TW421618B - Polishing tool having a sealed fluid chamber for support of polishing pad - Google Patents
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^濟部中央梯牟局員工消費合作社印裝 A7 A21618 ______ IP _ 五、發明説明(I ) 背景 發明領1 本發明係關於拋光系統,特別係關於使用流體支承 拋光墊之化學機械拋光系統及方法。 相關技術之説明 半導體處理之化學機械拋光(CMP)由晶圓表面去除最 高點而拋光表面。CMP作業係於未經處理及經部分處理 之晶圓上進行。典型未經處理的晶圓為結晶矽或其他成形 為接近圓形晶圓之半導體材料。典型經處理或經部分處理 之晶圓準備用於拋光時有一介電材料頂層如玻璃,二氧化 矽或氮化矽於一或多層圖樣化層上,其於晶圓表面形成高 度約1微米之局部凹凸特徵。拋光可使局部特徵平滑,故 理想上晶圓表面於成形於晶圓上之模塊區域及大小為平坦 或平面化。目前希望拋光可將晶圓於約1〇毫米χ 毫米 大小區域局部化至約〇. 3微米公差。 習知帶式拋光機包括一帶載有拋光塾,一晶圓載架 頭其丈持晶圓及一支承總成其支承帶部分於晶圓下方。 用於CMP,拋光墊被喷灑以料漿及滑車傳動該帶。載架 頭使晶圓接觸拋光墊,而拋光墊滑動牴住晶圓面。料漿之 化學作用與拋光墊及料漿内粒子對晶圓面之機械作用可由 晶圓表面去除材料。美國專利中請案5,593,344及5,558,568 敘述使用流體靜力流體承托器支承帶之CMp系統。此種 流體靜力流體承托器具有入口及出口用於使流體流動形成 可支承帶及拋光塾之膜。 本紙張尺度適财關家鮮(CNsT^FT2K)X297^ri [ ^ .^Iίτ---- --------1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 421618 Λ7 __—^ m 五、發明説明(2 ) ~~ 為了拋光表面至半導體製程要求的公差,CMP系統 通常嘗試以跨越全晶圓為均句之壓力施加拋光墊於晶圓。 使用流體靜力流體承托器可能造成困難,此種承托器之流 體支承壓力傾向於接近入口處較高而於接近出口處較低。 如此流體承托器承托帶及拋光墊時經常施加非均句壓力, 非均勻塵力可能於抛光過程造成材料之非均勻去除β尋求 可提供均勾拋光之方法及構造。 概述 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 根據本發明,拋光工具使用密封流體腔室附有調節 壓力而支承柔性拋光材料。流體腔室可為靜態或接近靜態 且不含流體流動維持於恆定壓力。如此可防止於流體入口 及出口周圍之壓力較高及較低區。但肢室之壓力場若有所 需可於時間或空間作改變。為了作時間變化,控制電路作 動壓力調節器而改變腔室内壓力。壓力之時間變化造成拋 光材料振動而改良拋光性能。至於空間變化,流體入口與 出口的分布係根據需要較高壓或較低壓之處。各流體出入 口連結至個別壓力調節器及/或流體源,故出入口鄰近的 支承流體壓力依據出入口之壓力決定。撐板或障壁可設置 於出入口俾增加差壓。 本發明之具體例中,腔室内部流體直接接觸載有拋 光墊之移動帶,空穴固定部分與帶間之封可防止或減少由 空穴滲漏。 —型封包括0形環其藉彈簧力'磁力或空氣壓力壓迫 抵住帶。來自空穴外側或來自空穴内側入口的氣流於空穴 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0X297公#〉 421616 Λ7 H? 五、發明説明(3 ) •…— 形成氣囊毗鄰〇形環而防止流體到達◦形環或通過〇形環 滲漏。另-種封係由空氣或氣體承托器形成。空穴之流體 壓力可就時間方面改變而於拋光材料造成變化及增進拋光 性能,或可作空間變化而改變壓力側錄。本發明之具體例 包括-或多個空穴之流體出入口,一或多個壓力調節器及 一控制器其可作動壓力調節器而控制空穴内壓力。 根據本發明之另一方面,一拋光機内部拋光材料之 支承構造係安裝於致動器上,致動器可控制支承構造定向 。抛光期間,待拋光物件例如晶圓可傾斜而造成拋光材料 之類似傾斜。為了減少拋光不均勻’支承結構改變定向而 匹配拋光材料之傾斜。感測器及控制系統可監控拋光材料 之定向及導引致動器據此定位拋光構造β本發明之此一方 面可用於使用密封流體囊支承拋光材料之支承件,或使用 其他器件如流體靜力承托器支承拋光材料之支承件。