KR950034504A - 진공챔버내에서 진공을 이용하여 기판을 처리하는 방법 및 장치 - Google Patents

진공챔버내에서 진공을 이용하여 기판을 처리하는 방법 및 장치 Download PDF

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제임스 조셉 드롱
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Abstract

페이스 다운 배치에서 웨이퍼를 조작하고 처리하는 구조와 방법에 관한 것으로 로보트 삽입 블레이드가 외주부에서 웨이퍼 닿는 원뿔형으로 경사진 웨이퍼 고정표면을 갖는 리세스에서 처리하고자 하는 웨이퍼를 지지하고, 챔버내에 위치될때, “C”형 지지체 어셈블리로 부터 지지되는 경사진 접촉 표면과 3개의 전달 핑거의 셋트가 서셉터 바닥면에 인접하게 웨이퍼를 상승시키고, 웨이퍼의 큰 부분을 덮는 서셉터의 면에서의 리세스는 처리 챔버 압력과 관련하여 비워지게 되고, 처리 챔버와 웨이퍼 뒤의 비워진 리세스 사이의 차압의 웨이퍼를 지지할 때 전달 핑거 지지체는 낮추워지게 되고 그리고 웨이퍼와 서셉터 조립체로 부터 회전되고 계속해서 전공에 의해 부착된 웨이퍼 서셉터는 “C”형 지지체 조립체에 의해 지지된 섀도우 링과 접촉하여 처리위치로 낮추어 지고 가스 분배판과 반대편으로 낮추어진다.

Description

진공챔버내에서 진공을 이용하여 기판을 처리하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 관련 외부부재를 갖춘 웨이퍼 처리챔버의 사시도이다. 제2도는 제1도는 처리챔버의 상단에서 본 횡단면도이다. 제3A,도 내지 제3E도는 제1도의 처리챔버의 옆면을 개략적으로 도시한 횡단면도로서, 본 발명에 따라서 웨이퍼가 처리챔버내에 삽입되어, 페이스(Face down) 처리위치로 이동될 때의 웨이퍼의 처리를 도시한 횡단면도이다. 제4도는 제5도의 로보트 블레이트(Robot blade)의 옆면을 부분적으로 도시한 횡단면도이다. 제5도는 본 발명에 따른 로보트 블레이드의 평면도이다.

Claims (60)

  1. 제어된 내부 기판 처리환경을 갖는 챔버를 포함하며 진공원과 함께 사용되는 기판처리 장치로서, a)상기 챔버내에서 기판의 후면과 결합하기에 적합한 하방향 지향 기판 장착면을 한정하고, 상기 기판 장착면과 상기 진공원 사이에 통로를 한정하는 기판 설치부와, 그리고 b)기판의 가장자리의 맞물려서 기판을 이동시키고 기판의 후면이 상기 하방향 지향 기판 장착면에 인접하도록 기판을 장착하는 기판 운전장치를 포함하고 있으며, 이에 의해, 상기 하방향 지향 기판 장착면과 기판의 후면이 인접하는 경우, 상기 통로는 진공상태가 되고, 기판 후면위의 압력은 상기 처리챔버의 압력보다 낮아지며, 기판은 상기 하방향 지향 기판 장착면에 대하여 밀리게 되고, 처리하고자 하는 기판의 표면이 상기 처리환경에 완전하게 노출되며, 상기 기판 운반장치와 접촉하는 기판가장자리상이 입자들만이 상기 처리환경에 노출되지 않는 기판처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 설치부는 기판의 후면과 결합하기 위한 표면을 규정하는 하방향 지향서스셉터 조립체로 이루어지고, 상기 통로는 상기 표면에서 종결되고 상기 진공원에 접속되기에 적합한 도관으로 이루어지며, 상기 기판 운반장치는 기판을 상기 서스셉터 면상의 여러부위로 이동시키기 위하여 가장 자리를 통해서 기판을 지지하고 기판을 아랫쪽으로 향하게 하는 수단으로 이루어지는 기판 처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기판 운반장치는 기판을 상기 챔버내외로 이동시키는 수평 작동부재를 포함하는 기판 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기판 운반장치는 기판을 지지하고, 기판하면상의 소정영역에서만 기판과 접촉되는 한 세트의 경사면을 포함하는 기판 처리장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 기판 운반장치는 기판의 후면과 결합하기 위하여 상기 수평 작동부재로 부터 기판을 들어올리기 위한 수직 작용 핑거수단을 더 포함하는 기판 처리장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 도관으로 부터 조성되는 진공을 상기 서스셉터의 후면에 걸쳐서 분기 시키도록 기판의 후면과 결합할 수 있게 상기 표면에 형성된 리세스를 더 포함하는 기판 처리장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 기판 설치부가, 상기 웨이퍼를 향하여 윗쪽으로 증착처리가스를 분사시키는 상기 처리 챔버내의 가스 분배판/매니폴드에 대향하여 기판을 움직이도록 수직으로 운동하는 기판 처리장치.
  8. 제어된 내부기판 처리환경을 갖는 처리챔버내에서 기판을 취급하는 방법으로서, a)기판의 후면과 결합하기에 적합한 하방향 지향 장착면을 한정하는 기판 설치부를 상기 처리챔버내에 제공하는 단계와, b) 상기 하방향 지향장착면과 진공 원사이에서 기판설치부내에 도관을 제공하는 단계와, c)처리하고자 하는 기판의 가장자리와 기판 운반장치를 결합시키는 단계와, d)처리하고자 하는 기판을 그 후면이 위쪽을 향하도록 상기 하방향 지향 장착면의 인접위치로 부터 운반하는 단계와, 그리고 e)기판의 대향면들상에 각기 다른 압력을 조성하기 위해서 기판후면과 상기 하방향 지향장착면 사이에서 상기 도관을 통하여 진공을 가하는 단계로서, 기판은 상기 처리챔버내의 처리환경에 노출되도록 아랫쪽을 향하게 되고, 처리될 기판의 전면이 완전하게 노출되도록 기판의 후면을 통해서 상기 하방향 지향장착면에 보유되며, 기판의 전면 및 기판전면상의 입자들이 진공과 접촉하는 정도가 최소화 되는 단계를 포함하는 방법.
  9. 웨이퍼 처리챔버 조립체로서, a)웨이퍼 처리위치 바로위의 웨이퍼 운반위치로 웨이퍼를 수평이동시키도록 웨이퍼 배제 영역내에서 단지 웨이퍼의 가장자리만으로 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 운반용 블레이드와, b)운반핑거 제어 메카니즘에 따라서 운반핑거 조립체의 최고 위치와 운반핑거 조립체의 최저 위치 사이에서 수직으로 운동하도록 구성된 운반핑거 지지조립체로서, 상기 웨이퍼 배제영역내에서 단지 웨이퍼의 가장자리만을 통하여 접촉하면서, 상기 웨이퍼 운반위치로부터 웨이퍼의 상승위치로 상기 웨이퍼를 들어 올리고 상기 웨이퍼 상승위치로부터 상기 웨이퍼 운반위치로 상기 웨이퍼를 낮추기 위한 운반핑거들을 갖춘 운반핑거 지지조립체와, c)상기 웨이퍼 상승위치에서 상기 웨이퍼가 서스셉터 면과 근접하게 위치하여 접촉하도록 상기 서스셉터면에 진공을 조성하기 위한 하방향 지향 서스셉터 조립체로서, 상기 웨이퍼의 원주부분이 상기 서스셉터의 대응하는 부분과 밀봉되어 접촉되고, 상기 서스셉터 조립체는 서스셉터 위치제어 메카니즘에 따라서 상승 및 하강하도록 구성된 하방향 지향 서스셉터 조립체를 포함하고 있으며, 상기 웨이퍼가 상기 서스셉터의 상기 면에 인접하게 위치되고 서스셉터 진공 흡인라인에서의 압력의 상기 처리챔버내의 압력보다 작고, 그 차동압력이 상기 웨이퍼에 걸쳐서 조성되며 상기 차동압력으로 인해 웨이퍼의 바닥에 작용하는 웨이퍼의 중량과 같거나 또는 큰 경우에, 상기 웨이퍼는 상기 처리챔버내의 가스압에 의해 상기 서스셉터의 바닥에 대하여 고정되는 웨이퍼 처리챔버 조립체.
  10. 제9항에 있어서, 상기 운반핑거 지지체 조립체로부터 지지되는 섀도우 링 조립체를 더 포함하는 웨이퍼 처리챔버 조립체.
  11. 제9항에 있어서, 상기 전달핑거 지지체 조립체가 전달핑거 회전 메카니즘을 포함하며, 상기 서스셉터에 실린 웨이퍼는 웨이퍼 수용/배출 위치로부터 상기 웨이퍼 처리위치로 움직이면서 전달핑거 지지체 제어 메카니즘에 따라 상기 웨이퍼와 서셉터의 경로에서 나와 상기 전달핑거를 흔드는 전달 핑거 회전 메카니즘을 더 포함하는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  12. 제10항에 있어서, 상기 전달핑거 지지체 조립체가 전달핑거 회전 메카니즘을 포함하며, 상기 서스셉터에 실린 웨이퍼는 웨이퍼 수용/배출 위치로부터 상기 웨이퍼 처리위치로 움직이면서 전달핑거 지지체 제어 메카니즘에 따라 상기 웨이퍼와 서셉터의 경로에서 나와 상기 전달핑거를 흔드는 전달 핑거 회전 메카니즘을 더 포함하는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  13. 하방향 지향 서스셉터로서, a)전면은 갖춘 일반적인 평면의 플레이트로서 상기 면은 일반적으로 중앙에 리세스를 가지며, 평면의 웨이퍼 원주 면 부분이 상기 리세스를 둘러싸서 웨이퍼가 상기 서셉터의 상기 면과 접촉하도록 옮겨질 때, 웨이퍼의 원주 에지가 상기 평면의 웨이퍼 원주면 부분을 덮는 상기 리세스 밀봉하여 접촉되게 되는 일반적인 평면의 플레이트와, b)상기 리세스의 바닥면으로 부터 들어올리는 지점들을 포함하여, 모든 상기 웨이퍼 지지체 지점들의 일반적으로 상단이 평면이고 평행한 표면이 상기 원주면 부분의 표면과 일치하는 평면을 형성하는 리세스를 포함하는 하방향 지향 서스셉터.
  14. 제13항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체 지점들로부터 떨어져서, 리세스의 내부면은 상기 웨이퍼 지지체지점들의 바닥면에 의해 형성되고 상기 평면의 웨이퍼 원주면 부분에 의해 형성된 가공의 평면으로 부터 예정된 길이에 배치된 연속적인 환형 밴드를 하며, 상기 서셉터의 중앙과 평면의 원주면 부분의 내부 에지 사이의 임의의 위치에서 놓인 일반적으로 일정한 임의의 밴드의 리세스 깊이로부터 기술된 배치변화에 따라 다른 예정된 깊이도 변경될 수 있는 하방향 지향 서스셉터.
  15. 제14항에 있어서, 진공 통로는 상기 서셉터를 통해 상기 서셉터의 배면으로부터 상기 서셉터의 전면으로 제공되어 상기 리세스의 내부 표면이 개방되게 하는 하방향 지향 서스셉터.
  16. 제15항에 있어서, 각 위치에서 상기 예정된 리세스 깊이는 서셉터로 부터 상기 위치와 관련된 웨이퍼로의 열전달에 비례하여 결정되는 하방향 지향 서스셉터.
  17. 제14항에 있어서, 상기 서셉터는 상기 페이스 다운 서셉터의 뒷면에 부착된 중공의 서셉터 아암에 의해 지지되고, 상기 서셉터 아암내에 배치된 진공 튜브는 서셉터로부터 상기 진공 통로를 통해 상기 서셉터의 뒷면으로의 통로를 제공하는 하방향 지향 서스셉터.
  18. 제17항에 있어서, 상기 서셉터의 뒷면에 배치된 열전쌍에 대한 배선이 상기 서셉터 아암을 통해 상기 진공 튜브내에 연결되는 하방향 지향 서스셉터.
  19. 지지하고자 하는 웨이퍼의 폭 크기보다 작은 폭 크기를 갖는 평면의 바아로서, 상기 바아는 그 말단부 근처의 위치에서의 상단 표면에 리세스가 형성되어 지지하고자 하는 웨이퍼가 상기 리세스 위에 위치되도록 하고 상기 바아가 상기 웨이퍼를 지나서 연장되고, 상기 리세스는 변이부의 바닥면을 형성하는 가공링과 상기 에지를 형성하는 가공링 사이에 웨이퍼 에지 지지부 변이부를 포함하고, 상기 변이부의 바닥면을 형성하는 가공링과 상기 에지를 형성하는 가공링 사이에 웨이퍼 에지 지지부 변이부를 포함하고, 상기 변이부의 상기 바닥 에지는 상기 리세스의 바닥면에서 또는 그 뒤로 배치되고, 상기 변위의 상기 에지는 상기 바아의 상단에서 또는 그 아래 배치되는 평면의 바아를 포함하는 로보트 블레이드로서, 가공의 연속적으로 경사진 환형의 밴드에 맞추어지도록 배치되는 고정된 적어도 2개의 경사진 환형 밴드 부분을 포함하는 바아로서 지지하고자 하는 웨이퍼와 지름보다 작은 지름을 갖는 상기 변이부의 바닥 에지로서 내부 환형 경계가 갖추어져 있고 웨이퍼의 지름보다 더 큰 지름을 갖는 상기 변이부의 에지에서 외주 경계면이 갖추어져 있고, 상기 적어도 2개의 경사진 환형 밴드가 부분이 배치되어 제1의 상기 부분은 상기 바아의 단부에 인접하여 배치되고, 제2의 상기 부분은 상기 제1의 부분으로 부터 떨어져서 예정된 지지에 배치되어 상기 밴드 부분이 상기 적어도 2개의 경사진 환형 밴드 부분들 사이에서 웨이퍼를 지지하는 로보트 블레이드.
  20. 제9항에 있어서, 상기 웨이퍼 전달 블레이드는 지지하고자 하는 웨이퍼의 폭 크기보다 작은 폭 크기를 갖는 평면의 바아로서, 상기 바아는 그 말단부 근처의 위치에서의 상단 표면에 리세스가 형성되어 지지하고자 하는 웨이퍼가 상기 리세스 위에 위치되도록 하고 상기 바아가 상기 웨이퍼를 지나서 연장되고, 상기 리세스는 변이부의 바닥면을 형성하는 가공링과 상단 에지를 형성하는 가공링 사이세 웨이퍼 에지 지지부 변이부를 포함하고, 상기 변이부의 상기 바닥 에지는 상기 리세스의 바닥면에서 또는 그 뒤로 배치되고, 상기 변위의 상기 상단 에지 상기 바아의 상단에서 또는 그 아래 배치되는 평면의 바아를 포함하고 있고, 가공의 연속적으로 경사진 환형의 밴드에 맞추어 지도록 배치되는 고정된 적어도 2개의 경사진 환형 밴드 부분을 포함하는 바아로서 지지하고자 하는 웨이퍼의 지름보다 작은 지름을 갖는 상기 변이부의 바닥 에지에서 내부 환형 경계가 갖추어져 있고 웨이퍼의 지름보다 더 큰 지름을 갖는 상기 변이부의 에지에서 외주 경계면이 갖추어져 있고, 상기 적어도 2개의 경사진 환형 밴드가 부분이 배치되어 제1의 상기 부분은 상기 바아의 단부에 인접하여 배치되고, 제2의 상기 부분은 상기 제1부분으로 부터 떨어져서 예정된 지지에 배치되어 상기 밴드 부분이 상기 적어도 2개의 경사진 환형 밴드 부분들 사이에서 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  21. 제9항에 있어서, 상기 전달 핑거 지지체 조립체는 처리하고자 하는 웨이퍼의 원주 부분을 부분적으로 둘러싸도록 배치되는 C자형 채널을 포함하고, 상기 채널은 상기 전달핑거 제어 메카니즘의 수직운동 조립체에 따라 상하로 상기 C형 채널이 움직이도록 배치되고 채널 지지체 조립체에 의해 지지되는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  22. 제9항에 있어서, 상기 전달핑거가 그것 자체가 회전축을 둘레로 각각 회전가능하게 고정된 핑거 지지체 부재에 부착된 수평의 색션을 포함하고, 각각의 상기 핑거의 수평 부분이 그것의 중간 단부에서 경사진 구석이 갖추어진 상단 단부 부분을 각각 갖고, 상기 핑거가 들어올리는 배치로 배치될 때는, 상기 핑거상에 지지된 웨이퍼가 상기 핑거의 상기 경사진 부분을 따른 위치에서만 상기 웨이퍼와 닿게 되고, 그리고 상기 핑거가 되돌려지는 배치로 운동될때는 상기 핑거와 상기 전달핑거 조립체는 상기 웨이퍼와 서셉터의 경로에서 벗어나는데 이 때, 웨이퍼와 서셉터 조렙체는 전달핑거 지지체 조립체의 전달핑거를 통해 운동되는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  23. 제21항에 있어서, 상기 전달핑거가 그것 자체의 회전축을 둘레로 각각 회전가능하게 고정된 핑거 지지체 부재에 부착된 수평의 색션을 포함하고, 각각의 상기 핑거의 수평 부분이 그것의 중간 단부에서 경사진 구석이 갖추어진 상단 단부 부분을 각각 갖고, 상기 핑거가 들어올리는 배치로 배치될때는, 상기 핑거상에 지지된 웨이퍼가 상기 핑거의 상기 경사진 부분을 따른 위치에서만 상기 웨이퍼만 닿게되고, 그리고 상기 핑거가 되돌려지는 배치로 운동될 때는 상기 핑거와 상기 전달핑거 조립체는 전달핑거를 통해 운동되는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  24. 