JP2000057986A - イオンビーム加工装置 - Google Patents
イオンビーム加工装置Info
- Publication number
- JP2000057986A JP2000057986A JP10226132A JP22613298A JP2000057986A JP 2000057986 A JP2000057986 A JP 2000057986A JP 10226132 A JP10226132 A JP 10226132A JP 22613298 A JP22613298 A JP 22613298A JP 2000057986 A JP2000057986 A JP 2000057986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- sample holder
- chamber door
- ion beam
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/16—Vessels; Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 人の移動を少なくして操作性の向上を図るこ
と。 【解決手段】 真空チャンバ１２の前面側に真空チャン
バ扉２８を設け、真空チャンバ扉２８に回転軸４４、円
板４６を介して試料ホルダ４８を連結し、真空チャンバ
２８の右側面側にイオン源１６を着脱自在に配置し、真
空チャンバ１２の左側面側に制御盤１８を配置する。直
線往復運動機構３０によって引出し自在に支持された真
空チャンバ扉２８の操作面６０と制御盤１８の操作面６
２をほぼ同一平面上に配置する。
と。 【解決手段】 真空チャンバ１２の前面側に真空チャン
バ扉２８を設け、真空チャンバ扉２８に回転軸４４、円
板４６を介して試料ホルダ４８を連結し、真空チャンバ
２８の右側面側にイオン源１６を着脱自在に配置し、真
空チャンバ１２の左側面側に制御盤１８を配置する。直
線往復運動機構３０によって引出し自在に支持された真
空チャンバ扉２８の操作面６０と制御盤１８の操作面６
２をほぼ同一平面上に配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンビーム加工
装置に係り、特に、大口径のイオン源を搭載したイオン
ビームミリングやイオンビームスパッタなどの加工装置
として用いるに好適なイオンビーム加工装置に関する。
装置に係り、特に、大口径のイオン源を搭載したイオン
ビームミリングやイオンビームスパッタなどの加工装置
として用いるに好適なイオンビーム加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板、磁気ヘッドなどを加
工するに際して、イオンビーム加工装置が用いられてお
り、この種の装置として、例えば、日立評論「１９８６
年６月Ｖｏｌ．６８ Ｎｏ．６」に記載されているよう
に、高スループット確保のために、大口径のイオン源を
搭載したイオンビームミリング装置が提案されている。
このイオンビームミリング装置は、導入ガスをプラズマ
化してイオンビームを発生するイオン源と、イオン源か
ら引き出されるイオンビームにより試料の加工を行なう
加工室チャンバと、イオン源と加工室チャンバとを連結
する真空チャンバと、真空チャンバと排気装置とを連結
する真空弁と、操作に応答して試料の加工に関する制御
を実行する制御盤などを備えて構成されており、イオン
源を大口径化したことに伴って、一度に多くの試料に加
工を施すことができる。
工するに際して、イオンビーム加工装置が用いられてお
り、この種の装置として、例えば、日立評論「１９８６
年６月Ｖｏｌ．６８ Ｎｏ．６」に記載されているよう
に、高スループット確保のために、大口径のイオン源を
搭載したイオンビームミリング装置が提案されている。
このイオンビームミリング装置は、導入ガスをプラズマ
化してイオンビームを発生するイオン源と、イオン源か
ら引き出されるイオンビームにより試料の加工を行なう
加工室チャンバと、イオン源と加工室チャンバとを連結
する真空チャンバと、真空チャンバと排気装置とを連結
する真空弁と、操作に応答して試料の加工に関する制御
を実行する制御盤などを備えて構成されており、イオン
源を大口径化したことに伴って、一度に多くの試料に加
工を施すことができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術においては、
試料ホルダがその両側を回転軸に支持された状態で回転
軸を介して加工室チャンバの内側に固定されており、試
料ホルダに試料を取り付けたり、試料ホルダから試料を
取り出したりするには、加工室チャンバに開閉自在に固
定されたチャンバ扉を開かなければならず、チャンバ扉
の前面側にチャンバ扉開閉用のスペースが必要である。
