KR100297662B1 - 전기광학장치 - Google Patents

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순페이 야마자끼
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

액티브 매트릭스 액정 표시장치의 화소 구조에 있어서, 특정 전압으로 유지되는 공통라인으로부터 분기되는 공통전극과 공통면에 배열된 박막 트랜지스터의 드레인에 연결된 화소 전극은 나선형으로 서로의 주위로 감긴다. 기판상의 각 화소에 배열된 공통전극과 화소전극 사이에는 기판에 평행하게 배향되는 전계가 발생한다. 이 전계는 액정재료를 구동시켜 가시적으로 표시한다. 화소전극은 근처의 게이트 라인 및/또는 소스라인으로부터의 간섭의 영향을 받지 않도록 각 화소의 공통전극에 의해 둘러싸인다.

Description

전기광학장치
본 발명은 액티브 매트릭스 표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 액티브 매트릭스 표시장치의 기판상의 배선설계 및 전극구조에 관한 것이다.
본 발명의 종래 기술은 액정이 두 개의 기판사이에 개재되고, 전계가 기판상에 제공된 한 쌍의 전극을 통해 액정에 가해져 액정의 광학성질을 변화시켜 정보를 가시적으로 표시하는 종래에 공지된 표시장치 구조를 포함한다.
상기 종래에 사용되는 구조의 액정 표시기(LCD)의 동작은 전계를 받을 때에 관찰되는 액정의 분자 작용에 기초한다. 전계가 2개의 기판 사이에 인가되었을 때, 액정의 분자들은, 예를들어 기판의 표면에 평행하거나 수직한 방향으로 정렬된다. 이렇게 분자들이 특정방향으로 정렬되면 액정의 광학적 성질이 변화되어, 인가된 전계에 해당하는 가시적인 표시가 이루어진다.
액정의 분자들이 전계방향으로 정렬되거나 또는 2개의 기판의 표면에 수직하게 된 경우, 액정은 광의 투과에 대하여 이방성을 나타낸다. 상기 형태의 액정의 광학적 이방성은 2개의 다른 관찰각, 즉 스크린면에 수직한 방향과 수직방향에 대하여 약간의 각도로 비스듬한 방향에서 LCD 스크린상에서 보여지는 이미지를 비교함으로서 알 수 있다. 이 광학적 이방성은 LCD를 수직방향에서 볼 때는 시선이 결정축과 일치하고 비스듬한 관찰각으로 스크린을 볼 때는 일치하지 않기 때문에 발생한다. 이방성은 예를들어 비스듬한 각도로 보았을 때 종래의 LCD 장치에서 표시되는 이미지가 불명확하거나 희미하게 보이는 사실로부터 쉽게 인지할 수 있다.
상기 현상은 LCD 장치의 관찰 각도가 음극선관(CRT) 또는 전기발광(EL) 표시장치의 관찰각도보다 작도록 LCD장치의 관찰각도의 제한을 주는 것이 일반적으로 알려져 있다.
상기 문제점을 극복하기 위해, 일본국특허출원 제 63-21907호는 액정의 분자들의 장축이 한쌍의 기판에 평행한 면에서 회전하여 액정의 광학성질을 변화시키는 LCD 장치의 구조를 제시했다. 이 구조는 분자축이 기판에 수직하지 않게 되므로 시계에 관련된 문제의 해결책을 제시한다.
도 21은 기판에 평행한 면에서 액정의 각각의 분자들을 회전시키기 위한 종래의 구조에 따른 LCD 장치의 표시 소자 또는 화소를을 나타낸다.
LCD 장치는 도 21에 도시한 바와 같이 그리드패턴을 형성하도록 배열된 게이트라인(11) 및 소스라인(12)을 포함한다. 각 게이트라인(11)은 박막트랜지스터(13)의 게이트에 신호를 전송하기 위한 도선인 반면 각 소스라인(12)은 박막트랜지스터(13)의 소스에 이미지신호를 전송하기 위한 도선이다. 박막트랜지스터(13)의 드레인에 연결된 화소전극(14)은 다른 전극(15)처럼 빗형태를 형성한다. 이들 전극(14, 15)은 화소전극의 각 치형부(teeth)가 다른 전극의 각 치형부사이의 공간에 위치하는 방식으로 배열된다. 도 21에서 알 수 있듯이, 전극(15)은 특정전압으로 유지되는 도선(16)으로부터 분기된다.
이렇게 배열된 빗형태의 전극(14, 15)은 기판의 표면에 평행하게 향하는 전제를 형성하며, 따라서 액정의 각 분자들이 기판에 평행한 면에서 회전하게 할 수 있다.
그러나, 도 21에 도시한 구조에 있어서, 화소전극(14)은 참조부호 17로 나타낸 영역에서 소스라인(12)와 나란하게 연장된다. 또한 화소전극(14)은 참조부호 18로 나타낸 영역에서 게이트라인(11)과 나란하게 연장된다. 도체 패턴에서 근접하게 평행하게 연장되는 상기 형태는 그 사이의 결합으로 인한 상호 간섭을 야기하기 쉽다. 보다 구체적으로 신호가 화소전극(14)과 소스라인(12)사이에서, 그리고 화소전극(14)과 게이트라인(11)사이에서 교란되어 이미지의 질을 떨어뜨린다.
도 21의 구조에 있어서, LCD 장치의 각 열에서의 각각의 빗형상 전극(15)은 도선(16)에 의해 서로 연결된다. 도 22는 LCD 장치의 각 열에서의 다수의 빗형상 전극(25)이 특정전압으로 유지되는 도선(26)에 의해 서로 연결되는 종래의 다른 구조를 나타낸다. 도 22에 도시한 도체의 배치를 이용더라도 전극 사이의 간섭문제는 해결되지 않고 남게 된다.
도 22에 도시한 구조에 있어서, 게이트라인(21)과 소스라인(22)은 그리드패턴을 형성하도록 배열된다. 각 게이트라인(21)은 신호를 박막트랜지스터(23)의 게이트에 전송하기 위한 도선인 반면에 각 소스라인(22)은 이미지신호를 박막트랜지스터(23)의 소스에 전송하기 위한 도선이다. 화소전극(24)은 박막트랜지스터(23)의 드레인에 연결된다. 각 빗형상 전극(25)은 특정전압으로 유지되는 도선(26)으로부터 분기한다. 전극(24, 25)은 전극(24)의 각 치형부가 전극(25)의 각 치형부사이의공간에 위치하는 방식으로 배열된다. 이링게 배열된 빗형상 전극(24, 25)은 LCD 장치의 기판의 표면과 평행하게 향하는 전계를 만든다.
