JPH06347824A - アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法Info
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- JPH06347824A JPH06347824A JP13552993A JP13552993A JPH06347824A JP H06347824 A JPH06347824 A JP H06347824A JP 13552993 A JP13552993 A JP 13552993A JP 13552993 A JP13552993 A JP 13552993A JP H06347824 A JPH06347824 A JP H06347824A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクティブマトリクス型液晶表示装置とその
駆動方法に関し、画素の実効的開口率を拡大し、バック
ライトの輝度を下げ、消費電力を低減して電池によって
長時間駆動することを可能にする。 【構成】 ソース電極２、ドレイン電極３、ゲート電極
４からなるＴＦＴ５等の非線形素子を有するアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、画素電極１以外の
部分からの漏れ光を遮光するブラックマトリクス８の開
口の少なくとも一部を、画素電極１の外周よりも外側に
位置させ、画素電極１、データバスライン７、または、
ゲートバスライン６に印加される電圧による電界の漏れ
効果を利用して実効的画素を拡大し、同時に電圧を印加
しないときの開口率を大きくして、液晶表示のコントラ
ストを改善する。帰線消去期間にデータバスライン７に
電圧を印加し、データバスライン７に保持される電圧に
よる電界の漏れ効果を利用する。
駆動方法に関し、画素の実効的開口率を拡大し、バック
ライトの輝度を下げ、消費電力を低減して電池によって
長時間駆動することを可能にする。 【構成】 ソース電極２、ドレイン電極３、ゲート電極
４からなるＴＦＴ５等の非線形素子を有するアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、画素電極１以外の
部分からの漏れ光を遮光するブラックマトリクス８の開
口の少なくとも一部を、画素電極１の外周よりも外側に
位置させ、画素電極１、データバスライン７、または、
ゲートバスライン６に印加される電圧による電界の漏れ
効果を利用して実効的画素を拡大し、同時に電圧を印加
しないときの開口率を大きくして、液晶表示のコントラ
ストを改善する。帰線消去期間にデータバスライン７に
電圧を印加し、データバスライン７に保持される電圧に
よる電界の漏れ効果を利用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）等の非線形素子を有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置とその駆動方法に関する。
ＦＴ）等の非線形素子を有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置とその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＴＦＴ等の非線形素子を有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置は、高画質が得
られるため、コンピュータ端末装置、パソコン、ＴＶ等
の表示装置として用いられている。
るアクティブマトリクス型液晶表示装置は、高画質が得
られるため、コンピュータ端末装置、パソコン、ＴＶ等
の表示装置として用いられている。
【０００３】図９は、従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の説明図である。この図において、５１は画
素電極、５２はソース電極、５３はドレイン電極、５４
はゲート電極、５５はＴＦＴ、５６はゲートバスライ
ン、５７はデータバスラインである。
晶表示装置の説明図である。この図において、５１は画
素電極、５２はソース電極、５３はドレイン電極、５４
はゲート電極、５５はＴＦＴ、５６はゲートバスライ
ン、５７はデータバスラインである。
【０００４】この従来のアクティブマトリクス型液晶表
示装置においては、液晶表示セルの光透過率をオン・オ
フして表示を行う画素電極５１の他に、この画素電極５
１の電圧を制御するための、ソース電極５２、ドレイン
電極５３、ゲート電極５４からなるＴＦＴ５５、このＴ
ＦＴ５５を制御するゲートバスライン５６、データバス
ライン５７等が必要であるため、液晶表示に直接的に寄
与する画素電極５１の面積は全体の面積の５０〜６０％
にとどまっている。
示装置においては、液晶表示セルの光透過率をオン・オ
フして表示を行う画素電極５１の他に、この画素電極５
１の電圧を制御するための、ソース電極５２、ドレイン
電極５３、ゲート電極５４からなるＴＦＴ５５、このＴ
ＦＴ５５を制御するゲートバスライン５６、データバス
ライン５７等が必要であるため、液晶表示に直接的に寄
与する画素電極５１の面積は全体の面積の５０〜６０％
にとどまっている。
【０００５】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
では、光透過率をオン・オフして所期の表示を行う画素
電極５１以外の部分からは様々な漏れ光が発生する。こ
の漏れ光は、画素電極５１に印加する電圧によって画素
電極５１の周辺に発生する電界に起因し、表示モード、
すなわち、画素電極５１に電圧を印加しないとき明状態
であり、画素電極に電圧を印加したとき暗状態になるノ
ーマリホワイト（ＮＷ）と、これとは逆に、画素電極５
１に電圧を印加しないとき暗状態であり、画素電極に電
圧を印加したとき明状態になるノーマリブラック（Ｎ
Ｂ）では異なるが、その漏れ光の発生原因を整理すると
下記のようになる。
では、光透過率をオン・オフして所期の表示を行う画素
電極５１以外の部分からは様々な漏れ光が発生する。こ
の漏れ光は、画素電極５１に印加する電圧によって画素
電極５１の周辺に発生する電界に起因し、表示モード、
すなわち、画素電極５１に電圧を印加しないとき明状態
であり、画素電極に電圧を印加したとき暗状態になるノ
ーマリホワイト（ＮＷ）と、これとは逆に、画素電極５
１に電圧を印加しないとき暗状態であり、画素電極に電
圧を印加したとき明状態になるノーマリブラック（Ｎ
Ｂ）では異なるが、その漏れ光の発生原因を整理すると
下記のようになる。
【０００６】 ゲートバスラインの電圧による漏れ光
の発生 図１０は、ゲートバスラインの電圧により発生する漏れ
光説明図であり、（Ａ）は断面を、（Ｂ）は平面を示し
ている。この図における符号は、５８がＴＦＴ基板、５
９が絶縁膜、６０が液晶、６１が対向電極、６２が対向
基板、６３がゲートバスラインの電圧により発生する漏
れ光であるほかは図９の符号と同様である。このアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置においては、ＴＦＴ基板
５８の上に、ゲートバスライン５６が形成され、その上
に絶縁膜５９が形成され、このＴＦＴ基板５８と、対向
電極６１が形成された対向基板６２との間に液晶６０が
充填されている。
の発生 図１０は、ゲートバスラインの電圧により発生する漏れ
光説明図であり、（Ａ）は断面を、（Ｂ）は平面を示し
ている。この図における符号は、５８がＴＦＴ基板、５
９が絶縁膜、６０が液晶、６１が対向電極、６２が対向
基板、６３がゲートバスラインの電圧により発生する漏
れ光であるほかは図９の符号と同様である。このアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置においては、ＴＦＴ基板
５８の上に、ゲートバスライン５６が形成され、その上
に絶縁膜５９が形成され、このＴＦＴ基板５８と、対向
電極６１が形成された対向基板６２との間に液晶６０が
充填されている。
【０００７】その平面形状は、前述と同様に、光透過率
をオン・オフして液晶表示を行う画素電極５１の電圧
を、ソース電極５２とドレイン電極５３とゲート電極５
４からなるＴＦＴ５５によって制御し、このＴＦＴ５５
のゲート電極５４の電圧をゲートバスライン５６によっ
て与え、ドレイン電極５３のデータ電圧をデータバスラ
イン５７によって選択的に与えるようになっている。
をオン・オフして液晶表示を行う画素電極５１の電圧
を、ソース電極５２とドレイン電極５３とゲート電極５
４からなるＴＦＴ５５によって制御し、このＴＦＴ５５
のゲート電極５４の電圧をゲートバスライン５６によっ
て与え、ドレイン電極５３のデータ電圧をデータバスラ
イン５７によって選択的に与えるようになっている。
【０００８】このゲートバスライン５６には、薄膜トラ
ンジスタ５５を駆動するために通常−１０〜１５Ｖ程度
の直流電圧が印加されるが、この電圧の印加によって、
ゲートバスライン５６と画素電極５１の対向電極６１の
間に電界が発生するため、その間にある液晶６０が反応
することになる。しかし、このときゲートバスライン５
６に印加したことによって生じる電界は、ゲートバスラ
イン５６の直上だけでなく、その周辺にも拡がるために
ゲートバスライン５６の近傍の液晶も反応して漏れ光６
３を生じる。
ンジスタ５５を駆動するために通常−１０〜１５Ｖ程度
の直流電圧が印加されるが、この電圧の印加によって、
ゲートバスライン５６と画素電極５１の対向電極６１の
間に電界が発生するため、その間にある液晶６０が反応
することになる。しかし、このときゲートバスライン５
６に印加したことによって生じる電界は、ゲートバスラ
イン５６の直上だけでなく、その周辺にも拡がるために
ゲートバスライン５６の近傍の液晶も反応して漏れ光６
３を生じる。
【０００９】この拡がりは印加電圧、液晶の厚さ、液晶
の反応しきい値等によっても変化するがおおよそ５〜１
５μｍとなる。このゲートバスライン５６の電圧による
液晶の反応は、上記のように液晶表示装置の表示モード
がノーマリブラックのときは明状態になり、逆に液晶表
示装置の表示モードがノーマリホワイトのときは暗状態
になる。
の反応しきい値等によっても変化するがおおよそ５〜１
５μｍとなる。このゲートバスライン５６の電圧による
液晶の反応は、上記のように液晶表示装置の表示モード
がノーマリブラックのときは明状態になり、逆に液晶表
示装置の表示モードがノーマリホワイトのときは暗状態
になる。
【００１０】 データバスラインの電圧による漏れ光
の発生 図１１は、データバスラインの電圧によって発生する漏
れ光説明図である。この図における符号は、６４がデー
タバスラインの電圧により発生する漏れ光であるほかは
図９の符号と同様であり、その構造、動作も図９のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置と同様である。
の発生 図１１は、データバスラインの電圧によって発生する漏
れ光説明図である。この図における符号は、６４がデー
タバスラインの電圧により発生する漏れ光であるほかは
図９の符号と同様であり、その構造、動作も図９のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置と同様である。
【００１１】このデータバスライン５７にも表示内容に
よって±０〜５Ｖの電圧が印加され、この電圧の印加に
よって、データバスライン５７と画素電極５１の対向電
極の間に電界が発生するために、その間にある液晶が反
応することになる。このときの電界はデータバスライン
５７の直上だけでなく、周辺にも拡がるためにデータバ
スライン５７の近傍の液晶も反応し、データバスライン
５７の電圧により発生する漏れ光６４を生じる。
よって±０〜５Ｖの電圧が印加され、この電圧の印加に
よって、データバスライン５７と画素電極５１の対向電
極の間に電界が発生するために、その間にある液晶が反
応することになる。このときの電界はデータバスライン
５７の直上だけでなく、周辺にも拡がるためにデータバ
スライン５７の近傍の液晶も反応し、データバスライン
５７の電圧により発生する漏れ光６４を生じる。
【００１２】この拡がりは印加電圧、液晶の厚さ、液晶
の反応しきい値等によっても変化するがおおよそ０〜７
μｍ程度となる。このデータバスライン５７の電圧によ
る液晶の反応は、上記のように液晶表示装置の表示モー
ドがノーマリブラックのときは明状態になり、逆に液晶
表示装置の表示モードがノーマリホワイトのときは暗状
態になる。
の反応しきい値等によっても変化するがおおよそ０〜７
μｍ程度となる。このデータバスライン５７の電圧によ
る液晶の反応は、上記のように液晶表示装置の表示モー
ドがノーマリブラックのときは明状態になり、逆に液晶
表示装置の表示モードがノーマリホワイトのときは暗状
態になる。
【００１３】 画素電極の電圧による漏れ光の発生 図１２は、画素電極の電圧により発生する漏れ光説明図
である。この図における符号は、６５が画素電極の電圧
により発生する漏れ光であるほかは図９の符号と同様で
あり、その構造、動作も図９のアクティブマトリクス型
液晶表示装置と同様である。
である。この図における符号は、６５が画素電極の電圧
により発生する漏れ光であるほかは図９の符号と同様で
あり、その構造、動作も図９のアクティブマトリクス型
液晶表示装置と同様である。
【００１４】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
においては、画素電極５１にも表示内容によって±０〜
５Ｖが印加される。この画素電極５１に電圧を印加し
て、画素電極５１と画素電極５１の対向電極６１の間に
発生する電界によってその間にある液晶を反応させて液
晶表示を行うのであるが、その際、この電界は画素電極
５１の直上だけでなく、周辺にも拡がるために画素電極
５１の近傍の液晶も反応し、液晶表示装置の表示モード
がノーマリブラックのときは画素電極の電圧により発生
する漏れ光６５を生じ、表示モードがノーマリホワイト
のときは暗状態の漏れ光を生じる。そして、その漏れ光
の幅は、画素電極５１の外側０〜７μｍ程度である。
においては、画素電極５１にも表示内容によって±０〜
５Ｖが印加される。この画素電極５１に電圧を印加し
て、画素電極５１と画素電極５１の対向電極６１の間に
発生する電界によってその間にある液晶を反応させて液
晶表示を行うのであるが、その際、この電界は画素電極
５１の直上だけでなく、周辺にも拡がるために画素電極
５１の近傍の液晶も反応し、液晶表示装置の表示モード
がノーマリブラックのときは画素電極の電圧により発生
する漏れ光６５を生じ、表示モードがノーマリホワイト
のときは暗状態の漏れ光を生じる。そして、その漏れ光
の幅は、画素電極５１の外側０〜７μｍ程度である。
【００１５】 電圧に関係しない漏れ光の発生 表示モードがノーマリホワイトのときは、電圧が印加さ
れない部分はすべて光が透過するため，これが漏れ光と
なる。この漏れ光対策として従来は、主に対向基板（カ
ラーフィルタ（ＣＦ）基板）側に、画素電極以外の部分
をすべて遮光する遮光膜からなるブラックマトリクス
（ＢＭ）を形成していた。
れない部分はすべて光が透過するため，これが漏れ光と
なる。この漏れ光対策として従来は、主に対向基板（カ
ラーフィルタ（ＣＦ）基板）側に、画素電極以外の部分
をすべて遮光する遮光膜からなるブラックマトリクス
（ＢＭ）を形成していた。
【００１６】また、この場合、画素電極があるＴＦＴ基
板と、ブラックマトリクスパターンがある対向基板を貼
り合わせるときの位置合わせに余裕をもたせ、漏れ光を
完全に遮光するために、ブラックマトリクスの開口は、
画素電極の内側に設定されていたため、実際の開口率は
３０〜４５％程度に低下していた。液晶表示装置の開口
率を上げることは、液晶表示パネルの裏面に配置される
バックライトの消費電力を下げるためにも重要な点であ
り、開口率の向上はそのまま透過率の向上になるため、
重要な技術である。
板と、ブラックマトリクスパターンがある対向基板を貼
り合わせるときの位置合わせに余裕をもたせ、漏れ光を
完全に遮光するために、ブラックマトリクスの開口は、
画素電極の内側に設定されていたため、実際の開口率は
３０〜４５％程度に低下していた。液晶表示装置の開口
率を上げることは、液晶表示パネルの裏面に配置される
バックライトの消費電力を下げるためにも重要な点であ
り、開口率の向上はそのまま透過率の向上になるため、
重要な技術である。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】図１３は、従来の遮光
膜を形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置の開
口率説明図である。この図における符号は６６がブラッ
クマトリクスであるほかは図９の符号と同様で、その構
造、動作も図９のアクティブマトリクス型液晶表示装置
と同様である。従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置においては、 ゲートバスラインの電圧により、
データバスラインの電圧により、 画素電極の電
圧により、また、 これらの電圧に関係なく漏れ光が
発生する。
膜を形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置の開
口率説明図である。この図における符号は６６がブラッ
クマトリクスであるほかは図９の符号と同様で、その構
造、動作も図９のアクティブマトリクス型液晶表示装置
と同様である。従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置においては、 ゲートバスラインの電圧により、
データバスラインの電圧により、 画素電極の電
圧により、また、 これらの電圧に関係なく漏れ光が
発生する。
【００１８】従来は、これらの漏れ光を遮光するため、
前述のように、画素電極５１があるＴＦＴ基板とブラッ
クマトリクス６６がある対向基板を貼り合わせる際の位
置合わせの余裕をもたせるため、ブラックマトリクス６
６の開口を画素電極５１の内側に設定していたため、実
際の開口率は３０〜４５％程度に低下していた。
前述のように、画素電極５１があるＴＦＴ基板とブラッ
クマトリクス６６がある対向基板を貼り合わせる際の位
置合わせの余裕をもたせるため、ブラックマトリクス６
６の開口を画素電極５１の内側に設定していたため、実
際の開口率は３０〜４５％程度に低下していた。
【００１９】したがって、明るい液晶表示を得るために
はバックライトの輝度を上げることが必要であり、消費
電力の増加につながり、電池を電源として長時間使用で
きるパソコンや携帯ＴＶを実現するにあたり大きな障害
になっていた。本発明は、画素の開口率が大きく、バッ
クライトの輝度を上げる必要がなく、したがって、消費
電力の低減が可能で、電池によって長時間駆動すること
ができるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
ることを目的とする。
はバックライトの輝度を上げることが必要であり、消費
電力の増加につながり、電池を電源として長時間使用で
きるパソコンや携帯ＴＶを実現するにあたり大きな障害
になっていた。本発明は、画素の開口率が大きく、バッ
クライトの輝度を上げる必要がなく、したがって、消費
電力の低減が可能で、電池によって長時間駆動すること
ができるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
ることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の非線形素子を有
するアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、
画素電極以外の部分からの漏れ光を遮光するブラックマ
トリクスの開口の少なくとも一部が、この画素電極の外
周よりも外側に位置する構成を採用した。
するアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、
画素電極以外の部分からの漏れ光を遮光するブラックマ
トリクスの開口の少なくとも一部が、この画素電極の外
周よりも外側に位置する構成を採用した。
【００２１】またこの場合、画素電極の一部を次段の画
素のゲートバスラインの上に重ねてＣｓ ｏｎ Ｇａｔ
ｅ構造にし、前段の画素電極の次段側端部が次段のゲー
トバスラインよりも次段の画素電極の近くに延び、次段
の画素電極との間隙が１５μｍ以下にすることができ
る。
素のゲートバスラインの上に重ねてＣｓ ｏｎ Ｇａｔ
ｅ構造にし、前段の画素電極の次段側端部が次段のゲー
トバスラインよりも次段の画素電極の近くに延び、次段
の画素電極との間隙が１５μｍ以下にすることができ
る。
【００２２】また、画素電極に電圧を印加しないときに
明状態であり、電圧を印加したときに暗状態になるノー
マリホワイトの表示モードを有するアクティブマトリク
ス型液晶表示装置において、この画素電極以外の部分か
らの漏れ光を遮光するブラックマトリクスの開口の少な
くとも一部が、この画素電極の外周よりも外側に位置す
る構成を採用することができる。
明状態であり、電圧を印加したときに暗状態になるノー
マリホワイトの表示モードを有するアクティブマトリク
ス型液晶表示装置において、この画素電極以外の部分か
らの漏れ光を遮光するブラックマトリクスの開口の少な
くとも一部が、この画素電極の外周よりも外側に位置す
る構成を採用することができる。
【００２３】また、本発明の、画素電極に電圧を印加し
ないときに明状態であり、電圧を印加したときに暗状態
になるノーマリホワイトの表示モードを有し、該画素電
極とデータバスラインとの間隙が１０μｍ以下で、この
領域に該画素電極以外の部分からの漏れ光を遮光するブ
ラックマトリクスの遮光部分がないアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の駆動方法においては、帰線期間に、
データバスラインに、例えば、書き込み期間における最
大印加電圧以上の電圧を印加する方法を採用した。
ないときに明状態であり、電圧を印加したときに暗状態
になるノーマリホワイトの表示モードを有し、該画素電
極とデータバスラインとの間隙が１０μｍ以下で、この
領域に該画素電極以外の部分からの漏れ光を遮光するブ
ラックマトリクスの遮光部分がないアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の駆動方法においては、帰線期間に、
データバスラインに、例えば、書き込み期間における最
大印加電圧以上の電圧を印加する方法を採用した。
【００２４】また、本発明の、画素電極に電圧を印加し
ないのとき明状態、電圧を印加したとき暗状態となるノ
ーマリホワイトの表示モードを有し、該画素電極以外の
部分からの漏れ光を遮光するブラックマトリクスの開口
の少なくとも一部が、該画素電極の外周よりも外側に位
置する非線形素子を有するアクティブマトリクス型液晶
表示装置においては、この画素電極以外の部分に高プレ
チルト配向膜、または、高誘電体膜を配置することによ
って、画素電極以外の部分の液晶の反応しきい値を、画
素電極部分の液晶の反応しきい値より低くした構成を採
用した。
ないのとき明状態、電圧を印加したとき暗状態となるノ
ーマリホワイトの表示モードを有し、該画素電極以外の
部分からの漏れ光を遮光するブラックマトリクスの開口
の少なくとも一部が、該画素電極の外周よりも外側に位
置する非線形素子を有するアクティブマトリクス型液晶
表示装置においては、この画素電極以外の部分に高プレ
チルト配向膜、または、高誘電体膜を配置することによ
って、画素電極以外の部分の液晶の反応しきい値を、画
素電極部分の液晶の反応しきい値より低くした構成を採
用した。
【００２５】
【作用】図１は、本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の原理説明図であり、（Ａ）は平面、（Ｂ）は
電圧印加時の断面、（Ｃ）は電圧無印加時の断面を示し
ている。この図において、１は画素電極、２はソース電
極、３はドレイン電極、４はゲート電極、５はＴＦＴ、
６はゲートバスライン、７はデータバスライン、８はブ
ラックマトリクス、９はＴＦＴ基板、１０は液晶、１１
は対向電極、１２は対向基板である。
表示装置の原理説明図であり、（Ａ）は平面、（Ｂ）は
電圧印加時の断面、（Ｃ）は電圧無印加時の断面を示し
ている。この図において、１は画素電極、２はソース電
極、３はドレイン電極、４はゲート電極、５はＴＦＴ、
６はゲートバスライン、７はデータバスライン、８はブ
ラックマトリクス、９はＴＦＴ基板、１０は液晶、１１
は対向電極、１２は対向基板である。
【００２６】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置においては、図１（Ｂ），（Ｃ）に示されるよう
に、ＴＦＴ基板９の上に、画素電極１とデータバスライ
ン７が形成され、このＴＦＴ基板９と、その上に配置さ
れた対向電極１１を有する対向基板１２との間に液晶１
０が充填されている。
装置においては、図１（Ｂ），（Ｃ）に示されるよう
に、ＴＦＴ基板９の上に、画素電極１とデータバスライ
ン７が形成され、このＴＦＴ基板９と、その上に配置さ
れた対向電極１１を有する対向基板１２との間に液晶１
０が充填されている。
【００２７】そして、その平面形状は図１（Ａ）に示さ
れるように、光透過率をオン・オフして液晶表示を行う
画素電極１の電圧を、ソース電極２とドレイン電極３と
ゲート電極４からなるＴＦＴ５によって制御し、このＴ
ＦＴ５のゲート電極４の電圧をゲートバスライン６によ
って選択的に与え、ドレイン電極３の電圧をデータバス
ライン７によって選択的に与えるようになっている。
れるように、光透過率をオン・オフして液晶表示を行う
画素電極１の電圧を、ソース電極２とドレイン電極３と
ゲート電極４からなるＴＦＴ５によって制御し、このＴ
ＦＴ５のゲート電極４の電圧をゲートバスライン６によ
って選択的に与え、ドレイン電極３の電圧をデータバス
ライン７によって選択的に与えるようになっている。
【００２８】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の特徴は、 ゲートバスラインの電圧により、
データバスラインの電圧により、 画素電極の電圧
により、また、 電圧に関係なく発生する漏れ光を遮
光するために、ブラックマトリクス８の開口が、画素電
極１の一部の外周または全ての外周よりも外側に位置す
る点である。
装置の特徴は、 ゲートバスラインの電圧により、
データバスラインの電圧により、 画素電極の電圧
により、また、 電圧に関係なく発生する漏れ光を遮
光するために、ブラックマトリクス８の開口が、画素電
極１の一部の外周または全ての外周よりも外側に位置す
る点である。
【００２９】このようにすると、表示モードがノーマリ
ホワイトの場合には、前述したゲートバスライン６、画
素電極１、データバスライン７の電圧によって発生する
漏れ光（暗状態）を利用することによって、この部分の
ブラックマトリクスを不要にし、実効的な開口率を向上
させることができる。すなわち、図１（Ｂ）に示されて
いるように、画素電極１の外側に拡がる漏れ光（暗状
態）は画素電極１のオン・オフにしたがって変化するか
ら、画素電極１がオンになったときは、画素電極１の部
分と画素電極１の外側に拡がる漏れ光（暗状態）部分を
合わせて１つの画素としてみることができ、図１（Ｃ）
に示されているように、オフになったときは、光を透過
する画素の面積が大きくなるから、この画素の透過率を
向上することができる。
ホワイトの場合には、前述したゲートバスライン６、画
素電極１、データバスライン７の電圧によって発生する
漏れ光（暗状態）を利用することによって、この部分の
ブラックマトリクスを不要にし、実効的な開口率を向上
させることができる。すなわち、図１（Ｂ）に示されて
いるように、画素電極１の外側に拡がる漏れ光（暗状
態）は画素電極１のオン・オフにしたがって変化するか
ら、画素電極１がオンになったときは、画素電極１の部
分と画素電極１の外側に拡がる漏れ光（暗状態）部分を
合わせて１つの画素としてみることができ、図１（Ｃ）
に示されているように、オフになったときは、光を透過
する画素の面積が大きくなるから、この画素の透過率を
向上することができる。
【００３０】また、後述するように、データバスライン
７の電圧によって発生する漏れ光も液晶表示の一部に利
用することができる。これにより、実際の液晶表示装置
の画素の実効的な開口率を大幅に向上させ、場合によっ
ては開口率を、画素電極１よりも大きくすることができ
る。表示モードがノーマリブラックの場合も、上記と全
く同様に、全画面同一表示ではデータバスライン７の近
傍と画素電極１は同一の表示状態になり、画素電極１の
近傍だけでなく、データバスライン７の近傍の領域を含
めて１つの画素としてみることできる。
７の電圧によって発生する漏れ光も液晶表示の一部に利
用することができる。これにより、実際の液晶表示装置
の画素の実効的な開口率を大幅に向上させ、場合によっ
ては開口率を、画素電極１よりも大きくすることができ
る。表示モードがノーマリブラックの場合も、上記と全
く同様に、全画面同一表示ではデータバスライン７の近
傍と画素電極１は同一の表示状態になり、画素電極１の
近傍だけでなく、データバスライン７の近傍の領域を含
めて１つの画素としてみることできる。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （第１実施例）前に本発明の原理を説明する際に使用し
た図１を用いて第１実施例のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を説明する。
た図１を用いて第１実施例のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を説明する。
【００３２】この実施例のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の構成を図１によって改めて説明すると、光透
過率をオン・オフして液晶表示を行う画素電極１の電圧
を、ソース電極２とドレイン電極３とゲート電極４から
なるＴＦＴ５によって制御し、このＴＦＴ５のゲート電
極４の電圧をゲートバスライン６によって与え、ＴＦＴ
５のゲート作用によって、データバスライン７によって
伝送される画像信号を画像電極１に選択的に与えるよう
になっている。
表示装置の構成を図１によって改めて説明すると、光透
過率をオン・オフして液晶表示を行う画素電極１の電圧
を、ソース電極２とドレイン電極３とゲート電極４から
なるＴＦＴ５によって制御し、このＴＦＴ５のゲート電
極４の電圧をゲートバスライン６によって与え、ＴＦＴ
５のゲート作用によって、データバスライン７によって
伝送される画像信号を画像電極１に選択的に与えるよう
になっている。
【００３３】図１において、ＴＦＴ基板９と対向基板１
２の貼り合わせマージンを考えなくてもよい場合は、画
素電極１よりも０〜１０μｍ程度外側にＢＭ８の開口を
設定しても、この画素電極１の外側の部分の液晶が画素
電極１の直上と同様に反応するため、この漏れ光によっ
ても正常な液晶表示を行うことができる。したがって、
表示モードがノーマリホワイトの液晶表示装置におい
て、電圧を印加しない状態である明状態の画素のバック
ライト光の透過率を、コントラストを低下することなく
上げることができる。
２の貼り合わせマージンを考えなくてもよい場合は、画
素電極１よりも０〜１０μｍ程度外側にＢＭ８の開口を
設定しても、この画素電極１の外側の部分の液晶が画素
電極１の直上と同様に反応するため、この漏れ光によっ
ても正常な液晶表示を行うことができる。したがって、
表示モードがノーマリホワイトの液晶表示装置におい
て、電圧を印加しない状態である明状態の画素のバック
ライト光の透過率を、コントラストを低下することなく
上げることができる。
【００３４】ＴＦＴ基板９と対向基板１２の貼り合わせ
マージンを考慮する場合は、通常、ブラックマトリクス
８の開口は画素電極１の外周よりもマージンの分だけ内
側にくるように設定されるが、この実施例では、ブラッ
クマトリクス８の開口を画素電極１の外周からマージン
の分だけ内側にくる位置よりも０〜１０μｍ程度外側に
設定する。これは、ＴＦＴ基板９と対向基板１２の貼り
合わせがずれて画素電極１の外周の外側にブラックマト
リクス８の開口がきても、正常な表示が可能になるため
である。
マージンを考慮する場合は、通常、ブラックマトリクス
８の開口は画素電極１の外周よりもマージンの分だけ内
側にくるように設定されるが、この実施例では、ブラッ
クマトリクス８の開口を画素電極１の外周からマージン
の分だけ内側にくる位置よりも０〜１０μｍ程度外側に
設定する。これは、ＴＦＴ基板９と対向基板１２の貼り
合わせがずれて画素電極１の外周の外側にブラックマト
リクス８の開口がきても、正常な表示が可能になるため
である。
【００３５】また、画素電極１の電圧だけでなく、デー
タバスライン７の電圧による漏れ光を利用することもで
きる。これは、データバスライン７の電圧が表示内容に
よって画素電極１の電圧に近いことを利用するものであ
る。例えば、全面黒表示の場合、表示モードがノーマリ
ホワイトでは画素電極１が電圧印加状態になるが、デー
タバスライン７も全期間にわたって電圧印加状態にな
り、画素電極１とデータバスライン７近傍の透過状態は
ともに黒になる。
タバスライン７の電圧による漏れ光を利用することもで
きる。これは、データバスライン７の電圧が表示内容に
よって画素電極１の電圧に近いことを利用するものであ
る。例えば、全面黒表示の場合、表示モードがノーマリ
ホワイトでは画素電極１が電圧印加状態になるが、デー
タバスライン７も全期間にわたって電圧印加状態にな
り、画素電極１とデータバスライン７近傍の透過状態は
ともに黒になる。
【００３６】全画面白表示の場合でも、表示モードがノ
ーマリホワイトでは画素電極１は電圧無印加であるが、
データバスライン７も全期間にわたって電圧無印加状態
となり、画素電極１とデータバスライン７の近傍の透過
状態はともに白になる。このような全画面同一表示で
は、画素電極１とデータバスライン７の近傍は同一の表
示状態になる。
ーマリホワイトでは画素電極１は電圧無印加であるが、
データバスライン７も全期間にわたって電圧無印加状態
となり、画素電極１とデータバスライン７の近傍の透過
状態はともに白になる。このような全画面同一表示で
は、画素電極１とデータバスライン７の近傍は同一の表
示状態になる。
【００３７】表示モードがノーマリブラックの場合も、
上記と全く同様に、全画面同一表示の場合はデータバス
ライン７の近傍と画素電極１は同一の表示状態になる。
したがって、画素電極１近傍だけでなく、データバスラ
イン７の近傍も開口に含めることできる。
上記と全く同様に、全画面同一表示の場合はデータバス
ライン７の近傍と画素電極１は同一の表示状態になる。
したがって、画素電極１近傍だけでなく、データバスラ
イン７の近傍も開口に含めることできる。
【００３８】しかし、表示パターンによっては、所期の
表示とは異なる表示状態になり得るという問題もある。
例えば、ほぼ全体白の画面に黒色の文字を置いた場合で
ある。このような場合は、画面全体が白いため、データ
バスライン７の近傍も白くなり、文字を形成する画素付
近のデータバスライン７も当然白くなり、白い背景と黒
い文字のコントラストは低下する。しかし、人間の目の
錯覚のため、白地に黒文字の場合は、実際以上のコント
ラストを感じるため、あまり問題とならない。
表示とは異なる表示状態になり得るという問題もある。
例えば、ほぼ全体白の画面に黒色の文字を置いた場合で
ある。このような場合は、画面全体が白いため、データ
バスライン７の近傍も白くなり、文字を形成する画素付
近のデータバスライン７も当然白くなり、白い背景と黒
い文字のコントラストは低下する。しかし、人間の目の
錯覚のため、白地に黒文字の場合は、実際以上のコント
ラストを感じるため、あまり問題とならない。
【００３９】（第２実施例）図２は、第２実施例のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の構成説明図である。
この図における符号は図１の符号と同様であり、その動
作は第１実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置
と同様である。
ティブマトリクス型液晶表示装置の構成説明図である。
この図における符号は図１の符号と同様であり、その動
作は第１実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置
と同様である。
【００４０】この実施例においては、第１実施例のよう
に、ブラックマトリクス８の開口を画素電極１の全外周
の外側に形成することなく、画素電極１が接続されてい
るＴＦＴ５のドレイン電極３のデータバスライン７と画
素電極１の間の近傍のみに開口を形成している。
に、ブラックマトリクス８の開口を画素電極１の全外周
の外側に形成することなく、画素電極１が接続されてい
るＴＦＴ５のドレイン電極３のデータバスライン７と画
素電極１の間の近傍のみに開口を形成している。
【００４１】このようにすると、液晶表示装置の表示面
に表示されるパターンによる影響を低減して開口率を向
上することができる。すなわち、画素電極１の電位とそ
のＴＦＴ５のドレイン電極３に接続されているデータバ
スライン７の電位は、ＴＦＴ５によって導通されて同電
位になる場合が多いため、この部分のブラックマトリク
ス８の開口を、画素電極１の外周より外側に設定し、こ
の部分の安定な漏れ光を利用している。この場合、画素
電極１とデータバスライン７の間隔を、１０μｍ以下に
し、この部分にブラックマトリクス８を設けないように
することができる。
に表示されるパターンによる影響を低減して開口率を向
上することができる。すなわち、画素電極１の電位とそ
のＴＦＴ５のドレイン電極３に接続されているデータバ
スライン７の電位は、ＴＦＴ５によって導通されて同電
位になる場合が多いため、この部分のブラックマトリク
ス８の開口を、画素電極１の外周より外側に設定し、こ
の部分の安定な漏れ光を利用している。この場合、画素
電極１とデータバスライン７の間隔を、１０μｍ以下に
し、この部分にブラックマトリクス８を設けないように
することができる。
【００４２】これに反して、画素電極１の電位と、この
画素電極１が接続されているデータバスライン７とは反
対側の他のデータバスライン７の電位は大きく異なる可
能性が大きいから、この部分ブラックマトリクス８によ
って遮光して、隣接する他のデータバスライン７の電圧
によって開口率が悪影響を受けるのを防いでいる。ま
た、この場合、画素電極１の電位とゲートバスライン６
の電位は大きく異なるから、画素電極１とゲートバスラ
イン６の間には開口を設けることなく、ブラックマトリ
クス８によって遮光することが望ましい。
画素電極１が接続されているデータバスライン７とは反
対側の他のデータバスライン７の電位は大きく異なる可
能性が大きいから、この部分ブラックマトリクス８によ
って遮光して、隣接する他のデータバスライン７の電圧
によって開口率が悪影響を受けるのを防いでいる。ま
た、この場合、画素電極１の電位とゲートバスライン６
の電位は大きく異なるから、画素電極１とゲートバスラ
イン６の間には開口を設けることなく、ブラックマトリ
クス８によって遮光することが望ましい。
【００４３】パソコン等では縦に線を引く場合が多い
が、このような場合は、画素電極１の電位と、画素電極
１がＴＦＴ５によって接続されているデータバスライン
７の電位がほぼ等しくなるため、特に有効である。
が、このような場合は、画素電極１の電位と、画素電極
１がＴＦＴ５によって接続されているデータバスライン
７の電位がほぼ等しくなるため、特に有効である。
【００４４】（第３実施例）図３は、第３実施例のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の構成説明図である。
この図における符号は図１の同符号同様で、その基本的
な動作は第１実施例のアクティブマトリクス型液晶表示
装置と同様である。この実施例のアクティブマトリクス
型液晶表示装置においては、画素電極１とゲートバスラ
イン６との間隙が１５μｍ以下に設定されており、この
領域にはブラックマトリクス８が形成されていない。
ティブマトリクス型液晶表示装置の構成説明図である。
この図における符号は図１の同符号同様で、その基本的
な動作は第１実施例のアクティブマトリクス型液晶表示
装置と同様である。この実施例のアクティブマトリクス
型液晶表示装置においては、画素電極１とゲートバスラ
イン６との間隙が１５μｍ以下に設定されており、この
領域にはブラックマトリクス８が形成されていない。
【００４５】この実施例の表示モードがノーマリホワイ
トのアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、
ゲートバスライン６と対向電極の間に可能な限り高い電
位差を与えるために、ゲートバスライン６に、〜１５Ｖ
の高い電圧を印加して、ゲートバスライン６から、例え
ば５μｍはなれた位置の液晶の透過率が５０％以下にな
るようにして、この部分の液晶の透過率を充分に下げて
暗状態の実効的な画素の面積を拡大し、また同時に、明
状態の画素の面積を拡大することによって各画素のコン
トラストを改善する。
トのアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、
ゲートバスライン６と対向電極の間に可能な限り高い電
位差を与えるために、ゲートバスライン６に、〜１５Ｖ
の高い電圧を印加して、ゲートバスライン６から、例え
ば５μｍはなれた位置の液晶の透過率が５０％以下にな
るようにして、この部分の液晶の透過率を充分に下げて
暗状態の実効的な画素の面積を拡大し、また同時に、明
状態の画素の面積を拡大することによって各画素のコン
トラストを改善する。
【００４６】（第４実施例）図４は、第４実施例のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の構成説明図である。
この図における符号は図１と同様であり、その基本的な
動作は第１実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装
置と同様である。この実施例は、ゲートバスラインにか
かる電圧の画素電極１の表示への影響をなくし、かつ、
画素電極１の電圧による漏れ光を有効に利用するもので
ある。
ティブマトリクス型液晶表示装置の構成説明図である。
この図における符号は図１と同様であり、その基本的な
動作は第１実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装
置と同様である。この実施例は、ゲートバスラインにか
かる電圧の画素電極１の表示への影響をなくし、かつ、
画素電極１の電圧による漏れ光を有効に利用するもので
ある。
【００４７】すなわち、この実施例のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置においては、「Ｃｓ ｏｎ Ｇａｔ
ｅ」構造になるように、画素電極１を次段のゲートバス
ライン６の上に載せて形成されており、画素電極１を次
段のゲートバスライン６よりも次段の画素電極１に近く
なるように延長され、相互の画素電極１の間隙を０〜１
５μｍに設定されている。
クス型液晶表示装置においては、「Ｃｓ ｏｎ Ｇａｔ
ｅ」構造になるように、画素電極１を次段のゲートバス
ライン６の上に載せて形成されており、画素電極１を次
段のゲートバスライン６よりも次段の画素電極１に近く
なるように延長され、相互の画素電極１の間隙を０〜１
５μｍに設定されている。
【００４８】このようにすると、次段（この図では下
側）のゲートバスライン６の電圧は、その上に形成され
ている画素電極１によってシールドされるため、その上
の対向電極との間隙に充填されている液晶に影響を与え
なくなる。また、画素電極１同士を一定の距離以下、例
えば１５μｍ以下に近づけると、前述の実施例において
説明したように、表示モードがノーマリホワイトの場
合、隣接する画素電極１の間の間隙を画素電極１と同様
の暗状態にし、この部分にブラックマトリクス８を形成
する必要がなくなる。上記の１５μｍは、前述のよう
に、画素電極１の近傍〜７μｍの範囲で漏れ光が生じる
ため、隣接する画素電極１から漏れ光が〜７μｍ程度延
びるとした場合の数値である。
側）のゲートバスライン６の電圧は、その上に形成され
ている画素電極１によってシールドされるため、その上
の対向電極との間隙に充填されている液晶に影響を与え
なくなる。また、画素電極１同士を一定の距離以下、例
えば１５μｍ以下に近づけると、前述の実施例において
説明したように、表示モードがノーマリホワイトの場
合、隣接する画素電極１の間の間隙を画素電極１と同様
の暗状態にし、この部分にブラックマトリクス８を形成
する必要がなくなる。上記の１５μｍは、前述のよう
に、画素電極１の近傍〜７μｍの範囲で漏れ光が生じる
ため、隣接する画素電極１から漏れ光が〜７μｍ程度延
びるとした場合の数値である。
【００４９】（第５実施例）図５は、第５実施例のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の駆動方法説明図であ
り、（Ａ）は表示面の走査方法、（Ｂ）はゲート電圧、
（Ｃ）は画像信号を示している。
ティブマトリクス型液晶表示装置の駆動方法説明図であ
り、（Ａ）は表示面の走査方法、（Ｂ）はゲート電圧、
（Ｃ）は画像信号を示している。
【００５０】前述の実施例で説明したように、表示モー
ドがノーマリホワイトのアクティブマトリクス型液晶表
示装置において、データバスライン６に高い電圧が印加
されると、データバスライン６による電界の漏れ効果に
よる黒化を利用することができるが、表示内容によって
はデータバスライン６の電圧は±０Ｖになってしまうた
め、その効果を利用することができない。
ドがノーマリホワイトのアクティブマトリクス型液晶表
示装置において、データバスライン６に高い電圧が印加
されると、データバスライン６による電界の漏れ効果に
よる黒化を利用することができるが、表示内容によって
はデータバスライン６の電圧は±０Ｖになってしまうた
め、その効果を利用することができない。
【００５１】ところで、この実施例のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の駆動方法においては、図５（Ａ）
に示されているように、データバスライン６を６０Ｈｚ
の周期で走査し、表示画面の上端に左から右に向かって
表示し、順次下降して、最後に表示画面の右下端が表示
される。この場合、画面を一回描くための時間は約１
６．７ｍｓであり、図５（Ｃ）に示されるように、画像
信号をデータバスラインに正負にフレーム反転して印加
し、図５（Ｂ）に示されるように、ゲートバスラインに
ゲート電圧を印加して特定の画素電極に画像信号を印加
するようにして表示する。
クス型液晶表示装置の駆動方法においては、図５（Ａ）
に示されているように、データバスライン６を６０Ｈｚ
の周期で走査し、表示画面の上端に左から右に向かって
表示し、順次下降して、最後に表示画面の右下端が表示
される。この場合、画面を一回描くための時間は約１
６．７ｍｓであり、図５（Ｃ）に示されるように、画像
信号をデータバスラインに正負にフレーム反転して印加
し、図５（Ｂ）に示されるように、ゲートバスラインに
ゲート電圧を印加して特定の画素電極に画像信号を印加
するようにして表示する。
【００５２】しかし、実際には、ＣＲＴ表示装置の走査
方式と同様に、画面の下端から上端に表示が戻る帰線期
間が全体の約１／１０含まれており（４００ラインの場
合）、この間は書き込みが行われないため、ＴＦＴのゲ
ート電極にはブランキング信号が印加されてＴＦＴは全
てオフ状態になり、液晶表示装置としてなんらの表示も
なされないことになる。
方式と同様に、画面の下端から上端に表示が戻る帰線期
間が全体の約１／１０含まれており（４００ラインの場
合）、この間は書き込みが行われないため、ＴＦＴのゲ
ート電極にはブランキング信号が印加されてＴＦＴは全
てオフ状態になり、液晶表示装置としてなんらの表示も
なされないことになる。
【００５３】この実施例は、この帰線期間を有効に使う
もので、画素表示に影響を及ぼさないこの期間に、デー
タバスライン６に電圧を印加し、その保持電圧によって
データバスライン近傍の液晶を反応させるものである。
例えば、帰線期間が全体１／１０であったとき、この期
間にデータバスライン６に、例えば、±１６Ｖ程度の高
い電圧を印加すると、液晶の応答速度が大きくないた
め、書き込み電圧がすべて±０Ｖであると過程しても、
帰線期間に電圧が印加されないときの通常の書き込み電
圧±５Ｖと同程度の実効電圧が印加されることになる。
もので、画素表示に影響を及ぼさないこの期間に、デー
タバスライン６に電圧を印加し、その保持電圧によって
データバスライン近傍の液晶を反応させるものである。
例えば、帰線期間が全体１／１０であったとき、この期
間にデータバスライン６に、例えば、±１６Ｖ程度の高
い電圧を印加すると、液晶の応答速度が大きくないた
め、書き込み電圧がすべて±０Ｖであると過程しても、
帰線期間に電圧が印加されないときの通常の書き込み電
圧±５Ｖと同程度の実効電圧が印加されることになる。
【００５４】したがって、データバスライン６から〜５
μｍの範囲の液晶を反応させるに充分な電圧を印加する
ことができる。この場合電圧としては、表示するための
走査期間中持続してかかる電圧の大きさが重要であり、
パルス状の電圧印加でもその電圧値が大きければ充分に
液晶を反応させて、データバスライン６の近傍の透過率
を充分に小さくする事ができ、この領域のブラックマト
リクスを除去することができる。
μｍの範囲の液晶を反応させるに充分な電圧を印加する
ことができる。この場合電圧としては、表示するための
走査期間中持続してかかる電圧の大きさが重要であり、
パルス状の電圧印加でもその電圧値が大きければ充分に
液晶を反応させて、データバスライン６の近傍の透過率
を充分に小さくする事ができ、この領域のブラックマト
リクスを除去することができる。
【００５５】このように、ブラックマトリクスを対向電
極に形成することなく、帰線期間中にデータバスライン
６に印加する電圧による液晶の応答によってブラックマ
トリクスの機能を実現すると、ＴＦＴ基板と対向基板の
貼り合わせ精度が関係なくなるため、貼り合わせマージ
ンも必要なく、開口率を５０〜６０％程度に改善するこ
とができる。また、画素電極１の付近の液晶の反応も表
示に加わるため、実質的開口率はさらに改善され７０％
以上の高い開口率を得ることができる。
極に形成することなく、帰線期間中にデータバスライン
６に印加する電圧による液晶の応答によってブラックマ
トリクスの機能を実現すると、ＴＦＴ基板と対向基板の
貼り合わせ精度が関係なくなるため、貼り合わせマージ
ンも必要なく、開口率を５０〜６０％程度に改善するこ
とができる。また、画素電極１の付近の液晶の反応も表
示に加わるため、実質的開口率はさらに改善され７０％
以上の高い開口率を得ることができる。
【００５６】（第６実施例）前述のように、画素電極と
対向電極の間に電圧が印加されると、画素電極と対向電
極の間の液晶が反応し、この領域の光の透過率が変化す
る。したがって、表示モードがノーマリホワイトの場
合、原理的には画素電極と対向電極の間は暗状態になる
が、それ以外の領域では光が透過することになるが、実
際にはこの電圧の印加によって電界が発生するのは画素
電極と対向電極がある場所だけではなく、その外側にも
若干の範囲で電界が発生する。
対向電極の間に電圧が印加されると、画素電極と対向電
極の間の液晶が反応し、この領域の光の透過率が変化す
る。したがって、表示モードがノーマリホワイトの場
合、原理的には画素電極と対向電極の間は暗状態になる
が、それ以外の領域では光が透過することになるが、実
際にはこの電圧の印加によって電界が発生するのは画素
電極と対向電極がある場所だけではなく、その外側にも
若干の範囲で電界が発生する。
【００５７】すなわち、液晶表示装置の表示内容によっ
ては、画素電極に±０〜５Ｖ程度の電圧が印加される。
この電圧の印加によって発生する電界は、画素電極上だ
けでなく、その外側にも拡がるため、画素電極の近傍も
液晶が反応し、〜７μｍ程度外側に透過率の低下が見ら
れる。
ては、画素電極に±０〜５Ｖ程度の電圧が印加される。
この電圧の印加によって発生する電界は、画素電極上だ
けでなく、その外側にも拡がるため、画素電極の近傍も
液晶が反応し、〜７μｍ程度外側に透過率の低下が見ら
れる。
【００５８】図６は、従来の液晶表示装置の画素電極の
外側の透過率説明図であり、（Ａ）は画素電極周辺の断
面を示し、（Ｂ）は画素電極に印加する電圧と透過率の
関係を示している。この図において、２１は透明基板、
２２は画素電極、２３は配向膜、２４は液晶、２５は配
向膜、２６は対向電極、２７は対向基板である。
外側の透過率説明図であり、（Ａ）は画素電極周辺の断
面を示し、（Ｂ）は画素電極に印加する電圧と透過率の
関係を示している。この図において、２１は透明基板、
２２は画素電極、２３は配向膜、２４は液晶、２５は配
向膜、２６は対向電極、２７は対向基板である。
【００５９】従来の液晶表示装置においては、図６
（Ａ）に示されているように、透明基板２１の上に画素
電極２２が形成され、その上に全面に一様な配向特性を
有する配向膜２３を形成し、同様に一様な配向特性を有
する配向膜２５と対向電極２６が形成された対向基板２
７との間の間隙に液晶２４が充填されている。
（Ａ）に示されているように、透明基板２１の上に画素
電極２２が形成され、その上に全面に一様な配向特性を
有する配向膜２３を形成し、同様に一様な配向特性を有
する配向膜２５と対向電極２６が形成された対向基板２
７との間の間隙に液晶２４が充填されている。
【００６０】この従来の液晶表示装置の画素電極２２に
電圧を印加すると、ノーマリホワイトの表示モードで
は、画素電極２２の直上の液晶Ａには設計値通りの電界
が発生して透過率が低下するが、同時に画素電極２２の
外側Ｂの液晶にも電界が発生するために透過率が低下す
るから、画素電極２２の直上Ａの液晶と画素電極２２の
外側Ｂの液晶を１つの画素とすることが考えられる。
電圧を印加すると、ノーマリホワイトの表示モードで
は、画素電極２２の直上の液晶Ａには設計値通りの電界
が発生して透過率が低下するが、同時に画素電極２２の
外側Ｂの液晶にも電界が発生するために透過率が低下す
るから、画素電極２２の直上Ａの液晶と画素電極２２の
外側Ｂの液晶を１つの画素とすることが考えられる。
【００６１】しかし、図６（Ｂ）に示されているよう
に、画素電極の外側Ｂの液晶に発生する電界の変化は、
画素電極の直上Ａの液晶に発生する電界の変化に比較し
て小さく、したがって、透過率の低下が小さいため、こ
のままでは画素電極の外側Ｂの液晶は充分に暗状態には
ならない。
に、画素電極の外側Ｂの液晶に発生する電界の変化は、
画素電極の直上Ａの液晶に発生する電界の変化に比較し
て小さく、したがって、透過率の低下が小さいため、こ
のままでは画素電極の外側Ｂの液晶は充分に暗状態には
ならない。
【００６２】この実施例の液晶表示装置は、画素電極の
外側の液晶の反応しきい値を、画素電極直上の液晶の反
応しきい値より低くすることによって、画素電極に印加
する電圧によって画素電極の外側の液晶に発生する比較
的小さい電界の変化によって、画素電極の外側の液晶の
透過率の低下を、画素電極直上の液晶の透過率の低下と
同程度にする点が特徴である。
外側の液晶の反応しきい値を、画素電極直上の液晶の反
応しきい値より低くすることによって、画素電極に印加
する電圧によって画素電極の外側の液晶に発生する比較
的小さい電界の変化によって、画素電極の外側の液晶の
透過率の低下を、画素電極直上の液晶の透過率の低下と
同程度にする点が特徴である。
【００６３】その態様としては、画素電極の外側の液晶
を高プレチルト状態にして、画素電極直上の液晶に比べ
て反応しきい値を低電圧化することや、画素電極の周囲
に誘電体を配置し、画素電極の外側に電界が集中するよ
うにして、画素電極直上の液晶に比べて反応しきい値を
低電圧化することが考えられる。以下、それらの態様に
ついて説明する。
を高プレチルト状態にして、画素電極直上の液晶に比べ
て反応しきい値を低電圧化することや、画素電極の周囲
に誘電体を配置し、画素電極の外側に電界が集中するよ
うにして、画素電極直上の液晶に比べて反応しきい値を
低電圧化することが考えられる。以下、それらの態様に
ついて説明する。
【００６４】図７は、画素電極の外側の液晶を高プレチ
ルト状態にする場合の説明図で、（Ａ）は画素電極周辺
の断面を示し、（Ｂ）は画素電極に印加する電圧と透過
率の関係を示している。この図において、３１は透明基
板、３２は画素電極、３３は配向膜、３３1 は低プレチ
ルト配向膜、３３2 は高プレチルト配向膜、３４は液
晶、３５は配向膜、３５1 は低プレチルト配向膜、３５
2 は高プレチルト配向膜、３６は対向電極、３７は対向
基板である。
ルト状態にする場合の説明図で、（Ａ）は画素電極周辺
の断面を示し、（Ｂ）は画素電極に印加する電圧と透過
率の関係を示している。この図において、３１は透明基
板、３２は画素電極、３３は配向膜、３３1 は低プレチ
ルト配向膜、３３2 は高プレチルト配向膜、３４は液
晶、３５は配向膜、３５1 は低プレチルト配向膜、３５
2 は高プレチルト配向膜、３６は対向電極、３７は対向
基板である。
【００６５】この態様の液晶表示装置においては、図７
（Ａ）に示されているように、透明基板３１の上に画素
電極３２が形成され、その上に画素電極３２の直上Ａに
は、液晶に低プレチルト状態を与える低プレチルト配向
膜３３1 が形成され、画素電極３２の外側Ｂには液晶に
高プレチルト状態を与える高プレチルト配向膜３３2が
形成され、対向基板３７には、対向電極３６と、画素電
極３２の対向面に液晶に低プレチルト状態を与える低プ
レチルト配向膜３５1 が形成され、画素電極３２の外側
Ｂの対向面には液晶に高プレチルト状態を与える高プレ
チルト配向膜３５2 が形成され、この透明基板３１と対
向電極３７の間の間隙に液晶３４が充填されている。
（Ａ）に示されているように、透明基板３１の上に画素
電極３２が形成され、その上に画素電極３２の直上Ａに
は、液晶に低プレチルト状態を与える低プレチルト配向
膜３３1 が形成され、画素電極３２の外側Ｂには液晶に
高プレチルト状態を与える高プレチルト配向膜３３2が
形成され、対向基板３７には、対向電極３６と、画素電
極３２の対向面に液晶に低プレチルト状態を与える低プ
レチルト配向膜３５1 が形成され、画素電極３２の外側
Ｂの対向面には液晶に高プレチルト状態を与える高プレ
チルト配向膜３５2 が形成され、この透明基板３１と対
向電極３７の間の間隙に液晶３４が充填されている。
【００６６】この態様の液晶表示装置の画素電極３２と
対向電極３６の間に電圧を印加すると、画素電極３２の
直上Ａの液晶は低プレチルト状態になり、画素電極３２
の外側Ｂの液晶は高プレチルト状態になるため、画素電
極３２の外側の電界の変化が比較的小さくても、画素電
極３２の直上Ａの液晶と画素電極３２の外側Ｂの液晶の
透過率を同程度に低下することができ、画素電極３２の
直上Ａの液晶と画素電極３２の外側Ｂの液晶を１つの画
素とすることができる。
対向電極３６の間に電圧を印加すると、画素電極３２の
直上Ａの液晶は低プレチルト状態になり、画素電極３２
の外側Ｂの液晶は高プレチルト状態になるため、画素電
極３２の外側の電界の変化が比較的小さくても、画素電
極３２の直上Ａの液晶と画素電極３２の外側Ｂの液晶の
透過率を同程度に低下することができ、画素電極３２の
直上Ａの液晶と画素電極３２の外側Ｂの液晶を１つの画
素とすることができる。
【００６７】前記の配向膜のチルト角制御は、本発明の
発明者らが提案し、多くの実績がある、プレチルト角が
異なる２つの被膜を形成し、上層の被膜をフォトプロセ
スによってパターニングし、一様にラビングする、配向
分割技術（１９９２年１０月１２〜１４日開催のＪＡＰ
ＡＮ ＤＩＳＰＬＡＹ ’９２の予稿Ｐ２−３９、ＳＯ
ＣＩＥＴＹ ＦＯＲ ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮ ＤＩＳ
ＰＬＡＹ ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＳＹＭＰＯＳ
ＩＵＭ ＤＩＧＥＳＴ ＯＦ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ Ｐ
ＡＰＥＲＳ ＶＯＬＵＭＥ ＸＸＩＩＩ ｐ７９８〜８
０１参照）等を用いることができる。
発明者らが提案し、多くの実績がある、プレチルト角が
異なる２つの被膜を形成し、上層の被膜をフォトプロセ
スによってパターニングし、一様にラビングする、配向
分割技術（１９９２年１０月１２〜１４日開催のＪＡＰ
ＡＮ ＤＩＳＰＬＡＹ ’９２の予稿Ｐ２−３９、ＳＯ
ＣＩＥＴＹ ＦＯＲ ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮ ＤＩＳ
ＰＬＡＹ ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＳＹＭＰＯＳ
ＩＵＭ ＤＩＧＥＳＴ ＯＦ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ Ｐ
ＡＰＥＲＳ ＶＯＬＵＭＥ ＸＸＩＩＩ ｐ７９８〜８
０１参照）等を用いることができる。
【００６８】なお、上記の態様の説明では、高プレチル
ト配向膜を透明基板（ＴＦＴ基板）３１と対向基板３７
の両者の画素電極３２の外側に形成したが、透明基板３
１あるいは対向基板３７のいずれか１つに形成しても、
相応の効果を奏する。このようにすると、画素電極周囲
部分のブラックマトリクスを取り除くことができ、結果
として開口率を向上することができ、液晶表示パネルの
透過率を改善し、コントラストを大きくすることができ
る。
ト配向膜を透明基板（ＴＦＴ基板）３１と対向基板３７
の両者の画素電極３２の外側に形成したが、透明基板３
１あるいは対向基板３７のいずれか１つに形成しても、
相応の効果を奏する。このようにすると、画素電極周囲
部分のブラックマトリクスを取り除くことができ、結果
として開口率を向上することができ、液晶表示パネルの
透過率を改善し、コントラストを大きくすることができ
る。
【００６９】図８は、画素電極の外側に高誘電率を有す
る誘電体を形成する場合の説明図である。この図におい
て、４１は透明基板、４２は画素電極、４３は配向膜、
４４は液晶、４５は配向膜、４６は対向電極、４７は対
向基板、４８は高誘電率の誘電体層である。この態様の
液晶表示装置においては、図８に示されているように、
透明基板４１の上に画素電極４２が形成され、その上に
配向膜４３が形成され、この配向膜４３の上の画素電極
４２の直上Ａを避けて、画素電極４２の外側Ｂに、高誘
電率の誘電体層４８が形成され、配向膜４５と対向電極
４６が形成された対向基板４７との間の間隙に液晶４４
が充填されている。
る誘電体を形成する場合の説明図である。この図におい
て、４１は透明基板、４２は画素電極、４３は配向膜、
４４は液晶、４５は配向膜、４６は対向電極、４７は対
向基板、４８は高誘電率の誘電体層である。この態様の
液晶表示装置においては、図８に示されているように、
透明基板４１の上に画素電極４２が形成され、その上に
配向膜４３が形成され、この配向膜４３の上の画素電極
４２の直上Ａを避けて、画素電極４２の外側Ｂに、高誘
電率の誘電体層４８が形成され、配向膜４５と対向電極
４６が形成された対向基板４７との間の間隙に液晶４４
が充填されている。
【００７０】この態様の液晶表示装置の画素電極４２に
電圧を印加すると、高誘電率の誘電体層４８の影響で、
画素電極４２直上Ａの液晶より、画素電極４２の外側Ｂ
の液晶に電界が集中するため、画素電極４２の外側の電
界の変化が比較的小さくても、画素電極４２の直上Ａの
液晶と画素電極４２の外側Ｂの液晶の透過率を同程度に
低下することができ、画素電極４２の直上Ａの液晶と画
素電極４２の外側Ｂの液晶を１つの画素とすることがで
きる。
電圧を印加すると、高誘電率の誘電体層４８の影響で、
画素電極４２直上Ａの液晶より、画素電極４２の外側Ｂ
の液晶に電界が集中するため、画素電極４２の外側の電
界の変化が比較的小さくても、画素電極４２の直上Ａの
液晶と画素電極４２の外側Ｂの液晶の透過率を同程度に
低下することができ、画素電極４２の直上Ａの液晶と画
素電極４２の外側Ｂの液晶を１つの画素とすることがで
きる。
【００７１】上記の態様の説明では、高誘電率の誘電体
層４８を透明基板４１側に形成したが、透明基板４１と
対向基板４７の両者の画素電極４２の外側に形成すると
さらに有効である。このようにすると、画素電極周囲部
分のブラックマトリクスを取り除くことができ、結果と
して開口率を向上することができ、電圧無印加時の液晶
表示パネルの透過率を改善し、コントラストを大きくす
ることができる。
層４８を透明基板４１側に形成したが、透明基板４１と
対向基板４７の両者の画素電極４２の外側に形成すると
さらに有効である。このようにすると、画素電極周囲部
分のブラックマトリクスを取り除くことができ、結果と
して開口率を向上することができ、電圧無印加時の液晶
表示パネルの透過率を改善し、コントラストを大きくす
ることができる。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
遮光膜からなるブラックマトリクスの開口の面積を拡
げ、実効的な開口率を上げることができるため、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の実効的透過率を向上さ
せ、バックライトを低電力化して、電池で駆動する場
合、連続作動時間を長期化することができる。
遮光膜からなるブラックマトリクスの開口の面積を拡
げ、実効的な開口率を上げることができるため、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の実効的透過率を向上さ
せ、バックライトを低電力化して、電池で駆動する場
合、連続作動時間を長期化することができる。
【００７３】また、帰線期間中にデータバスライン電圧
を印加することによってブラックマトリクスの機能を実
現すると、ＴＦＴ基板と対向基板の貼り合わせ精度が関
係なくなるため、貼り合わせマージンが必要なく、開口
率を改善することができ、これに、画素電極付近の液晶
の反応も表示に加わるため、実質的開口率はさらに改善
される。
を印加することによってブラックマトリクスの機能を実
現すると、ＴＦＴ基板と対向基板の貼り合わせ精度が関
係なくなるため、貼り合わせマージンが必要なく、開口
率を改善することができ、これに、画素電極付近の液晶
の反応も表示に加わるため、実質的開口率はさらに改善
される。
【図１】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の原理説明図であり、（Ａ）は平面を示し、（Ｂ）は電
圧印加時の断面を、（Ｃ）は電圧無印加時の断面を示し
ている。
の原理説明図であり、（Ａ）は平面を示し、（Ｂ）は電
圧印加時の断面を、（Ｃ）は電圧無印加時の断面を示し
ている。
【図２】第２実施例のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の構成説明図である。
装置の構成説明図である。
【図３】第３実施例のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の構成説明図である。
装置の構成説明図である。
【図４】第４実施例のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の構成説明図である。
装置の構成説明図である。
【図５】第５実施例のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の駆動方法説明図であり、（Ａ）は表示面の走査方
法、（Ｂ）はゲート電圧、（Ｃ）は画像信号を示してい
る。
装置の駆動方法説明図であり、（Ａ）は表示面の走査方
法、（Ｂ）はゲート電圧、（Ｃ）は画像信号を示してい
る。
【図６】従来の液晶表示装置の画素電極近傍の透過率説
明図であり、（Ａ）は画素電極周辺の断面を示し、
（Ｂ）は画素電極に印加する電圧と透過率の関係を示し
ている。
明図であり、（Ａ）は画素電極周辺の断面を示し、
（Ｂ）は画素電極に印加する電圧と透過率の関係を示し
ている。
【図７】画素電極の外側の液晶を高プレチルト状態にす
る場合の説明図で、（Ａ）は画素電極周辺の断面を示
し、（Ｂ）は画素電極に印加する電圧と透過率の関係を
示している。
る場合の説明図で、（Ａ）は画素電極周辺の断面を示
し、（Ｂ）は画素電極に印加する電圧と透過率の関係を
示している。
【図８】画素電極の外側に高誘電率を有する誘電体を形
成する場合の説明図である。
成する場合の説明図である。
【図９】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
説明図である。
説明図である。
【図１０】ゲートバスラインの電圧により発生する漏れ
光説明図であり、（Ａ）は断面を、（Ｂ）は平面を示し
ている。
光説明図であり、（Ａ）は断面を、（Ｂ）は平面を示し
ている。
【図１１】データバスラインの電圧によって発生する漏
れ光説明図である。
れ光説明図である。
【図１２】画素電極の電圧により発生する漏れ光説明図
である。
である。
【図１３】従来の遮光膜を形成したアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の開口率説明図である。
ス型液晶表示装置の開口率説明図である。
１ 画素電極 ２ ソース電極 ３ ドレイン電極 ４ ゲート電極 ５ ＴＦＴ ６ ゲートバスライン ７ データバスライン ８ ＢＭ ９ ＴＦＴ基板 １０ 液晶 １１ 対向電極 １２ 対向基板 ２１ 透明基板 ２２ 画素電極 ２３ 配向膜 ２４ 液晶 ２５ 配向膜 ２６ 対向電極 ２７ 対向基板 ３１ 透明基板 ３２ 画素電極 ３３ 配向膜 ３３1 低プレチルト配向膜 ３３2 高プレチルト配向膜 ３４ 液晶 ３５ 配向膜 ３５1 低プレチルト配向膜 ３５2 高プレチルト配向膜 ３６ 対向電極 ３７ 対向基板 ４１ 透明基板 ４２ 画素電極 ４３ 配向膜 ４４ 液晶 ４５ 配向膜 ４６ 対向電極 ４７ 対向基板 ４８ 高誘電率の誘電体層
Claims (14)
- 【請求項１】 非線形素子を有するアクティブマトリク
ス型液晶表示装置において、画素電極以外の部分からの
漏れ光を遮光するブラックマトリクスの開口の少なくと
も一部が、該画素電極の外周よりも外側に位置すること
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 ブラックマトリクスの開口の少なくとも
一部が、画素電極の外周よりも１０μｍ以下外側に位置
することを特徴とする請求項１に記載されたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 画素電極が非線形素子に接続されたデー
タバスラインの側のブラックマトリクスの開口が、画素
電極の外周よりも外側に位置することを特徴とする請求
項１に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項４】 画素電極が接続されたデータバスライン
と平行で、該データバスラインの反対側のブラックマト
リクスの開口が、該画素電極の外周よりも外側に位置す
ることを特徴とする請求項１に記載されたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】 画素電極の一部を次段の画素のゲートバ
スラインの上に重ねてＣｓ ｏｎ Ｇａｔｅ構造にし、
前段の画素電極の次段側端部が次段のゲートバスライン
よりも次段の画素電極の近くに延び、次段の画素電極と
の間隙が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１
に記載されたアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項６】 画素電極に電圧を印加しないときに明状
態であり、電圧を印加したときに暗状態になるノーマリ
ホワイトの表示モードを有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、該画素電極以外の部分からの漏
れ光を遮光するブラックマトリクスの開口の少なくとも
一部が、該画素電極の外周よりも外側に位置することを
特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項７】 画素電極とゲートバスラインとの間隙が
１５μｍ以下であり、この領域にブラックマトリクスの
遮光部分がないことを特徴とする請求項６に記載された
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項８】 画素電極とデータバスラインとの間隙が
１０μｍ以下であり、この領域にブラックマトリクスの
遮光部分がないことを特徴とする請求項６に記載された
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項９】 非書き込み期間に、ゲートバスラインに
印加するオフ電圧を、ゲートバスラインから５μｍはな
れた位置の液晶の透過率が５０％以下になるような値に
することを特徴とする請求項６に記載されたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項１０】 画素電極に電圧を印加しないときに明
状態であり、電圧を印加したときに暗状態になるノーマ
リホワイトの表示モードを有し、該画素電極とデータバ
スラインとの間隙が１０μｍ以下で、この領域に該画素
電極以外の部分からの漏れ光を遮光するブラックマトリ
クスの遮光部分がないアクティブマトリクス型液晶表示
装置を駆動する際、帰線期間に、データバスラインに電
圧を印加することを特徴とするアクティブマトリクス型
液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項１１】 帰線期間に、データバスラインに印加
する電圧が、書き込み期間における最大印加電圧以上で
あることを特徴とする請求項１０に記載されたアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項１２】 画素電極に電圧を印加しないのとき明
状態、電圧を印加したとき暗状態となるノーマリホワイ
トの表示モードを有し、該画素電極以外の部分からの漏
れ光を遮光するブラックマトリクスの開口の少なくとも
一部が、該画素電極の外周よりも外側に位置する非線形
素子を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、該画素電極の外側の部分の液晶の反応しきい値
が、該画像電極の部分の液晶の反応しきい値よりも低い
ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項１３】 画素電極の外側の部分の液晶が、該画
素電極の部分の液晶より高プレチルト配向されているこ
とを特徴とする請求項１２に記載されたアクティブマト
リクス型液晶表示装置。 - 【請求項１４】 画素電極の外側の部分の液晶に接する
部分に、該画素電極の部分より高い誘電率を持たせたこ
とを特徴とする請求項１２に記載されたアクティブマト
リクス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13552993A JPH06347824A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13552993A JPH06347824A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347824A true JPH06347824A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15153906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13552993A Pending JPH06347824A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347824A (ja) |
Cited By (11)
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|---|---|---|---|---|
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| US6335776B1 (en) | 1998-05-30 | 2002-01-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode |
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| US6633357B2 (en) | 2000-06-27 | 2003-10-14 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and method of fabricating the same |
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-
1993
- 1993-06-07 JP JP13552993A patent/JPH06347824A/ja active Pending
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| US7826020B2 (en) | 1997-06-10 | 2010-11-02 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
| US7440065B2 (en) | 1997-06-10 | 2008-10-21 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
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