しかも、このスペースを間にして制御盤が配置され、制
御盤の操作面とチャンバ扉の操作面が同一平面上に配置
されていないため、制御盤を操作したり、チャンバ扉を
開閉するのに操作員がその都度移動して操作することが
余儀なくされている。
試料ホルダがその両側を回転軸に支持された状態で回転
軸を介して加工室チャンバの内側に固定されており、試
料ホルダに試料を取り付けたり、試料ホルダから試料を
取り出したりするには、加工室チャンバに開閉自在に固
定されたチャンバ扉を開かなければならず、チャンバ扉
の前面側にチャンバ扉開閉用のスペースが必要である。
しかも、このスペースを間にして制御盤が配置され、制
御盤の操作面とチャンバ扉の操作面が同一平面上に配置
されていないため、制御盤を操作したり、チャンバ扉を
開閉するのに操作員がその都度移動して操作することが
余儀なくされている。
【０００４】本発明の目的は、操作員の移動を少なくし
て操作性の向上を図ることができるイオンビーム加工装
置を提供することにある。
て操作性の向上を図ることができるイオンビーム加工装
置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、試料を保持する試料ホルダと、この試料
ホルダを収納するための収納室を有するとともに真空排
気装置に真空弁を介して連通する排気ポートと試料ホル
ダ導入口を有する真空チャンバと、イオンビームを前記
真空チャンバ内に照射するイオン源と、操作に応答して
前記試料の加工に関する制御を実行する制御盤と、前記
試料ホルダ導入口に着脱自在に配置されて前記試料ホル
ダ導入口を閉塞する真空チャンバ扉と、この真空チャン
バ扉に固定されて前記試料ホルダを支持する支持機構と
を備え、前記制御盤の操作面と前記真空チャンバ扉の操
作面が同一平面上に配置されてなるイオンビーム加工装
置を構成したものである。
に、本発明は、試料を保持する試料ホルダと、この試料
ホルダを収納するための収納室を有するとともに真空排
気装置に真空弁を介して連通する排気ポートと試料ホル
ダ導入口を有する真空チャンバと、イオンビームを前記
真空チャンバ内に照射するイオン源と、操作に応答して
前記試料の加工に関する制御を実行する制御盤と、前記
試料ホルダ導入口に着脱自在に配置されて前記試料ホル
ダ導入口を閉塞する真空チャンバ扉と、この真空チャン
バ扉に固定されて前記試料ホルダを支持する支持機構と
を備え、前記制御盤の操作面と前記真空チャンバ扉の操
作面が同一平面上に配置されてなるイオンビーム加工装
置を構成したものである。
【０００６】前記イオンビーム加工装置を構成するに際
しては、真空チャンバ扉に連結されて真空チャンバ扉を
試料ホルダ導入口に対して往復動自在に支持する往復運
動機構を設けることができる。
しては、真空チャンバ扉に連結されて真空チャンバ扉を
試料ホルダ導入口に対して往復動自在に支持する往復運
動機構を設けることができる。
【０００７】前記各イオンビーム加工装置を構成するに
際しては、以下の要素を付加することができる。
際しては、以下の要素を付加することができる。
【０００８】（１）前記往復運動機構は前記真空チャン
バ扉の底部側に連結されて前記真空チャンバの底部側と
前記真空チャンバを支持する架台との間に配置されてな
る。
バ扉の底部側に連結されて前記真空チャンバの底部側と
前記真空チャンバを支持する架台との間に配置されてな
る。
【０００９】（２）前記イオン源は、前記真空チャンバ
に着脱自在に固定されてなる。
に着脱自在に固定されてなる。
【００１０】（３）前記真空チャンバはイオン源を固定
するための固定用フランジを有し、前記イオン源は前記
固定用フランジにヒンジ機構を介して連結された連結用
フランジを有し、前記イオン源は前記連結用フランジを
介して前記固定用フランジに着脱自在に固定されてな
る。
するための固定用フランジを有し、前記イオン源は前記
固定用フランジにヒンジ機構を介して連結された連結用
フランジを有し、前記イオン源は前記連結用フランジを
介して前記固定用フランジに着脱自在に固定されてな
る。
【００１１】（４）前記制御盤は、前記真空チャンバの
試料ホルダ導入口に隣接して配置されてなる。
試料ホルダ導入口に隣接して配置されてなる。
【００１２】（５）前記制御盤は、前記真空チャンバを
間にして前記イオン源とは反対側に、前記真空チャンバ
の試料ホルダ導入口に隣接して配置されてなる。
間にして前記イオン源とは反対側に、前記真空チャンバ
の試料ホルダ導入口に隣接して配置されてなる。
【００１３】前記した手段によれば、操作端の操作面と
真空チャンバ扉の操作面が同一平面上に配置されている
ため、操作盤を操作したり、真空チャンバ扉を開閉した
りするのに操作員の移動を少なくすることができ、操作
性の向上に寄与することができる。
真空チャンバ扉の操作面が同一平面上に配置されている
