JPH01252770A - 工作物を保持する装置 - Google Patents
工作物を保持する装置Info
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- JPH01252770A JPH01252770A JP1025960A JP2596089A JPH01252770A JP H01252770 A JPH01252770 A JP H01252770A JP 1025960 A JP1025960 A JP 1025960A JP 2596089 A JP2596089 A JP 2596089A JP H01252770 A JPH01252770 A JP H01252770A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、工作物?保持する装置、とシわけ表面処理を
行うために、特にリアクティブイオンビームエツチング
を行うため又は陰極スパッタリング洗よる被覆を行うた
め足、円板状の平坦な基板を真空室内で保持する装置に
関する。
行うために、特にリアクティブイオンビームエツチング
を行うため又は陰極スパッタリング洗よる被覆を行うた
め足、円板状の平坦な基板を真空室内で保持する装置に
関する。
対象とする形式の公知の装置の場合、基板は、第1の段
階で、真空室内に配設された特別の導入・導出ステーシ
ョンにおいて、支持板上に載置される。同支持板は、垂
直軸の回りで回転可能に支承された支持腕の自由端に配
置されている。同支持腕は、第2の段階で、基板を支持
板と一緒に、イオン源又は陰極の頌域内へ送り出す。表
面処理が行われた後、支持腕は、第3の段階で再び、導
入ステーションへ回転して戻される。そこで、基板は、
吸引具の使用により支持板から持ち上げられ、そして移
送装置へ運ばれる。この公知の装置は、真空室内におい
て比較的広い場所を必要とし、作動も緩慢で騒々しく、
基板を十分に冷却することもできず、そしてさらに表面
加工に際して基板全回転させたり、イオン源や陰極に対
してその位置を変更ないしは傾けることができなhとい
う欠点を有する。
階で、真空室内に配設された特別の導入・導出ステーシ
ョンにおいて、支持板上に載置される。同支持板は、垂
直軸の回りで回転可能に支承された支持腕の自由端に配
置されている。同支持腕は、第2の段階で、基板を支持
板と一緒に、イオン源又は陰極の頌域内へ送り出す。表
面処理が行われた後、支持腕は、第3の段階で再び、導
入ステーションへ回転して戻される。そこで、基板は、
吸引具の使用により支持板から持ち上げられ、そして移
送装置へ運ばれる。この公知の装置は、真空室内におい
て比較的広い場所を必要とし、作動も緩慢で騒々しく、
基板を十分に冷却することもできず、そしてさらに表面
加工に際して基板全回転させたり、イオン源や陰極に対
してその位置を変更ないしは傾けることができなhとい
う欠点を有する。
本発明の基礎とする課題は、公知の装置の前述の欠点を
有しないものであって、とりわけ基板を大切に扱いなが
ら迅速に加工し、作動も非常に確実で、しかも安価に製
造することができる冒頭に記載の形式の装置を提供する
ことにちる。
有しないものであって、とりわけ基板を大切に扱いなが
ら迅速に加工し、作動も非常に確実で、しかも安価に製
造することができる冒頭に記載の形式の装置を提供する
ことにちる。
本発明によればこの課題+i、中空軸に結合された支持
板と、該支持板の下方に配置された底板とを備え、該底
板は、スペーサー及び固定リング又は前記支持板の平面
にほぼ平行に延びるフィンガと共に、該支持板を部分的
に取シ囲みかつ該支持板に対して同軸的に保持された、
移動可能な保持体を構成しており、この場合前記2つの
スペーサー間の前記保持体の側壁内のスリット全弁して
挿入可能な前記基板は、支持面上に載置され、そこにお
いて、前記支持板と前記保持体を相対的に移動させるこ
とで前記固定リング又は前記フィンガによって固定され
得ること、により解決される。
板と、該支持板の下方に配置された底板とを備え、該底
板は、スペーサー及び固定リング又は前記支持板の平面
にほぼ平行に延びるフィンガと共に、該支持板を部分的
に取シ囲みかつ該支持板に対して同軸的に保持された、
移動可能な保持体を構成しており、この場合前記2つの
スペーサー間の前記保持体の側壁内のスリット全弁して
