JP2865604B2 - 半導体ウエハーの加熱処理装置 - Google Patents
半導体ウエハーの加熱処理装置Info
- Publication number
- JP2865604B2 JP2865604B2 JP29349995A JP29349995A JP2865604B2 JP 2865604 B2 JP2865604 B2 JP 2865604B2 JP 29349995 A JP29349995 A JP 29349995A JP 29349995 A JP29349995 A JP 29349995A JP 2865604 B2 JP2865604 B2 JP 2865604B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- lifting rod
- wafer
- bearing
- elevating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Magnetic Bearings And Hydrostatic Bearings (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハー
の製造プロセスにおいて、アニール酸化膜を形成した
り、不純物を拡散させたり、蒸着膜を形成したりするた
めに使用される半導体ウエハーの加熱処理装置に関す
る。
の製造プロセスにおいて、アニール酸化膜を形成した
り、不純物を拡散させたり、蒸着膜を形成したりするた
めに使用される半導体ウエハーの加熱処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】従来、半
導体ウエハーの製造プロセスにおいては、焼鈍、リン，
ヒ素等の不純物の拡散、酸化膜の形成、化学蒸着等のた
めに、急熱炉を備える加熱処理装置が使用されている。
この加熱処理装置の一つに、半導体ウエハーを、一枚ず
つ水平に支持した状態で加熱するものが提供されている
（例えば特開平２−１４５１４号公報参照）。
導体ウエハーの製造プロセスにおいては、焼鈍、リン，
ヒ素等の不純物の拡散、酸化膜の形成、化学蒸着等のた
めに、急熱炉を備える加熱処理装置が使用されている。
この加熱処理装置の一つに、半導体ウエハーを、一枚ず
つ水平に支持した状態で加熱するものが提供されている
（例えば特開平２−１４５１４号公報参照）。
【０００３】この種の加熱処理装置は、プロセスチャン
バー内に供給された半導体ウエハーを、水平に支持する
ウエハー支持体と、このウエハー支持体を、石英管（ク
オーツチューブ）からなる昇降ロッドを介して昇降させ
る昇降手段とを備えており、上記ウエハー支持体を昇降
ロッドを介して上昇させることにより、ウエハー支持体
に支持された半導体ウエハーを、ローディング位置から
加熱チャンバーに移送して、所定の加熱処理を行うこと
ができる。また、上記加熱処理が完了した時点で、上記
昇降ロッドを下降させることにより、半導体ウエハーを
再び上記ローディング位置に復帰させて、プロセスチャ
ンバーから取り出すことができる。
バー内に供給された半導体ウエハーを、水平に支持する
ウエハー支持体と、このウエハー支持体を、石英管（ク
オーツチューブ）からなる昇降ロッドを介して昇降させ
る昇降手段とを備えており、上記ウエハー支持体を昇降
ロッドを介して上昇させることにより、ウエハー支持体
に支持された半導体ウエハーを、ローディング位置から
加熱チャンバーに移送して、所定の加熱処理を行うこと
ができる。また、上記加熱処理が完了した時点で、上記
昇降ロッドを下降させることにより、半導体ウエハーを
再び上記ローディング位置に復帰させて、プロセスチャ
ンバーから取り出すことができる。
【０００４】上記従来の加熱処理装置において、上記昇
降ロッドは、シール部材を兼ねるすべり軸受によって、
昇降及び回転自在に支持されている。このすべり軸受
は、フッ素樹脂からなる中空リングの内部に、締付力を
付与するためのリング状のコイルばねを埋設したもので
あり、上記昇降ロッドを摺動自在に支持しているととも
に、プロセスチャンバー内に発生する有害なガスが、昇
降ロッドの外周部の隙間を通して漏洩するのを防止して
いる。また、上記すべり軸受は、過熱しないように水冷
されている。
降ロッドは、シール部材を兼ねるすべり軸受によって、
昇降及び回転自在に支持されている。このすべり軸受
は、フッ素樹脂からなる中空リングの内部に、締付力を
付与するためのリング状のコイルばねを埋設したもので
あり、上記昇降ロッドを摺動自在に支持しているととも
に、プロセスチャンバー内に発生する有害なガスが、昇
降ロッドの外周部の隙間を通して漏洩するのを防止して
いる。また、上記すべり軸受は、過熱しないように水冷
されている。
【０００５】ところが、上記従来の加熱処理装置におい
ては、半導体ウエハーを１２００°Ｃ程度で高温処理す
る必要があるので、上記すべり軸受は、これを水冷して
いるにもかかわらず、２００°Ｃ程度に加熱される。こ
のため、その耐摩耗性が劣化して、昇降ロッドとの摺接
により摩耗粉が発生し、この摩耗粉がプロセスチャンバ
ー内に侵入して、半導体ウエハーを汚染するという問題
が生じていた。また、上記すべり軸受の摩耗によって、
そのシール性が低下し、プロセスチャンバー内に発生す
る有害なガスが、昇降ロッドの外周部の隙間を通して漏
洩する事態も生じていた。
ては、半導体ウエハーを１２００°Ｃ程度で高温処理す
る必要があるので、上記すべり軸受は、これを水冷して
いるにもかかわらず、２００°Ｃ程度に加熱される。こ
のため、その耐摩耗性が劣化して、昇降ロッドとの摺接
により摩耗粉が発生し、この摩耗粉がプロセスチャンバ
ー内に侵入して、半導体ウエハーを汚染するという問題
が生じていた。また、上記すべり軸受の摩耗によって、
そのシール性が低下し、プロセスチャンバー内に発生す
る有害なガスが、昇降ロッドの外周部の隙間を通して漏
洩する事態も生じていた。
【０００６】そこで、上記昇降ロッドを、静圧軸受によ
って昇降及び回転自在に支持することも試みられてい
る。ところが、この静圧軸受についても、昇降ロッドと
の摺接が避けられないことから、その摺接面が摩耗し
て、摩耗粉がプロセスチャンバー内に侵入し、半導体ウ
エハーを汚染することがあった。特に、上記静圧軸受の
昇降ロッドに対する摺接面は、ＳＵＳ３０４，ＳＵＳ３
１６，ＳＵＳ３１６Ｌその他の耐熱耐蝕性のステンレス
鋼で構成されており、上記摩耗粉にＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ等
の重金属が含まれていることから、半導体ウエハーはこ
れら重金属によって汚染されることになる。このため、
半導体のライフタイムが短くなるという重大な欠陥を引
き起こす虞れがあった。
って昇降及び回転自在に支持することも試みられてい
る。ところが、この静圧軸受についても、昇降ロッドと
の摺接が避けられないことから、その摺接面が摩耗し
て、摩耗粉がプロセスチャンバー内に侵入し、半導体ウ
エハーを汚染することがあった。特に、上記静圧軸受の
昇降ロッドに対する摺接面は、ＳＵＳ３０４，ＳＵＳ３
１６，ＳＵＳ３１６Ｌその他の耐熱耐蝕性のステンレス
鋼で構成されており、上記摩耗粉にＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ等
の重金属が含まれていることから、半導体ウエハーはこ
れら重金属によって汚染されることになる。このため、
半導体のライフタイムが短くなるという重大な欠陥を引
き起こす虞れがあった。
【０００７】この発明は、上記問題点に鑑みてなされた
ものであり、ウエハー支持体を支承する昇降ロッドと、
この昇降ロッドを支持する軸受との摺接によって生じる
摩耗粉によって、半導体ウエハーが汚染されるのを防止
することができる半導体ウエハーの加熱処理装置を提供
することを目的とする。また、この発明は、プロセスチ
ャンバー内に発生する有害なガスが、昇降ロッドの外周
部の隙間を通して装置外に漏洩するのを確実に防止する
ことができる半導体ウエハーの加熱処理装置を提供する
ことを目的とする。
ものであり、ウエハー支持体を支承する昇降ロッドと、
この昇降ロッドを支持する軸受との摺接によって生じる
摩耗粉によって、半導体ウエハーが汚染されるのを防止
することができる半導体ウエハーの加熱処理装置を提供
することを目的とする。また、この発明は、プロセスチ
ャンバー内に発生する有害なガスが、昇降ロッドの外周
部の隙間を通して装置外に漏洩するのを確実に防止する
ことができる半導体ウエハーの加熱処理装置を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
のこの発明の半導体ウエハーの加熱処理装置は、半導体
ウエハーを水平に支持するウエハー支持体と、上記ウエ
ハー支持体を支承する昇降ロッドと、この昇降ロッドを
昇降自在に支持する軸受とを有し、上記ウエハー支持体
を昇降ロッドを介して上昇させて、ウエハー支持体に支
持された半導体ウエハーを加熱チャンバーに移送する昇
降手段とを備える半導体ウエハーの加熱処理装置におい
て、上記軸受を静圧軸受で構成し、その昇降ロッドに対
する摺接面を、重金属の総含有量が０．０５ｐｐｍ以下
の石英又は炭化ケイ素で構成したことを特徴とするもの
である。
のこの発明の半導体ウエハーの加熱処理装置は、半導体
ウエハーを水平に支持するウエハー支持体と、上記ウエ
ハー支持体を支承する昇降ロッドと、この昇降ロッドを
昇降自在に支持する軸受とを有し、上記ウエハー支持体
を昇降ロッドを介して上昇させて、ウエハー支持体に支
持された半導体ウエハーを加熱チャンバーに移送する昇
降手段とを備える半導体ウエハーの加熱処理装置におい
て、上記軸受を静圧軸受で構成し、その昇降ロッドに対
する摺接面を、重金属の総含有量が０．０５ｐｐｍ以下
の石英又は炭化ケイ素で構成したことを特徴とするもの
である。
【０００９】上記の構成の半導体ウエハーの加熱処理装
置によれば、昇降ロッドを支持する軸受が静圧軸受で構
成されているので、昇降ロッドとの摺接による摩耗を、
従来のすべり軸受に較べて大幅に少なくすることができ
る。しかも、上記静圧軸受の昇降ロッドに対する摺接面
を、重金属の総含有量が０．０５ｐｐｍ以下の石英又は
炭化ケイ素で構成しており、昇降ロッドとの摺接によっ
て生じる摩耗粉に含まれる重金属の量が非常に僅かであ
るので、半導体ウエハーに重金属汚染が生じるのを、効
果的に防止することができる。また、プロセスチャンバ
内から昇降ロッドの外周部の隙間を通して静圧軸受側に
漏洩した有害なガスを、上記小孔ロッドを支持すべく静
圧軸受に供給された後排出されるパージガスとともに回
収することができる。
置によれば、昇降ロッドを支持する軸受が静圧軸受で構
成されているので、昇降ロッドとの摺接による摩耗を、
従来のすべり軸受に較べて大幅に少なくすることができ
る。しかも、上記静圧軸受の昇降ロッドに対する摺接面
を、重金属の総含有量が０．０５ｐｐｍ以下の石英又は
炭化ケイ素で構成しており、昇降ロッドとの摺接によっ
て生じる摩耗粉に含まれる重金属の量が非常に僅かであ
るので、半導体ウエハーに重金属汚染が生じるのを、効
果的に防止することができる。また、プロセスチャンバ
内から昇降ロッドの外周部の隙間を通して静圧軸受側に
漏洩した有害なガスを、上記小孔ロッドを支持すべく静
圧軸受に供給された後排出されるパージガスとともに回
収することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照しながら詳述する。図２はこの発明
の半導体ウエハーの加熱処理装置の一つの実施の形態を
示す概略断面図である。この加熱処理装置は、半導体ウ
エハーＷを加熱する急熱炉１と、プロセスチャンバーＣ
の内部において半導体ウエハーＷを支持するウエハー支
持体２と、このウエハー支持体２に支持された半導体ウ
エハーＷを昇降させる昇降手段３と、ウエハー支持体２
に半導体ウエハーＷを供給したり、ウエハー支持体２か
ら半導体ウエハーＷを取り出したりするハンドリング手
段４と、上記昇降手段３やハンドリング手段４の駆動を
制御する制御部５等によって主要部が構成されている。
て、添付図面を参照しながら詳述する。図２はこの発明
の半導体ウエハーの加熱処理装置の一つの実施の形態を
示す概略断面図である。この加熱処理装置は、半導体ウ
エハーＷを加熱する急熱炉１と、プロセスチャンバーＣ
の内部において半導体ウエハーＷを支持するウエハー支
持体２と、このウエハー支持体２に支持された半導体ウ
エハーＷを昇降させる昇降手段３と、ウエハー支持体２
に半導体ウエハーＷを供給したり、ウエハー支持体２か
ら半導体ウエハーＷを取り出したりするハンドリング手
段４と、上記昇降手段３やハンドリング手段４の駆動を
制御する制御部５等によって主要部が構成されている。
【００１１】上記急熱炉１は、プロセスチャンバーＣを
構成する筒体１１の上部外周に、ヒータ１２を配置した
ものであり、上記筒体１１の途中部は、断熱材１３によ
って覆われている。上記筒体１１は、石英、ＳｉＣ等か
らなるものであり、上部が閉塞されているとともに、下
部が開口されている。この筒体１１の下部の開口は、上
記ハンドリング手段４が構成された搬送チャンバーＢに
連通されており、この搬送チャンバーＢの底部は底板Ｂ
１によって閉塞されている。なお、上記プロセスチャン
バーＣの上部は加熱チャンバーＡとして構成されてい
る。
構成する筒体１１の上部外周に、ヒータ１２を配置した
ものであり、上記筒体１１の途中部は、断熱材１３によ
って覆われている。上記筒体１１は、石英、ＳｉＣ等か
らなるものであり、上部が閉塞されているとともに、下
部が開口されている。この筒体１１の下部の開口は、上
記ハンドリング手段４が構成された搬送チャンバーＢに
連通されており、この搬送チャンバーＢの底部は底板Ｂ
１によって閉塞されている。なお、上記プロセスチャン
バーＣの上部は加熱チャンバーＡとして構成されてい
る。
【００１２】ウエハー支持体２は、図４に詳細を示すよ
うに、石英、ＳｉＣ等からなる平板状の基盤２１上に、
石英からなる複数本の支持ピン２２を立設したものであ
る。各支持ピン２２の高さは、半導体ウエハーＷを水平
に支持できるように、均一に設定されている。なお、上
記支持ピン２２の下端部は、基盤２１に固着されてい
る。
うに、石英、ＳｉＣ等からなる平板状の基盤２１上に、
石英からなる複数本の支持ピン２２を立設したものであ
る。各支持ピン２２の高さは、半導体ウエハーＷを水平
に支持できるように、均一に設定されている。なお、上
記支持ピン２２の下端部は、基盤２１に固着されてい
る。
【００１３】上記昇降手段３は、上記ウエハー支持体２
を支承する昇降ロッド３１と、この昇降ロッド３１を昇
降自在に支持する静圧軸受３２と、昇降ロッド３１を昇
降させる昇降駆動部３３とを備えている。上記昇降ロッ
ド３１は、石英管からなるものであり、その上端部が上
記ウエハー支持体２の基盤２１の底面に接続されてい
る。
を支承する昇降ロッド３１と、この昇降ロッド３１を昇
降自在に支持する静圧軸受３２と、昇降ロッド３１を昇
降させる昇降駆動部３３とを備えている。上記昇降ロッ
ド３１は、石英管からなるものであり、その上端部が上
記ウエハー支持体２の基盤２１の底面に接続されてい
る。
【００１４】静圧軸受３２は、図１に詳細を示すよう
に、底板Ｂ１に取り付けられたケーシング３２ａの内部
に、昇降ロッド３１と摺接するスリーブ３２ｂを設けた
ものであり、このスリーブ３２ｂと昇降ロッド３１との
間には、パージガスを流通させるための隙間Ｓが構成さ
れている。また、スリーブ３２ｂの外周には、環状溝３
２ｃが形成されており、この環状溝３２ｃの周面には、
当該環状溝３２ｃと上記隙間Ｓとを連通する複数の小孔
３２ｄが形成されている。この小孔３２ｄは、上下二列
の円周に沿って、等間隔に形成されており（図示例では
上下各８箇所）、上段の小孔３２ｄと下段の小孔３２ｄ
とは、互いに位相をずらした状態で形成されている（図
６及び図７参照）。
に、底板Ｂ１に取り付けられたケーシング３２ａの内部
に、昇降ロッド３１と摺接するスリーブ３２ｂを設けた
ものであり、このスリーブ３２ｂと昇降ロッド３１との
間には、パージガスを流通させるための隙間Ｓが構成さ
れている。また、スリーブ３２ｂの外周には、環状溝３
２ｃが形成されており、この環状溝３２ｃの周面には、
当該環状溝３２ｃと上記隙間Ｓとを連通する複数の小孔
３２ｄが形成されている。この小孔３２ｄは、上下二列
の円周に沿って、等間隔に形成されており（図示例では
上下各８箇所）、上段の小孔３２ｄと下段の小孔３２ｄ
とは、互いに位相をずらした状態で形成されている（図
６及び図７参照）。
【００１５】さらに、上記ケーシング３２ａには、上記
スリーブ３２ｂの環状溝３２ｃにパージガスを供給する
ためのガス供給口３２ｅが形成されているとともに、昇
降ロッド３１とスリーブ３２ｂとの間の隙間Ｓに供給さ
れたパージガスを排出するためのガス排出口３２ｆが形
成されている。また、上記ケーシング３２ａには、冷却
水を循環させるための水路３２ｈが形成されている。な
お、上記静圧軸受３２のケーシング３２ａと底板Ｂ１と
の間には、Ｏリング３２ｇが介在されており、プロセス
チャンバーＣ内のガス及びパージガスが、装置外に漏洩
しないようになっている。また、上記パージガスとして
は、窒素ガスが使用される。
スリーブ３２ｂの環状溝３２ｃにパージガスを供給する
ためのガス供給口３２ｅが形成されているとともに、昇
降ロッド３１とスリーブ３２ｂとの間の隙間Ｓに供給さ
れたパージガスを排出するためのガス排出口３２ｆが形
成されている。また、上記ケーシング３２ａには、冷却
水を循環させるための水路３２ｈが形成されている。な
お、上記静圧軸受３２のケーシング３２ａと底板Ｂ１と
の間には、Ｏリング３２ｇが介在されており、プロセス
チャンバーＣ内のガス及びパージガスが、装置外に漏洩
しないようになっている。また、上記パージガスとして
は、窒素ガスが使用される。
【００１６】上記静圧軸受３２のスリーブ３２ｂの内周
面、つまり昇降ロッド３１との摺接面Ｘには、炭化ケイ
素からなるコーティング層Ｄが形成されている（図３参
照）。このコーティング層Ｄは、化学蒸着によって形成
された高密度のものであり、その厚みとしては、１００
〜５００μｍに設定されている。
面、つまり昇降ロッド３１との摺接面Ｘには、炭化ケイ
素からなるコーティング層Ｄが形成されている（図３参
照）。このコーティング層Ｄは、化学蒸着によって形成
された高密度のものであり、その厚みとしては、１００
〜５００μｍに設定されている。
【００１７】図２を参照して、上記昇降ロッド３１を昇
降駆動させる昇降駆動部３３は、モータ３３ａと、この
モータ３３ａによって回転駆動されるスパイラルギア３
３ｂと、上記昇降ロッド３１の下端部が連結され、スパ
イラルギア３３ｂに対して螺合された昇降部材３３ｃ
と、昇降部材３３ｃの昇降をガイドするガイドロッド３
３ｄと、昇降ロッド３１の昇降ストロークを制御するた
めのエンコーダ３３ｅ等を備えている。また、上記昇降
手段３には、昇降ロッド３１を回転させるための回転駆
動機構も構成されている。
降駆動させる昇降駆動部３３は、モータ３３ａと、この
モータ３３ａによって回転駆動されるスパイラルギア３
３ｂと、上記昇降ロッド３１の下端部が連結され、スパ
イラルギア３３ｂに対して螺合された昇降部材３３ｃ
と、昇降部材３３ｃの昇降をガイドするガイドロッド３
３ｄと、昇降ロッド３１の昇降ストロークを制御するた
めのエンコーダ３３ｅ等を備えている。また、上記昇降
手段３には、昇降ロッド３１を回転させるための回転駆
動機構も構成されている。
【００１８】ハンドリング手段４は、水平方向へ旋回可
能なロボットアーム４１の先端の、半導体ウエハーＷの
裏面（下面）との接触面側に、複数個の溝４２を形成
し、さらに当該溝４２にアーム部を貫通して真空ポンプ
と連通する小孔４３を形成することにより、半導体ウエ
ハーＷを真空吸着するようにしたものであり（図４及び
図５参照）、当該半導体ウエハーＷをウエハー支持体２
の支持ピン２２上に供給したり、加熱処理が完了した半
導体ウエハーＷを支持ピン２２上から取り出したりする
ことができる。
能なロボットアーム４１の先端の、半導体ウエハーＷの
裏面（下面）との接触面側に、複数個の溝４２を形成
し、さらに当該溝４２にアーム部を貫通して真空ポンプ
と連通する小孔４３を形成することにより、半導体ウエ
ハーＷを真空吸着するようにしたものであり（図４及び
図５参照）、当該半導体ウエハーＷをウエハー支持体２
の支持ピン２２上に供給したり、加熱処理が完了した半
導体ウエハーＷを支持ピン２２上から取り出したりする
ことができる。
【００１９】以上の構成であれば、昇降ロッド３１が静
圧軸受３２によって支持されているので、昇降ロッド３
１との摺接による静圧軸受３２の摺接面Ｘの摩耗を、従
来のすべり軸受に較べて大幅に少なくすることができ
る。しかも、上記静圧軸受３２の摺接面Ｘが、不純物と
しての重金属の含有量が非常に少ない高密度の炭化ケイ
素（Ｆｅ０．０４ｐｐｍ，Ｃｒ０．０１ｐｐｍ以下）で
構成されているので、昇降ロッド３１との摺接によって
生じる摩耗粉についても、重金属の含有量が非常に少な
いものとなる。このため、半導体ウエハーが重金属によ
って汚染されて、半導体のライフタイムが短くなるのを
効果的に防止することができる。
圧軸受３２によって支持されているので、昇降ロッド３
１との摺接による静圧軸受３２の摺接面Ｘの摩耗を、従
来のすべり軸受に較べて大幅に少なくすることができ
る。しかも、上記静圧軸受３２の摺接面Ｘが、不純物と
しての重金属の含有量が非常に少ない高密度の炭化ケイ
素（Ｆｅ０．０４ｐｐｍ，Ｃｒ０．０１ｐｐｍ以下）で
構成されているので、昇降ロッド３１との摺接によって
生じる摩耗粉についても、重金属の含有量が非常に少な
いものとなる。このため、半導体ウエハーが重金属によ
って汚染されて、半導体のライフタイムが短くなるのを
効果的に防止することができる。
【００２０】また、上記スリーブ３２ｂと昇降ロッド３
１との間に供給されたパージガスは、その一部が隙間Ｓ
を通って大気中に排出されるものの、大半は、ガス排出
口３２ｆを通して排出されて回収され、これに伴って、
昇降ロッド３１の外周部の隙間を通してプロセスチャン
バーＣ内から静圧軸受３２側に漏洩した有毒ガスも、上
記ガス排出口３２ｆを通して排出して回収することがで
きる。従って、当該有毒ガスの装置外への漏洩を確実に
防止することができる。また、上記スリーブ３２ｂと昇
降ロッド３１との間に供給されたパージガスのガス圧に
よって、プロセスチャンバーＣ内の有毒ガスが、静圧軸
受３２側に漏洩するのを抑制することもできる。なお、
上記パージガスとともに排出口３２ｆから排出された有
毒ガスは、専用の回収装置によってパージガスと分離し
た状態で回収される。
１との間に供給されたパージガスは、その一部が隙間Ｓ
を通って大気中に排出されるものの、大半は、ガス排出
口３２ｆを通して排出されて回収され、これに伴って、
昇降ロッド３１の外周部の隙間を通してプロセスチャン
バーＣ内から静圧軸受３２側に漏洩した有毒ガスも、上
記ガス排出口３２ｆを通して排出して回収することがで
きる。従って、当該有毒ガスの装置外への漏洩を確実に
防止することができる。また、上記スリーブ３２ｂと昇
降ロッド３１との間に供給されたパージガスのガス圧に
よって、プロセスチャンバーＣ内の有毒ガスが、静圧軸
受３２側に漏洩するのを抑制することもできる。なお、
上記パージガスとともに排出口３２ｆから排出された有
毒ガスは、専用の回収装置によってパージガスと分離し
た状態で回収される。
【００２１】上記静圧軸受のスリーブ３２ｂに形成され
たコーティング層Ｄとしては、上記炭化ケイ素に代え
て、高密度の石英で構成してもよく、この場合にも不純
物としての重金属が少ないので（Ｆｅ０．０５ｐｐ
ｍ）、昇降ロッド３１との摺接によって生じる重金属に
よる半導体ウエハーＷの汚染を効果的に防止することが
できる。また、上記スリーブ３２ｂは、上記コーティン
グ層Ｄを構成する代わりに、その全体を、石英や炭化ケ
イ素によって構成してもよい。
たコーティング層Ｄとしては、上記炭化ケイ素に代え
て、高密度の石英で構成してもよく、この場合にも不純
物としての重金属が少ないので（Ｆｅ０．０５ｐｐ
ｍ）、昇降ロッド３１との摺接によって生じる重金属に
よる半導体ウエハーＷの汚染を効果的に防止することが
できる。また、上記スリーブ３２ｂは、上記コーティン
グ層Ｄを構成する代わりに、その全体を、石英や炭化ケ
イ素によって構成してもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体ウエハ
ーの加熱処理装置によれば、昇降ロッドを支持する軸受
が静圧軸受で構成されているので、昇降ロッドとの摺接
による摩耗を、従来のすべり軸受に較べて大幅に少なく
することができるとともに、上記静圧軸受の昇降ロッド
に対する摺接面が、重金属の含有量がきわめて少ない石
英又は炭化ケイ素によって構成されているので、上記摺
接面の摩耗によって、半導体ウエハーが重金属にて汚染
されるのを防止することができる。このため半導体のラ
イフタイムが短くなるのを効果的に防止することができ
る。また、この発明の半導体ウエハーの加熱処理装置
は、プロセスチャンバ内に発生する有害なガスが、昇降
ロッドの外周部の隙間を通して装置外に漏洩するのを確
実に防止することもできる。
ーの加熱処理装置によれば、昇降ロッドを支持する軸受
が静圧軸受で構成されているので、昇降ロッドとの摺接
による摩耗を、従来のすべり軸受に較べて大幅に少なく
することができるとともに、上記静圧軸受の昇降ロッド
に対する摺接面が、重金属の含有量がきわめて少ない石
英又は炭化ケイ素によって構成されているので、上記摺
接面の摩耗によって、半導体ウエハーが重金属にて汚染
されるのを防止することができる。このため半導体のラ
イフタイムが短くなるのを効果的に防止することができ
る。また、この発明の半導体ウエハーの加熱処理装置
は、プロセスチャンバ内に発生する有害なガスが、昇降
ロッドの外周部の隙間を通して装置外に漏洩するのを確
実に防止することもできる。
【図１】この発明の半導体ウエハーの加熱処理装置に装
備された静圧軸受の断面図である。
備された静圧軸受の断面図である。
【図２】加熱処理装置の全体を示す概略断面図である。
【図３】静圧軸受の摺接面の詳細を示す断面図である。
【図４】ウエハー支持体の断面図である。
【図５】ハンドリング装置の要部斜視図である。
【図６】図１のVI−VI線断面図である。
【図７】図１のVII −VII 線断面図である。
１ 急熱炉 ２ ウエハー支持体 ３ 昇降手段 ３１ 昇降ロッド ３２ 静圧軸受 Ｗ 半導体ウエハー Ａ 加熱チャンバー Ｄ コーティング層 Ｘ 摺接面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 390033020 Ｅａｔｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ，Ｃｌｅｖｅ ｌａｎｄ，Ｏｈｉｏ 44114，Ｕ．Ｓ. Ａ. (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/22 511 H01L 21/31 H01L 21/68
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウエハーを水平に支持するウエハー
支持体と、 上記ウエハー支持体を支承する昇降ロッドと、この昇降
ロッドを昇降自在に支持する軸受とを有し、上記ウエハ
ー支持体を昇降ロッドを介して上昇させて、ウエハー支
持体に支持された半導体ウエハーを加熱チャンバーに移
送する昇降手段とを備える半導体ウエハーの加熱処理装
置において、 上記軸受を静圧軸受で構成し、その昇降ロッドに対する
摺接面を、重金属の総含有量が０．０５ｐｐｍ以下の石
英又は炭化ケイ素で構成したことを特徴とする半導体ウ
エハーの加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29349995A JP2865604B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 半導体ウエハーの加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29349995A JP2865604B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 半導体ウエハーの加熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115846A JPH09115846A (ja) | 1997-05-02 |
| JP2865604B2 true JP2865604B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=17795537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29349995A Expired - Fee Related JP2865604B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 半導体ウエハーの加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2865604B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5254094B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2013-08-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置 |
| CN103615466B (zh) * | 2013-11-27 | 2016-04-06 | 九江精密测试技术研究所 | 一种高精度气浮轴系供气机构 |
| WO2016041731A1 (en) | 2014-09-15 | 2016-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Object table, lithographic apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189219A (ja) * | 1984-03-08 | 1985-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転サセプタ支持装置 |
| JPH0195730U (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | ||
| JP2522544B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1996-08-07 | 東芝セラミックス株式会社 | 縦型熱処理炉 |
| JPH04260700A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-16 | Toshiba Corp | 半導体用縦型熱処理炉 |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP29349995A patent/JP2865604B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09115846A (ja) | 1997-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5536918A (en) | Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers | |
| KR100668585B1 (ko) | 종형 열 처리 장치 | |
| US5884009A (en) | Substrate treatment system | |
| US8490660B2 (en) | Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber | |
| US6774060B2 (en) | Methods and apparatus for thermally processing wafers | |
| US6737613B2 (en) | Heat treatment apparatus and method for processing substrates | |
| US8216422B2 (en) | Substrate support bushing | |
| TWI488256B (zh) | 非接觸性基板處理 | |
| JP4924395B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP2008544491A (ja) | 回転基板支持体及びその使用方法 | |
| JP2865604B2 (ja) | 半導体ウエハーの加熱処理装置 | |
| JP2877748B2 (ja) | 半導体ウエハーの加熱処理装置 | |
| JP2007119838A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3798915B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| KR101419389B1 (ko) | 기판 지지 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
| JP2011198957A (ja) | 基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法 | |
| KR102614456B1 (ko) | 고압 기판 처리 장치 | |
| JP2006253448A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH07169706A (ja) | 縦型熱処理装置及び真空処理装置 | |
| JP3084232B2 (ja) | 縦型加熱処理装置 | |
| JPH08222556A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH08335575A (ja) | 熱処理装置および方法 | |
| JP3980663B2 (ja) | 熱処理方法 | |
| KR100832713B1 (ko) | 수직형 퍼니스의 페데스탈 보호장치 | |
| JPH05121395A (ja) | 表面処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071218 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081218 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091218 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |