JPS634937B2 - - Google Patents
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- JPS634937B2 JPS634937B2 JP57061820A JP6182082A JPS634937B2 JP S634937 B2 JPS634937 B2 JP S634937B2 JP 57061820 A JP57061820 A JP 57061820A JP 6182082 A JP6182082 A JP 6182082A JP S634937 B2 JPS634937 B2 JP S634937B2
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 3
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウエハ研磨においてウエハ着脱が容易
でしかも研磨されたウエハ精度を保証できるウエ
ハ研磨用吸着板に関する。
でしかも研磨されたウエハ精度を保証できるウエ
ハ研磨用吸着板に関する。
ウエハの製造に当つては、表面破壊層を削り欠
陥のない単結晶面を得るべくラツピングやポリツ
シングなどの表面処理工程が存在する。この工程
においてウエハを研磨する場合、ウエハを吸着板
上に載置・固定するのであるが、従来の吸着板と
してはポーラスセラミツクスを使つたもの、厚板
に細孔をあけたもの、表面に樹脂膜をコーテイン
グしたものなどが用いられていた。第1図はポー
ラスセラミツクスを基本にしたもので、ポーラス
セラミツクス1は吸引孔2を有する載置台3上に
載せられ、このポーラスセラミツクス1の外周に
は吸引孔を閉じるための硬質樹脂4が配置されて
いる。この硬質樹脂4はポーラスセラミツクス1
と加工性を合わせるため硬脆微粉末などが充填さ
れている。ポーラスセラミツクス1の表面を研削
又はラツプするとき、硬質樹脂との表面もポーラ
スセラミツクス1の表面と同様凹凸なく形成され
る。しかし、硬質樹脂やポーラスセラミツクス1
の表面状態などによりポーラスセラミツクス1上
にて吸着されたウエハ5の外周部から研磨液が浸
入し、化学液を使つたポリツシングの場合には浸
入液によりウエハ5の裏面を腐食し微小な凹凸が
発生したり外観上優れないウエハ5となつてしま
う欠点がある。また、ポーラスセラミツクス1で
は裏面を研削又はラツプ仕上げした場合にも
10μm以上の表面あらさや凹凸があり載置台3の
研削された金属表面となじみが悪く、完全に密着
できないのでポーラスセラミツクス1と載置台3
との表面間には微小な隙間が発生しウエハ5の加
工精度を低下させるという欠点があつた。
陥のない単結晶面を得るべくラツピングやポリツ
シングなどの表面処理工程が存在する。この工程
においてウエハを研磨する場合、ウエハを吸着板
上に載置・固定するのであるが、従来の吸着板と
してはポーラスセラミツクスを使つたもの、厚板
に細孔をあけたもの、表面に樹脂膜をコーテイン
グしたものなどが用いられていた。第1図はポー
ラスセラミツクスを基本にしたもので、ポーラス
セラミツクス1は吸引孔2を有する載置台3上に
載せられ、このポーラスセラミツクス1の外周に
は吸引孔を閉じるための硬質樹脂4が配置されて
いる。この硬質樹脂4はポーラスセラミツクス1
と加工性を合わせるため硬脆微粉末などが充填さ
れている。ポーラスセラミツクス1の表面を研削
又はラツプするとき、硬質樹脂との表面もポーラ
スセラミツクス1の表面と同様凹凸なく形成され
る。しかし、硬質樹脂やポーラスセラミツクス1
の表面状態などによりポーラスセラミツクス1上
にて吸着されたウエハ5の外周部から研磨液が浸
入し、化学液を使つたポリツシングの場合には浸
入液によりウエハ5の裏面を腐食し微小な凹凸が
発生したり外観上優れないウエハ5となつてしま
う欠点がある。また、ポーラスセラミツクス1で
は裏面を研削又はラツプ仕上げした場合にも
10μm以上の表面あらさや凹凸があり載置台3の
研削された金属表面となじみが悪く、完全に密着
できないのでポーラスセラミツクス1と載置台3
との表面間には微小な隙間が発生しウエハ5の加
工精度を低下させるという欠点があつた。
第2図は載置台3上に金属吸着板6を配置しこ
の金属吸着板6内に吸引用細孔7および吸引用太
孔8を設けた例を示している。かかる例において
は、金属吸着板6の表面に現われる吸引用細孔7
をウエハ5の外周端まで形成できないため、研磨
時ウエハ5の外周が密着せず研磨液が浸入したり
研磨ウエハの精度が低下するという欠点があつ
た。
の金属吸着板6内に吸引用細孔7および吸引用太
孔8を設けた例を示している。かかる例において
は、金属吸着板6の表面に現われる吸引用細孔7
をウエハ5の外周端まで形成できないため、研磨
時ウエハ5の外周が密着せず研磨液が浸入したり
研磨ウエハの精度が低下するという欠点があつ
た。
また、第3図は第2図に示す金属吸着板6の表
面に樹脂膜9を被覆したものであり、ウエハ5と
の密着性を向上させウエハ5の裏面への研磨液5
浸入を防止した例である。しかし、加工上樹脂膜
9の均一な膜厚を得るのが困難であるため、ウエ
ハ5の加工精度特に平行度が低い欠点がある。
面に樹脂膜9を被覆したものであり、ウエハ5と
の密着性を向上させウエハ5の裏面への研磨液5
浸入を防止した例である。しかし、加工上樹脂膜
9の均一な膜厚を得るのが困難であるため、ウエ
ハ5の加工精度特に平行度が低い欠点がある。
そこで、本発明は上述の欠点に鑑み、研磨液の
侵入を防止すると同時に加工精度を向上させるよ
うにしたウエハ研磨用吸着板の提供を目的とす
る。
侵入を防止すると同時に加工精度を向上させるよ
うにしたウエハ研磨用吸着板の提供を目的とす
る。
かかる目的を達成するため本発明としては、被
加工ウエハの外形寸法よりわずかに小さな外形寸
法を有する厚板の表面上に同一方向略等間隔にて
端まで突き抜けるように複数の細溝を刻設し、こ
の細溝の底部と連通する吸引用孔を上記厚板の裏
面より穿つ一方、上記厚板の全外周にゴム状弾性
体を密着して囲繞し、このゴム状弾性体を上記厚
板の表面より微少寸法突出させたことを特徴とす
る。
加工ウエハの外形寸法よりわずかに小さな外形寸
法を有する厚板の表面上に同一方向略等間隔にて
端まで突き抜けるように複数の細溝を刻設し、こ
の細溝の底部と連通する吸引用孔を上記厚板の裏
面より穿つ一方、上記厚板の全外周にゴム状弾性
体を密着して囲繞し、このゴム状弾性体を上記厚
板の表面より微少寸法突出させたことを特徴とす
る。
第4図は本発明によるウエハ研磨用吸着板の実
施例で、第1図〜第3図と同一部分は同符号を付
す。載置台3上に配置された吸着板6の外周を密
に囲繞してゴム状弾性体10が配置されている。
このゴム状弾性体10は吸着板側面の空気漏れ止
めとウエハ5の外周密着のために存在する。ま
た、このゴム状弾性体10はウエハ5を密着させ
ず研磨圧力をかけない状態で吸着板6の表面より
わずかに高さdだけ突出しているものである。
施例で、第1図〜第3図と同一部分は同符号を付
す。載置台3上に配置された吸着板6の外周を密
に囲繞してゴム状弾性体10が配置されている。
このゴム状弾性体10は吸着板側面の空気漏れ止
めとウエハ5の外周密着のために存在する。ま
た、このゴム状弾性体10はウエハ5を密着させ
ず研磨圧力をかけない状態で吸着板6の表面より
わずかに高さdだけ突出しているものである。
吸着板6自体にはその表面上に同一方向略等間
隔にて端まで突き抜けるような複数本の極細溝6
1が刻設されると共にこの極細溝61の底の連通
する吸引用太孔8が設けられ真空吸引を可能とし
ている。吸着板6の表面側直径は被加工ウエハ5
の直径よりわずかに小さく、したがつてウエハ5
は配置された状態で吸着板6を覆いゴム状弾性体
10の内周部に係ることになる。
隔にて端まで突き抜けるような複数本の極細溝6
1が刻設されると共にこの極細溝61の底の連通
する吸引用太孔8が設けられ真空吸引を可能とし
ている。吸着板6の表面側直径は被加工ウエハ5
の直径よりわずかに小さく、したがつてウエハ5
は配置された状態で吸着板6を覆いゴム状弾性体
10の内周部に係ることになる。
ウエハ5を吸着板6上に載せ真空系スイツチを
入れるとウエハ5の裏面は吸着板6の表面に密着
されるが、ウエハ5の外周部はわずかにそり出し
ている。ついで、研磨盤をウエハ5に密着させて
研磨圧力を加えると、ウエハ5の外周のゴム状弾
性体10の表面が変形してゴム状弾性体10の上
面は吸着板6の表面と同一平面になりウエハ5は
平面に研磨される。
入れるとウエハ5の裏面は吸着板6の表面に密着
されるが、ウエハ5の外周部はわずかにそり出し
ている。ついで、研磨盤をウエハ5に密着させて
研磨圧力を加えると、ウエハ5の外周のゴム状弾
性体10の表面が変形してゴム状弾性体10の上
面は吸着板6の表面と同一平面になりウエハ5は
平面に研磨される。
次に具体例を示す。吸着板6の材質としてステ
ンレスを用い、76φmmウエハ5に対して吸着板6
の直径を72mmφにする。表面に幅0.2mm,深さ1
mmの細溝61を一方向に12本入れ、外周にはゴム
状弾性体10としてウレタンゴムリングを接着す
る。吸着板6を回転させながら吸着板6をストレ
ート砥石(WA#100)でウレタンゴム及びステ
ンレスを同時に研削すると研削終了後ウレタンゴ
ム部はステンレス吸着板面に対して3〜5μm突き
出していた。この上にウエハ5を載せ、70mmHg
以上で吸引させるとウエハ5の外周部3mmにおけ
る突出高さは2〜3μmであつた。このように吸着
させたウエハ5を研磨すると外周縁2mmを除いた
ウエハ5の平行度は2μm以下であり、外周端部
の厚さ変動も中央内部に対して1μm以下であつ
た。またウエハ5の裏面への研磨液の浸入もみら
れなかつた。この場合、ウレタンゴムとしてゴム
硬度55〜100の範囲の各種リングについて同様に
検討したところ、軟質のものほど突出高さが高く
なる傾向にあつて、各種リングの突出高さは40〜
2μmの範囲にあつた。それぞれに吸着させたウエ
ハ5を研磨したところ、上記具体例と同様の効果
が得られた。
ンレスを用い、76φmmウエハ5に対して吸着板6
の直径を72mmφにする。表面に幅0.2mm,深さ1
mmの細溝61を一方向に12本入れ、外周にはゴム
状弾性体10としてウレタンゴムリングを接着す
る。吸着板6を回転させながら吸着板6をストレ
ート砥石(WA#100)でウレタンゴム及びステ
ンレスを同時に研削すると研削終了後ウレタンゴ
ム部はステンレス吸着板面に対して3〜5μm突き
出していた。この上にウエハ5を載せ、70mmHg
以上で吸引させるとウエハ5の外周部3mmにおけ
る突出高さは2〜3μmであつた。このように吸着
させたウエハ5を研磨すると外周縁2mmを除いた
ウエハ5の平行度は2μm以下であり、外周端部
の厚さ変動も中央内部に対して1μm以下であつ
た。またウエハ5の裏面への研磨液の浸入もみら
れなかつた。この場合、ウレタンゴムとしてゴム
硬度55〜100の範囲の各種リングについて同様に
検討したところ、軟質のものほど突出高さが高く
なる傾向にあつて、各種リングの突出高さは40〜
2μmの範囲にあつた。それぞれに吸着させたウエ
ハ5を研磨したところ、上記具体例と同様の効果
が得られた。
さらに、上記具体例において、吸着(ステンレ
ス)板6上の細溝61を除く吸着面部分に外周に
設けるウレタンゴムよりも硬いプラスチツクであ
るテフロン,ナイロン,塩化ビニールあるいは高
硬度のポリウレタンをコートした後、同様に吸着
面側を研削しコートしたプラスチツクの厚さ約10
数μm〜数10μmにしたところ外周に配置されたウ
レタンゴムの突出高さは前記具体例の場合の3〜
5割減となつた。これを用いて、吸着させたウエ
ハ5を研磨すると外周2mmを除いたウエハの平行
度は1〜2μm程度で、外周端部の厚さ変動も中央
内部に対して1μm以下であり、もちろんウエハ5
の裏面への研磨液の浸入もみられず、前記具体例
と同様の効果が得られた。その上、研磨中の吸着
力は増大し、かつウエハ5の裏面(吸着面側)に
は全くキズがつかなかつた。
ス)板6上の細溝61を除く吸着面部分に外周に
設けるウレタンゴムよりも硬いプラスチツクであ
るテフロン,ナイロン,塩化ビニールあるいは高
硬度のポリウレタンをコートした後、同様に吸着
面側を研削しコートしたプラスチツクの厚さ約10
数μm〜数10μmにしたところ外周に配置されたウ
レタンゴムの突出高さは前記具体例の場合の3〜
5割減となつた。これを用いて、吸着させたウエ
ハ5を研磨すると外周2mmを除いたウエハの平行
度は1〜2μm程度で、外周端部の厚さ変動も中央
内部に対して1μm以下であり、もちろんウエハ5
の裏面への研磨液の浸入もみられず、前記具体例
と同様の効果が得られた。その上、研磨中の吸着
力は増大し、かつウエハ5の裏面(吸着面側)に
は全くキズがつかなかつた。
以上説明したように本発明によれば、厚板のま
わりにゴム状弾性体を配置したことによりウエハ
の外周は密着保持されて保持が安定となり研磨液
の浸入は防止でき、研磨ウエハ精度を向上でき
る。特に吸着板をステンレスにて作る場合、平行
平板に研削でき平面度、平行度ともに1μm以下に
加工でき、結果としてウエハの平面度、平行度も
すぐれる。
わりにゴム状弾性体を配置したことによりウエハ
の外周は密着保持されて保持が安定となり研磨液
の浸入は防止でき、研磨ウエハ精度を向上でき
る。特に吸着板をステンレスにて作る場合、平行
平板に研削でき平面度、平行度ともに1μm以下に
加工でき、結果としてウエハの平面度、平行度も
すぐれる。
第1図ないし第3図は従来のウエハ研磨用吸着
板の三つの例をそれぞれ示し、第1図ポーラスセ
ラミツクスを用い、第2図は金属吸着板を用い、
第3図は樹脂膜を用いた例を示す構成図、第4図
は本発明によるウエハ研磨用吸着板の一実施例の
一部切欠き斜視図である。 図面中、5はウエハ、6は吸着板、10はゴム
状弾性体、61は細溝である。
板の三つの例をそれぞれ示し、第1図ポーラスセ
ラミツクスを用い、第2図は金属吸着板を用い、
第3図は樹脂膜を用いた例を示す構成図、第4図
は本発明によるウエハ研磨用吸着板の一実施例の
一部切欠き斜視図である。 図面中、5はウエハ、6は吸着板、10はゴム
状弾性体、61は細溝である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 被加工ウエハの外形寸法よりわずかに小さな
外形寸法を有する厚板の表面上に同一方向略等間
隔にて端まで突き抜けるように複数の細溝を刻設
し、この細溝の底部と連通する吸引用孔を上記厚
板の裏面より穿つ一方、上記厚板の全外周にゴム
状弾性体を密着して囲繞し、このゴム状弾性体を
上記厚板の表面より微少寸法突出させたことを特
徴とするウエハ研磨用吸着板。 2 金属の上記厚板の表面で上記細溝以外の面に
上記ゴム状弾性体より硬くしかも極薄のプラスチ
ツクをコートした特許請求の範囲第1項記載のウ
エハ研磨用吸着板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6182082A JPS58180026A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | ウエハ研磨用吸着板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6182082A JPS58180026A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | ウエハ研磨用吸着板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58180026A JPS58180026A (ja) | 1983-10-21 |
JPS634937B2 true JPS634937B2 (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=13182097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6182082A Granted JPS58180026A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | ウエハ研磨用吸着板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58180026A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60103651U (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-15 | シチズン時計株式会社 | 真空吸着台 |
JPS60221233A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-05 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの表面保護方法 |
JPS61182738A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-15 | Shibayama Kikai Kk | ウエハのフリ−サイズチヤツク機構 |
JP3467184B2 (ja) | 1998-02-05 | 2003-11-17 | 信越半導体株式会社 | ワークの研磨方法 |
CN102962735B (zh) * | 2012-11-30 | 2015-08-26 | 烟台鑫海矿山机械有限公司 | 一种橡胶板打磨装置 |
JP6166122B2 (ja) * | 2013-08-14 | 2017-07-19 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55149949A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | Separation of selenium material from selenium photoreceptor |
JPS56153741A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | Toshiba Corp | Supporting device for semiconductor wafer |
JPS5934142U (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | 株式会社オ−デイオテクニカ | 振動吸収装置 |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP6182082A patent/JPS58180026A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55149949A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | Separation of selenium material from selenium photoreceptor |
JPS56153741A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | Toshiba Corp | Supporting device for semiconductor wafer |
JPS5934142U (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | 株式会社オ−デイオテクニカ | 振動吸収装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58180026A (ja) | 1983-10-21 |
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