挿入可能な前記基板は、支持面上に載置され、そこにお
いて、前記支持板と前記保持体を相対的に移動させるこ
とで前記固定リング又は前記フィンガによって固定され
得ること、により解決される。
好ましくは、前記支持板を担持する前記中空軸には通路
が備えられており、該通路は、一端側で流入・流出管路
と一致し、他端側で前記支持板内の冷却通路と又は、前
記支持面と前記基板の間に形成されている室と一致して
いる。
が備えられており、該通路は、一端側で流入・流出管路
と一致し、他端側で前記支持板内の冷却通路と又は、前
記支持面と前記基板の間に形成されている室と一致して
いる。
前記基板全前記支持面上に正確に載置することを可能に
するために、前記保持体は、1つ又は複数の調節部材、
例えば液圧又は空気圧7リングーにより、あるいはスピ
ンドル−ナット駆動装置が備え付けられた昇降装置によ
り、前記支持板に対して移動可能になってAる。
するために、前記保持体は、1つ又は複数の調節部材、
例えば液圧又は空気圧7リングーにより、あるいはスピ
ンドル−ナット駆動装置が備え付けられた昇降装置によ
り、前記支持板に対して移動可能になってAる。
これに加えて、さらに前記中空軸の縦軸線に対して横方
向から開口又はスリット内に進入可能な導入・導出腕を
備え、前記スリットは、2つの隣接するスペーサーと前
記固定リングと前記保持体の前記底板とから構成されて
おり、該スリットの装置に面した端部には、前記基板の
ための保持具が備えられており、この場合前記保持具は
、昇降ピンが貫通するところの開口又は空所を有してお
り、該昇降ピンは、前記保持体の前記底板上に配設され
ていて、前記基板と接触して、該基板を前記保持具から
持ち上げたり、載置したりする。
向から開口又はスリット内に進入可能な導入・導出腕を
備え、前記スリットは、2つの隣接するスペーサーと前
記固定リングと前記保持体の前記底板とから構成されて
おり、該スリットの装置に面した端部には、前記基板の
ための保持具が備えられており、この場合前記保持具は
、昇降ピンが貫通するところの開口又は空所を有してお
り、該昇降ピンは、前記保持体の前記底板上に配設され
ていて、前記基板と接触して、該基板を前記保持具から
持ち上げたり、載置したりする。
有利には、前記中空軸は、歯車装置又は歯付きベルト装
置全介してモーター洗よって駆動可能であり、そしてさ
らにケーシングカバーの軸受に支承されており、この場
合前記ケーシングは、前記装置の台において軸線の回り
で旋回可能に支持されておシ、該軸線は、前記支持板の
前記支持面の平面に対して平行に延びている。
置全介してモーター洗よって駆動可能であり、そしてさ
らにケーシングカバーの軸受に支承されており、この場
合前記ケーシングは、前記装置の台において軸線の回り
で旋回可能に支持されておシ、該軸線は、前記支持板の
前記支持面の平面に対して平行に延びている。
有利には、前記底板は、少なくとも1つの昇降ロッド又
はタペット上で支持されており、この場合前記昇降ロッ
ド又はタペットは、昇降シリンダ−又は機械的に作動し
て、歯付きベルトを介してモーターにより駆動される昇
降装置によって動かされ得る。
はタペット上で支持されており、この場合前記昇降ロッ
ド又はタペットは、昇降シリンダ−又は機械的に作動し
て、歯付きベルトを介してモーターにより駆動される昇
降装置によって動かされ得る。
前記昇降ロッドは、両腕式の差動レバー上で支持されて
おり、該差動レバーの端部は、圧力媒体回路内に組み込
まれたシリンダーのピストンロッドと共働する。
おり、該差動レバーの端部は、圧力媒体回路内に組み込
まれたシリンダーのピストンロッドと共働する。
前記基板を良好に冷却するために、前記中空軸は、複数
の軸平行の通路を有しており、該通路は、周回溝及び/
又は中心開口に連通しており、この場合、前記保持体の
前記底板ては開口又は通孔が備えられており、前記中空
軸の、クラウン形状に構成された前記保持体側の端部が
、その突出部をもって前記通孔を貫通しており、この場
合前記突出部の端部は、前記支持板に堅固に連結されて
いる。
の軸平行の通路を有しており、該通路は、周回溝及び/
又は中心開口に連通しており、この場合、前記保持体の
前記底板ては開口又は通孔が備えられており、前記中空
軸の、クラウン形状に構成された前記保持体側の端部が
、その突出部をもって前記通孔を貫通しており、この場
合前記突出部の端部は、前記支持板に堅固に連結されて
いる。
有利には、前記支持板の前記支持面には、通路が開口し
ており、該通路を経て、前記基板を冷却するがスが、該
基板と前記支持板とによって少なくとも一時的に形成さ
2れる前記空間又は室内に流入することができる。
ており、該通路を経て、前記基板を冷却するがスが、該
基板と前記支持板とによって少なくとも一時的に形成さ
2れる前記空間又は室内に流入することができる。
本発明には非常に多様な実施形態の可能性がある。この
中の2つの実施形態が、添付の図面に概略的に示されて
いる。
中の2つの実施形態が、添付の図面に概略的に示されて
いる。
リアクティブイオンビームエツチング装置内に基板8を
収容するための第1図て示された装置は、本質的には、
真空室1、イオン源2、ポンプスタンド3、基板テーブ
ル4、基板ホルダー5、出入り扉6、導入・導出腕7そ
して基板8(例えは、シリコン板)からなる。基板ホル
ダー5は、基板テーブル4内に軸線79の回りで回転可
能に支承されている。この基板テーブル4は、保持腕1
0を介して軸線68の回りで旋回可能に、真空室1の壁
に取り付けられている。軸線79の回りの基板ホルダー
5の連続回転によって、イオンビーム12の不均質性に
よるエツチングプロセスへの悪影響は減少する。
収容するための第1図て示された装置は、本質的には、
真空室1、イオン源2、ポンプスタンド3、基板テーブ
ル4、基板ホルダー5、出入り扉6、導入・導出腕7そ
して基板8(例えは、シリコン板)からなる。基板ホル
ダー5は、基板テーブル4内に軸線79の回りで回転可
能に支承されている。この基板テーブル4は、保持腕1
0を介して軸線68の回りで旋回可能に、真空室1の壁
に取り付けられている。軸線79の回りの基板ホルダー
5の連続回転によって、イオンビーム12の不均質性に
よるエツチングプロセスへの悪影響は減少する。
軸線68は、支持面62に対するイオンビーム12のプ
ロセスに適した入射角の選択を可能てする。
ロセスに適した入射角の選択を可能てする。
第2図によれは、基板ホルダー5は、基板チーデル4の
ケーシングカバー86に保持され、かつ案内されている
。上部で拡大しかつ3つのセグメントに移行する中空軸
13は、支持板14を担持しており、この場合同中空軸
13の上端部はクラウン形状に構成されており、そして
同中空軸13の個別の突出部93.93′、93#は、
保持体17の底板60の開口92゜92′、92“を貫
通して案内されている。支持板14は、2つの冷却水通
路15′、 15“(このうちの1つだけが図示され
ている)を介して液体により冷却される。この場合冷却
液は、中空軸13の壁内の2つの孔を介して供給ないし
排出される。中空軸16中の第6の通路15は、冷却が
ス、例えばヘリウムを供給するもので、同冷却ガスは、
支持板14の中心の基板8の下部に流出し、同基板を、
支持板14に対する熱放出によって冷却する。
ケーシングカバー86に保持され、かつ案内されている
。上部で拡大しかつ3つのセグメントに移行する中空軸
13は、支持板14を担持しており、この場合同中空軸
13の上端部はクラウン形状に構成されており、そして
同中空軸13の個別の突出部93.93′、93#は、
保持体17の底板60の開口92゜92′、92“を貫
通して案内されている。支持板14は、2つの冷却水通
路15′、 15“(このうちの1つだけが図示され
ている)を介して液体により冷却される。この場合冷却
液は、中空軸13の壁内の2つの孔を介して供給ないし
排出される。中空軸16中の第6の通路15は、冷却が
ス、例えばヘリウムを供給するもので、同冷却ガスは、
支持板14の中心の基板8の下部に流出し、同基板を、
支持板14に対する熱放出によって冷却する。
中空軸13内には昇降ロット置6が存在しており、同昇
降ロッドの上端部には保持体17が固定されている。こ
の保持体は支持板14を取り囲む。この保持体は、星形
の底部又は3本の腕17′、 17“ 17mを持つ
底板60からなり、これらの腕は、それぞれ1つの昇降
ピン18゜18′、18“と1つのスペーサー19.1
9”。
降ロッドの上端部には保持体17が固定されている。こ
の保持体は支持板14を取り囲む。この保持体は、星形
の底部又は3本の腕17′、 17“ 17mを持つ
底板60からなり、これらの腕は、それぞれ1つの昇降
ピン18゜18′、18“と1つのスペーサー19.1
9”。
19“を担持している。
昇降ロッド16は、2つの滑り軸受20゜20’によっ
て案内され、かつベローズ21によってねじれないよう
に保護されている。その上、ベローズ21は、中空軸1
6の内部を真空室1に対して密封する。底板60と、中
空軸13の、クラウン形状に構成された保持体側の端部
との間に、適当な液圧制御装置tC接続された(詳細に
は図示されていない。)昇降シリンダー77を配設する
こともできる。昇降ロッド16は、6つの位置−高、中
、低−をとることができる。
て案内され、かつベローズ21によってねじれないよう
に保護されている。その上、ベローズ21は、中空軸1
6の内部を真空室1に対して密封する。底板60と、中
空軸13の、クラウン形状に構成された保持体側の端部
との間に、適当な液圧制御装置tC接続された(詳細に
は図示されていない。)昇降シリンダー77を配設する
こともできる。昇降ロッド16は、6つの位置−高、中
、低−をとることができる。
中間位置において、細長い導入・導出腕7が、円板状の
基板8をスリット95を介して保持体17内へ押し込み
、そしてまた同基板を支持板14上の中心に位置決めで
きるように、保持体17は支持板14に対して持ち上げ
られている。
基板8をスリット95を介して保持体17内へ押し込み
、そしてまた同基板を支持板14上の中心に位置決めで
きるように、保持体17は支持板14に対して持ち上げ
られている。
次いで、昇降ロッド16は、”高”位置へ移動する。こ
の場合昇降ピン18.18′、18“によって、基板8
は腕7から持ち上げられる。その後、腕7は矢印Fの方
向へ引き戻され、昇降ロッド16は下方の位置へ降下し
、それでもって基板8を、支持板14の、補助的案内と
して面取りされた内側縁22に沿って収容位置へ滑り込
ませる。固定リング65によって、基板8は支持面36
上にしっかりと押し付けられる。
の場合昇降ピン18.18′、18“によって、基板8
は腕7から持ち上げられる。その後、腕7は矢印Fの方
向へ引き戻され、昇降ロッド16は下方の位置へ降下し
、それでもって基板8を、支持板14の、補助的案内と
して面取りされた内側縁22に沿って収容位置へ滑り込
ませる。固定リング65によって、基板8は支持面36
上にしっかりと押し付けられる。
エツチングプロセスを実行した後で基板8を取り出すた
めに、昇降ロッド16は上方位置へ移動せしめられる。
めに、昇降ロッド16は上方位置へ移動せしめられる。
腕7が基板の下に入り込む。
そのあとで、昇降ロッド16が中間位置へ下降すること
によって、基板8が腕7の支持突起34.34′、34
“上に降ろされ、続いて横方向へ引き出される。
によって、基板8が腕7の支持突起34.34′、34
“上に降ろされ、続いて横方向へ引き出される。
中空軸16は、基板テーブル4内に軸受23゜23′に
よって支承されている。真空に対する密封は、シールリ
ング24によって行われる。この場合強磁性流体的シー
ルが好ましい。通路15′、15“並びに取水路68及
び排水路67を介した冷却水の導入及び導出と、給気路
66全介した中空軸16への冷却ガスの導入は、回転ダ
ク) 25 Kよって行われる。中空軸13は、モータ
ー駆動ユニット28によって歯車対26゜27を介して
駆動される。モーター駆動ユニット内には回転検出器2
9が内蔵されており、したがって中空軸16の位置を測
定することができる。これによって、保持体17を、導
入・導出工程のために、腕7に対して十分正確に調節す
ることができる。昇降ロッド16の3つの位置は、両腕
式の空気圧シリンダー30.31に用いることで実現さ
れる。このシリンダーのピストンロッドは、制御位置S
1.S2.S3゜S4に占めることができる。この場合
シリンダー30.31は、機械的に直列に配置されるか
、又は第2図に示すように、差動レバー62を介して連
結され得る。このような場合、昇降ロッド1乙の上方位
置は制御位置82.34によって、中間位置はSl、8
4又は32.S3によって、そして下方位置は31,3
3によって与えられる。昇降ロッド16への力の伝達は
、昇降ロッド16の自由な回転は許容するが軸方向の力
は伝達する回転軸受66、例えば溝付き球軸受を介して
行われる。
よって支承されている。真空に対する密封は、シールリ
ング24によって行われる。この場合強磁性流体的シー
ルが好ましい。通路15′、15“並びに取水路68及
び排水路67を介した冷却水の導入及び導出と、給気路
66全介した中空軸16への冷却ガスの導入は、回転ダ
ク) 25 Kよって行われる。中空軸13は、モータ
ー駆動ユニット28によって歯車対26゜27を介して
駆動される。モーター駆動ユニット内には回転検出器2
9が内蔵されており、したがって中空軸16の位置を測
定することができる。これによって、保持体17を、導
入・導出工程のために、腕7に対して十分正確に調節す
ることができる。昇降ロッド16の3つの位置は、両腕
式の空気圧シリンダー30.31に用いることで実現さ
れる。このシリンダーのピストンロッドは、制御位置S
1.S2.S3゜S4に占めることができる。この場合
シリンダー30.31は、機械的に直列に配置されるか
、又は第2図に示すように、差動レバー62を介して連
結され得る。このような場合、昇降ロッド1乙の上方位
置は制御位置82.34によって、中間位置はSl、8
4又は32.S3によって、そして下方位置は31,3
3によって与えられる。昇降ロッド16への力の伝達は
、昇降ロッド16の自由な回転は許容するが軸方向の力
は伝達する回転軸受66、例えば溝付き球軸受を介して
行われる。
第3図は、導入腕7が、基板8を載置又は取り出す時に
、保持体17内で位置決めされている様子を上から見た
図である。
、保持体17内で位置決めされている様子を上から見た
図である。
基板テーブルを自動化する利点は、1つには、生産施設
に対する基本的要請であるところの装置全体の自動化が
それによって可能になることでちり、もう1つは、粒子
による汚染のリスクが本質的に減少することにある。と
りわけ本発明の装置は、回転運動又は昇降運動に際して
機械的な摩擦は全く発生せず、したがって粒子は全く生
じないという利点を有する。その上、支持板14と基板
8の冷却の問題は、適切な方法で解決されている。
に対する基本的要請であるところの装置全体の自動化が
それによって可能になることでちり、もう1つは、粒子
による汚染のリスクが本質的に減少することにある。と
りわけ本発明の装置は、回転運動又は昇降運動に際して
機械的な摩擦は全く発生せず、したがって粒子は全く生
じないという利点を有する。その上、支持板14と基板
8の冷却の問題は、適切な方法で解決されている。
第4図には、本発明の他の実施例が概略的に示されてい
る。基板テーブル52は、軸線38の回りで旋回可能に
、7ランジ69上に取り付けられている。基板テーブル
52は、電気モーター41によって歯付きベルト42を
介して駆動される6つの昇降装置40.40′、40“
と、軸受及びシール組体を含む回転ダクト4′5と、軸
線49の回りで回転可能な基板ホルダー56と、歯付き
ベルト81を介して同基板ホルダーを回転せしめる電気
モーター84とを含んでいる。この基板ホルダー53は
、水冷式の支持板44と、底板61と、中空軸45と、
昇降案内ビン47.47′、47“全備える保持体46
とからなる。休止位置だおいて、昇降装置40゜40′
、40“のタペット51.51′、51“は基板テーブ
ル52内に引き込められている。保持体46は、板ばね
54によって下方へ押し下げられ、そしてその上部リン
グ48をもって基板48を支持板44上へ抑圧固定して
いる。支持板44には、シールリング55.56が、同
文持板44の周囲と、昇降ビン47用の開口の回シ1て
取り付けられている。これらのシールリングは、基板8
が押し付けられている状態におい基 て、翼板背面と支持面62の間の密封を確保するだめの
ものである。基板8の処理中に、基板8と支持板44間
の熱伝導度を高めるために、このようにして密閉された
空間57内へ、ヘリウム又は他の適当な気体が送り込ま
れる。基板8′f:導入及び導出するために、3つの昇
降装置40を繰り出すことで、保持体46(l′i”上
”位置へ送られる。この場合昇降装置40は、歯付きベ
ルト42を介して駆動される。保持体46が”上”位置
にある場合、6本の昇降ピン47は、板44から突出し
て、基板8を支持する。
る。基板テーブル52は、軸線38の回りで旋回可能に
、7ランジ69上に取り付けられている。基板テーブル
52は、電気モーター41によって歯付きベルト42を
介して駆動される6つの昇降装置40.40′、40“
と、軸受及びシール組体を含む回転ダクト4′5と、軸
線49の回りで回転可能な基板ホルダー56と、歯付き
ベルト81を介して同基板ホルダーを回転せしめる電気
モーター84とを含んでいる。この基板ホルダー53は
、水冷式の支持板44と、底板61と、中空軸45と、
昇降案内ビン47.47′、47“全備える保持体46
とからなる。休止位置だおいて、昇降装置40゜40′
、40“のタペット51.51′、51“は基板テーブ
ル52内に引き込められている。保持体46は、板ばね
54によって下方へ押し下げられ、そしてその上部リン
グ48をもって基板48を支持板44上へ抑圧固定して
いる。支持板44には、シールリング55.56が、同
文持板44の周囲と、昇降ビン47用の開口の回シ1て
取り付けられている。これらのシールリングは、基板8
が押し付けられている状態におい基 て、翼板背面と支持面62の間の密封を確保するだめの
ものである。基板8の処理中に、基板8と支持板44間
の熱伝導度を高めるために、このようにして密閉された
空間57内へ、ヘリウム又は他の適当な気体が送り込ま
れる。基板8′f:導入及び導出するために、3つの昇
降装置40を繰り出すことで、保持体46(l′i”上
”位置へ送られる。この場合昇降装置40は、歯付きベ
ルト42を介して駆動される。保持体46が”上”位置
にある場合、6本の昇降ピン47は、板44から突出し
て、基板8を支持する。
基板を導入ないしは導出するために、適当なフォーク体
又は導入・導出腕7−図示されていない−が、保持体4
6のスペーサー59.59’間のスリット58を通って
、基板背面と支持板44間の空間に進入する。導入・導
出腕7を挿入した後、保持体46は“中”位置へ下降せ
しめられる。これは、3つの昇降装#40の下降によっ
て行われる。この位置において、既に昇降ピン47は、
基板8が導入・導出腕7の上に自由に位置できるほどに
、下降している。基板8をその上に載せたままで導入・
導出腕7を外へ出すことにより、装置から基板が取り出
される。基板の導入は逆の順序で行われる。
又は導入・導出腕7−図示されていない−が、保持体4
6のスペーサー59.59’間のスリット58を通って
、基板背面と支持板44間の空間に進入する。導入・導
出腕7を挿入した後、保持体46は“中”位置へ下降せ
しめられる。これは、3つの昇降装#40の下降によっ
て行われる。この位置において、既に昇降ピン47は、
基板8が導入・導出腕7の上に自由に位置できるほどに
、下降している。基板8をその上に載せたままで導入・
導出腕7を外へ出すことにより、装置から基板が取り出
される。基板の導入は逆の順序で行われる。
さらに説明すると、タペット51は、歯車87を介して
駆動されるところのスピンドル−ナット駆動装置78に
よって動かさり、る。中空軸45には、歯付きベルト8
1と共働する歯車83が圧着されている。中空軸45内
の冷却媒体管路66.64.65は、薄壁管90.91
によって互いに隔てられており、そして一端側では環状
通路を介して管路69.70.71に接続されており、
他端側では冷却通路76゜74.75に接続されている
。符号9乙によって、中空軸45の一部であるフランジ
部分が表示されている。
駆動されるところのスピンドル−ナット駆動装置78に
よって動かさり、る。中空軸45には、歯付きベルト8
1と共働する歯車83が圧着されている。中空軸45内
の冷却媒体管路66.64.65は、薄壁管90.91
によって互いに隔てられており、そして一端側では環状
通路を介して管路69.70.71に接続されており、
他端側では冷却通路76゜74.75に接続されている
。符号9乙によって、中空軸45の一部であるフランジ
部分が表示されている。
第1図は、真空室内で基板を被覆する装置を示す図、
第2図は、第1図に示された装置の、基板ホルダーを備
える基板テーブルの縦断面図、第6図は、第2図の線C
−Dに沿った断面図、第4図は、他の実施例の基板テー
ブル及び基板ホルダーを備える装置の断面図を示す。 1・・・真空室、4・・・ケーシング、7・・・導入・
導出腕、8・・・基板、13.45・・・中空軸、14
゜44・・・支持板、15. 15′、 63. 6
4. 65・・通路、16・・・昇降ロッド、17.4
6・・・保持体、18.18′、18″、47・・・昇
降ピン、19.19′、19″、59.59’・・・ス
ペーサー、23.23′、85.85’・・・軸受、2
6,27゜82.83・・・歯車、28,41.84・
・・モーター、30.31 ・・シリンダー、32・
・・差動レバー、35.48・・・固定リング、36.
