CN115981059B - 液晶显示面板和液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本申请适用于显示技术领域，提供了一种液晶显示面板和液晶显示器，液晶显示面板包括上基板、下基板，下基板的栅极线和数据线交叉限定多个开口区和非开口区，像素电极位于开口区，上基板包括第二衬底基板、设于第二衬底基板上的黑矩阵和上公共电极，黑矩阵对应所述非开口区，上公共电极同时位于所述开口区和所述非开口区并位于所述黑矩阵上；下基板还包括第一辅助电极，位于非开口区、靠近像素电极设置，且具有与像素电极相同的电位。本申请通过在非开口区靠近像素电极的位置设置第一辅助电极，能够在非开口区边缘形成补强电场，使得开口区边缘的液晶分子能够正常偏转，提高各开口区内的亮度一致性。

Description

液晶显示面板和液晶显示器

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种液晶显示面板和液晶显示器。

背景技术

目前液晶显示器由于其个体轻薄、驱动电压低、微功耗等优点，称为目前最主流、应用最广泛的显示产品。人们对高品质的产品需求愈发强烈，特别是大尺寸、高像素和广视角的需求尤为突出。

在液晶显示器中，彩膜基板包括第二衬底基板21’和上公共电极25’，下基板包括第一衬底基板11’和像素电极16’，上公共电极25’和像素电极16’之间形成垂直电场，用于驱动液晶分子31’偏转。由于像素电极16’设置在各像素的开口区A内，位于开口区A和非开口区B交界处的液晶分子31’受到的电场力不足，这导致液晶分子偏转不足，影响开口区A边缘的透光度，宏观上表现为显示不均（mura）。

具体如图1所示，在开口区A，上基板的公共电极25’和下基板的像素电极16’之间形成电场（电场线以均匀分布的多条竖向虚线箭头表示），位于最边缘的液晶分子31’受到的电场力不足（以一条电场线对应的电场力表示，中部的液晶分子31’可以受到两条电场线对应的电场力作用）。

目前对该问题的解决方式有调整驱动模块所提供的数据线电压，以增强像素边缘的液晶分子31’偏转。这种方式在部分显示画面下能够消除mura，但不能从根本上解决问题，其他部分画面下仍会存在像素区域各处亮度不同的问题。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种液晶显示面板，旨在解决技术存在的液晶显示器中因像素边缘电场力不足、液晶分子偏转不足导致的显示不均的问题。

本申请实施例是这样实现的，一种液晶显示面板，包括相对设置的上基板、下基板，以及设置于二者之间的液晶层，其中，所述下基板包括第一衬底基板、设于第一衬底基板上的栅极线、数据线和像素电极，所述栅极线和所述数据线交叉限定多个开口区和非开口区，所述像素电极位于所述开口区，所述栅极线和所述数据线位于所述非开口区；所述上基板包括第二衬底基板、设于第二衬底基板上的黑矩阵和上公共电极，所述黑矩阵对应所述非开口区，所述上公共电极同时位于所述开口区和所述非开口区并位于所述黑矩阵上；

所述下基板还包括第一辅助电极，位于所述非开口区、靠近所述像素电极设置，且具有与所述像素电极相同的电位。

在一个实施例中，所述下基板还包括位于非开口区且依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极、有源层和第一钝化层，所述开口区内依次设置有所述栅极绝缘层、所述第一钝化层和所述像素电极，所述第一辅助电极设于所述第一钝化层上且与所述像素电极连接，所述第一辅助电极和/或所述像素电极通过贯穿所述第一钝化层的过孔电连接至所述漏极。

在一个实施例中，所述第一辅助电极和所述像素电极同层且经同一道光罩制程形成。

在一个实施例中，所述下基板上还包括至少一个第一凸起，设于第一钝化层上并位于所述非开口区、靠近所述像素电极设置，第一辅助电极至少部分设于第一凸起上。

在一个实施例中，所述非开口区的边缘间隔排列有多个所述第一凸起，所述第一辅助电极在所述第一凸起之间连续设置。

在一个实施例中，所述第一辅助电极包括至少一个第一凸起电极，所述第一凸起电极和所述第一钝化层之间形成第一填充空间，所述第一填充空间内填充有液晶分子，以形成至少一个第一液晶柱。