一特 定具體例,氣體靜力軸承密封流體囊,控制系統作動致動 器而定向支承結構,使氣體靜力承托器妥為發揮功能。本 具體例中,感測器包括壓力感測器其感測由於滲漏出氣體 靜力學承托器之外故密封流體囊内之局部壓力下降。也可 使用可測量支承構造與拋光材料間距之距離感測器。 圖式之簡單說明 第1圖顯示一拋光工具之部分,該拋光工具根據本發 明之具體例包括一密封流體腔室及其支承拋光墊。 第2圖顯示一拋光工具,其根據本發明之具體例包括 具有空間調控壓力之密封流體腔室。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公兹) (請先閱讀背面之注意事項真填寫本K ) ,絮- 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 42I6 18 Λ7 ___Η 7 五'發明説明(4) 第3、4及5圖顯示適合用於第〖及2圖之流體腔室之封 之具體例。 第6及7圖顯示支承結構之具體例,該支承結構可調 節定向而配合抛光材料之定向。 不同圖中使用相同參考編號指示類似或相同物項。 較佳具體例之詳細說明 經濟部中央標準局舅工消費合作社印製 根據本發明之具體例,一附有調節壓力之流體腔室 支承一柔性拋光材料於抛光工具内部。流體腔室之壓力場 可為恆定或作時間或空間改變。第i圓顯示根據本發明之 拋光機’其中載架頭110夾持晶圓120定位牴住柔性拋光材 料130。同在審查中之美國專利申請案名稱,’具有可吹脹囊 帶及拋光攻入角控制之晶圓載架頭,,,代理人擋案編號河-5 1 86 US,敘述適當載架頭藉此合併於此以供參考。柔性 拋光材料130例如包括由厚0.005 u寸至0.060对之不鏽鋼製 成的循環帶’其上方安裝由IC1000,Suba IV,IC1400或 其他相容拋光材料製成的拋光墊。[cl〇〇〇,Suba IV及 扣1400可得自尺0(^1公司。帶寬度依據晶圓12〇尺寸而定。 大致靜態流體可容納於空穴140内部由固定構造142,封144 及柔性拋光材料130部分134作為邊界。流體壓力(典型於〇 至60 psi)可支持部分柔性拋光材料13〇其正位於晶圓12〇下 方且與其接觸。部分134之面積於晶圓120正下方較大》空 穴140内部流體較佳為水,且係ΐί過出入口 146引進空穴140 °出入口 146透過壓力調節器150存取至供給源170。 連結於調節器150之控制器160對空穴140選擇預定壓 I 紙垠尺度適 - 421618 Λ7 H? 五、發明説明(5 ) 力。壓力源170選擇性作動流體源或流體槽,依據空穴14〇 内部流體壓力係低於或高於出入口壓力而定β根據本發明 之一方面’電腦控制器160調節送至調節ίι 150之控制信號 而於時間上改變出入口 146及腔室140之壓力。調節空穴140 之壓力可振動柔性拋光材料130 <例如調控壓力於1 kHz至 1 〇 kHz頻率可誘生拋光材料產生類似頻率的振動。也可使 用超音波振動頻率。此種振動相信可改進拋光性能,但需 避開系統的自然頻率或共振頻率。 第2圖顯示部分拋光系統使用空穴240容納具有空間 調節壓力之流體。空穴240包括多個流體出入口 246及248 其連通至獨立壓力源270及272。控制器160使用個別壓力 調節器250及252控制出入口 270及272之壓力。第2圖僅顯 示兩個出入口 >但其中一出入口 270典型作為流體入口及 另一者作為流體出口。包括多於兩個出入口之具體例中, 出入口之流體流動可有更多變化,但接近入口之壓力傾向 於比接近出口之壓力高。擋板244或障壁可用於出入口 246 與出入口 248間約束流體流及增加流體壓差。控制器160可 維持出入口 246與248間之恆定壓差,或改變壓差而形成時 間上之壓力變化。 輸入壓力之空間壓力變化可解決密封腔室之支承壓 力場變化問題。例如若流體由空穴240洩漏,則入口 246及 248壓力可經調整而補償因洩漏_引起的支承壓差。另外流 體壓力之空間變化可補償非流體支承關聯效應。例如若晶 圓於拋光過程旋轉,則晶圓部分相對於墊之速度隨半徑而 本紙張尺度適用中國國家標準ί CNS > Α4規格(210Χ297公潑) ^^1 ^^^1 ^^^1 H I im 去^. ^^^1 i ^ 1 . *"ί ». (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 4216 is A7 _ n? 五、發明説明(6 ) 改變。