JPS5911423B2 - ラツピング装置 - Google Patents
ラツピング装置Info
- Publication number
- JPS5911423B2 JPS5911423B2 JP49039993A JP3999374A JPS5911423B2 JP S5911423 B2 JPS5911423 B2 JP S5911423B2 JP 49039993 A JP49039993 A JP 49039993A JP 3999374 A JP3999374 A JP 3999374A JP S5911423 B2 JPS5911423 B2 JP S5911423B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holder
- polishing
- back surface
- positioning body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はラッピング装置に関し、主として半導体ウェハ
用ラッピング装置を対象とする。
用ラッピング装置を対象とする。
半導体ウェハのラッピング方法として特公昭４８−１４
１４６公報に記載された方法がある。
１４６公報に記載された方法がある。
この方法においてはステンレス乃至合成樹脂からなる円
板の裏面に窓部を有する薄板を接着しておき、その薄板
の窓部内に半導体ウェハを挿入して水あるいはラッピン
グオイルの表面張力により円５ 板の裏面にウェハを密
着保持させている。しかし、この方法により円板に保持
されたウェハに対しラッピングを行うと、薄板と研磨盤
との間に隙間があるため、回転研磨盤から摩擦抵抗力を
受けるウェハを薄板によつて充分に支えきれず、１０ウ
ェハ所定位置から離脱して飛び出すことがあつた。この
ような事故があるとそのウェハが欠けるだけでなく、欠
けが大量に発生し、他のウェハにキズをつける等の悪影
響を及ぼすことになつた。本発明はかかる問題を解決す
るためになされた１５もので、その目的はラッピング中
にウェハが所定の位置から離脱することを防止し、ウェ
ハの不良をなくすことにある。上記目的を達成するため
の本発明の要旨は、ウェハ保持体と、その保持面たる裏
面に向い合うよ２０うに設けられた研磨盤とを有し、上
記ウェハ保持体の裏面と研磨盤との間にウェハを挾んだ
状態で上記ウェハを研磨盤により研磨するラッピング装
置において、上記ウェハ保持体の裏面には部分的に溝が
設けられ上記溝内には弾性体を介してウエ２５ ハ位置
決め体が埋め込まれかつ上記ウェハ位置決め体の一部は
上記ウェハ保持体の裏面から突出してなることを特徴と
するラッピング装置にある。
板の裏面に窓部を有する薄板を接着しておき、その薄板
の窓部内に半導体ウェハを挿入して水あるいはラッピン
グオイルの表面張力により円５ 板の裏面にウェハを密
着保持させている。しかし、この方法により円板に保持
されたウェハに対しラッピングを行うと、薄板と研磨盤
との間に隙間があるため、回転研磨盤から摩擦抵抗力を
受けるウェハを薄板によつて充分に支えきれず、１０ウ
ェハ所定位置から離脱して飛び出すことがあつた。この
ような事故があるとそのウェハが欠けるだけでなく、欠
けが大量に発生し、他のウェハにキズをつける等の悪影
響を及ぼすことになつた。本発明はかかる問題を解決す
るためになされた１５もので、その目的はラッピング中
にウェハが所定の位置から離脱することを防止し、ウェ
ハの不良をなくすことにある。上記目的を達成するため
の本発明の要旨は、ウェハ保持体と、その保持面たる裏
面に向い合うよ２０うに設けられた研磨盤とを有し、上
記ウェハ保持体の裏面と研磨盤との間にウェハを挾んだ
状態で上記ウェハを研磨盤により研磨するラッピング装
置において、上記ウェハ保持体の裏面には部分的に溝が
設けられ上記溝内には弾性体を介してウエ２５ ハ位置
決め体が埋め込まれかつ上記ウェハ位置決め体の一部は
上記ウェハ保持体の裏面から突出してなることを特徴と
するラッピング装置にある。
以下本発明を実施例により説明する。第１図は本発明の
一実施例を示す要部断面図で３０ある。
一実施例を示す要部断面図で３０ある。
１は回転研磨盤、２は研磨盤表面に接着されたパラ（研
磨布）、３は研磨される半導体ウェハ、４は半導体ウェ
ハを保持する円板状保持体、５は保持体４裏面部のウェ
ハ保持部に形成されたパラ３５ であり、ウェハの動き
を制限することによりウェハ３と保持体４との相対運動
が生じにくいようにするために介在させたものである。
磨布）、３は研磨される半導体ウェハ、４は半導体ウェ
ハを保持する円板状保持体、５は保持体４裏面部のウェ
ハ保持部に形成されたパラ３５ であり、ウェハの動き
を制限することによりウェハ３と保持体４との相対運動
が生じにくいようにするために介在させたものである。
すなわち、一般にウエハ保持体とウエハとの相対運動を
制限するため上記保持体裏面を適度の弾性を持つた状態
とすることが望ましいが、例えばラバ一等を用いた場合
に比ベバフを用いた方がウエハの研磨された面の平坦度
が良くなることを実験の結果見い出したため本実施例に
おいてはハブを用いることにしたものである。６は保持
体４の裏面部に形成された溝部、７は溝部６に嵌め込ま
れたウエハ位置決め体、８は溝部６の底面とウエハ位置
決め体７との間に介在するつるまきばね、９は位置決め
体７の落下を防止するためのストツパである。
制限するため上記保持体裏面を適度の弾性を持つた状態
とすることが望ましいが、例えばラバ一等を用いた場合
に比ベバフを用いた方がウエハの研磨された面の平坦度
が良くなることを実験の結果見い出したため本実施例に
おいてはハブを用いることにしたものである。６は保持
体４の裏面部に形成された溝部、７は溝部６に嵌め込ま
れたウエハ位置決め体、８は溝部６の底面とウエハ位置
決め体７との間に介在するつるまきばね、９は位置決め
体７の落下を防止するためのストツパである。
第２図は本発明の一実施例を示すもので、ウエハ保持体
４の要部平面図である。同図に示すように位置決め体７
はウエハ３の側辺を保持している。すなわち、このラツ
ピング装置はウエハ保持体，４の裏面に部分的に溝部６
を形成し、その溝部６にスプリング８を介して位置決め
体７を嵌め込み、保持体４のハブ５に密着するウエハの
側辺を位置決め体７の保持体から突出する部分にて保持
するようにしてなるものである。そして、その状態でプ
レートと研磨盤とを密着させてラツピングを行う。
４の要部平面図である。同図に示すように位置決め体７
はウエハ３の側辺を保持している。すなわち、このラツ
ピング装置はウエハ保持体，４の裏面に部分的に溝部６
を形成し、その溝部６にスプリング８を介して位置決め
体７を嵌め込み、保持体４のハブ５に密着するウエハの
側辺を位置決め体７の保持体から突出する部分にて保持
するようにしてなるものである。そして、その状態でプ
レートと研磨盤とを密着させてラツピングを行う。
ラツピング時は位置決め体の先端面は研磨盤の表面によ
り押され溝部内に引つ込むことになる。このような装置
によれば、ウエハ位置決め体がウエハ保持体の裏面に設
けられた溝部にスプリングを介して嵌め込まれているの
で、ラツピング時にはいかなるときでも研磨盤表面と位
置決め体表面との間に間隙がない。
り押され溝部内に引つ込むことになる。このような装置
によれば、ウエハ位置決め体がウエハ保持体の裏面に設
けられた溝部にスプリングを介して嵌め込まれているの
で、ラツピング時にはいかなるときでも研磨盤表面と位
置決め体表面との間に間隙がない。
したがつて、ラツピング時においては常にウエハの厚さ
と同じ厚さをもつて位置決め体でウエハを保持すること
ができ、離脱を有効に防止することができる。なお、ス
プリングとしてソレノイド状のものに限らず例えばゴム
のような弾性体を使用することができる。
と同じ厚さをもつて位置決め体でウエハを保持すること
ができ、離脱を有効に防止することができる。なお、ス
プリングとしてソレノイド状のものに限らず例えばゴム
のような弾性体を使用することができる。
本発明は半導体ウエハに限らず、ウエハ状の物体の主面
を研磨するラツピング装置に広く適用することができる
。
を研磨するラツピング装置に広く適用することができる
。
第１図は本発明の一実施例に従つたラツピング装置を示
す要部断面図、第２図は第１図に示したラツピング装置
のウエハ保持体の平面図である。 １・・・・・・研磨盤、２・・・・・・ハブ、３・・・
・・・半導体ウエハ ４・・・・・・円板状保持体、５
・・・・・・バ人６・・・・・・溝部、７・・・・・・
位置決め体、８・・・・・・スプリング、９・・・・・
・ストツパ。
す要部断面図、第２図は第１図に示したラツピング装置
のウエハ保持体の平面図である。 １・・・・・・研磨盤、２・・・・・・ハブ、３・・・
・・・半導体ウエハ ４・・・・・・円板状保持体、５
・・・・・・バ人６・・・・・・溝部、７・・・・・・
位置決め体、８・・・・・・スプリング、９・・・・・
・ストツパ。
Claims (1)
- １ ウェハ保持体と、その保持面たる裏面に向い合うよ
うに設けられた研磨盤とを有し、上記ウェハ保持体の裏
面と研磨盤との間にウェハを挾んだ状態で上記ウェハを
研磨盤により研磨するラッピング装置において、上記ウ
ェハ保持体の裏面には部分的に溝が設けられ上記溝内に
は弾性体を介してウェハ位置決め体が埋め込まれかつ上
記ウェハ位置決め体の一部は上記ウェハ保持体の裏面か
ら突出してなることを特徴とするラッピング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49039993A JPS5911423B2 (ja) | 1974-04-10 | 1974-04-10 | ラツピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49039993A JPS5911423B2 (ja) | 1974-04-10 | 1974-04-10 | ラツピング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50133596A JPS50133596A (ja) | 1975-10-22 |
| JPS5911423B2 true JPS5911423B2 (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=12568445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49039993A Expired JPS5911423B2 (ja) | 1974-04-10 | 1974-04-10 | ラツピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911423B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258206A (en) * | 1975-11-08 | 1977-05-13 | Mitsui Toatsu Chemicals | Method of drain grid crib work for face of siope |
| JPS5596267A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-22 | Citizen Watch Co Ltd | Parts working method |
| US5205082A (en) * | 1991-12-20 | 1993-04-27 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head having floating retainer ring |
| JP3724869B2 (ja) * | 1995-10-09 | 2005-12-07 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置および方法 |
| KR100485002B1 (ko) * | 1996-02-16 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 작업물폴리싱장치및방법 |
| US6231428B1 (en) | 1999-03-03 | 2001-05-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring |
| US6368189B1 (en) | 1999-03-03 | 2002-04-09 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2826009A (en) * | 1954-12-10 | 1958-03-11 | Crane Packing Co | Work holder for lapping machines |
-
1974
- 1974-04-10 JP JP49039993A patent/JPS5911423B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2826009A (en) * | 1954-12-10 | 1958-03-11 | Crane Packing Co | Work holder for lapping machines |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50133596A (ja) | 1975-10-22 |
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