제23항에 있어서, 각각의 핑거 지지체 부재의 상기 세트의 상기 회전축은 상기 샤프트를 따라 일반적으로 수직으로 중앙연결되고 상기 “C”형의 채널에 의해 각각 핑거 샤프트는 각각의 상기 회전축을 따라 크랭크아암 옵셋을 가져서 크랭크 아암 연결부재 세트가 인전합 핑거 샤프트의 크랭크아암 사이에서 연결될 때, 상기 “C”형 부재의 중앙의 만곡된 축에 일반적으로 평행한 상기 크랭크아암의 연결 부재의 일반적인 축운동이 상기 크랭크아암의 연결부재의 한 단부에서 상기 크랭크아암이 운동하여, 이에 따라 그들의 상기 수직축 둘레로 상기 연결된 핑거 샤프트를 회전하게 하는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  25. 제24항에 있어서, 중간 핑거 샤프트가 두개의 핑거 샤프트 사이에 배치될 때, 상기 중간 샤프트는 일반적으로 서로 반대로 배치된 2개의 크랭크아암을 포함하여 제1의 크랭크아암 연결부재가 상기 2개의 크랭크아암 중 첫번째와 상기 “C”형 채널의 만곡된 축을 따라 제2방향에서 크랭크 아암 사이에 연결되는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  26. 제24항에 있어서, 바닥표면의 내부의 “C”형 채널은 상기 크랭크아암 연결부재하에 대략적으로 중앙으로 있으며 인접한 핑거 샤프트 사이에 일반적으로 중앙으로 있으며 인접한 핑거 샤프트 사이에 일반적으로 중앙으로 위치된 평형의 바닥 환형 압입면이 배치되고 이 때 상기 크랭크아암의 연결부재가 일반적으로 평평한 면하는 원형을 압입면을 갖으며, 그리고 베어링 형 볼이 상기 압입면 내에 배치되고 상기 볼은 일정크기로 상기 압입면에 배치되어, 상기 볼이 상기 압입면내에서 자유롭게 회전하여, 상기 “C”형 채널의 상기 내면바닥과 상기 크랭크아암의 연결부재의 바닥사이에서 회전 베어링 지지체로서 작용하는 한편, 크랭크아암 연결부가 움직일 때 상기 크랭크아암 연결부재가 고정되고 과한 미끄럼 마찰력을 감소시키도록 하는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  27. 제25항에 있어서, 바닥표면의 내부의 “C”형 채널은 상기 크랭크아암 연결부재하에 대략적으로 중앙으로 있으며 인접한 핑거 샤프트 사이에 일반적으로 중앙으로 있으며 인접한 핑거 샤프트 사이에 일반적으로 중앙으로 위치된 평형의 바닥 환형 압입면이 배치되고 이 때 상기 크랭크아암의 연결부재가 일반적으로 평평한 면하는 원형을 압입면을 갖으며, 그리고 베어링 형 볼이 상기 압입면 내에 배치되고 상기 볼은 일정크기로 상기 압입면에 배치되어, 상기 볼이 상기 압입면내에서 자유롭게 회전하여, 상기 “C”형 채널의 상기 내면바닥과 상기 크랭크아암의 연결부재의 바닥사이에서 회전 베어링 지지체로서 작용하는 한편, 크랭크아암 연결부가 움직일 때 상기 크랭크아암 연결부재가 고정되고 과한 미끄럼 마찰력을 감소시키도록 하는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  28. 제21항에 있어서, 상기 전달핑거가 그것 자체의 회전축을 둘레로 각각 회전가능하게 고정된 핑거 지지체 부재에 부착된 수평의 색션을 포함하고, 각각의 상기 핑거의 수평 부분이 그것의 중간 단부에서 경사진 구석이 갖추어진 상단 단부 부분을 각각 갖고, 핑거가 들어올리는 배치로 배치될 때는, 상기 핑거상에 지지된 웨이퍼가 상기 핑거의 상기 경사진 부분을 따른 위치에서만 상기 웨이퍼와 닿게 되고, 그리고 상기 핑거가 되돌려지는 배치로 운동될때는 상기 핑거와 상기 전달핑거 조립체는 상기 웨이퍼와 서셉터의 경로에서 벗어나는데 이 때, 웨이퍼와 서셉터 조렙체는 전달핑거 지지체 조립체의 전달핑거를 통해 운동되고, 각각의 핑거 지지체 부재의 상기 세트의 상기 회전축은 상기 샤프트를 따라 일반적으로 수직으로 중앙연결되고 상기 “C”형의 채널에 의해 각각 핑거 샤프트는 각각의 상기 회전축을 따라 크랭크아암 옵셋을 가져서 크랭크 아암 연결부재 세트가 인접합 핑거 샤프트의 크랭크아암 사이에서 연결될 때, 상기 “C”형 부재의 중앙의 만곡된 축에 일반적으로 평행한 상기 크랭크아암의 연결 부재의 일반적인 축운동이 상기 크랭크아암의 연결부재의 한 단부에서 상기 크랭크아암이 운동하여, 이에 따라 그들의 상기 수직축 둘레로 상기 연결된 핑거 샤프트를 회전하게 되고, 바닥표면의 내부의 연결부재하에 대략적으로 중앙으로 있으며 인접한 핑거 샤프트 사이에 일반적으로 중앙으로 있으며 인접한 핑거 샤프트 사이에 일반적으로 중앙으로 위치된 평형의 바닥 환형 압입면이 배치되고 이 때 상기 크랭크아암의 연결부재가 일반적으로 평평한 면하는 원형을 압입면을 갖으며, 그리고 베어링 형 볼이 상기 압입면 내에 배치되고 상기 볼은 일정크기로 상기 압입면에 배치되어, 상기 볼이 상기 압입면내에서 자유롭게 회전하여, 상기 “C”형 채널의 상기 내면바닥과 상기 크랭크아암의 연결부재의 바닥사이에서 회전 베어링 지지체로서 작용하는 한편, 크랭크아암 연결부가 움직일 때 상기 크랭크아암 연결부재가 고정되고 과한 미끄럼 마찰력을 감소시키도록 하는 웨이퍼 처리 챔버 조립체.
