JPH11198027A - 密封された流体チャンバを有する研磨パッド支持体及び研磨方法 - Google Patents

密封された流体チャンバを有する研磨パッド支持体及び研磨方法

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JPH11198027A
JPH11198027A JP31473098A JP31473098A JPH11198027A JP H11198027 A JPH11198027 A JP H11198027A JP 31473098 A JP31473098 A JP 31473098A JP 31473098 A JP31473098 A JP 31473098A JP H11198027 A JPH11198027 A JP H11198027A
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pressure
polishing pad
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fluid
cavity
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Shou-Sung Chang
シュー−サング・チャング
Shu-Hsin Kao
シュ−シン・カオ
David E Weldon
デイビッド・イー・ウェルドン
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    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
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    • B24GRINDING; POLISHING
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    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/12Lapping plates for working plane surfaces
    • B24B37/16Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従って半導体ウエハ表面からの材料の除去
を均一にし、ウエハ表面を一様に研磨する方法及びシス
テムを提供する。 【解決手段】 研磨機は、研磨されるパッドに当接し
て研磨パッドを支持する流体を含む密封キャビティを用
いる。1つの実施例では、キャビティの境界は、支持構
造体、研磨材料の一部、並びに支持構造体と研磨材料と
の間にある封止材とを備える。研磨材料は、支持構造体
及び封止材に対して移動する。種々の封止材形状によ
り、キャビティ内の流体を保持することができる。1つ
の封止材は、ばね、磁石或いは空気圧の力により、研磨
材料に当接して押圧されるO−リングを備える。キャビ
ティの外側からの、或いはキャビティ内の注入口からの
ガス流は、キャビティ内に、O−リングに隣接するガス
ポケットを形成し、O−リングを通り流体が漏出するの
を防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨システムに関連
し、詳細には研磨パッドを支持するために流体を用いる
化学機械研磨システム及び方法に関連する。
【0002】
【従来の技術】半導体処理においては、化学機械研磨
(CMP)によりウエハの表面から最も高い突出部を除
去し、その表面を研磨する。CMP操作は未処理のウエ
ハ及び部分的に処理されたウエハ上で実行される。典型
的な未処理のウエハは、概ね円形のウエハに形成される
結晶性シリコン或いは別の半導体材料である。典型的な
未処理のウエハ或いは部分的に処理されたウエハは、研
磨を行うまでの段階において、ウエハの表面上に約1μ
mの高さの局部的な位相幾何学的構造を生成する1つ或
いはそれ以上のパターン化された層上にガラス、二酸化
シリコン或いは窒化シリコンのような誘電体材料の最上
層を有する。理想的にウエハの表面が平坦になるよう
に、すなわちそのウエハ上に形成されるダイの領域に渡
って平坦にされるように、研磨することにより局部的な
構造を平滑化する。現在研磨では、約10mm×10m
mのサイズのダイの領域に渡って約0.3μmの公差ま
でウエハを局部的に平坦化するということが求められ
る。
【0003】従来のベルト研磨機は、ベルト搬送式研磨
パッド、ウエハを保持するウエハキャリアヘッド並びに
ウエハ下でベルトの一部を支持する支持アセンブリを含
む。CMPの場合、研磨パッドはスラリーを噴霧され、
プーリがベルトを駆動する。キャリアヘッドはウエハを
研磨パッドと接触させ、研磨パッドがウエハの表面に当
接して摺動するようにする。スラリーの化学的作用並び
に研磨パッド及びスラリーに含まれる粒子のウエハの表
面に対する機械的作用により、ウエハの表面から材料が
除去される。米国特許第5,593,344号及び第
5,558,568号は、ベルトを支持するために静水
圧式流体ベアリングを用いるCMPシステムを記載す
る。そのような静水圧式流体ベアリングは、ベルトを支
持する薄膜を形成する流体フローが通過する流体注入口
及び排出口、並びに研磨パッドを有する。
【0004】半導体処理において必要とされる公差にま
で表面を研磨するために、CMPシステムは、全体に渡
って一様な圧力を有するウエハに研磨パッドを適用す
る。静水圧式流体ベアリングについてはある難題が生じ
ているが、それはそのようなベアリングの流体の支持圧
が、注入口付近で高くなり、排出口付近で低くなるとい
う傾向によるものである。従って、そのような流体ベア
リングでは、ベルト及び研磨パッドを支持する際に一様
でない圧力が加えられることが多く、その非一様性の圧
力が研磨中材料の除去を不均一にしてしまう。一様な研
磨を実現する方法及び構造が求められる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って半導体ウエハ表
面からの材料の除去を均一にし、ウエハ表面を一様に研
磨する方法及びシステムを提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明においては、研磨
機は可撓性の研磨材料を支持するために調整圧力を有す
る密封された流体チャンバを備える。その流体チャンバ
は静的な状態、或いは概ね静的な状態にあり、流体フロ
ーがなく一定の圧力に保たれている。従って、流体注入
口及び排出口の周囲の領域で圧力が高くなる、或いは低
くなるということは避けられる。しかしながら、チャン
バの圧力場は、所望により時間的に或いは空間的に変化
させることができる。時間的に変化させる場合、制御回
路が圧力調整器を操作し、キャビティ内の圧力を変化さ
せる。圧力の時間的な変化により、研磨材料内に振動が
誘発され、研磨性能を改善することができる。空間的に
変化させる場合、流体注入口及び排出口が、高い圧力或
いは低い圧力が望まれる場所に応じて分布される。各流
体注入口/排出口は、注入口/排出口のごく近くの支持
流体圧が注入口/排出口に対する圧力に依存するよう
に、独立の圧力調整器並びにまた流体供給源に接続され
ることができる。バッフル或いは障壁が注入口/排出口
の間に配置され、差圧を増加することができる。
【0007】本発明の1つの実施例では、チャンバ内の
流体は研磨パッドを搬送する移動式ベルトに直接接触
し、キャビティ内の固定部分間の封止材並びにベルト
が、キャビティからの漏れを防ぐか或いは減少させる。
1つのタイプの封止材は、ばね、磁石或いは空気圧の力
によりベルトに対して押圧されるO−リングを有する。
キャビティの外部或いはキャビティ内部の注入口からの
ガス流は、キャビティ内に、O−リングに隣接するガス
ポケットを形成し、流体がO−リングに達し、そこから
漏出することを防ぐ。別の封止材は、空気ベアリング或
いはガスベアリングにより形成される。キャビティ内の
流体圧は時間的に変化し、研磨材料内に振動を誘発し、
研磨性能を高めることができるか、或いは空間的に変化
させることにより圧力プロファイルを変更することがで
きる。本発明の1つの実施例は、キャビティに対する1
つ或いはそれ以上の流体注入口/排出口、1つ或いはそ
れ以上の圧力調整器並びにキャビティ内の圧力を制御す
るために圧力調整器を操作するコントローラを有する。
【0008】本発明の別の態様に従って、研磨機内にお
いて研磨材料を支持するための支持構造体は、その支持
構造体の方向を制御するアクチュエータ上に取り付けら
れる。研磨中、研磨されるウエハのような物体は、研磨
材料に生じる傾きと同じ傾きに傾くことができる。研磨
作用の不均一性を減少させるために、支持構造体は向き
を変え、研磨材料の傾きと一致するようにする。センサ
及び制御システムが研磨材料の方向をモニタし、アクチ
ュエータの向きを変え、それに応じて支持構造体を配置
する。本発明のこの態様では、研磨材料を支持するため
に密封された流体ポケットを用いるか、或いは研磨材料
を支持するために静水圧式ベアリングのような他のデバ
イスを有する支持体が用いられる。1つの特定の実施例
においては、空気静力学式ベアリングが流体ポケットを
密封し、制御システムがアクチュエータを操作すること
により、空気静力学式ベアリングが適切に機能するよう
に支持構造体を方向づける。この実施例では、センサと
して、空気静力学式ベアリングからの漏れにより生じる
密封された流体ポケット内の局部的な圧力降下を検出す
る圧力センサを備えることができる。また支持構造体と
研磨材料との間の距離を測定する距離センサを用いるこ
ともできる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の1つの実施例に従って、
調整圧力を有する流体チャンバが研磨機内の可撓性研磨
材料を支持する。流体チャンバの圧力場は時間的に或い
は空間的に一定である、すなわち変化しない。図1は本
発明に従った研磨機を示し、その中でキャリアヘッド1
10は可撓性研磨材料130に当接する位置にウエハ1
20を保持する。「Wafer Carrier He
ad with Inflatable Bladde
r and Attack Angle Contro
l for Polishing」というタイトルの同
時出願の米国特許出願は、適当なキャリアヘッドを記載
しており、参照によりその全体を本出願の一部としてい
る。可撓性研磨材料130は、例えば、厚さ約0.01
3〜0.152cm(0.005〜0.060inc
h)のステンレス鋼からなるエンドレスベルトを含み、
IC1000、SubaIV、IC1400或いは他の
同等な研磨材料からなる研磨パッドが取着されている。
IC1000、SubaIV並びにIC1400は、R
odel社から購入することができる。ベルトの幅はウ
エハ120の大きさに依存する。概ね静的な状態にある
流体は、固定構造体142、封止材144並びに可撓性
研磨材料130の一部134により境界を画定されるキ
ャビティ140に含まれる。流体の圧力(典型的には0
〜60psiの範囲にある)は、ウエハ120の真下に
あり、かつ接触する可撓性研磨材料130の一部を支持
する。部分134はウエハ120の真下にある領域より
大きい。キャビティ140内の流体は水のような液体で
あることが好ましく、注入口/排出口146を介してキ
ャビティ140内に導入される。注入口/排出口146
は圧力調整器150を介して圧力供給源170に接続さ
れる。
【0010】調節器150に接続されるコントローラ1
60は、キャビティ140に対する所定の圧力を選択す
る。圧力供給源170の動作は選択可能であり、キャビ
ティ140内の流体圧が注入口/排出口圧力より小さい
か或いは大きいかにより、流体源、或いは流体シンクの
何れかとして動作する。本発明の1つの態様に基づい
て、コンピュータコントローラ160は調整器150に
対する制御信号を調整し、注入口/排出口146に対す
る圧力及びチャンバ140内の圧力を時間的に変化させ
る。キャビティ140内の圧力を調整することにより、
可撓性研磨材料130を振動させることができる。例え
ば、1kHz〜10kHzの周波数に圧力を調整するこ
とにより、研磨材料に同様の周波数の信号を誘発する。
また超音波周波数振動を用いることもできる。そのよう
な振動は、そのシステムの固有周波数或いは共振周波数
が避けられるのであれば、研磨性能を改善するものと考
えられる。
【0011】図2は空間的に調整された圧力を有する流
体を含むキャビティ240を用いる研磨システムの一部
を示す。以下異なる図面であっても類似の或いは同じ要
素には同じ番号を付す。キャビティ240は、独立の圧
力供給源270及び272に接続される複数の流体注入
口/排出口246及び248を備える。コントローラ1
60は個別の圧力調整器250及び252を用いてお
り、注入口/排出口270及び272における圧力を制
御する。図2に示されるように2つの注入口/排出口の
みを用いる場合、一般的に注入口/排出口270の1つ
は流体注入口として機能し、他の注入口/排出口は流体
排出口として機能する。3つ以上の注入口/排出口を含
む実施例の場合、注入口/排出口間の流体フローはさら
に変化させることができるが、注入口付近の圧力が排出
口付近の圧力より高くなる傾向がある。バッフル244
或いは障壁が、注入口/排出口246と注入口/排出口
248との間に用いられ、流体フローを制限し、流体内
の差圧を増加することができる。コントローラ160は
注入口/排出口244と248との間の差圧を一定に保
つか、或いは時間的な圧力の不均一性を生成するために
差圧を変化させることができる。
【0012】入力圧の空間的な圧力変動により、密封さ
れたキャビティの支持圧力場の変動に対処することがで
きる。例えば、もし流体がキャビティ240から漏れた
場合、注入口246及び248に対する圧力は調整さ
れ、漏れにより生じた支持差圧を補償することができ
る。さらに、流体圧の空間的不均一性は、流体により支
持されないことに起因する影響を補償することができ
る。例えば、もしウエハが研磨中に回転するなら、パッ
ドに対するウエハの部分的な速度は半径と共に変化す
る。空間的不均一な圧力プロファイルを有する流体ポケ
ットは、ベルトに対するウエハの速度の違いにより生じ
る除去速度の差を補償することができる。また圧力プロ
ファイルを変更することにより、スラリーを有するベル
トを調整する際の不均一性を補償することもできる。特
に、そうしなければ研磨速度が低下してしまう場所に、
より高い圧力を加えることができる。さらに、研磨作用
はトラフの形状にパッドをすり減らし、パッドの中央領
域上のウエハの部分からの材料の除去を遅くする傾向が
ある。さらにパッドはベルト上のいずれかの部分に低い
スポットを有する場合がある。圧力の空間的並びに/ま
た時間的な不均一性を用いて、その低い部分のベルト上
をより強く押圧することができ、除去速度はより一様に
なり、研磨性能は改善される。そのような圧力の不均一
性は、ベルトの特性を測定するセンサを含むフィードバ
ックループに接続される。「In−SituMonit
oring of Polishing Pad We
ar」というタイトルの同時出願の米国特許出願は、研
磨パッドを測定するためのセンサと(ベルト支持体の圧
力プロファイルのような)研磨機の動作パラメータを変
更するための制御システムとを有する研磨機を記載して
おり、参照してその全体を本出願の一部としている。
【0013】研磨中に、研磨材料130は、固定構造体
142及び封止材144に対して移動する。封止材14
4は、固定構造体142と可撓性研磨材料130との境
界にあり、チャンバ140からの流体の漏れを防ぐか、
或いは減少させる。図3は、キャビティ140を密封す
るにの適当である封止材300の実施例を示す。封止材
300は、ばねを含む機構により、研磨材料130の下
側に当接し押圧されるO−リング320を備える。種々
の別の構造体をO−リング320の代わりに用いること
ができる。例えば、面密封用リップを研磨材料130に
適用することができる。摩耗或いは擦り切れを減少させ
るために、O−リング320は、研磨材料130と固定
構造体142との間の隙間に磁気的に閉じ込められる磁
気流体により置き換えることができる。
【0014】O−リング320を研磨材料130に適用
するために別の機構では、加圧或いは液圧シリンダ、も
しくは磁石を含む。O−リング320とはベルトの反対
側にある構造体310内の磁石は、O−リング320下
の鉄或いは磁性材料に引き付けられ、O−リング320
を研磨材料130に対して押圧する。別法では、O−リ
ング320下にある磁石は、鉄か、或いは構造体310
内の、もしくは研磨材料130内の任意の磁性材料のい
ずれかに引き付けられることができる。例えば、ベルト
研磨機内のベルトが鉄(例えばステンレス鋼ベルト)或
いは任意の磁性材料を含み、O−リング320下の磁石
とベルトとの相互引力により、O−リング320を研磨
材料130に押し込むことができるようにする。ベルト
に対して磁気的な引力が用いられるとき、O−リング3
20と反対側の研磨材料側にある構造体310は不要で
ある。そうしないと、構造体310は、研磨材料130
がO−リング320から離れていくのを防ぐために逆向
きの力を加えてしまう。構造体310は、例えば、キャ
リアヘッド110の一部であるか、或いはキャビティに
対する固定位置を有する独立の構造体であることができ
る。
【0015】O−リング320により設けられた封止材
を改善するために、空気(或いは他のガス)流340
が、外側のキャビティ140からO−リング320に配
向される。空気流は流体140の圧力より大きい圧力で
あり、O−リング320を通りキャビティ140内に入
る漏れを防ぎ、O−リング320に隣接してガスポケッ
ト350を形成するようにする。ガスポケット350
は、流体がキャビティ140から漏出するのを防ぐ。図
4は封止材400を示しており、封止材400は図3の
封止材300と同じ要素の多くを備えている。封止材4
00は、キャビティ140内部に、かつO−リング32
0に隣接してガス注入口440を備える点で封止材30
0とは異なる。注入口440を通ってくる空気流は、キ
ャビティ140内に、かつ封止材320から離して流体
を保持するガスポケット450を形成する。従って、O
−リング320を通る漏れは、概ね封止材320からの
ガスであり、ウエハ120下で研磨材料130を支持す
る流体は、キャビティ140内に保持される。所望な
ら、ガスポケット350或いは450からのガス排出口
がキャビティ140内に設けられ、ガスポケット内の圧
力調整を改善することができる。
【0016】図5は封止材500を示しており、封止材
500は、キャビティ140からの漏れを防ぐために空
気静力学的ベアリングを用いる。空気静力学的ベアリン
グは、研磨との境界をなす粒子を生成しない概ね摩擦の
ない接触を実現するという利点がある。空気静力学的ベ
アリングは、ガス注入口540及び544、並びにウエ
ハ120の真下にある研磨材料を支持する流体の最も近
くにある注入口540を備えるキャビティの外辺部周囲
に配列されるガス排出口542を有する。注入口540
及び544からのガスは、固定構造体530と研磨材料
130との間で緩衝部を形成する排出口542を通り流
れ出る。流体注入口540に対するガス圧は、キャビテ
ィ140内の流体圧より高くなり、ガスポケット550
が形をなし、キャビティ140からの流体の漏れを防ぐ
か、或いは減少させるようにする。例示的な実施例で
は、注入口540及び544の圧力は、約5〜100p
siであり、排出口542の圧力は約0〜10psiで
あり、表面530と研磨材料130との間の隙間は、約
5〜20μmである。
【0017】図6は、流体ポケット140を密封するた
めの空気静力学的ベアリングを備える支持構造体650
を有する研磨機600を示す。空気静力学的ベアリング
は、オリフィスサイズ、ガスフロー速度、ガスパッドサ
イズ、並びにランディング部サイズのような、研磨機6
00の要件に従って選択されるいくつかのパラメータを
有する。特に、研磨されるウエハのサイズは、流体ポケ
ット140の必要な直径と、流体ポケット140を包囲
する空気静力学的ベアリングの直径とを決定する。空気
静力学的ベアリングは、ウエハ120を保持するキャリ
アヘッド110の直径に概ね一致するべきである。また
空気静力学的ベアリングは、研磨中に加えられる圧力に
応じて選択される剛性及び負荷容量を必要となる。
【0018】構造体650とベルト130との間を流れ
るガス薄膜の厚さは、空気静力学的ベアリング/封止材
が動作する上で重要である。薄膜厚δ1及びδ2は、空
気静力学的ベアリングの反対側にある隙間のためのもの
であり、理想的には等しくなるべきである。研磨中に、
ベルト130の動きにより、ウエハ120上に摩擦及び
せん断力が生じ、ウエハ120は傾くようになる。これ
によりベルト130に傾きが生じ、薄膜厚δ1及びδ2
が変化する。最悪時には、空気静力学的ベアリングが機
能しなくなり、移動式ベルト130が支持構造体650
と接触するようになる。本発明の1つの態様に従って、
支持構造体650は、構造体650の傾きがベルトの角
度と一致するようにするマウンティング部と、支持構造
体650の相対的な動きをモニタする制御システムとを
有し、空気静力学的ベアリングのための一様な隙間を保
持するために必要に応じて支持構造体650の方向を調
整する。そのような制御システムは、専用のハードウエ
ア、並びにまた適当なソフトウエアを実行する汎用コン
ピュータを用いて実装される。
【0019】図6では、支持構造体650は独立した圧
力源630及び635にそれぞれ接続される空気ばね6
20及び625上に取付けされる。圧力センサ610及
び615は、流体ポケット140内の局部的な圧力を測
定するものであり、空気静力学的ベアリングから等距離
にあり、しかも関連する空気ばね620及び625それ
ぞれの近くに位置する。研磨中に、ベルト130が傾
き、隙間δ1及びδ2が変化するなら、ポケット140
からの流体の漏れは、より幅広い隙間δ1及びδ2にお
いて増大し、幅広の隙間付近で圧力が降下するようにな
る。制御ユニット610は、圧力センサ610及び61
5、並びに空気ばね620及び625のための圧力源6
30及び635に接続されており、センサ620及び6
25により測定された圧力差を検出し、幅広の隙間付近
の空気ばね625或いは620に対する圧力を上昇させ
る、並びにまた狭い隙間付近の空気ばね620或いは6
25に対する圧力を減少させることにより対応する。空
気ばね620及び625に対する圧力の変化により、支
持構造体650は、センサ610及び615が同じ圧力
を測定し、隙間δ1及びδ2が同じ値を示すまで傾くよ
うになる。
【0020】空気静力学的ベアリングのための空気の隙
間及び方向をより全般的に制御するためには、3つない
しはそれ以上のアクチュエータが必要になる。図7は、
6つの空気ベアリング720を用いる支持体の拡大斜視
図を示す。空気ベアリング720上に取り付けられるの
は、流体ポケットのためのキャビティ745を含むプレ
ート740及び750である。キャビティ745には、
8つの圧力センサ710がある。制御回路は圧力センサ
710からの測定値を用いて、キャビティ内の圧力分布
を判定し、その判定された圧力分布から、プレート74
0と支持される研磨材料との間に形成される空気静力学
的ベアリングを適切に動作させるために必要に応じて空
気ばね720を押圧する。
【0021】図6及び図7の実施例は、本発明と一致し
て、種々の方法において変更されることができる。例え
ば、圧電変換器、液圧シリンダ或いはソレノイドのよう
な任意のアクチュエータを空気ばねの代わりに用いて支
持構造体の方向を制御することができる。さらに、距離
センサは、支持構造体とその上側のベルトとの間の隙間
を直接測定するのもであり、キャビティ内の圧力センサ
の代わりに、或いはそれと組み合わせて用いることがで
きる。制御システムは、多数の距離測定値を用いて、支
持構造体を配置する。さらに、調整用マウンティング部
及びフィードバック制御システムが、周囲を包囲する空
気静力学的ベアリングを有する密封された流体ポケット
を含む支持体と共に用いるために記載されているが、本
発明の他の実施例では、調整自在な方向及び研磨材料の
方向と一致させるために制御システムを有し、密封され
た流体ポケット或いは空気静力学的ベアリングを用いな
い支持体を含むことができる。例えば、そのような実施
例では静水圧式ベアリングを用いて、包囲する空気静力
学的封止材を用いても用いなくても研磨材料を支持する
ことができる。「Polishing System
Includinga Hydrostatic Fl
uid Bearing Support」というタイ
トルの米国特許出願は、調整自在な方向を有する支持体
において用いるために適当な静水圧式ベアリングを記載
しており、ここで参照してその全体を本出願の一部とし
ている。そのような実施例では、支持体は方向を調整
し、研磨される物体の傾きを調節する。従って、支持体
はより均一な研磨圧力を実現する。
【0022】本発明は特定の実施例を参照して記載され
ているが、その記載は本発明を例示をしているにすぎ
ず、制限するものと見なされるべきではない。種々の適
用例及び開示された実施例の特徴の組み合わせは、請求
の範囲のおいて確定される本発明の範囲内に入る。
【0023】
【発明の効果】上記のように密封された流体チャンバに
より研磨パッドを支持することにより、半導体ウエハ表
面からの材料の除去を均一にし、ウエハ表面を一様に研
磨する方法及びシステムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に従って、研磨パッドを支持す
る密封された流体チャンバを含む研磨機の一部を示す。
【図2】本発明の実施例に従って、空間的調整圧を有す
る密封された流体チャンバを含む研磨機の一部を示す。
【図3】図1及び図2の流体チャンバに用いるために適
切な封止材の実施例を示す。
【図4】図1及び図2の流体チャンバに用いるために適
切な封止材の実施例を示す。
【図5】図1及び図2の流体チャンバに用いるために適
切な封止材の実施例を示す。
【図6】研磨材料の方向を調節することにより、方向を
調整する支持構造体の実施例を示す。
【図7】研磨材料の方向を調節することにより、方向を
調整する支持構造体の実施例を示す。
【符号の説明】
110 キャリアヘッド 120 ウエハ 130 可撓性研磨材料 134 可撓性研磨材料の一部 140 キャビティ 142 固定構造体 144 封止材 146 注入口/排出口 150 調整器 160 コントローラ 170 圧力供給源 240 キャビティ 242 固定構造体 244 バッフル 246、248 注入口/排出口 250、252 圧力調整器 270、272 注入口/排出口 300 封止材 310 構造体 320 O−リング 340 空気流 350 ガスポケット 400 封止材 440 注入口 450 ガスポケット 500 封止材 530 固定構造体 540 注入口 542 排出口 544 注入口 550 ガスポケット 600 研磨機 610、615 圧力センサ 620、625 空気ばね 630、635 圧力源 640 制御ユニット 650 支持構造体 710 圧力センサ 720 空気ベアリング 740、750 プレート 745 キャビティ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シュ−シン・カオ アメリカ合衆国カリフォルニア州94065・ レッドウッドシティー・バウスプリット 344 (72)発明者 デイビッド・イー・ウェルドン アメリカ合衆国カリフォルニア州95051・ サンタクララ・ハドソンドライブ 604

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨機のための支持体であって、 可撓性研磨パッドと、 前記可撓性研磨パッドに隣接して配置される凹部を備え
    る支持構造体と、 前記凹部を包囲し、前記支持体から前記可撓性研磨パッ
    ドまで延在する封止材と、 前記凹部、前記封止材、並びに前記可撓性材料の一部に
    より境界を画定されるキャビティ内に封入される流体と
    を有し、 前記流体の圧力により前記研磨パッドが支持されること
    を特徴とする支持体。
  2. 【請求項2】 前記流体が概ね静的状態にあることを
    特徴とする請求項1に記載の支持体。
  3. 【請求項3】 前記封止材が前記キャビティを包囲す
    るO−リングからなることを特徴とする請求項1に記載
    の支持体。
  4. 【請求項4】 前記封止材がさらに前記キャビティの
    内部にあり、かつ前記O−リングに隣接するガスポケッ
    トを有し、前記ガスポケットにより、前記流体がO−リ
    ングからの漏れを防ぐことを特徴とする請求項3に記載
    の支持体。
  5. 【請求項5】 前記キャビティ内部にあり、かつ前記
    O−リングに隣接するガス注入口をさらに有し、前記ガ
    スポケット内のガスが、前記ガス注入口を介して導入さ
    れることを特徴とする請求項4に記載の支持体。
  6. 【請求項6】 前記キャビティの外側から前記O−リ
    ングに向かうガス流のガス源をさらに有し、前記ガスポ
    ケット内のガスが、前記O−リングから漏出される前記
    ガス流から導入されることを特徴とする請求項4に記載
    の支持体。
  7. 【請求項7】 前記可撓性研磨パッドに当接して前記
    O−リングを押圧するばね機構をさらに有することを特
    徴とする請求項1に記載の支持体。
  8. 【請求項8】 磁力により前記可撓性研磨パッドに当
    接して前記O−リングを押圧する磁石をさらに有するこ
    とを特徴とする請求項1に記載の支持体。
  9. 【請求項9】 前記可撓性研磨パッドが、前記磁石と
    前記可撓性研磨パッドとの間に働く引力により生じる磁
    力により、前記可撓性研磨パッドに当接して前記O−リ
    ングを押圧する鉄或いは前記磁石を含むことを特徴とす
    る請求項8に記載の支持体。
  10. 【請求項10】 流体供給源と、 前記キャビティに対する流体注入口/排出口と、 前記流体源及び前記注入口/排出口に結合される圧力調
    整器と、 前記圧力調整器に結合されるコントローラとをさらに有
    し、 前記コントローラが前記圧力調整器を操作して、前記キ
    ャビティ内の流体圧力を変化させることを特徴とする請
    求項1に記載の支持体。
  11. 【請求項11】 前記キャビティに対する複数の流体
    注入口/排出口と、 複数の圧力調整器とをさらに有し、 各圧力調整器が関連する注入口/排出口に結合されるこ
    とを特徴とする請求項10に記載の支持体。
  12. 【請求項12】 前記封止材が空気静力学式ベアリン
    グからなることを特徴とする請求項1に記載の支持体。
  13. 【請求項13】 前記支持構造体の傾きを、前記研磨
    パッドの方向と一致させるようにする調整自在マウンテ
    ィング部をさらに有することを特徴とする請求項12に
    記載の支持体。
  14. 【請求項14】 前記研磨パッドと前記支持構造体と
    の相対的な方向を測定するセンサと、 前記支持構造体の前記方向を調整することができるアク
    チュエータと、 前記センサ及び前記アクチュエータに接続される制御シ
    ステムとをさらに有することを特徴とする請求項13に
    記載の支持体。
  15. 【請求項15】 研磨機内で研磨パッドを支持するた
    めの支持体であって、 支持構造体と、 前記研磨パッドと前記支持構造体との相対的な方向を測
    定するセンサと、 前記支持構造体の前記方向を調整することができるアク
    チュエータと、 前記センサ及び前記アクチュエータに接続される制御シ
    ステムとを有し、 前記制御システムが前記アクチュエータを操作すること
    により、前記支持構造体を研磨を行うために方向に保持
    することを特徴とする支持体。
  16. 【請求項16】 前記支持構造体が、 前記研磨パッドを支持する密封された流体ポケットを有
    するためのキャビティと、 前記キャビティを包囲し、かつ前記研磨パッドに隣接し
    て配置される空気静力学式ベアリングとを有することを
    特徴とする請求項15に支持構造体。
  17. 【請求項17】 前記センサが前記キャビティ内に配
    置される圧力センサからなり、前記流体ポケット内の局
    部的な圧力を測定することを特徴とする請求項16に記
    載の支持構造体。
  18. 【請求項18】 前記センサが、前記支持構造体と前
    記研磨パッドとの間の隙間の距離を測定するために配置
    される距離センサからなることを特徴とする請求項16
    に記載の支持構造体。
  19. 【請求項19】 前記支持構造体が前記研磨パッドを
    支持する静水圧式ベアリングからなることを特徴とする
    請求項15に記載の支持構造体。
  20. 【請求項20】 前記センサが、前記支持構造体と前
    記研磨パッドとの間の隙間の距離を測定するために配置
    される距離センサからなることを特徴とする請求項19
    に記載の支持構造体。
  21. 【請求項21】 物体を研磨するために方法であっ
    て、 前記物体を研磨パッドに接触させて配置する過程と、 複数の注入口/排出口を有する密封された流体ポケット
    を用いて前記研磨パッドを支持する過程と、 前記注入口/排出口の第1の注入口/排出口に対して第
    1の圧力で、かつ前記注入口/排出口の第2の注入口/
    排出口に対して第2の圧力で流体を適用する過程と、 前記流体ポケットが前記研磨パッドを支持すると共に、
    前記物体に対して前記研磨パッドを移動する過程とを有
    し、 前記注入口/排出口に対する圧力が、前記流体ポケット
    の支持圧プロファイルを制御することを特徴とする方
    法。
  22. 【請求項22】 研磨中に前記物体からの材料除去速
    度が低くなる場所において、前記圧力プロファイルがよ
    り高い圧力を与えることを特徴とする請求項21に記載
    の方法。
  23. 【請求項23】 前記圧力プロファイルが、前記研磨
    パッド内の低いスポット下でより高い圧力を与えること
    を特徴とする請求項22に記載の方法。
  24. 【請求項24】 前記支持圧プロファイルが、前記研
    磨パッドと前記物体との間の相対的な速度が低くなる領
    域下でより高い圧力を与えることを特徴とする請求項2
    2に記載の方法。
  25. 【請求項25】 前記物体がウエハであることを特徴
    とする請求項21に記載の方法。
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6439967B2 (en) * 1998-09-01 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Microelectronic substrate assembly planarizing machines and methods of mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6325706B1 (en) 1998-10-29 2001-12-04 Lam Research Corporation Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection
US6186865B1 (en) * 1998-10-29 2001-02-13 Lam Research Corporation Apparatus and method for performing end point detection on a linear planarization tool
US6196899B1 (en) 1999-06-21 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Polishing apparatus
KR100598090B1 (ko) * 1999-08-25 2006-07-07 삼성전자주식회사 폴리싱 면의 균일성을 얻기 위한 화학적 기계적 폴리싱 시스템
US6358118B1 (en) 2000-06-30 2002-03-19 Lam Research Corporation Field controlled polishing apparatus and method
US7077733B1 (en) * 2000-08-31 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Subpad support with a releasable subpad securing element and polishing apparatus including the subpad support
TW576774B (en) * 2000-12-21 2004-02-21 Lam Res Corp Pressurized membrane platen design for improving performance in CMP applications
US6776695B2 (en) * 2000-12-21 2004-08-17 Lam Research Corporation Platen design for improving edge performance in CMP applications
US6607425B1 (en) 2000-12-21 2003-08-19 Lam Research Corporation Pressurized membrane platen design for improving performance in CMP applications
US6729945B2 (en) * 2001-03-30 2004-05-04 Lam Research Corporation Apparatus for controlling leading edge and trailing edge polishing
US6561870B2 (en) * 2001-03-30 2003-05-13 Lam Research Corporation Adjustable force applying air platen and spindle system, and methods for using the same
FR2824505A1 (fr) * 2001-05-10 2002-11-15 Grosfillex Sarl Dispositif et procede pour grainer la surface d'une piece en materiau thermoplastique
US6761626B2 (en) * 2001-12-20 2004-07-13 Lam Research Corporation Air platen for leading edge and trailing edge control
US6939212B1 (en) 2001-12-21 2005-09-06 Lam Research Corporation Porous material air bearing platen for chemical mechanical planarization
JP4090247B2 (ja) * 2002-02-12 2008-05-28 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US7018273B1 (en) 2003-06-27 2006-03-28 Lam Research Corporation Platen with diaphragm and method for optimizing wafer polishing
US20050118932A1 (en) * 2003-07-03 2005-06-02 Homayoun Talieh Adjustable gap chemical mechanical polishing method and apparatus
US20050159084A1 (en) * 2004-01-21 2005-07-21 Basol Bulent M. Chemical mechanical polishing method and apparatus for controlling material removal profile
US6955588B1 (en) 2004-03-31 2005-10-18 Lam Research Corporation Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization
US7153182B1 (en) 2004-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation System and method for in situ characterization and maintenance of polishing pad smoothness in chemical mechanical polishing
KR100685744B1 (ko) * 2006-02-06 2007-02-22 삼성전자주식회사 플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법
KR20090087943A (ko) * 2006-11-30 2009-08-18 코닝 인코포레이티드 워크 피스 표면의 정밀 연마 머시닝
JP5393039B2 (ja) * 2008-03-06 2014-01-22 株式会社荏原製作所 研磨装置
KR101941586B1 (ko) * 2011-01-03 2019-01-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 압력 제어되는 폴리싱 플래튼
JP2013008921A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Toshiba Corp 半導体製造装置及び製造方法
US20130217228A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-22 Masako Kodera Method for fabricating semiconductor device
US20140174655A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 HGST Netherlands B.V. Polishing tool with diaphram for uniform polishing of a wafer
US20140273766A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Polishing System with Front Side Pressure Control
TWI517935B (zh) * 2013-04-16 2016-01-21 國立台灣科技大學 氣體添加硏磨液的供應系統及其方法
KR101904268B1 (ko) * 2017-01-12 2018-10-04 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
KR102406808B1 (ko) * 2017-06-16 2022-06-10 주식회사 케이씨텍 연마패드 지지장치 및 이를 구비하는 기판 연마 장치
WO2020139605A1 (en) 2018-12-26 2020-07-02 Applied Materials, Inc. Polishing system with platen for substrate edge control
US20210005479A1 (en) * 2019-07-01 2021-01-07 Axus Technology, Llc Temperature controlled substrate carrier and polishing components
CN112247772B (zh) * 2020-10-21 2021-10-22 佛山市维通金属制品有限公司 一种便携式不锈钢管焊缝均匀打磨装置
US11919120B2 (en) 2021-02-25 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Polishing system with contactless platen edge control
US20220305613A1 (en) * 2021-03-26 2022-09-29 Applied Materials, Inc. Controlled profile polishing platen
CN113732845B (zh) * 2021-11-05 2022-01-04 徐州市全球通精密钢管有限公司 一种无缝钢管传送打磨装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3447306A (en) * 1966-09-16 1969-06-03 Barnes Drill Co Abrading machine
US4750297A (en) * 1981-12-23 1988-06-14 Anderson William J Grinding apparatus and method
DE3401462A1 (de) * 1984-01-17 1985-08-01 Johannsen, Hans-Peter, Dipl.-Ing., 3559 Battenberg Vorrichtung zum abstuetzen des umlaufenden schleifbandes einer breitbandschleifmaschine gegen ein werkstueck
JPH079896B2 (ja) * 1988-10-06 1995-02-01 信越半導体株式会社 研磨装置
FR2677276B1 (fr) * 1991-06-06 1995-12-01 Commissariat Energie Atomique Machine de polissage a table porte-echantillon perfectionnee.
EP0696495B1 (en) * 1994-08-09 1999-10-27 Ontrak Systems, Inc. Linear polisher and method for semiconductor wafer planarization
JPH08195363A (ja) * 1994-10-11 1996-07-30 Ontrak Syst Inc 流体軸受を有する半導体ウェーハポリシング装置
US5593344A (en) * 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
US5575707A (en) * 1994-10-11 1996-11-19 Ontrak Systems, Inc. Polishing pad cluster for polishing a semiconductor wafer
US5908530A (en) * 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US5762536A (en) * 1996-04-26 1998-06-09 Lam Research Corporation Sensors for a linear polisher

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Publication number Publication date
KR19990045019A (ko) 1999-06-25
US5980368A (en) 1999-11-09
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EP0920956A3 (en) 2001-05-23
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