JPH03148124A - ウェハの保持機構 - Google Patents
ウェハの保持機構Info
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- JPH03148124A JPH03148124A JP1286347A JP28634789A JPH03148124A JP H03148124 A JPH03148124 A JP H03148124A JP 1286347 A JP1286347 A JP 1286347A JP 28634789 A JP28634789 A JP 28634789A JP H03148124 A JPH03148124 A JP H03148124A
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- wafer
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- polishing plate
- polishing
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- Pending
Links
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- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は研磨対象のウェハを保持する技術、特に、研磨
に伴うウェハの平坦度を向上させるために用いて効果の
ある技術に関するものである。
に伴うウェハの平坦度を向上させるために用いて効果の
ある技術に関するものである。
半導体基板に用いるシリコンウェハ(以下、単にウェハ
という)は、ダイヤモンドカッタによってインゴットか
ら所定の厚みに切り出したのち、表面を研磨材でラップ
処理し、さらに鏡面研磨が行われる。ところで、その処
理方式は、従来のバッチ処理からウェハを1枚づつ処理
する方式に移行しつつある。一方、生産工程の自動化を
達成するためには、ウェハの保持機構が重要な課題にな
っている。
という)は、ダイヤモンドカッタによってインゴットか
ら所定の厚みに切り出したのち、表面を研磨材でラップ
処理し、さらに鏡面研磨が行われる。ところで、その処
理方式は、従来のバッチ処理からウェハを1枚づつ処理
する方式に移行しつつある。一方、生産工程の自動化を
達成するためには、ウェハの保持機構が重要な課題にな
っている。
ところで、本発明者は、ワックスレスボリシングにおい
て、ウェハの保持に起因する諸問題について検討した。
て、ウェハの保持に起因する諸問題について検討した。
以下は、本発明者によって検討された技術であり、その
概要は次のとおりである。
概要は次のとおりである。
すなわち、ウェハの保持手段の■つとして、真空吸着装
置が開発されている。この真空吸着装置は、例えば、ウ
ェハなどの薄片状部材を保持する平坦な保持面を備え、
この保持面とほぼ同一面に吸着面を持つように多孔質体
を具備したチャック本体と、このチャック本体の多孔質
体と真空源とを連通ずる気体通路とを基本構成としてい
る。このようなものに、例えば、特開昭59−3915
9号があり、さらに、吸着力の向上を図ったものに特開
昭62−297063号がある。
置が開発されている。この真空吸着装置は、例えば、ウ
ェハなどの薄片状部材を保持する平坦な保持面を備え、
この保持面とほぼ同一面に吸着面を持つように多孔質体
を具備したチャック本体と、このチャック本体の多孔質
体と真空源とを連通ずる気体通路とを基本構成としてい
る。このようなものに、例えば、特開昭59−3915
9号があり、さらに、吸着力の向上を図ったものに特開
昭62−297063号がある。
また、真空吸着を用いないものもある。これは特開昭6
2−297064号に記載のように、保持バッキングに
接着剤を介して熱可塑性樹脂による補強材を配設し、さ
らに、この補強材上に接着剤によって熱可塑性樹脂フィ
ルムによる七ノ(レータを設けた積層体と−し、この積
層体上にウエノ\を装着するものである。
2−297064号に記載のように、保持バッキングに
接着剤を介して熱可塑性樹脂による補強材を配設し、さ
らに、この補強材上に接着剤によって熱可塑性樹脂フィ
ルムによる七ノ(レータを設けた積層体と−し、この積
層体上にウエノ\を装着するものである。
いずれにしても、ウェハの保持力を高め、ウェハをいか
に確実に保持するかが加工精度向上のポイントになって
いる。
に確実に保持するかが加工精度向上のポイントになって
いる。
ところが、前記の如〈従来のウェハ保持手段にあっては
、ウェハの保持材の寸法精度、物性(硬度、圧縮率、圧
縮弾性率など)のばらつきについての配慮がなされてお
らず、これらに起因して、研磨中の圧力ばらつきがウェ
ハに転写し、ウェハ平坦度(特に、テーバ)を悪化させ
るという問題のあることが見い出された。
、ウェハの保持材の寸法精度、物性(硬度、圧縮率、圧
縮弾性率など)のばらつきについての配慮がなされてお
らず、これらに起因して、研磨中の圧力ばらつきがウェ
ハに転写し、ウェハ平坦度(特に、テーバ)を悪化させ
るという問題のあることが見い出された。
そこで、本発明の目的は、ウェハ保持材の寸法精度、物
性ばらつきのほか、プレート、定盤、研磨クロスの影響
を抑制可能な技術を提供することにある。
性ばらつきのほか、プレート、定盤、研磨クロスの影響
を抑制可能な技術を提供することにある。
本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び
添付図面から明らかになるであろう。
添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、回転可能な研磨プレートに固定設置されたテ
ンプレートに対し、ウェハをラッピング及びポリッシン
グ時に保持させる保持機構であって、前記ウェハが前記
研磨プレートの回転に伴って回転可能なようにペデスタ
ルを前記テンプレートに形成された開口内に配設したも
のである。
ンプレートに対し、ウェハをラッピング及びポリッシン
グ時に保持させる保持機構であって、前記ウェハが前記
研磨プレートの回転に伴って回転可能なようにペデスタ
ルを前記テンプレートに形成された開口内に配設したも
のである。
上記した手段によれば、ペデスタルが研磨プレートまた
はウェハに対する摩擦を小さくし、研磨プレートの回転
に伴ってウエノ\を自転させる。したがって、圧力ばら
つきに起因して生じるテーノ(をキャンセルすることが
でき、ウエノ\の平坦度を向上させることができる。
はウェハに対する摩擦を小さくし、研磨プレートの回転
に伴ってウエノ\を自転させる。したがって、圧力ばら
つきに起因して生じるテーノ(をキャンセルすることが
でき、ウエノ\の平坦度を向上させることができる。
〔実施例1〕
第1図は本発明による一実施例の全体構成を示す正面図
、第2図はウエノ\装着面の詳細を示す断面図である。
、第2図はウエノ\装着面の詳細を示す断面図である。
第1図に示すように、円板状の研磨プレート1は一面に
回転軸を有し、その反対側の面にテンプレート2が装着
されている。テンプレート2の所定位置には、複数のウ
ニ/”+ 3を装着すべく複数の開口(ホール)が設け
られている。ウエノ\3は、保持パッド4及びペデスタ
ル5を積層した状態で、各開口部内に配設される。保持
パッド4とペデスタル5は一体化され、開口部内で回転
可能なように嵌入配設される。なお、ペデスタル5には
、後記するようにウェハ3の自転が円滑に行われるよう
に、滑り性に優れるフッ素樹脂、ポリエステル樹脂など
を用いるのがよい。
回転軸を有し、その反対側の面にテンプレート2が装着
されている。テンプレート2の所定位置には、複数のウ
ニ/”+ 3を装着すべく複数の開口(ホール)が設け
られている。ウエノ\3は、保持パッド4及びペデスタ
ル5を積層した状態で、各開口部内に配設される。保持
パッド4とペデスタル5は一体化され、開口部内で回転
可能なように嵌入配設される。なお、ペデスタル5には
、後記するようにウェハ3の自転が円滑に行われるよう
に、滑り性に優れるフッ素樹脂、ポリエステル樹脂など
を用いるのがよい。
第2図に示すように、ペデスタル5の研磨プレート1に
接する面には溝5a(V字形、波形など)が形成され、
研磨プレートlに対する接触面積が小さくなるようにし
ている。
接する面には溝5a(V字形、波形など)が形成され、
研磨プレートlに対する接触面積が小さくなるようにし
ている。
以上の構成において、例えば、ラップ処理においては、
ウェハ3に面してラップ盤を配設し、この盤面に研磨材
液滴を落下させることにより研磨を行う。このとき、テ
ンプレート2は盤の内周と外周の周速差によって回転す
る。一方、ペデスタル5には溝6aが施されているため
、研磨プレート1に対する接触面積が小さく、ウエノ\
3と共に研磨中にテンプレート2の回転方向へ自転する
。
ウェハ3に面してラップ盤を配設し、この盤面に研磨材
液滴を落下させることにより研磨を行う。このとき、テ
ンプレート2は盤の内周と外周の周速差によって回転す
る。一方、ペデスタル5には溝6aが施されているため
、研磨プレート1に対する接触面積が小さく、ウエノ\
3と共に研磨中にテンプレート2の回転方向へ自転する
。
ウェハ3が自転することにより、圧力ばらつきに起因し
て発生するテーパがキャンセルされる結果、ウェハ3の
平坦度を向上させることができる。
て発生するテーパがキャンセルされる結果、ウェハ3の
平坦度を向上させることができる。
また、従来のようにウレタン製の多孔質パッドを用いる
のに比べ、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂などを用いた
ペデスタル5は耐磨耗性に優れ、長寿命化が可能になり
、信頼性及び保守性を向上させることができる。
のに比べ、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂などを用いた
ペデスタル5は耐磨耗性に優れ、長寿命化が可能になり
、信頼性及び保守性を向上させることができる。
〔実施例2〕
第3図は本発明の第2実施例を示す断面図である。
本実施例は、第2図の構成から保持パッド4を除去し、
ペデスタル5の溝加工を逆にウェハ3側に形成し、溝6
bを設けるようにしたものである。
ペデスタル5の溝加工を逆にウェハ3側に形成し、溝6
bを設けるようにしたものである。
この場合、ペデスタル5は研磨プレート1に固定されて
いてもよい。
いてもよい。
この場合、溝6bの表面をラップ仕上げ、研削加工など
とすることにより、接触摩擦をさらに低減することがで
きる。また、前記実施例と同様に、ウェハ3への疵付き
を防止し、ウェハ3の回転を容易にするため、ペデスタ
ル5に滑り性の良いフッ素樹脂、ポリエステル樹脂など
を用いる。
とすることにより、接触摩擦をさらに低減することがで
きる。また、前記実施例と同様に、ウェハ3への疵付き
を防止し、ウェハ3の回転を容易にするため、ペデスタ
ル5に滑り性の良いフッ素樹脂、ポリエステル樹脂など
を用いる。
本実施例においても、ウェハ3とペデスタル5間の接触
面積を小さくし、研磨中にウェハ3を回転させることが
できるので、前記実施例と同様に、圧力ばらつきに起因
して発生するテーパをキャンセルすることができる。
面積を小さくし、研磨中にウェハ3を回転させることが
できるので、前記実施例と同様に、圧力ばらつきに起因
して発生するテーパをキャンセルすることができる。
〔実施例3〕
第4図は本発明の第3実施例を示す断面図である。
本実施例は、第3図の実施例がペデスタル5の片面にの
み溝加工を形成していたのに対し、両面に溝6a、5b
を施すようにしたものである。
み溝加工を形成していたのに対し、両面に溝6a、5b
を施すようにしたものである。
このようにすることによって、第3図に示した構成かウ
ェハ3の自転のみを主眼としていたのに対し、更にペデ
スタル5の自転をも可能にし、研磨プレート1から受け
る影響をさらに低減することができる。
ェハ3の自転のみを主眼としていたのに対し、更にペデ
スタル5の自転をも可能にし、研磨プレート1から受け
る影響をさらに低減することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱し只 ない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱し只 ない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、ペデスタルの表面に溝を形成するものとしたが
、この他、半球状の凸部を多数設ける構造、同心円状に
環状突起を形成する構造などとすることもできる。
、この他、半球状の凸部を多数設ける構造、同心円状に
環状突起を形成する構造などとすることもできる。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
すなわち、回転可能な研磨プレートに固定設置されたテ
ンプレートに対し、ウェハをラッピング及びポリッシン
グ時に保持させる保持機構であって、前記ウェハが前記
研磨プレートの回転に伴って回転可能なようにペデスタ
ルを前記テンプレートに形成された開口内に配設したの
で、圧力ばらつきに起因して生じるテーパをキャンセル
することができ、ウェハの平坦度を向上させることがで
きる。
ンプレートに対し、ウェハをラッピング及びポリッシン
グ時に保持させる保持機構であって、前記ウェハが前記
研磨プレートの回転に伴って回転可能なようにペデスタ
ルを前記テンプレートに形成された開口内に配設したの
で、圧力ばらつきに起因して生じるテーパをキャンセル
することができ、ウェハの平坦度を向上させることがで
きる。
第1図は本発明による一実施例の全体構成を示す正面図
、 第2図はウェハ装着面の詳細を示す断面図、第3図は本
発明の第2実施例を示す断面図、第4図は本発明の第3
実施例を示す断面図である。 1・・・研磨プレート、2・・・テンプレート、3・・
・ウェハ、4・・・保持パッド、5・・・ペデスタル、
5a、5b・・・湾。
、 第2図はウェハ装着面の詳細を示す断面図、第3図は本
発明の第2実施例を示す断面図、第4図は本発明の第3
実施例を示す断面図である。 1・・・研磨プレート、2・・・テンプレート、3・・
・ウェハ、4・・・保持パッド、5・・・ペデスタル、
5a、5b・・・湾。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、回転可能な研磨プレートに固定設置されたテンプレ
ートに対し、ウェハを保持させる保持機構であって、前
記ウェハが前記研磨プレートの回転に伴って回転可能な
ようにペデスタルを前記テンプレートに形成された開口
内に配設したことを特徴とするウェハの保持機構。 2、前記ペデスタルにフッ素樹脂またはポリエステル樹
脂を用いることを特徴とする請求項1記載のウェハの保
持機構。 3、前記ペデスタルの前記研磨プレートあるいは前記ウ
ェハに接する面に接触面積を少なくなるように表面加工
を施したことを特徴とする請求項1記載のウェハの保持
機構。 4、前記表面加工は、表面全体に形成した溝であること
を特徴とする請求項3記載のウェハの保持機構。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1286347A JPH03148124A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | ウェハの保持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1286347A JPH03148124A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | ウェハの保持機構 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03148124A true JPH03148124A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17703212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1286347A Pending JPH03148124A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | ウェハの保持機構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03148124A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219556A (ja) * | 2010-06-14 | 2010-09-30 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 化学的機械研磨方法 |
JP2016193479A (ja) * | 2015-04-01 | 2016-11-17 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 被研磨物の保持具および研磨装置 |
JP2017037993A (ja) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | 有限会社サクセス | 半導体ウエハ保持具、半導体ウエハ研削装置、及び、半導体ウエハ研削方法 |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1286347A patent/JPH03148124A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219556A (ja) * | 2010-06-14 | 2010-09-30 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 化学的機械研磨方法 |
JP2016193479A (ja) * | 2015-04-01 | 2016-11-17 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 被研磨物の保持具および研磨装置 |
JP2017037993A (ja) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | 有限会社サクセス | 半導体ウエハ保持具、半導体ウエハ研削装置、及び、半導体ウエハ研削方法 |
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