ため、操作盤を操作したり、真空チャンバ扉を開閉した
りするのに操作員の移動を少なくすることができ、操作
性の向上に寄与することができる。
【００１４】また真空チャンバ扉は往復運動機構によっ
て試料ホルダ導入口に対して往復動自在に支持されてい
るとともに、試料ホルダが支持機構によって真空チャン
バ扉に固定されているため、真空チャンバ扉を往復運動
機構の往復動により真空チャンバ外に引き出すことがで
き、試料の取り出し作業を容易に行なうことができる。
さらに真空チャンバ扉を往復運動機構によって引き出し
できる構造としたため、真空チャンバ扉をヒンジ機構な
どで開閉自在に支持する構造のものよりも真空チャンバ
のサイズを小さくすることができる。さらに、イオン源
は真空チャンバに着脱自在に固定されているため、イオ
ン源を真空チャンバから離すことで、真空チャンバ内の
清掃やイオン源のメンテナンスを容易に行なうことがで
きる。
て試料ホルダ導入口に対して往復動自在に支持されてい
るとともに、試料ホルダが支持機構によって真空チャン
バ扉に固定されているため、真空チャンバ扉を往復運動
機構の往復動により真空チャンバ外に引き出すことがで
き、試料の取り出し作業を容易に行なうことができる。
さらに真空チャンバ扉を往復運動機構によって引き出し
できる構造としたため、真空チャンバ扉をヒンジ機構な
どで開閉自在に支持する構造のものよりも真空チャンバ
のサイズを小さくすることができる。さらに、イオン源
は真空チャンバに着脱自在に固定されているため、イオ
ン源を真空チャンバから離すことで、真空チャンバ内の
清掃やイオン源のメンテナンスを容易に行なうことがで
きる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図１は本発明の一実施形態を示す
イオンビーム加工装置の要部分解斜視図、図２はイオン
ビーム加工装置の平面図、図３はイオンビーム加工装置
の左側面図である。
に基づいて説明する。図１は本発明の一実施形態を示す
イオンビーム加工装置の要部分解斜視図、図２はイオン
ビーム加工装置の平面図、図３はイオンビーム加工装置
の左側面図である。
【００１６】図１ないし図３において、箱型形状の架台
１０上に真空チャンバ１２が配置されており、真空チャ
ンバ１２の背面側には真空排気装置１４が配置され、真
空チャンバ１２の右側面側にはイオン源１６が着脱自在
に配置され、真空チャンバ１２の左側面側には制御盤１
８が真空チャンバ１２に隣接して配置されている。
１０上に真空チャンバ１２が配置されており、真空チャ
ンバ１２の背面側には真空排気装置１４が配置され、真
空チャンバ１２の右側面側にはイオン源１６が着脱自在
に配置され、真空チャンバ１２の左側面側には制御盤１
８が真空チャンバ１２に隣接して配置されている。
【００１７】真空チャンバ１２には、収納室（加工室）
２０が形成されているとともに、真空排気装置１４に真
空弁２２を配置して連通する排気ポート２４、試料ホル
ダ導入口２６が形成されており、試料ホルダ導入口２６
には真空チャンバ扉２８が着脱自在に配置されて試料ホ
ルダ導入口２６を閉塞するようになっている。真空チャ
ンバ扉２８は、真空チャンバ１２と架台１０との間に配
置された直線往復運動機構３０に固定され、試料ホルダ
導入口２６に対して往復動自在に配置されている。直線
往復運動機構３０は、架台１０上に配置されたレール３
２、レール３２上を摺動自在に配置された板３４、板３
４上に配置されたレール３６、レール３６上を摺動自在
に配置された板３８を備えており、板３８の先端側に真
空チャンバ扉２８が固定されている。そして真空チャン
バ扉２８が真空ホルダ導入口２６に対して進退操作され
たときに、矢印に示すように直線方向に沿って真空チャ
ンバ扉２８の移動を案内するようになっている。この場
合、板３８がレール３６に沿って引き出された後、板３
４がレール３２に沿って引き出されるようになってい
る。
２０が形成されているとともに、真空排気装置１４に真
空弁２２を配置して連通する排気ポート２４、試料ホル
ダ導入口２６が形成されており、試料ホルダ導入口２６
には真空チャンバ扉２８が着脱自在に配置されて試料ホ
ルダ導入口２６を閉塞するようになっている。真空チャ
ンバ扉２８は、真空チャンバ１２と架台１０との間に配
置された直線往復運動機構３０に固定され、試料ホルダ
導入口２６に対して往復動自在に配置されている。直線
往復運動機構３０は、架台１０上に配置されたレール３
２、レール３２上を摺動自在に配置された板３４、板３
４上に配置されたレール３６、レール３６上を摺動自在
に配置された板３８を備えており、板３８の先端側に真
空チャンバ扉２８が固定されている。そして真空チャン
バ扉２８が真空ホルダ導入口２６に対して進退操作され
たときに、矢印に示すように直線方向に沿って真空チャ
ンバ扉２８の移動を案内するようになっている。この場
合、板３８がレール３６に沿って引き出された後、板３
４がレール３２に沿って引き出されるようになってい
る。
【００１８】一方、真空チャンバ扉２８の背面側には支
持機構として、自公転・傾斜機構４０が固定されてい
る。自公転・傾斜機構４０はモータ４２、回転軸４４、
円板４６などを備えており、モータ４２の回転駆動によ
って回転軸４４を指定の角度に傾斜できるようになって
いる。また円板４６上には複数の試料ホルダ４８が回転
自在に配置されており、各試料ホルダ４８上には半導体
基板などの試料が保持されるようになっている。円板４
６はモータ（図示省略）の駆動によって回転するように
なっており、円板４６の回転に伴って、各試料ホルダ４
８が円板４６とは逆方向に回転するようになっている。
すなわち、円板４６駆動用のモータと遊星ギヤとが連結
されており、円板４６の回転に伴って各試料ホルダ４８
が自転するようになっている。
持機構として、自公転・傾斜機構４０が固定されてい
る。自公転・傾斜機構４０はモータ４２、回転軸４４、
円板４６などを備えており、モータ４２の回転駆動によ
って回転軸４４を指定の角度に傾斜できるようになって
いる。また円板４６上には複数の試料ホルダ４８が回転
自在に配置されており、各試料ホルダ４８上には半導体
基板などの試料が保持されるようになっている。円板４
６はモータ（図示省略）の駆動によって回転するように
なっており、円板４６の回転に伴って、各試料ホルダ４
８が円板４６とは逆方向に回転するようになっている。
すなわち、円板４６駆動用のモータと遊星ギヤとが連結
されており、円板４６の回転に伴って各試料ホルダ４８
が自転するようになっている。
【００１９】また、真空チャンバ１２の側面側にはイオ
ン源１６を固定するための固定用フランジ５０が形成さ
れており、フランジ５０にはヒンジ機構５２を介して連
結用フランジ５４が連結されている。フランジ５０、５
４はそれぞれ同一形状に形成されており、フランジ５４
はフランジ５０に着脱自在、すなわち開閉自在に固定さ
れている。フランジ５４はイオン源１６と一体となって
形成されており、フランジ５４の内周側にはシャッタ、
イオン源電極、中和器（ニュートラライザ）が収納され
ており、イオン源１６の上蓋５６にはフィラメントが固
定されている。そして高電圧が印加されるイオン源１６
の周囲に人が触れないように、保護カバー５８が着脱自
在に装着されている。
ン源１６を固定するための固定用フランジ５０が形成さ
れており、フランジ５０にはヒンジ機構５２を介して連
結用フランジ５４が連結されている。フランジ５０、５
４はそれぞれ同一形状に形成されており、フランジ５４
はフランジ５０に着脱自在、すなわち開閉自在に固定さ
れている。フランジ５４はイオン源１６と一体となって
形成されており、フランジ５４の内周側にはシャッタ、
イオン源電極、中和器（ニュートラライザ）が収納され
ており、イオン源１６の上蓋５６にはフィラメントが固
定されている。そして高電圧が印加されるイオン源１６
の周囲に人が触れないように、保護カバー５８が着脱自
在に装着されている。
【００２０】制御盤１８の前面側には各種の操作釦など
が配置されている。すなわち、制御盤１８は、真空チャ
ンバ扉２８の操作面６０とほぼ同一平面上に操作面６２
が配置さえており、各種操作釦の操作に応答して試料の
加工に関する制御を実行するようになっている。
が配置されている。すなわち、制御盤１８は、真空チャ
ンバ扉２８の操作面６０とほぼ同一平面上に操作面６２
が配置さえており、各種操作釦の操作に応答して試料の
加工に関する制御を実行するようになっている。
【００２１】上記構成において、上蓋５６に取付られた
フィラメントに電流を流すとフィラメントから熱電子が
発生し、この熱電子がイオン源１６の外周側に配置され
た磁石の磁界によって螺旋運動を行なう。このとき、真
空排気されて高真空状態になったイオン源１６内にガス
が導入されると、ガス分子と熱電子とが衝突してガス分
子がプラズマ化される。そしてこのプラズマ中のイオン
はイオン源１６内のイオン源電極に印加された電圧によ
り、シャッタを介して真空チャンバ１２内にイオンビー
ムとして引き出される。このときシャッタが開かれる
と、シャッタが開かれている間、自公転・傾斜機構４０
によって回転する試料ホルダ４８上の試料に向けてイオ
ンビームが照射され、試料に対する加工が施される。こ
のとき中和器を通電加熱することで、中和器から熱電子
が放出され、この熱電子によってイオンビームの正電荷
が中和される。そして試料ホルダ４８上の試料に対する
加工が終了したあとは、真空チャンバ扉２８を直線状に
引き出すことで試料ホルダ４８上の試料を取り出すこと
ができる。そしてこのあと試料ホルダ４８に他の試料を
装着したあと真空チャンバ扉２８を試料ホルダ導入口２
６側に押し込むことで試料ホルダ４８上の試料を真空チ
ャンバ１２内に収納することができる。