  29. 제21항에 있어서, 상기 씨(C)형 채널이 세라믹 재료로 구성되는 웨이퍼 처리 조립체.
  30. 제23항에 있어서, 상기 씨(C)형 채널과 상기 핑거가 세라믹 재료로 구성되는 웨이퍼 처리 조립체.
  31. 제24항에 있어서, 상기 씨(C)형 채널과 상기 핑거가 세라믹 재료로 구성되고, 상기 핑거 샤프트는 하이네스(haynes)242R인 웨이퍼 처리 조립체
  32. 제26항에 있어서, “C”형 채널과 상기 볼이 세라믹 재료로 구성되는 웨이퍼 처리 조립체.
  33. 제27항에 있어서, 상기 “C”형 채널 및 상기 볼이 세라믹 재로 구성되는 웨이퍼 처리 조립체.
  34. 제28항에 있어서, 상기 “C”형 채널과 상기 볼이 세라믹 재로서 구성되는 웨이퍼 처리 조립체.
  35. 제21항에 있어서, 섀도우 링 조립체는 상기 “C”형 채널로부터 지지되고 이것과 같이 운동되는 웨이퍼 처리 조립체
  36. 제35항에 있어서, 상기 섀도우 링 조립체가 적어도 2개의 링을 포함하고, 내부 링이 외부 링에 의해 지지되는 웨이퍼 처리 조립체.
  37. 웨이퍼 조립체로서 a)간섭되는 볼 b)일반적으로 수직의 샤프트를 가지며, 상기 볼의 전체 부분이 아니라 한 부분을 약간 수용하여 상기 볼의 부분이 상기 샤프트 표면을 넘어 압인부로 예정된 거리만큼 돌출되는 웨이퍼 전달핑거 조립체 c) 한 단부 근처에서 상기 샤프트를 넘어 미끄러지도록 되는 크기로 된 홀을 가져서 상기 핑거가 상기 샤프트를 따라 운동되고 상기 볼이 상기 샤프트 압인부에 배치될 때는 상기 볼에 의해 통과되지 않으며, 상기 수평 전달핑거 홀이 상기 핑거의 바닥표면에서 홀 축에 대해 한 측면에 평행하게 키이홈 둘레로 부분적 반원을 포함하여 상기 핑거가 상기 부분적 키이 홈 위로 상기 샤프트 상에서 미끄러지고 상기 볼이 상기 샤프트로 부터 나와서 넣어질때는 상기 키이홈은 상기 볼의 표면이 상기 키이 홈내에서 그것을 고정시키기 위해 접촉되고 핑거가 샤프트로부터 미끄러지는 것을 막고 그리고 키이 홈은 수평 전달핑거의 두께에 의해 단지 홈의 부분만 잘려지기 때문에, 핑거가 상기 샤프트로부터 분리하여 회전되는 것을 막고 상기 볼과의 접촉이 유지되는 웨이퍼 처리 조립체.
  38. 제37항에 있어서, 상기 볼과 핑거가 세라믹 재이고 샤프트는 금속인 웨이퍼 조립체.
  39. 처리가스 노출되는 면과 후면을 포함하는 기판을 처리하는 장치로서, i)처리 챔버를 규정하는 벽을 갖는 반응기와 ii)챔버내면의 기판을 조작하기 위한 조작 수단을 포함하고, 상기 조작수단이 a)상기 기판의 뒷면을 맞물리게 하고 지지하기 위한 맞물림 면을 갖는 기판 지지체와 b)기판 지지체와 뒷면 사이의 계면에서 흡입을 적용하기 위한 수단을 포함하여, 이에 따라 기판의 뒷면 기판 지지체와 맞물려지고 흡입이 적용될 때 기판이 기판 지지체로 유도되고 이에 의해 지지되는 기판을 처리하기 위한 장치.
  40. 제39항에 있어서, 기판이 지지 표면에 의해 맞물기게 될 때 기판의 뒷면의 중요 부분을 커버하는 기판을 처리하기 위한 장치.
  41. 제40항에 있어서, (i)상기 처리챔버의 내부와 소통되는 접근 포트와 그리고 (ii)접근 포트를 통해 기판을 처리 챔버로 삽입하기 위한 삽입수단을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  42. 제41항에 있어서, 기판 지지체가 제1위치로부터, 제2의 기판 맞물림 위치를 통해 기판이 처리되는 제3의 위치로 이동되는 기판 처리 장치.
  43. 제42항에 있어서, 기판을 가열하기 위한 가열기 수단을 추가로 더 포함하는 기판 처리 장치.
  44. 제43항에 있어서, 흡입을 적용하기 위한 수단이 기판 지지체내에 형성된 적어도 하나의 진공 포트를 포함하여 맞물림 표면에서 나가고 이에 따라 기판의 뒷면과 맞물림 면 사이의 경계면에 흡입이 적용되는 기판 처리 장치.
  45. 제44항에 있어서, 흡입을 적용하기 위한 수단이 (i)흡입을 적용하기 위한 진공원과 (ii)상기 진공원을 기판 지지체내에 형성된 진공포트에 연결시키는 적어도 하나의 도관을 포함하는 기판 처리 장치.
  46. 제45항에 있어서, 상기 가열기 수단이 기판 지지체를 가열하여, 이에 따라 기판 지지체로부터 기판으로 열을 전달하여 기판을 가열하는 기판 처리 장치.
  47. 제46항에 있어서, 기판 지지체가 사용시 기판의 뒷면을 맞물리게 하는 링 형태의 기판 지지체 표면을 포함하는 기판 처리 장치.
  48. 제47항에 있어서, 상기 지지표면의 링이 일반적으로 평평한 구역의 형태로 내부 부분을 둘러싸고 이 때 이 구역은 다수의 돌출부가 그 위에 위치되어 갖추어져 있으며, 이에 따라 기판이 기판 지지체에 의해 지지될 때, 기판의 뒷면이 지지 표면의 링과 돌출부 양쪽에 의해 맞물리게 되는 기판 처리 장치.
