KR970007452A - 트랜지스터매트릭스장치 및 그 구동방법 - Google Patents

트랜지스터매트릭스장치 및 그 구동방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970007452A
KR970007452A KR1019960005805A KR19960005805A KR970007452A KR 970007452 A KR970007452 A KR 970007452A KR 1019960005805 A KR1019960005805 A KR 1019960005805A KR 19960005805 A KR19960005805 A KR 19960005805A KR 970007452 A KR970007452 A KR 970007452A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel electrode
row
electrode
liquid crystal
pixel
Prior art date
Application number
KR1019960005805A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100235546B1 (ko
Inventor
쓰요시 가마다
요지 나가세
가쓰시게 아사다
Original Assignee
세키사와 다다시
후지쓰 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키사와 다다시, 후지쓰 가부시키가이샤 filed Critical 세키사와 다다시
Publication of KR970007452A publication Critical patent/KR970007452A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100235546B1 publication Critical patent/KR100235546B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

큰 용량치의 보조용량을 형성할 수가 있고, 제조상의 수율을 악화 시키는 일이 없는 박막트랜지스터매트릭스 장치를 제공한다.
게이트버스라인 16n, 16n+1, 16n+2,…드레인버스라인 18m, 18m+1,…이 평행으로 복수개의 설치되어 있다. 박막트랜지스터 14는, 보조패턴30n, 30n+1, 30n+2,…의 하단근방에 설치되어 있다. 박막트랜지스터14의 소스전극36은 콘택트홀 38을 통하여 화소전극12에 접속되어 있다. 화소전극12는, 다음 열의 게이트버스라인 16n, 16n+1, 16n+2,…를 넘은 위치에 형성되어 있다. 화소전극12의 하단에는, 보조용량Cs를 형성하기 위한 중간전극40이 형성되어 있다.

Description

트랜지스터매트릭스장치 및 그 구동방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시형태에 의한 박막트랜지스터매트릭스장치의 패턴레이아웃을 표시한 도, 제2도는 실시형태에 의한 박막트랜지스터매트릭스장치의 단면도, 제3도는 본 발명의 제1의 실시형태에 의한 박막트랜지스터매트릭스장치의 등가회로를 표시하는 도.

Claims (28)