フィラメントに電流を流すとフィラメントから熱電子が
発生し、この熱電子がイオン源１６の外周側に配置され
た磁石の磁界によって螺旋運動を行なう。このとき、真
空排気されて高真空状態になったイオン源１６内にガス
が導入されると、ガス分子と熱電子とが衝突してガス分
子がプラズマ化される。そしてこのプラズマ中のイオン
はイオン源１６内のイオン源電極に印加された電圧によ
り、シャッタを介して真空チャンバ１２内にイオンビー
ムとして引き出される。このときシャッタが開かれる
と、シャッタが開かれている間、自公転・傾斜機構４０
によって回転する試料ホルダ４８上の試料に向けてイオ
ンビームが照射され、試料に対する加工が施される。こ
のとき中和器を通電加熱することで、中和器から熱電子
が放出され、この熱電子によってイオンビームの正電荷
が中和される。そして試料ホルダ４８上の試料に対する
加工が終了したあとは、真空チャンバ扉２８を直線状に
引き出すことで試料ホルダ４８上の試料を取り出すこと
ができる。そしてこのあと試料ホルダ４８に他の試料を
装着したあと真空チャンバ扉２８を試料ホルダ導入口２
６側に押し込むことで試料ホルダ４８上の試料を真空チ
ャンバ１２内に収納することができる。
【００２２】本実施形態によれば、制御盤１８の操作面
６２と真空チャンバ扉２８の操作面６０をほぼ同一平面
上に配置したため、制御盤１８の操作、真空チャンバ扉
２８の引出し・押し込み操作、試料の取付取り出し操
作、試料の取付け操作を行なうにも人の移動する距離を
短くすることができ、操作性の向上に寄与することがで
きる。
６２と真空チャンバ扉２８の操作面６０をほぼ同一平面
上に配置したため、制御盤１８の操作、真空チャンバ扉
２８の引出し・押し込み操作、試料の取付取り出し操
作、試料の取付け操作を行なうにも人の移動する距離を
短くすることができ、操作性の向上に寄与することがで
きる。
【００２３】また本実施形態によれば、直線往復運動機
構３０によって真空チャンバ扉２８を直線状に引き出す
ことができるため、真空チャンバ扉２８をヒンジ機構で
開閉する構造のものよりも真空チャンバ１２のサイズを
小さくすることができる。さらに試料ホルダ４８が真空
チャンバ扉２８の引き出しとともに真空チャンバ１２外
に引き出されるため、試料の取付け、取り出しを容易に
行なうことができる。
構３０によって真空チャンバ扉２８を直線状に引き出す
ことができるため、真空チャンバ扉２８をヒンジ機構で
開閉する構造のものよりも真空チャンバ１２のサイズを
小さくすることができる。さらに試料ホルダ４８が真空
チャンバ扉２８の引き出しとともに真空チャンバ１２外
に引き出されるため、試料の取付け、取り出しを容易に
行なうことができる。
【００２４】さらに、直線往復運動機構３０を真空チャ
ンバ１２と架台１０との間に配置し、制御盤１８を真空
チャンバ１２に隣接して配置したため、フロアスペース
を有効に利用することができるとともに装置のコンパク
ト化を図ることができる。
ンバ１２と架台１０との間に配置し、制御盤１８を真空
チャンバ１２に隣接して配置したため、フロアスペース
を有効に利用することができるとともに装置のコンパク
ト化を図ることができる。
【００２５】また、本実施形態によれば、イオン源１６
をフランジ５４を介してフランジ５０に着脱自在に装着
するようにしているため、カバー５８を開いた後、イオ
ン源１６を開くことで、真空チャンバ１２内の清掃、イ
オン源１６のメンテナンス、例えば、イオン源電極、中
和器のメンテナンスを容易に行なうことができる。
をフランジ５４を介してフランジ５０に着脱自在に装着
するようにしているため、カバー５８を開いた後、イオ
ン源１６を開くことで、真空チャンバ１２内の清掃、イ
オン源１６のメンテナンス、例えば、イオン源電極、中
和器のメンテナンスを容易に行なうことができる。
【００２６】また、本実施形態においては、制御盤１８
の操作面６２と真空チャンバ扉２８の操作面６０がほぼ
同一平面上に配置されているため、操作面６０、６２を
含む平面を境として室内を二つの領域に仕切り、一方の
領域をクリーンルームとし、他の領域をユーティリティ
側の領域とすることで、スルーザーウオールの方式を採
用することができる。すなわち、操作面側のクリーン度
とユーティリティ側のクリーン度を区分することがで
き、室内の領域を有効にかつ経済的に区分することがで
きる。
の操作面６２と真空チャンバ扉２８の操作面６０がほぼ
同一平面上に配置されているため、操作面６０、６２を
含む平面を境として室内を二つの領域に仕切り、一方の
領域をクリーンルームとし、他の領域をユーティリティ
側の領域とすることで、スルーザーウオールの方式を採
用することができる。すなわち、操作面側のクリーン度
とユーティリティ側のクリーン度を区分することがで
き、室内の領域を有効にかつ経済的に区分することがで
きる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
制御盤の操作面と真空チャンバ扉の操作を同一平面上に
配置したため、人の移動を少なくすることができ、操作
性の向上に寄与することができる。
制御盤の操作面と真空チャンバ扉の操作を同一平面上に
配置したため、人の移動を少なくすることができ、操作
性の向上に寄与することができる。
【図１】本発明の一実施形態を示すイオンビーム加工装
置の要部分解斜視図である。
置の要部分解斜視図である。
【図２】図１に示すイオンビーム加工装置の平面図であ
る。
る。
【図３】図１に示すイオンビーム加工装置の左側面図で
ある。
ある。
１０ 架台 １２ 真空チャンバ １４ 真空排気装置 １６ イオン源 １８ 制御盤 ２０ 収納室 ２２ 真空弁 ２４ 排気ポート ２８ 真空チャンバ扉 ３０ 直線往復運動機構 ４０ 自公転・傾斜機構 ４８ 試料ホルダ ５０ 固定用フランジ ５２ ヒンジ機構 ５４ 連結用フランジ ５６ 上蓋 ５８ 保護カバー ６０ 操作面 ６２ 操作面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大貫 久生 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 橋本 勲 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 Ｆターム(参考） 5C001 AA02 AA07 BB06 BB07 CC08 5C034 BB06 BB09 BB10 5F004 AA15 BA11 BB24 BC01 BC02 BC06 BD05 CA05
Claims (7)
- 【請求項１】 試料を保持する試料ホルダと、この試料
ホルダを収納するための収納室を有するとともに真空排
気装置に真空弁を介して連通する排気ポートと試料ホル
ダ導入口を有する真空チャンバと、イオンビームを前記
真空チャンバ内に照射するイオン源と、操作に応答して
前記試料の加工に関する制御を実行する制御盤と、前記
試料ホルダ導入口に着脱自在に配置されて前記試料ホル
ダ導入口を閉塞する真空チャンバ扉と、この真空チャン
バ扉に固定されて前記試料ホルダを支持する支持機構と
を備え、前記制御盤の操作面と前記真空チャンバ扉の操
作面が同一平面上に配置されてなるイオンビーム加工装
置。 - 【請求項２】 試料を保持する試料ホルダと、この試料
ホルダを収納するための収納室を有するとともに真空排
気装置に真空弁を介して連通する排気ポートと試料ホル
ダ導入口を有する真空チャンバと、イオンビームを前記
真空チャンバ内に照射するイオン源と、操作に応答して
前記試料の加工に関する制御を実行する制御盤と、前記
試料ホルダ導入口に着脱自在に配置されて前記試料ホル
ダ導入口を閉塞する真空チャンバ扉と、この真空チャン
バ扉に固定されて前記試料ホルダを支持する支持機構
と、前記真空チャンバ扉に連結されて前記真空チャンバ
扉を前記試料ホルダ導入口に対して往復動自在に支持す
る往復運動機構とを備え、前記制御盤の操作面と前記真
空チャンバ扉の操作面が同一平面上に配置されてなるイ
オンビーム加工装置。 - 【請求項３】 前記往復運動機構は前記真空チャンバ扉
の底部側に連結されて前記真空チャンバの底部側と前記
真空チャンバを支持する架台との間に配置されてなるこ
とを特徴とする請求項２記載のイオンビーム加工装置。 - 【請求項４】 前記イオン源は、前記真空チャンバに着
脱自在に固定されてなることを特徴とする請求項１、２
または３記載のイオンビーム加工装置。 - 【請求項５】 前記真空チャンバはイオン源を固定する
ための固定用フランジを有し、前記イオン源は前記固定
用フランジにヒンジ機構を介して連結された連結用フラ
ンジを有し、前記イオン源は前記連結用フランジを介し
て前記固定用フランジに着脱自在に固定されてなること
を特徴とする請求項１、２または３記載のイオンビーム
加工装置。 - 【請求項６】 前記制御盤は、前記真空チャンバの試料
ホルダ導入口に隣接して配置されてなることを特徴とす
る請求項１、２、３、４または５記載のイオンビーム加
工装置。 - 【請求項７】 前記制御盤は、前記真空チャンバを間に
して前記イオン源とは反対側に、前記真空チャンバの試
料ホルダ導入口に隣接して配置されてなることを特徴と
する請求項１、２、３、４または５記載のイオンビーム
加工装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10226132A JP2000057986A (ja) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | イオンビーム加工装置 |