62・・・支持面、40・・・昇降装置、42.81・
・・歯付きベル)、49.79・・・中空軸の軸線、5
1・・・タペット、57.76・・・空間、60.61
・・・底板、66〜71・・・流入・流出通路、72〜
75・・・冷却通路、77・・・シリンダー、78・・
・スピンドル−ナット駆動装置、80・・・保持具、8
6・・・ケーシングカバー、88.89・・・ピストン
ロッド、90.91・・・管路、92. 92′、
92“・・・開口、93.93′、93“・・・突出部
える基板テーブルの縦断面図、第6図は、第2図の線C
−Dに沿った断面図、第4図は、他の実施例の基板テー
ブル及び基板ホルダーを備える装置の断面図を示す。 1・・・真空室、4・・・ケーシング、7・・・導入・
導出腕、8・・・基板、13.45・・・中空軸、14
゜44・・・支持板、15. 15′、 63. 6
4. 65・・通路、16・・・昇降ロッド、17.4
6・・・保持体、18.18′、18″、47・・・昇
降ピン、19.19′、19″、59.59’・・・ス
ペーサー、23.23′、85.85’・・・軸受、2
6,27゜82.83・・・歯車、28,41.84・
・・モーター、30.31 ・・シリンダー、32・
・・差動レバー、35.48・・・固定リング、36.
62・・・支持面、40・・・昇降装置、42.81・
・・歯付きベル)、49.79・・・中空軸の軸線、5
1・・・タペット、57.76・・・空間、60.61
・・・底板、66〜71・・・流入・流出通路、72〜
75・・・冷却通路、77・・・シリンダー、78・・
・スピンドル−ナット駆動装置、80・・・保持具、8
6・・・ケーシングカバー、88.89・・・ピストン
ロッド、90.91・・・管路、92. 92′、
92“・・・開口、93.93′、93“・・・突出部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、工作物を保持する装置、とりわけ表面処理を行うた
めに、特にリアクテイブイオンビームエツチングを行う
ため又は陰極スパッタリングによる被覆を行うために、
円板状の平坦な基板(8)を真空室(1)内で保持する
装置において、中空軸(13、45)に結合された支持
板(14、44)と、該支持板(14、44)の下方に
配置された底板(60、61)とを備え、該底板は、ス
ペーサー(19、19′、19″;59、59′)及び
固定リング(35、48)又は前記支持板の平面にほぼ
平行に延びるフィンガと共に、該支持板(14、44)
を部分的に取り囲みかつ該支持板(14、44)に対し
て同軸的に保持された、移動可能な保持体(17、46
)を構成しており、この場合前記2つのスペーサー(1
9、19′、19″;59、59′)間の前記保持体(
17、46)の側壁内のスリットを介して挿入可能な前
記基板(8)は、支持面(36、62)上に載置され、
そこにおいて、前記支持板(14;44)と前記支持体
(17、46)を相対的に移動させることで前記固定リ
ング(35、48)又は前記フィンガによつて固定され
得ることを特徴とする工作物を保持する装置。 2、前記支持板(14;44)を担持する前記中空軸(
13;45)には通路(15、15′;63、64、6
5)が備えられており、該通路は、一端側で流入・流出
管路(66〜71)と一致し、他端側で前記支持板(1
4;44)内の冷却通路(72〜75)と又は、前記支
持面(36;62)と前記基板(8)の間に形成されて
いる空間(57;76)と一致していることを特徴とす
る請求項1に記載の装置。 3、前記保持体(17;46)は、1つ又は複数の調節
部材、例えば液圧又は空気圧シリンダー(77)により
、あるいはスピンドル−ナット駆動装置(78)が備え
付けられた昇降装置(40)により、前記支持板(14
;44)に対して移動可能であることを特徴とする請求
項1に記載の装置。 4、前記中空軸(13;45)の縦軸線(49、79)
に対して横方向から開口又はスリット(58、95)内
に進入可能な導入・導出腕(7)を備え、前記スリット
は、2つの隣接するスペーサー(19′、19″、59
′)と前記固定リング(35;48)と前記保持体(1
7;46)の前記底板(60;61)とから構成されて
おり、該スリットの装置に面した端部には、前記基板(
8)のための保持具(80)が備えられており、この場
合前記保持具(80)は、昇降ピン(18、18′、1
8″、47、)が貫通するところの開口又は空所又は形
状を有しており、該昇降ピンは、前記保持体(17;4
6)の前記底板(60;61)上に配設されていて、前
記基板(8)と接触して、該基板を前記保持具(80)
から持ち上げたり、該保持具上に載置したりすることを
特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の装置
。 5、前記中空軸(13;45)は、歯車装置又は歯付き
ベルト装置(26、27、81、82、83)を介して
モーター(28;84)によつて駆動可能であり、そし