  1. 투명절연기판과 상기 투명절연기판상에 매트릭스상으로 배치된 복수의 화소전극과, 상기 복수의 화소전극에 각각 설치되고, 각 화소전극을 스위칭하는 복수의 트랜지스터와, 상기 트랜지스터장치에 있어서, 제 7 번째의 게이트버스라인에 상기 트랜지스터를 통하여 접속된 n번째의 행의 화소전극이 적극 일부의 영역이, 상기 n째의 게이트버스라인에 인접하는 n+1번째의 게이트버스라인과, 상기 n+1번째의 게이트버스라인에 인접하는 n+2번째의 게이트버스라인과의 사이에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 n번째의 행의 화소전극이 상기 n+1번째의 게이트버스라인과 상기 제 n+2번째의 게이트버스라인의 사이의 영역에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제 n번째의 해의 화소전극과 상기 n+1번째의 게이트버스라인과의 사이에 설치하는 제1의 보조용량을 더 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 n번째의 행의 화소 전극과 상기 n/2번째의 게이트버스라인과의 사이에 설치된 제2의 보조용량을 더 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2의 보조용량의 용량치를 상기 제1의 보조용량의 용량치보다 큰 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1의 보조용량의 용량치가 상기 제2의 보조용량의 용량치보다 큰 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 화소전극과 상기 게이트버스라인과의 사이에 설치되고, 상기 화소전극에 접속된 중간전극을 더 가지고, 상기 중간전극과 상기 게이트버스라인과의 사이에 상기 제1의 보조용량 또는 상기 제2의 보조용량이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  8. 제3항에 있어서, 상기 트랜지스터의 소스와 상기 화소전극과의 사이에 설치되고, 상기 소스와 상기 화소전극과를 접속하는 소스전극을 더 가지고, 상기 소스전극과 상기 게이트버스라인과의 사이에 상기 제1의 보조용량이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 소스전극에 의하여, 상기 화소전극과 상기 게이트버스라인과의 사이의 틈을 차광하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제n번째의 행의 화소전극 또는 화소전극에 접속된 전극과, 상기 n+1번째의 행의 화소전극 또는 화소전극에 접속된 전극이, 5㎛이상으로 접근하고 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제n번째의 행의 화소전극과, 상기 n번째의 행의 화소전극에 인접하는 제1번째의 행의 화소전극과 사이의 틈을 각각 차광하는 복수의 차광막을 더 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제n번째의 행의 화소전극과 상기 n+1번째의 행의 화소전극과의 사이의 틈을 차광하는 제n번째의 차광막이, 상기 제n+2번째의 게이트버스라인에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 복수의 게이트버스라인이 사이에 설치된 복수의 용량버스라인과, 상기 화소전극과 상기 용량버스라인과의 사이에 설치된 제3의 보조용량을 더 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  14. 제13항에 있어서, 제n번째의 행의 화소전극과, 제n+1번째의 행의 화소전극과의 사이의 틈을 제n+1번째의 용량버스라인에서 차광하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 화소전극에 접속되고, 상기 용량버스라인과의 사이에서 상기 제3의 보조용량을 형성하는 중간전극을 더 가지고, 제n번째의 행의 화소전극과, 제n+1번째의 행의 화소전극과의 사이의 틈을, 상기 중간전극에 의하여 차광하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 게이트버스라인 상기 용량버스라인에서 상기 드레인버스라인에 따라 뻗고, 상기 화소전극과 상기 드레인버스라인의 사이의 틈을 차광하는 패턴을 더 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  17. 투명절연기판과, 상기 투명절연기판에 매트릭스상으로 배치된 복수의 화소전극과, 상기 복수의 화소전극에 각각 설치되고, 명 화소전극을 스위칭하는 복수의 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 게이트를 공통접속하는 복수의 게이트라인과, 상기 트랜지스터의 드라이버를 공통접속하는 복수의 드레인버스라인을 가지는 트랜지스터매트릭스장치에 있어서, 상기 게이트버스라인은 인접하는 2개의 행의 화소전극 또는 상기 화소전극에 접속된 전극의 연부와 각각 겹쳐져 있고, 한쪽의 행의 상기 화소전극 또는 전극과 겹치는 폭을 다른쪽의 행의 상기 화소전극 또는 전극과 겹치는 폭보다 크게하여, 상기 한쪽의 행의 상기 화소전극 또는 전극의 연부근방에 생기는 액정의 반정경계를 차단하는 것으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  18. 제1항에 있어서, 상기 게이트버스라인은, 인접하는 2개의 행의 화소전극 또는 상기 화소전극에 접속된 전극의 여부와 각각 겹쳐져 있고, 한쪽의 행의 상기 화소전극 또는 전극과 겹치는 폭을 다른쪽의 행의 상기 화소전극 또는 전극과 겹치는 폭보다 크게하여, 상기 한쪽의 행의 상기 화소전극 또는 전극의 연부근방에 생기는 액정의 반전경계는 차단하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 액정의 배향은, 상기 화소전극 또는 전극에서의 상기 게이트버스라인과 겹치는 폭이 상대적으로 큰 연부에서, 상기 게이트버스라인과 겹치는 폭이 상대적으로 작은 연부에 향하는 방향의 구분을 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  20. 제1항 내지 제19항 어느 한 항에 있어서, 상기 화소전극은, 하나의 컬러화소를 구성하는 3개의 부화소의 화소전극인 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 컬러화소를 구성하는 3개의 부화소는 3각형의 3개의 정점에 각각 위치하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  22. 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 트랜지스터는 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치.
  23. 제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 기재한 트랜지스터매트릭스장치와, 상기 트랜지스터매트릭스장치에 대향하여, 배치된 대향기판과, 상기 트랜지스터매트릭스장치와 상기 대향기판사이에 끼워진 액정을 가지는 것을 특징으로 하는 액정판넬.
  24. 제23항에 있어서, 상기 제n번째의 게이트버스라인과 상기 제n번째의 차광막과 상기 제n+1번째의 게이트버스라인과의 사이의 제2의 영역에 대응하는 액정의 배향방향이 다른것을 특징으로 하는 액정판넬.
  25. 제23항 또는 제24항 기재의 액정판넬과, 상기 액정판넬을 구동하는 구동회로와, 상기 액정판넬과 상기 구동회로를 접속하는 접속배선을 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시유니트.
  26. 투명절연기판과, 상기 투명절연기판에 매트릭스상으로 배치된 복수의 화소전극과, 상기 복수의 화소전극에 각각 설치되고, 명 화소전극을 스위칭하는 복수의 트랜지스터와 상기 트랜지스터의 게이트를 공통접속하는 복수의 게이트버스라인과, 상기 트랜지스터의 드레인을 공통접속하는 복수의 트랜지스터버스라인을 가지는 트랜지스터매트릭스장치를 구동하는 트랜지스터매트릭스장치의 구동방법에 있어서, 제n번째 행의 화소전극과, 제n+2번째의 행의 화소전극을, 서로 극성이 반대로 되도록 구동하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치의 구동방법.
  27. 제26항에 있어서, 표시화소의 제1의 프레임에서는, 제n번째의 행의 화소전극과, 제n+2번째의 행의 화소전극을 서로극성이 반대로 되도록 구동하고, 표시화소의 제2의 프레임에서는, 제n+1번째의 행의 화소전극과, 제n+3번째의 행의 화소전극을, 서로 극성이 반대가 되도록 구동하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치의 구동방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 제n번째의 행의 화소전극의 극성과, 상기 제n+1번째의 행의 화소전극의 극성이 서로 반대로 되도록 구동하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터매트릭스장치의 구동방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960005805A 1995-07-24 1996-03-06 트랜지스터 매트릭스장치 및 그 구동방법 KR100235546B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18747795 1995-07-24
JP95-187477 1995-07-24
JP96-17526 1996-02-02
JP01752696A JP3688786B2 (ja) 1995-07-24 1996-02-02 トランジスタマトリクス装置
JP95-17526 1996-02-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970007452A true KR970007452A (ko) 1997-02-21
KR100235546B1 KR100235546B1 (ko) 1999-12-15

Family

ID=26354069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960005805A KR100235546B1 (ko) 1995-07-24 1996-03-06 트랜지스터 매트릭스장치 및 그 구동방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5946058A (ko)
JP (1) JP3688786B2 (ko)
KR (1) KR100235546B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100669077B1 (ko) * 1998-05-21 2007-05-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 액티브패널의 구조 및 그 제조방법

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3866783B2 (ja) * 1995-07-25 2007-01-10 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP3634061B2 (ja) * 1996-04-01 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR100247493B1 (ko) * 1996-10-18 2000-03-15 구본준, 론 위라하디락사 액티브매트릭스기판의 구조
JPH10221704A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
KR100260359B1 (ko) * 1997-04-18 2000-07-01 김영환 액정 표시 장치 및 그 제조방법
JP3349935B2 (ja) * 1997-12-05 2002-11-25 アルプス電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
TW559683B (en) * 1998-09-21 2003-11-01 Advanced Display Kk Liquid display device and manufacturing process therefor
KR100635941B1 (ko) * 1999-11-05 2006-10-18 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TW500937B (en) 1999-07-13 2002-09-01 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display
KR100612991B1 (ko) * 1999-07-13 2006-08-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TW526355B (en) * 1999-07-14 2003-04-01 Sanyo Electric Co Reflection type liquid crystal display device
JP4521903B2 (ja) * 1999-09-30 2010-08-11 ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド 液晶表示装置
JP3884625B2 (ja) * 2001-03-14 2007-02-21 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその欠陥修復方法
JP2002296618A (ja) * 2001-03-29 2002-10-09 Nec Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP4031291B2 (ja) * 2001-11-14 2008-01-09 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP4008716B2 (ja) 2002-02-06 2007-11-14 シャープ株式会社 フラットパネル表示装置およびその製造方法
TW588182B (en) * 2002-06-07 2004-05-21 Hannstar Display Corp Pixel electrode for a liquid crystal display with a high aperture ratio
KR100737702B1 (ko) * 2002-10-16 2007-07-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
CN100451784C (zh) * 2004-01-29 2009-01-14 夏普株式会社 显示装置
JP4276965B2 (ja) 2004-02-04 2009-06-10 シャープ株式会社 表示装置
TWI292076B (en) * 2004-12-24 2008-01-01 Au Optronics Corp Pixel structure and thin film transistor and fabricating methods thereof
KR20070031620A (ko) 2005-09-15 2007-03-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWI283073B (en) * 2005-12-14 2007-06-21 Au Optronics Corp LCD device and fabricating method thereof
RU2457524C2 (ru) * 2008-04-22 2012-07-27 Шарп Кабусики Кайся Жидкокристаллический дисплей
WO2011039903A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN102681268A (zh) * 2012-05-04 2012-09-19 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构及相应的液晶显示装置
US11442318B2 (en) 2016-02-02 2022-09-13 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
CN105572996B (zh) 2016-02-02 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅极阵列基板及显示装置
US11906864B2 (en) 2016-02-02 2024-02-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6211829A (ja) * 1985-03-28 1987-01-20 Toshiba Corp アクテイブマトリツクス形液晶表示装置
FR2662290B1 (fr) * 1990-05-15 1992-07-24 France Telecom Procede de realisation d'un ecran d'affichage a matrice active et a condensateurs de stockage et ecran obtenu par ce procede.
JP3150365B2 (ja) * 1991-07-22 2001-03-26 株式会社東芝 液晶表示装置
JP2938232B2 (ja) * 1991-07-25 1999-08-23 キヤノン株式会社 強誘電性液晶表示デバイス
US5576857A (en) * 1992-04-02 1996-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with transistors and capacitors method of driving the same
JP2814161B2 (ja) * 1992-04-28 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置およびその駆動方法
EP0592063A3 (en) * 1992-09-14 1994-07-13 Toshiba Kk Active matrix liquid crystal display device
JP3529153B2 (ja) * 1993-03-04 2004-05-24 三星電子株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JPH06347824A (ja) * 1993-06-07 1994-12-22 Fujitsu Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法
US5682211A (en) * 1994-04-28 1997-10-28 Xerox Corporation Integrated dark matrix for an active matrix liquid crystal display with pixel electrodes overlapping gate data lines
TW344901B (en) * 1995-02-15 1998-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Active matrix display device
JPH09113931A (ja) * 1995-10-16 1997-05-02 Sharp Corp 液晶表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100669077B1 (ko) * 1998-05-21 2007-05-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 액티브패널의 구조 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0996839A (ja) 1997-04-08
JP3688786B2 (ja) 2005-08-31
US5946058A (en) 1999-08-31
KR100235546B1 (ko) 1999-12-15
US6011600A (en) 2000-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970007452A (ko) 트랜지스터매트릭스장치 및 그 구동방법
US5331447A (en) TFT active matrix liquid crystal display devices with plural TFTs in parallel per pixel
KR980004297A (ko) 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널 및 그것을 위한 배선설계 방법
KR960042171A (ko) 액정 전기광학 장치
KR920018512A (ko) 액정표시장치
KR970011973A (ko) 델타배치의 3원색화소를 지닌 인플레인전계방식의 액정표시소자
KR950001377A (ko) 액정 표시 장치
WO2006098176A1 (ja) アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置
KR910018836A (ko) 액티브매트릭스 표시장치
US5457553A (en) Thin-film transistor panel with reduced number of capacitor lines
KR930022127A (ko) 액정표시장치
KR930703625A (ko) 계조액정 표시패널
JP3205155B2 (ja) 液晶表示装置
KR970002412A (ko) 액정표시장치
KR950703753A (ko) 액티브 매트릭스형 표시소자
JPH06281959A (ja) アクティブマトリックス液晶表示装置
KR19980087020A (ko) 액티브매트릭스형 액정표시장치
US9558697B2 (en) Display device driving sub-pixels of a plurality of colors
US20230400941A1 (en) Display device
KR970022460A (ko) 액정표시장치
KR950029822A (ko) 액정 표시 장치
JP2001330832A (ja) 液晶表示装置
KR20090043750A (ko) 액정표시장치
KR19990003282A (ko) 평면 구동 방식의 액정 표시 장치용 기판
KR20070080143A (ko) 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120907

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee