KR970003724A - 유체압 조절된 웨이퍼 연마 헤드 - Google Patents

유체압 조절된 웨이퍼 연마 헤드 Download PDF

Info

Publication number
KR970003724A
KR970003724A KR1019960020933A KR19960020933A KR970003724A KR 970003724 A KR970003724 A KR 970003724A KR 1019960020933 A KR1019960020933 A KR 1019960020933A KR 19960020933 A KR19960020933 A KR 19960020933A KR 970003724 A KR970003724 A KR 970003724A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
polishing
polishing head
retaining ring
pocket
Prior art date
Application number
KR1019960020933A
Other languages
English (en)
Inventor
쉔돈 놈
숴우드 마이클
리 헨리
Original Assignee
조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 조셉 제이. 스위니, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 조셉 제이. 스위니
Publication of KR970003724A publication Critical patent/KR970003724A/ko

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

웨이퍼 연마 헤드는 웨이퍼에 대해 밀봉되고 연마 패드 쪽으로 균일하게 웨이퍼를 추진(또는 압박)하기 위해서 웨이퍼의 둘레에서 가장자리 실 특색내의 웨이퍼의 폭에 걸쳐 균일한 힘 분배 형태를 제공하기 위해 공기 또는 기타 유체로 가압되는 웨이퍼를 직면하는 포켓을 갖는다. 웨이퍼의 사용가능한 면적에 걸쳐 웨이퍼 재료의 양의 변화 없이 연마가 균일하게 행하여 진다. 뒷받침 부재의 실 특색과 웨이퍼의 표면간의 마찰력은 연마동안 웨이퍼에 헤드의 회전 이동을 전달한다. 압력 제어된 벨로즈는 연마 헤드가 연마 패드에 대해 움직임에 따라서 연마 헤드와 연마 패드간의 어떠한 치수 변화도 조절하고 연마 패드 쪽으로 웨이퍼 뒷받침 부재를 지지하고 압박한다. 일체형이나 독립적으로 신축가능한 리테이닝 링 조립체는 웨이퍼 연마 베드의 연마 패드상의 웨이퍼 둘레 리테이닝 링의 압력을 균일하고 독립적으로 제어하기 위해서 웨이퍼 뒷받침 부재와 웨이퍼 주위에 제공된다.

Description

유체압 조절된 웨이퍼 연마 헤드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 구체화의 단면도를 도시한다.

Claims (46)

  1. 기판을 직면하는 측을 갖는 연마 헤드 기판 뒷받침 부재, 여기서 기판을 직면하는 측은 연마되는 기판의 둘레에 일반적으로 부재를 유체가 새지 않게 밀봉하기 위한 실을 포함하며, 그 부재는 실의 경계내에서 기판과 부재의 기판을 직면하는 측간에 형성된 포켓의 경계로 오프닝을 통한 유체 보급 통로를 포함하는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 실이 기판의 연마 동안 기판에 대해 압박될 때, 따라서 연마 패드에 대해 기판을 압박할 때, 실을 포함하는 기판을 직면하는 측과 기판의 둘레간의 접촉은 헤드가 회전될 때 기판이 일반적으로 헤드와 회전하도록 기판을 직면하는 측과 기판의 둘레간의 마찰력을 제공하는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  3. 제1항에 있어서, 연마 헤드 뒷받침 부재가 벨로즈를 포함하는 압력을 통해 연마 헤드 하우징 지지 부재로부터 지지되는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  4. 제2항에 있어서, 연마 헤드 뒷받침 부재가 벨로즈를 포함하는 압력을 통해 연마 헤드 하우징 지지 부재로부터 지지되는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  5. 연마 헤드 하우징 지지 부재로부터 지지된 연마 헤드 기판 뒷받침 부재, 기판 뒷받침 부재를 둘러싸는 기판 리테이닝 링 조립체를 포함하며, 여기서 링 조립체는 기판 뒷받침 부재로부터 분리되고 관련하여 움직일수 있고 하우징 지지 부재로부터 분리되고 관련하여 움직일수 있고, 하우징 지지 부재는 연마 헤드 기판 뒷받침 부재의 연마면으로부터 수축되도록 리테이닝 링 조립체를 탄성적으로 추진시키는 하나 이상의 탄성 부재의 제1세트에 의해 리테이닝 링 조립체에 연결되며, 하우징 지지 부재는 연마 헤드 기판 뒷받침 부재의 연마면을 향해 연장하기 위해 리테이닝 링 조립체를 탄성적으로 추진시키는 하나 이상의 탄성 부재의 제2세트에 의해 리테이닝 링 조립체에 연결되며, 제1세트 또는 제2세트 탄성부재가 하우징 지지 부재와 리테이닝 링 조립체간의 탄성 추진과 관련된 힘의 크기를 증가시키거나 감소시키도록 배치되는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  6. 제5항에 있어서, 하나 이상의 탄성 부재의 제1세트가 기판 뒷받침 부재 주위에 일반적으로 똑같이 분배된 한세트의 스프링인 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  7. 제5항에 있어서, 하나 이상의 탄성 부재의 제2세트가 기판 뒷받침 부재 주위에 환상의 블래더이며, 그 블래더는 리테이닝 링 조립체가 연마 헤드 기판 뒷받침 부재의 연마면을 향해 연장하도록 하우징 지지 부재와 리테이닝 링 조립체간의 탄성 추진과 관련된 힘의 크기를 증가시키기 위해 가압되는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  8. 제1항에 있어서, 연마 헤드 하우징 지지 부재로부터 지지된 연마 헤드 기판 뒷받침 부재, 기판 뒷받침 부재를 둘러싸는 기판 리테이닝 링 조립체를 포함하며, 여기서 링 조립체는 기판 뒷받침 부재로부터 분리되고 관련하여 움직일수 있고 하우징 지지 부재로부터 분리되고 관련하여 움직일수 있고, 하우징 지지 부재는 연마 헤드 기판 뒷받침 부재의 연마면으로부터 수축되도록 리테이닝 링 조립체를 탄성적으로 추진시키는 하나 이상의 탄성 부재의 제1세트에 의해 리테이닝 링 조립체에 연결되며, 하우징 지지 부재는 연마 헤드 기판 뒷받침 부재의 연마면을 향해 연장하기 위해 리테이닝 링 조립체를 탄성적으로 추진시키는 하나 이상의 탄성 부재의 제2세트에 의해 리테이닝 링 조립체에 연결되며, 제1세트 또는 제2세트 탄성부재가 하우징 지지 부재와 리테이닝 링 조립체간의 탄성 추진과 관련된 힘의 크기를 증가시키거나 감소시키도록 배치되는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  9. 제8항에 있어서, 하나 이상의 탄성 부재의 제1세트가 기판 뒷받침 부재 주위에 일반적으로 똑같이 분배된 한세트의 스프링인 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  10. 제8항에 있어서, 하나 이상의 탄성 부재의 제2세트가 기판 뒷받침 부재 주위에 환상의 블래더이며, 그 블래더는 리테이닝 링 조립체가 연마 헤드 기판 뒷받침 부재의 연마면을 향해 연장하도록 하우징 지지 부재와 리테이닝 링 조립체간의 탄성 추진과 관련된 힘의 크기를 증가시키기 위해 가압되는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  11. 연마되는 기판의 배면에 가압가능한 포켓을 포함하고, 그 배면에 직면하는 연마 헤드 기판 뒷받침 부재, 기판의 뒷측에 밀봉가능한 포켓의 둘레 및 오프닝을 통해 포켓 속으로 포켓으로부터 유체의 흐름을 이용하여 포켓내의 압력을 제어하기 위한 오프닝을 포함하는 포켓을 포함하는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  12. 제11항에 있어서, 또한 벨로즈 부재를 포함하며, 여기서 연마 패드 쪽으로 연마되는 기판을 압박하는 연마 헤드가 연마 패드에 대해 움직임에 따라 연마 헤드 하우징 지지 부재와 연마 패드간의 거리 변화에 일반적으로 관계 없이 사용시 연마 패드 쪽으로 연마 헤드 뒷받침 부재를 압박하는 일반적으로 균일한 힘을 제공하는 벨로즈 부재를 통해 연마 헤드 기판 뒷받침 부재가 연마 헤드 하우징 지지 부재로부터 지지되는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  13. 