JP5185958B2 - 研磨ヘッド - Google Patents
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Description
図6は本発明の第1の参考例を示す。これは保持リング(PR)及びサブキャリヤ(SC)の圧力容器を有する2室設計である。第1の参考例では、ウェハサブキャリヤ160は備えられているが、ウェハサブキャリヤは、従来の研磨ヘッド設計及び組立のように、実際には(半導体ウェハのような)基板113を支持あるいは保持あるいは載置することはない。研磨ヘッドのサブキャリヤの下面164は、研磨される面113に接触するように取付られた環状端面シール302を有する。環状端面シール302はサブキャリヤの外部周縁部304近傍に載置されるが、ウェハの裏面308とサブキャリヤの下部面164との間に挿入することを意図されているので、外部周縁部306である必要はない(サブキャリヤ下部面164は研磨作業中に研磨パッド135に面する面であることに留意されたい)。
図7は本発明の第2の参考例を示す。この代替参考例では、面シール402が図6の参考例と比較して変更し、同じ源の又は異なる源の圧縮流体からの同じ又は異なる圧力を受ける膨張式の内部管の形で別な面シール圧力室403を提供している。面シール圧力室は外部に対して閉じた室又は開放した室なので、液体又は気体を圧力源として使用してもよい。以下に記載するような理由で、各圧力室403,414での圧力を制御することが望ましいので、通常、面シール圧力室403は裏側圧力室414とは異なる圧縮流体源に結合される。
図8はダイアフラムが保持リングから基板(ウェハ)を支持する本発明の第3の参考例を示している。この第3の参考例では、(図6のサブキャリヤ160のような)従来型のサブキャリヤを完全に排除して、背面ダイアフラム又は裏側メンブレン505をサブキャリヤに代えて取付け、半導体ウェハ又は他の基板113を支持する。この参考例は好適な参考例の場合のように可動又は浮動保持リング166と共に組み立てることが好都合であり、ウェハ裏面ダイアフラム505は保持リング166の内側円筒型面510に直接取り付ける。第3の参考例では、背面ダイアフラム505は円形形状を有し、保持リング166の内側円筒型面510から延びて保持リングにつながっており、半導体ウェハ又は他の基板113を受けるポケット512を形成する。研磨中は研磨パッド135と半導体ウェハ113のおもて面とに接触する保持リング166の面は研磨中同一平面または実質的同一平面であることが望ましいので、、保持リングによって形成されたポケット512の深さと、ダイアフラムの裏面と、実質的に同一平面になるように調整されたウェハとは実質的に同一平面になるように調整される。通常、ウェハ又は他の基板の厚さにいくらかばらつきが入ることが予想されるところでは、又は、保持リングの接触面の長期の摩耗を説明するために、ポケット512はウェハ113のわずかな厚さよりいくらか深いべきである。というのは、ウェハ背面ダイアフラム505の弾性と背面ダイアフラムの内側面515に対して付与しかつウェハの裏側に背面ダイアフラム材料を介して連通された背面ダイアフラム圧力とは、ウェハ厚さの範囲を収容するのに十分だからである。
図9は本発明の第4の参考例を示している。本発明の第4の参考例では、背面ダイアフラムの構造及び発明の概念は、背面ダイアフラムの物理的構造がいかなる非一様の研磨効果又は圧力プロファイル異常を発生することを排除するために変更されている。この参考例では、保持リング166から径方向内側へ短い距離だけ延びたオープンダイアフラム540を用いている。簡単に言うと、前の参考例の円形背面ダイアフラム505が、ウェハの裏面の外側周縁径方向部を押圧するときに裏面圧力室522をシールする完全環状背面端ダイアフラム540によって置換されている。
図10は本発明の第5の参考例を示している。本参考例では、ウェハ113は、保持リングで支持された弾性気圧式環状密閉ブラダ、好ましくは管状ブラダ又は内管によって保持されている。ウェハ研磨ヘッドは、内側円筒面を有しかつ研磨されるウェハを保持するような寸法に形成された内部円筒型ポケット552を規定するものであって、ウェハが研磨パッドに対して動く際にそのウェハの研磨ヘッドに対する相対運動を面方向で制限する保持リング166を含んでいる。その相対運動は、取り付けられたウェハを有するヘッドの回転運動でも研磨パッドの独立した回転運動でもよい。回転パッドの反対側に回転ヘッドのリニアモーターを用いてもよい。
図11は本発明の第6の参考例を示している。図10の参考例に対して基板の周縁で圧縮流体(あるいは油圧)を制御する分離圧力室を備えた弾性気圧式環状密閉ブラダ550を有する構造及びその動作を説明するために、弾性気圧式環状密閉ブラダが弾性リップシール570で置換した代替の参考例の説明に注意を向けたい。この参考例では、より簡単でかつより廉価な設計のために、ウェハの端部に制御可能でかつ調整可能な圧力を供給する図10の参考例の分離室556を除外している。
図12は、本発明の第1の実施形態を示している。この第1の実施形態では、周縁部に単一の弾性気圧式環状密閉ブラダを有する図10の参考例の概念、構造、及び方法を拡張して、ウェハ113の裏側に多圧力室構造を備えている。この第1の実施形態では、研磨ヘッドの下部で支持された、複数の環状又は円状の圧縮流体ブラダ580−1,580−2,580−3によって、ウェハが保持されている。それらは、ウェハキャリヤ又はサブキャリヤの方法で保持リング166の開口を跨いで延びた円状ブラダ取付板581によって保持リングから支持され又は吊られているのが効果的である;しかしながら、ウェハはウェハキャリヤ又はサブキャリヤに接触しないのでウェハキャリヤ又はサブキャリヤ類似は完全には正確ではなく、円状ブラダ取付板581は本発明の好適な実施形態では保持リング166と共に可動である。
図13は本発明の第2の実施形態を示している。複数の弾性圧力ブラダとブラダ間室を用いたウェハの裏面上に独立に複数の圧力室を備える本発明の概念は、先述の弾性面シール又は弾性リップ型シールを利用した構造に変形及び拡張してもよい。
図10,図11,図12及び図13に示した本発明の参考例及び実施形態は、“挿入体のないヘッド”として引用して、特別な研磨ヘッドキャリヤアセンブリに関連して記載した。この特別なキャリヤアセンブリは先述の本発明の参考例及び実施形態を実施する際に必要はとされないが、先述の参考例及び実施形態においてそれを用いることは好ましく、従って、ここでいくらか詳細に開示する。さらに詳細には、図14では、特に200mm直径ウェハに適した挿入体なしのヘッドの参考例及び実施形態の分解組立図を示すが、300mm直径ウェハを含む他のサイズに対して適用可能な変形も伴っている。図15は、挿入体のないヘッドの参考例及び実施形態の上部ハウジングの構成を示す図である。図16は回転ダイアフラムの構成を示す図である。図17はアダプター保持リングオープンダイアフラムの構成を示す図である。図18は保持リングの構成を示す図である。図19は保持リングオープンダイアフラムの構成を示す図である。図20はクイックリリースアダプターの構成を示す図である。図21は内部ハウジングの構成を示す図である。図22は真空プレートの構成を示す図である。図23は典型的な206mm外径シールアセンブリの構成を示す図である。これらの図はヘッドアセンブリに関連した本発明の構造及び方法の内容を示すために提供したものであって、当業者には容易に理解されるものなので、ここではこれ以上詳細には説明しない。
166 保持リング
550 弾性気圧式環状密閉ブラダ
554 ウェハ連結停止版
556 第1の気圧ゾーン
557 周端部
558 第2の気圧ゾーン
559 研磨ヘッド
562 第1の面
Claims (4)
- 研磨パッド上の基板を研磨する研磨ヘッドであって、
上部ハウジング部を含むハウジングと、
内側円筒面を有し、かつ前記基板を保持するような寸法に形成された内部円筒型ポケットを規定して前記基板が前記研磨パッドによって研磨されている間前記研磨パッドに対する前記基板の動きを制限する保持リングと、
前記保持リングの内側円筒面に位置し、第1の気圧ゾーンを規定する第1の圧力室と、
半径方向で前記第1の気圧ゾーンの内側に第2の気圧ゾーンを規定する第2の圧力室と、
前記第1の圧力室と前記第2の圧力室の間に配置され、前記基板の裏側に押圧力を付与する少なくとも一つの圧力室と、を備え、
前記保持リングにより前記研磨パッドに付与する圧力は、前記保持リング上部の空間の流体圧力により制御可能とされ、
かつ前記第1の圧力室を構成するブラダ、前記第2の圧力室を構成するブラダ、及び前記第1の圧力室を構成するブラダ及び前記第2の圧力室を構成するブラダの間に前記第1、第2の圧力室を構成するブラダの弾性を有する壁で形成される圧力室は、同心円状に仕切って形成されるとともに基板全体を押圧可能な配置とされ、それぞれの前記圧力室の圧力は、独立に制御可能とされていることを特徴とする研磨ヘッド。 - 前記第1の圧力室と前記第2の圧力室の間に第3の圧力室を配置し、
前記第2の圧力室を構成するブラダと前記第3の圧力室を構成するブラダの間に前記第2、第3の圧力室を構成するブラダの弾性を有する壁による第4の圧力室を形成するとともに、前記第1の圧力室を構成するブラダと前記第3の圧力室を構成するブラダの間に前記第1、第3の圧力室を構成するブラダの弾性を有する壁による第5の圧力室を形成し、前記第1から第5の圧力室の圧力は、それぞれ独立に制御可能とされていることを特徴とする請求項1に記載の研磨ヘッド。 - 前記圧力室の少なくとも1つは、前記基板をローディング及びアンローディングする間に、真空を付与して形成した真空吸引力により、前記基板を保持することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨ヘッド。
- 前記真空吸引力により基板を保持する際に、前記基板が過度に曲げられることを防止するためのウェハ連結停止板を有することを特徴とする請求項3に記載の研磨ヘッド。
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Families Citing this family (71)
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US6336845B1 (en) | 1997-11-12 | 2002-01-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
US6368189B1 (en) * | 1999-03-03 | 2002-04-09 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure |
US6673216B2 (en) * | 1999-08-31 | 2004-01-06 | Semitool, Inc. | Apparatus for providing electrical and fluid communication to a rotating microelectronic workpiece during electrochemical processing |
TW477733B (en) * | 1999-12-17 | 2002-03-01 | Fujikoshi Machinery Corp | Abrasive machine |
CN1319130C (zh) * | 1999-12-24 | 2007-05-30 | 株式会社荏原制作所 | 半导体基片处理装置及处理方法 |
KR100349216B1 (ko) * | 2000-04-19 | 2002-08-14 | 삼성전자 주식회사 | 화학적 기계적 연마장치의 연마헤드 |
US6354928B1 (en) * | 2000-04-21 | 2002-03-12 | Agere Systems Guardian Corp. | Polishing apparatus with carrier ring and carrier head employing like polarities |
WO2001084621A1 (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Ebara Corporation | Rotation holding device and semiconductor substrate processing device |
US6486550B1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-11-26 | Lam Research Corporation | Locking mechanism for detachably securing a wafer carrier to a conveyor |
US6567718B1 (en) * | 2000-07-28 | 2003-05-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring consumable performance |
US6544033B1 (en) * | 2000-09-08 | 2003-04-08 | Applied Materials, Inc. | Wafer carrier |
EP1193031A1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-03 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement for polishing disk-like objects |
JP3768399B2 (ja) * | 2000-11-17 | 2006-04-19 | 株式会社荏原製作所 | ドレッシング装置及びポリッシング装置 |
US6537141B1 (en) * | 2001-01-30 | 2003-03-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Non-slip polisher head backing film |
JP2002239895A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 研磨用保持部材、研磨方法および研磨装置 |
US20020135395A1 (en) * | 2001-02-08 | 2002-09-26 | Pete Smith | System and method for testing a display device |
US6582277B2 (en) * | 2001-05-01 | 2003-06-24 | Speedfam-Ipec Corporation | Method for controlling a process in a multi-zonal apparatus |
JP4372423B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2009-11-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
US6893327B2 (en) * | 2001-06-04 | 2005-05-17 | Multi Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface |
KR100470227B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2005-02-05 | 두산디앤디 주식회사 | 화학기계적 연마장치의 캐리어 헤드 |
TW505967B (en) * | 2001-10-11 | 2002-10-11 | Macronix Int Co Ltd | Wafer carrier structure of chemical mechanical polishing device |
US6746313B1 (en) | 2001-10-24 | 2004-06-08 | Lam Research Corporation | Polishing head assembly in an apparatus for chemical mechanical planarization |
DE10208414B4 (de) * | 2002-02-27 | 2013-01-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Vorrichtung mit einem verbesserten Polierkissenaufbereiter für das chemisch mechanische Polieren |
FR2838365B1 (fr) * | 2002-04-11 | 2004-12-10 | Soitec Silicon On Insulator | Machine de polissage mecanico-chimique d'une plaquette de materiau et dispositif de distribution d'abrasif equipant une telle machine |
US20070062647A1 (en) * | 2005-09-19 | 2007-03-22 | Bailey Joel B | Method and apparatus for isolative substrate edge area processing |
US7316602B2 (en) * | 2002-05-23 | 2008-01-08 | Novellus Systems, Inc. | Constant low force wafer carrier for electrochemical mechanical processing and chemical mechanical polishing |
US20070010169A1 (en) * | 2002-09-25 | 2007-01-11 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad with window for planarization |
WO2004028744A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad with window for planarization |
CN100400236C (zh) * | 2002-09-27 | 2008-07-09 | 小松电子金属股份有限公司 | 一种研磨装置和晶片制造方法 |
US20060180486A1 (en) * | 2003-04-21 | 2006-08-17 | Bennett David W | Modular panel and storage system for flat items such as media discs and holders therefor |
DE10332624A1 (de) * | 2003-07-17 | 2005-02-24 | Siltronic Ag | Verrundete Retainerringe |
US6869348B1 (en) | 2003-10-07 | 2005-03-22 | Strasbaugh | Retaining ring for wafer carriers |
US7063604B2 (en) * | 2004-03-05 | 2006-06-20 | Strasbaugh | Independent edge control for CMP carriers |
JP2006079800A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-03-23 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体用シリコン基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体 |
JP2006114198A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体用シリコン基板及び磁気記録媒体 |
CN101934491B (zh) * | 2004-11-01 | 2012-07-25 | 株式会社荏原制作所 | 抛光设备 |
KR100579865B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2006-05-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학기계적 연마장치 |
JP4756884B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2011-08-24 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハ用の研磨ヘッド及び研磨装置並びに研磨方法 |
JP4814677B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-11-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置および研磨装置 |