| US09/370,172 US6251218B1 (en) | 1998-08-10 | 1999-08-09 | Ion beam processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10226132A JP2000057986A (ja) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | イオンビーム加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000057986A true JP2000057986A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16840359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10226132A Pending JP2000057986A (ja) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | イオンビーム加工装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6251218B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000057986A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008107226A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Jeol Ltd | 試料作成装置 |
| JP2010520585A (ja) * | 2007-03-02 | 2010-06-10 | ノルディコ テクニカル サーヴィシズ リミテッド | 装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6809312B1 (en) * | 2000-05-12 | 2004-10-26 | Bruker Daltonics, Inc. | Ionization source chamber and ion beam delivery system for mass spectrometry |
| SG188799A1 (en) * | 2008-04-22 | 2013-04-30 | Oerlikon Trading Ag | Method for manufacturing workpieces with ion-etched surface |
| FR2957455B1 (fr) * | 2010-03-09 | 2012-04-20 | Essilor Int | Enveloppe de protection pour canon a ions, dispositif de depot de materiaux par evaporation sous vide comprenant une telle enveloppe de protection et procede de depot de materiaux |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4278890A (en) * | 1977-07-01 | 1981-07-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method and means of directing an ion beam onto an insulating surface for ion implantation or sputtering |
| US4446403A (en) * | 1982-05-26 | 1984-05-01 | International Business Machines Corporation | Compact plug connectable ion source |
| US4481062A (en) * | 1982-09-02 | 1984-11-06 | Kaufman Harold R | Electron bombardment ion sources |
| DE3803411A1 (de) * | 1988-02-05 | 1989-08-17 | Leybold Ag | Vorrichtung zur halterung von werkstuecken |
| US5240583A (en) * | 1992-01-14 | 1993-08-31 | Honeywell Inc. | Apparatus to deposit multilayer films |
| US5647945A (en) * | 1993-08-25 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
