JPS61227165A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS61227165A JPS61227165A JP6815985A JP6815985A JPS61227165A JP S61227165 A JPS61227165 A JP S61227165A JP 6815985 A JP6815985 A JP 6815985A JP 6815985 A JP6815985 A JP 6815985A JP S61227165 A JPS61227165 A JP S61227165A
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- Japan
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- vapor
- crucible
- vapor deposition
- substrates
- bases
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、蒸着厚さを杓状にできるようにした蒸着装
置に関するものである。
置に関するものである。
第３図は、例えば特公昭５４−９５９２号公報６ご開示
された従来の蒸着装置である。図において、１１１は真
空槽で上部に上部ベース＋２１が、下部に下部ベース（
３１がそれぞれ結合されており、下部ベース（３）から
排気口（４１が突出している。真空槽（１）内には物質
蒸気発生炉（６１，イオン引出し電［ｆ８１．物質蒸気
発生炉支持台（７）、イオン引出し電極支持台（８）、
電子放射用フィラメント（１０１、＆質蒸気発生炉加熱
ヒータ（至）、基板歌付台（７）等が収納されている。
された従来の蒸着装置である。図において、１１１は真
空槽で上部に上部ベース＋２１が、下部に下部ベース（
３１がそれぞれ結合されており、下部ベース（３）から
排気口（４１が突出している。真空槽（１）内には物質
蒸気発生炉（６１，イオン引出し電［ｆ８１．物質蒸気
発生炉支持台（７）、イオン引出し電極支持台（８）、
電子放射用フィラメント（１０１、＆質蒸気発生炉加熱
ヒータ（至）、基板歌付台（７）等が収納されている。
真空槽［１１の外部には、直流高圧電源（９１，電子放
射用フィラメント加熱電源（至）、物質蒸気発生炉加熱
用ヒータ電源００等が配置されている。
射用フィラメント加熱電源（至）、物質蒸気発生炉加熱
用ヒータ電源００等が配置されている。
αηは電子ビーム、＠は物質蒸気噴射用小孔、α弔はイ
オン化して付着させる物質、α７）は物質蒸気、α９は
被蒸着体である基板、（１）はイオン化したクラスタビ
ームをそれぞれ示している。
オン化して付着させる物質、α７）は物質蒸気、α９は
被蒸着体である基板、（１）はイオン化したクラスタビ
ームをそれぞれ示している。
次に動咋について説明する。物質α弔を物質蒸気発生炉
（６１に入れ、加熱ヒータαＳを電源α匈で加熱すると
、物質ａ４は溶融されて物質蒸気αηを発生する。
（６１に入れ、加熱ヒータαＳを電源α匈で加熱すると
、物質ａ４は溶融されて物質蒸気αηを発生する。
これによって物質蒸気発生炉（６１内の圧力が高くなり
、物質蒸気αηは小孔（至）から噴出し上部に飛び出す
。飛び出した物質蒸気αηは電子放射用フイラメント（
１０）を通過するときに電子ビームαυと衝突し、蒸気
原子の電子が飛ばされてイオン化する。イオン化したク
ラスタビーム（イ）は、イオン引出電極（６）と基板取
付台（至）間に電源（９１で与えられた電位により加速
され、基板ａ９に衝突し基板０の面で移動するマイグレ
ーション効果により、基板α９に蒸着物質の膜が形成さ
れる。以上の＃ｉｈ作中、真空槽＋１１は排気口（４１
と接続した真空ポンプにより真空が保持されている。
、物質蒸気αηは小孔（至）から噴出し上部に飛び出す
。飛び出した物質蒸気αηは電子放射用フイラメント（
１０）を通過するときに電子ビームαυと衝突し、蒸気
原子の電子が飛ばされてイオン化する。イオン化したク
ラスタビーム（イ）は、イオン引出電極（６）と基板取
付台（至）間に電源（９１で与えられた電位により加速
され、基板ａ９に衝突し基板０の面で移動するマイグレ
ーション効果により、基板α９に蒸着物質の膜が形成さ
れる。以上の＃ｉｈ作中、真空槽＋１１は排気口（４１
と接続した真空ポンプにより真空が保持されている。
従来の蒸着装置は以上のように構成されているので、基
板に蒸着される蒸着物質の量が、基板の中央部が多く周
辺部で少ない第３図のような分布となり、は蚤τ均一な
厚さの膜の形成が困難であるという問題点があった。
板に蒸着される蒸着物質の量が、基板の中央部が多く周
辺部で少ない第３図のような分布となり、は蚤τ均一な
厚さの膜の形成が困難であるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、基板上に蒸着する蒸着物質の膜厚をほぼ均一
にすることができる蒸着装置を得ることを目的とする。
たもので、基板上に蒸着する蒸着物質の膜厚をほぼ均一
にすることができる蒸着装置を得ることを目的とする。
この発明に係る蒸着膜（Ｉｉ／ｒｉ、るつぼの小孔の中
心線と所定の距離をあけて複数個の基板が配置できる支
持枠を設け、この支持枠を回転させるようにしたもので
ある。
心線と所定の距離をあけて複数個の基板が配置できる支
持枠を設け、この支持枠を回転させるようにしたもので
ある。
この発明における蒸着装置は、蒸着物質が回転されてい
る基板に蒸着される。
る基板に蒸着される。
以下、この発明の一実施例を図について説、明する。第
１図において、（１）〜αη、鴫は従来のものと同様で
ある。＠は上部ペース（２）に取付けらねた支持枠、＠
は支持枠（２）で回転可能に支持された基板取付台で、
るつぼ（５）の中心軸と所定の距離をあけて複数個が配
置されている。（至）はそれぞハの基板取付台−と接読
された歯車装置、Ｍは歯車装置−と接続された駆動装置
である。これによって、第１図の蒸着装置は、それぞれ
の基板取付台−が駆動装置（ハ）によって所定の方向に
そｈぞｈ回転される。
１図において、（１）〜αη、鴫は従来のものと同様で
ある。＠は上部ペース（２）に取付けらねた支持枠、＠
は支持枠（２）で回転可能に支持された基板取付台で、
るつぼ（５）の中心軸と所定の距離をあけて複数個が配
置されている。（至）はそれぞハの基板取付台−と接読
された歯車装置、Ｍは歯車装置−と接続された駆動装置
である。これによって、第１図の蒸着装置は、それぞれ
の基板取付台−が駆動装置（ハ）によって所定の方向に
そｈぞｈ回転される。
このような蒸着装置においては、基板（至）をそれぞれ
の基板取付台（イ）に歌付け、駆動装置（財）を起動さ
せて蒸着が行われる。このとき、基板＠はそれぞｈるつ
ぼ（５１の中心軸と所定の距離をあけた軸を中心と１．
て回転されているので、基板（７）に蒸着される蒸着物
質の層がほぼ均一化される。
の基板取付台（イ）に歌付け、駆動装置（財）を起動さ
せて蒸着が行われる。このとき、基板＠はそれぞｈるつ
ぼ（５１の中心軸と所定の距離をあけた軸を中心と１．
て回転されているので、基板（７）に蒸着される蒸着物
質の層がほぼ均一化される。
ｋお、上記実権例においては、単一の駆動装置で複数個
の基板取付台を回転させたが、各基板取付台をそｈぞれ
単独に回転させても上記実施例と同様の効果を期待でき
る。
の基板取付台を回転させたが、各基板取付台をそｈぞれ
単独に回転させても上記実施例と同様の効果を期待でき
る。
以すのように、この発明によれば、蒸着膜を形成する基
板をるっンτの小孔の中心線と所定の距離をあけて複数
個の基板が配置できる支持・枠を小孔の中心線を中心に
して回転させるようにしたので。
板をるっンτの小孔の中心線と所定の距離をあけて複数
個の基板が配置できる支持・枠を小孔の中心線を中心に
して回転させるようにしたので。
蒸着膜の厚さを均一にできるという効果がある。
Ｎｃ１図はこの発明の一実権例による蒸着装置の正面図
、第２図は１１図の基板の配列を示す下面図、第３図は
従来の蒸着装置を示す正面図、第４ｖ！Ｊは従来の基板
に蒸着された蒸着物質の厚さ分布を示す曲線図である。 図にかいて、１１１は真空槽、（６１はるっシｆ、ｆｉ
ｌ ＃−ｔイオン引出電極、１１っけ小孔、α４１は物
質、α′ｉ）は物質蒸気、Ｉ２４は駆動％置１、Ｉ２５
は基板である。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
、第２図は１１図の基板の配列を示す下面図、第３図は
従来の蒸着装置を示す正面図、第４ｖ！Ｊは従来の基板
に蒸着された蒸着物質の厚さ分布を示す曲線図である。 図にかいて、１１１は真空槽、（６１はるっシｆ、ｆｉ
ｌ ＃−ｔイオン引出電極、１１っけ小孔、α４１は物
質、α′ｉ）は物質蒸気、Ｉ２４は駆動％置１、Ｉ２５
は基板である。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 高真空領域内で蒸着させる物質をるつぼ内で高温で溶融
し、るつぼに設けた小孔より溶融した物質の蒸気を噴出
させ、上記蒸気に電子を衝突させて蒸気をイオン化して
電界によつて加速させて、基板に蒸着させるものにおい
て、上記るつぼの小孔の中心線から所定の間隔をあけて
複数個の上記基板が配置でき、上記中心線を回転中心と
して所定の方向に回転される支持枠を設けたことを特徴
とする蒸着装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6815985A JPS61227165A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 蒸着装置 |
| DE19863605486 DE3605486A1 (de) | 1985-03-29 | 1986-02-20 | Verdampfungsapparat und verwendung desselben |
| GB08607873A GB2175015A (en) | 1985-03-29 | 1986-04-01 | Depositing vaporized material uniformly |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6815985A JPS61227165A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61227165A true JPS61227165A (ja) | 1986-10-09 |
Family
ID=13365696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6815985A Pending JPS61227165A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 蒸着装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61227165A (ja) |
| DE (1) | DE3605486A1 (ja) |
| GB (1) | GB2175015A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4876984A (en) * | 1987-06-12 | 1989-10-31 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for forming a thin film |
| DE3803411A1 (de) * | 1988-02-05 | 1989-08-17 | Leybold Ag | Vorrichtung zur halterung von werkstuecken |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3991707A (en) * | 1968-08-06 | 1976-11-16 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Vapor deposition apparatus with mask means |
| NL7205670A (ja) * | 1972-03-16 | 1973-09-18 | ||
| GB1428703A (en) * | 1972-04-17 | 1976-03-17 | Xerox Corp | Vapour deposition of thin films |
| US3853091A (en) * | 1973-12-03 | 1974-12-10 | Ibm | Thin film coating apparatus |
| US3889632A (en) * | 1974-05-31 | 1975-06-17 | Ibm | Variable incidence drive for deposition tooling |
| JPS5181791A (ja) * | 1975-01-13 | 1976-07-17 | Osaka Koon Denki Kk | Ionkapureeteinguhoho |
| JPS5210869A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-27 | Toshinori Takagi | Thin film forming method |
| DE2536013A1 (de) * | 1975-08-13 | 1977-03-03 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur verbesserung der haltbarkeit von aus siliciumoxiden bestehenden schutzschichten |
| US4222345A (en) * | 1978-11-30 | 1980-09-16 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Vacuum coating apparatus with rotary motion assembly |
| US4472453A (en) * | 1983-07-01 | 1984-09-18 | Rca Corporation | Process for radiation free electron beam deposition |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6815985A patent/JPS61227165A/ja active Pending
-
1986
- 1986-02-20 DE DE19863605486 patent/DE3605486A1/de not_active Withdrawn
- 1986-04-01 GB GB08607873A patent/GB2175015A/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8607873D0 (en) | 1986-05-08 |
| GB2175015A (en) | 1986-11-19 |
| DE3605486A1 (de) | 1986-10-09 |
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