  49. 제48항에 있어서, 이 돌출부에는 기판의 뒷면에 대한 실질적으로 평평한 지지 프로파일이 있는 기판 처리 장치.
  50. 제49항에 있어서, 상기 삽입 수단이 (i)기판을 상기 챔버 내외로 옮기고 선단 단부와 후단 단부에 의해 잘룩하게 연결된 중간 부분을 갖는 일반적인 평평한 부재와 (ii) 선단 단부와 후단 단부의 각 부재에 형성되고, 부재의 중간 부분을 향해 아랫쪽으로 그리고 안쪽으로 경사지는 프로파일과 기판 지지표면을 갖는 적어도 하나의 리테이너를 포함하고 이에 따라 기판이 챔버내외로 옮겨질 때, 이 기판은 중간 부분이 비워지게 되는 지지표면에 의해 외부에너지에서 지지되는 기판 처리 장치.
  51. 제50항에 있어서, 각 리테이너의 지지표면이 기판의 바깥 표면과 합치되는 기판 처리 장치.
  52. 제45항에 있어서, 맞물림 표면이 평면이고 기판의 뒷측면이 존재하고 이에 따라 기판 지지체에 의해 유도되고 지지되고 웨이퍼는 맞물림 표면이 평면에 대해 당겨진 평면인 기판 처리 장치.
  53. 기판 처리 반응기내에 형성된 기판 처리 챔버내에 기판을 조작하는 방법으로서, 기판이 공정가스와 노출되는 면과 후면을 포함하고, (i)처리 챔버내에 기판을 위치시키는 단계와, (ii)기판 맞물림 표면을 갖는 기판 조작 수단을 제공하는 단계와, (iii) 상기 기판의 후면을 기판 맞물림 표면과 맞물리도록 옮기는 단계와 그리고 (iv) 상기 기판 맞물림 표면과 기판의 후면 사이의 경계면에서 흡입적용하여, 이에 따라 기판을 조작수단으로 유도하고 이 조작수단에 의해 지지되는 단계로 이루어진 기판을 조작하는 방법.
  54. 제53항에 있어서, 상기 반응기가 상기 처리 챔버와 내부와 소통되는 접근 포트를 포함하고 상기 기판을 처리 챔버로 접근 포트를 통해 삽입하는 단계를 더 포함하는 방법.
  55. 제54항에 있어서, 기판의 표면을 가로질러 반응 공정가스를 통과시킴에 기판을 처리하는 단계를 더 포함하는 기판 조작 방법.
  56. 제55항에 있어서, 기판을 처리하는 단계동안 기판을 가열시키는 단계를 더 포함하는 기판 조작 방법.
  57. 제56항에 있어서, 조작수단을 제1기판 맞물림 위치로 부터 기판이 처리되는 제3의 위치로 운동시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  58. a)적어도 3개의 전달핑거의 세트를 지지하는 C형 부재와 b)상기 3개의 전단 핑거를 들어올리는 위치에서 되돌리는 위치로 움직이도록 상기 부재에 의해 지지되는 전달핑거 회전 매카니즘을 포함하는 기판 처리장치.
  59. 제58항에 있어서, 상기 “C”형 부재가 상기 전달 핑거 회전 매카니즘을 둘러싸는 채널인 기판 처리 장치.
  60. 제39항에 있어서, 상기 기판 지지체가 홀을 갖는 세라믹 판으로 덮힌 후면을 포함하여, 상기 세라믹판내의 홀들의 수와 크기의 변화 상기 기판 지지체의 온도와 온도 분포에 영향을 미치는 기판 처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040019224A (ko) * 2002-08-27 2004-03-05 이미지퀘스트(주) 모니터 이이피롬의 안정화 방법

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5855687A (en) * 1990-12-05 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Substrate support shield in wafer processing reactors
JP3200282B2 (ja) * 1993-07-21 2001-08-20 キヤノン株式会社 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法
US6267423B1 (en) 1995-12-08 2001-07-31 Applied Materials, Inc. End effector for semiconductor wafer transfer device and method of moving a wafer with an end effector
US5746460A (en) * 1995-12-08 1998-05-05 Applied Materials, Inc. End effector for semiconductor wafer transfer device and method of moving a wafer with an end effector
US5881208A (en) * 1995-12-20 1999-03-09 Sematech, Inc. Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core
DE69732157T2 (de) * 1996-02-28 2005-12-29 Ebara Corp. Transportroboter mit Tropfwasserschutz
US5863340A (en) * 1996-05-08 1999-01-26 Flanigan; Allen Deposition ring anti-rotation apparatus
US6395363B1 (en) * 1996-11-05 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Sloped substrate support
US6293749B1 (en) 1997-11-21 2001-09-25 Asm America, Inc. Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
US6068441A (en) * 1997-11-21 2000-05-30 Asm America, Inc. Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
US6005226A (en) * 1997-11-24 1999-12-21 Steag-Rtp Systems Rapid thermal processing (RTP) system with gas driven rotating substrate
US6026589A (en) * 1998-02-02 2000-02-22 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Wafer carrier and semiconductor apparatus for processing a semiconductor substrate
EP1057214A1 (en) 1998-02-18 2000-12-06 Applied Materials, Inc. End effector for wafer handler in processing system
JP3661138B2 (ja) * 1998-04-04 2005-06-15 東京エレクトロン株式会社 アライメント高速処理機構
EP1084509A1 (en) * 1998-05-27 2001-03-21 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Batch end effector for semiconductor wafer handling
JP4526136B2 (ja) * 1998-06-08 2010-08-18 株式会社日立国際電気 被処理物搬送装置、半導体製造装置及び被処理物の処理方法
US6328858B1 (en) 1998-10-01 2001-12-11 Nexx Systems Packaging, Llc Multi-layer sputter deposition apparatus
US6217272B1 (en) 1998-10-01 2001-04-17 Applied Science And Technology, Inc. In-line sputter deposition system
JP3234576B2 (ja) * 1998-10-30 2001-12-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
US6183189B1 (en) 1998-11-27 2001-02-06 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Self aligning wafer chuck design for wafer processing tools
IL143467A (en) 1998-12-02 2005-05-17 Newport Corp Specimen holding robotic arm and effector
US6256555B1 (en) 1998-12-02 2001-07-03 Newport Corporation Robot arm with specimen edge gripping end effector
DE19906398B4 (de) * 1999-02-16 2004-04-29 Steag Hamatech Ag Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
US6464795B1 (en) * 1999-05-21 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member for a processing chamber
NL1013938C2 (nl) * 1999-12-23 2001-06-26 Asm Int Inrichting voor het behandelen van een wafer.
US6537011B1 (en) * 2000-03-10 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for transferring and supporting a substrate
JP2001313329A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Applied Materials Inc 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
US6682288B2 (en) 2000-07-27 2004-01-27 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6821912B2 (en) 2000-07-27 2004-11-23 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6530733B2 (en) 2000-07-27 2003-03-11 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
DE10043601A1 (de) * 2000-09-01 2002-03-14 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten
US6558562B2 (en) 2000-12-01 2003-05-06 Speedfam-Ipec Corporation Work piece wand and method for processing work pieces using a work piece handling wand
US6461085B1 (en) * 2001-03-16 2002-10-08 Toda Citron Technologies, Inc. Sputter pallet loader
KR100698871B1 (ko) * 2001-07-03 2007-03-22 삼성전자주식회사 건식 식각 장치
US6592679B2 (en) * 2001-07-13 2003-07-15 Asyst Technologies, Inc. Clean method for vacuum holding of substrates
JP2003037146A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Asm Japan Kk バッファ機構を有する半導体製造装置及び方法
US6530157B1 (en) 2001-09-04 2003-03-11 Process Integration Precise positioning device for workpieces
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US20030082920A1 (en) * 2001-11-01 2003-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chamber-reversed dry etching
JP4121413B2 (ja) * 2003-03-31 2008-07-23 株式会社神戸製鋼所 板状被処理品の高圧処理装置
JP4019998B2 (ja) * 2003-04-14 2007-12-12 信越半導体株式会社 サセプタ及び気相成長装置
US7654596B2 (en) 2003-06-27 2010-02-02 Mattson Technology, Inc. Endeffectors for handling semiconductor wafers
US7128806B2 (en) * 2003-10-21 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Mask etch processing apparatus
US20050133158A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Applied Materials, Inc. Mask handler apparatus
US20050133166A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Applied Materials, Inc. Tuned potential pedestal for mask etch processing apparatus
US8455789B2 (en) * 2005-05-16 2013-06-04 Panasonic Corporation Energy collection and power reduction in laser coupling process
US20070215049A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Transfer of wafers with edge grip
DE102007022431A1 (de) * 2007-05-09 2008-11-13 Leybold Optics Gmbh Behandlungssystem für flache Substrate
KR200452609Y1 (ko) 2009-02-27 2011-03-09 주식회사 심텍 멀티 사이즈 패널 고정장치
US20100304027A1 (en) * 2009-05-27 2010-12-02 Applied Materials, Inc. Substrate processing system and methods thereof
US9834840B2 (en) * 2010-05-14 2017-12-05 Applied Materials, Inc. Process kit shield for improved particle reduction
DE102010055675A1 (de) * 2010-12-22 2012-06-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Haltevorrichtung für Substrate sowie Verfahren zur Beschichtung eines Substrates
WO2012148568A1 (en) * 2011-03-01 2012-11-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement
CN103403852B (zh) 2011-03-01 2016-06-08 应用材料公司 双负载闸配置的消除及剥离处理腔室
US11171008B2 (en) 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
NL2009549A (en) * 2011-10-27 2013-05-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and substrate handling method.
WO2013130191A1 (en) 2012-02-29 2013-09-06 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a load lock configuration
JP6013824B2 (ja) * 2012-07-27 2016-10-25 株式会社荏原製作所 ワーク搬送装置
US9214369B2 (en) * 2013-11-01 2015-12-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dynamic pitch substrate lift
US20150364352A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-17 Veeco Instruments Inc. Wafer Loading and Unloading
WO2016111747A1 (en) * 2015-01-09 2016-07-14 Applied Materials, Inc. Substrate transfer mechanisms
USD803283S1 (en) 2016-05-16 2017-11-21 Veeco Instruments Inc. Wafer handling assembly
KR20190083375A (ko) * 2016-12-02 2019-07-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 이송 장치
US11201078B2 (en) * 2017-02-14 2021-12-14 Applied Materials, Inc. Substrate position calibration for substrate supports in substrate processing systems
CN108461440B (zh) * 2018-03-30 2024-04-05 上海新创达半导体设备技术有限公司 一种晶圆对中装置及方法
SG11202011779WA (en) * 2018-05-29 2020-12-30 Fabworx Solutions Inc Degas chamber lift hoop
US20200373190A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Process kit enclosure system
US20210054497A1 (en) * 2019-08-19 2021-02-25 Oem Group, Llc Systems and methods for a lift and rotate wafer handling process
CN112720119B (zh) * 2020-12-19 2021-11-30 华中科技大学 一种晶圆快速定位装置及方法
KR102691502B1 (ko) * 2022-01-10 2024-08-05 (주)이오테크닉스 레이저 마킹 장치 및 레이저 마킹 방법

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3599059A (en) * 1969-05-15 1971-08-10 Corning Glass Works Ion implanted cadmium sulfide pn junction device
JPS5813051A (ja) * 1981-07-17 1983-01-25 Fujitsu Ltd メイルボツクス方式
JPS58130518A (ja) * 1982-01-29 1983-08-04 Toshiba Corp 気相成長方法
WO1984003196A1 (en) * 1983-02-14 1984-08-16 Brooks Ass Articulated arm transfer device
JPS59182046A (ja) * 1983-04-01 1984-10-16 Hitachi Ltd 真空中における搬送装置
US4617844A (en) * 1983-07-18 1986-10-21 Vsi Corporation Removable key for wrenching tool
US4559718A (en) * 1983-08-02 1985-12-24 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
JPS6169966A (ja) * 1984-09-14 1986-04-10 Hitachi Ltd 真空処理装置
US4634043A (en) * 1984-09-20 1987-01-06 At&T Technologies, Inc. Engaging second articles to engaged first articles
JPS61140432A (ja) * 1984-12-11 1986-06-27 Shinko Denki Kk ウエハ−等の保持装置
DE3685835T2 (de) * 1985-04-17 1993-02-18 Hitachi Ltd Greiferwerkzeug.
US4733632A (en) * 1985-09-25 1988-03-29 Tokyo Electron Limited Wafer feeding apparatus
US4842680A (en) * 1985-10-24 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Advanced vacuum processor
EP0219826B1 (en) * 1985-10-24 1994-09-07 Texas Instruments Incorporated Vacuum processing system
US4796562A (en) * 1985-12-03 1989-01-10 Varian Associates, Inc. Rapid thermal cvd apparatus
US4740135A (en) * 1986-01-08 1988-04-26 Scss Instruments Wafer transfer arm mechanism
US4749330A (en) * 1986-05-14 1988-06-07 Hine Derek L Transport mechanism
JPH0763056B2 (ja) * 1986-08-06 1995-07-05 三菱電機株式会社 薄膜形成装置
JPS6348825A (ja) * 1986-08-19 1988-03-01 Tokyo Electron Ltd アツシング装置
JPS6359329U (ko) * 1986-10-03 1988-04-20
JPH0719150Y2 (ja) * 1986-10-31 1995-05-01 日本真空技術株式会社 ウェハ搬送ハンド
US5292393A (en) * 1986-12-19 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Multichamber integrated process system
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
DE3704505A1 (de) * 1987-02-13 1988-08-25 Leybold Ag Einlegegeraet fuer vakuumanlagen
DE3707672A1 (de) * 1987-03-10 1988-09-22 Sitesa Sa Epitaxieanlage
US4813845A (en) * 1987-03-16 1989-03-21 Advanced Control Engineering, Inc. Object transport apparatus
US4854263B1 (en) * 1987-08-14 1997-06-17 Applied Materials Inc Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films
KR970004947B1 (ko) * 1987-09-10 1997-04-10 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 핸들링장치
JP2574818B2 (ja) * 1987-11-16 1997-01-22 株式会社日立製作所 真空吸着固定台および真空吸着固定方法
JPH01194323A (ja) * 1988-01-28 1989-08-04 Nec Kyushu Ltd 現像装置
JPH02110047A (ja) * 1988-10-20 1990-04-23 Mitsubishi Electric Corp ウエハ搬送装置
JP3107310B2 (ja) * 1988-11-30 2000-11-06 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5064340A (en) * 1989-01-20 1991-11-12 Genmark Automation Precision arm mechanism
US5169684A (en) * 1989-03-20 1992-12-08 Toyoko Kagaku Co., Ltd. Wafer supporting jig and a decompressed gas phase growth method using such a jig
JPH088257B2 (ja) * 1989-04-13 1996-01-29 三菱電機株式会社 常圧ｃｖｄ装置
JPH0793348B2 (ja) * 1989-05-19 1995-10-09 アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド 多重チャンバ真空式処理装置及び多重チャンバ真空式半導体ウェーハ処理装置
US5186718A (en) * 1989-05-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Staged-vacuum wafer processing system and method
JP3219273B2 (ja) * 1990-08-27 2001-10-15 キャノン株式会社 基板の受渡し方法
JP2919065B2 (ja) * 1990-11-29 1999-07-12 株式会社東芝 搬送装置
JPH04206644A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Toshiba Corp 半導体素子搭載装置
US5286296A (en) * 1991-01-10 1994-02-15 Sony Corporation Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means
JPH0812846B2 (ja) * 1991-02-15 1996-02-07 株式会社半導体プロセス研究所 半導体製造装置
JPH0812847B2 (ja) * 1991-04-22 1996-02-07 株式会社半導体プロセス研究所 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
DE4114639A1 (de) * 1991-05-04 1992-12-03 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum einbrennen von bedruckten substraten
JPH04340249A (ja) * 1991-05-17 1992-11-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体ウエハ処理装置
JPH0521584A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Nikon Corp 保持装置
JPH0541423A (ja) * 1991-08-03 1993-02-19 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
US5446824A (en) * 1991-10-11 1995-08-29 Texas Instruments Lamp-heated chuck for uniform wafer processing
JP2763222B2 (ja) * 1991-12-13 1998-06-11 三菱電機株式会社 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置
JPH05339097A (ja) * 1992-06-09 1993-12-21 Furukawa Electric Co Ltd:The トレー回転型気相成長装置
JPH05343507A (ja) * 1992-06-10 1993-12-24 Fujitsu Ltd 静電吸着方法
US5273588A (en) * 1992-06-15 1993-12-28 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing CVD reactor apparatus comprising contoured electrode gas directing means
US5268067A (en) * 1992-07-30 1993-12-07 Texas Instruments Incorporated Wafer clamping method
US5292554A (en) * 1992-11-12 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus using a perforated pumping plate
JPH06204316A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 耐熱ロボットハンド
US5326725A (en) * 1993-03-11 1994-07-05 Applied Materials, Inc. Clamping ring and susceptor therefor
JP2934565B2 (ja) * 1993-05-21 1999-08-16 三菱電機株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
JPH06348825A (ja) * 1993-06-07 1994-12-22 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 画像処理用のマーカとその検出方法
JPH1194323A (ja) * 1997-09-26 1999-04-09 Hitachi Taga Technol Co Ltd 換気扇のシャッター装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040019224A (ko) * 2002-08-27 2004-03-05 이미지퀘스트(주) 모니터 이이피롬의 안정화 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0669642A3 (en) 1995-12-06
US5643366A (en) 1997-07-01
EP0669642A2 (en) 1995-08-30
JPH07297262A (ja) 1995-11-10
KR100253957B1 (ko) 2000-05-01

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