JPS58207371A - 真空蒸着用蒸着源 - Google Patents
真空蒸着用蒸着源Info
- Publication number
- JPS58207371A JPS58207371A JP8792482A JP8792482A JPS58207371A JP S58207371 A JPS58207371 A JP S58207371A JP 8792482 A JP8792482 A JP 8792482A JP 8792482 A JP8792482 A JP 8792482A JP S58207371 A JPS58207371 A JP S58207371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vapor deposition
- electron beam
- crucible
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上に薄膜を堆積形成させる装置に係り、
特に、堆積させた薄膜の膜厚分布特性を向上させるに好
適な真空蒸着用蒸着源に関する。
特に、堆積させた薄膜の膜厚分布特性を向上させるに好
適な真空蒸着用蒸着源に関する。
第１図は、基板に薄膜を堆積形成させる真空蒸着装置の
機能原理図である。１は、真空容器にして真空ポンプ２
により内部が真空に保持されている。３は、薄膜を形成
すべき基板、４は、堆積させるべき材料を蒸発させる蒸
着源であり、多くの場合、材料を加熱するのに電熱線あ
るいは、電子ビーム照射などが行われている。この蒸着
源の例として、第２図は、従来使用されている多産電子
ビーム蒸着源の原理図を示したもので、蒸詣用の材料６
を収容したルツボ６α、電子ビーム放射フィラメント７
、電子ビーム加速電極８、ルツボ冷却部９、電子ビーム
偏向電磁石１０、ルツボインデックス軸１１、遮蔽板１
２などからなる。電子ビーム放射フィラメント７から出
た電子ビームは、電子ビーム加速電極８で加速され、電
子ビーム偏向電磁石１０により偏向されて材料６を照射
加熱し、材料６を蒸発させるものである。なお、ルツボ
インデックス軸１１ヲ回転することにより、電子ビーム
照射位置に来るルツボ６αを切替え、従って蒸着用の材
料４を替えることができる。５は、基板加熱ヒータであ
り、薄膜形成時、基板を加熱し、薄膜の基板への密着度
を良くしたり、薄膜の膜實金良くするためのものである
。以上の構成において、基板１に堆積した薄膜の膜厚分
布は、基板１の大きさがφ１２５、蒸着源４と基板１の
距離が、２００Ｍの時、基板面全体では、約±１０％の
膜厚のばらつきが認められる。これに対し、第３図に示
すように、蒸発物の中心軸に対し基板３を偏心させて、
中心軸まわりに回転させる回転治具１６を設け、堆積材
料の蒸発中に回転治ｊＬ１３を回転させ膜厚の均一性を
向上させる方策が従来性われていた。このように、基板
３が回転させられる場合は、従来の方法でも十分な膜厚
分布特性が得られる場合が多かった。しかし、例えば、
最近主流となりつつある真空を破ることなく、基板３が
１枚づつ搬送位置決めされて、次々に蒸着を行うような
装置では、基板３を蒸着源４に対し、回転させることが
困難である。また、基板３を回転させ、膜厚分布の向上
をはかれない他の例として、パターンを形成したシャド
ウマスクを基板３に位置合わせして、マスクパターンの
通りに基板３上に脇を形成する装置がある。
機能原理図である。１は、真空容器にして真空ポンプ２
により内部が真空に保持されている。３は、薄膜を形成
すべき基板、４は、堆積させるべき材料を蒸発させる蒸
着源であり、多くの場合、材料を加熱するのに電熱線あ
るいは、電子ビーム照射などが行われている。この蒸着
源の例として、第２図は、従来使用されている多産電子
ビーム蒸着源の原理図を示したもので、蒸詣用の材料６
を収容したルツボ６α、電子ビーム放射フィラメント７
、電子ビーム加速電極８、ルツボ冷却部９、電子ビーム
偏向電磁石１０、ルツボインデックス軸１１、遮蔽板１
２などからなる。電子ビーム放射フィラメント７から出
た電子ビームは、電子ビーム加速電極８で加速され、電
子ビーム偏向電磁石１０により偏向されて材料６を照射
加熱し、材料６を蒸発させるものである。なお、ルツボ
インデックス軸１１ヲ回転することにより、電子ビーム
照射位置に来るルツボ６αを切替え、従って蒸着用の材
料４を替えることができる。５は、基板加熱ヒータであ
り、薄膜形成時、基板を加熱し、薄膜の基板への密着度
を良くしたり、薄膜の膜實金良くするためのものである
。以上の構成において、基板１に堆積した薄膜の膜厚分
布は、基板１の大きさがφ１２５、蒸着源４と基板１の
距離が、２００Ｍの時、基板面全体では、約±１０％の
膜厚のばらつきが認められる。これに対し、第３図に示
すように、蒸発物の中心軸に対し基板３を偏心させて、
中心軸まわりに回転させる回転治具１６を設け、堆積材
料の蒸発中に回転治ｊＬ１３を回転させ膜厚の均一性を
向上させる方策が従来性われていた。このように、基板
３が回転させられる場合は、従来の方法でも十分な膜厚
分布特性が得られる場合が多かった。しかし、例えば、
最近主流となりつつある真空を破ることなく、基板３が
１枚づつ搬送位置決めされて、次々に蒸着を行うような
装置では、基板３を蒸着源４に対し、回転させることが
困難である。また、基板３を回転させ、膜厚分布の向上
をはかれない他の例として、パターンを形成したシャド
ウマスクを基板３に位置合わせして、マスクパターンの
通りに基板３上に脇を形成する装置がある。
これは、マスクの位置合せ機構が複雑に構成された十に
１基板３とマスクが位置決めされた後は、その状態を正
確に保持しておく必要があるため、基板３を回転させる
ことは困難である。
１基板３とマスクが位置決めされた後は、その状態を正
確に保持しておく必要があるため、基板３を回転させる
ことは困難である。
このように基板３が回転できない場合は、例えは、蒸着
源４を複数個設置する対策を行うことができる。しかシ
フ、複数個設置することの問題点は、コストが大巾に上
がる、真空容器１の形状が大きくなる、従って、真空排
気ポンプが大型化する、また、真空容器１が汚染されや
すく、真空の餉が著しく低下し、堆積した薄膜の膜質を
劣化させ、歩留りが著しく悪くなるなど多くの間陛があ
った。
源４を複数個設置する対策を行うことができる。しかシ
フ、複数個設置することの問題点は、コストが大巾に上
がる、真空容器１の形状が大きくなる、従って、真空排
気ポンプが大型化する、また、真空容器１が汚染されや
すく、真空の餉が著しく低下し、堆積した薄膜の膜質を
劣化させ、歩留りが著しく悪くなるなど多くの間陛があ
った。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点をなくし、基板に
回転運動を与えることなく、膜厚分布の均一な薄膜を得
るための真空蒸着用蒸着源１１ｒ提供するＫある。
回転運動を与えることなく、膜厚分布の均一な薄膜を得
るための真空蒸着用蒸着源１１ｒ提供するＫある。
上記目的を達成するため、本発明においては、真空容器
の壁を大気を遮断しながら回転自在に連通して成る中空
の回転軸の真！２答器内側に、回転軸と一体に設けた中
空のテーブルの−Ｆに、蒸発材料の加熱源と蒸発材料を
収容するルツボを載置し、回転軸を回転することにより
、基鈑中心軸線から偏心したルツボを基板中心軸まわり
に回転させるようにしたことを特徴とする。
の壁を大気を遮断しながら回転自在に連通して成る中空
の回転軸の真！２答器内側に、回転軸と一体に設けた中
空のテーブルの−Ｆに、蒸発材料の加熱源と蒸発材料を
収容するルツボを載置し、回転軸を回転することにより
、基鈑中心軸線から偏心したルツボを基板中心軸まわり
に回転させるようにしたことを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第４図により説明する。
第４図において、第１図、第２図と同様のものは、同じ
符号を付しである。ルツボインデックス軸１１に固定し
たベベルギヤ１３は、ベベルギヤ１４と噛合っている。
符号を付しである。ルツボインデックス軸１１に固定し
たベベルギヤ１３は、ベベルギヤ１４と噛合っている。
ベベルギヤ１４Ｆｉ、ステ＝１５に回転自在に取りつけ
られた連結軸１６の一端に固定されている。連結軸１６
の他端には、スパーギヤ１７が固定され、スパーギヤ１
８と噛合っている。スパーギヤ１７は、スパーギヤ１８
が歯厚方向に摺動できるように十分な肉厚に作っである
。
られた連結軸１６の一端に固定されている。連結軸１６
の他端には、スパーギヤ１７が固定され、スパーギヤ１
８と噛合っている。スパーギヤ１７は、スパーギヤ１８
が歯厚方向に摺動できるように十分な肉厚に作っである
。
スパーギヤ１８が取付けられた軸１９は、支持ブロック
２０に回転自在に取付けられ、他端にベベルギヤ２１が
固定され、ベベルギヤ２２と噛合っている。このベベル
ギヤ２２は、中空のテーブル２３の内側から、Ｏリング
２４によ抄真空を保持しながら連通した回転軸２５の真
空容器側の端に固定されている。テーブル２３は、上板
２６と中空の回転軸２７に溶接され九底板２Ｂおよび、
真空をシールするＯリング２９により構成されている。
２０に回転自在に取付けられ、他端にベベルギヤ２１が
固定され、ベベルギヤ２２と噛合っている。このベベル
ギヤ２２は、中空のテーブル２３の内側から、Ｏリング
２４によ抄真空を保持しながら連通した回転軸２５の真
空容器側の端に固定されている。テーブル２３は、上板
２６と中空の回転軸２７に溶接され九底板２Ｂおよび、
真空をシールするＯリング２９により構成されている。
このテーブル２３内には、回転軸２５の下端に固定した
ベベルギヤ３０に噛合うベベルギヤ３１がモータ３２の
軸に取付けられ、モータ３２の回転によりルツボ６αを
インデックスし、蒸発材料６を切替えられるよう圧しで
ある。真全容器１の壁を連通ずる回転軸２７Ｆｉ、真空
容器１の壁とＯリング５５によりシールされ、真受容器
１の壁にＯリング３４でシールしたフランジ３５に設け
た２ケ所の軸受′３６により回転自在に支持されている
。この回転軸２７は、下端にギヤ３７と絶縁物から成る
中空の絶縁軸５８が固定されている。ギヤ３７は、モー
タ３９の軸に堰付けられたモータギヤ４０と噛合い回転
軸２７を回転させることができる。一方、絶縁軸３８の
外周には、電子ビーム放射フィラメント７に接続される
ケーブル（図示せず）により電源を供給する２極のスリ
ップリング４１、および、十分な距離を隔て電子ビーム
偏向電磁石１０、モータ３２に電源を供給する多極のス
リップリング４２が設けである。更に、絶縁軸３８の下
端には、２本の穴４３を設けた回転ブロック４４が取付
けられ、２本の穴４３へは、ルツボ冷却部−９へ冷却水
を供給するため、中９テーブル２３の上板２６の、一部
に貫通して溶接し、ルツボ冷却部９の管部に０リング４
５によりシールされなから摺動自在に係合する２本のＬ
摩管４６（図では１本のみを示しである）から、フレキ
シブルチューブ（図事せず）等により回転軸２７、絶縁
軸３８の内部ヲ通して接続されている。この回転ブロッ
ク４４は、中空の固定ブロック４７の内周に摺動自在に
係合している。また、回転ブロック４４の穴４６に対応
するように固定ブロック４７の内周に２本の＃ｊｊ４８
を設けるとともに、この淋４６の一部に穴４９全形成す
る。更に、０リング５０．５１は、冷却水の漏れを防止
する。冷却水は、穴４９の一方から入り、溝４８を充満
し穴４３から７しキシブルチー−ブ、Ｌ摩管４６を紅白
してルツボ冷却部９に達し、逆鮭路にて他の一方から排
出されるもので、回転＠２７と一体となり動く絶縁軸３
８が回転しても、穴４３は常に＄４８に接し、支障なく
常に冷却水をルツボ冷却部９に供給できる。一方、２極
のスリップリングに接触する２極のブラシ５２と多極の
スリップリングに接触する同数のブラシ５３により、電
子ビーム放射フィラメント７、電子ビーム偏向電磁石１
０、モータ３２への電源供給は、回転軸２７の回転にお
いても何ら支障なくできる。
ベベルギヤ３０に噛合うベベルギヤ３１がモータ３２の
軸に取付けられ、モータ３２の回転によりルツボ６αを
インデックスし、蒸発材料６を切替えられるよう圧しで
ある。真全容器１の壁を連通ずる回転軸２７Ｆｉ、真空
容器１の壁とＯリング５５によりシールされ、真受容器
１の壁にＯリング３４でシールしたフランジ３５に設け
た２ケ所の軸受′３６により回転自在に支持されている
。この回転軸２７は、下端にギヤ３７と絶縁物から成る
中空の絶縁軸５８が固定されている。ギヤ３７は、モー
タ３９の軸に堰付けられたモータギヤ４０と噛合い回転
軸２７を回転させることができる。一方、絶縁軸３８の
外周には、電子ビーム放射フィラメント７に接続される
ケーブル（図示せず）により電源を供給する２極のスリ
ップリング４１、および、十分な距離を隔て電子ビーム
偏向電磁石１０、モータ３２に電源を供給する多極のス
リップリング４２が設けである。更に、絶縁軸３８の下
端には、２本の穴４３を設けた回転ブロック４４が取付
けられ、２本の穴４３へは、ルツボ冷却部−９へ冷却水
を供給するため、中９テーブル２３の上板２６の、一部
に貫通して溶接し、ルツボ冷却部９の管部に０リング４
５によりシールされなから摺動自在に係合する２本のＬ
摩管４６（図では１本のみを示しである）から、フレキ