在一个实施例中，所述上基板还包括第二辅助电极和第二凸起，所述第二凸起设于所述黑矩阵上，所述第二辅助电极至少部分设于所述第二凸起上且具有与所述上公共电极相同的电位。

在一个实施例中，对应所述非开口区的边缘间隔排列有多个所述第二凸起，所述第二辅助电极在所述第二凸起之间连续设置并与所述上公共电极连接。

在一个实施例中，所述下基板还包括设于所述开口区的第三辅助电极，所述第三辅助电极与所述像素电极之间设有第二钝化层，所述第三辅助电极包括至少一个第二凸起电极，所述第二凸起电极和所述第二钝化层之间形成第二填充空间，所述第二填充空间内填充有液晶分子，以形成至少一个第二液晶柱。

本申请实施例的另一目的在于提供一种液晶显示器，包括上述各实施例所述的液晶显示面板，以及背光模组，所述背光模组设置在所述下基板背离所述上基板的一侧。

本申请实施例提供的液晶显示面板和液晶显示器，其有益效果在于：

该液晶显示面板中，下基板上设置多个第一辅助电极，位于非开口区、靠近各像素电极设置，且具有与像素电极相同的电位，通过在非开口区靠近像素电极的位置设置第一辅助电极，能够在非开口区边缘形成补强电场，作用于位于开口区边缘的液晶分子，使得开口区边缘的液晶分子能够正常偏转，从而提高各开口区内的亮度一致性，减弱甚至解决了开口区边缘的液晶分子受到的电场力不足、液晶分子偏转不足导致的显示不均问题，保证了良好的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中液晶显示面板的电场作用示意图；

图2为本申请实施例一提供的液晶显示面板的结构示意图；

图3为图2所示液晶显示面板的电场作用示意图；

图4为图2所示液晶显示面板中阵列基板的平面结构示意图；

图5为本申请实施例二提供的液晶显示面板的结构示意图；

图6为本申请实施例三提供的液晶显示面板的结构示意图；

图7为本申请实施例四提供的液晶显示面板的结构示意图；

图8为本申请实施例五提供的液晶显示面板的结构示意图；

图9为本申请实施例六提供的液晶显示面板的结构示意图；

图10为本申请实施例六提供的液晶显示面板的正常视角示意图；

图11为本申请实施例六提供的液晶显示面板的宽视角示意图；

图12为本申请实施例六提供的液晶显示面板的窄视角示意图；

图13为对应前述实施例一和二中的上基板的制作流程图；

图14为对应前述实施例三和四中的上基板的制作流程图；

图15为对应前述实施例一和三中的下基板的制作流程图；

图16对应前述实施例一和四中的下基板的制作流程图；

图17对应前述实施例五中的下基板的制作流程图；

图18对应前述实施例六中的下基板的制作流程图。

图中标记的含义为：

400-液晶显示面板；

100-下基板，11、11’-第一衬底基板，12-栅极，13-栅极绝缘层，141-有源层，142-源极，143-漏极，15-第一钝化层，16、16’-像素电极，17-第一辅助电极，171-第一凸起，172-第一凸起电极，173-分隔电极，170-第一液晶柱，18-第一配向层，19-第三辅助电极，191-第二凸起电极，190-第二液晶柱，195-第二钝化层；

200-上基板，21、21’-第二衬底基板，22-黑矩阵，23-彩膜层，25、25’-上公共电极，26-第二配向层，27-第二辅助电极，271-第二凸起；

300-液晶层，31、31’-液晶分子；

A、E-开口区，B、F-非开口区。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接固定或设置在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

为了说明本申请所述的技术方案，以下结合具体附图及实施例进行详细说明。

请参阅图2所示，本申请实施例首先提供一种液晶显示面板400，包括相对设置的上基板200、下基板100，以及设置于二者之间的液晶层300。

其中，下基板100包括：第一衬底基板11，设于第一衬底基板11上的栅极12和栅极线（未图示），设于栅极12和栅极线上的栅极绝缘层13，设于栅极绝缘层13上的有源层141，设于有源层141上的源极142、漏极143和数据线（未图示），设于源极142、漏极143和数据线上的第一钝化层15，设于第一钝化层15上的像素电极16。

由栅极线和数据线交叉限定多个开口区E和非开口区F，栅极12、栅极线、有源层141、源极142、漏极143和数据线等位于非开口区F，像素电极16位于开口区E。由栅极12、有源层141、源极142、漏极143构成驱动薄膜晶体管，栅极12与栅极线连接，像素电极16通过贯穿第一钝化层15的过孔（图中未标示）与漏极143连接。