具有空間變化壓力側錄之流體囊可補償由於晶圓相 對於帶之速度不同引起的不同去除速率。壓力側錄也可改 變而補償以料漿調理帶之不均勻。特別若拋光速率下降則 可施加更大壓力。此外拋光作用傾向於將墊磨耗成為槽形 ,造成墊中部由晶圓去除材料減慢。墊又於帶上任何位置 具有低點。壓力之空間及/或時間變化可用於低點更強硬 壓迫於帶上使去除速率更均勻及拋光性能改良。此種壓力 變化可繫至反饋迴路’包括感測器其可測量帶性質。同在 審查中之美國專利申請案名稱”原位監測拋光墊磨耗,,,代 理人樓案編號M- 51 8 7 US ’叙述抛光機包括感測器用於測 量拋光墊及控制系統用於改變拋光機操作參數(如帶支架 之壓力側錄),併述於此以供參考。 經濟部中夬標準局貝工消费合作社印聚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 拋光過程中,拋光材料130相對於固定構造142及封 144移動。封144係位於固定構造142與柔性拋光材料130間 之界面,可防止或減少流體由腔室140滲漏。第3圊顯示適 合密封空穴140之封300之具體例。封300包括〇形環320, 〇形環機構包括彈簧330壓迫牴住拋光材料130底侧。多種 替代結構可用於替代〇形環320。例如面封閉唇可施加於 拋光材料130。為了減少摩擦及磨耗,〇形環320可以磁力 流體替代,流體以機械方式約束於拋光材料13 0與固定構 造142間之間隙。 施加0形ί衣3 2 0於抛光材料13 0之替代機構包括加壓汽 缸或油缸或磁鐵。構造310之磁鐵係位於帶130之〇形環320 反惻,磁鐵吸引Ο形環320下方之鐵或磁性材料而壓迫〇形 本紙琅尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210Χ297公垃) 421618 A7 in w. ~ ·· -- - - .一· I ........— 五、發明説明(7 ) 環320牴住拋光材料130。另外〇形環320下方之磁鐵可吸 引構造3 10或拋光材料1 30至鐵或任一種磁性材料。例如帶 式抛光機之帶包括鐵(如不鏽鋼帶)或任何磁性材料,故〇 形環320下方之磁鐵與帶間之交互吸引力可將〇形環32〇壓 迫入拋光材料130内。當使用對帶之磁力吸引力時,則無 需位於拋光材料130之Ο形環320反侧的構造31{^否則構 造310施加反向力以免抛光材料13〇移動遠離〇形環320。 構造310例如為部分載架頭no或具有相對於空穴之固 定位置之獨立構造。 為了改進由Ο形環320提供之封,空氣(或其他氣體)流 340由空穴140外側被導入〇形環320。氣流壓力大於流體 壓力故任何滲漏通過Ο形環320進入空穴140而於她鄰〇形 環320處形成氣囊350。氣囊35〇可防止流體滲漏出空穴14〇 之外。第4圖使用封400,其含有如第3圖封3〇〇之多種相同 元件。封400與封300之差異為包括一進氣口 440於空穴140 内部且毗鄰Ο形環320。通過進氣口 440之進氣流形成氣囊 450其可保持流體於空穴140内部而遠離封32〇 如此任何 滲漏通過0形環320主要為來自氣囊450之氣體,支承抛光 材料13 0於晶圓12 0下方之流體係維持於空穴14 〇内部。若 有所需乱囊350或450之出氣口設置於空穴14〇用於改良氣 囊之壓力調節。 第5圖顯示一封500,其使用氣體靜力承托器來防止 由空穴140參漏。氣體靜力承托器具有可提供接近無摩擦 接觸之優點’不會產生可能干擾拋光的粒子。氣體靜力承 本紙張尺度#用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公浼) ------·----士私------1Τ------卞 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 10 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 Α7 五、發明説明(8 ) 托器包括進氣口 540及544及出氣口 542其係設置於空穴周 邊而進氣口 540最接近支承晶圓120下方之拋光材料的流體 。來自進氣口 540及544之氣體通過出氣口 542流出而介於 固定面530與拋光材料130間形成一層緩衝。至流體入口 540 之氣體壓力係高於空穴140内之流體壓力,故形成氣囊550 且終止或減少流體由空穴140之滲漏。