| US5464475A (en) * | 1994-05-20 | 1995-11-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Work-in-process storage pod |
| US5766404A (en) * | 1994-12-05 | 1998-06-16 | March Instruments, Inc. | Methods and apparatus for plasma treatment of workpieces |
| EP0856594B1 (de) * | 1997-01-07 | 2001-06-13 | Siegfried Dr. Strämke | Vorrichtung zur Plasma-Oberflächenbehandlung von Werkstücken |
| US6106634A (en) * | 1999-02-11 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing particle contamination during wafer transport |
-
1998
- 1998-08-10 JP JP10226132A patent/JP2000057986A/ja active Pending
-
1999
- 1999-08-09 US US09/370,172 patent/US6251218B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008107226A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Jeol Ltd | 試料作成装置 |
| JP2010520585A (ja) * | 2007-03-02 | 2010-06-10 | ノルディコ テクニカル サーヴィシズ リミテッド | 装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6251218B1 (en) | 2001-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6035804A (en) | Process chamber apparatus | |
| JP2000057986A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JP2006212434A (ja) | 低エネルギー電子衝撃によって物体を殺菌するための装置および方法 | |
| CN113113280B (zh) | 等离子体处理系统及其开合法拉第组件 | |
| JP6140298B2 (ja) | 試料ホルダ及び真空分析装置 | |
| JP6231777B2 (ja) | 試料を調製、とりわけ被覆するための装置 | |
| JP2022020153A (ja) | イオンミリング装置および試料作製方法 | |
| CN218491836U (zh) | 一种板材表面处理靶台结构 | |
| EP1279444B1 (en) | Processor device with fume extraction | |
| JPH07254386A (ja) | イオンビーム発生装置 | |
| JP4649774B2 (ja) | イオン源及びフィラメントの交換方法 | |
| JP2023006259A (ja) | 試料加工装置およびシールド | |
| JP4451571B2 (ja) | 真空成膜装置 | |
| JP2000294187A (ja) | イオン注入装置及びイオン注入方法 | |
| WO2018164025A1 (ja) | 質量分析装置 | |
| JP2501221B2 (ja) | イオンビ―ム加工装置 | |
| KR100346952B1 (ko) | 방사선 조사장치 | |
| JPH0735295Y2 (ja) | イオン注入装置 | |
| TWI779356B (zh) | 表面處理裝置 | |
| JPS5855616B2 (ja) | 走査電子顕微鏡等の試料装置 | |
| JP2002178220A (ja) | 切断機の切断材位置決め装置 | |
| JP2002319365A (ja) | ステージ及びｆｉｂ試料作成装置 | |
| JP2009205937A (ja) | 荷電粒子装置および使用手法 | |
| JPS63126225A (ja) | エツチング装置 | |
| JPH08226927A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡用探針のクリーニング装置 |