上基板200包括第二衬底基板21、设于第二衬底基板21上的黑矩阵22和上公共电极25，黑矩阵22对应非开口区F，上公共电极25同时位于开口区E和非开口区F并位于黑矩阵22上。

像素电极16和上公共电极25之间具有电位差，开口区E对应的液晶分子31在电场力作用下偏转，以实现画面显示。

在本实施例中，下基板100还包括多个第一辅助电极17，位于非开口区F、靠近各像素电极16设置，且具有与像素电极16相同的电位。

该第一辅助电极17位于像素电极16的边缘，并与像素电极16具有相同的电位，可以作为像素电极16在非开口区F的延伸部分。第一辅助电极17和上公共电极25之间形成的电场与像素电极16和上公共电极25之间形成的电场相同，因此，该电场可以补强开口区E边缘的电场，位于开口区E边缘的液晶分子31受到的作用力与开口区E中心区域的液晶分子31受到的作用力相同，参见图3所示，开口区E边缘的液晶分子31能够正常偏转，从而提高各开口区E内的亮度一致性。

本申请实施例提供的液晶显示面板400，下基板100上设置多个第一辅助电极17，位于非开口区F、靠近各像素电极16设置，且具有与像素电极16相同的电位。通过在非开口区F靠近像素电极16的位置设置第一辅助电极17，能够在非开口区F边缘形成补强电场，作用于位于开口区E边缘的液晶分子31，使得开口区E边缘的液晶分子31能够正常偏转，从而提高各开口区E内的亮度一致性，减弱甚至解决了开口区E边缘的液晶分子31受到的电场力不足、液晶分子31偏转不足导致的显示不均问题，保证了良好的显示效果。

第一辅助电极17可以与像素电极16一一对应设置，以保证每一个开口区E内亮度均匀。在其他可选实施例中，第一辅助电极17可以设置为与部分像素电极16一一对应，例如，在液晶显示面板400的显示区内，位于边缘的像素电极16可以没有对应设置的第一辅助电极17。

如图4所示，像素电极16按照行方向和列方向呈阵列排布，以行方向为左右方向，列方向为上下方向为例，像素电极16的上、下、左、右侧均为非开口区F。第一辅助电极17可以设置在像素电极16的上、下、左、右侧中的至少一侧。

如图2所示，第一辅助电极17自非开口区F的靠近像素电极16的边缘开始设置，因而，可以实现第一辅助电极17与像素电极16在开口区E和非开口区F的交界处的物理连接以及电性连接。

在此基础上，请参阅图4，第一辅助电极17的宽度与非开口区F的宽度(W、W’)的比值为小于等于0.8，可选地，为了保证第一辅助电极17具有足够的宽度来提供补强电场，第一辅助电极17的宽度与非开口区F的宽度(W、W’)的比值为大于等于0.25。其中，宽度方向,指的是第一辅助电极17所在的侧边方向，可以是行方向，也可以是列方向，还可以同时包括行方向和列方向。

这样设置的目的在于，例如，若第一辅助电极17(图4中虚线方框所示)仅设置在一个像素电极16(图4中实线方框所示)的右侧的非开口区F内，则该第一辅助电极17与位于右侧的另一个像素电极16之间需要有足够的间隔宽度，以在制造过程中保证该第一辅助电极17与另一个像素电极16之间不会发生短路，此时，0.25≤W6/W’≤0.8；或者，若第一辅助电极17设置在一个像素电极16的左右两侧的非开口区F内，也即，非开口区F内同时设有连接到两个像素电极16的两个第一辅助电极17，则，该两个第一辅助电极17之间应该有足够的间隔宽度，以在制造过程中保证该两个第一辅助电极17之间不会发生短路，此时，位于开口区E左侧的第一辅助电极17和位于开口区E右侧的第一辅助电极17的宽度之和为W5+W4，0.25≤(W5+W4)/W’≤0.8。其他情况类似，不再一一举例说明。在上下方向上亦是如此，参见图4所示，分别对应0.25≤W3/W’≤0.8，0.25≤(W1+W2)/W’≤0.8。当第一辅助电极17同时存在于开口区E的上下方向其中至少一侧和左右方向至少一侧时，第一辅助电极17与非开口区F的宽度之比包括在上下方向的宽度之比和左右方向的宽度之比均满足在0.25~0.8之间。

在一个具体的实施例中，非开口区F的宽度为5.5微米~7微米，第一辅助电极17的宽度为2微米~4微米。

请继续参阅图2所示，一个实施例中，第一辅助电极17设于第一钝化层15上且与像素电极16连接，第一辅助电极17和/或像素电极16通过贯穿第一钝化层15的过孔电连接至漏极143，其中，第一辅助电极17和像素电极16可以通过同一个过孔电连接至漏极143，第一辅助电极17和像素电极16直接连接，也可以是第一辅助电极17和像素电极16通过多个相互独立的过孔电连接至漏极143。

如图2所示，在一些实施例中，第一辅助电极17和像素电极16同层且经同一道光罩制程形成。在非开口区F内，第一衬底基板11上依次设置了栅极12、下公共电极（未图示）、栅极绝缘层13、有源层141、源极142、漏极143、数据线和第一钝化层15，开口区E内依次设置了栅极绝缘层13、第一钝化层15和像素电极16。在该实施例中，第一辅助电极17和像素电极16均形成于第一钝化层15上。

可以理解的是，栅极绝缘层13的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或一种以上的组合材料；第一钝化层15的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或一种以上的组合材料。

如图5所示，在一个实施例中，下基板100还包括至少一个第一凸起171，设于第一钝化层15上，位于非开口区F并靠近像素电极16，第一辅助电极17至少部分设于第一凸起171上。通过第一凸起171将第一辅助电极17的至少部分垫高，也即，第一辅助电极17与上公共电极25之间的距离减小，可以进一步提高第一辅助电极17和上公共电极25之间的电场力，同时还可以减小第一辅助电极17和下公共电极之间的横向电场力，使得位于开口区E边缘的部分液晶分子31按照竖向电场力作用进行偏转。

第一凸起171的材料为介电材料，可选高介电常数的材料。可选地，第一凸起171的材料可以与第一钝化层15的材料相同，也即，第一凸起171实际可为第一钝化层15的一部分，在通过一道光罩制程形成第一钝化层15及其过孔的同时，还形成该第一凸起171。第一凸起171相对于位于开口区E的部分第一钝化层15的表面为突出设置。

第一辅助电极17的厚度为50纳米~80纳米，像素电极16的厚度为50纳米~80纳米。

在一个实施例中，第一辅助电极17下方设有多个第一凸起171，且该多个第一凸起171间隔设置，第一辅助电极17在第一凸起171之间连续设置。这样设置的目的在于，第一辅助电极17的位于第一凸起171上的部分和位于第一凸起171之间的部分可以形成物理连接和电连接。第一凸起171沿着开口区E的边缘排布。

如图6所示，在一个实施例中，上基板200还包括第二辅助电极27和第二凸起271，第二凸起271设于黑矩阵22上，第二辅助电极27至少部分设于第二凸起271上且具有与上公共电极25相同的电位。第二辅助电极27实际可作为第二公共电极向下基板100方向的延伸，也即，通过第二凸起271和第二辅助电极27的设置，可以使得上公共电极25更为靠近第一辅助电极17，因而，第一辅助电极17和第二辅助电极27之间的距离可以较小，二者之间能够形成较强的补强电场，以抵消第一辅助电极17与下公共电极之间的横向电场对液晶分子31的横向偏转作用。

同样地，第二凸起271对应非开口区F、沿着非开口区F的边缘间隔设置，第二辅助电极27在第二凸起271之间连续设置并与上公共电极25连接。

在一个实施例中，第二辅助电极27为上公共电极25的一部分。在此需要说明的是，常规制程中，上公共电极25通过一道沉积制程同时覆盖于开口区E和非开口区F。第二辅助电极27可以为上公共电极25的一部分，也即，可以在黑矩阵22上先形成多个第二凸起271，再通过原沉积制程将透明导电材料同时覆盖于开口区E和非开口区F，即可同时得到位于开口区E的部分上公共电极25和位于非开口区F的部分上公共电极25，位于非开口区F和第二凸起271上的部分公共电极即作为第二辅助电极27，用于形成补强电场。

在该实施例中，上公共电极25的厚度为50纳米~80纳米，第二辅助电极27的厚度为50纳米~80纳米。

其中，如图7所示，下基板100上的第一凸起171和上基板200上的第二凸起271可以同时形成；也可以仅在下基板100上设置第一凸起171，还可以仅在上基板200上设置第二凸起271。

其中，当同时设置第一凸起171和第二凸起271时，第一凸起171的厚度为0.5微米~3微米，可选为1微米~2微米，例如为1.5微米，第二凸起271的厚度为0.5微米~3微米，可选为0.5微米~2微米，例如为2微米；当仅在下基板100上设置第一凸起171时，第一凸起171的厚度为0.5微米~3微米，可选为1微米~2微米，例如为1.5微米；当仅在上基板200上设置第二凸起271时，第二凸起271的厚度为0.5微米~3微米，可选为1微米~2微米，例如为2微米。

同样地，第二凸起271与第二凸起271可选在第一衬底基板11的投影方向上对齐。第二辅助电极27宽度不超过黑矩阵22的宽度的二分之一。

在另一个实施例中，第二凸起271设置在上公共电极25和第二辅助电极27之间，换言之，第二辅助电极27和上公共电极25为两层结构，第二凸起271和第二辅助电极27为在上公共电极25上通过两道制程分别形成。

如图8所示，在一个实施例中，第一辅助电极17包括至少一个第一凸起电极172，第一凸起电极172相对于第一钝化层15突出设置且与第一钝化层15之间形成第一填充空间，第一填充空间内填充有液晶分子31，以形成至少一个第一液晶柱170。

该第一液晶柱170由第一凸起电极172及其下方的部分液晶分子31形成，第一凸起电极172与上公共电极25之间形成补强电场，作用于开口区E边缘的液晶分子31；第一凸起171与下公共电极之间也形成电场，该电场作用于第一填充空间内的液晶分子31，驱动该液晶分子31偏转，使得本应在非开口区F、被黑矩阵22阻挡的部分光线发生折射后从开口区E出射，如此，可以提高开口区E的光线量，提高显示画面亮度。

第一凸起电极172的形状可以为球状凸起、椭球状凸起、柱状凸起，或者是其他类型的凸起。

第一填充空间的高度为1微米~3微米，可选1微米~2微米，例如为2微米。

在此需要说明的是，基于实际的制程(具体见后文描述)，该实施例中，第一液晶柱170还包括分隔电极173，其与第一凸起电极172在第一衬底基板11的投影方向上对齐，第一填充空间由分隔电极173和第一凸起电极172夹设而形成，分隔电极173为与像素电极16同层、同道光罩制程形成，且相物理连接和电连接。

接下来，请参阅图9所示，在一个实施中，下基板100还包括第三辅助电极19，位于开口区E、像素电极16上，第三辅助电极19包括至少一个第二凸起电极191，第二凸起电极191和像素电极16之间形成第二填充空间，第二填充空间内填充有液晶分子31，以形成至少一个第二液晶柱190。其中，第二凸起电极191可通过走线连接至扇出区，并连接至驱动模块，由驱动模块提供电压，例如，可提供与像素电极16上的电压相等或者不相等的电压。

该第二液晶柱190由第二凸起电极191及其下方的部分液晶分子31形成，第二凸起电极191与上公共电极25之间形成电场，作用于第二填充空间内的液晶分子31，以驱动该部分液晶分子31偏转。请参阅图10所示，当第二凸起电极191上的电压与像素电极16上的电压相等时，第二填充空间内的液晶分子31和第二填充空间外的液晶分子31偏转相同、折射率相同（第二液晶柱190的折射率为n₀，液晶层300的折射率为n₁），此时获得正常视角；如图11所示，当第二凸起电极191上的电压不等于像素电极16上的电压时，若第二液晶柱190的折射率小于液晶层300的折射率，n₀＜n₁，此时获得宽视角，反之，如图12所示，若第二液晶柱190的折射率大于液晶层300的折射率，n₀＞n₁，此时获得窄视角。

第二凸起电极191的形状可以为球状凸起、椭球状凸起、柱状凸起，或者是其他类型的凸起。

第二填充空间的高度为1微米~3微米，可选1微米~2微米，例如为2微米。

可选地，第二凸起电极191的厚度等于第一凸起电极172的厚度，且二者通过同一道光罩制程形成。第二填充空间的高度等于第一填充空间的高度。

可以理解的是，第二液晶柱190应当为双层透明导电材料夹设部分液晶分子31而形成，为了避免与像素电极16电连接，第二液晶柱190与像素电极16之间还应该设有第二钝化层195，如图9所示。

在该液晶显示面板400中，还包括彩膜层23，在一个实施例中，彩膜层23可以设置在下基板100上，该下基板100为COA(Color on Array，彩膜位于阵列基板上)型阵列基板。具体地，彩膜层23可以设置在第一钝化层15和像素电极16之间(用于供像素电极16和漏极143连接的过孔同时贯穿彩膜层23)，且，像素电极16与彩膜层23之间还可以设置第三钝化层（未图示）；或者，彩膜层23可以形成在栅极12的下方，且栅极12与彩膜层23之间还可以设置平坦层（未图示）。

或者，请参阅图2及图5至图9所示，彩膜层23可以设置在上基板200上，上基板200为彩膜基板。具体地，彩膜层23设置在第二衬底基板21上，由黑矩阵22围绕。黑矩阵22和彩膜层23上还可以设置一层保护层（未图示），上公共电极25形成在保护层上。

请参阅图2及图5至图9所示，下基板100的像素电极16、第一辅助电极17、第二辅助电极27上还设有第一配向层18。上公共电极25上还设有第二配向层26。

以下，简述本申请实施例提供的液晶显示面板400的制作方法，其中，以彩膜层23设置在上基板200为例进行说明。

如图13所示，上基板200的一个实施例的制作流程是：

步骤R1，提供第二衬底基板21，并在第二衬底基板21上沉积黑色遮光材料，通过一道光罩制程形成位于非开口区F的黑矩阵22；

步骤R2，在黑矩阵22上沉积色阻材料，经图案化蚀刻该色阻材料，形成位于开口区E的彩膜层23(包括三道工序形成的红色色阻块、蓝色色阻块和绿色色阻块)；

步骤R3，在黑矩阵22和彩膜层23上形成保护层(未图示)和公共电极层，以及在上公共电极25上形成第二配向层26。

在另一个实施例中，如图14所示，上述步骤R3可替换为步骤R3’，在黑矩阵22和彩膜层23上通过一道形成半色调光罩(或者灰阶光罩)制程形成保护层，该保护层覆盖在开口区E和非开口区F，其中，在非开口区F的部分保护层具有多个凸部，该些凸部的高度大于保护层在开口区E的高度，该些凸部作为第二凸起271；

还包括步骤S4，在保护层上形成上公共电极25，上公共电极25覆盖在第二凸起271上。以及，在上公共电极25上形成第二配向层26。

如图15所示，下基板100的一个实施例的制作流程是：

步骤S1，提供第一衬底基板11，并在第一衬底基板11上依次形成栅极12、栅极绝缘层13、有源层141、源极142、漏极143和数据线；

步骤S2，在源极142、漏极143上通过一道光罩制程形成第一钝化层15，以及贯穿至漏极143的过孔；

步骤S3，在第一钝化层15上通过一道光罩制程形成像素电极16和第一辅助电极17；第一辅助电极17和像素电极16经由过孔电连接至漏极143。

步骤S4，在第一辅助电极17和像素电极16上形成第一配向层18。

如图16所示，下基板100的另一个实施例的制作流程是：

步骤S1，提供第一衬底基板11，并在第一衬底基板11上依次形成栅极12、栅极绝缘层13、有源层141、源极142、漏极143和数据线；

步骤S2’，在源极142、漏极143上通过一道半色调光罩(或者灰阶光罩)制程形成第一钝化层15，以及贯穿至漏极143的过孔；第一钝化层15同时覆盖在开口区E和非开口区F，且第一钝化层15位于非开口区F的部分具有多个凸部，该些凸部的高度大于第一钝化层15位于开口区E的高度，该些凸部作为第一凸起171；

步骤S3’，在第一钝化层15上通过一道光罩制程形成像素电极16和第一辅助电极17，像素电极16经由过孔电连接至漏极143，第一辅助电极17覆盖于第一凸起171和第一凸起171之间。

如图17所示，下基板100的又一个实施例的制作流程是：

步骤S2’’，在源极142、漏极143上通过一道光罩制程形成第一钝化层15，以及贯穿至漏极143的过孔；第一钝化层15同时覆盖在开口区E和非开口区F；

步骤S3-1’’，在第一钝化层15上通过一道光罩制程形成位于开口区E的像素电极16和位于非开口区F、靠近像素电极16设置的分隔电极173，像素电极16经由过孔电连接至漏极143；分隔电极173与像素电极16相电连接。

步骤S3-2’’，在像素电极16和分隔电极173上沉积一层光阻材料，通过一道光罩制程图案化该光阻材料，形成多个位于分隔电极173上的光阻柱体(未图示)，在光阻柱体和像素电极16上沉积一层透明导电材料并图案化该透明导电材料，保留位于像素电极16上的部分和位于分隔电极上173的部分；剥离光阻柱体，形成双层的像素电极16和第一凸起电极172，在第一凸起电极172和分隔电极173之间灌注液晶，即可得到第一液晶柱170。

在再一个实施例中，如图18所示，下基板100的制作流程是：

在前述步骤S1、S2’’、步骤S3-1’’、步骤S3-2’’之后，还包括步骤S3-3’’，在开口区和非开口区沉积一层第二钝化层195；在第二钝化层195上沉积一层透明导电材料，图案化该透明导电材料，保留位于开口区E的部分，形成分隔块；步骤S3-4’’，在分隔块上和第二钝化层195上沉积一层光阻材料层，并图案化该光阻材料层，形成多个位于开口区E的光阻柱体，在光阻柱体和分隔块上沉积一层透明导电材料并图案化该透明导电材料，保留位于分隔块上的部分；剥离光阻柱体，在分隔块上方得到第二填充空间，在第二填充空间内灌注液晶，即可得到第二液晶柱190。

最后，本申请实施例还提供一种液晶显示器（未图示），包括前述各实施例所说的液晶显示面板400和背光模组，背光模组设置在下基板100背离上基板200的一侧。具体不再赘述。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括相对设置的上基板、下基板，以及设置于二者之间的液晶层，其中，所述下基板包括第一衬底基板、设于第一衬底基板上的栅极线、数据线和像素电极，所述栅极线和所述数据线交叉限定多个开口区和非开口区，所述像素电极位于所述开口区，所述栅极线和所述数据线位于所述非开口区；所述上基板包括第二衬底基板、设于第二衬底基板上的黑矩阵和上公共电极，所述黑矩阵对应所述非开口区，所述上公共电极同时位于所述开口区和所述非开口区并位于所述黑矩阵上；

所述下基板还包括第一辅助电极，位于所述非开口区、靠近所述像素电极设置，且具有与所述像素电极相同的电位；所述下基板还包括位于非开口区且依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极、有源层和第一钝化层，所述开口区内依次设置有所述栅极绝缘层、所述第一钝化层和所述像素电极，所述第一辅助电极设于所述第一钝化层上且与所述像素电极连接，所述第一辅助电极和/或所述像素电极通过贯穿所述第一钝化层的过孔电连接至所述漏极；所述第一辅助电极包括至少一个第一凸起电极，所述第一凸起电极和所述第一钝化层之间形成第一填充空间，所述第一填充空间内填充有液晶分子，以形成至少一个第一液晶柱。

2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一辅助电极和所述像素电极同层且经同一道光罩制程形成。

3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述下基板上还包括至少一个第一凸起，设于第一钝化层上并位于所述非开口区、靠近所述像素电极设置，第一辅助电极至少部分设于第一凸起上。

4.如权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于，所述非开口区的边缘间隔排列有多个所述第一凸起，所述第一辅助电极在所述第一凸起之间连续设置。

5.如权利要求1至4中任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述上基板还包括第二辅助电极和第二凸起，所述第二凸起设于所述黑矩阵上，所述第二辅助电极至少部分设于所述第二凸起上且具有与所述上公共电极相同的电位。

6.如权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，对应所述非开口区的边缘间隔排列有多个所述第二凸起，所述第二辅助电极在所述第二凸起之间连续设置并与所述上公共电极连接。

7.如权利要求1至4中任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述下基板还包括设于所述开口区的第三辅助电极，所述第三辅助电极与所述像素电极之间设有第二钝化层，所述第三辅助电极包括至少一个第二凸起电极，所述第二凸起电极和所述第二钝化层之间形成第二填充空间，所述第二填充空间内填充有液晶分子，以形成至少一个第二液晶柱。

8.一种液晶显示器，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的液晶显示面板，以及背光模组，所述背光模组设置在所述下基板背离所述上基板的一侧。

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