範例具體例中,進 氣口 540及544之壓力約為5至100 psi,出氣口 542之壓力 為約0至-10 psi,表面530與拋光材料130間之間隙為約5至 20微求。 第6圖顯示拋光機600其具有支承結構650其包括氣體 靜力承托器而封閉流體囊140。氣體靜力承托器有若干參 數如礼口大小、氣體流速、氣體墊尺寸及陸地大小係根據 拋光機600之要求選擇。特別待拋光晶圓120之尺寸決定流 體囊140之要求直徑及環繞流體囊140之氣體靜力軸承直徑 。氣體靜力軸承約略匹配固定晶圓120之載架頭11 〇直徑。 氣體靜力料承也需要根據拋光過程施加之壓力選擇挺度及 載荷容量。 流經構造650與帶130間之氣體膜厚度對氣體靜力承 托器/封之工作相當重要。於氣體靜力承托器兩相對側上 之間隙之膜厚度¢5 1及(J 2理想上須相等。於抛光期間帶13 〇 之運動造成摩擦而晶圓120上之剪力造成晶圓120傾斜。如 此引起帶130傾斜而改變膜厚度’ <5 1及5 2。最嚴重情況, 氣體靜力承托器失敗而使移動中之帶130接觸支承構造65〇 。根據本發明之一方面,支承構造650具有安裝座其允許 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公犮) 1 I HJ - - I I -I m I I- _ m I If X» {請先閱讀背面之注意事項再填{?5本頁) 11 421618 Λ7 ———___ ηι 五、發明説明(9) 構造650傾斜而匹配帶13〇之角度,及一控制系統其監控支 承構造650與帶130之相對取向並視需要調整支承構造650 之取向而維持氣體靜力承托器之均勻間隙。此種控制系統 可使用特殊用途硬體及/或一般用途電腦系統執行適當軟 體實現。 第6圖中,支承構造650係安裝於氣墊620及625上其 分別連結至獨立壓力源630及635。壓力感測器610及615可 測量流體囊140之局部壓力,距離氣體靜力承托器及附近 關聯氣墊620及625間之距離相等。若拋光期間帶130傾斜 且改變間隙5 1及<5 2,則來自囊140之流體滲漏於較寬間 隙5 1及(5 2增加,使流體壓力於接近較寬間隙處下降。控 制單元640係連結至壓力感測器6 10及615及連結至氣墊620 及625之壓力源630及635 ’偵知由感測器610及615測得之 壓力差異,且回應於此可增高接近較寬間隙之送至氣墊625 或620之壓力,及/或降低接近較窄間隙送至氣墊62〇或625 之壓力。氣墊620及625之壓力變化造成支承構造650傾斜 至感測器610及615測得相等壓力而指示間隙δ 1或<5 2相同 為止。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
---^---:----^------4r (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁J 概略言之控制氣體靜力承托器之空氣間隙與定向需 要三或三個以上之致動器。第7圖顯示使用六個空氣承托 器720之支座之放大透視圖。空氣承托器720上安裝板740 及750,其有一空穴745用於形成流體囊。於空穴745内部 有八個壓力感測器710。控制電路使用來自壓力感測器71〇 之測量值決定空穴之壓力分布,及使用來自測得之壓力分 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2ΙΟΧ297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 4 ? ] 0 f A A7 H? 一·丨 _ ~ " . .. ' — __ _·. .. 五、發明説明(i〇) ~~ 布測量值視需要加壓氣墊720用於適當作動介於板74〇與接 受支承的拋光材料間形成的氣體靜力承托器。 第ό及7圖之具體例可以多種方式改變而仍配合本發 明《例如任何致動器如壓電轉換器、油缸或電磁閥皆可用 於替代氣塾來控制支承構造之定向。此外,距離感測器其 直接測量支承構造與上方帶間間隙可用於替代或合併空穴 内之壓力感測器。 控制系統使用多次壓力測量而定位支承構造。又雖 然已經使用包括密封流體囊其周圍有氣體靜力承托器之支 座來描述可調整式安裝與反饋控制系統,但本發明之其他 具體例,包括一種支座具有可調整定向的控制系 統而匹配 拋光材料之定向但不含密封流體囊或氣體靜力軸承。例如 此種具體例可使用流艘靜力軸承支承拋光材料而其周圍有 或不含氣體靜力封。