てさらにケーシングカバー(86)の軸受(23、23
′、85、85′)に支承されていることを特徴とする
前記各請求項のいずれか1項に記載の装置。 6、前記ケーシング(4)は、前記装置の台において軸
線(38)の回りで旋回可能に支持されており、該軸線
は、前記支持板(14;44)の前記支持面(36;6
2)の平面内又はその近傍で延びていることを特徴とす
る前記各請求項のいずれか1項に記載の装置。 7、前記保持体(17;46)は、前記底板(60、6
1)をもつて、少なくとも1つの昇降ロッド(16)又
はタペット(51)上で支持されており、この場合前記
昇降ロッド(16)又はタペット(51)は、昇降シリ
ンダー(77)又は機械的に作動して、歯付きベルト(
42)を介してモーター(41)により駆動される昇降
装置(40)によつて動かされ得ることを特徴とする前
記各請求項のいずれか1項に記載の装置。 8、前記昇降ロッド(16)は、両腕式の差動レバー(
32)上で支持されており、該差動レバーの端部は、圧
力媒体回路内に組み込まれかつ制御弁に接続されたシリ
ンダー(30、31)のピストンロッド(88、89)
と共働することを特徴とする前記各請求項のいずれか1
項に記載の装置。 9、前記中空軸(45)は、複数の同心的な通路(63
、64、65)を有しており、該通路は、複数の互いに
同心的に配置された薄壁の管路(90、91)によつて
互いに隔てられるとともに、周回溝及び/又は中心出口
に連通していることを特徴とする前記各請求項のいずれ
か1項に記載の装置。 10、前記保持体(17)の前記底板(60)は開口又
は通孔(92、92′、92″)を有しており、前記中
空軸(13)の、クラウン形状に構成された前記保持体
側の端部が、その突出部(93、93′、93″)をも
つて前記通孔を貫通しており、この場合前記突出部(9
3、93′、93″)の端部は、前記支持板(14)に
堅固に連結されていることを特徴とする前記各請求項の
いずれか1項に記載の装置。 11、前記支持板(14;44)の前記支持面(36;
62)には、通路(15、65)が開口しており、該通
路を経て、前記基板(8)を冷却するガスが、該基板(
8)と前記支持板(14;44)とによつて少なくとも
一時的に区画される前記空間又は室(76;57)内に
流入することを特徴とする前記各請求項のいずれか1項
に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3803411A DE3803411A1 (de) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | Vorrichtung zur halterung von werkstuecken |
DE3803411.5 | 1988-02-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01252770A true JPH01252770A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=6346672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1025960A Pending JPH01252770A (ja) | 1988-02-05 | 1989-02-06 | 工作物を保持する装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4869801A (ja) |
EP (1) | EP0326838B1 (ja) |
JP (1) | JPH01252770A (ja) |
KR (1) | KR890013214A (ja) |
DE (2) | DE3803411A1 (ja) |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE4009603A1 (de) * | 1989-03-30 | 1990-10-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zum ein- und ausschleusen eines werkstuecks in eine vakuumkammer |
EP0389820B1 (de) * | 1989-03-30 | 1993-06-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen eines Werkstücks in eine Vakuumkammer |
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JPH04358071A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | 真空処理装置 |
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