CN114967246A - 液晶显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种液晶显示面板及显示装置，液晶显示面板包括阵列基板、对置基板和液晶层；阵列基板包括呈阵列排布的多个子像素，每个子像素包括主像素区和次像素区，主像素区包括主像素电极，次像素区包括次像素电极；对置基板包括第二公共电极，其中，主像素区还包括一个薄膜晶体管和一个存储电极，薄膜晶体管的源极通过过孔与存储电极或者主像素电极电连接，且主像素电极与次像素电极电连接；第二公共电极包括相互间隔且绝缘设置的第一电极和第二电极，第一电极与每个子像素的主像素区和器件区对应，第二电极与每个子像素的次像素区对应。该液晶显示面板在改善色偏、提升大视角范围的同时，还可以增大有效透光区域的面积，提高像素开口率。

Description

液晶显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种液晶显示面板及显示装置。

背景技术

随着主动式薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LCD，简称TFT-LCD)技术的发展，显示屏幕的尺寸越来越大，人们对于显示屏的品质需求也不断提升，其中对于大视角范围的需求尤为明显。由于垂直配向(Vertical Alignment，简称VA)型液晶液晶显示面板采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏(color shift)问题比较严重。

为了提升面板视角表现、改善色偏问题，通常会采取多畴垂直配向技术(Multi-domain VA，简称MVA)，即将一个子像素划分成多个区域，并使每个区域中的液晶在施加电压后倒伏向不同的方向，从而使各个方向看到的效果趋于平均一致。随着技术的发展，出现了一种不需要使用配向层的MVA型液晶液晶显示面板，称为聚合物稳定垂直配向(Polymer-Stabilized Vertical Alignment，简称PSVA)型液晶液晶显示面板，其采用3T-8畴像素结构，即每个子像素通过3个薄膜晶体管TFT控制八个区域，但由于3T-8畴液晶液晶显示面板本身需要八个方向的像素电极排布，导致有效透光区域的空间十分有限，这大幅度降低了像素开口率。

发明内容

本申请旨在提供一种液晶显示面板及显示装置，在改善色偏、提升大视角范围的同时，可以增大有效透光区域的面积，提高像素开口率。

第一方面，本申请实施例提出了一种液晶显示面板，包括相对设置的阵列基板、对置基板和位于阵列基板和对置基板之间的液晶层；阵列基板包括第一衬底基板、位于第一衬底基板上呈阵列排布的多个子像素，每个子像素包括主像素区和次像素区，主像素区包括主像素电极，次像素区包括次像素电极；对置基板包括第二衬底基板、位于第二衬底基板上的第二公共电极，其中，主像素区还包括一个薄膜晶体管和一个存储电极，薄膜晶体管的源极通过过孔与存储电极或者主像素电极电连接，且主像素电极与次像素电极电连接；第二公共电极包括相互间隔且绝缘设置的第一电极和第二电极，第一电极与每个子像素的主像素区和器件区对应，第二电极与每个子像素的次像素区对应。

在一种可能的实施方式中，主像素电极与次像素电极相邻设置，薄膜晶体管和存储电极位于主像素电极远离次像素电极的一侧；主像素电极和次像素电极均包括相互连接的主干电极和分支电极，主干电极将主像素区和次像素区分别分为多个畴区，每一畴区内的分支电极平行且间隔，并与主干电极之间呈预定夹角设置，不同畴区内的分支电极的朝向相异；主像素电极的主干电极与邻近的次像素电极的主干电极电连接。

在一种可能的实施方式中，第一电极与主像素电极之间耦合形成主区液晶电容；第二电极与次像素电极之间耦合形成次区液晶电容；阵列基板还包括第一公共电极，存储电极与第一公共电极相对设置以形成存储电容。

在一种可能的实施方式中，阵列基板还包括位于第一衬底基板上的扫描线和数据线，扫描线对应每一行子像素设置，数据线对应每一列子像素设置，薄膜晶体管的漏极与数据线电连接，薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接。

在一种可能的实施方式中，阵列基板还包括屏蔽公共电极，屏蔽公共电极与主像素电极和次像素电极相互间隔且绝缘设置，屏蔽公共电极的宽度大于数据线的宽度；屏蔽公共电极包括相互间隔且绝缘设置的第一屏蔽电极和第二屏蔽电极，第一屏蔽电极与第一电极对应且电位相同，第二屏蔽电极与第二电极对应且电位相同。

在一种可能的实施方式中，阵列基板还包括位于数据线远离第一衬底基板一侧的第一遮光层，第一遮光层在第一衬底基板上的正投影覆盖第一屏蔽电极与第二屏蔽电极之间的间隔在第一衬底基板上的正投影；对置基板还包括位于第二衬底基板上的第二遮光层，第二遮光层在第二衬底基板上的正投影覆盖第一电极与第二电极之间的间隔在第二衬底基板上的正投影。

在一种可能的实施方式中，阵列基板还包括相互间隔且绝缘设置的第一公共电极走线、第一公共信号线和第二公共信号线，第一公共电极走线与第一公共电极电连接，第一公共信号线通过导电颗粒与第一电极电连接，第二公共信号线通过导电颗粒与第二电极电连接。

在一种可能的实施方式中，子像素包括依次形成于第一衬底基板上的第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层、平坦化层和透明导电层；第一公共电极、第一公共电极走线、第一公共信号线、第二公共信号线、扫描线和栅极同层布置于第一金属层；数据线、源极和漏极同层布置于第二金属层；存储电极、屏蔽公共电极、主像素电极和次像素电极同层布置于透明导电层，过孔位于平坦化层。

在一种可能的实施方式中，阵列基板还包括色阻层，色阻层设置于第二金属层与平坦化层之间；或者，对置基板还包括色阻层，色阻层设置于第二衬底基板与第二公共电极之间；色阻层包括与多个子像素一一对应的多个色阻单元，色阻单元为平行于数据线设置的条状结构，相邻的两个色阻单元之间的交叠区域在第一衬底基板上的正投影覆盖数据线在衬底基板上的正投影。

第二方面，本申请实施例提出了一种显示装置，包括：如前所述的液晶显示面板，背光模组，设置于液晶显示面板的背光侧，用于向液晶显示面板提供光源；硬质印刷电路板，设置于背光模组远离液晶显示面板的一侧；覆晶薄膜，其一端与液晶显示面板的阵列基板的扇形区绑定连接，另一端与硬质印刷电路板电连接。

根据本申请实施例提供的液晶显示面板及显示装置，通过在阵列基板的每个子像素的主像素区设置一个TFT来驱动主像素区的主像素电极和次像素区的次像素电极，并在对置基板一侧将第二公共电极分为相互间隔且绝缘设置的第一电极和第二电极，第一电极与每个子像素的主像素电极对应，第二电极与每个子像素的次像素电极对应，通过对第一电极和第二电极分别施加不同的电压来调整主像素区和次像素区对应的液晶分子的角度，从而实现8畴像素显示，提升显示品味。与相关技术中采用多个TFT实现多畴显示的像素结构相比，非有效显示区的占用空间较小，在改善色偏、提升大视角范围的同时，还可以增大有效透光区域的面积，进而提高像素开口率。

附图说明

下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。

图1示出本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图；

图2示出图1所示的阵列基板的局部俯视图；

图3示出图2中子像素的等效电路示意图；

图4示出图2中各信号线的电路连接示意图；

图5示出图2沿B-B方向的剖面图；

图6示出本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。

附图标记说明：

100、液晶显示面板；200、背光模组；300、硬质印刷电路板；400、覆晶薄膜；

1、阵列基板；AA1、主像素区；AA2、次像素区；Px、子像素；X、第一方向；Y、第二方向；AA、显示区；NA、非显示区；

10、第一衬底基板；T、薄膜晶体管；CP、存储电极；Cst、存储电容；Clc1、主液晶电容；Clc2、次液晶电容；

11、第一金属层；111、第一公共电极；L0、第一公共电极走线；L1-第一公共信号线；L2-第二公共信号线；

12、栅极绝缘层；13、色阻层；17、第一色阻层；

14、第二金属层；S、源极；Dr、漏极；Data、数据线；Gate、扫描线；

15、平坦化层；H、第一过孔；

16、透明金属层；161、主像素电极；162、次像素电极；P1、主干电极；P2、分支电极；163、屏蔽公共电极；163a、第一屏蔽电极；163b、第二屏蔽电极；

2、对置基板；20、第二衬底基板；21、第二公共电极；211、第一电极；212、第二电极；22、第二遮光层；

3、液晶层。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

图1示出本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图，图2示出图1所示的阵列基板的局部俯视图。

如图1和图2所示，本申请实施例提供了一种液晶显示面板100，包括：阵列基板1、与阵列基板1相对设置的对置基板2和设置于阵列基板1与对置基板2之间的液晶层3。液晶层3包括多个液晶分子，液晶分子通常为棒状，既可以像液体一样流动，又具有某些晶体特征。当液晶分子处于电场中时，其排列方向会根据电场的变化而改变。

由于液晶显示面板100为非发射型光接收元件，需要通过设置于其背光面一侧的背光模组200提供光源。液晶显示面板100通过在阵列基板1的像素电极和对置基板2的第二公共电极21上施加驱动电压来控制液晶层3的液晶分子的旋转，以将背光模组200提供的光线折射出来产生画面。为了显示彩色画面，通常在阵列基板1上制备出薄膜晶体管阵列，用于驱动液晶分子的旋转，控制每个子像素Px的显示。

为了提升面板视角表现、改善色偏问题，本申请实施例提供的液晶显示面板100采用1个薄膜晶体管TFT和1个存储电容的像素结构实现8畴显示，即每个子像素通过1个薄膜晶体管TFT控制8个区域。其中，4畴的形成方式通常为在像素电极上形成狭缝、在对置基板2上形成凸起，液晶分子在未施加电压时具有朝不同方向的预倾角，施加电压后，液晶层3即可分割为分别具有不同倾斜方向的四个液晶微域，如此实现大视角范围的显示特性。8畴的形成方式通常为在上述4畴的基础上，将一个子像素划分为一个主子像素和一个次子像素，主子像素和次子像素各自拥有4个液晶微域，同时主子像素和次子像素的驱动电压不同，能够进一步改善色偏、获得大视角范围。

具体来说，本申请实施例提供的液晶显示面板100，包括相对设置的阵列基板1、对置基板2和位于阵列基板1和对置基板2之间的液晶层3。

阵列基板1包括第一衬底基板10、位于第一衬底基板10上呈阵列排布的多个子像素Px，每个子像素Px包括主像素区AA1和次像素区AA2，主像素区AA1包括主像素电极161，次像素区AA2包括次像素电极162。

主像素区AA1还包括一个薄膜晶体管T和一个存储电极CP，薄膜晶体管T的源极S通过过孔H与存储电极CP或者主像素电极161电连接，且主像素电极161与次像素电极162电连接。

对置基板2包括第二衬底基板20、位于第二衬底基板20上的第二公共电极21。第二公共电极21包括相互间隔且绝缘设置的第一电极211和第二电极212，第一电极211与每个子像素Px的主像素区AA1对应，第二电极212与每个子像素Px的次像素区AA2对应。

具体来说，如图2所示，阵列基板1的存储电极CP可以经由过孔H与薄膜晶体管T的源极S电连接，存储电极CP与主像素电极161和次像素电极162电连接。当薄膜晶体管T打开时，可以将电压施加至主像素电极161和次像素电极162，且主像素电极161和次像素电极162的电压相同，电位相同。

对置基板2的第二公共电极21包括相互间隔且绝缘设置的第一电极211和第二电极212，将电压分别施加于第一电极211和第二电极212，可以实现第二公共电极21的分区控制。同时，第一电极211与每个子像素Px的主像素区AA1对应，第二电极212与每个子像素Px的次像素区AA2对应，从而可以使子像素Px的主像素区AA1与第一电极211之间的液晶分子、次像素区AA2与第二电极212之间的液晶分子的转动角度不一样，进而改善色偏、提升大视角范围。

同时，由于主像素区AA1内仅设置一个薄膜晶体管T，且仅设置一个过孔H与存储电极CP电连接，与相关技术中多个TFT实现多畴像素显示的技术方案相比，减小了非显示区域的占用面积，相对增大了有效透光区域的面积，有利于提高像素开口率。

本申请实施例提供的一种液晶显示面板100，通过在阵列基板1的每个子像素Px的主像素区AA1设置一个TFT来驱动主像素区AA1的主像素电极161和次像素区AA2的次像素电极162，并在对置基板2一侧将第二公共电极21分为相互间隔且绝缘设置的第一电极211和第二电极212，第一电极211与每个子像素Px的主像素电极161对应，第二电极212与每个子像素Px的次像素电极162对应，通过对第一电极211和第二电极212分别施加不同的电压来调整主像素区AA1和次像素区AA2对应的液晶分子的角度，从而实现多畴像素显示，提升显示品味。与相关技术中采用多个TFT实现多畴显示的像素结构相比，一个TFT占用空间较小，过孔H数量少，在改善色偏、提升大视角范围的同时，还可以增大有效透光区域的面积，进而提高像素开口率。

在一些实施例中，主像素电极161与次像素电极162相邻设置，薄膜晶体管T和存储电极CP位于主像素电极161远离次像素电极162的一侧。其中，主像素电极161与次像素电极162的材料均为透明的氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)，以提高阵列基板1的透光率。如此设置，与薄膜晶体管T和存储电极CP位于主像素电极161和次像素电极162之间的技术方案相比，可以进一步缩小非有效显示区的占用面积，增大有效透光区域的面积，进而提高像素开口率。

进一步地，主像素电极161和次像素电极162均包括相互连接的主干电极P1和分支电极P2，主干电极P1将主像素区AA1和次像素区AA2分别分为多个畴区，每一畴区内的分支电极P2平行且间隔，并与主干电极P1之间呈预定夹角设置，不同畴区内的分支电极P2的朝向相异；主像素电极161的主干电极P1与邻近的次像素电极162的主干电极P1电连接。

如图2所示，每个子像素Px中，主干电极P1将主像素区AA1和次像素区AA2分别分为四个畴区，每一畴区内的分支电极P2平行且间隔，并与主干电极P1之间呈预定夹角设置，不同畴区内的分支电极P2的朝向呈“米”字型分布。其中，主像素电极161的主干电极P1与邻近的次像素电极162的主干电极P1电连接。

图3示出图2中子像素的等效电路示意图。

在一些实施例中，第一电极211与主像素电极161之间耦合形成主区液晶电容Clc1，以维持每一主像素电极161上的驱动信号稳定；第二电极212与次像素电极162之间耦合形成次区液晶电容Clc2，以维持每一次像素电极162上的驱动信号稳定；阵列基板1还包括第一公共电极111，存储电极CP与第一公共电极111相对设置以形成存储电容Cst。

进一步地，阵列基板1还包括位于第一衬底基板10上的扫描线Gate和数据线Data，扫描线Gate对应每一行子像素Px设置，数据线Data对应每一列子像素Px设置，薄膜晶体管T的漏极Dr与数据线Data电连接，薄膜晶体管T的栅极与扫描线Gate电连接。

结合图2和图3所示，扫描线Gate沿第一方向X延伸，数据线Data沿第二方向Y延伸，第一公共电极111用于提供低电压。存储电容Cst用于在一行扫描线Gate关闭的期间分别对主像素电极161和次像素电极162进行充电以保持主像素电极161和次像素电极162上的电压，同时还可以使主像素电极161和次像素电极162保持相同的电压。

主动矩阵式TFT-LCD利用TFT的扫描电压可以控制源极S与漏极Dr之间的电流而将TFT打开与关闭，从而在适当的时机与驱动信号的来源连接或断绝，使得每一个显示子像素Px可以独立地运作，且较不易受其他显示子像素的影响。由此，阵列基板1工作时，薄膜晶体管T的栅极接收来自扫描线Gate上的扫描电压，并根据扫描线Gate的扫描电压打开和关闭。当薄膜晶体管T打开时，来自数据线Data的数据电压能够施加至主像素电极161，主像素电极161与对置基板2一侧的第一电极211之间的电压施加在其二者之间的液晶层3(如图1所示)中，形成主区液晶电容Clc1，从而能够驱动主像素区AA1内对应的液晶分子转动。

同时，当薄膜晶体管T打开时，来自数据线Data的数据电压也能够施加至次像素电极162，次像素电极162与对置基板2一侧的第二电极212之间的电压施加在其二者之间的液晶层3(如图1所示)中，形成次区液晶电容Clc2，从而能够驱动次像素区AA2内对应的液晶分子转动。

由于第一电极211和第二电极212的电压分区控制，二者的电压可以设置为不同的电压，从而可以使同一个子像素Px内主像素区AA1的4个畴区与次像素区AA2的4个畴区之间产生压差，即同一个子像素Px的主像素电极161与第一电极之间对应的液晶分子及次像素电极162与第二电极212之间对应的液晶分子的转动角度不一样，进而改善色偏问题。

在一些实施例中，主像素区AA1在第一衬底基板10上的正投影面积小于次像素区AA2在第一衬底基板10上的正投影面积。在一个示例中，主像素区AA1在第一衬底基板10上的正投影面积与次像素区AA2在第一衬底基板10上的正投影面积之比为1：2。

由于主像素区AA1的面积与主液晶电容Clc1的大小成正比，次像素区AA2的面积与次液晶电容Clc2的大小成正比，如此设置，可以使主液晶电容Clc1小于次液晶电容Clc2，可以达到控制主像素区AA1与次像素区AA2的压差比的目的。

在一些实施例中，阵列基板1还包括屏蔽公共电极163，屏蔽公共电极163与主像素电极161和次像素电极162相互间隔且绝缘设置，屏蔽公共电极163的宽度大于数据线Data的宽度；屏蔽公共电极163包括相互间隔且绝缘设置的第一屏蔽电极163a和第二屏蔽电极163b，第一屏蔽电极163a与第一电极211对应且电位相同，第二屏蔽电极163b与第二电极212对应且电位相同。

如图2所示，屏蔽公共电极163即为DBS(Dataline BM Less，数据线上方无黑矩阵)电极，与数据线Data对应设置，其中DBS电极163的宽度大于与其对应的数据线Data的宽度，使得液晶显示面板100正常工作时，DBS电极163可以屏蔽数据线Data上方的电场。另外，DBS电极163的第一屏蔽电极163a与第一电极211对应且电位相同，第二屏蔽电极163b与第二电极212对应且电位相同，从而可以使得第一屏蔽电极163a与第一电极211之间对应的液晶分子以及第二屏蔽电极163b与第二电极212之间对应的液晶分子处于未偏转的状态，起到遮光的目的，进而能够替代黑矩阵(Black Matrix，简称BM)，提高液晶显示面板100的对比度。可选地，DBS电极163的材料为透明的ITO，以提高阵列基板1的透光率。

在一些实施例中，阵列基板1还包括位于数据线Data远离第一衬底基板10一侧的第一遮光层17(如图2所示)，第一遮光层17在第一衬底基板10上的正投影覆盖第一屏蔽电极163a与第二屏蔽电极163b之间的间隔在第一衬底基板10上的正投影。对置基板2还包括位于第二衬底基板20上的第二遮光层22(如图1所示)，遮光层22在第二衬底基板20上的正投影覆盖第一电极211与第二电极212之间的间隔在第二衬底基板20上的正投影。

第一遮光层17和第二遮光层22例如可以为BM，由于第一电极211与第二电极212之间的间隔处设置第二遮光层22，以及第一屏蔽电极163a与第二屏蔽电极163b之间的间隔处设置第一遮光层17，可以避免在间隔处漏光影响液晶显示面板100的显示效果。

图4示出图2中各信号线的电路连接示意图。

在一些实施例中，阵列基板1还包括相互间隔且绝缘设置的第一公共电极走线L0、第一公共信号线L1和第二公共信号线L2，第一公共电极走线L0与第一公共电极111电连接，第一公共信号线L1通过导电颗粒与第一电极211电连接，第二公共信号线L2通过导电颗粒与第二电极212电连接。

如图4所示，沿第一衬底基板10的延伸方向，阵列基板1包括显示区AA和环绕显示区的非显示区NA，主像素电极161、次像素电极162和第一公共电极111均位于显示区内，相邻的第一公共电极111之间还设置有连接线。第一公共电极走线L0、第一公共信号线L1和第二公共信号线L2均位于非显示区NA内，连接线的一端与第一公共电极111连接，连接线的另一端与第一公共电极走线L0连接。另外，第一公共电极走线L0、第一公共信号线L1和第二公共信号线L2等多条信号线延伸至非显示区NA，并通过例如覆晶薄膜(Chip on Film，简称COF)与驱动电路电连接。

另外，在液晶显示面板100的成盒制程中，通常会先在阵列基板1和对置基板2相对的表面上分别制作第一配向膜和第二配向膜，第一配向膜和第二配向膜用于对液晶层3中的液晶分子的取向进行限制，然后在阵列基板1的非显示区NA涂布密封的框胶并滴入液晶，再在真空状态下将阵列基板1和对置基板2贴合，最后经过紫外线照射将框胶固化，完成阵列基板1和对置基板2的封装。

可选地，框胶包括例如环氧树脂等紫外线固化型树脂，并且分散混入有作为导电材料的多个导电性颗粒和玻璃纤维。导电颗粒的一端透过第一配向膜与第一公共信号线L1或者第二公共信号线L2电连接，另一端透过对置基板2一侧的第二配向膜与第一电极211或者第二电极212电连接。

图5示出图2沿B-B方向的剖面图。

在一些实施例中，子像素Px包括依次形成于第一衬底基板10上的第一金属层11、栅极绝缘层12、第二金属层14、平坦化层15和透明导电层16。

如图5所示，第一公共电极111、第一公共电极走线L0、第一公共信号线L1、第二公共信号线L2、扫描线Gate和栅极同层布置于第一金属层11；数据线Data、源极S和漏极Dr同层布置于第二金属层14；存储电极CP、屏蔽公共电极163、主像素电极161和次像素电极162同层布置于透明导电层16，过孔H位于平坦化层15。

在一个示例中，阵列基板1还包括色阻层13，色阻层13设置于第二金属层14与平坦化层15之间，色阻层13包括与多个子像素Px一一对应的多个色阻单元，色阻单元为平行于数据线Data设置的条状结构，相邻的两个色阻单元之间的交叠区域在第一衬底基板10上的正投影覆盖数据线Data在衬底基板上的正投影。

也就是说，阵列基板1可以采用COA(Color-filter on Array，彩色滤光片位于阵列基板侧)技术，将色阻层13直接制作于阵列基板1上，降低对置基板2与阵列基板1之间的对位误差。相邻的两个色阻单元之间的交叠区域在第一衬底基板10上的正投影覆盖数据线Data在衬底基板上的正投影，可以增大数据线Data与DBS电极163之间的距离，减少数据线Data与DBS电极163之间寄生电容，防止因大量静电荷积聚放电产生大电流而炸伤电路，提高了阵列基板1的可靠性。

另外，平坦化层15设置于色阻层13之上，可以平复色阻层13的各个色阻单元之间的段差，提高阵列基板1的平坦度，便于在平坦化层15上制备透明导电层16。

在另一个示例中，对置基板2还包括色阻层13，色阻层13设置于第二衬底基板20与第二公共电极21之间；色阻层13包括与多个子像素Px一一对应的多个色阻单元，色阻单元为平行于数据线Data设置的条状结构，相邻的两个色阻单元之间的交叠区域在第一衬底基板10上的正投影覆盖数据线Data在衬底基板上的正投影。这种情况下，对置基板2通常也称为彩膜基板。

图6示出本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。

如图6所示，本申请还提供了一种显示装置，包括如前所述的任一种液晶显示面板100、背光模组200、硬质印刷电路板300和覆晶薄膜400。

背光模组200设置于液晶显示面板100的背光侧，用于向液晶显示面板100提供光源。硬质印刷电路板300设置于背光模组200远离液晶显示面板100的一侧。

覆晶薄膜400(COF)是指可以封装有芯片的柔性电路板，芯片可以用于输出驱动信号、扫描信号和第一公共电极信号等。覆晶薄膜400的一端与液晶显示面板100的阵列基板1的非显示区NA绑定连接，另一端与硬质印刷电路板300电连接。芯片也可以设置于硬质印刷电路板300上，不再赘述。

应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。

文中使用的术语“衬底基板”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底基板本身可以被图案化。添加到衬底基板顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底基板可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底基板可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。

文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底基板可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种液晶显示面板，包括相对设置的阵列基板、对置基板和位于所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶层；

所述阵列基板包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板上呈阵列排布的多个子像素，每个所述子像素包括主像素区和次像素区，所述主像素区包括主像素电极，所述次像素区包括次像素电极；

所述对置基板包括第二衬底基板、位于所述第二衬底基板上的第二公共电极，其特征在于，

所述主像素区还包括一个薄膜晶体管和一个存储电极，所述薄膜晶体管的源极通过过孔与所述存储电极或者所述主像素电极电连接，且所述主像素电极与所述次像素电极电连接；所述第二公共电极包括相互间隔且绝缘设置的第一电极和第二电极，所述第一电极与每个所述子像素的所述主像素区对应，所述第二电极与每个所述子像素的所述次像素区对应。

2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述主像素电极与所述次像素电极相邻设置，所述薄膜晶体管和所述存储电极位于所述主像素电极远离所述次像素电极的一侧；

所述主像素电极和所述次像素电极均包括相互连接的主干电极和分支电极，所述主干电极将所述主像素区和所述次像素区分别分为多个畴区，每一所述畴区内的所述分支电极平行且间隔，并与所述主干电极之间呈预定夹角设置，不同所述畴区内的所述分支电极的朝向相异；所述主像素电极的主干电极与邻近的所述次像素电极的主干电极电连接。

3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一电极与所述主像素电极之间耦合形成主区液晶电容；所述第二电极与所述次像素电极之间耦合形成次区液晶电容；

所述阵列基板还包括第一公共电极，所述存储电极与所述第一公共电极相对设置以形成存储电容。

4.根据权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第一衬底基板上的扫描线和数据线，所述扫描线对应每一行所述子像素设置，所述数据线对应每一列所述子像素设置，所述薄膜晶体管的漏极与所述数据线电连接，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接。

5.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括屏蔽公共电极，所述屏蔽公共电极与所述主像素电极和所述次像素电极相互间隔且绝缘设置，所述屏蔽公共电极的宽度大于所述数据线的宽度；

所述屏蔽公共电极包括相互间隔且绝缘设置的第一屏蔽电极和第二屏蔽电极，所述第一屏蔽电极与所述第一电极对应且电位相同，所述第二屏蔽电极与所述第二电极对应且电位相同。

6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述数据线远离所述第一衬底基板一侧的第一遮光层，所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影覆盖所述第一屏蔽电极与所述第二屏蔽电极之间的间隔在所述第一衬底基板上的正投影；

所述对置基板还包括位于所述第二衬底基板上的第二遮光层，所述第二遮光层在所述第二衬底基板上的正投影覆盖所述第一电极与所述第二电极之间的间隔在所述第二衬底基板上的正投影。

7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括相互间隔且绝缘设置的第一公共电极走线、第一公共信号线和第二公共信号线，所述第一公共电极走线与第一公共电极电连接，所述第一公共信号线通过导电颗粒与所述第一电极电连接，所述第二公共信号线通过导电颗粒与所述第二电极电连接。

8.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，所述子像素包括依次形成于所述第一衬底基板上的第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层、平坦化层和透明导电层；

所述第一公共电极、所述第一公共电极走线、所述第一公共信号线、所述第二公共信号线、所述扫描线和所述栅极同层布置于所述第一金属层；

所述数据线、所述源极和所述漏极同层布置于所述第二金属层；

所述存储电极、所述屏蔽公共电极、所述主像素电极和所述次像素电极同层布置于所述透明导电层，所述过孔位于所述平坦化层。

9.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括色阻层，所述色阻层设置于所述第二金属层与所述平坦化层之间；

或者，所述对置基板还包括色阻层，所述色阻层设置于所述第二衬底基板与所述第二公共电极之间；

所述色阻层包括与所述多个子像素一一对应的多个色阻单元，所述色阻单元为平行于所述数据线设置的条状结构，相邻的两个所述色阻单元之间的交叠区域在所述第一衬底基板上的正投影覆盖所述数据线在所述衬底基板上的正投影。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：

如权利要求1至9任一项所述的液晶显示面板；

背光模组，设置于所述液晶显示面板的背光侧，用于向所述液晶显示面板提供光源；

硬质印刷电路板，设置于所述背光模组远离所述液晶显示面板的一侧；

覆晶薄膜，其一端与所述液晶显示面板的阵列基板绑定连接，另一端与所述硬质印刷电路板电连接。

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