제11항에 있어서, 연마 헤드 뒷받침 부재에 의해 연마 헤드 쪽으로 압박되는 기판이 리테이닝 링 부재에 의해 기판에 대해 내부 경계 세트를 넘어 옆쪽으로 미끄러지는 것을 방지하기 위해 연마되는 기판 주위에 일반적으로 배치된 플로팅 기판 리테이닝 링 부재 조립체를 또한 포함하며, 사용시 기판 리테이닝 링 부재는 리테이닝 링 부재가 연마 패드를 접촉하도록 하기 위해서 하우징 지지 부재와 링 부재 조립체간에 위치한 제1추진 부재에 의해 연마 패드 쪽으로 추진되며, 기판 리테이닝 링 부재가 하우징 지지 부재와 링 부재 조립체간에 연결된 제2추진 부재에 의해 연마 패드로부터 떨어져 추진되어, 제1모드의 제1추진 부재가 제2추진 부재에 의해 발생된 추진력을 극복하는 제1추진력을 발생시키고 제2모드의 제1추진 부재가 제2추진 부재에 의해 발생된 추진력을 극복하지 않는 제2추진력을 발생시키는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  14. 제12항에 있어서, 연마 헤드 뒷받침 부재에 의해 연마 헤드 쪽으로 압박되는 기판이 리테이닝 링 부재에 의해 기판에 대해 내부 경계 세트를 넘어 옆쪽으로 미끄러지는 것을 방지하기 위해 연마되는 기판 주위에 일반적으로 배치된 플로팅 기판 리테이닝 링 부재 조립체를 또한 포함하며, 사용시 기판 리테이닝 링 부재는 리테이닝 링 부재가 연마 패드를 접촉하도록 하기 위해서 하우징 지지 부재와 링 부재 조립체간에 위치한 제1추진 부재에 의해 연마 패드 쪽으로 추진되며, 기판 리테이닝 링 부재가 하우징 지지 부재와 링 부재 조립체간에 연결된 제2추진 부재에 의해 연마 패드로부터 떨어져 추진되어, 제1모드의 제1추진 부재가 제2추진 부재에 의해 발생된 추진력을 극복하는 제1추진력을 발생시키고 제2모드의 제1추진 부재가 제2추진 부재에 의해 발생된 추진력을 극복하지 않는 제2추진력을 발생시키는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  15. 벨로즈 부재를 포함하며, 여기서 연마 패드 쪽으로 연마되는 기판을 압박하는 연마 헤드가 연마 패드에 대해 움직임에 따라 연마 헤드 하우징 지지 부재와 연마 패드간의 거리 변화에 일반적으로 관계 없이 사용시 연마 패드 쪽으로 연마 헤드 뒷받침 부재를 압박하는 일반적으로 균일한 힘을 제공하는 벨로즈 부재를 통해 연마 헤드 기판 뒷받침 부재가 연마 헤드 하우징 지지 부재로부터 지지되는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  16. 제15항에 있어서, 연마 헤드 뒷받침 부재에 의해 연마 헤드 쪽으로 압박되는 기판이 리테이닝 링 부재에 의해 기판에 대해 내부 경계 세트를 넘어 옆쪽으로 미끄러지는 것을 방지하기 위해 연마되는 기판 주위에 일반적으로 배치된 플로팅 기판 리테이닝 링 부재 조립체를 또한 포함하며, 사용시 기판 리테이닝 링 부재는 리테이닝 링 부재가 연마 패드를 접촉하도록 하기 위해서 하우징 지지 부재와 링 부재 조립체간에 위치한 제1추진 부재에 의해 연마 패드 쪽으로 추진되며, 기판 리테이닝 링 부재가 하우징 지지 부재와 링 부재 조립체간에 연결된 제2추진 부재에 의해 연마 패드로부터 떨어져 추진되어, 제1모드의 제1추진 부재가 제2추진 부재에 의해 발생된 추진력을 극복하는 제1추진력을 발생시키고 제2모드의 제1추진 부재가 제2추진 부재에 의해 발생된 추진력을 극복하지 않는 제2추진력을 발생시키는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  17. 연마 헤드 뒷받침 부재에 의해 연마 헤드 쪽으로 압박되는 기판이 리테이닝 링 부재에 의해 기판에 대해 내부 경계 세트를 넘어 옆쪽으로 미끄러지는 것을 방지하기 위해 연마되는 기판 주위에 일반적으로 배치된 플로팅 기판 리테이닝 링 부재 조립체를 또한 포함하며, 사용시 기판 리테이닝 링 부재는 리테이닝 링 부재가 연마 패드를 접촉하도록 하기 위해서 하우징 지지 부재와 링 부재 조립체간에 위치한 제1추진 부재에 의해 연마 패드 쪽으로 추진되며, 기판 리테이닝 링 부재가 하우징 지지 부재와 링 부재 조립체간에 연결된 제2추진 부재에 의해 연마 패드로부터 떨어져 추진되어, 제1모드의 제1추진 부재가 제2추진 부재에 의해 발생된 추진력을 극복하는 제1추진력을 발생시키고 제2모드의 제1추진 부재가 제2추진 부재에 의해 발생된 추진력을 극복하지 않는 제2추진력을 발생시키는 연마하는 동안 기판을 보지하기 위한 장치.
  18. 연마 헤드 뒷받침 부재와 접촉하는 기판을 배치하는 단계, 여기서 연마 헤드 뒷받침 부재는 기판의 뒷측을 직면하는 포켓을 포함하는, 그 부재는 실과 접촉하는 기판과 일반적으로 유체가 새지 않는 밀봉을 형성하기 위해서 포켓을 둘러싸는 둘레 실을 포함하며, 연마 패드에 대해 연마 헤드 뒷받침 부재와 접촉하는 기판을 위치시키는 단계, 일반적으로 균일한 힘을 사용하는 연마 패드를 향해서 연마 헤드 뒷받침 부재를 추진하는 단계, 포켓내의 유체압을 제어하는 단계, 그리고 기판이 연마 패드의 표면에 마찰함에 따라서 기판을 연마하기 위해서 연마 패드에 대해 기판을 움직이는 단계를 포함하는 연마 패드상에 기판을 연마하기 위한 공정.
  19. 제18항에 있어서, 둘레 실이 기판에 대해 실을 하도록 하는 연마 패드를 향해 연마 헤드 뒷받침 부재를 추진하는 힘이 기판을 연마 헤드 뒷받침 부재로부터 분리시키고 포켓을 가압하는 유체가 실에 걸쳐서 새도록 하기에 충분히 큰 힘을 발생하는 포켓내 압력에 의해 극복될때, 포켓내의 압력은 블로 바이 상태를 성취하며, 포켓내의 유체압을 제어하는 단계는 포켓내의 유체압을 블로 바이 상태에 가까운 그러나 미만의 압력에 제어하는 단계를 포함하는 연마 패드상에 기판을 연마하기 위한 공정.
  20. 제18항에 있어서, 연마 헤드 뒷받침 부재에 대해 위치된 기판을 둘러싸고 사용시 연마 패드의 표면으로 연장하고 추진되는 리테이닝 링을 제공함으로써 연마 헤드 뒷받침 부재에 대해 기판의 옆쪽 움직임을 제한하는 단계를 또한 포함하는 연마 패드상에 기판을 연마하기 위한 공정.
  21. 제19항에 있어서, 둘레 실이 기판에 대해 실을 하도록 하는 연마 패드를 향해 연마 헤드 뒷받침 부재를 추진하는 힘이 기판을 연마 헤드 뒷받침 부재로부터 분리시키고 포켓을 가압하는 유체가 실에 걸쳐서 새도록 하기에 충분히 큰 힘을 발생하는 포켓내 압력에 의해 극복될 때, 포켓내의 압력은 블로 바이 상태를 성취하며, 포켓내의 유체압을 제어하는 단계는 포켓내의 유체압을 블로 바이 상태에 가까운 그러나 미만의 압력에 제어하는 단계를 포함하는 연마 패드상에 기판을 연마하기 위한 공정.
  22. 기판은 연마를 위한 패드에 대해 위치시킬 수 있는 제1표면을 포함하며 제1표면에 일반적으로 평면으로 배치된 제2표면을 포함하며, 웨이퍼 제2표면에 대해 연장가능하고 위치시킬 수 있는 실을 포함하는 표면을 수용하는 기판을 갖는 기판 마운팅 부재 및 기판과 마운팅 부재간에 형성된 포켓을 포함하는 연마 부재에 대해 기판 표면을 위치하고 연마 표면에 대해 기판상에 힘을 제공하기 위한 연마 헤드.
  23. 제22항에 있어서, 마운팅 부재는 포켓을 경계짓는 환상의 연장하는 부분을 포함하며, 실은 환상의 연장하는 부분과 기판의 제2표면간에 밀봉 계면을 제공하는 연마 헤드.
  24. 제23항에 있어서, 배치된 가압가능한 챔버를 또한 포함하는 연마 헤드.
  25. 제24항에 있어서, 연마 헤드가 연마 표면에 걸쳐 적어도 부분적으로 연장가능한 지지체에 의해 연마 표면에 지지되는 연마 헤드.
  26. 제25항에 있어서, 챔버는 기압을 초과하는 압력을 받을 때, 연마 표면에 대해 기판을 적재하는 힘을 제공하는 연마 헤드.
  27. 제23항에 있어서, 포켓은 기판이 연마 표면상에 위치되지 않을 때 헤드와 접촉하는 기판을 유지시키기 위해서 진공 압력에서 유지가능한 연마 헤드.
  28. 제27항에 있어서, 포켓에 위치된 압력 공급원을 또한 포함하는 연마 헤드.
  29. 제27항에 있어서, 챔버에 위치된 압력 공급원을 또한 포함하는 연마 헤드.
  30. 제27항에 있어서, 포켓에 위치된 진공 공급원을 또한 포함하는 연마 헤드.
  31. 제22항에 있어서, 적어도 부분적으로 마운팅 부재를 경계짓고 기판 수용 표면에 대해 선택적으로 위치가능한 리테이너를 또한 포함하는 연마 헤드.
  32. 제31항에 있어서, 리테이너 지지 부재 및 리테이너 지지 부재와 리테이너간에 연장가능한 제1바이어스 부재를 또한 포함하는 연마 헤드.
  33. 제32항에 있어서, 리테이너 지지체와 리테이너간에 연장가능한 제2바이어스 부재를 또한 포함하는 연마 헤드.
  34. 제33항에 있어서, 제2바이어스 부재가 기판 수용 부분의 위치의 바깥쪽으로 리테이너를 연장하기 위한 리테이너상에 제어가능하고 변화가능한 바이어스를 제공하는 연마 헤드.
  35. 제34항에 있어서, 제2바이어스 부재가 적어도 하나의 가압 가능한 블래더를 포함하는 연마 헤드.
  36. 제32항에 있어서, 제1바이어스 부재가 적어도 하나의 스프링을 포함하는 연마 헤드.
  37. 제23항에 있어서, 실은 기판 수용 부분을 경계짓고 거기에서 바깥쪽으로 연장하는 연마 헤드.
  38. 제37항에 있어서, 실이 립 실인 연마 헤드.
  39. 기판은 연마되는 제1표면과 일반적으로 그것에 평행하게 배치된 제2표면을 가지며, 기판의 제2표면을 수용하고 연마 표면상에 기판의 제1표면을 위치시키기 위해 마운팅 부분을 갖는 연마 헤드를 제공하는 단계, 마운팅 부분에 대해 기판의 제2표면을 위치시킴에 의해 기판과 마운팅 부분간에 포켓을 형성하는 단계, 포켓내에 압력을 선택적으로 변화시키는 단계는 포함하는 기판 표면을 연마하기 위한 방법.
  40. 제39항에 있어서, 기판의 연마 동안 기압을 초과하는 압력이 유지되는 방법.
  41. 제39항에 있어서, 기판이 연마 표면으로부터 제거될 때 기압 미만의 압력으로 포켓을 진공시키는 단계를 또한 포함하는 방법.
  42. 제39항에 있어서, 지지 부재상에 연마 표면에 걸쳐 캐리어를 위치시키는 단계, 연마 헤드내에 챔버를 제공하는 단계, 그리고 제1표면과 연마 표면의 계면에 적재 힘을 제공하기 위해서 챔버를 선택적으로 가압하는 단계를 또한 포함하는 방법.
  43. 제42항에 있어서, 연마 헤드를 가진 연마 표면상에 기판을 위치시키는 단계, 기판의 제2표면과 마운팅 부분의 계면에 접촉 압력을 제공하기 위해서 제1압력으로 챔버를 가압하는 단계, 기판과 연마 표면의 계면에 동시에 균일한 하중을 제공하면서 기판과 마운팅 부분의 계면에서 접촉 압력을 감소시키기 위해 포켓을 가압하는 단계를 또한 포함하는 방법.
  44. 제43항에 있어서, 포켓내의 압력이 마운팅 부분이 움직임에 따라서 마운팅 부분과 접촉하는 기판을 유지시키기 위한 마찰력을 유지하기 위해 필요한 압력 미만으로 기판과 마운팅 부분간의 접촉 압력을 감소시키기에 불충분한 방법.
  45. 제43항에 있어서, 포캣내의 압력이 기판과 마운팅 부분간의 접촉 압력을 제로 압력으로 감소시키기에 불충분한 방법.
  46. 제39항에 있어서, 마운팅 부분에 포켓을 제공하는 단계, 기판의 제2표면이 위치되어져도 좋은 마운팅 표면을 형성하기 위해 포켓의 둘레에 대해 환상의 부분을 제공하는 단계를 또한 포함하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960020933A 1995-06-09 1996-06-07 유체압 조절된 웨이퍼 연마 헤드 KR970003724A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/488,921 US6024630A (en) 1995-06-09 1995-06-09 Fluid-pressure regulated wafer polishing head
US08/488,921 1995-06-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970003724A true KR970003724A (ko) 1997-01-28

Family

ID=23941677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960020933A KR970003724A (ko) 1995-06-09 1996-06-07 유체압 조절된 웨이퍼 연마 헤드

Country Status (4)

Country Link
US (7) US6024630A (ko)
EP (1) EP0747167A3 (ko)
JP (2) JPH0919863A (ko)
KR (1) KR970003724A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100435302B1 (ko) * 1995-10-09 2004-10-22 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 작업물폴리싱장치및방법
KR100485002B1 (ko) * 1996-02-16 2005-08-29 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 작업물폴리싱장치및방법

Families Citing this family (228)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5908530A (en) * 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US6024630A (en) 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
US6746565B1 (en) * 1995-08-17 2004-06-08 Semitool, Inc. Semiconductor processor with wafer face protection
DE69717510T2 (de) * 1996-01-24 2003-10-02 Lam Res Corp Halbleiterscheiben-Polierkopf
US5762539A (en) * 1996-02-27 1998-06-09 Ebara Corporation Apparatus for and method for polishing workpiece
USRE38854E1 (en) 1996-02-27 2005-10-25 Ebara Corporation Apparatus for and method for polishing workpiece
US5876273A (en) * 1996-04-01 1999-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for polishing a wafer
US5920797A (en) * 1996-12-03 1999-07-06 Applied Materials, Inc. Method for gaseous substrate support
US5857899A (en) * 1997-04-04 1999-01-12 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing head with pad dressing element
TW431942B (en) 1997-04-04 2001-05-01 Tokyo Seimitsu Co Ltd Polishing device
US6244946B1 (en) 1997-04-08 2001-06-12 Lam Research Corporation Polishing head with removable subcarrier
US6425812B1 (en) 1997-04-08 2002-07-30 Lam Research Corporation Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology
US6077385A (en) * 1997-04-08 2000-06-20 Ebara Corporation Polishing apparatus
DE69813374T2 (de) * 1997-05-28 2003-10-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd Halbleiterscheibe Poliervorrichtung mit Halterring
TW375550B (en) * 1997-06-19 1999-12-01 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Polishing apparatus for semiconductor wafer
JPH11226865A (ja) * 1997-12-11 1999-08-24 Speedfam Co Ltd キャリア及びcmp装置
US6142857A (en) * 1998-01-06 2000-11-07 Speedfam-Ipec Corporation Wafer polishing with improved backing arrangement
US5989104A (en) * 1998-01-12 1999-11-23 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with monopiece pressure plate and low gimbal point
JP3959173B2 (ja) * 1998-03-27 2007-08-15 株式会社東芝 研磨装置及び研磨加工方法
JPH11285966A (ja) * 1998-04-02 1999-10-19 Speedfam-Ipec Co Ltd キャリア及びcmp装置
KR100550034B1 (ko) * 1998-04-06 2006-02-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
JP2917992B1 (ja) * 1998-04-10 1999-07-12 日本電気株式会社 研磨装置
US5985094A (en) * 1998-05-12 1999-11-16 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier
US6106379A (en) * 1998-05-12 2000-08-22 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier with automatic ring extension
US6251215B1 (en) * 1998-06-03 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
JP2000006005A (ja) * 1998-06-22 2000-01-11 Speedfam Co Ltd 両面研磨装置
US6220930B1 (en) * 1998-11-03 2001-04-24 United Microelectronics Corp. Wafer polishing head
US6283828B1 (en) 1998-11-09 2001-09-04 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer polishing apparatus
US6358129B2 (en) * 1998-11-11 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Backing members and planarizing machines for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods of making and using such backing members
US7425250B2 (en) * 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
US6464571B2 (en) * 1998-12-01 2002-10-15 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein
US6422927B1 (en) * 1998-12-30 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing
US6425809B1 (en) * 1999-02-15 2002-07-30 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP4122103B2 (ja) * 1999-02-17 2008-07-23 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置
US6231428B1 (en) 1999-03-03 2001-05-15 Mitsubishi Materials Corporation Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring
US6368189B1 (en) * 1999-03-03 2002-04-09 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure
EP1052062A1 (en) * 1999-05-03 2000-11-15 Applied Materials, Inc. Pré-conditioning fixed abrasive articles
JP3068086B1 (ja) * 1999-05-07 2000-07-24 株式会社東京精密 ウェ―ハ研磨装置
US6855043B1 (en) * 1999-07-09 2005-02-15 Applied Materials, Inc. Carrier head with a modified flexible membrane
JP3270428B2 (ja) * 1999-07-28 2002-04-02 東芝機械株式会社 電動式射出成形機の旋回装置
US6290584B1 (en) * 1999-08-13 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements
DE60024559T2 (de) * 1999-10-15 2006-08-24 Ebara Corp. Verfahren und Gerät zum Polieren eines Werkstückes
JP2001121411A (ja) 1999-10-29 2001-05-08 Applied Materials Inc ウェハー研磨装置
JP3753577B2 (ja) * 1999-11-16 2006-03-08 株式会社荏原製作所 基板保持装置及び該基板保持装置を備えたポリッシング装置
US6663466B2 (en) * 1999-11-17 2003-12-16 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate detector
US6991526B2 (en) * 2002-09-16 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Control of removal profile in electrochemically assisted CMP
US7374644B2 (en) * 2000-02-17 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6848970B2 (en) * 2002-09-16 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Process control in electrochemically assisted planarization
US7125477B2 (en) * 2000-02-17 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US20040182721A1 (en) * 2003-03-18 2004-09-23 Applied Materials, Inc. Process control in electro-chemical mechanical polishing
US7066800B2 (en) 2000-02-17 2006-06-27 Applied Materials Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6979248B2 (en) * 2002-05-07 2005-12-27 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6962524B2 (en) * 2000-02-17 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US20040020789A1 (en) * 2000-02-17 2004-02-05 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7303662B2 (en) * 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US20080156657A1 (en) * 2000-02-17 2008-07-03 Butterfield Paul D Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7029365B2 (en) * 2000-02-17 2006-04-18 Applied Materials Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US6991528B2 (en) * 2000-02-17 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7303462B2 (en) * 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Edge bead removal by an electro polishing process
US20050092621A1 (en) * 2000-02-17 2005-05-05 Yongqi Hu Composite pad assembly for electrochemical mechanical processing (ECMP)
US7059948B2 (en) * 2000-12-22 2006-06-13 Applied Materials Articles for polishing semiconductor substrates
US7678245B2 (en) * 2000-02-17 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical mechanical processing
US20030213703A1 (en) * 2002-05-16 2003-11-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate polishing
US7670468B2 (en) * 2000-02-17 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Contact assembly and method for electrochemical mechanical processing
JP2003524300A (ja) 2000-02-25 2003-08-12 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 透明部分のある研磨パッド
US6666756B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-23 Lam Research Corporation Wafer carrier head assembly
US6443810B1 (en) * 2000-04-11 2002-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polishing platen equipped with guard ring for chemical mechanical polishing
US6506105B1 (en) 2000-05-12 2003-01-14 Multi-Planar Technologies, Inc. System and method for pneumatic diaphragm CMP head having separate retaining ring and multi-region wafer pressure control
US6558232B1 (en) 2000-05-12 2003-05-06 Multi-Planar Technologies, Inc. System and method for CMP having multi-pressure zone loading for improved edge and annular zone material removal control
US6602114B1 (en) 2000-05-19 2003-08-05 Applied Materials Inc. Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
JP2001338901A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Hitachi Ltd 平坦化加工方法及び、装置並びに,半導体装置の製造方法
JP2004505435A (ja) * 2000-06-08 2004-02-19 スピードファム−アイピーイーシー コーポレイション オービタル研磨装置
EP1307320B1 (en) * 2000-07-31 2007-03-14 ASML US, Inc. Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates
US7029381B2 (en) * 2000-07-31 2006-04-18 Aviza Technology, Inc. Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates
US6488565B1 (en) 2000-08-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus for chemical mechanical planarization having nested load cups
US6527625B1 (en) 2000-08-31 2003-03-04 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a soft backed polishing head
TWI246448B (en) * 2000-08-31 2006-01-01 Multi Planar Technologies Inc Chemical mechanical polishing (CMP) head, apparatus, and method and planarized semiconductor wafer produced thereby
US6540590B1 (en) 2000-08-31 2003-04-01 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring
US7497767B2 (en) 2000-09-08 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Vibration damping during chemical mechanical polishing
US6676497B1 (en) 2000-09-08 2004-01-13 Applied Materials Inc. Vibration damping in a chemical mechanical polishing system
US7255637B2 (en) 2000-09-08 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Carrier head vibration damping
US6848980B2 (en) 2001-10-10 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Vibration damping in a carrier head
US6572446B1 (en) 2000-09-18 2003-06-03 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing pad conditioning element with discrete points and compliant membrane
KR100423909B1 (ko) * 2000-11-23 2004-03-24 삼성전자주식회사 화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 헤드 및 그것을이용한 폴리싱방법
US6896776B2 (en) * 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
US6776695B2 (en) * 2000-12-21 2004-08-17 Lam Research Corporation Platen design for improving edge performance in CMP applications
US6461879B1 (en) * 2001-01-09 2002-10-08 Advanced Micro Devices Inc. Method and apparatus for measuring effects of packaging stresses of common IC electrical performance parameters at wafer sort
US6716084B2 (en) * 2001-01-11 2004-04-06 Nutool, Inc. Carrier head for holding a wafer and allowing processing on a front face thereof to occur
US6613200B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Electro-chemical plating with reduced thickness and integration with chemical mechanical polisher into a single platform
JP3294600B1 (ja) * 2001-02-28 2002-06-24 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置
US6855037B2 (en) 2001-03-12 2005-02-15 Asm-Nutool, Inc. Method of sealing wafer backside for full-face electrochemical plating
US6939206B2 (en) * 2001-03-12 2005-09-06 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus of sealing wafer backside for full-face electrochemical plating
US6786809B1 (en) 2001-03-30 2004-09-07 Cypress Semiconductor Corp. Wafer carrier, wafer carrier components, and CMP system for polishing a semiconductor topography
US7137879B2 (en) * 2001-04-24 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7344432B2 (en) * 2001-04-24 2008-03-18 Applied Materials, Inc. Conductive pad with ion exchange membrane for electrochemical mechanical polishing
US6910949B1 (en) * 2001-04-25 2005-06-28 Lam Research Corporation Spherical cap-shaped polishing head in a chemical mechanical polishing apparatus for semiconductor wafers
DE60101458T2 (de) * 2001-05-25 2004-10-28 Infineon Technologies Ag Halbleitersubstrathalter mit bewegbarer Platte für das chemisch-mechanische Polierverfahren
US6558236B2 (en) * 2001-06-26 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for chemical mechanical polishing
US6761619B1 (en) * 2001-07-10 2004-07-13 Cypress Semiconductor Corp. Method and system for spatial uniform polishing
US6790768B2 (en) 2001-07-11 2004-09-14 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for polishing substrates comprising conductive and dielectric materials with reduced topographical defects
US6771482B2 (en) * 2001-07-30 2004-08-03 Unaxis Usa Inc. Perimeter seal for backside cooling of substrates
JP4025960B2 (ja) * 2001-08-08 2007-12-26 信越化学工業株式会社 角形ホトマスク基板の研磨方法、角形ホトマスク基板、ホトマスクブランクス及びホトマスク
US6712673B2 (en) * 2001-10-04 2004-03-30 Memc Electronic Materials, Inc. Polishing apparatus, polishing head and method
US20030072639A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Applied Materials, Inc. Substrate support
JP2003151933A (ja) * 2001-11-19 2003-05-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ研磨装置
US6656024B1 (en) * 2001-12-21 2003-12-02 Lam Research Corporation Method and apparatus for reducing compressed dry air usage during chemical mechanical planarization
US6835125B1 (en) 2001-12-27 2004-12-28 Applied Materials Inc. Retainer with a wear surface for chemical mechanical polishing
US6837983B2 (en) * 2002-01-22 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for electro chemical mechanical polishing and electropolishing processes
KR100416808B1 (ko) * 2002-02-04 2004-01-31 삼성전자주식회사 반도체소자 제조용 씨엠피장치의 연마헤드 및 이를 구비한씨엠피장치
US6739958B2 (en) 2002-03-19 2004-05-25 Applied Materials Inc. Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system
US20050194681A1 (en) * 2002-05-07 2005-09-08 Yongqi Hu Conductive pad with high abrasion
US6866571B1 (en) 2002-05-21 2005-03-15 Cypress Semiconductor Corp. Boltless carrier ring/carrier plate attachment assembly
US7316602B2 (en) * 2002-05-23 2008-01-08 Novellus Systems, Inc. Constant low force wafer carrier for electrochemical mechanical processing and chemical mechanical polishing
US6875076B2 (en) 2002-06-17 2005-04-05 Accretech Usa, Inc. Polishing machine and method
US20040072445A1 (en) * 2002-07-11 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Effective method to improve surface finish in electrochemically assisted CMP
US7112270B2 (en) * 2002-09-16 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Algorithm for real-time process control of electro-polishing
US20050061674A1 (en) * 2002-09-16 2005-03-24 Yan Wang Endpoint compensation in electroprocessing
US7507148B2 (en) * 2002-09-27 2009-03-24 Sumco Techxiv Corporation Polishing apparatus, polishing head and polishing method
DE10247179A1 (de) * 2002-10-02 2004-04-15 Ensinger Kunststofftechnologie Gbr Haltering zum Halten von Halbleiterwafern in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung
DE10247180A1 (de) 2002-10-02 2004-04-15 Ensinger Kunststofftechnologie Gbr Haltering zum Halten von Halbleiterwafern in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung
US20040261945A1 (en) * 2002-10-02 2004-12-30 Ensinger Kunststofftechnoligie Gbr Retaining ring for holding semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing apparatus
AU2003300375A1 (en) * 2002-10-11 2004-05-04 Semplastics, L.L.C. Retaining ring for use on a carrier of a polishing apparatus
TWI238754B (en) * 2002-11-07 2005-09-01 Ebara Tech Inc Vertically adjustable chemical mechanical polishing head having a pivot mechanism and method for use thereof
US6796887B2 (en) * 2002-11-13 2004-09-28 Speedfam-Ipec Corporation Wear ring assembly
TWM255104U (en) 2003-02-05 2005-01-11 Applied Materials Inc Retaining ring with flange for chemical mechanical polishing
DE10305711B4 (de) * 2003-02-12 2005-09-01 Infineon Technologies Ag Gimpelhalter und chemisch-mechanische Polieranlage mit einem solchen Gimpelhalter
US7842169B2 (en) * 2003-03-04 2010-11-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for local polishing control
DE10311830A1 (de) 2003-03-14 2004-09-23 Ensinger Kunststofftechnologie Gbr Abstandhalterprofil für Isolierglasscheiben
US20060180486A1 (en) * 2003-04-21 2006-08-17 Bennett David W Modular panel and storage system for flat items such as media discs and holders therefor
US6974371B2 (en) 2003-04-30 2005-12-13 Applied Materials, Inc. Two part retaining ring
JP4086722B2 (ja) * 2003-06-24 2008-05-14 株式会社荏原製作所 基板保持装置及び研磨装置
JP2005034959A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ebara Corp 研磨装置及びリテーナリング
US7722747B2 (en) * 2003-10-22 2010-05-25 Nexx Systems, Inc. Method and apparatus for fluid processing a workpiece
US7727366B2 (en) 2003-10-22 2010-06-01 Nexx Systems, Inc. Balancing pressure to improve a fluid seal
US20050121141A1 (en) * 2003-11-13 2005-06-09 Manens Antoine P. Real time process control for a polishing process
US7186164B2 (en) * 2003-12-03 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Processing pad assembly with zone control
JP3889744B2 (ja) * 2003-12-05 2007-03-07 株式会社東芝 研磨ヘッドおよび研磨装置
US20050178666A1 (en) * 2004-01-13 2005-08-18 Applied Materials, Inc. Methods for fabrication of a polishing article
US20060021974A1 (en) * 2004-01-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7390744B2 (en) * 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7648622B2 (en) * 2004-02-27 2010-01-19 Novellus Systems, Inc. System and method for electrochemical mechanical polishing
US7063604B2 (en) * 2004-03-05 2006-06-20 Strasbaugh Independent edge control for CMP carriers
US7033252B2 (en) * 2004-03-05 2006-04-25 Strasbaugh Wafer carrier with pressurized membrane and retaining ring actuator
EP1574517A1 (en) * 2004-03-09 2005-09-14 Innogenetics N.V. HCV E1 comprising specific disulfide bridges
US7086939B2 (en) * 2004-03-19 2006-08-08 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Chemical mechanical polishing retaining ring with integral polymer backing
US7485028B2 (en) 2004-03-19 2009-02-03 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Chemical mechanical polishing retaining ring, apparatuses and methods incorporating same
US20050249602A1 (en) * 2004-05-06 2005-11-10 Melvin Freling Integrated ceramic/metallic components and methods of making same
US20060030156A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Abrasive conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7084064B2 (en) * 2004-09-14 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing
WO2006039436A2 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Applied Materials, Inc. Pad design for electrochemical mechanical polishing
US7520968B2 (en) * 2004-10-05 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Conductive pad design modification for better wafer-pad contact
US7048621B2 (en) * 2004-10-27 2006-05-23 Applied Materials Inc. Retaining ring deflection control
JP4597634B2 (ja) * 2004-11-01 2010-12-15 株式会社荏原製作所 トップリング、基板の研磨装置及び研磨方法
KR101186239B1 (ko) 2004-11-01 2012-09-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
US20080318505A1 (en) * 2004-11-29 2008-12-25 Rajeev Bajaj Chemical mechanical planarization pad and method of use thereof
US7815778B2 (en) * 2005-11-23 2010-10-19 Semiquest Inc. Electro-chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
US20090061744A1 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 Rajeev Bajaj Polishing pad and method of use
US8075745B2 (en) * 2004-11-29 2011-12-13 Semiquest Inc. Electro-method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
US7846008B2 (en) * 2004-11-29 2010-12-07 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad
US20070224925A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Rajeev Bajaj Chemical Mechanical Polishing Pad
WO2006057720A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor
US7101272B2 (en) * 2005-01-15 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Carrier head for thermal drift compensation
US7655565B2 (en) * 2005-01-26 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Electroprocessing profile control
US20060196778A1 (en) * 2005-01-28 2006-09-07 Renhe Jia Tungsten electroprocessing
US20060169674A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Daxin Mao Method and composition for polishing a substrate
US7762871B2 (en) * 2005-03-07 2010-07-27 Rajeev Bajaj Pad conditioner design and method of use
US8398463B2 (en) * 2005-03-07 2013-03-19 Rajeev Bajaj Pad conditioner and method
US20060219663A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Applied Materials, Inc. Metal CMP process on one or more polishing stations using slurries with oxidizers
US7427340B2 (en) * 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
US20070026772A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Dolechek Kert L Apparatus for use in processing a semiconductor workpiece
US20080003931A1 (en) * 2005-11-22 2008-01-03 Manens Antoine P System and method for in-situ head rinse
US20070153453A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Fully conductive pad for electrochemical mechanical processing
US20100173567A1 (en) * 2006-02-06 2010-07-08 Chien-Min Sung Methods and Devices for Enhancing Chemical Mechanical Polishing Processes
US20070235344A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-11 Applied Materials, Inc. Process for high copper removal rate with good planarization and surface finish
US20070251832A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical mechanical polishing of cu with higher liner velocity for better surface finish and higher removal rate during clearance
CN101484277A (zh) * 2006-05-02 2009-07-15 Nxp股份有限公司 晶片去夹具
US7422982B2 (en) * 2006-07-07 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electroprocessing a substrate with edge profile control
US20080051017A1 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Essilor International (Compagnie Generale D'optique) Process for holding an optical lens on a holder of a lens machining equipment
JP2008091665A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Nec Electronics Corp Cmp装置
US7597608B2 (en) * 2006-10-30 2009-10-06 Applied Materials, Inc. Pad conditioning device with flexible media mount
KR100814157B1 (ko) 2007-02-14 2008-03-14 정영수 공압튜브식 연마장치
US7750657B2 (en) 2007-03-15 2010-07-06 Applied Materials Inc. Polishing head testing with movable pedestal
US8012000B2 (en) * 2007-04-02 2011-09-06 Applied Materials, Inc. Extended pad life for ECMP and barrier removal
US20080293343A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Yuchun Wang Pad with shallow cells for electrochemical mechanical processing
US20090036030A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Winbond Electronics Corp. Polishing head and chemical mechanical polishing process using the same
JP5230982B2 (ja) * 2007-09-10 2013-07-10 株式会社ディスコ 板状物加工用トレイおよび加工装置
US20090242125A1 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Applied Materials, Inc. Carrier Head Membrane
KR101004432B1 (ko) * 2008-06-10 2010-12-28 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치
US20090311945A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-17 Roland Strasser Planarization System
JP5075793B2 (ja) * 2008-11-06 2012-11-21 東京エレクトロン株式会社 可動ガス導入構造物及び基板処理装置
US10160093B2 (en) 2008-12-12 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Carrier head membrane roughness to control polishing rate
JP5384992B2 (ja) * 2009-04-20 2014-01-08 株式会社岡本工作機械製作所 研磨装置に用いる基板保持ヘッド
KR101160266B1 (ko) * 2009-10-07 2012-06-27 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 지지 부재, 그 제조방법 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 유닛
US8190285B2 (en) * 2010-05-17 2012-05-29 Applied Materials, Inc. Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing
US8740673B2 (en) * 2010-10-05 2014-06-03 Strasbaugh CMP retaining ring with soft retaining ring insert
CN102172887B (zh) * 2011-02-16 2013-01-30 清华大学 抛光头
JP5291746B2 (ja) * 2011-03-22 2013-09-18 株式会社荏原製作所 研磨装置
CN102717324B (zh) * 2012-05-29 2016-05-11 深圳莱宝高科技股份有限公司 基板处理装置
JP2014072510A (ja) * 2012-10-02 2014-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブル
US8998676B2 (en) * 2012-10-26 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Retaining ring with selected stiffness and thickness
US9039488B2 (en) * 2012-10-29 2015-05-26 Wayne O. Duescher Pin driven flexible chamber abrading workholder
US9199354B2 (en) 2012-10-29 2015-12-01 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder
US9604339B2 (en) 2012-10-29 2017-03-28 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder
US8998678B2 (en) * 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Spider arm driven flexible chamber abrading workholder
US9011207B2 (en) * 2012-10-29 2015-04-21 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder
US9233452B2 (en) 2012-10-29 2016-01-12 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder
US8998677B2 (en) * 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Bellows driven floatation-type abrading workholder
US8845394B2 (en) * 2012-10-29 2014-09-30 Wayne O. Duescher Bellows driven air floatation abrading workholder
KR102039771B1 (ko) * 2012-12-18 2019-11-01 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. 압판 평행관계가 제어되는 양면 연마기
US10226853B2 (en) 2013-01-18 2019-03-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for conditioning of chemical mechanical polishing pads
JP5538601B1 (ja) * 2013-08-22 2014-07-02 ミクロ技研株式会社 研磨ヘッド及び研磨処理装置
JP2015188955A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 株式会社荏原製作所 研磨装置
US10675483B2 (en) 2014-09-22 2020-06-09 Koninklijke Philips N.V. Radiation therapy planning optimization and visualization
US10029346B2 (en) 2015-10-16 2018-07-24 Applied Materials, Inc. External clamp ring for a chemical mechanical polishing carrier head
TWI730044B (zh) * 2016-03-15 2021-06-11 日商荏原製作所股份有限公司 基板研磨方法、頂環及基板研磨裝置
US10926378B2 (en) 2017-07-08 2021-02-23 Wayne O. Duescher Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet
US11890717B2 (en) 2018-12-26 2024-02-06 Applied Materials, Inc. Polishing system with platen for substrate edge control
WO2020176385A1 (en) * 2019-02-28 2020-09-03 Applied Materials, Inc. Retainer for chemical mechanical polishing carrier head
US11691241B1 (en) * 2019-08-05 2023-07-04 Keltech Engineering, Inc. Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier
US11325223B2 (en) 2019-08-23 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Carrier head with segmented substrate chuck
CN111168515B (zh) * 2020-01-09 2021-08-10 湖南科鑫泰电子有限公司 一种晶圆多工位边缘抛光设备
JP7436684B2 (ja) * 2020-06-26 2024-02-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 変形可能な基板チャック
CN112171504B (zh) * 2020-09-30 2021-08-10 车艾建 一种晶圆蚀刻背面研磨机
WO2022081398A1 (en) 2020-10-13 2022-04-21 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus with contact extension or adjustable stop
US11623321B2 (en) * 2020-10-14 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Polishing head retaining ring tilting moment control
US11919120B2 (en) 2021-02-25 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Polishing system with contactless platen edge control
KR102606293B1 (ko) * 2021-10-08 2023-11-27 성균관대학교산학협력단 물품 이송장치
CN114147624A (zh) * 2021-11-02 2022-03-08 北京子牛亦东科技有限公司 一种用于化学机械研磨设备的研磨头的挡圈

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3559346A (en) * 1969-02-04 1971-02-02 Bell Telephone Labor Inc Wafer polishing apparatus and method
US3731435A (en) * 1971-02-09 1973-05-08 Speedfam Corp Polishing machine load plate
US4141180A (en) * 1977-09-21 1979-02-27 Kayex Corporation Polishing apparatus
DE2809274A1 (de) * 1978-03-03 1979-09-13 Wacker Chemitronic Verfahren zur vergleichmaessigung des polierabtrages von scheiben beim polieren
US4519168A (en) * 1979-09-18 1985-05-28 Speedfam Corporation Liquid waxless fixturing of microsize wafers
US4256535A (en) * 1979-12-05 1981-03-17 Western Electric Company, Inc. Method of polishing a semiconductor wafer
US4373991A (en) * 1982-01-28 1983-02-15 Western Electric Company, Inc. Methods and apparatus for polishing a semiconductor wafer
US4435247A (en) * 1983-03-10 1984-03-06 International Business Machines Corporation Method for polishing titanium carbide
FR2558095B1 (fr) * 1984-03-14 1988-04-08 Ribard Pierre Perfectionnements apportes aux tetes de travail des machines de polissage et analogues
JPS6125768A (ja) * 1984-07-13 1986-02-04 Nec Corp 平面研摩装置の被加工物保持機構
DE3585200D1 (de) * 1984-10-15 1992-02-27 Nissei Ind Co Flachschleifmaschine.
US4600469A (en) * 1984-12-21 1986-07-15 Honeywell Inc. Method for polishing detector material
NL8503217A (nl) * 1985-11-22 1987-06-16 Hoogovens Groep Bv Preparaathouder.
US4918870A (en) * 1986-05-16 1990-04-24 Siltec Corporation Floating subcarriers for wafer polishing apparatus
JPH0767665B2 (ja) 1986-12-08 1995-07-26 スピ−ドフアム株式会社 平面研磨装置
JPS63300858A (ja) * 1987-05-29 1988-12-08 Hitachi Ltd 空気軸受式ワ−クホルダ
JPS6445566U (ko) 1987-09-17 1989-03-20
JPS63114870A (ja) * 1987-10-22 1988-05-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ウェハの真空吸着方法
JPH0696225B2 (ja) * 1987-10-23 1994-11-30 信越半導体株式会社 研磨方法
US4918869A (en) * 1987-10-28 1990-04-24 Fujikoshi Machinery Corporation Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor
JPH01216768A (ja) * 1988-02-25 1989-08-30 Showa Denko Kk 半導体基板の研磨方法及びその装置
US4944119A (en) * 1988-06-20 1990-07-31 Westech Systems, Inc. Apparatus for transporting wafer to and from polishing head
US5095661A (en) * 1988-06-20 1992-03-17 Westech Systems, Inc. Apparatus for transporting wafer to and from polishing head
JPH079896B2 (ja) * 1988-10-06 1995-02-01 信越半導体株式会社 研磨装置
JP2527232B2 (ja) * 1989-03-16 1996-08-21 株式会社日立製作所 研磨装置
US5255474A (en) * 1990-08-06 1993-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Polishing spindle
US5230184A (en) * 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
US5193316A (en) * 1991-10-29 1993-03-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium
US5205082A (en) * 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
EP0911115B1 (en) * 1992-09-24 2003-11-26 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP3370112B2 (ja) * 1992-10-12 2003-01-27 不二越機械工業株式会社 ウエハーの研磨装置
US5232875A (en) * 1992-10-15 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations
EP0599299B1 (en) * 1992-11-27 1998-02-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for polishing a workpiece
US5377451A (en) * 1993-02-23 1995-01-03 Memc Electronic Materials, Inc. Wafer polishing apparatus and method
US5635083A (en) * 1993-08-06 1997-06-03 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate
US5443416A (en) * 1993-09-09 1995-08-22 Cybeq Systems Incorporated Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus
US5584746A (en) * 1993-10-18 1996-12-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor
JP3311116B2 (ja) 1993-10-28 2002-08-05 株式会社東芝 半導体製造装置
JP2716653B2 (ja) 1993-11-01 1998-02-18 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置および研磨方法
US5643053A (en) * 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
US5624299A (en) * 1993-12-27 1997-04-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use
US5449316A (en) * 1994-01-05 1995-09-12 Strasbaugh; Alan Wafer carrier for film planarization
US5423716A (en) * 1994-01-05 1995-06-13 Strasbaugh; Alan Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied
JP3042293B2 (ja) * 1994-02-18 2000-05-15 信越半導体株式会社 ウエーハのポリッシング装置
JP3595011B2 (ja) 1994-03-02 2004-12-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 研磨制御を改善した化学的機械的研磨装置
JPH07241764A (ja) * 1994-03-04 1995-09-19 Fujitsu Ltd 研磨装置と研磨方法
US5423558A (en) * 1994-03-24 1995-06-13 Ipec/Westech Systems, Inc. Semiconductor wafer carrier and method
JPH0811055A (ja) 1994-06-28 1996-01-16 Sony Corp 研磨装置、研磨装置の被研磨材の保持方法、及び被研磨材の保持構造
US5651724A (en) 1994-09-08 1997-07-29 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing workpiece
JP3501430B2 (ja) * 1994-09-29 2004-03-02 株式会社リコー 可逆的熱発色性組成物及びそれを用いた記録媒体
JP3158934B2 (ja) 1995-02-28 2001-04-23 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
US5642474A (en) * 1995-03-06 1997-06-24 Hewlett-Packard Company Arbitrary masking technique for filling in shapes for display
US5908530A (en) 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US6024630A (en) * 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
US5569062A (en) * 1995-07-03 1996-10-29 Speedfam Corporation Polishing pad conditioning
US5643061A (en) * 1995-07-20 1997-07-01 Integrated Process Equipment Corporation Pneumatic polishing head for CMP apparatus
US5695392A (en) 1995-08-09 1997-12-09 Speedfam Corporation Polishing device with improved handling of fluid polishing media
JP3129172B2 (ja) 1995-11-14 2001-01-29 日本電気株式会社 研磨装置及び研磨方法
JP3072962B2 (ja) 1995-11-30 2000-08-07 ロデール・ニッタ株式会社 研磨のための被加工物の保持具及びその製法
KR100485002B1 (ko) 1996-02-16 2005-08-29 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 작업물폴리싱장치및방법
US6251215B1 (en) 1998-06-03 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100435302B1 (ko) * 1995-10-09 2004-10-22 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 작업물폴리싱장치및방법
KR100485002B1 (ko) * 1996-02-16 2005-08-29 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 작업물폴리싱장치및방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20020173255A1 (en) 2002-11-21
EP0747167A2 (en) 1996-12-11
US6443824B2 (en) 2002-09-03
US20020182995A1 (en) 2002-12-05
JP2006049924A (ja) 2006-02-16
JPH0919863A (ja) 1997-01-21
US6024630A (en) 2000-02-15
JP4238244B2 (ja) 2009-03-18
US20010041522A1 (en) 2001-11-15
US20040087254A1 (en) 2004-05-06
USRE44491E1 (en) 2013-09-10
US6716094B2 (en) 2004-04-06
EP0747167A3 (en) 1997-01-29
US6290577B1 (en) 2001-09-18
US6652368B2 (en) 2003-11-25
US7101261B2 (en) 2006-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970003724A (ko) 유체압 조절된 웨이퍼 연마 헤드
US5803799A (en) Wafer polishing head
JP4408566B2 (ja) 基板保持器
US5643061A (en) Pneumatic polishing head for CMP apparatus
US5885135A (en) CMP wafer carrier for preferential polishing of a wafer
US6666756B1 (en) Wafer carrier head assembly
KR101183783B1 (ko) 연마 장치
KR20020018641A (ko) 가변 연마력 웨이퍼 캐리어 헤드를 구비하는 반도체웨이퍼 연마 장치
ATE249909T1 (de) Trägervorrichtung für eine chemisch-mechanische poliervorrichtung, mit einem halterring und einer trägerplatte mit mehrzonaler drucksteuervorrichtung
KR20010033796A (ko) 화학-기계적 연마 장치용 착탈식 보유 링을 갖춘 캐리어헤드
US6872130B1 (en) Carrier head with non-contact retainer
US6755726B2 (en) Polishing head with a floating knife-edge
US7063604B2 (en) Independent edge control for CMP carriers
TW201524679A (zh) 基板保持裝置、研磨裝置、研磨方法、及扣環
US11759911B2 (en) Carrier head with segmented substrate chuck
JP2009224702A (ja) ウェーハ研磨装置及び該研磨装置を用いたウェーハ研磨方法
US6729946B2 (en) Polishing apparatus
JP3641464B2 (ja) 半導体基板ホルダおよびこれを備えた半導体基板の研磨装置
KR20000048476A (ko) 화학 기계적 연마를 위한 제어가능한 압력 및 부하 영역을갖는 캐리어 헤드
JP2003025219A (ja) 片面研磨機用キャリヤ
JPH06254786A (ja) 真空吸着装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid