＴＨを介して接続した。第
１の保護絶縁膜２２をマスクとしてｎ型不純物層３１を
イオン注入法によって形成した。ソ−ス電極１５および
映像信号電極１４としてはＷを還元ＣＶＤにより形成
し、これら全体を第２の保護絶縁膜２３であるＳｉＮ膜
で被覆した。
の単位画素の平面図である。図６は図５中にＤ−Ｄ’で
示した切断面における断面図を示す。研磨したガラス基
板１上にＡｌよりなる走査信号電極１０を形成し、陽極
酸化法によりその表面にアルミナ膜２０を形成した。Ｉ
ＴＯからなる画素電極１３はガラス基板１上に直接形成
され、画素電極１３および走査信号電極１０を覆うよう
にゲ−ト窒化Ｓｉ（ゲ−トＳｉＮ）膜２１と非晶質Ｓｉ
（ａ−Ｓｉ）膜３０を形成し、ａ−Ｓｉ膜３０上に第１
の保護絶縁膜２２としてＳｉＮ膜を形成した。画素電極
１３とＴＦＴはスル−ホ−ルＴＨを介して接続した。第
１の保護絶縁膜２２をマスクとしてｎ型不純物層３１を
イオン注入法によって形成した。ソ−ス電極１５および
映像信号電極１４としてはＷを還元ＣＶＤにより形成
し、これら全体を第２の保護絶縁膜２３であるＳｉＮ膜
で被覆した。
【００３０】第１の実施例と同様にａ−Ｓｉ膜３０の平
面形状を、ソ−ス電極１５および映像信号電極１４とす
べき形状に加工し、ソ−ス電極１５および映像信号電極
１４はＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ膜３０上のみに選択的に
形成したが、本実施例ではＩＴＯよりなる画素電極１３
をゲ−トＳｉＮ膜２１の下層に形成し、ＴＦＴと画素電
極１３はスル−ホ−ルＴＨを介して接続した点に特徴が
ある。このことにより、ソ−ス電極１５および映像信号
電極１４形成時の強い還元性雰囲気に画素電極１３であ
るＩＴＯの表面は晒されることがないので透明性が失わ
れることがない。ここで、スル−ホ−ルＴＨ部のみは還
元性雰囲気に晒されるがスル−ホ−ルの面積を十分小さ
くすることにより基板の透過率には影響しないようにで
きる。また、ＩＴＯは導電膜であるので、ＩＴＯ上にも
Ｗ膜は成長し、ＴＦＴとの接続性は良好であった。 ま
た、本実施例では画素電極１３と映像信号電極１４はゲ
−トＳｉＮ膜２１により絶縁分離され、画素電極１３と
走査信号電極１０はアルミナ膜２０により絶縁分離され
るのでこれらの電極間の短絡不良は原理的に発生しな
い。従って、画素電極１３と映像信号電極１４および走
査信号電極１０との間の距離をホトリソグラフィの解像
度限界近くまで縮小出来る。これにより、画素開口率が
大幅に向上し液晶パネルの透過率を大きく出来る。
面形状を、ソ−ス電極１５および映像信号電極１４とす
べき形状に加工し、ソ−ス電極１５および映像信号電極
１４はＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ膜３０上のみに選択的に
形成したが、本実施例ではＩＴＯよりなる画素電極１３
をゲ−トＳｉＮ膜２１の下層に形成し、ＴＦＴと画素電
極１３はスル−ホ−ルＴＨを介して接続した点に特徴が
ある。このことにより、ソ−ス電極１５および映像信号
電極１４形成時の強い還元性雰囲気に画素電極１３であ
るＩＴＯの表面は晒されることがないので透明性が失わ
れることがない。ここで、スル−ホ−ルＴＨ部のみは還
元性雰囲気に晒されるがスル−ホ−ルの面積を十分小さ
くすることにより基板の透過率には影響しないようにで
きる。また、ＩＴＯは導電膜であるので、ＩＴＯ上にも
Ｗ膜は成長し、ＴＦＴとの接続性は良好であった。 ま
た、本実施例では画素電極１３と映像信号電極１４はゲ
−トＳｉＮ膜２１により絶縁分離され、画素電極１３と
走査信号電極１０はアルミナ膜２０により絶縁分離され
るのでこれらの電極間の短絡不良は原理的に発生しな
い。従って、画素電極１３と映像信号電極１４および走
査信号電極１０との間の距離をホトリソグラフィの解像
度限界近くまで縮小出来る。これにより、画素開口率が
大幅に向上し液晶パネルの透過率を大きく出来る。
【００３１】図７〜図１３は上記第２の実施例の液晶表
示装置の製造工程を示す断面図である。ガラス基板１上
にスパッタ法によりＡｌ膜を２５０ｎｍを順次堆積し、
通常のホトエッチング工程を経て走査信号電極１０とす
る（図７）。次に陽極酸化法により前記走査信号電極の
表面および側面にアルミナ膜２０を形成する。次にスパ
ッタ法によりＩＴＯ膜を１２０ｎｍ堆積に通常のホトエ
ッチング工程を経て画素電極１３とする（図８）。次に
プラズマＣＶＤによりゲ−トＳｉＮ膜２１を２００ｎ
ｍ、ａ−Ｓｉ膜３０を５０ｎｍ、第１の保護絶縁膜２２
を３５０ｎｍ順次堆積する（図９）。続いて、通常のホ
トエッチング工程を経て第１の保護絶縁膜２２をＴＦＴ
のチャネル上部にのみに残して除去する。続いて、イオ
ン注入法によりａ−Ｓｉ膜３０表面にｎ型不純物層３１
を形成する（図１０）。不純物導入方法としては通常の
イオン注入法以外に、質量分離をしない大口径イオンビ
−ムを用いたイオンド−ピング法を用いることが出来
る。この方法によれば大面積基板を極めて高速に処理出
来るのでスル−プット向上の点でより望ましい。次に、
通常のホトエッチング工程を経てａ−Ｓｉ膜３０を所定
の形状に加工する。この時ａ−Ｓｉ膜３０はＴＦＴ部分
だけでなく、映像信号電極１４およびソ−ス電極１５を
形成すべき部分にも残るようなパタ−ン形状とする。更
に通常のホトエッチング工程を経てゲ−トＳｉＮ膜２１
にスル−ホ−ルＴＨを開口する（図１１）。次に、ＣＶ
Ｄ法により、ａ−Ｓｉ膜５０およびスル−ホ−ルＴＨ部
のＩＴＯ膜上にのみにＷ膜を３００ｎｍ形成し映像信号
電極１４およびソ−ス電極１５とする（図１２）。反応
ガスとしてはＷＦ6とＳｉＨ4を用い、形成圧力０．３Ｔ
ｏｒｒ、基板温度２７５℃とすることにより。ａ−Ｓｉ
膜５０およびＩＴＯ膜上にのみ選択的にＷ膜を形成でき
た。最後にＣＶＤ法により第２の保護絶縁膜２３として
ＳｉＮ膜を７００ｎｍ堆積し、通常のホトエッチング工
程を経て外部接続端子部（図示せず）上の保護絶縁膜２
３を除去してアクティブマトリックス基板は完成する
（図１３）。この後、配向膜塗布、ラビング、液晶封入
等の工程を経て液晶表示装置が完成するが、本発明の骨
子には関係しないので省略する。本実施例では映像信号
電極１４およびソ−ス電極１５のパタ−ンをホトエッチ
ング工程なしに形成したので製造工程を大幅に短縮出来
た。これにより製造コストを大幅に低減出来る。
示装置の製造工程を示す断面図である。ガラス基板１上
にスパッタ法によりＡｌ膜を２５０ｎｍを順次堆積し、
通常のホトエッチング工程を経て走査信号電極１０とす
る（図７）。次に陽極酸化法により前記走査信号電極の
表面および側面にアルミナ膜２０を形成する。次にスパ
ッタ法によりＩＴＯ膜を１２０ｎｍ堆積に通常のホトエ
ッチング工程を経て画素電極１３とする（図８）。次に
プラズマＣＶＤによりゲ−トＳｉＮ膜２１を２００ｎ
ｍ、ａ−Ｓｉ膜３０を５０ｎｍ、第１の保護絶縁膜２２
を３５０ｎｍ順次堆積する（図９）。続いて、通常のホ
トエッチング工程を経て第１の保護絶縁膜２２をＴＦＴ
のチャネル上部にのみに残して除去する。続いて、イオ
ン注入法によりａ−Ｓｉ膜３０表面にｎ型不純物層３１
を形成する（図１０）。不純物導入方法としては通常の
イオン注入法以外に、質量分離をしない大口径イオンビ
−ムを用いたイオンド−ピング法を用いることが出来
る。この方法によれば大面積基板を極めて高速に処理出
来るのでスル−プット向上の点でより望ましい。次に、
通常のホトエッチング工程を経てａ−Ｓｉ膜３０を所定
の形状に加工する。この時ａ−Ｓｉ膜３０はＴＦＴ部分
だけでなく、映像信号電極１４およびソ−ス電極１５を
形成すべき部分にも残るようなパタ−ン形状とする。更
に通常のホトエッチング工程を経てゲ−トＳｉＮ膜２１
にスル−ホ−ルＴＨを開口する（図１１）。次に、ＣＶ
Ｄ法により、ａ−Ｓｉ膜５０およびスル−ホ−ルＴＨ部
のＩＴＯ膜上にのみにＷ膜を３００ｎｍ形成し映像信号
電極１４およびソ−ス電極１５とする（図１２）。反応
ガスとしてはＷＦ6とＳｉＨ4を用い、形成圧力０．３Ｔ
ｏｒｒ、基板温度２７５℃とすることにより。ａ−Ｓｉ
膜５０およびＩＴＯ膜上にのみ選択的にＷ膜を形成でき
た。最後にＣＶＤ法により第２の保護絶縁膜２３として
ＳｉＮ膜を７００ｎｍ堆積し、通常のホトエッチング工
程を経て外部接続端子部（図示せず）上の保護絶縁膜２
３を除去してアクティブマトリックス基板は完成する
（図１３）。この後、配向膜塗布、ラビング、液晶封入
等の工程を経て液晶表示装置が完成するが、本発明の骨
子には関係しないので省略する。本実施例では映像信号
電極１４およびソ−ス電極１５のパタ−ンをホトエッチ
ング工程なしに形成したので製造工程を大幅に短縮出来
た。これにより製造コストを大幅に低減出来る。
【００３２】また、上記実施例では選択形成する金属と
してＷ膜を用いたが、本発明はこれに限られず、その他
の金属でも同様に実施出来、同様な効果が得られる。
してＷ膜を用いたが、本発明はこれに限られず、その他
の金属でも同様に実施出来、同様な効果が得られる。
【００３３】例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属や、Ｔ
ｉＳｉ、ＴａＳｉ、ＭｏＳｉ等の高融点金属シリサイド
も用いることが出来る。
ｉＳｉ、ＴａＳｉ、ＭｏＳｉ等の高融点金属シリサイド
も用いることが出来る。
【００３４】［実施例３］図１４は本発明の第３の実施
例の単位画素の平面図である。図１５は図１４中Ｅ−
Ｅ’で示した切断面における断面図である。本実施例
は、透明電極よりなる画素電極を廃し、代わりにストラ
イプ状のコモン電極１６が形成され、ソ−ス電極１５と
コモン電極１６の間に形成される基板面にほぼ平行な方
向の電界により液晶を駆動するようにした点が第２の実
施例と異なる。また、本実施例の製造工程はａ−Ｓｉ膜
３０とゲ−トＳｉＮ膜２１を同一の平面形状とし一回の
ホトエッチング工程で加工できるようにした点を除いて
は第２の実施例と同一である。
例の単位画素の平面図である。図１５は図１４中Ｅ−
Ｅ’で示した切断面における断面図である。本実施例
は、透明電極よりなる画素電極を廃し、代わりにストラ
イプ状のコモン電極１６が形成され、ソ−ス電極１５と
コモン電極１６の間に形成される基板面にほぼ平行な方
向の電界により液晶を駆動するようにした点が第２の実
施例と異なる。また、本実施例の製造工程はａ−Ｓｉ膜
３０とゲ−トＳｉＮ膜２１を同一の平面形状とし一回の
ホトエッチング工程で加工できるようにした点を除いて
は第２の実施例と同一である。
【００３５】以下図１６〜１９により本実施例の動作原
理を説明する。図１６はＴＦＴのソ−ス電極１５に電圧
が印加されていない状態での平面図、図１７はこの時の
液晶セルの断面図を示す。また図１８はＴＦＴのソ−ス
電極１５に電圧を印加した状態での平面図、図１９はこ
の時の液晶セルの断面図を示す。表面にＴＦＴマトリッ
クスを形成したガラス基板１に対向して対向基板５０８
を配置し、ＴＦＴ基板１及び対向基板５０８の内表面に
は配向制御膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２が塗布され配向処理さ
れている。これらの基板の間には棒状の液晶分子５１３
を含む液晶層が挟持されている。液晶分子５１２は電界
無印加時にはストライプ状のソ−ス、およびコモン電極
の長手方向に対して若干の角度、即ち液晶分子の長軸
（光学軸）と電界の方向（ストライプ状のソ−ス、およ
びコモン電極の長手方向と垂直な方向）のなす角度にし
て４５°以上９０°未満、を持つように配向されてい
る。上下基板との界面での液晶分子の配向は平行とし
た。また、液晶の誘電異方性は正である。ここで、ＴＦ
Ｔをオンとしてソ−ス電極１４に電圧を印加し、ソ−ス
電極１４とコモン電極間１５に電界Ｅ１を誘起させると
図１８、図１９に示すように電界方向に液晶分子が向き
を変える。上下基板の外側表面に配置した２枚偏光板の
偏光透過軸を所定角度ＡＧＬ１に配置することで電界印
加によって光透過率を変えることが可能となる。このよ
うに本実施例では、透明画素電極がなくてもコントラス
トを与える表示が可能となる。このため、透明電極を形
成する工程が省略出来るので製造工程を大幅に簡略化出
来る。また、ＣＶＤによりソ−ス電極１５、映像信号電
極１４およびコモン電極１６を形成する際に透明電極の
還元による劣化を心配しなくても良い。また、ａ−Ｓｉ
膜３０とゲ−トＳｉＮ膜２１を一回のホトエッチング工
程で加工したので製造工程を簡略化出来る。
理を説明する。図１６はＴＦＴのソ−ス電極１５に電圧
が印加されていない状態での平面図、図１７はこの時の
液晶セルの断面図を示す。また図１８はＴＦＴのソ−ス
電極１５に電圧を印加した状態での平面図、図１９はこ
の時の液晶セルの断面図を示す。表面にＴＦＴマトリッ
クスを形成したガラス基板１に対向して対向基板５０８
を配置し、ＴＦＴ基板１及び対向基板５０８の内表面に
は配向制御膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２が塗布され配向処理さ
れている。これらの基板の間には棒状の液晶分子５１３
を含む液晶層が挟持されている。液晶分子５１２は電界
無印加時にはストライプ状のソ−ス、およびコモン電極
の長手方向に対して若干の角度、即ち液晶分子の長軸
（光学軸）と電界の方向（ストライプ状のソ−ス、およ
びコモン電極の長手方向と垂直な方向）のなす角度にし
て４５°以上９０°未満、を持つように配向されてい
る。上下基板との界面での液晶分子の配向は平行とし
た。また、液晶の誘電異方性は正である。ここで、ＴＦ
Ｔをオンとしてソ−ス電極１４に電圧を印加し、ソ−ス
電極１４とコモン電極間１５に電界Ｅ１を誘起させると
図１８、図１９に示すように電界方向に液晶分子が向き
を変える。上下基板の外側表面に配置した２枚偏光板の
偏光透過軸を所定角度ＡＧＬ１に配置することで電界印
加によって光透過率を変えることが可能となる。このよ
うに本実施例では、透明画素電極がなくてもコントラス
トを与える表示が可能となる。このため、透明電極を形
成する工程が省略出来るので製造工程を大幅に簡略化出
来る。また、ＣＶＤによりソ−ス電極１５、映像信号電
極１４およびコモン電極１６を形成する際に透明電極の
還元による劣化を心配しなくても良い。また、ａ−Ｓｉ
膜３０とゲ−トＳｉＮ膜２１を一回のホトエッチング工
程で加工したので製造工程を簡略化出来る。
【００３６】さらに、本実施例の表示方式では液晶分子
の長軸は基板とほぼ平行であり、電圧を印加しても立ち
上がることがない。従って、視角方向を変えたときの明
るさの変化が小さいので視角特性が大幅に改善される。
の長軸は基板とほぼ平行であり、電圧を印加しても立ち
上がることがない。従って、視角方向を変えたときの明
るさの変化が小さいので視角特性が大幅に改善される。
【００３７】また、本実施例ではコモン電極１６をＴＦ
Ｔと同じ基板上に形成したので対向基板側のコモン電極
が不要となるので対向基板の製造コストを低減出来る。
また、上下基板を電気的接続が不要であるのでＬＣＤの
組立て工程が簡略化され製造コストを低減出来る。コモ
ン電極１６は対向基板側に設けていもよいが、この場合
上下基板のあわせずれによりコモン電極１６とソ−ス電
極１５の間の距離がバラツクのでＴＦＴ基板側に形成す
ることがより望ましい。
Ｔと同じ基板上に形成したので対向基板側のコモン電極
が不要となるので対向基板の製造コストを低減出来る。
また、上下基板を電気的接続が不要であるのでＬＣＤの
組立て工程が簡略化され製造コストを低減出来る。コモ
ン電極１６は対向基板側に設けていもよいが、この場合
上下基板のあわせずれによりコモン電極１６とソ−ス電
極１５の間の距離がバラツクのでＴＦＴ基板側に形成す
ることがより望ましい。
【００３８】［実施例４］図２０〜２５は本発明の第４
の実施例の製造工程をしめす断面図である。
の実施例の製造工程をしめす断面図である。
【００３９】ガラス基板１上にスパッタ法によりＡｌを
２５０ｎｍ形成し、通常のホトエッチング工程によりパ
タ−ニングし走査配線電極１０とする。次に陽極化成法
によりＡｌ電極の表面及び側面にアルミナ膜２０を２０
０ｎｍ形成する（図２０）。
２５０ｎｍ形成し、通常のホトエッチング工程によりパ
タ−ニングし走査配線電極１０とする。次に陽極化成法
によりＡｌ電極の表面及び側面にアルミナ膜２０を２０
０ｎｍ形成する（図２０）。
【００４０】続いて、プラズマＣＶＤ法によりゲ−トＳ
ｉＮ膜２１を２００ｎｍ、ａ−Ｓｉ膜３０を１００ｎ
ｍ、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１を４０ｎｍ連続して形成し、通
常のホトエッチング工程によりゲ−トＳｉＮ膜２１、ａ
−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１をパタ−ニングする
（図２１）。次に、ＩＴＯ膜を１４０ｎｍをスパッタ法
により形成し、通常のホトエッチング工程によりパタ−
ニングする。このＩＴＯのパタ−ンにより画素電極１３
と映像信号電極１４を形成する。更にＴＦＴチャネル部
分のｎ型ａ−Ｓｉ膜３１をエッチング除去する。ここ
で、基板を酸素プラズマ中に保持してチャネル部のａ−
Ｓｉ膜３０の表面に酸化層２４を形成する。
ｉＮ膜２１を２００ｎｍ、ａ−Ｓｉ膜３０を１００ｎ
ｍ、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１を４０ｎｍ連続して形成し、通
常のホトエッチング工程によりゲ−トＳｉＮ膜２１、ａ
−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１をパタ−ニングする
（図２１）。次に、ＩＴＯ膜を１４０ｎｍをスパッタ法
により形成し、通常のホトエッチング工程によりパタ−
ニングする。このＩＴＯのパタ−ンにより画素電極１３
と映像信号電極１４を形成する。更にＴＦＴチャネル部
分のｎ型ａ−Ｓｉ膜３１をエッチング除去する。ここ
で、基板を酸素プラズマ中に保持してチャネル部のａ−
Ｓｉ膜３０の表面に酸化層２４を形成する。
【００４１】酸化層の膜厚は１０ｎｍ程度以上あれば良
い（図２２）。次にＷＦ6とＳｉＨ4ガスを用いたＣＶＤ
法によりＷ膜３５０ｎｍをＩＴＯ膜上のみに選択的に形
成する（図２３）。この時の反応温度はＩＴＯ膜の還元
反応を防止するために２５０℃程度とすることが望まし
い。次に、プラズマＣＶＤ法により保護ＳｉＮ膜２３を
７００ｎｍ形成し、通常のホトエッチング工程により画
素電極１３上と外部接続端子部上（図示せず）の保護Ｓ
ｉＮ膜２３を除去する。（図２４）最後に、保護ＳｉＮ
膜２３を加工するために用いたレジストパタ−ンにより
画素電極１上のＷ膜をエッチング除去してアクティブマ
トリックス基板が完成する（図２５）。
い（図２２）。次にＷＦ6とＳｉＨ4ガスを用いたＣＶＤ
法によりＷ膜３５０ｎｍをＩＴＯ膜上のみに選択的に形
成する（図２３）。この時の反応温度はＩＴＯ膜の還元
反応を防止するために２５０℃程度とすることが望まし
い。次に、プラズマＣＶＤ法により保護ＳｉＮ膜２３を
７００ｎｍ形成し、通常のホトエッチング工程により画
素電極１３上と外部接続端子部上（図示せず）の保護Ｓ
ｉＮ膜２３を除去する。（図２４）最後に、保護ＳｉＮ
膜２３を加工するために用いたレジストパタ−ンにより
画素電極１上のＷ膜をエッチング除去してアクティブマ
トリックス基板が完成する（図２５）。
【００４２】本実施例では映像信号電極１４およびソ−
ス電極１５のパタ−ンをホトエッチング工程なしにＩＴ
Ｏ膜上に選択的に形成し、またゲ−トＳｉＮ膜２１、ａ
−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１を一回のホトエッチ
ング工程でパタ−ニングしたので製造工程を大幅に短縮
出来る。
ス電極１５のパタ−ンをホトエッチング工程なしにＩＴ
Ｏ膜上に選択的に形成し、またゲ−トＳｉＮ膜２１、ａ
−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１を一回のホトエッチ
ング工程でパタ−ニングしたので製造工程を大幅に短縮
出来る。
【００４３】［実施例５］図２６〜３１は本発明の第５
の実施例の製造工程をしめす断面図である。
の実施例の製造工程をしめす断面図である。
【００４４】ガラス基板１上にスパッタ法によりＩＴＯ
膜を１４０ｎｍ堆積し、通常のホトエッチング工程によ
りパタ−ニングし走査信号電極１０と画素電極１３のパ
タ−ンを得る（図２６）。次にＷＦ6とＳｉＨ4ガスを用
いたＣＶＤ法によりＷ膜２００ｎｍをＩＴＯ膜上のみに
選択的に形成する（図２７）。この時の反応温度はＩＴ
Ｏ膜の還元反応を防止するために２５０℃程度とするこ
とが望ましい。Ｗの抵抗率はＩＴＯのそれよりも１桁以
上低いため、低抵抗の走査配線を得ることが出来る。続
いて、プラズマＣＶＤ法によりゲ−トＳｉＮ膜２１を２
００ｎｍ、ａ−Ｓｉ膜３０を１００ｎｍ、第１の保護Ｓ
ｉＮ膜２２を３５０ｎｍ連続して形成する。次に通常の
ホトエッチング工程により第１の保護ＳｉＮ膜２２をパ
タ−ニングし、イオン注入法によりＰをａ−Ｓｉ膜３０
にド−ピングしｎ型不純物層３１を形成する（図２
９）。次にＷＦ6とＳｉＨ4ガスを用いたＣＶＤ法により
Ｗ膜４００ｎｍをａ−Ｓｉ膜３０および先に形成したＷ
膜上のみに選択的に形成する（図３０）。次に、プラズ
マＣＶＤ法により保護ＳｉＮ膜２３を７００ｎｍ形成
し、通常のホトエッチング工程により画素電極１３上と
外部接続端子部上（図示せず）の保護ＳｉＮ膜２３を除
去する。最後に、保護ＳｉＮ膜２３を加工するために用
いたレジストパタ−ンにより画素電極１上のＷ膜をエッ
チング除去してアクティブマトリックス基板が完成する
（図３１）。
膜を１４０ｎｍ堆積し、通常のホトエッチング工程によ
りパタ−ニングし走査信号電極１０と画素電極１３のパ
タ−ンを得る（図２６）。次にＷＦ6とＳｉＨ4ガスを用
いたＣＶＤ法によりＷ膜２００ｎｍをＩＴＯ膜上のみに
選択的に形成する（図２７）。この時の反応温度はＩＴ
Ｏ膜の還元反応を防止するために２５０℃程度とするこ
とが望ましい。Ｗの抵抗率はＩＴＯのそれよりも１桁以
上低いため、低抵抗の走査配線を得ることが出来る。続
いて、プラズマＣＶＤ法によりゲ−トＳｉＮ膜２１を２
００ｎｍ、ａ−Ｓｉ膜３０を１００ｎｍ、第１の保護Ｓ
ｉＮ膜２２を３５０ｎｍ連続して形成する。次に通常の
ホトエッチング工程により第１の保護ＳｉＮ膜２２をパ
タ−ニングし、イオン注入法によりＰをａ−Ｓｉ膜３０
にド−ピングしｎ型不純物層３１を形成する（図２
９）。次にＷＦ6とＳｉＨ4ガスを用いたＣＶＤ法により
Ｗ膜４００ｎｍをａ−Ｓｉ膜３０および先に形成したＷ
膜上のみに選択的に形成する（図３０）。次に、プラズ
マＣＶＤ法により保護ＳｉＮ膜２３を７００ｎｍ形成
し、通常のホトエッチング工程により画素電極１３上と
外部接続端子部上（図示せず）の保護ＳｉＮ膜２３を除
去する。最後に、保護ＳｉＮ膜２３を加工するために用
いたレジストパタ−ンにより画素電極１上のＷ膜をエッ
チング除去してアクティブマトリックス基板が完成する
（図３１）。
【００４５】本実施例ではＣＶＤ法により映像信号電極
１４およびソ−ス電極１５のパタ−ンをホトエッチング
工程なしに選択的に形成しまたゲ−トＳｉＮ膜２１、ａ
−Ｓｉ膜３０、を一回のホトエッチング工程でパタ−ニ
ングしたので製造工程を大幅に短縮出来る。
１４およびソ−ス電極１５のパタ−ンをホトエッチング
工程なしに選択的に形成しまたゲ−トＳｉＮ膜２１、ａ
−Ｓｉ膜３０、を一回のホトエッチング工程でパタ−ニ
ングしたので製造工程を大幅に短縮出来る。
【００４６】また、ＣＶＤ法を用いて走査信号電極１０
のＩＴＯ膜上に選択的に金属膜を形成出来るので新たな
ホトエッチング工程を経ずに走査信号電極の低抵抗化を
実現出来る。これにより、走査信号の伝搬遅延を抑制出
来るので表示装置の大型化、高精細化に適している。
のＩＴＯ膜上に選択的に金属膜を形成出来るので新たな
ホトエッチング工程を経ずに走査信号電極の低抵抗化を
実現出来る。これにより、走査信号の伝搬遅延を抑制出
来るので表示装置の大型化、高精細化に適している。
【００４７】図３２は本発明に係る液晶セルの断面模式
図である。下側のガラス基板１上に走査信号電極１０と
映像信号電極１４がマトリックス状に形成され、その交
点付近に形成されたＴＦＴを介してソ−ス電極１５を駆
動する。棒状の液晶分子５１３を含む液晶層５０６を挾
んで対向する対向基板５０８上にはカラ−フィルタ−５
０７、対向電極５１０、カラ−フィルタ−保護膜５１
１、遮光用ブラックマトリックス５１２が形成されてい
る。図３２の中央部は単位画素の断面図を、左側は外部
接続端子の存在する部分の断面図を、右側は外部接続端
子の存在しない部分の断面図を示している。図３２の右
側、左側に示すシ−ル材ＳＬは液晶層５０６を封止する
ように構成されており、液晶封入口（図示せず）を除く
ガラス基板１，５０８の縁全体に沿って形成されてい
る。シ−ル材は例えばエポキシ樹脂で形成されている。
配向制御膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２，保護膜２３カラ−フィ
ルタ保護膜５１１の各層はシ−ル材ＳＬの内側に形成さ
れる。偏光板５０５は一対のガラス基板１，５０８の外
側表面に形成されている。液晶層内の液晶分子５１３は
配向制御膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２によって所定の方向に配
向されており、バックライトＢＬからの光をソ−ス電極
１５とコモン電極１６の間の部分の液晶層で調節するこ
とによりカラ−画像の表示が可能となる。
図である。下側のガラス基板１上に走査信号電極１０と
映像信号電極１４がマトリックス状に形成され、その交
点付近に形成されたＴＦＴを介してソ−ス電極１５を駆
動する。棒状の液晶分子５１３を含む液晶層５０６を挾
んで対向する対向基板５０８上にはカラ−フィルタ−５
０７、対向電極５１０、カラ−フィルタ−保護膜５１
１、遮光用ブラックマトリックス５１２が形成されてい
る。図３２の中央部は単位画素の断面図を、左側は外部
接続端子の存在する部分の断面図を、右側は外部接続端
子の存在しない部分の断面図を示している。図３２の右
側、左側に示すシ−ル材ＳＬは液晶層５０６を封止する
ように構成されており、液晶封入口（図示せず）を除く
ガラス基板１，５０８の縁全体に沿って形成されてい
る。シ−ル材は例えばエポキシ樹脂で形成されている。
配向制御膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２，保護膜２３カラ−フィ
ルタ保護膜５１１の各層はシ−ル材ＳＬの内側に形成さ
れる。偏光板５０５は一対のガラス基板１，５０８の外
側表面に形成されている。液晶層内の液晶分子５１３は
配向制御膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２によって所定の方向に配
向されており、バックライトＢＬからの光をソ−ス電極
１５とコモン電極１６の間の部分の液晶層で調節するこ
とによりカラ−画像の表示が可能となる。
【００４８】本発明の液晶表示装置は簡単な製造工程で
製造出来るのでコストを大幅に低減出来、安価な液晶表
示装置を提供することが可能となる。
製造出来るのでコストを大幅に低減出来、安価な液晶表
示装置を提供することが可能となる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば映
像信号電極とソ−ス電極のパタ−ンをホトエッチング工
程なしに形成出来るので製造工程を大幅に削減出来る。
透明画素電極を廃し基板面にほぼ平行な方向の電界によ
って液晶を駆動するようにしたので透明画素電極の形成
工程が不要となり製造工程を簡略化出来るとともに視角
特性を大幅に改善出来る。また、半導体膜とゲ−ト絶縁
膜の加工を一回のホトエッチング工程で加工できるの
で、簡略な製造工程により製造出来、製造コストを大幅
に低減出来る効果がある。
像信号電極とソ−ス電極のパタ−ンをホトエッチング工
程なしに形成出来るので製造工程を大幅に削減出来る。
透明画素電極を廃し基板面にほぼ平行な方向の電界によ
って液晶を駆動するようにしたので透明画素電極の形成
工程が不要となり製造工程を簡略化出来るとともに視角
特性を大幅に改善出来る。また、半導体膜とゲ−ト絶縁
膜の加工を一回のホトエッチング工程で加工できるの
で、簡略な製造工程により製造出来、製造コストを大幅
に低減出来る効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の単位画素の平面図。
【図２】本発明の第１の実施例の単位画素の断面図。
【図３】本発明の第１の実施例の配線交差部の断面図。
【図４】本発明の第１の実施例の配線交差部の断面図。
【図５】本発明の第２の実施例の単位画素の平面図。
【図６】本発明の第２の実施例の単位画素の断面図。
【図７】本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図８】本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図９】本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図１０】本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図１１】本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図１２】本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図１３】本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図１４】本発明の第３の実施例の単位画素の平面図。
【図１５】本発明の第３の実施例の単位画素の断面図。
【図１６】本発明の第３の実施例の動作原理を示す平面
図（電界無印加状態）。
図（電界無印加状態）。
【図１７】本発明の第３の実施例の動作原理を示す断面
図（電界無印加状態）。
図（電界無印加状態）。
【図１８】本発明の第３の実施例の動作原理を示す平面
図（電界印加状態）。
図（電界印加状態）。
【図１９】本発明の第３の実施例の動作原理を示す断面
図（電界印加状態）。
図（電界印加状態）。
【図２０】本発明の第４の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図２１】本発明の第４の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図２２】本発明の第４の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図２３】本発明の第４の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図２４】本発明の第４の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図２５】本発明の第４の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図２６】本発明の第５の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図２７】本発明の第５の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図２８】本発明の第５の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図２９】本発明の第５の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図３０】本発明の第５の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図３１】本発明の第５の実施例の製造工程を示す断面
図。
図。
【図３２】本発明にかかる液晶セルの断面図。
１…ガラス基板，１０…走査信号電極，１３…画素電
極，１４…映像信号電極，１５…ソ−ス電極，１６…コ
モン電極，２０…アルミナ膜，２１…ゲ−トＳｉＮ膜，
２２…第１の保護ＳｉＮ膜，２３…第２の保護ＳｉＮ
膜，３０…ａ−Ｓｉ膜，３１…ｎ型ａ−Ｓｉ層，ＯＲＩ
１，ＯＲＩ２…配向制御膜，５０８…対向ガラス基板，
５１３…液晶分子，５１０…対向電極，５０５…偏光
板，５０７…カラ−フィルタ−，５１１…カラ−フィル
タ−保護膜，５１２…ブラックマトリックス，ＢＬ…バ
ックライト，ＳＬ…シ−ル材
極，１４…映像信号電極，１５…ソ−ス電極，１６…コ
モン電極，２０…アルミナ膜，２１…ゲ−トＳｉＮ膜，
２２…第１の保護ＳｉＮ膜，２３…第２の保護ＳｉＮ
膜，３０…ａ−Ｓｉ膜，３１…ｎ型ａ−Ｓｉ層，ＯＲＩ
１，ＯＲＩ２…配向制御膜，５０８…対向ガラス基板，
５１３…液晶分子，５１０…対向電極，５０５…偏光
板，５０７…カラ−フィルタ−，５１１…カラ−フィル
タ−保護膜，５１２…ブラックマトリックス，ＢＬ…バ
ックライト，ＳＬ…シ−ル材
Claims (15)
- 【請求項１】基板上に形成された走査信号電極と、前記
走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極
と、前記走査信号電極と映像信号電極との交差部に形成
された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソ
−ス電極に接続された画素電極とからなり、前記画素電
極によって液晶を駆動する機能を有する液晶表示装置に
おいて、 前記薄膜トランジスタの能動領域を構成する半導体膜が
前記映像信号電極およびソ−ス電極まで延在し、前記能
動領域を除く半導体膜上に化学気相成長法によって形成
した金属膜を設けたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置
において、前記半導体膜のうち、前記能動領域の上に絶
縁膜を設けたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置
において、前記画素電極表面の大部分は絶縁膜で覆われ
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置
において、前記半導体膜の平面形状と、少なくとも前記
薄膜トランジスタのゲ−ト電極上に設けたゲ−ト絶縁膜
の平面形状がほぼ同一であることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項５】基板上に形成された走査信号電極と、前記
走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極
と、前記走査信号電極と映像信号電極との交差部に形成
された薄膜トランジスタと、前記基板上に前記薄膜トラ
ンジスタのソ−ス電極に対向するように形成されたコモ
ン電極とからなり、前記ソ−ス電極とコモン電極との間
に電圧を印加して液晶を駆動する機能を有する液晶表示
装置において、 前記薄膜トランジスタの能動領域を構成する半導体膜が
前記映像信号電極およびソ−ス電極まで延在し、前記能
動領域を除く半導体膜上に化学気相成長法によって形成
した金属膜を設けたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】特許請求の範囲第５項記載の液晶表示装置
において、前記コモン電極は半導体膜と前記半導体膜上
に化学気相成長法によって形成した金属膜とを有するこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】基板上に形成された走査信号電極と、前記
走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極
と、前記走査信号電極と映像信号電極との交差部に形成
された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソ
−ス電極に接続された画素電極とからなり、前記画素電
極によって液晶を駆動する機能を有する液晶表示装置に
おいて、 前記映像信号電極または走査信号電極は、透明導電膜と
その上に化学気相成長法によって形成した金属膜とを有
することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】特許請求の範囲第７項記載の液晶表示装置
において、前記透明導電膜は前記画素電極と同時に形成
されたものであることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】特許請求の範囲第１項，第５項または第７
項記載の液晶表示装置において、前記化学気相成長法に
よって形成された金属膜は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｃｕの金属またはこれら
の金属の珪素化物合金のうちの一つであることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項１０】基板上に形成された半導体膜または導電
膜上の所定の領域に絶縁膜を形成した後、前記半導体膜
または導電膜上の絶縁膜以外の部分に化学気相成長法に
より選択的に金属膜を形成する工程を具備することを特
徴とする薄膜半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】基板上に形成された走査信号電極と、前
記走査信号電極に交差するように形成された映像信号電
極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交差部に形
成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの
ソ−ス電極に接続された画素電極とからなり、前記画素
電極によって液晶を駆動する機能を有する液晶表示装置
の製造方法において、 前記薄膜トランジスタの能動領域を構成する半導体膜を
前記映像信号電極およびソ−ス電極まで延在して形成し
た後、前記能動領域を除く半導体膜上に化学気相成長法
によって金属膜を形成することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１２】基板上に形成された走査信号電極と、前
記走査信号電極に交差するように形成された映像信号電
極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交差部に形
成された薄膜トランジスタと、前記基板上に前記薄膜ト
ランジスタのソ−ス電極に対向するように形成されたコ
モン電極とからなり、前記ソ−ス電極とコモン電極との
間に電圧を印加して液晶を駆動する機能を有する液晶表
示装置の製造方法において、 前記薄膜トランジスタの能動領域を構成する半導体膜を
前記映像信号電極およびソ−ス電極まで延在して形成し
た後、前記能動領域を除く半導体膜上に化学気相成長法
によって金属膜を形成することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１３】特許請求の範囲第１１項または第１２項
記載の液晶表示装置の製造方法において、化学気相成長
法によって金属膜を形成する前に前記半導体膜上に所定
の絶縁膜パタ−ンを形成することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項１４】特許請求の範囲第１１項記載の液晶表示
装置の製造方法において、化学気相成長法によって金属
膜を形成する前に前記画素電極表面の少なくとも一部を
絶縁膜で覆うことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１５】基板上に形成された走査信号電極と、前
記走査信号電極に交差するように形成された映像信号電
極と、前記走査信号電極と映像信号電極との交差部に形
成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの
ソ−ス電極に接続された画素電極とからなり、前記画素
電極によって液晶を駆動する機能を有する液晶表示装置
の製造方法において、 前記映像信号電極または走査信号電極部、および画素電
極部に透明導電膜のパタ−ンを形成した後、前記透明導
電膜パタ−ンの上に化学気相成長法によって金属膜を形
成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18988393A JPH0743744A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18988393A JPH0743744A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0743744A true JPH0743744A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16248779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18988393A Pending JPH0743744A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743744A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5977562A (en) * | 1995-11-14 | 1999-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US6097465A (en) * | 1996-03-01 | 2000-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | In plane switching LCD with 3 electrode on bottom substrate and 1 on top substrate |
| US6160600A (en) * | 1995-11-17 | 2000-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Interlayer insulation of TFT LCD device having of silicon oxide and silicon nitride |
| US6243064B1 (en) | 1995-11-07 | 2001-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type liquid-crystal display unit and method of driving the same |
| US6911962B1 (en) | 1996-03-26 | 2005-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of active matrix display device |
| KR100499280B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2005-07-04 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
| US6975374B2 (en) | 1999-06-18 | 2005-12-13 | Hitachi, Ltd. | Lateral electric-field liquid crystal display device suitable for improvement of aperture ratio |
| JP2012104639A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法 |
| US8894524B2 (en) | 2007-01-31 | 2014-11-25 | Jtekt Corporation | Power transmission chain and power transmission system including the same chain |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP18988393A patent/JPH0743744A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8027005B2 (en) | 1996-12-18 | 2011-09-27 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display having a pixel region with a source electrode of at least a high-melting-point metal layer |
| US8358394B2 (en) | 1996-12-18 | 2013-01-22 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display |
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