シブルチューブ（図事せず）等により回転軸２７、絶縁
軸３８の内部ヲ通して接続されている。この回転ブロッ
ク４４は、中空の固定ブロック４７の内周に摺動自在に
係合している。また、回転ブロック４４の穴４６に対応
するように固定ブロック４７の内周に２本の＃ｊｊ４８
を設けるとともに、この淋４６の一部に穴４９全形成す
る。更に、０リング５０．５１は、冷却水の漏れを防止
する。冷却水は、穴４９の一方から入り、溝４８を充満
し穴４３から７しキシブルチー−ブ、Ｌ摩管４６を紅白
してルツボ冷却部９に達し、逆鮭路にて他の一方から排
出されるもので、回転＠２７と一体となり動く絶縁軸３
８が回転しても、穴４３は常に＄４８に接し、支障なく
常に冷却水をルツボ冷却部９に供給できる。一方、２極
のスリップリングに接触する２極のブラシ５２と多極の
スリップリングに接触する同数のブラシ５３により、電
子ビーム放射フィラメント７、電子ビーム偏向電磁石１
０、モータ３２への電源供給は、回転軸２７の回転にお
いても何ら支障なくできる。
以上の構成において、まづ、モータ３２ヲ回転１２、ル
ツボ６ａ１ｒ回転し、必ｐとする材料６を投入したルツ
ボ６αを電子ビーム照射位置に位置決′１．．．。
ツボ６ａ１ｒ回転し、必ｐとする材料６を投入したルツ
ボ６αを電子ビーム照射位置に位置決′１．．．。
めする。次にモータ３９ヲ回転させ、回転軸２７と一体
になったテーブル２！１を回転させる。これに伴い、テ
ーブル２３に載置されているルツボ６αは、回転軸２７
を中心に回転する。この時、回転軸２７の回転中心とル
ツボ６αの蒸発中心をＬだけ（２）ルｔさせておき、基
８！３はその中心を同転ｈ２７の中心と一致させておく
。この状態で、電子ビーム放射フィラメント７を点灯し
、電子ビームｔＵ料面へ照射し、材料６の蒸発を行う。
になったテーブル２！１を回転させる。これに伴い、テ
ーブル２３に載置されているルツボ６αは、回転軸２７
を中心に回転する。この時、回転軸２７の回転中心とル
ツボ６αの蒸発中心をＬだけ（２）ルｔさせておき、基
８！３はその中心を同転ｈ２７の中心と一致させておく
。この状態で、電子ビーム放射フィラメント７を点灯し
、電子ビームｔＵ料面へ照射し、材料６の蒸発を行う。
もちろん必要ならば、基板３は、基板加熱ヒータ５によ
り加熱【７ておく。以上の順序は、任意に換えても差し
つかえない。さらに、ステー１５の位Ｍを換えることに
より、蒸発位置を換え、偏心ｔｌｌＩＬを変えられるこ
とはもちろん、である。
り加熱【７ておく。以上の順序は、任意に換えても差し
つかえない。さらに、ステー１５の位Ｍを換えることに
より、蒸発位置を換え、偏心ｔｌｌＩＬを変えられるこ
とはもちろん、である。
第５図は、基板の大きさがφ１２５、基板と蒸着源の距
離を２０ＯＮとした場合に、偏心１Ｌを変えていった時
の膜厚のばらつきを示したもので、例えば、偏心ｉを８
０調とすれば、膜厚のばらつきは、約±４．５％となり
、従来のやり方に対（７，２分の１程変におさえること
ができ、大巾な歩留り向上ができた。
離を２０ＯＮとした場合に、偏心１Ｌを変えていった時
の膜厚のばらつきを示したもので、例えば、偏心ｉを８
０調とすれば、膜厚のばらつきは、約±４．５％となり
、従来のやり方に対（７，２分の１程変におさえること
ができ、大巾な歩留り向上ができた。
以上述べた如く本発明によれば、基板中心に対し、蒸発
位置を偏心して、蒸着源を回転させたので従来に比べ、
基板面全体にわたり、膜厚の均一化がはかれ、歩留りが
著しく向上した。
位置を偏心して、蒸着源を回転させたので従来に比べ、
基板面全体にわたり、膜厚の均一化がはかれ、歩留りが
著しく向上した。
更に、一つの蒸着源で実現できるため、真空容器内の汚
染が少く、真壁の質が良好なため、膜質が極めてよい。
染が少く、真壁の質が良好なため、膜質が極めてよい。
またコストも安いといった効果があった。
第１図は、従来の真空蒸着装置の機能原理図、第２図は
、従来の電子ビーム蒸着源の一例を示す正面断面図、第
３図は、従来の真空蒸着装置における膜厚の均一化をは
かる方法の原理図、第４図は、本発明による′電子ビー
ム蒸着源の正面断面図、第５図は、第４図による電子ビ
ーム蒸着源を用いた場合の膜厚分布管示す特性図であ不
。 １：真空容器 ３：基板 ４：蒸着源 ６：材料ルツボ７：電子ビーム
放射フィラメント ８：％子ビーム加速電極 １３：回転治具 ２３：回転テーブル２７：中
空回転軸 ３８：中空絶縁軸４１ニスリツプリン
グ ４２ニスリップリング４４：回転ブｏ ツク
４７：固定ブロック５２：ブラシ −５５
＝ブラシ殆 １ 閃 躬 ２ 口 Ｍ ３ 図 第５図 （鼾ソｔ Ｌ＜ｍｍ＞−−ａ−
、従来の電子ビーム蒸着源の一例を示す正面断面図、第
３図は、従来の真空蒸着装置における膜厚の均一化をは
かる方法の原理図、第４図は、本発明による′電子ビー
ム蒸着源の正面断面図、第５図は、第４図による電子ビ
ーム蒸着源を用いた場合の膜厚分布管示す特性図であ不
。 １：真空容器 ３：基板 ４：蒸着源 ６：材料ルツボ７：電子ビーム
放射フィラメント ８：％子ビーム加速電極 １３：回転治具 ２３：回転テーブル２７：中
空回転軸 ３８：中空絶縁軸４１ニスリツプリン
グ ４２ニスリップリング４４：回転ブｏ ツク
４７：固定ブロック５２：ブラシ −５５
＝ブラシ殆 １ 閃 躬 ２ 口 Ｍ ３ 図 第５図 （鼾ソｔ Ｌ＜ｍｍ＞−−ａ−
Claims (1)
- 真空容器の底を回転自在に貫通する中空の回転軸と、こ
の回転軸の真空容器内に突出した一端に支持された中空
のテーブルと、このテーブルの上に配置された加熱源と
、この加熱源の上に回転自在に支持され、かつ、蒸着材
料を収容する複数の凹部を形成したルツボと、前記テー
ブルに、前記ルツボの蒸着材料を収容した四部が１個所
だけ露出するように、ルツボを株うように配設された遮
蔽板と、前記テーブルに配置され、前記ルツボを回転さ
せる駆動源とを設けたことを特徴とする真空蒸着用蒸着
源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8792482A JPS58207371A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 真空蒸着用蒸着源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8792482A JPS58207371A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 真空蒸着用蒸着源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207371A true JPS58207371A (ja) | 1983-12-02 |
Family
ID=13928464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8792482A Pending JPS58207371A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 真空蒸着用蒸着源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207371A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2576918A1 (fr) * | 1985-02-05 | 1986-08-08 | Balzers Hochvakuum | Source de vapeur pour installations de revetement sous vide |
| CN102808155A (zh) * | 2012-08-01 | 2012-12-05 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 电子轰击式蒸发源系统 |
-
1982
- 1982-05-26 JP JP8792482A patent/JPS58207371A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2576918A1 (fr) * | 1985-02-05 | 1986-08-08 | Balzers Hochvakuum | Source de vapeur pour installations de revetement sous vide |
| CN102808155A (zh) * | 2012-08-01 | 2012-12-05 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 电子轰击式蒸发源系统 |
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