도 22의 구조는 여전히 화소를 형성하는 화소전극(24)과 참조부호 27로 나타낸 영역에서의 소스라인(22)사이의 상호간섭을 야기하기 쉽다. 화소전극(24)과 게이트라인(21)이 서로 평행하게 연장되는 부호 28로 나타낸 영역도 상호간섭을 받기 쉽다.
본 발명은 상기 종래의 문제점에 비추어 이루어진 것이다. 따라서, 본 발명의 목적은 LCD 장치의 관점에서 볼때 제한에 관련된 문제점을 해결할 수 있는 구조를 제공하는 것이다. 본 발명의 또다른 목적은 LCO 장치가 기판과 평행한 방향으로 전계가 인가될 때 생기는 문제점을 해결하여 선명한 이미지를 제공할 수 있는 구조를 제공하는 것이다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 액티브 매트릭스 표시장치는 그리드 패턴을 형성하도록 기판에 배열된 게이트라인 및 소스라인, 각각의 화소에 위치한 박막트랜지스터, 각각 상기 게이트라인중의 하나에 연결된 게이트와 상기 소스라인중의 하나에 연결된 소스를 갖는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터의 드레인에 각각 연결된 제 1 전극과, 특정전압으로 유지되는 공통라인과, 상기 공통라인으로부터 분기되는 제 2전극으로 구성되는데, 상기 제 1 및 제 2전극은 그 아암들이 각 화소에서 서로의 주위로 감기도록 나선(소용돌이)형태로 배열된다.
본 발명의 또다른 형태에 있어서, 액티브 매트릭스 표시장치는 함께 그리드패턴을 형성하도록 기판에 배열된 게이트라인 및 소스라인과, 각각의 화소에 위치하며, 각각 상기 게이트라인중의 하나에 연결된 게이트와 상기 소스라인중의 하나에 연결된 소스를 갖는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터의 드레인에 각각 연결된 제 1전극과, 특정전압으로 유지되는 공통라인과, 상기 공통라인에 각각 연결되는 제 2전극으로 구성되는데, 상기 제 1 및 제 2전극은 그 아암들이 각 화소에서 서로의 아암 사이의 공간에 위치하도록 배열된다.
본 발명의 또다른 형태에 있어서, 액티브 매트릭스 표시장치는 기판상의 각 화소에 형성된 박막트랜지스터의 드레인에 각각 연결된 제 1전극과, 상기 제 1 및 제 2전극사이에서 상기 기판에 평행한 성분을 포함하는 전계를 발생시키기 위한 제 2전극으로 구성되는데, 상기 제 1 및 제 2전극은 그 아암들이 상기 기판상의 각 화소에서 서로의 주위로 감기도록 각각 나선(소용돌이)형으로 형성된다.
본 발명의 또 다른 형태에 있어서, 액티브 매트릭스 표시장치는 다수의 화소로 구성되는데, 각 화소는 기판상에 나선(소용돌이)형태로 서로의 주위로 감기는 한쌍의 전극을 구비하며, 상기 전극쌍은 상기 기판에 평행한 성분을 포함하는 전계가 상기 전극사이에 생기도록 배열된다.
본 발명의 표시장치의 기본구조에 있어서, 대량기판에 평행하게 놓인 단일장치부착기판상에 각각의 화소전극이 배열된다. 상기 구조는 종래기술을 능가하는 다음과 같은 장점을 제공한다.
본 발명에 따르면, 대향기판에 도체패턴을 형성할 필요가 없다. 이 구조는 표시 패널의 제작 공정을 용이하게 한다. 또한, 본 발명의 구조는 서로 결합되었을때 적용되는 기판 사이의 공간에 대한 허용(tolerance) 레벨을 향상시키기 때문에 대향기판과 장치부착기판을 정렬하기가 쉬워진다.
또한, 각각의 전극사이의 거리를 정확하게 설정할 수 있고 각각의 화소가 고밀도로 만들어질 수 있도록 매우 정밀하게 전극과 도체라인을 형성할 수 있게 된다.
종래기술에서 액정재료가 개재된 한 쌍의 기판에 의해 용량성 부하가 생기지만, 이런 형태의 용량성 부하는 본 발명에서는 화소전극과 공통전극이 단일장치부착 기판상에 함께 배열되기 때문이다 발생되지 않는다. 이는 표시장치의 동작속도를 향상시키고 그의 전력소모를 줄여주는 기능을 한다.
본 발명은 또한 LCD 장치의 분야에서의 한계에 관련된 문제점을 해결하는 구조를 제공한다
또한, 본 발명은 LCD 장치의 기판에 평행한 방향으로 전계를 인가하는 것과 관련된 문제점의 해결책을 제공한다. 보다 구체적으로, 본 발명은 화소전극의 전압교란을 억제하기 위해 게이트라인 또는 소스라인, 또는 게이트라인 및 소스라인 모두가 각 화소의 박막트랜지스터의 드레인에 연결된 화소전극(또는 제 1전극)과 평행하게 배열되는 것을 방지하는 구조를 제공한다. 이렇게 하면 뚜렷한 이미지를 제공할 수 있게 한다.
그러므로 본 발명의 표시장치는 고정밀 가시적 표시가 요구되는, 예를들어 공 간광모듈레이터(space light modulator)로서 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에 도시한 선 A-A'을 따라서 취한 단면도.
도 3은 제 1 실시에 따른 액티브 매트릭스 LCD 장치의 일반적인 배선도.
도 4는 제 1 실시예에 따른 장치부착기판의 블록도.
도 5는 도 4의 구조의 변형예에 따른 장치부착기판의 블록도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 8은 도 7에 도시한 선 B-B'을 따라서 취한 단면도.
도 9는 본발명의 제 4 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 10은 도 9에 도시한 선 C-C'을 따라서 취한 단면도.
도 11은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 12는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 13은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 14는 본 발명의 제 8 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 15는 본 발명의 제 9 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 16은 제 8 실시예에 따른 장치부착기판의 블록도.
도 17은 제 9 실시예에 따른 장치부착기판의 블록도.
도 18은 본 발명의 제 10 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 19는 본 발명의 제 11 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 20은 본 발명의 제 12 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도.
도 21은 종래의 화소배치를 나타내는 평면도.
도 22는 다른 종래의 화소배치를 나타내는 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11, 21: 게이트라인 12, 22: 소스라인 13, 23: 박막트랜지스터
14, 24: 화소전극 15, 25: 전극 16, 26: 도체라인
100, 507, 508, 527, 528, 707, 708: 박막트랜지스터
101, 501, 525, 526, 605, 606, 701, 801, 804: 게이트라인
102, 505, 506, 521, 607, 608, 702, 703, 802, 803,: 소스라인
103, 341, 301, 311, 321, 331, 341, 351, 502, 503, 522, 523, 705, 706, 810-813: 화소전극
104, 609, 704, 805: 공통라인
105, 342, 302, 312, 322, 332, 342, 352, 509, 510, 524, 529, 530, 709, 710, 814-817: 공통전극
200: 장치부착기판 201, 211: 기판 202: 활성층
203: 게이트절연막 204: 제 1층간유전막 205: 제 2층간유전막
206: 보호층 207, 212: 배향층 210: 대향기판
213: 액정재료 401: 게이트라인 구동기
402: 소스라인구동기 601, 602, 603, 604: 화소
본 발명에 따른 표시장치는 각각의 화소전극이 대향기판에 평행하게 놓여진 단일장치부착 기판에 배열된다. 본 발명에서 이용되는 기본적인 구조를 예를들어 도 1에 도시한 제 1실시예를 참조하여 이하 간단히 설명한다.
도 1에는 기판(201)에 서로 그리드패턴을 형성하는 게이트라인(101)과 소스라인(102)으로 구성되는 액티브 매트릭스 LCD 장치의 화소증의 하나가 도시되어 있다. 각 화소는 게이트라인(101)에 연결된 게이트와 소스라인(102)에 연결된 소스를 갖는 박막 트랜지스터(100)와, 박막 트랜지스터(100)의 드레인에 연결된 제 1전극(화소전극이라고도 한다)(103)과, 특정 전압으로 유지되는 공통라인(104)과, 공통라인(14)으로부터 분기되는 한 쌍의 제 2전극(공통전극이라고도 한다)(105)을 포함한다.
도 1에서 알 수 있는 바와 같이, 제 1 및 제 2전극(103, 105)은 서로의 주위로 감겨진 아암을 가지고 각 화소에서 나선형으로 배열된다. 다른 방법으로서 제 1 및 제 2전극(103, 105)은 그 아암이 각각의 다른 아암 사이의 공간에 위치하도록 배열될 수 있다.
도 1에 도시한 구조에 있어서, 제 1 및 제 2전극(103, 105)은 전계의 주성분을 기판(201)에 평행하게 배열하기 위해 공통면에 형성되는 것이 바람직하다. 제 1 및 제 2 전극(103, 105)은 반드시 단일층에 존재할 필요는 없고 절연층에 의해 격리된 다른층에 형성될 수도 있다.
본 발명에 있어서, 제 1 및 제 2전극은 단일기판에 형성되고, 박막트랜지스터에 연결된 각각의 제 1 전극은 소스라인이나 게이트라인 또는 양자에 의해 생긴전계로부터의 간섭으로부터 보호되는 방식으로 배열되는 것이 바람직하다.
전계로부터의 간섭에 영향을 받지 않는 제 1 전극을 유지하기 위해, 제 2 전극은 적어도 동일기판상의 제 1 전극과 소스라인사이 또는 제 1 전극과 게이트라인 사이의 갭에 위치되는 절편(segment)를 갖는 것이 바람직하다.
도 1에 도시한 제 1실시예는 이런 회로배열을 실행할 수 있는 예이다. 각각의 제 2 전극(105)은 기판(201)상에서 제 1 전극(103)과 소스라인(102)사이의 갭, 및 제 1전극(103)과 게이트라인(101)사이의 갭속에 배열됨을 알 수 있다.
도 12는 상술한 회로구조의 다른 실행가능한 예를 나타내며, 여기서 제 2 전극(공통전극이라고도 한다)(342)은 단일기판상의 제 1 전극(화소전극이라고도 한다)(341)과 소스라인(102)사이의 갭에 위치하는 적어도 하나의 라인절편을 갖는다.
도 13은 상술한 회로구조의 또 다른 실행가능한 예를 나타내며, 여기서 제 2 전극(공통전극이라고도 한다)(352)은 단일기판상의 제 1 전극(화소전극이라고도 한다)(351)과 게이트라인(101)사이의 갭에 위치하는 적어도 하나의 라인절편을 갖는다.
제 1 실시예
이하 본 발명의 제 1 실시예를 보다 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 LCD 장치의 일반적인 배치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 선 A-A'를 따라서 취한 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, LCD 장치의 장치부착기판(200)은 상술된 기판을 구성하는 유리 또는 석영판, 각각 박막 트랜지스터(100)의 규소층을 형성하는 활성층(202), 예를 들어 이산화 규소층으로 이루어진 게이트 절연막(203)을 포함하는 다층구조로 초기 언급된 게이트라인(101)(또한 주사라인으로 언급된다)은 각각 박막 트랜지스터(100)의 게이트에 연결되고, 수직적으로 적층되거나 또는 서로 증착된다. 예를들어, 이산화규소층으로 이루어진 제 1 층간 유전막(204)이 게이트절연막(203)과 게이트라인(101)의 상부에 성층되며, 각 박막트랜지스터(100)(또는 활성층(202))의 소스 및 드레인에 대한 콘택홀이 제 1 층간유전막(204)에 형성되며, 각 박막트랜지스터(100)의 소스에 연결된 앞에서 언급한 소스라인(102)이 만들어진다. 다음, 제 2 층간유전막(205)이 만들어지고, 각 박막트랜지스터(100)의 드레인에 대한 콘택홀이 제 1층간유전막(204)에 만들어지며, 각각의 드레인에 연결된 사각 나선형 화소전극(103), 공통라인(104) 및 각각의 공통라인(104)로부터 분기되는 사각 나선형의 공통라인(104)이 제 2층간유전막(205)에 형성된다. 이들 도선과 전극의 상부에는 또한 보호층(206)과 배향층(207)이 순서대로 만들어진다.
한편, 장치부착기판(200)의 반대측에 놓이는 대향기판(210)은 기판(211)을 구성하는 유리 또는 석영판과 기판(211)의 표면에 형성된 배향층(212)을 포함한다. 장치부착기판(200)과 대량기판(210)은 밀봉재료(도시하지 않음)에 의해 서로 평행하게 결합되며 그 배향층(207, 212)은 내측으로 향하며, 두 개의 기판(200, 210)사이의 갭에는 액정재료(213)가 채워진다.
도 3은 각각의 전극과 도선들이 매트릭스 형태로 배열되는 제 1실시예에 따른 액티브 매트릭스 LCD장치의 일반적인 배선도이고, 도 4는 장치부착기판(200)의 블록도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 각각의 게이트라인(101)과 소스라인(102)은 서로 직각으로 배열되어 사각형 그리드를 형성한다. 게이트라인(101)은 게이트라인 구동기(401)에 연결되는 한편 소스라인(102)은 소스라인 구동기(402)에 연결된다. 또한, 각각의 공통전극(105)은 각각의 공통라인(104)에 연결된다. 공통라인(104)은 특정전압 Vcom으로 유지되기 때문에, 모든 공통전극(105)은 상기 정해진 전압 Vcom으로 유지된다. 이 전압 Vcom은 예를들어 접지전위로 설정될 수도 있다.
도 1에 도시된 것처럼, 각각 박막트랜지스터(100)의 드레인에 연결된 화소전극(103)은 하나의 공통라인(104)으로부터 분기되는 사각 나선형의 공통전극(105) 사이로 향하는데, 여기서 화소전극(103)과 공통전극(105) 사이의 거리는 X축 및 Y축방향에서 같게 만들어진다.
도 1에 도시한 구조에 있어서, 각각 화소는 사각 나선형으로 배열된 한쌍의 공통전극(105)과 1개의 화소전극(103)을 구비한다. 정보를 가시적으로 표시하기 위해 특정 화소가 구동될 때, 화소전극(103)과 공통전극(105) 사이에 전계가 형성되며 이 전계가 화소내의 액정재료(213)에 인가된다.
각 화소의 화소전극(103)과 공통전극(105)은 도 2에 도시한 바와 같이 공통면에 위치하기 때문에, 전계의 주성분은 주로 기판(201)의 표면에 평행한 방향으로 배향되므로 액정재료(213)의 각 분자들은 기판(201)에 평행한 힘을 받게 된다. 따라서 각각의 화소전극(103)과 공통전극(105) 사이에 형성된 전계를 제어함으로써 분자들을 회전시킬 수 있고 액정재료(213)의 분자들의 회전에 의해 생긴 전기-광학 성질의 변화로서 가시적으로 표시할 수 있다.
도 1에서 각 박막트랜지스터(100)의 드레인에 연결된 화소전극(103)은 근처의 게이트라인(101)과 소스라인(102)으로부터 공통전극(105)에 의해 둘러싸임을 알 수 있다. 이 구조는 게이트라인(101)과 소스라인(102)으로부터 화소전극(103)이 영향받지 않도록 유지시킬 수 있으며 따라서 각각의 화소 주위의 얼룩이나 번짐없이 뚜렷한 이미지를 제공한다.
또한, 도 1에 도시한 구조는 전극(103) 및 (105)이 각 화소의 증심영역쪽으로 연장되는 나선형(소용돌이)으로 배열되기 때문에 전극(103) 및 (105)의 단부가 주위의 회로장치로부터의 간섭을 덜 받게 되는 것을 특징으로 한다. 이는 각각의 전극(103, 105)의 단부가 각 화소의 중심영역에 존재하여 주위의 전계의 영향이 최소화되기 때문이다.
본 실시예에서, 화소전극(103)과 공통전극(105)은 서로 교차되거나 겹치지 않기 때문에 도 2에 도시한 바와 같이 동일층에 형성된다. 제 1 변형예에서, 화소전극(103)과 공통전극(105)은 중간 절연층에 의해 수직하게 격리될 수도 있다. 본 실시예의 이런 변형된 형태에서, 전극(103, 105)사이에서 생긴 전계의 강도는 화소전극(103)이 공통전극(105)의 상부나 하부에 형성될 수 있지만 액정재료(213)의 분자들을 회전시킬 수 있도록 충분히 높아야 한다.
화소의 각 행에서의 공통전극(105)은 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이 본 실시예의 각각의 공통라인(104)에 의해 서로 연결된다. 이 매트릭스구조는 화소의 각열에서의 공통전극(105)이 상호연결되는 방식으로 변화될 수 있다. 도 5는 이렇게 변형된 형태의 매트릭스구조에 따른 액티브 매트릭스 LCD장치를 나타내는 블록도이며, 여기서 도 4에 도시된 것과 동등한 소자들을 동일한 참조부호로 나타낸다.
제 2실시예
제 2실시예는 제 1 실시예의 변형예로, 제 2 실시예에서는 각각의 사각 나선형의 화소전극(301)의 권선 회수가 증가된다. 도 6은 본 발명의 제 2실시예에 따른 액티브 매트릭스 LCD 장치의 화소배치를 나타내는 평면도로서, 여기서 도 1에 도시된 것과 동등한 소자들을 동일한 참조부호로 나타낸다.
도 6에 도시한 화소의 화소전극(301)의 권선회수는 도 1에 도시한 화소전극의 권선수보다 증가된다. 따라서 화소에서 한쌍의 공통전극(302)의 총권선수가 증가되어 화소전극(301)이 공통전극(302)에 의해 둘러싸이며 화소전극(301)은 어떤 게이트라인(101) 또는 소스라인(102)과도 나란하게 연장되지 않는다.
제 3 실시예
도 1에 도시한 제 1 실시예에 있어서, 화소전극(103)과 공통전극(105) 사이에 생긴 전계는 2개의 성분, 즉 도 1의 지면에서 X축으로 향하는 성분과 Y축으로 향하는 것을 포함한다. 이 때문에, 액정재료(213)의 분자들은 특정방향으로 균일하게 향하지 않는다. 따라서 선형극성의 단일방향을 갖는 통상적으로 사용되는 극성판을 활용하기 어렵다. 대신에 다른 위치에서 다른 극성방향을 갖는 특정 극성판이 요구되며 이런 특정 극성판의 배열은 상당히 어렵다.
이하 설명되는 제 3 실시예는 상술한 문제점의 해결책을 제공하기 위해 창안된 제 1 실시예의 변형형태로서, 통상적으로 사용하는 선형극성의 단일방향을 갖는 극성판을 이용할 수 있게 한다.
도 7은 본 발명의 제 3실시예에 따른 액티브 매트릭스 LCD 장치의 화소배치를 나타내는 평면도이며, 도 8은 도 7에 도시된 선 B-B'를 따라서 취한 일반적인 단면도이다. 도 7 및 도 8에 있어서, 도 1에 도시된 것에 해당하는 소자를 동일한 참조부호로 나타낸다.
본 실시예는 장치부착기판(200)에서 각 화소의 화소전극(311)과 공통전극(312)의 구조를 제 1 실시예의 화소전극(103)과 공통전극(105)의 구조로부터 변형하는 것을 특징으로 한다. 제 1 실시예의 X축 및 Y축에 있어서, 각 화소의 화소전극(103)과 공통전극(105)은 동일한 거리 또는 라인간격으로 배열되지만, 화소전극(311)과 공통전극(313)사이의 거리는 제 3실시예에서 X축방향으로 약간 작게 만들어진다. 제 3 실시예의 다른 소자들은 제 1 실시예와 같은 방식으로 배열된다.
각각의 전극(311, 312)사이의 거리가 이런 방식으로 차별화되므로, 화소전극(311)과 공통전극(312)사이에 생긴 전계는 주로 장치부착기판(200)의 표면에 평행하며 전계의 Y성분이 가장 지배적이게 된다. 이런 구조로 인해 장치부착기판(200)의 표면에 평행한 방향으로 액정재료(213)에 전계가 인가될 수 있으며 액정재료(213)의 각각의 분자의 회전축이 균일하게 배향될 수 있으므로 단일 선형극성 방향을 갖는 통상적으로 사용되는 극성판을 이용할 수 있게 된다. 또한 화소전극(311)과 공통전극(313) 사이의 거리가 약간 감소하므로 각 화소의 개구비가 감소되며 간격이 감소된 전극(311, 312)이 각 화소와 평행하게 연결된 보조커패시터로서 사용될 수 있다.
이 보조커패시터의 커패시턴스는 화소전극(311)과 공통전극(312)이 서로 근접하게 연장되는 라인 절편의 총길이에 의해 결정된다. 따라서 공통전극(312)의 적정 귄선수를 선택함으로써 보조커패시터의 커패시턴스를 제어가능하게 설정할 수 있다. 예를들어 도 6에 도시한 화소에 있어서, 화소전극(301)과 공통전극(302)의 근접한 평행 절편의 총길이는 큰 보조커패시턴스가 생기도록 X축방향으로의 간격을 줄임으로써 증가될 수 있다.
제 4 실시예
제 4 실시예는 특히 개구비를 증가시키기 위한 제 3 실시예의 일 변형예이다. 도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 액티브 매트릭스 LCD 장치의 일반적인 화소배치를 나타내는 평면도이고, 도 10은 도 9에 도시한 선 C-C'를 따라서 취한 단면도이다. 도 9 및 도 10에 있어서, 도 1 및 도 2에 도시된 것에 해당하는 소자를 동일한 참조부호로 나타냈다.
제 3 실시예에서는 화소전극(311)과 우측의 공통전극(312) 사이의 거리가 X축방향으로 감소되는 반면에 제 4 실시예에서는 화소전극(321)과 공통전극(322)중의 하나 사이의 거리가 화소전극(321)의 라인절편이 우측공통전극(322)과 겹치는 지점까지 X축방향으로 더욱 감소된다.
단락없이 화소전극(321)과 우측공통전극(322)사이가 겹치게 하기 위하여, 화소전극(321)과 공통전극(322)은 도 10에 도시한 바와 같이 제 3 층간유전막(230)에 의해 수직으로 분리된다. 공통전극(322)들이 화소전극(321) 위에 위치되지만, 역으로 상하관계로 위치할 수 있다.
각각의 전극(321, 322)사이의 거리는 본 실시예에서 제 2 실시예와 유사한방식으로 X축방향으로 감소된다. 그 결과 화소전극(321)과 공통전극(322)사이에서 생긴 전계가 장치부착기판(200)의 표면에 평행하게 만들어지는데, 전계에서 Y성분이 지배지적인 반면 X성분은 거의 무시할 수 있다. 이런 구조로 인해 장치부착기판(200)의 표면에 평행한 방향으로 전계가 액정재료(213)에 인가될 수 있으며, 액정재료(213)의 각각의 분자의 회전축이 균일하게 배향되므로 통상적으로 사용하는 단일선형극성방향을 갖는 극성판을 이용할 수 있게 된다.
또한 전극(321, 322)의 겹친 부분은 함께 보조 커패시터로서 작용한다. 화소전극(321)과 우측공통전극(322)사이의 거리가 서로 약간 겹침으로써 제 3 실시예에비하여 더욱 감소되기 때문에 각 화소의 개구비가 더욱 증가된다.
제 5 실시예
도 11은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 화소구조를 나타낸다. 본 실시예의 화소구조는 박막 트랜지스터(100)의 드레인에 연결된 화소전극(331)과 공통라인(104)으로부터 분기하는 공통전극(332)이 사각 나선형보다는 이중 나선곡선을 형성하도록 배열된다.
도 11에 있어서, 도 1에 해당하는 소자들을 동일한 참조부호로 나타냈다. 보다 구체적으로 화소전극(331)과 공통전극(332) 이외의 소자들은 제 1 실시예에서와 같은 방식으로 구성된다. 따라서 각각의 게이트라인(101), 소스라인(102) 및 공통라인(104)는 도 4에 도시된 것처럼 서로 사각형그리드를 형성하도록 배열된다.
도 11에 도시한 구조는 나선형 패턴이 수직으로 굽은 부분을 갖지 않으므로 화소전극(331)과 공통전극(332)사이에 균일한 전계를 형성할 수 있게 한다.
제 6 실시예
지금까지 설명한 제 1 내지 제 5 실시예에 사용된 기본적인 설계는 공통전극이 화소전극과 근처의 소스라인사이의 갭에 위치되는 반면 다른 공통전극은 각 화소전극과 근처의 게이트라인 사이의 갭에 위치하는 것이다.
이하 설명할 실시예들은 공통전극이 각각의 화소전극과 근처의 소스라인 사이의 갭 또는 각각의 화소전극과 근처의 게이트라인사이의 갭에 위치하여 어떤 화소전극도 소스라인과 게이트라인과 나란히 연장되지 않도록 하는 것에 기초한다. 각각의 화소전극은 소스라인 또는 게이트라인에 의해 생기는 전계에 영향을 받지만 이 설계는 각 공통라인이 차지하는 영역이 줄어들어 유효 표시영역을 증가시키는 것이 유리하다.
본 발명의 제 6 실시예는 각각의 화소전극과 근처의 소스라인 사이의 갭에 위치하는 것에 기초한다. 도 12는 제 6 실시예에 따른 화소배치를 일반적으로 나타내는 평면도로서, 도 1에 도시된것에 해당하는 소자를 동일한 참조부호로 나타냈다.
본 실시예에 있어서, 게이트라인(101)과 소스라인(102)이 각각의 박막트랜지스터(100)에 연결되어 사각형 그리드를 형성한다. 도 12에 있어서, 사각 나선형 화소전극(341)은 각각 박막트랜지스터(100)의 드레인에 연결되는 반면 공통전극(342)은 특정전압으로 설정된 근처의 공통라인으로부터 분기된다.
도 12에 도시한 구조에 있어서, 각 화소은 하나의 화소전극(341)과 공통전극(342)로 구성된다. 이들 전극(341, 342)의 조합은 각 화소에 포함된 액정재료(213)에 인가된 전계를 형성하는데, 여기서 전계의 주성분은 장치부착기판에 평행하게 배향된다. 이 구조에서, 화소전극(341)은 화소전극(341)이 소스라인(102)과 나란하게 연장되지 않도록 특정전압으로 유지되는 근처의 공통라인(104)으로부터 분기되는 공통전극(342)에 의해 근처의 소스라인(102)로부터 차단된다. 각각의 공통라인(104)에 인가된 전압은 예를들어 접지전위같은 적정레벨로 설정될 수 있다.
상기 구조는 화소전극(341)이 소스라인(102)에 영향을 받지 않게 할 수 있으므로 각 화소 주위의 얼룩 또는 번짐없이 뚜렷한 이미지를 제공한다.
본 실시예에 있어서, 박막트랜지스터(100)의 드레인에 연결된 화소전극(341)과 근처의 공통라인(104)로부터 분기되는 공통전극(342)은 그 라인절편들이 서로의 주위로 감기는 방식으로 각 화소의 동일면에 배열되어 함께 이중 사각나선패턴을 형성한다. 전극(341, 342)에 이웃하는 라인절편은 일반적으로 그 길이에 걸쳐 서로 등거리로 이격되며 그 이웃하는 라인절편사이에 전계가 형성된다.
전계의 주성분은 액정재료(213)의 각 분자가 장치부착기판에 평행하게 향하는 힘을 받도록 상술한 바와 같이 장치부착기판에 평행하게 배향된다. 액정분자들은 전계의 강도를 제어함으로써 회전된다, 이렇게 만들어진 액정분자의 회전동작은 액정재료(213)의 전기광학성질을 변화시켜 정보를 가시적으로 표시할 수 있게 한다.
도 12에 도시한 구조는 전극(341) 및 (342)이 각 화소의 중심영역쪽으로 연장되는 나선형태로 배열되기 때문에 전극(341, 342)의 단부가 주위의 회로장치로부터 간섭을 덜 받는 것에 특징이 있다. 이는 주위의 전계의 영향이 최소가 되는 각 화소의 중심부위에 각각의 전극(341, 342)의 단부가 위치하기 때문이다.
도 12에 도시한 다수의 화소를 매트릭스 형태로 배열함으로써 만들어진 액티브 매트릭스 LCD 장치는 도 5에 도시한 바와 같이 배선된다.
제 7 실시예
본 발명의 제 7실시예는 공통전극이 각 화소전극과 근처의 게이트라인 사이의 갭에 위치하는 구조에 기초한다. 도 13은 제 7실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도로서, 도 1에 해당하는 소자를 동일한 참조부호 나타냈다.
본 실시예에 있어서, 게이트라인(101)과 소스라인(102)은 각각의 박막트랜지스터(100)에 연결되어 사각형그리드를 형성한다. 도 13에 있어서, 사각 나선형의 화소전극(351)은 각각의 박막트랜지스터(100)의 드레인에 연결되는 반면 공통전극(352)은 특정전압으로 설정된 근처의 공통라인(104)로부터 분기되어 화소전극(351)과 유사한 사각나선형을 형성한다.
도 13에 도시한 구조에 있어서, 각 화소는 장치부착기판상에 서로 등거리로 이격되어 나란하게 배열된 하나의 화소전극(351) 및 공통전극(352)으로 구성된다. 이들 전극(351, 352)의 조합은 각 화소에 포함된 액정재료에 인가된 전계를 형성하는데, 전계의 주성분은 장치부착기판에 평행하게 배향된다. 본 실시예의 장치부착기판은 도 4에 도시한 것과 동일한 구조를 갖는다.
이 구조에 있어서, 화소전극(351)은 화소전극(351)이 게이트라인(101)과 나란하게 연장되지 않도록 특정전압으로 유지된 근처의 공통라인(104)로부터 분기하는 공통전극(352)에 의해 근처의 게이트라인(101)으로부터 차단된다. 각각의 공통라인(104)에 인가된 전압은 예를들어 접지전위같은 적정레벨로 설정될 수 있다.
상기 구조는 화소전극(351)이 영향을 받지 않게 유지할 수 있으므로 각 화소주위의 얼룩 또는 번짐없는 뚜렷한 이미지를 제공할 수 있다.
제 8 실시예
본 발명의 제 8 실시예는 제 6 실시예의 구조에 비하여 공통라인의 수가 줄어든다는 것이 특징이 있다. 도 14는 제 8 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도이며, 도 16은 본 실시예의 장치부착기판의 블록도이다.
도 14는 한 쌍의 화소의 일반적인 배치를 나타낸다. 이 구조에서 하나의 화소는 박막트랜지스터(507)를 구비하는 반면 다른 화소은 박막트랜지스터(508)를 구비한다. 두 개의 박막트랜지스터(507, 508)의 게이트는 공통게이트라인(501)에 연결되는 한편 그 소스는 각각의 소스라인(505, 506)과 연결된다. 박막트랜지스터(507, 508)의 드레인에는 각각 화소전극(502, 503)이 연결된다. 도 16에서 부호 551로 나타낸 것은 게이트라인 구동기이고 부호 552로 나타낸 것은 소스라인 구동기이다.
도 14에 도시한 구조에 있어서, 부호 504로 나타낸 공통라인은 화소의 두 개의 인접열에 의해 분배된다. 도 14에서 공통라인(504)으로부터 분기되는 공통전극(509, 510)은 각각 화소전극(502, 503)으로부터 등거리로 이격되고 나란하게 배열된다. 이런 구조로 인하여 장치부착기판에 평행한 전계가 전극(502, 509) 사이와, 전극(503, 510) 사이에 형성되어 정보를 가시적으로 표시할 수 있게 한다.
각 공통라인(504)은 본 실시예에서 두 개의 인접열에 의해 분배되기 때문에 공통라인(504)의 수는 소스라인(505) 및 (506)의 총수의 절반으로 만들어진다. 이것은 도 5 및 도 16에 도시한 블록도를 비교하면 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
본 실시예의 화소전극(502, 503)과 공통전극(509, 510)은 제 6 실시예에 도시한 것과 동일 패턴으로 형성되거나 또는 양측으로 대칭인 패턴으로 형성되지만, 각 화소전극이 근처의 게이트라인 또는 소스라인과 나란히 연장되지 않도록 배열된다면 제 1 실시예 내지 제 5 실시예의 어느 것에 설명한 것과 동일하거나 양측으로 대칭인 패턴으로 형성될 수 있다.
또한 도 14의 구조는 공통라인(504)으로부터 분기되는 부가의 공통전극이 화소전극(502, 503)과 게이트라인(501) 사이로 향하는 방식으로 변형될 수 있다.
제 9 실시예
본 발명의 제 9 실시예는 제 7 실시예의 구조에 비하여 공통라인의 수가 줄어든 것이 특징이다. 도 15는 제 9 실시예에 따른 화소배치를 나타내는 평면도이고, 도 17은 본 실시예의 장치부착기판의 블록도이다.
도 15는 한 쌍의 화소의 일반적인 배치를 나타낸다. 이 구조에서, 하나의 화소는 박막트랜지스터(527)를 구비하는 한편 다른 화소는 박막트랜지스터(528)를 구비한다. 두 개의 박막트랜지스터(527, 528)의 소스는 공통소스라인(521)에 연결되는 한편 그 게이트들은 각각의 게이트라인(525, 526)에 연결된다. 박막트랜지스터(527, 528)의 드레인에는 각각 화소전극(522, 523)이 연결된다. 도 17에서 부호 551로 나타낸 것은 게이트라인 구동기이고 부호 552로 나타낸 것은 소스라인 구동기이다.
도 15에 도시한 구조에 있어서, 부호 524로 나타낸 공통라인은 화소의 두 개의 인접행에 의해 분배된다. 도 15에서 공통라인(524)으로부터 분기하는 공통전극(529, 530)은 각각 화소전극(522, 523)으로부터 등거리로 이격되며 나란하게 배열된다. 이런 구조로 인하여 장치부착기판에 평행한 전계가 전극(522, 529)사이와 전극(523, 530)사이에 형성되어 정보를 가시적으로 표시할 수 있게 한다.
본 실시예에서 각 공통라인은 화소의 두 개의 인접행에 의해 분배되기 때문에, 공통라인(524)의 수는 소스라인(521)의 총수의 절반으로 만들어진다. 이것은 도 4와 도 17에 도시한 블록도를 비교하면 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
제 10 실시예
본 발명의 제 10실시예는 두 개의 인접화소(601, 602)가 게이트라인(605, 606)과 소스라인(607, 608)에 의해 둘러싸여 도 18에 도시한 것처럼 함께 화소 유니트를 형성한다.
두 개의 화소(601, 602)는 다음의 네가지 상태, 즉 화소(601, 602)가 모두 OFF인 상태와, 화소(601)가 OFF이고 화소(602)가 ON인 상태와, 화소(601)가 ON이고 화소(602)가 OFF인 상태와, 화소(601, 602)가 모두 ON인 상태를 취할 수 있다. 이들 화소상태의 조합은 네 개의 등급 레벨을 제공한다. 도 18에서 부호 603과 604로 나타낸 것은 다른 화소 유니트를 형성하는 화소이다.
도 18의 구성의 특징은 또한 하나의 공통라인(609)이 각각의 2 × 2 기본 매트릭스를 구성하는 네 개의 화소(601-604)에 의해 분배된다는 것이다. 본 실시예에서 이들 네 개의 화소(601-604)의 공통전극은 각각 동일한 공통라인(609)에 연결되기 때문에 공통라인(609)이 총수는 소스라인의 수의 절반으로 만들어진다. 그러므로 본 실시예의 장치부착기판상의 배선패턴은 도 16에 도시한 제 8실시예와 동일하다.
상기 설명으로부터 도 18의 구성은 복잡한 전극 배치에 관계없이 배선패턴을 간단하게 하는 기능을 한다는 것을 이해할 수 있다.
제 11 실시예
도 19는 본 발명의 제 11 실시예의 구성을 나타내는데, 이는 한 쌍의 화소영역이 게이트라인(701), 소스라인(702, 703), 및 공통라인(704)으로 둘러싸인 영역에 위치하는 것을 특징으로 한다.
도 19에 도시한 바와 같이, 박막트랜지스터(707)의 드레인에 연결된 화소전극(705)과 공통라인(704)으로부터 분기되는 공통전극(709)은 전극쌍을 형성하도록 대칭상태로 배열된다. 이 전극쌍은은 하나의 화소영역을 구성하고 장치부착기판에 평행하게 향한 전계를 형성한다.
마찬가지로 박막트랜지스터(704)의 드레인에 연결된 화소전극(706)과 공통라인(704)으로부터 분기되는 공통전극(710)은 하나의 화소영역을 구성하는 다른 전극 쌍을 함께 형성한다. 화소전극(706)과 공통전극(710)은 그사이에 장치부착기판에 평행하게 향하는 전계를 만든다.
본 실시예에 있어서, 공통라인(709)은 화소전극(705)과 소스라인(702)사이에 위치하는 한편 공통전극(710)은 화소전극(706)과 소스라인(703)사이에 위치하므로화소전극(705, 706)은 각각 소스라인(702, 703)과 나란하게 연장되지 않는다. 이 구조는 소스라인(702, 703)으로부터의 간섭으로부터 화소전극(705, 706)을 보호하여 만족스러운 가시적 표시를 제공하는 작용을 한다.
제 12 실시예
도 20은 본 발명의 제 12실시예의 구성을 도시하는데, 여기서 게이트라인(801, 804)과 소스라인(802, 803)에 의해 둘러싸인 영역에 네 개의 화소영역이 위치한다.
사각나선형 화소전극(810-813)은 각각 네 개의 박막트랜지스터(806-809)의 드레인에 연결되는 한편, 공통라인(805)로부터 분기되는 공통전극(814-817)은 동일면에서 각각의 화소전극(810-813)과 대칭상태로 배열되어 네 개의 화소를 형성한다.
이들 네 개의 화소는 서로 독립적으로 또는 한 그룹의 화소로서 사용되어 표면 등급을 제공할 수 있다.
네 개의 화소전극(810-813)은 각각의 공통전극(814-817)에 의해 소스라인(802) 및 (803)으로부터 차단되기 때문에 만족스러운 가시적 표시를 제공할 수 있다.
또한 두 개의 인접화소열에 제공된 공통전극(814-817)은 하나의 공통라인(805)에 연결되어, 공통라인(805)의 총수는 게이트라인의 수의 절반으로 만들어진다. 그러므로 본 실시예의 장치부착기판상의 배선패턴은 도 17에 도시한 것과 같다.
상기 실시예들에서 이용된 박막트랜지스터는 평면 형태지만, 스태거(stagger) 형태의 박막트랜지스터같은 다른 형태를 사용할 수 있다. 본 발명의 이런 변형예에 있어서, 게이트라인, 소스라인, 공통라인 및 화소전극의 성층순서는 해당 박막트랜지스터의 전극구조 및 배선요구 조건에 따라서 적절히 결정되어야 한다. 이들 회로요소는 공통라인 및 화소전극과 겹치거나 교차하지 않는다면 동일면으로 배열될 수 있다.
본 발명은 지금까지 LCD장치에 구현되는 것으로 설명하였지만, 본 발명은 또한 예를들어 전기발광(EL)표시장치를 포함한 다른 형태의 전기광학표시장치에도 적용가능하다. 전기발광표시장치의 경우, 액정재료는 전기발광재료로 대체되며, 장치부착기판과 대향기판상의 배향층이 제거된다. 본 발명에서 동일기판에 나란히 배열된 전극쌍은 기판표면에 평행하게 배향된 전계를 만들기 때문에 전기발광재료가 디스플레이를 통하여 균일하게 발광하게 할 수 있다.

Claims (12)

  1. 액티브 매트릭스 전기광학장치로서,
    함께 그리드패턴을 형성하도록 기판에 배열된 게이트라인 및 소스라인;
    각각의 화소에 위치하며, 상기 게이트라인중 하나에 연결된 게이트 및 상기 소스라인중 하나에 연결된 소스를 갖춘 박막 트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터의 드레인에 각각 연결된 제 1전극;
    특정전압으로 유지되는 공통라인; 및
    상기 공통라인으로부터 분기되는 제 2전극을 포함하며,
    상기 제 1 전극의 각각의 암이 상기 제 2 전극들중 하나에 대응되는 전극의 암을 감도록 상기 제 1 및 제 2 전극이 각각 나선형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극이 상기 기판상의 상기 제 1 전극과 상기 소스라인 사이 또는 상기 제 1 전극과 상기 게이트라인 사이의 갭에 위치하는 절편을 갖는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극이 상기 기판상의 게이트라인 또는 상기 소스라인과 나란하게 연장되는 것을 방지하도록 상기 제 2 전극에 의해 각각 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극이 공통면에 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극이 각각 화소와 평행하게 연결된 보조커패시턴스를 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
  6. 액티브 매트릭스 전기광학장치로서,
    기판상의 각 화소에 형성된 박막트랜지스터의 드레인에 각각 연결된 제 1 전극;
    상기 제 1 및 제 2 전극 사이에서 상기 기판에 평행한 성분을 포함하는 전계를 발생시키기 위한 제 2전극을 포함하며,
    상기 제 1 전극의 각각의 암이 상기 제 2 전극들중 하나에 대응되는 전극의 암을 감도록 각각 나선형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극이 서로 평행하게 연결된 보조커패시티를 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 전극이 상기 박막트랜지스터의 게이트에 연결된 게이트라인 또는 상기 박막트랜지스터의 소스에 연결된 소스라인과 나란히 연장되는 것을 방지하기 위해 상기 제 2 전극으로 각각 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 보조커패시턴스의 값이 상기 제 1 및 제 2 전극의 권선수에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극이 공통면에 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
  11. 액티브 매트릭스 전기광학장치로서,
    함께 그리드 패턴을 형성하도록 기판에 배열된 게이트라인 및 소스라인;
    각각의 화소에 위치되고, 상기 게이트라인중 하나에 연결된 게이트 및 상기 소스라인중 하나에 연결된 소스를 포함하는 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터의 드레인에 각각 연결된 제 1 전극;
    특정 전압으로 유지되는 공통라인; 및
    상기 공통라인으로부터 분기되는 제 2 전극을 포함하며,
    상기 제 1 전극의 각각의 암이 상기 제 2 전극들중 대응되는 전극의 암을 감도록 상기 제 1 및 제 2 전극이 나선형 형태로 배열되고,
    상기 제 2 전극은 각각 상기 제 1 전극들중 대응되는 전극과 상기 게이트라인들중 대응되는 게이트라인 사이에 위치하는 부분을 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 광학전기장치.
  12. 액티브 매트릭스 전기광학장치로서,
    서로 그리드 패턴을 형성하도록 기판에 배열된 게이트라인 및 소스라인;
    각각의 화소에 위치되고, 상기 게이트라인중 하나에 연결된 게이트 및 상기 소스라인중 하나에 연결된 소스를 갖춘 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터의 드레인에 각각 연결된 제 1 전극;
    특정 전압으로 유지되는 공통라인; 및
    상기 공통라인으로부터 분기되는 제 2 전극을 포함하며,
    상기 제 1 전극의 각각의 암이 상기 제 2 전극들중 대응되는 전극의 암을 감도록 상기 제 1 및 제 2 전극이 나선형 형태로 배열되고,
    상기 제 2 전극은 각각 상기 제 1 전극들중 대응되는 전극과 상기 소스라인들중 대응되는 게이트라인 사이에 위치하는 부분을 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 전기광학장치.
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