KR100685744B1 - 플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 - Google Patents

플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100685744B1
KR100685744B1 KR1020060011206A KR20060011206A KR100685744B1 KR 100685744 B1 KR100685744 B1 KR 100685744B1 KR 1020060011206 A KR1020060011206 A KR 1020060011206A KR 20060011206 A KR20060011206 A KR 20060011206A KR 100685744 B1 KR100685744 B1 KR 100685744B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
bladders
wafer
platen
polishing belt
Prior art date
Application number
KR1020060011206A
Other languages
English (en)
Inventor
이영출
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060011206A priority Critical patent/KR100685744B1/ko
Priority to US11/702,854 priority patent/US7431634B2/en
Priority to CNA2007101006819A priority patent/CN101036975A/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR100685744B1 publication Critical patent/KR100685744B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • B24B21/06—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces involving members with limited contact area pressing the belt against the work, e.g. shoes sweeping across the whole area to be ground
    • B24B21/08—Pressure shoes; Pressure members, e.g. backing belts

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

웨이퍼를 균일하게 연마하기 위한 플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법에서는 플래튼의 상부면에 제1 방향으로 연장되는 다수의 블래더가 구비된다. 제1 블래더들은 플래튼의 상부면 전체 영역에서 균일한 간격만큼 서로 이격되도록 배치되며, 제2 블래더들은 중심 영역과 가장자리 영역 사이의 중간 영역에서 상기 제1 블래더들 사이에 배치된다. 압력 조절부들은 블래더들의 압력을 개별적으로 조절한다. 따라서 웨이퍼를 연마하기 위한 연마 벨트의 하부면을 서로 다른 압력으로 지지할 수 있다.

Description

플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법{Platen assembly, wafer polishing apparatus having the same, and wafer polishing method}
도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 연마 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 플래튼 어셈블리를 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은 도 2의 플래튼 어셈블리의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 플래튼 어셈블리를 설명하기 위한 구성도이다.
도 5는 도 4의 플래튼 어셈블리의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 7은 도 6에 도시된 웨이퍼 연마 장치에서 웨이퍼와 플래튼의 위치 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 연마 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100, 200 : 플래튼 어셈블리 110. 210 : 플래튼
120, 220 : 제1 블래더 130, 230 : 제2 블래더
240 : 제3 블래더 140, 250 : 제1 압력 조절부
150, 260 : 제2 압력 조절부 270 : 제3 압력 조절부
160, 280 : 구동부 500 : 웨이퍼 연마 장치
510 : 연마 벨트 520 : 롤러
530 : 연마 헤드 540 : 플래튼 어셈블리
W : 웨이퍼
본 발명은 플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 균일하게 연마하기 위해 연마 패드를 가압하기 위한 플래튼 어셈블리, 상기 플래튼 어셈블리를 포함하는 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼를 균일하게 연마하기 위한 웨이퍼 연마 방법을 제공한다.
반도체 기판의 회로 패턴은 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온 주입, 연마, 세정, 건조 등의 다양한 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 공정에 의해 형성된다. 상기와 같은 단위 공정들 중에서 연마 공정은 반도체 장치의 집적도를 향상시키고, 반도체 장치의 구조적, 전기적 신뢰도를 향상시키기 위한 중요한 공정 기술로 대두되고 있다. 최근에는 슬러리(slurry)와 웨이퍼 상에 형성된 막의 화학적 반 응 및 연마 패드와 웨이퍼 상에 형성된 막 사이의 기계적인 마찰력에 의해 웨이퍼를 평탄화시키는 화학적 기계적 연마 공정이 주로 사용되고 있다.
상기 화학적 기계적 연마 공정을 수행하기 위한 장치는 일반적으로 연마 패드, 상기 연마 패드를 지지하는 플래튼, 웨이퍼를 파지하고 회전시키는 연마 헤드, 연마 패드로 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부, 연마 패드의 표면 상태를 개선시키기 위한 패드 컨디셔너 등을 구비한다.
상기와 같은 웨이퍼 연마 장치의 예로서, 미국 등록특허 제26607425호에는 플래튼 위에 다수의 환형 블래더 및 가압 멤브레인을 구비하고, 상기 블래더들을 개별적으로 가압할 수 있는 웨이퍼 연마 장치가 개시되어 있다.
도 1은 상기 미국 등록특허에 개시된 웨이퍼 연마 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 연마 장치(1)는 롤러(미도시)에 의해 회전되며 웨이퍼(W)를 연마하기 위한 연마 벨트(10) 및 상기 웨이퍼(W)를 파지하여 상기 연마 벨트(10)의 상부면에 접촉시키기 위한 연마 헤드(20)를 구비한다. 또한, 상기 웨이퍼 연마 장치(1)는 상기 연마 벨트(10)의 하부면을 지지하기 위한 플래튼(30), 상기 플래튼(30)의 상부면에 환형으로 형성되는 다수의 블래더(40) 및 상기 다수의 블래더(40)를 매개로 연마 벨트(10)를 가압하는 가압 멤브레인(50)을 구비한다.
상기 웨이퍼(W)의 연마시, 상기 연마 헤드(20)의 누르는 힘에 의해 웨이퍼 가장자리 부위에서 웨이퍼 중심 부위로 갈수록 연마량이 점점 감소한다. 웨이퍼 연마 장치(1)에서는 상기 플래튼(30)의 가장자리 부위에 위치한 블래더(40)의 폭보다 상기 플래튼(30)의 중심 부위에 위치한 블래더(40)의 폭이 더 크다. 따라서, 웨이퍼(W) 가장자리 부위에서의 연마량과 가장자리 부위에서의 연마량 차이를 감소시킬 수 있다.
상기 블래더들(40)은 서로 인접하도록 구비된다. 하나의 블래더(40)의 압력을 조절하면 인접한 블래더(40)도 영향을 받는다. 따라서, 상기 연마 벨트(10)에 가해지는 압력을 정확하게 조절하기 어렵다. 그러므로, 상기 웨이퍼(W)의 연마량을 균일하게 조절하기 어렵다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 연마 벨트를 균일하게 가압할 수 있는 플래튼 어셈블리를 제공하는데 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 목적은 상기 플래튼 어셈블리를 갖는 웨이퍼 연마 장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 연마 장치를 이용하여 웨이퍼를 균일하게 연마하기 위한 웨이퍼 연마 방법을 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 플래튼 어셈블리는 웨이퍼가 연마되는 동안 상기 웨이퍼를 연마하기 위한 연마 벨트가 아래로 처지는 것을 방지하기 위해 상기 연마 벨트를 지지하는 플래튼(platen)을 구비한다. 다수의 제1 블래더는 상기 플래튼의 상부면 전체 영역에서 제1 방향을 따라 연장되고, 균일한 간격만큼 서로 이격되도록 배치되며, 상기 연마 벨트를 가압한다. 다수의 제2 블래더는 상기 플래튼 상부면의 중심 영역과 가장자리 영역 사이의 중간 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되며, 상기 제1 블래더들 사이에 배치되며, 상기 연마 벨트를 가압한다.
상기 제1 블래더들은 상기 중심 영역에 위치하는 다수의 제3 블래더, 상기 중간 영역에 위치하는 다수의 제4 블래더 및 상기 가장자리 영역에 위치하는 다수의 제5 블래더를 포함할 수 있다.
상기 중심 영역 및 가장자리 영역에서 상기 제1 블래더들이 제1 간격만큼 서로 이격되어 상기 연마 벨트를 제1 압력으로 가압하고, 상기 중간 영역에서 상기 제1 및 제2 블래더들이 상기 제1 간격보다 좁은 제2 간격만큼 서로 이격되어 상기 연마 벨트를 상기 제1 압력보다 높은 제2 압력으로 가압할 수 있다.
상기 플래튼 어셈블리는 상기 제1 블래더들의 압력을 개별적으로 조절하기 위한 제1 압력 조절부 및 상기 제2 블래더들의 압력을 개별적으로 조절하기 위한 제2 압력 조절부를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 플래튼 어셈블리는 상기 플레튼을 회전시키기 위한 구동부를 더 포함할 수 있다.
상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 웨이퍼 연마 장치는 웨이퍼를 연마하기 위한 연마 벨트 및 상기 연마 벨트를 회전시키기 위한 롤러를 구비한다. 연마 헤드는 상기 연마 벨트의 상부면과 웨이퍼의 연마면이 서로 마주보도록 상기 웨이퍼를 파지하고, 상기 연마 벨트가 회전하는 동안 상기 연마면을 상기 연마 벨트의 상부면에 접촉시킨다. 플래튼 어셈블리 는 상기 웨이퍼가 연마되는 동안 상기 연마 벨트가 아래로 처지는 것을 방지하기 위해 상기 연마 벨트를 지지하는 플래튼(platen), 상기 플래튼의 상부면 전체 영역에서 제1 방향을 따라 연장되고 균일한 간격만큼 서로 이격되도록 배치되며 상기 연마 벨트를 가압하는 다수의 제1 블래더(bladder) 및 상기 플래튼 상부면의 중심 영역과 가장자리 영역 사이의 중간 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되며 상기 제1 블래더들 사이에 배치되며 상기 연마 벨트를 가압하는 다수의 제2 블래더를 포함한다.
상기 연마 헤드는 상기 연마면의 중심이 상기 플래튼의 중간 영역에 대응하는 상기 연마 벨트의 상부면에 위치시킨다.
상기 제1 블래더들은 상기 중심 영역에 위치하는 다수의 제3 블래더, 상기 중간 영역에 위치하는 다수의 제4 블래더 및 상기 가장자리 영역에 위치하는 다수의 제5 블래더를 포함할 수 있다.
상기 중심 영역 및 가장자리 영역에서 상기 제1 블래더들이 제1 간격만큼 서로 이격되어 상기 연마 벨트를 제1 압력으로 가압하고, 상기 중간 영역에서 상기 제1 및 제2 블래더들이 상기 제1 간격보다 좁은 제2 간격만큼 서로 이격되어 상기 연마 벨트를 상기 제1 압력보다 높은 제2 압력으로 가압할 수 있다.
상기 플래튼 어셈블리는 상기 제1 블래더들의 압력을 개별적으로 조절하기 위한 제1 압력 조절부 및 상기 제2 블래더들의 압력을 개별적으로 조절하기 위한 제2 압력 조절부를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 플래튼 어셈블리는 상기 플레튼을 회전시키기 위한 구동부를 더 포함할 수 있다.
상기 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 웨이퍼 연마 방법은 플래튼 상부면의 중심 영역 및 가장자리 영역에서 제1 방향을 따라 연장되고 제1 간격만큼 서로 이격되도록 배치된 다수의 제1 블래더(bladder)로 회전하는 연마 벨트의 하부면을 제1 압력으로 가압한다. 상기 플래튼 상부면의 중심 영역과 가장자리 영역 사이의 중간 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되며 상기 제1 간격보다 좁은 제2 간격만큼 서로 이격되도록 배치되는 다수의 제2 블래더로 상기 연마 벨트의 하부면을 제2 압력으로 가압한다. 이후, 웨이퍼의 연마면을 상기 연마 벨트의 상부면에 접촉시켜 상기 웨이퍼를 연마한다.