US7597609B2 (en) * | 2006-10-12 | 2009-10-06 | Iv Technologies Co., Ltd. | Substrate retaining ring for CMP |
US8381329B2 (en) * | 2006-10-24 | 2013-02-26 | Bradley Fixtures Corporation | Capacitive sensing for washroom fixture |
DE102006062017A1 (de) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Haltering für ein chemisch-mechanisches Poliergerät |
KR100814069B1 (ko) | 2007-03-30 | 2008-03-17 | 티아이씨덕흥 주식회사 | 에어백 방식의 웨이퍼 폴리싱 헤드 |
JP5199691B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2013-05-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
CN101585150B (zh) * | 2008-05-20 | 2012-06-20 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 治具辅助定位装置 |
US20090311945A1 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-17 | Roland Strasser | Planarization System |
US8639377B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-01-28 | Applied Materials, Inc. | Metrology for GST film thickness and phase |
US8989890B2 (en) | 2008-11-07 | 2015-03-24 | Applied Materials, Inc. | GST film thickness monitoring |
KR101110268B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2012-02-16 | 삼성전자주식회사 | 로터리 유니온을 구동하는 공압 공급관의 꼬임을 방지하는 화학 기계식 연마시스템 |
KR101839453B1 (ko) * | 2011-08-02 | 2018-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 디스플레이 장치의 제조 장비 및 제조 방법 |
US20130196572A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | Sen-Hou Ko | Conditioning a pad in a cleaning module |
JP5807580B2 (ja) * | 2012-02-15 | 2015-11-10 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
US8920103B2 (en) * | 2012-05-10 | 2014-12-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Multi-cell rotary end effector mechanism with slip ring |
US9876129B2 (en) * | 2012-05-10 | 2018-01-23 | International Business Machines Corporation | Cone-shaped holes for high efficiency thin film solar cells |
JP2014223684A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 株式会社東芝 | 研磨装置および研磨方法 |
US9321143B2 (en) | 2013-10-08 | 2016-04-26 | Seagate Technology Llc | Lapping device with lapping control feature and method |
JP2015188955A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
KR20140092273A (ko) * | 2014-05-30 | 2014-07-23 | 원종수 | 고강도 합금을 포함하는 씨엠피 장치의 연마헤드 |
JP6398939B2 (ja) * | 2015-10-07 | 2018-10-03 | 信越半導体株式会社 | テンプレートの測定方法及び評価方法 |
JP6447472B2 (ja) | 2015-11-26 | 2019-01-09 | 株式会社Sumco | ウェーハ研磨方法 |
US11267099B2 (en) * | 2017-09-27 | 2022-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemical mechanical planarization membrane |
WO2019070757A1 (en) * | 2017-10-04 | 2019-04-11 | Applied Materials, Inc. | RING RING DESIGN |
JP6917966B2 (ja) * | 2017-10-25 | 2021-08-11 | 株式会社荏原製作所 | 弾性膜のストレッチ動作プログラム、弾性膜のストレッチ動作方法、および研磨装置 |
JP7219009B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2023-02-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置およびドライブリングの製造方法 |
CN109551365B (zh) * | 2019-01-15 | 2023-12-08 | 合肥哈工普利世智能装备有限公司 | 等离子抛光夹持组件、等离子抛光机及其抛光方法 |
US11705354B2 (en) | 2020-07-10 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate handling systems |
CN114734338B (zh) * | 2022-04-07 | 2023-01-10 | 江阴市恒润传动科技有限公司 | 一种双向运动式快速作业的主轴轴承打磨设备 |
US20230381915A1 (en) * | 2022-05-27 | 2023-11-30 | Applied Materials, Inc. | Operation of clamping retainer for chemical mechanical polishing |
CN115401587B (zh) * | 2022-09-28 | 2023-06-27 | 浙江芯晖装备技术有限公司 | 一种抛光头及半导体晶圆平坦化设备 |
CN117884989A (zh) * | 2024-03-12 | 2024-04-16 | 成都洁立众泰科技有限公司 | 一种自动化上下料数控工具磨床及加工方法 |
CN118417958B (zh) * | 2024-07-01 | 2024-09-20 | 四川欧瑞特光电科技有限公司 | 一种浮动式圆锥镜的古典抛光装置及抛光方法 |
Family Cites Families (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR557656A (fr) | 1922-10-20 | 1923-08-13 | Procédé et dispositif pour le nettoyage des filtres à sable de grande surface | |
US3579916A (en) | 1968-11-15 | 1971-05-25 | Speedfam Corp | Polishing machine |
US3631634A (en) | 1970-01-26 | 1972-01-04 | John L Weber | Polishing machine |
US3841028A (en) | 1972-08-24 | 1974-10-15 | Crane Packing Co | Apparatus for handling workpieces to be polished |
JPS5911423B2 (ja) | 1974-04-10 | 1984-03-15 | 株式会社日立製作所 | ラツピング装置 |
US4081928A (en) | 1974-05-16 | 1978-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Silicon slice carrier block and plug assembly |
JPS5943051B2 (ja) | 1977-10-26 | 1984-10-19 | 日本原子力研究所 | プラスチツクス表面処理剤 |
DE2809274A1 (de) | 1978-03-03 | 1979-09-13 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur vergleichmaessigung des polierabtrages von scheiben beim polieren |
US4519168A (en) | 1979-09-18 | 1985-05-28 | Speedfam Corporation | Liquid waxless fixturing of microsize wafers |
US4316757A (en) | 1980-03-03 | 1982-02-23 | Monsanto Company | Method and apparatus for wax mounting of thin wafers for polishing |
JPS56146667A (en) | 1980-04-18 | 1981-11-14 | Hitachi Ltd | Mirror surface grinder |
JPS5919671A (ja) | 1982-07-22 | 1984-02-01 | Disco Abrasive Sys Ltd | ポリツシング装置 |
JPS60129522A (ja) | 1983-12-15 | 1985-07-10 | Shimizu Constr Co Ltd | スタツクレイン防止装置 |
JPS61193781A (ja) | 1985-02-20 | 1986-08-28 | Akira Hina | 溶接h形鋼もしくはt形鋼自動製作機 |
US4680893A (en) | 1985-09-23 | 1987-07-21 | Motorola, Inc. | Apparatus for polishing semiconductor wafers |
JPH0775825B2 (ja) | 1986-01-07 | 1995-08-16 | 東芝機械株式会社 | 片面研磨装置 |
US4918870A (en) | 1986-05-16 | 1990-04-24 | Siltec Corporation | Floating subcarriers for wafer polishing apparatus |
JP2552306B2 (ja) | 1987-09-30 | 1996-11-13 | 東芝機械株式会社 | 片面研磨装置 |
US4918869A (en) | 1987-10-28 | 1990-04-24 | Fujikoshi Machinery Corporation | Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor |
JPH02503174A (ja) | 1988-02-17 | 1990-10-04 | グルジンスキイ ポリテフニチエスキイ インスチトウト イメニ ヴイ・アイ・レーニナ | 工作片表面の研摩方法と該方法を実施するためのジグ |
JPH01216768A (ja) | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Showa Denko Kk | 半導体基板の研磨方法及びその装置 |
US4954142A (en) | 1989-03-07 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
US5205082A (en) | 1991-12-20 | 1993-04-27 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head having floating retainer ring |
US5443416A (en) | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
JP3311116B2 (ja) * | 1993-10-28 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
US5624299A (en) | 1993-12-27 | 1997-04-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use |
US5820448A (en) * | 1993-12-27 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system |
US5643053A (en) | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
US5582534A (en) | 1993-12-27 | 1996-12-10 | Applied Materials, Inc. | Orbital chemical mechanical polishing apparatus and method |
US5651724A (en) | 1994-09-08 | 1997-07-29 | Ebara Corporation | Method and apparatus for polishing workpiece |
JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
JPH08281553A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-10-29 | Nippon Steel Corp | 半導体ウェーハ鏡面研磨方法及び装置 |
US5775983A (en) | 1995-05-01 | 1998-07-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for conditioning a chemical mechanical polishing pad |
US6024630A (en) * | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
US5681215A (en) | 1995-10-27 | 1997-10-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus |
US5738574A (en) | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
JP3129172B2 (ja) | 1995-11-14 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 研磨装置及び研磨方法 |
ATE228915T1 (de) * | 1996-01-24 | 2002-12-15 | Lam Res Corp | Halbleiterscheiben-polierkopf |
JPH09225819A (ja) | 1996-02-21 | 1997-09-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 被加工物の保持機構 |
US5679065A (en) * | 1996-02-23 | 1997-10-21 | Micron Technology, Inc. | Wafer carrier having carrier ring adapted for uniform chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
JP3106418B2 (ja) | 1996-07-30 | 2000-11-06 | 株式会社東京精密 | 研磨装置 |
US6183354B1 (en) * | 1996-11-08 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
US5941758A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-24 | Intel Corporation | Method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
DE19651761A1 (de) * | 1996-12-12 | 1998-06-18 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben |
US6019670A (en) * | 1997-03-10 | 2000-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for conditioning a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
US5857899A (en) | 1997-04-04 | 1999-01-12 | Ontrak Systems, Inc. | Wafer polishing head with pad dressing element |
US6110025A (en) * | 1997-05-07 | 2000-08-29 | Obsidian, Inc. | Containment ring for substrate carrier apparatus |
EP0881039B1 (en) | 1997-05-28 | 2003-04-16 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Wafer polishing apparatus with retainer ring |
DE19755975A1 (de) * | 1997-12-16 | 1999-06-17 | Wolters Peter Werkzeugmasch | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer |
US6116992A (en) * | 1997-12-30 | 2000-09-12 | Applied Materials, Inc. | Substrate retaining ring |
US6113480A (en) * | 1998-06-02 | 2000-09-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus for polishing semiconductor wafers and method of testing same |
US6093089A (en) * | 1999-01-25 | 2000-07-25 | United Microelectronics Corp. | Apparatus for controlling uniformity of polished material |
US6077151A (en) * | 1999-05-17 | 2000-06-20 | Vlsi Technology, Inc. | Temperature control carrier head for chemical mechanical polishing process |
-
1999
- 1999-03-03 US US09/261,112 patent/US6231428B1/en not_active Expired - Lifetime
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