美國專利申請案App. Ser. No. UNKNOWN名稱”包括流體靜力流體承托器之拋光系統”, 代理人檔案編號M-5185 US,併述於此以供參考,敘述適 合用於具有可調整定向之支座之流體靜力承托器。也可使 用固定支座承托器。此種具體例中,支座調整其取向而配 合待拋光物件之傾斜程度。如此支座可提供更為均勻的拋 光壓力。 雖然已經參照特定具體例說明本發明,但此說明僅 為舉例說明本案而絕非視為限制性。此處揭示之具體例之 多種特點的調整與组合皆屬於如隨附之申請專利範圍界定 之本發明之範圍。 本紙張尺度適用中国辭標準(CNS ) Α4規格(21〇>< 297公楚) 13 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *π 421618 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 Η*? 五、發明説明(η ) 元件標號對照 110 載架頭 120 晶圓 130 柔性拋光材料 140 空穴 142 固定構造 144 封 134 部分 146 出入口 150 壓力調節器 170 壓力源 160 控制器 240 空穴 244 擋板 246-8 出入口 150-2 壓力調節器 270-2 壓力源 300 封 320 〇形環 130 拋光材料,帶 310 構造 330 彈簧 340 氣體流 350 氣囊 400 封 440 進氣口 450 氣囊 500 封 530 表面 540,544 進氣口 542 出氣口 550 氣囊 600 抛光機 650 支承構造 140 流體囊 610-5 壓力感測器 620-5 氣墊 630-5 壓力源 640 控制單元 710 壓力感測器 720 空氣承托器 740-50 板 745 空穴 ---Γ--.-----装------訂-------t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公t } 14
Claims (1)
- 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 卟〜4216 μ __________D8 六、申請專利範圍 ^ 一種拋光工具之支架,其包含: 一柔性拋光材料; 一支承構造其包括一凹部設置於毗鄰柔性材料; 一封環繞該凹部,封係由支承構造延伸至柔性抛 光材料;及 流體包封於由凹部、封及部分柔性拋光材料所界 限之空穴内部,其中流體壓力支承拋光材料。 2.如申請專利範圍第丨項之支架,其中該流體大致為靜 態》 3·如申請專利範圍第丨項之支架,其中該封包含—〇形 環其套於該空穴周圍。 4. 如申請專利範園第3項之支架,其中該封進_步包含 一乳囊於空穴内部及Β比鄰〇形環,其中該氣囊可避免 流體滲出0形環之外。 5. 如申請專利範圍第4項之支架,其進一步包含一進氣 口於空穴内部及毗鄰〇形環,其中該氣囊之氣體係透 過進氣口引進。 匕如申請專利範圍帛4項之支架,其進—步包含氣體源 由空穴外侧朝向0形環流動,其中氣囊内部氣體係由 氣流透過滲漏超過〇形環而引進。 7·如申請專利範圍第1項之支架,其進一步包含一彈黃 機構其可壓迫〇形環牴住柔性拋光材料。。 8.如申請專利範圍第〗項之支架,其進一步包含一磁鐵 本紙张國國家標 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 r I 15 421618 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其可藉磁力壓迫o形環牴住柔性拋光材料》 9_如申請專利範圍第8項之支架,其中該柔性拋光材料 含有鐵’及磁鐵藉由磁鐵與柔性拋光材料間之吸引力 藉磁力壓迫〇形環牴住柔性拋光材料》 10. 如申請專利範圍第1項之支架,其進一步包含: 一流體供給源; 一空穴之流體出入α; —壓力調節器耦合至流體供給源及出入口;及 一控制器耦合至壓力調節器,其中該控制器作動 壓力調節器而改變空穴内之流體壓力。 11. 如申請專利範圍第1〇項之支架,其進一步包含: 複數至空穴之流體出入口;及 複數壓力調節器,各壓力調節器係耦合至相關出 入α 〇 12‘如申請專利範圍第1項之支架’其中該封包含氣體靜 力承托器。 13. 如申請專利範圍第α項之支架,其進一步包含可調整 式安裝座其允許支承構造傾斜而匹配拋光材料之定 向〇 14. 