상기 웨이퍼의 연마면이 상기 연마 벨트의 상부면에 접촉할 때, 상기 연마면의 중심이 상기 플래튼의 중간 영역에 대응하는 상기 연마 벨트의 상부면에 위치하는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼의 연마 정도에 따라 상기 제1 및 제2 블래더들의 압력을 조절할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따르면 다수의 블래더가 상기 연마 벨트를 서로 다른 압력으로 가압한다. 또한 상기 블래더들의 압력을 각각 조절할 수 있다. 상기 연마 벨트에 가해지는 압력을 정밀하게 조절하여 상기 웨이퍼를 균일하게 연마할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 구조물들이 다른 구조물들의 "상에", "상부"에 또는 "하부"에 위치하는 것으로 언급되는 경우에는 각 구조물들이 직접 다른 구조물들 위에 위치하거나 또는 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 또 다른 구조물들이 상기 구조물들 사이에 추가적으로 형성될 수 있다. 또한, 각 구조물들이 "제1" 및/또는 "제2"로 언급되는 경우, 이러한 부재들을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 각 구조물들을 구분하기 위한 것이다. 따라서, "제1" 및/또는 "제2"는 각 구조물들에 대하여 각기 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있다.
제1 실시예에 따른 플래튼 어셈블리
도 2는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 플래튼 어셈블리를 설명하기 위한 구성도이고, 도 3은 도 2의 플래튼 어셈블리의 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 플래튼 어셈블리(100)는 플래튼(110), 제1 블래더(120), 제2 블래더(130), 제1 압력 조절부(140), 제2 압력 조절부(150) 및 구동부(160)를 포함한다.
상기 플래튼(110)은 디스크 형태를 갖는다. 상기 플래튼(110)의 크기는 상기 웨이퍼의 크기보다 충분히 큰 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 플래튼(110)의 지름은 상기 웨이퍼의 지름의 2 배 정도인 것이 바람직하다.
상기 플래튼(110)은 웨이퍼(미도시)를 연마하기 위한 연마 벨트(미도시)를 지지한다. 상기 웨이퍼는 연마면이 상기 연마 벨트의 상부면과 접촉한다. 상기 웨이퍼가 상기 연마 벨트를 누르는 힘에 의해 상기 연마 벨트가 처지게 된다. 상기 플래튼(110)은 상기 연마 벨트의 하부면을 지지하여 상기 연마 벨트의 처짐을 방지한다. 상기 플래튼(110)은 상기 연마 벨트가 수평을 유지하도록 상기 연마 벨트를 지지한다. 따라서, 상기 웨이퍼를 균일하게 연마할 수 있다.
상기 플래튼(110)의 상부면에는 제1 홈(112) 및 제2 홈(114)이 형성된다. 상기 제1 홈(112)은 상기 플래튼(110)의 상부면 전체 영역에 형성된다. 상기 제1 홈(112)은 제1 방향으로 연장되며, 균일한 간격만큼 서로 이격된다. 따라서, 상기 제1 홈(112)들은 서로 평행하다.
상기 제2 홈(114)은 상기 플래튼(110)의 상부면에의 중심 영역(a)과 가장자리 영역(c) 사이에 위치한 중간 영역(b)에 형성된다. 상기 제2 홈(114)은 상기 중간 영역(b)에서 상기 제1 홈(112)의 연장 방향과 동일한 제1 방향으로 연장된다. 상기 제2 홈(114)은 상기 제1 홈(112) 사이에 위치한다. 상기 제2 홈(114)들도 서로 균일한 간격만큼 서로 이격된다. 따라서, 상기 제2 홈(114)들은 서로 평행하다.
상기 제1 블래더(120)는 상기 제1 홈(112)을 따라 구비된다. 따라서, 상기 제1 블래더(120)는 상기 플래튼(110)의 상부면 전체 영역에서 제1 방향으로 연장되며, 균일한 간격만큼 서로 이격된다. 상기 제1 블래더(120)들은 서로 평행하다. 상기 제1 블래더(120)들은 중공의 바 형태를 갖는다. 상기 제1 블래더(120)는 상기 플래튼(110)의 상부면으로부터 돌출된다. 그러므로, 상기 제1 블래더(120)들은 상기 연마 벨트의 하부면을 가압한다. 상기 제1 블래더(120)들은 기체 또는 액체를 매개로 상기 연마 벨트를 가압할 수 있다.
상기 제2 블래더(130)는 상기 제2 홈(114)을 따라 구비된다. 따라서, 상기 제2 블래더(130)는 상기 플래튼(110)의 상부면 중간 영역(b)에서 제1 방향으로 연장되며, 균일한 간격만큼 서로 이격된다. 상기 제2 블래더(130)들은 서로 평행하다. 상기 제2 블래더(130)들도 중공의 바 형태를 가지며, 상기 플래튼(110)의 상부면으로부터 돌출된다. 그러므로, 상기 제2 블래더(130)들도 상기 연마 벨트의 하부면을 가압한다. 상기 제2 블래더(130)들은 기체 또는 액체를 매개로 상기 연마 벨트를 가압할 수 있다.
상기 플래튼(110)의 중심 영역(a)과 가장자리 영역(c)에는 제1 블래더(120)만 위치하며, 상기 플래튼(110)의 중간 영역(b)에는 제1 블래더(120) 및 제2 블래더(130)가 위치한다. 따라서 상기 중심 영역(a)과 가장자리 영역(c)에는 제1 블래더(120)가 제1 간격만큼 이격되고, 상기 중간 영역(b)에는 제1 블래더(120) 및 제2 블래더(130)가 상기 제1 간격보다 좁은 제2 간격만큼 이격된다. 그러므로, 상기 플래튼(110)의 중심 영역(a) 및 가장자리 영역(c)에서는 상기 연마 벨트를 제1 압력으로 가압하고, 상기 플래튼(110)의 중간 영역(b)에서는 상기 연마 벨트를 상기 제1 압력보다 높은 제2 압력으로 가압한다.
상기에서는 상기 제1 블래더(120) 및 제2 블래더(130)가 각각 상기 제1 홈(112) 및 제2 홈(114)을 따라 상기 플래튼(110)의 상부면에 구비되는 것으로 도시되었지만, 상기 제1 블래더(120) 및 제2 블래더(130)는 상기 플래튼(110)의 상부면에 직접 상기 제1 방향으로 연장되며 균일한 간격만큼 이격되도록 구비될 수 있다.
일반적으로, 상기 웨이퍼의 연마시 상기 웨이퍼를 상기 연마 벨트에 접촉시키기 위해 누르는 힘이 작용한다. 상기 힘의 작용에 의해 상기 웨이퍼의 가장자리 부위에 가해지는 압력이 상기 웨이퍼의 중심 부위에 작용하는 압력보다 크다. 따라서, 웨이퍼 가장자리 부위에서 웨이퍼 중심 부위로 갈수록 연마량이 점점 감소한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 상기 웨이퍼의 중심은 상기 플래튼(110)의 중간 영역(b)에 대응하는 연마 벨트의 상부면과 접촉한다. 상기 플래튼(110)은 중간 영역(b)의 압력이 상기 중심 영역(a) 및 가장자리 영역(c)의 압력보다 높도록 상기 연마 벨트를 가압한다. 따라서, 상기 플래튼(110)에 의해 상기 웨이퍼의 중심 부위에 가해지는 압력이 상기 웨이퍼의 가장자리 부위에 가해지는 압력보다 크다. 따라서, 상기 웨이퍼 연마시, 상기 웨이퍼를 누르는 압력이 상기 연마 패드에 가해지는 압력과 상쇄된다. 그러므로, 상기 웨이퍼를 균일하게 연마할 수 있다.
상기 제1 압력 조절부(140)는 상기 제1 블래더(120)와 각각 연결된다. 상기 제1 압력 조절부(140)는 상기 제1 블래더(120)들의 압력을 개별적으로 조절한다. 예를들면, 상기 제1 블래더(120)들은 모두 동일한 압력을 가지거나, 서로 다른 압력을 가질 수 있다. 따라서 상기 제1 블래더(120)들이 상기 연마 벨트에 가하는 압력을 조절할 수 있다.
상기 제2 압력 조절부(150)는 상기 제2 블래더(130)와 각각 연결된다. 상기 제2 압력 조절부(150)는 상기 제2 블래더(130)들의 압력을 개별적으로 조절한다. 예를 들면, 상기 제2 블래더(130)들도 모두 동일한 압력을 가지거나, 서로 다른 압력을 가질 수 있다. 따라서 상기 제2 블래더(130)들이 상기 연마 벨트에 가하는 압력을 조절할 수 있다. 상기 플래튼(110)의 영역에 따라 상기 연마 벨트에 가해지는 압력을 정밀하게 조절할 수 있다. 그러므로, 상기 웨이퍼를 보다 균일하게 연마할 수 있다.
상기 제1 블래더(120)들 및 제2 블래더(130)들은 각각 서로 이격되어 있다. 상기 제1 압력 조절부(140) 및 제2 압력 조절부(150)가 상기 제1 블래더(120)들 및 제2 블래더(130)들을 가압하더라도 인접한 블래더(120, 130)에 영향을 미치지 않는다. 그러므로, 상기 제1 블래더(120) 및 제2 블래더(130)를 압력을 정확하게 조절할 수 있다.
상기 구동부(160)는 상기 플래튼(110)을 회전시킨다. 상기 플래튼(110)이 회전하므로 상기 제1 블래더(120) 및 제2 블래더(130)도 회전한다. 따라서, 상기 제1 블래더(120) 및 제2 블래더(130)가 상기 연마 벨트를 가압하는 부위가 달라진다. 즉, 바 형태를 갖는 상기 제1 블래더(120) 및 제2 블래더(130)가 회전하므로, 상기 연마 벨트를 가압하는 부위가 지속적으로 달라진다. 그러므로, 상기 연마 벨트를 이용하여 상기 웨이퍼를 균일하게 연마할 수 있다.
제2 실시예에 따른 플래튼 어셈블리
도 4는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 플래튼 어셈블리를 설명하기 위한 구성도이고, 도 5는 도 4의 플래튼 어셈블리의 평면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 플래튼 어셈블리(200)는 플래튼(210), 제1 블래더(220), 제2 블래더(230), 제3 블래더(240), 제1 압력 조절부(250), 제2 압력 조절부(260), 제3 압력 조절부(270) 및 구동부(280)를 포함한다. 본 실시예에 따른 플래튼 어셈블리(200)에 대한 설명은 상기 플래튼(210)에 형성된 홈들(212, 214, 216)의 형태 및 상기 블래더들(220, 230, 240)의 형태를 제외하고는 상기 제1 실시예에 따른 플래튼 어셈블리(100)에 대한 설명과 동일하다.
상기 플래튼(210)은 디스크 형태를 갖는다. 상기 플래튼(210)의 상부면에는 제1 홈(212), 제2 홈(214) 및 제3 홈(216)이 형성된다.
상기 제1 홈(212) 및 제3 홈(216)은 상기 상부면의 중심 영역(a) 및 가장자리 영역(c)에 각각 형성된다. 상기 제1 홈(212) 및 제3 홈(216)은 각각 제1 방향으로 연장되며, 제1 간격(d1)만큼 서로 이격된다. 따라서, 상기 제1 홈(212)들 및 제3 홈(216)들은 각각 서로 평행하다.
상기 제2 홈(214)은 상기 상부면에서 중심 영역(a)과 가장자리 영역(c) 사이에 위치한 중간 영역(b)에 형성된다. 상기 제2 홈(214)은 상기 중간 영역(b)에서 상기 제1 홈(212) 및 제3 홈(216)의 연장 방향과 동일한 제1 방향으로 연장된다. 상기 제2 홈(214)들은 상기 제1 간격(d1)보다 좁은 제2 간격(d2)만큼 서로 이격된다. 상기 제2 홈(214)들은 서로 평행하다.
상기 제1 블래더(220)는 상기 제1 홈(212)을 따라 구비된다. 상기 제3 블래더(240)는 상기 제3 홈(216)을 따라 구비된다. 따라서, 상기 제1 블래더(220)는 상기 플래튼(210)의 상부면 중심 영역(a)에서 제1 방향으로 연장되며, 제1 간격(d1) 만큼 서로 이격된다. 상기 제3 블래더(240)는 상기 플래튼(210)의 상부면 가장자리 영역(c)에서 제1 방향으로 연장되며, 제1 간격(d1)만큼 서로 이격된다. 상기 제1 블래더들(220)과 상기 제3 블래더들(240)은 각각 서로 평행하다. 상기 제1 블래더들(220) 및 제3 블래더들(240)은 중공의 바 형태를 갖는다. 상기 제1 블래더들(220) 및 제3 블래더들(240)는 상기 플래튼(210)의 상부면으로부터 돌출된다. 그러므로, 상기 제1 블래더들(220) 및 제3 블래더들(240)은 상기 연마 벨트의 하부면을 가압한다. 상기 제1 블래더들(220) 및 제3 블래더들(240)은 기체 또는 액체를 매개로 상기 연마 벨트를 가압할 수 있다.
상기 제2 블래더(230)는 상기 제2 홈(214)을 따라 구비된다. 따라서, 상기 제2 블래더(230)는 상기 플래튼(210)의 상부면 중간 영역(b)에서 제1 방향으로 연장되며, 상기 제2 간격(d2)만큼 서로 이격된다. 상기 제2 블래더(230)들은 서로 평행하다. 상기 제2 블래더(230)들도 중공의 바 형태를 가지며, 상기 플래튼(210)의 상부면으로부터 돌출된다. 그러므로, 상기 제2 블래더(230)들도 상기 연마 벨트의 하부면을 가압한다. 상기 제2 블래더(230)들은 기체 또는 액체를 매개로 상기 연마 벨트를 가압할 수 있다.
그러므로, 상기 플래튼(210)의 중심 영역(a) 및 가장자리 영역(c)에서는 상기 제1 블래더들(220) 및 제3 블래더들(240)이 각각 상기 연마 벨트를 제1 압력으로 가압하고, 상기 플래튼(210)의 중간 영역(b)에서는 상기 제2 블래더들(230)이 상기 연마 벨트를 상기 제1 압력보다 높은 제2 압력으로 가압한다.
상기에서는 상기 제1 블래더(220), 제2 블래더(230) 및 제3 블래더(240)가 각각 상기 제1 홈(212), 제2 홈(214) 및 제3 홈(216)을 따라 상기 플래튼(210)의 상부면에 구비되는 것으로 도시되었지만, 상기 제1 블래더(220), 제2 블래더(230) 및 제3 블래더(240)는 상기 플래튼(210)의 상부면에 직접 상기 제1 방향으로 연장되도록 구비될 수 있다.
일반적으로, 상기 웨이퍼의 연마시 상기 웨이퍼를 상기 연마 벨트에 접촉시키기 위해 누르는 힘이 작용한다. 상기 힘의 작용에 의해 상기 웨이퍼의 가장자리 부위에 가해지는 압력이 상기 웨이퍼의 중심 부위에 작용하는 압력보다 크다. 따라서, 웨이퍼 가장자리 부위에서 웨이퍼 중심 부위로 갈수록 연마량이 점점 감소한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 상기 웨이퍼의 중심은 상기 플래튼(210)의 중간 영역(b)에 대응하는 연마 벨트의 상부면과 접촉한다. 상기 플래튼(210)은 중간 영역(b)의 압력이 상기 중심 영역(a) 및 가장자리 영역(c)의 압력보다 높도록 상기 연마 벨트를 가압한다. 따라서, 상기 플래튼(210)에 의해 상기 웨이퍼의 중심 부위에 가해지는 압력이 상기 웨이퍼의 가장자리 부위에 가해지는 압력보다 크다. 따라서, 상기 웨이퍼 연마시, 상기 웨이퍼를 누르는 압력이 상기 연마 패드에 가해지는 압력과 상쇄된다. 그러므로, 상기 웨이퍼를 균일하게 연마할 수 있다.
상기 플래튼 어셈블리(200)는 상기 연마 벨트를 서로 다른 압력으로 가압한다. 따라서, 상기 웨이퍼를 균일하게 연마할 수 있다.
웨이퍼 연마 장치
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 5를 참조하면, 웨이퍼 연마 장치(500)는 연마 벨트(510), 롤러(520), 연마 헤드(530), 플래튼 어셈블리(540) 및 슬러리 공급부(550)를 포함한다.
상기 연마 벨트(510)는 웨이퍼(W)와 접촉하여 웨이퍼(W)를 연마한다. 상기 연마 벨트(510)는 고리 형태를 가지며, 상기 웨이퍼(W)를 연마하기 위한 충분한 폭을 갖는다. 예를 들면, 상기 연마 벨트(510)의 폭은 상기 웨이퍼(W)의 지름의 2배 정도인 것이 바람직하다.
상기 롤러(520)는 원통 형태를 가지며, 한 쌍이 구비된다. 상기 한 쌍의 롤러(520)는 같은 방향으로 회전하며, 상기 연마 패드(510)를 회전시킨다.
상기 연마 헤드(530)는 상기 웨이퍼(W)의 연마면이 상기 연마 벨트(510)의 상부면과 마주보도록 상기 웨이퍼(W)를 파지한다. 또한, 상기 웨이퍼(W)가 연마되는 동안 상기 연마 헤드(530)는 상기 웨이퍼(W)의 연마면과 상기 연마 벨트(510)의 상부면을 접촉시킨다. 즉, 상기 연마 헤드(530)는 상기 연마면과 대향되는 웨이퍼(W)의 후면을 진공을 이용하여 흡착하고, 상하 왕복 운동한다. 또한, 상기 연마 헤드(530)는 회전 운동한다. 상기 연마 헤드(530)는 상기 웨이퍼(W)를 상기 연마 벨트(510)에 접촉시킨 상태에서 회전하므로, 상기 웨이퍼(W)를 균일하게 연마할 수 있다.
상기 슬러리 공급부(550)는 상기 연마 벨트(510)의 상부에 구비되며, 슬러리 (552)를 상기 연마 벨트(510) 상으로 공급한다. 상기 연마 벨트(510)의 회전에 따라 상기 슬러리(552)는 상기 웨이퍼(W)가 상기 연마 벨트(510)와 접촉하는 부위로 이동한다. 상기 슬러리(552)는 상기 웨이퍼(W)의 연마면과 화학 반응을 일으켜 상기 웨이퍼(W)를 화학적으로 연마한다.
상기 플래튼 어셈블리(540)는 상기 연마 벨트(510)의 하부면을 지지하고, 영역에 따라 서로 다른 압력으로 상기 연마 벨트(510)를 가압한다. 상기 플래튼 어셈블리(540)에 대한 구체적인 설명은 상기 제1 및 제2 실시예에 따른 플래튼 어셈블리(100, 200)와 동일하다.
도 6은 도 5에 도시된 웨이퍼 연마 장치에서 웨이퍼와 플래튼의 위치 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 웨이퍼(W)의 중심(C)은 상기 플래튼(110)의 중간 영역(b)에 대응하는 연마 벨트(510)의 상부면과 접촉한다. 상기 플래튼(110)은 중간 영역(b)의 압력이 상기 중심 영역(a) 및 가장자리 영역(c)의 압력보다 높도록 상기 연마 벨트를 가압한다. 따라서, 상기 플래튼(110)에 의해 상기 웨이퍼의 중심 부위에 가해지는 압력이 상기 웨이퍼의 가장자리 부위에 가해지는 압력보다 크다.
상기 웨이퍼(W)의 연마시 상기 웨이퍼(W)를 상기 연마 벨트(510)에 접촉시키기 위해 상기 연마 헤드(530)가 상기 웨이퍼(W)를 가압한다. 상기 웨이퍼(W)가 가압될 때, 상기 웨이퍼(W)의 가장자리 부위에 가해지는 압력이 상기 웨이퍼(W)의 중심 부위에 작용하는 압력보다 크다.
따라서, 상기 웨이퍼(W) 연마시, 상기 웨이퍼(W)를 누르는 압력이 상기 연마 벨트(520)에 가해지는 압력과 상쇄된다. 그러므로, 상기 웨이퍼(W)를 균일하게 연마할 수 있다.
웨이퍼 연마 방법
도 7은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 연마 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7을 참조하면, 우선, 롤러(520)의 회전에 의해 연마 벨트(510)가 회전한다. 상기 연마 벨트(510)가 회전하면, 플래튼(541)이 상기 연마 벨트(510)의 하부면을 지지한다. 상기 플래튼(541) 상부면의 중심 영역(a) 및 가장자리 영역(c)에서 제1 방향을 따라 연장되고 제1 간격만(d1)큼 서로 이격되도록 배치된 다수의 제1 블래더(541)로 회전하는 연마 벨트(510)의 하부면을 제1 압력으로 가압한다(S100).
상기 플래튼(541) 상부면의 중심 영역(a)과 가장자리 영역(c) 사이의 중간 영역(b)에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고 상기 제1 간격(d1)보다 좁은 제2 간격(d2)만큼 서로 이격되도록 배치된 다수의 제2 블래더(542)로 회전하는 연마 벨트(510)의 하부면을 제2 압력으로 가압한다(S200). 상기 제2 압력은 상기 제1 압력보다 높은 것이 바람직하다.
상기 연마 벨트(510)의 하부면이 가압되면, 연마 헤드(530)가 하강하여 상기 웨이퍼(W)의 연마면을 상기 연마 벨트(510)의 상부면에 접촉시킨다(S300).
상기 웨이퍼(W)의 연마면이 상기 연마 벨트(510)의 상부면에 접촉할 때, 상기 연마면의 중심(C)이 상기 플래튼(541)의 중간 영역(b)에 대응하는 상기 연마 벨 트(510)의 상부면에 위치한다. 따라서, 상기 웨이퍼(W)의 중심 부위에 가해지는 압력이 상기 웨이퍼(W)의 가장자리 부위에 가해지는 압력보다 크다.
하지만, 상기 웨이퍼(W)를 상기 연마 벨트(510)에 접촉시키기 위해 상기 연마 헤드(530)가 상기 웨이퍼(W)를 가압할 때, 상기 웨이퍼(W)의 가장자리 부위에 가해지는 압력이 상기 웨이퍼(W)의 중심 부위에 작용하는 압력보다 크다. 그러므로, 상기 웨이퍼(W)를 누르는 압력과 상기 연마 벨트(520)에 가해지는 압력이 상쇄된다. 상기 웨이퍼(W)에 압력이 균일하게 작용하므로 상기 웨이퍼(W)를 균일하게 연마할 수 있다.
이후, 상기 제1 블래더(542) 및 제2 블래더(543)의 압력을 조절한다(S400). 상기 블래더들(542, 543)의 압력을 조절함으로써 상기 웨이퍼(W)에 가해지는 압력을 보다 균일하게 조절할 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼(W)를 보다 균일하게 연마할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들에 따르면 바 형태를 갖는 다수의 블래더가 서로 다른 압력으로 연마 벨트를 가압한다. 그리고, 상기 블래더들의 압력을 개별적으로 조절한다. 상기 연마 벨트에 가해지는 압력을 정밀하게 조절하여 웨이퍼를 균일하게 연마할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있 음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (14)

  1. 웨이퍼가 연마되는 동안 상기 웨이퍼를 연마하기 위한 연마 벨트가 아래로 처지는 것을 방지하기 위해 상기 연마 벨트를 지지하는 플래튼(platen);
    상기 플래튼의 상부면 전체 영역에서 제1 방향을 따라 연장되고, 균일한 간격만큼 서로 이격되도록 배치되며, 상기 연마 벨트를 가압하는 다수의 제1 블래더(bladder); 및
    상기 플래튼 상부면의 중심 영역과 가장자리 영역 사이의 중간 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되며, 상기 제1 블래더들 사이에 배치되며, 상기 연마 벨트를 가압하는 다수의 제2 블래더를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래튼 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 블래더들은,
    상기 중심 영역에 위치하는 다수의 제3 블래더;
    상기 중간 영역에 위치하는 다수의 제4 블래더; 및
    상기 가장자리 영역에 위치하는 다수의 제5 블래더를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래튼 어셈블리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중심 영역 및 가장자리 영역에서 상기 제1 블래더들이 제1 간격만큼 서로 이격되어 상기 연마 벨트를 제1 압력으로 가압하고, 상기 중간 영역에서 상기 제1 및 제2 블래더들이 상기 제1 간격보다 좁은 제2 간격만큼 서로 이격되어 상기 연마 벨트를 상기 제1 압력보다 높은 제2 압력으로 가압하는 것을 특징으로 하는 플래튼 어셈블리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 블래더들의 압력을 개별적으로 조절하기 위한 제1 압력 조절부; 및
    상기 제2 블래더들의 압력을 개별적으로 조절하기 위한 제2 압력 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래튼 어셈블리.
  5. 제1항에 있어서, 상기 플레튼을 회전시키기 위한 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래튼 어셈블리.
  6. 웨이퍼를 연마하기 위한 연마 벨트;
    상기 연마 벨트를 회전시키기 위한 롤러;
    상기 연마 벨트의 상부면과 웨이퍼의 연마면이 서로 마주보도록 상기 웨이퍼를 파지하고, 상기 연마 벨트가 회전하는 동안 상기 연마면을 상기 연마 벨트의 상부면에 접촉시키는 연마 헤드; 및
    상기 웨이퍼가 연마되는 동안 상기 연마 벨트가 아래로 처지는 것을 방지하기 위해 상기 연마 벨트를 지지하는 플래튼(platen), 상기 플래튼의 상부면 전체 영역에서 제1 방향을 따라 연장되고 균일한 간격만큼 서로 이격되도록 배치되며 상 기 연마 벨트를 가압하는 다수의 제1 블래더(bladder) 및 상기 플래튼 상부면의 중심 영역과 가장자리 영역 사이의 중간 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되며 상기 제1 블래더들 사이에 배치되며 상기 연마 벨트를 가압하는 다수의 제2 블래더를 포함하는 플래튼 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 연마 헤드는 상기 연마면의 중심이 상기 플래튼의 중간 영역에 대응하는 상기 연마 벨트의 상부면에 위치시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 블래더들은,
    상기 중심 영역에 위치하는 다수의 제3 블래더;
    상기 중간 영역에 위치하는 다수의 제4 블래더; 및
    상기 가장자리 영역에 위치하는 다수의 제5 블래더를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 중심 영역 및 가장자리 영역에서 상기 제1 블래더들이 제1 간격만큼 서로 이격되어 상기 연마 벨트를 제1 압력으로 가압하고, 상기 중간 영역에서 상기 제1 및 제2 블래더들이 상기 제1 간격보다 좁은 제2 간격만큼 서로 이격되어 상기 연마 벨트를 상기 제1 압력보다 높은 제2 압력으로 가압하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 플래튼 어셈블리는,
    상기 제1 블래더들의 압력을 개별적으로 조절하기 위한 제1 압력 조절부; 및
    상기 제2 블래더들의 압력을 개별적으로 조절하기 위한 제2 압력 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 플래튼 어셈블리는 상기 플레튼을 회전시키기 위한 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 장치.
  12. 플래튼 상부면의 중심 영역 및 가장자리 영역에서 제1 방향을 따라 연장되고 제1 간격만큼 서로 이격되도록 배치된 다수의 제1 블래더(bladder)로 회전하는 연마 벨트의 하부면을 제1 압력으로 가압하는 단계;
    상기 플래튼 상부면의 중심 영역과 가장자리 영역 사이의 중간 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되며 상기 제1 간격보다 좁은 제2 간격만큼 서로 이격되도록 배치되는 다수의 제2 블래더로 상기 연마 벨트의 하부면을 제2 압력으로 가압하는 단계; 및
    웨이퍼의 연마면을 상기 연마 벨트의 상부면에 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 웨이퍼의 연마면이 상기 연마 벨트의 상부면에 접촉 할 때, 상기 연마면의 중심이 상기 플래튼의 중간 영역에 대응하는 상기 연마 벨트의 상부면에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 웨이퍼의 연마 정도에 따라 상기 제1 및 제2 블래더들의 압력을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법.
KR1020060011206A 2006-02-06 2006-02-06 플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 KR100685744B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060011206A KR100685744B1 (ko) 2006-02-06 2006-02-06 플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법
US11/702,854 US7431634B2 (en) 2006-02-06 2007-02-06 Platen assembly, apparatus having the platen assembly and method of polishing a wafer using the platen assembly
CNA2007101006819A CN101036975A (zh) 2006-02-06 2007-02-06 压板组件、抛光设备和抛光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060011206A KR100685744B1 (ko) 2006-02-06 2006-02-06 플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100685744B1 true KR100685744B1 (ko) 2007-02-22

Family

ID=38104340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060011206A KR100685744B1 (ko) 2006-02-06 2006-02-06 플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7431634B2 (ko)
KR (1) KR100685744B1 (ko)
CN (1) CN101036975A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9418904B2 (en) 2011-11-14 2016-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Localized CMP to improve wafer planarization
US10065288B2 (en) 2012-02-14 2018-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing (CMP) platform for local profile control

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7824244B2 (en) * 2007-05-30 2010-11-02 Corning Incorporated Methods and apparatus for polishing a semiconductor wafer
US8148266B2 (en) * 2009-11-30 2012-04-03 Corning Incorporated Method and apparatus for conformable polishing
JP2021091033A (ja) * 2019-12-10 2021-06-17 キオクシア株式会社 研磨装置、研磨ヘッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030063409A (ko) * 2000-12-21 2003-07-28 램 리서치 코포레이션 가압멤브레인을 갖춘 연마플래튼
KR20040070584A (ko) * 2003-02-04 2004-08-11 아남반도체 주식회사 Ｃｍｐ 장비의 폴리싱 플래튼

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2320345A1 (de) * 1973-04-21 1974-11-07 Karl Heesemann Bandschleifmaschine
US5593344A (en) * 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
US5916012A (en) * 1996-04-26 1999-06-29 Lam Research Corporation Control of chemical-mechanical polishing rate across a substrate surface for a linear polisher
JP3027551B2 (ja) * 1997-07-03 2000-04-04 キヤノン株式会社 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた研磨方法および研磨装置
US5980368A (en) * 1997-11-05 1999-11-09 Aplex Group Polishing tool having a sealed fluid chamber for support of polishing pad
US6062959A (en) * 1997-11-05 2000-05-16 Aplex Group Polishing system including a hydrostatic fluid bearing support
US6358118B1 (en) * 2000-06-30 2002-03-19 Lam Research Corporation Field controlled polishing apparatus and method
US6607425B1 (en) * 2000-12-21 2003-08-19 Lam Research Corporation Pressurized membrane platen design for improving performance in CMP applications
JP2005011977A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Ebara Corp 基板研磨装置および基板研磨方法
KR100807046B1 (ko) * 2003-11-26 2008-02-25 동부일렉트로닉스 주식회사 화학기계적 연마장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030063409A (ko) * 2000-12-21 2003-07-28 램 리서치 코포레이션 가압멤브레인을 갖춘 연마플래튼
KR20040070584A (ko) * 2003-02-04 2004-08-11 아남반도체 주식회사 Ｃｍｐ 장비의 폴리싱 플래튼

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9418904B2 (en) 2011-11-14 2016-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Localized CMP to improve wafer planarization
US10065288B2 (en) 2012-02-14 2018-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing (CMP) platform for local profile control

Also Published As

Publication number Publication date
CN101036975A (zh) 2007-09-19
US7431634B2 (en) 2008-10-07
US20070184759A1 (en) 2007-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100939096B1 (ko) 폴리싱장치, 폴리싱방법 및 기판캐리어 시스템
US10213896B2 (en) Elastic membrane, substrate holding apparatus, and polishing apparatus
JP5301840B2 (ja) 研磨装置
USRE39194E1 (en) Method and apparatus for controlling planarizing characteristics in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US5800248A (en) Control of chemical-mechanical polishing rate across a substrate surface
USRE38826E1 (en) Apparatus for and method for polishing workpiece
JP4757580B2 (ja) 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム
KR100685744B1 (ko) 플래튼 어셈블리, 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법
KR100435302B1 (ko) 작업물폴리싱장치및방법
US6425809B1 (en) Polishing apparatus
JP2002046059A (ja) 基板研磨装置
KR20080041408A (ko) 화학적 기계적 연마장치 및 방법
WO2000045993A1 (fr) Dispositif de maintien et de polissage de plaquette
US20030027505A1 (en) Multiport polishing fluid delivery system
TWI274368B (en) Platen assembly having a topographically altered platen surface
JP2003173995A (ja) 基板保持装置及びポリッシング装置
US6375550B1 (en) Method and apparatus for enhancing uniformity during polishing of a semiconductor wafer
KR20190129307A (ko) 기판 캐리어 및 그 제어방법
US20050159084A1 (en) Chemical mechanical polishing method and apparatus for controlling material removal profile
JP3902715B2 (ja) ポリッシング装置
JP2022545263A (ja) 化学機械研磨補正ツール
JP3625724B2 (ja) ポリッシング装置
JP3565480B2 (ja) 基板研磨方法および基板研磨装置
JP2000024909A (ja) ポリッシング装置
KR102108298B1 (ko) Cmp 설비의 패드 교체장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110131

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee