CN102681268A - 像素结构及相应的液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种像素结构及相应的液晶显示装置,该像素结构包括数据线、扫描线以及像素电极,该像素电极包括横跨与像素电极相邻的扫描线的横跨部。本发明的像素结构及相应的液晶显示装置开口率高、制作稳定性好,解决了现有的像素结构及相应的液晶显示装置开口率低或制作稳定性差的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,特别是涉及一种开口率高、制作稳定性好的像素结构及相应的液晶显示装置。
背景技术
现在的液晶显示面板的面板尺寸越做越大,同时使用者对液晶显示面板的广视角、低能耗等要求也越来越高,促进了液晶显示面板的像素结构设计的多样化发展。
在液晶显示面板的每个像素结构中,均设置有存储电容,存储电容用于保持驱动液晶分子转动的电压。存储电容的电容值应根据像素的大小进行设计,如存储电容太小,则无法保持住上述的驱动电压,造成显示画面的闪烁;如存储电容太大,则会增加不必要的充电时间或在固定时间内无法充饱存储电容,影响液晶分子的转动速度或转动角度。
请参照图1,图1为一种现有技术的像素结构的结构示意图,该像素结构包括数据线11、扫描线12、薄膜场效应晶体管13、像素电极14、位于有色层(CF,Color filter)的上板公共电极(图中未示出)以及位于阵列层(TFT,Thin Film Transistor)的下板公共电极15。该像素结构的存储电容主要是由下板公共电极15与像素电极14构成。但使用该像素结构时,由于下板公共电极15一般为不透光的金属电极,从而大大影响该像素结构的开口率。
请参照图2,图2为另一种现有技术的像素结构的结构示意图,该像素结构也包括数据线21、扫描线22、薄膜场效应晶体管23、像素电极24以及位于有色层的上板公共电极(图中未示出)。相比上一种像素结构,这种像素结构将位于阵列层的下板公共电极去除,同时将像素电极24向扫描线22的方向延伸并局部覆盖其中一扫描线22,由像素电极24与扫描线22之间构成的电容作为该像素结构的存储电容。这种像素结构可以避免存储电容对像素结构的开口率的影响。但制作该像素结构时,存储电容由像素电极24与扫描线22的重叠区域来确定,对于像素电极24的制程要求较高,如像素电极24的曝光制程的精度较低会较大的影响存储电容的电容值,进而影响相应液晶显示装置的显示品质。
故,有必要提供一种像素结构及相应的液晶显示装置,以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型的像素结构以及相应的液晶显示装置,该像素结构开口率高、制作稳定性好,以解决现有的像素结构及相应的液晶显示装置开口率低或制作稳定性差的技术问题。
本发明涉及一种像素结构,其中包括数据线;扫描线,与所述数据线交错形成像素区;以及像素电极,设置在所述像素区内,包括第一侧边及从所述第一侧边延伸出的横跨部,所述第一侧边邻近一扫描线,所述横跨部绝缘地横跨所述扫描线。
在本发明所述像素结构中,所述横跨部的宽度小于所述第一侧边的长度。
在本发明所述像素结构中,所述像素电极还包括具有相对于所述第一侧边的第二侧边以及设置于所述第二侧边的缺口部。
在本发明所述像素结构中,所述横跨部的形状为矩形、三角形或阶梯形。
在本发明所述像素结构中,所述像素电极的缺口部的形状对应所述横跨部的形状。
本发明还涉及一种液晶显示装置,其中包括多个像素结构,每个像素结构包括:数据线;扫描线,与所述数据线交错形成像素区;以及像素电极,设置在所述像素区内,包括第一侧边及从所述第一侧边延伸出的横跨部,所述第一侧边邻近一扫描线,所述横跨部绝缘地横跨所述扫描线;以及驱动模块,用于驱动所述像素结构。
在本发明所述的液晶显示装置中所述横跨部的宽度小于所述第一侧边的长度。
在本发明所述的液晶显示装置中,所述像素电极还包括具有相对于所述第一侧边的第二侧边以及设置于所述第二侧边的缺口部。
在本发明所述的液晶显示装置中,所述横跨部的形状为矩形、三角形或阶梯形。
在本发明所述的液晶显示装置中,所述像素电极的缺口部的形状对应所述横跨部的形状。
本发明的像素结构及相应的液晶显示器通过设置横跨扫描线的横跨部来形成存储电容,提高了像素结构的开口率,并且该像素结构的制作稳定性好,解决了现有的像素结构及相应的液晶显示装置开口率低或制作稳定性差的技术问题。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1为一种现有技术的像素结构的结构示意图;
图2为另一种现有技术的像素结构的结构示意图;
图3为本发明的像素结构的一优选实施例的结构示意图;
图4为本发明的像素结构的另一优选实施例的结构示意图;
图5A~图5F为本发明的像素结构的横跨部的形状示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图3,图3为本发明的像素结构的一优选实施例的结构示意图。该像素结构包括数据线31、扫描线32、薄膜场效应晶体管33以及像素电极34,数据线31用于传输灰度信号;扫描线32用于传输扫描信号,与数据线31交错形成像素区;薄膜场效应晶体管33包括源极、栅极以及漏极,其中源极与数据线31连接,栅极与扫描线32连接,漏极与像素电极34连接;像素电极34用于根据灰度信号驱动像素,其设置在上述的像素区内,包括至少一个从第一侧边延伸出的横跨部341以及设置在第二侧边上相应的缺口部342,像素电极的第一侧边邻近一扫描线(该扫描线用于给相邻的像素电极提供扫描信号),第二侧边相对于第一侧边设置。该横跨部341绝缘地横跨像素电极34相邻的扫描线32,缺口部342的形状与相邻像素电极34的横跨部341的形状相对应,使得相邻的像素电极34不会相互影响。如图3所示,横跨部341只在扫描线32的宽度方向上横跨了部分扫描线32,并没有在扫描线32的长度方向上完全覆盖扫描线32,即横跨部341的宽度小于第一侧边的长度,使得横跨部341部分覆盖被横跨的扫描线32。
由于横跨部341与扫描线32具有重叠区域,该重叠区域的横跨部341和扫描线32构成相应的存储电容,存储电容的大小与该重叠区域的面积有关。因此横跨部341的具体大小和形状可根据预设的存储电容的大小确定,如需要的存储电容较大,则将该重叠区域的面积设计的较大;如需要的存储电容较小,则将该重叠区域的面积设计的较小。横跨部341可根据实际需要设计成各种形状,优选为矩形、三角形或阶梯型,这些形状均较为简单,利于像素电极34的制作,如图4所示即为采用三角形形状的横跨部341的像素结构的结构示意图。同时横跨部341也可设计成如图5A至图5F中所示的多种形状,其中图5A中的横跨部341a的形状为五边形,图5B中的横跨部341b的形状为六边形,图5C中的横跨部341c的形状为半圆形,图5D中的横跨部341d的形状为U字形,图5E中的横跨部341e的形状为Y字形,图5F中的横跨部341f的形状为十字形。需要提醒的是,横跨部341的形状包括但不仅限于上述的各种形状,采用其他形状的横跨部341实施本发明的像素结构均属于本发明的保护范围。本发明像素结构的每个像素电极34的横跨部341优选为相同的形状,这样利于像素电极34的制作以及液晶显示装置的均匀显示。
本发明的像素结构使用时,像素结构的存储电容主要是由扫描线32与像素电极34的横跨部341构成的电容,这样对像素结构的开口率不会产生影响,进而不会影响显示画面的亮度。同时制作本发明的像素结构时,由于像素电极34的横跨部341在扫描线32的宽度方向横跨部分扫描线32,因此横跨部341与扫描线32之间的相对位置偏移(由曝光制程的精度原因造成的),对横跨部341与扫描线32的重叠区域的面积影响很小或没有影响(如矩形的横跨部341),从而对存储电容的电容值影响很小或没有影响。
本发明还涉及一种液晶显示装置,其中包括多个像素结构以及驱动模块,该驱动模块用于驱动像素结构。像素结构包括数据线、扫描线、像素电极以及薄膜场效应晶体管,数据线用于传输灰度信号;扫描线用于传输扫描信号,与数据线31交错形成像素区;薄膜场效应晶体管包括源极、栅极以及漏极,其中源极与数据线连接,栅极与扫描线连接,漏极与像素电极连接;像素电极用于根据灰度信号驱动像素,其包括至少一个从第一侧边延伸出的横跨部以及设置在第二侧边上相应的缺口部,像素电极的第一侧边邻近一扫描线,第二侧边相对于第一侧边设置。该横跨部绝缘地横跨像素电极相邻的扫描线,缺口部的形状与相邻像素电极的横跨部的形状相对应,使得相邻的像素电极不会相互影响。横跨部只在扫描线的宽度方向上横跨了部分扫描线,并没有在扫描线的长度方向上完全覆盖扫描线,即横跨部的宽度小于第一侧边的长度,使得横跨部部分覆盖被横跨的扫描线。横跨部与扫描线的重叠区域的面积根据预设的存储电容的大小进行确定。横跨部可根据实际需要设计成各种形状,优选为矩形、三角形或阶梯型。本发明的液晶显示装置的具体实施方式和有益效果,与上述的像素结构的具体实施例中所述相同或相似,具体可参见上述像素结构的具体实施例。
本发明的像素结构及相应的液晶显示装置通过设置横跨扫描线的横跨部来形成存储电容,提高了像素结构的开口率,并且该像素结构的制作稳定性好,解决了现有的像素结构及相应的液晶显示装置开口率低或制作稳定性差的技术问题。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
数据线;
扫描线,与所述数据线交错形成像素区;以及
像素电极,设置在所述像素区内,包括第一侧边及从所述第一侧边延伸出的横跨部,所述第一侧边邻近一扫描线,所述横跨部绝缘地横跨所述扫描线。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述横跨部的宽度小于所述第一侧边的长度。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素电极还包括具有相对于所述第一侧边的第二侧边以及设置于所述第二侧边的缺口部。
4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述横跨部的形状为矩形、三角形或阶梯形。
5.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述缺口部的形状对应所述横跨部的形状。
6.一种液晶显示装置,其特征在于,包括:
多个像素结构,每个像素结构包括:
数据线;
扫描线,与所述数据线交错形成像素区;以及
像素电极,设置在所述像素区内,包括第一侧边及从所述第一侧边延伸出的横跨部,所述第一侧边邻近一扫描线,所述横跨部绝缘地横跨所述扫描线;以及
驱动模块,用于驱动所述像素结构。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,所述横跨部的宽度小于所述第一侧边的长度。
8.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,所述像素电极还包括具有相对于所述第一侧边的第二侧边以及设置于所述第二侧边的缺口部。
9.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,所述横跨部的形状为矩形、三角形或阶梯形。
10.根据权利要求8所述的液晶显示装置,其特征在于,所述缺口部的形状对应所述横跨部的形状。
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