如申請專利範圍第13項之支架,其進一步包含: 感測器其係測量拋光材料與支承構造間之相對取 向; 致動器其可調整支承構造之方向;及 家標準(CNS ) Α4胁(21GX297公釐) ---Γ-------^装------訂 (請先聞讀背面之注^^項再填寫本萸) 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 16 42ί618 A8 B8 C8 D8 請專利範圍 is. 一控制系統相合至感測器及致動器。 種於拋光機内用於拋光材料之支架,其包含: 一支承構造; 感測器其可測量拋光材料與支承構造之相對取 向; 致動器可調整支承構造之方向;及 一控制系統耦合至感測器气致動器,其中該控制 系統可作動致動器而保持支定向用於抱光。 16·如申請專利範圍第15項之支^包含: 1 一空穴用於容納密封流體囊其可支承拋光材料; 及 ’其中該支承構造 ---τ------^------1T (讀先聞讀背面之注項再填寫本頁) 氣體靜力承托器其包園該空穴且設置蛾鄰拋光 材料 經濟部f央標隼局員工消費合作杜印製 7 ·如申清專利範圍第16項之支造’其中該感測器包 含壓力感測器設置於空穴内用以測量流體囊内之局部 fT> 、 壓力。 iy 1 18.如申請專利範圍第16項之支纖 ’其中該感測器包 含距離感測器設置用於測量跨承構造與拋光材料 間之間隙距離° 19_如申請專利範圍第15項之支承4I’其中該支承構造 包含流體靜力承托器其可支承, 20.如申請專利範圍第19項之支承 細料 其中該感測器包 本紙張尺度逋用中囤國家標準(CNS ) A4规格(210 X 297公釐) 17 421618 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印策 k、申請專利範圍 含距離感測器設置用於測量跨越支承構造與拋光材料 間之間隙距離。 21.—種拋光物件之方法,其包含: 將物件設置成接觸拋光材料; 使用具有複數出入口之密封流體囊支承拋光材 料; 於第一壓力施加流體於第一出入口,及於第二麼 力施加流體於第二出入口,其中出入口之壓力係控制 流體囊之支承壓力側錄(profile);及 當流體囊支承拋光材料時移動拋光材料相對於物 件。 22.如申請專利範圍第21項之方法,其中該壓力側錄於材 料由物件之去除速率於拋光過程可能較低處提供較高 壓力。 23·如申請專利範圍第22項之方法,其中該支承壓力側錄 於拋光材料之低點提供較高壓力。 24.如申請專利範圍第22項之方法,其中該支承壓力侧錄 於拋光材料與物件間之相對速度減低區域下方提供較 高壓力。 25.如申請專利範圍第21項之方法,其中該物件為晶圓。 本紙張尺度適用中國國家標隼< CNS ) A4現格(公釐) 18 I n n*n - n I - - <!1 - ml· τ "*τ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/964,774 US5980368A (en) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | Polishing tool having a sealed fluid chamber for support of polishing pad |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW421618B true TW421618B (en) | 2001-02-11 |
Family
ID=25508978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087118379A TW421618B (en) | 1997-11-05 | 1998-12-17 | Polishing tool having a sealed fluid chamber for support of polishing pad |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5980368A (zh) |
EP (1) | EP0920956A3 (zh) |
JP (1) | JPH11198027A (zh) |
KR (1) | KR19990045019A (zh) |
TW (1) | TW421618B (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |