KR0132665B1 - 공작물용 캐리어 및 진공처리실 - Google Patents

공작물용 캐리어 및 진공처리실

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KR0132665B1
KR0132665B1 KR1019900006358A KR900006358A KR0132665B1 KR 0132665 B1 KR0132665 B1 KR 0132665B1 KR 1019900006358 A KR1019900006358 A KR 1019900006358A KR 900006358 A KR900006358 A KR 900006358A KR 0132665 B1 KR0132665 B1 KR 0132665B1
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바그너 루돌프
히르쉐 한스
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에.해펠리, 베.카우프만
발쩌스악티엔게젤샤프트
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Abstract

내용 없음.

Description

공작물용 캐리어 및 진공처리실
제1도는 디스크모양의 공작물용 운반장치로서, 이 장치에 의하여 장입되는 처리실에 관하여 그 여러가지 위치가 절선·점으로 도시되어 있고, 본 발명에 의한 캐리어가 포함되어 있는 운반장치를 제2도의 선(II-II)에 따라 취한 수직단면도.
제2도는 유지기구가 달린 운반장치의 주요부분을 도시한 평면도.
제3도는 제1도에 도시한 본 발명의 공작물 캐리어를 제4도의 선(III-III)에 따라 취한 확대수직단면도.
제4도는 제3도에 도시한 캐리어를 덮개판 없이 반으로 도시한 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 리프팅 테이블 2 : 케이싱
3 : 지지물 4 : 베어링
5 : 공작물 받침대 6 : 공작물
36 : 처리실 38 : 링
39 : 훅 50 : 가열장치
51 : 플레이트 52 : 홈
54 : 결합부 56 : 열선코일
59 : 천공 61 : 개구
본 발명은 냉각 또는 가열장치, 다수의 유입부를 통과하고, 분배실과 공작물 및 공작물 받침대 사이에 공급되는 기체와 열전달수단으로서의 기체에 의하여 공작물 받침대 사이에 쿠션모양의 기체층을 형성할 수 있도록 기체공급관과 연결되어 있는 분배실과 서로 통하게 되어있는 공작물 받침대, 이러한 공작물 캐리어에 의하여 공작물을 처리하는 진공처리실 등이 제공되어 있는 디스크형 공작물용의 공작물 캐리어에 관한 것이다.
전술한 종류의 디스크형 공작물용 캐리어, 즉 기판은 DE-A-36 33 386에 의하여 공지되어 있다. 이에 의하여, 이와같이 디스크모양으로된 기판을 진공처리과정으로 처리하기 위하여 받침블록내에 중앙배치된 기체공급관과 연결되는 기판팽창에 대응하는 성형부를 제공하는 것이 공지되었다.
전술한 성형부에는 다수의 구멍이 뚫려있는 디스크가 내장되어 있고, 디스크 위에는 처리할 기판이 놓이게 된다. 따라서, 이러한 기판과 기체용 분배실을 블록내에 수용할 면적이 제한되기 때문에, 기체공급관, 분배실 및 디스크의 개구등 위에 디스크에 의하여 형성되는 공작물 받침대 사이의 기체와 열전달수단으로서의 기체에 의하여 기체쿠션이 형성된다.
이러한 공지된 지지물에 있어서는 기판의 주변에서 쿠션을 형성하는 기체가 외부로 방출되며, 이는 특히 이와같은 지지물을 기판용 진공처리과정에 삽입할 때 바람직하지 못한 경우가 많다. 많은 진공처리과정에서는 처리실에 일정량의 특정기체가 공급되지만, 많은 경우에 있어서 이러한 처리가스 공급이 지지물에서 일어날 수 있는 가스공급과는 관계없이 열전도목적으로 행하여질 수 있는 것이 바람직하다.
본 발명은 전술한 종류의 지지물로서, 열전도수단으로서 삽입되는 기체가 지지물의 주위로 방출되지 아니하고, 최대한으로 간단하게 구성할 수 있는 지지물을 제공하는 것을 과제로 한다. 여기에서는 열전도수단으로서의 기체를 계속하여 삽입함으로써 일정하게 정확히 유지되는 온도에서 공작물의 처리를 실시할 수 있어야 한다.
이 과제는 특허청구범위 제1항의 특징에 의하여 해결한다.
청구범위 제1항에서 한정된 본 발명의 개념 및 특징의 일부는 특히 받침면에 유출구 이외에 기체흡입실과 통하여 있는 다수의 흡입구가 제공되어 있고 기체흡입실에 배기관이 접속되어 있는 것은 네덜란드 아인트호벤 필립스연구소의 발명자, 요트, 비서에 의해 출원된 독일출원 제39 43 47.8호의 요지에 관한 것으로 최근에 발명자와의 개인적인 협상에 의하여 본 발명에 포함시킨 것이다. 본 출원은 특히 플레이트내에 한개 또는 다수의 홈들이 제공된 형태의 분배실의 개량된 실시에 관한 것이다. 홈의 개념은 종방향신장이 양방향신장보다 실질적으로 큰 몸체내에 형성된 성형부 즉 통로형상 홈을 의미하는 것이다.
본 발명을 첨부도면에 의하여 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 수직단면도로 도시된 리프팅 테이블(1)에는 단모양으로 형성된 케이싱(2)이 제공되어 있고, 케이싱내에는 지지물(3)이 베어링(4)에 의하여 상하로 움직일 수 있게 장착되어 있다. 베어링으로서는 지지물(3)을 케이싱(2)내에서 회전하지 못하게 장착시키기 위하여 협동하는 홈과 스프링에 의한 장치(도시없음)가 있는 볼베어링 부시가 이용된다. 지지물(3)의 상단부에는 지지물의 축에 대하여 동축방향으로 배치되고, 그위에 디스크형의 공작물(6)이 놓이는 공작물 받침대(5)가 달려있다. 지지물(3)에는 공작물 받침대(5) 아래에 일정한 간격을 두고 환상플랜지(7)가 달려있고, 플랜지내에는 제1도에 도시한 바와같이, 주변에 분할되어 배치되고, 환상플랜지를 통과하는 절취부(8)가 형성되어 있고, 절취부내에는 조립용 몸체(9)가 배치되어 있다. 각 조립용 몸체(9)에는 회전축(10)이 회전할 수 있게 장착되어 있고, 이 회전축은 그 하단부에서 결합요소(11)를 거쳐 마이크로모터(12)와 연결되어 있다. 이러한 마이크로모터는 환상플랜지(7) 아래로 그 하측면에 고정된 케이싱(13)내에 배치되어 있다. 회전축(10)의 상단부에는 회전축선에 대하여 직각으로 뻗어있고, 2개의 부재(15,16)가 포함되어 있는 2분절의 지브암(14)이 달려있고, 이 지브암들은 회전축에 대하여 평행인 선회축(17)에 의하여 서로 결합되어 있기 때문에, 외측 지브암부재(16)가 회전축(10) 위쪽에 고정된 지브암부재(15)에 대향하여 선회할 수 있다. 지브암(14)의 또다른 단부에는 조립용 몸체(18)가 달려있고, 이 조립용 몸체내에는 볼베어링 부시(19)에 의하여 회전축(10)의 축선에 평행으로된 로드(20)가 축방향으로 움직일 수 있게 장착되어 있다. 로드(20)는 이를 둘러싸는 압착스프링(21)의 작용에 맞서 축방향으로 이동할 수 있게 유지되고, 이 압착스프링은 눌려있는 로드(20)를 다시 위쪽으로 이동시킨다. 압착스프링(21)은 이러한 목적을 위하여 그 하단부에서 조립용 몸체(18)에 지지되어 있고, 상단부에서는 로드에 고정된 플랜지(22)에 지지되어 있다. 그외에도, 플랜지(22)에는 금속사복부(23)의 일단부가 고정되어 있고, 그 또다른 단부는 조립용 몸체(18)에 고정되어 있다. 이에 의하여 금속사복부(23)와 하단부에서 폐쇄된 조립용 몸체(18)내에는 폐쇄된 챔버가 있고, 이 챔버내에는 지브암(14)를 통하여 안쪽으로 뻗어있는 가요성관(24)이 통하여 있고, 이러한 관은 지브암(14)의 2개 부재(15,16)가 서로쪽으로 선회할 수 있을만큼 가요성이 있다. 회전축(10)은 속이 비어있고, 이 공동(25)에는 가요성관(24)이 접속되어 있다. 공동(25)은 회전축(10)의 모터측단부에서, 가로천공(26)을 거쳐 방사상 방향으로 환상플랜지(7)를 통하여 뻗어있는 통로에 접속되어 있고, 이 통로는 도시되지 아니한 방법으로 진공원에 접속되어 있기 때문에, 전술한 바와같이 서로 연결되어 있는 모든 공간을 진공으로 만들 수 있다. 경우에 따라서는 마찰로 인하여 생기는 입자들이 흡입되지만, 리프팅 테이블이 작업을 하는 진공으로된 챔버내에는 도달하지 못한다. 조립용 몸체(9,19)로부터 어떠한 이물체도 이 챔버에는 도달하지 못한다.
제1도에서는 지브암과 이에 접속된 부재가 평면내에 놓여있는 것으로 도시되어 있으나, 실제로는 지브암(14)이 제2도에 도시한 바와 같이, 리프팅 테이블(1)에 의하여 수직평면과 일정한 각도로 뻗어있기 때문에, 전술한 로드(20)는 실제로 공작물 받침대(5) 옆에서 끝나있고, 단부에는 예를들면, 롤러 베어링(28)의 형태로된 회전링이 달려있고, 롤러 베어링의 위쪽에는 공작물 받침대(5)위에 놓여있는 디스크 모양의 공작물(6)의 가장자리를 잡아서 공작물을 유지하는 디스크(29)가 달려있다. 회전링(28)은 로드(20)가 회전축(10)의 형태로된 그 회전다리를 이용한 선회에 의하여 마이크로모터(12)로 선회운동이 생길 때, 공작물 받침대상의 공작물 위치를 정정할 수 있도록 공작물(6)에 맞대어 눌리는 때에 롤링운동을 가능하게 한다. 활동기구로서의 로드와 로드를 지지하고, 선회시키기 위한 전술한 모든 부재들을 이하에서는 유지기구(30)라 하며, 이 유지기구는 그 이외의 기능도 가진다.
제2도에 도시한 바와 같이, 모두 3개의 유지기구(30)가 있는데, 그중 로드와 상부디스크(29)가 달린 유지기구는 공작물 받침대에 의하여 대칭선상에 놓여있고, 나머지 2개의 유지기구(30)는 이러한 대칭선 양측에 첫 번째 유지기구와 정반대 방향으로 대향하여 있다. 제2도에 의하여 명백히 알 수 있는 바와같이, 디스크 받침대(5)와 그 위에 놓여있는 디스크 모양의 공작물(6)은 동일한 윤곽을 가진다. 즉, 일측면에서 호(弧)에 따라 뻗어있는 직선연단(32)을 포함하여 원형으로 되어있다. 이러한 직선연단에는 먼저 대칭선(31)의 양측면에 놓여있는 2개의 유지기구(30)가 모터(12)에 의하여 회전축(110)의 축선둘레를 선회함으로써 맞대어 눌리게 된다. 도면에서는 이러한 직선연단(32)을 디스크 모양의 공작물(6)에 있어서 평평하게 도시되어 있다. 이어서 서로 대향하여 있는 유지기구(30)가 선회하여 공작물에 맞대어 눌리게 되고, 본래 직선연단(32)이 달려있는 이 유지기구가 서로 나란히 놓여있는 2개의 유지기구(30)에 대하여 정확히 평행으로 되지 아니하게 공작물 받침대 위에 위치하지 못한 경우에는 대향하여 있는 유지기구에 의하여 2개의 유지기구와 맞대어지게 된다. 예를들면, 공작물이 반도체 디스크에 관한 것인 때에는 이러한 과정을 디스크 방위의 정정이라고 하며, 이는 후속처리과정에 있어서 매우 중요하다.
유지기구가 맞물려 있는 위치는 제1도에서도 상하로 이동할 수 있는 리프팅 테이블의 하부위치와 중간위치에 도시되어있고, 선회운동에 의하여 근접되는 외측 맞물림 위치는 제1도에서 바로 위쪽으로 도시되어 있다. 이에따라 유지기구는 작은 각으로만 선회하여 덮개(34) 아래에 있는 외측맞물림 위치에 도달하고, 공작물 받침대(5)가 위쪽으로 올라갈 때 로드(20)가 덮개에 맞대어 눌리기 때문에 로드는 스프링(21)의 작용으로 안쪽으로 눌리게된다. 공작물 받침대(5)는 위쪽으로 올라간 위치에서는 진공실벽(35) 위에 있는 처리실(36) 내로 돌출하고, 여기에서는 유지기구(30)가 덮개(34) 아래에 보호된 상태로 놓이기 때문에, 처리실(36)내에서 행하여지는 공작물 표면의 처리 (예 : 알루미늄의 성층 또는 에칭처리)가 보호되어 있는 유지기구상에서는 행하여질 수 없다. 유지기구상에서는 어떠한 성층도 행하여질 수 없다.
공작물 받침대(5)와 진공실벽(35) 사이에는 개방된 환상슬릿(37)이 있고, 이 슬릿은 링(38)에 의하여 덮여진다. 이러한 링의 내측주변에는 공작물 받침대(5)가 높게 올라간 위치에 있을 때, 링(38)이 공작물(6)의 가장자리에 현수배치되는 다수의 훅(39)이 제공되어 있다. 링은 동시에 중량 부하로서 이용되고, 공작물도 고정시킨다.
지지물(3)에 고정배치되어 있는 환상플랜지(7)는 그 외측 연단에서 지지물에 대하여 축방향으로 뻗어있는 실린더 몸체(40)와 결합되어 있고, 공작물 받침대(5)에 대향하여 놓여있는 환상전면(41)이 밸브폐쇄기구로서 형성되어 있으며, 이러한 밸브폐쇄기구는 리프팅 테이블이 가공스테이션내로 상승하였을 때, 밸브시트로서 형성된 환상면(42)에 맞대어 진공실벽(35)에 부착되기 때문에, 이 위치에서는 공작물 받침대(5)가 가공실 또는 처리실(36)내로 돌출하게 되고, 이와 동시에 처리실이 다음 챔버에 맞대어 밀폐된다. 지지물(3)과 환상플랜지(7)에 고정된 실린더 몸체(40) 사이에는 환상실(43)이 있고, 이 환상실내로 유지기구(30)의 상당부분이 들어가게되며, 이에 의하여 로드(20)만이 환상실(43)에서 위쪽으로 뻗어있게 된다.
상단부는 환상플랜지(7)에 고정되고, 하단부는 케이싱(2)의 바닥에 고정되어 있는 금속사복부(44)에 의하여 공작물 받침대(5)는 챔버내에서 상하로 움직일 수 있으며, 이 챔버는 경우에 따라서 진공으로 되고, 환상플랜지(7) 아래에 있는 챔버와 연결되어 있으며, 따라서 금속사복부(44)에 의하여 아래쪽으로 접속되어 있는 나머지 챔버와 분리되어 있다.
제1도에 도시한 리프팅 테이블은 본 발명에 의하여 정확히 일정하게 유지되어야 하는 특정한 온도에서 공작물(6)을 처리실(36)내에서 일정하게 처리할 수 있어야한다.
따라서, 처리를 고온으로 실시하기 위하여 공작물 받침대(5)의 상부에 전기가열장치(50)가 장착되어 있다. 이 장치는 제3도에 확대수직단면도로 도시되어있다. 이러한 가열장치에는 플레이트(51)가 제공되어 있고, 이 플레이트내에는 제4도에 도시한 바와 같이, 균일한 배분으로 계단모양으로 침강되게 형성된 단면을 가진 환상홈(52)이 플레이트 표면에 걸쳐 형성되어 있다.
결합분절(54)에 의하여 다음의 원과 연결되어 있는 동심원(53)상에 놓여있는 홈(52)의 저부는 플레이트의 중심으로부터 외측으로 직선에 따라 뻗어있고, 제4도에 도시한 바와 같이 열선코일(56)을 수용하기 위한 홈을 형성한다. 여기에서 제4도의 반에는 플레이트(51)가 평면도로 도시되어 있다. 제4도의 또다른 반에는 또다른 플레이트(55)의 평면도가 도시되어 있으며, 이 플레이트는 상기 플레이트(51)을 덮고, 이것과 결합되어 있다. 이러한 또다른 플레이트(55)에 의하여 플레이트 표면 전체에 걸쳐 분할되어 배치되어 있고, 방사상 방향에 따라 서로 연결되어 있는 홈(52)이 덮여 있기 때문에, 기체 분할용 통로가 형성된다.
제3도에 도시한 바와 같이, 각 홈(52)은 단면이 계단식으로 형성되어 있고, 넓은 상부와 좁은 하부로 구성되고, 홈속에는 플레이트 중심으로부터 그 가장자리까지 뻗어있는 전기열선코일(56)이 배치되어 있다. 넓은 상부홈 부분은 플레이트의 중앙에서 홈(52)속으로 통하는 통로(57)에 기체를 공급할 수 있도록 접속되어 있는 분배실을 형성한다. 덮개판(55)에는 그 표면에 걸쳐 배분되어 있는, 예를들면 균일하게 배분 배치되어 있고, 플레이트를 관통하고, 홈(52)으로 통하여 있는 다수의 작은 천공(58)이 제공되어 있다. 홈(52)을 통하여 흐르는 기체가 이러한 천공(58)을 통하여 배출됨으로써 플레이트(55)의 표면과 그위에 놓여있는 공작물 사이에 기체층이 형성될 수 있다. 여기에서 기체의 과제는 플레이트(55)의 표면으로부터 공작물의 후면으로의 열전도를 증대시키는 것이다. 그외에도, 기체는 공작물이 그 전체면에 걸쳐 완전히 균일하게 가열되도록 보장한다. 공작물은 이러한 방법으로 예를들면, 500℃의 온도로 가열시킬 수 있다. 기체를 다시 흡인하기 위하여, 플레이트(51)와 덮개판(55)에는 플레이트 표면에 걸쳐 균일하게 배분되어 배치되고, 홈(52) 옆으로 홈에 따라 2개의 플레이트를 일직선으로 관통하는 다수의 큰 천공(59)이 제공되어 있다. 이러한 천공들은 플레이트(51) 아래쪽에서 기체가 빠져나가는 기체흡인실(60)과 통하여 있다. 플레이트 연단에 따라 제공된 슬릿모양의 개구(61)는 기체가 처리실내에 들어가지 못하게 하기 위하여 기체흡인용으로 이용된다.
공작물(6)을 균일하게 가열시키는데 이용되는 동적 기체쿠션은 리프팅 테이블에 의하여 위쪽으로 올라가는 공작물이 제1도에 도시한 처리실(36)내에 있을 때 작용을 하게된다. 공작물(6)이 기체쿠션이나 기체층에 의하여 공작물 받침대(5)로부터 벗어나지 아니하게 하기 위하여, 링에 고정된 훅(39)에 의하여 공작물(6)의 가장자리에 현수되어 있는 링(39)의 중량에 의하여 부하를 받게된다.
기체쿠션과 기체유입 및 배출부는 열선코일의 작동없이도 공작물을 냉각시키거나, 열을 방출하는데 이용된다.
경우에 따라서는 가열장치에 갈음하여 냉각장치를 제공할 수 있다. 예를들면, 가열코일에 갈음하여 또는 받침대를 형성하는 플레이트중 하나에 냉각매체도관을 제공할 수 있다. 그 외에도 가스수집실이나 2개의 챔버를 도시한 홈구성으로 만들 수 있다.

Claims (14)

  1. 진공장치내에서 표면처리를 받는 디스크형의 공작물용 캐리어로서, 공작물용의 받침면을 형성하는 공작물 받침대, 가열 또는 냉각장치, 받침면에 배분되어 있고, 분배실과 통하여 있는 다수의 유출구, 분배실에 접속되어 있고, 분배실과 유출구를 거쳐 기체를 공급함으로써 받침면과 공작물 사이에 열을 전도하는 쿠션과 같은 기체층을 형성하게 하는 기체공급부가 제공되어 있는 공작물 캐리어에 있어서, 받침면에 유출구(58) 이외에, 기체흡입실(60)과 통하여 있는 다수의 흡입구(59)가 제공되어 있고, 기체흡입실에 배기관이 접속되어 있고, 챔버중 적어도 하나에 플레이트(51)내에 합체되어 있는 적어도 하나 이상의 홈(52)이 형성되어 있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  2. 제1항에 있어서, 분배실이 홈으로 형성되어 있고, 이 홈이 공작물 받침대를 형성하는 덮개판(55)으로 덮여있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 홈(52)이 본질적으로 동심원의 형태로 뻗어있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  4. 제3항에 있어서, 원이 결합분절(54)에 의하여 방사상으로 서로 결합되어 있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 홈이 공작물 받침대(5)의 중앙부분에서 배기관(57)과 연결되어 있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플레이트(51)와 홈의 덮개판(55)이 서로 결합되어 있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  7. 제1항에 있어서, 가열코일(56)이 플레이트(51)에 제공되어 있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  8. 제7항에 있어서, 가열코일(56)이 홈(52)속에 제공되어 있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  9. 제1항에 있어서, 기체유입실(60)이 플레이트(51) 아래쪽에 배치되어 있고, 유입구(59)가 홈 곁에 뻗어있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  10. 제1항에 있어서, 공작물 받침대(5) 주변에, 유입부가 이에 따라 뻗어있는 슬릿(61)으로서 형성되어 있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  11. 제1항에 있어서, 공작물 받침대(5)상에 유지하기 위하여 공작물의 주변부분에 맞물리는 공작물용 유지링(38)이 제공되어 있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  12. 제11항에 있어서, 링(38)에 공작물의 주변부분에 맞물리는 다수의 훅부분(39)이 제공되어 있는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 링이 느슨하게 되어 있고, 그 중량에 의하여 공작물의 주변에 지지되는 것을 특징으로하는 공작물 캐리어.
  14. 제1항 내지 제13항 중 적어도 한항에 의한 공작물 캐리어에 의하여 공작물(6)을 처리하는 진공처리실(36).
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Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5180000A (en) * 1989-05-08 1993-01-19 Balzers Aktiengesellschaft Workpiece carrier with suction slot for a disk-shaped workpiece
JP2911997B2 (ja) * 1989-10-20 1999-06-28 日本電気株式会社 半導体ウェハーへのテープ貼付装置
US5230741A (en) * 1990-07-16 1993-07-27 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5578532A (en) * 1990-07-16 1996-11-26 Novellus Systems, Inc. Wafer surface protection in a gas deposition process
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
JP2728766B2 (ja) * 1990-07-18 1998-03-18 株式会社東芝 半導体の処理方法およびその装置
JP2625310B2 (ja) * 1991-01-08 1997-07-02 シマテク，インコーポレイテッド シリコンウェハーの製造方法および装置
US5186238A (en) * 1991-04-25 1993-02-16 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling chuck for semiconductor wafer processing
US5267607A (en) * 1991-05-28 1993-12-07 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JPH05121543A (ja) * 1991-08-09 1993-05-18 Teikoku Seiki Kk ウエハーマウンタのウエハー支持方法、その装置及びその装置を備えるウエハーマウンタ
DE4235676C2 (de) * 1992-10-22 1997-08-28 Balzers Hochvakuum Vakuumkammer zum Transport scheibenförmiger Werkstücke in einer Vakuumanlage
JPH06158361A (ja) * 1992-11-20 1994-06-07 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
KR960006956B1 (ko) * 1993-02-06 1996-05-25 현대전자산업주식회사 이시알(ecr) 장비
DE59406900D1 (de) * 1993-02-08 1998-10-22 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige Gegenstände
NL9300389A (nl) * 1993-03-04 1994-10-03 Xycarb Bv Substraatdrager.
US5738165A (en) * 1993-05-07 1998-04-14 Nikon Corporation Substrate holding apparatus
US5540821A (en) * 1993-07-16 1996-07-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for adjustment of spacing between wafer and PVD target during semiconductor processing
US5588827A (en) * 1993-12-17 1996-12-31 Brooks Automation Inc. Passive gas substrate thermal conditioning apparatus and method
US5791895A (en) * 1994-02-17 1998-08-11 Novellus Systems, Inc. Apparatus for thermal treatment of thin film wafer
KR970005686B1 (ko) * 1994-04-28 1997-04-18 한국베리안 주식회사 박막열처리 장치
DE4425874A1 (de) * 1994-07-09 1996-01-11 Ges Zur Foerderung Angewandter Optik Optoelektronik Quantenelektronik & Spektroskopie Ev Substratträger
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
WO1997009737A1 (en) 1995-09-01 1997-03-13 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Wafer support system
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US5697427A (en) * 1995-12-22 1997-12-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cooling a substrate
US5828070A (en) * 1996-02-16 1998-10-27 Eaton Corporation System and method for cooling workpieces processed by an ion implantation system
US5844205A (en) * 1996-04-19 1998-12-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated substrate support structure
US5772773A (en) * 1996-05-20 1998-06-30 Applied Materials, Inc. Co-axial motorized wafer lift
DE19620234A1 (de) * 1996-05-20 1997-11-27 Holtronic Technologies Ltd Verfahren und Vorrichtung zum Positionieren eines Substrats
US6183565B1 (en) * 1997-07-08 2001-02-06 Asm International N.V Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
DE19700839C2 (de) * 1997-01-13 2000-06-08 Siemens Ag Chuckanordnung
US5985115A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Novellus Systems, Inc. Internally cooled target assembly for magnetron sputtering
TW589391B (en) * 1997-07-08 2004-06-01 Unaxis Trading Ag Process for vacuum treating workpieces, and corresponding process equipment
DE19754390A1 (de) * 1997-12-08 1999-06-10 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Verkleben zweier flacher, kreisscheibenförmiger Substrate aus einem Kunststoff zu einer digital video disc
EP0908876A3 (de) 1997-10-08 2002-02-13 Leybold Systems GmbH Verfahren zum Verkleben eines flachen, kreisscheibenförmigen ersten Substrats aus einem Kunststoff mit einem ebensolchen zweiten Substrat zu einer digital video disc und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6328096B1 (en) 1997-12-31 2001-12-11 Temptronic Corporation Workpiece chuck
US6073681A (en) * 1997-12-31 2000-06-13 Temptronic Corporation Workpiece chuck
DE19833227A1 (de) * 1998-07-23 2000-02-03 Wacker Siltronic Halbleitermat Vorrichtung zum Anordnen von Scheiben aus Halbleitermaterial
DE19853605A1 (de) * 1998-11-20 2000-05-25 Philips Corp Intellectual Pty Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer Leuchtschicht
US7002744B2 (en) * 1999-11-22 2006-02-21 Younger Mfg. Co. Dba Younger Optics Polarized optical part using high impact polyurethane-based material
US6583638B2 (en) * 1999-01-26 2003-06-24 Trio-Tech International Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system
US6271676B1 (en) * 1999-03-02 2001-08-07 Tsk America, Inc. Spiral chuck
US6464795B1 (en) * 1999-05-21 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member for a processing chamber
US6187134B1 (en) 1999-07-09 2001-02-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Reusable wafer support for semiconductor processing
KR100351049B1 (ko) * 1999-07-26 2002-09-09 삼성전자 주식회사 웨이퍼 가열 방법 및 이를 적용한 장치
US6196532B1 (en) 1999-08-27 2001-03-06 Applied Materials, Inc. 3 point vacuum chuck with non-resilient support members
MY120869A (en) * 2000-01-26 2005-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment apparatus and method
WO2004011953A1 (en) * 2000-03-15 2004-02-05 Tsk America, Inc. Spiral chuck
US7037797B1 (en) * 2000-03-17 2006-05-02 Mattson Technology, Inc. Localized heating and cooling of substrates
US6444027B1 (en) * 2000-05-08 2002-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process
US20010035403A1 (en) 2000-05-18 2001-11-01 Albert Wang Method and structure for producing flat wafer chucks
US6700099B2 (en) 2000-07-10 2004-03-02 Temptronic Corporation Wafer chuck having thermal plate with interleaved heating and cooling elements, interchangeable top surface assemblies and hard coated layer surfaces
US6394440B1 (en) 2000-07-24 2002-05-28 Asm America, Inc. Dual orientation leveling platform for semiconductor apparatus
US6628503B2 (en) 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications
DE60106577T8 (de) * 2001-05-31 2006-04-27 Alcatel Abnehmbare Schirmvorrichtung für Plasmareaktoren
KR100411297B1 (ko) * 2002-01-17 2003-12-24 미래산업 주식회사 반도체 소자 테스트 핸들러의 소자 이송장치
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
DE10319379A1 (de) 2003-04-30 2004-11-25 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Transportieren eines flachen Substrats in einer Vakuumkammer
EP1719167B1 (en) * 2004-02-13 2011-10-26 ASM America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
EP1738251A2 (en) * 2004-04-16 2007-01-03 Cascade Basic Research Corp. Modelling relationships within an on-line connectivity universe
US7462246B2 (en) * 2005-04-15 2008-12-09 Memc Electronic Materials, Inc. Modified susceptor for barrel reactor
US7185412B2 (en) * 2005-05-02 2007-03-06 Precision Spherical Corp. Multi-axis, processor-controlled, toolhead positioner
US7429718B2 (en) * 2005-08-02 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Heating and cooling of substrate support
DE102007026348A1 (de) * 2007-06-06 2008-12-11 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor
US8092606B2 (en) * 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
US8336188B2 (en) * 2008-07-17 2012-12-25 Formfactor, Inc. Thin wafer chuck
JP2011035022A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Murata Machinery Ltd 天井搬送車
DE102009044276A1 (de) * 2009-10-16 2011-05-05 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit auf einem mehrere Zonen aufweisenden Gaspolster liegenden Substrathalter
US8519729B2 (en) * 2010-02-10 2013-08-27 Sunpower Corporation Chucks for supporting solar cell in hot spot testing
CN103293862B (zh) * 2012-02-22 2015-04-15 上海微电子装备有限公司 硅片边缘保护装置
CN103014650B (zh) * 2012-12-28 2014-12-03 无锡中微高科电子有限公司 蒸发台用的圆片放置夹具
CN105370357B (zh) * 2015-09-30 2018-09-18 河南飞龙(芜湖)汽车零部件有限公司 一种排气歧管夹持盘架
US10501844B2 (en) * 2016-07-25 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Fine leveling of large carousel based susceptor
US10468290B2 (en) 2016-11-02 2019-11-05 Ultratech, Inc. Wafer chuck apparatus with micro-channel regions
CN106586648B (zh) * 2017-02-08 2019-04-05 三明市普诺维机械有限公司 一种负压配气盘
CN107190245B (zh) * 2017-05-23 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 用于蒸镀装置的载板及其蒸镀装置
CN107499905A (zh) * 2017-09-25 2017-12-22 广州启盈机电设备有限公司 一种定位装置
CN108098623A (zh) * 2017-11-30 2018-06-01 江门市兆业科技有限公司 一种电子产品外壳加工夹持装置
AT521222B1 (de) * 2018-05-07 2020-04-15 Engel Austria Gmbh Vorrichtung zum Handhaben und lokalen Fixieren
CN108544365A (zh) * 2018-07-05 2018-09-18 潘真清 一种零件加工用夹紧装置
CN114619080A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 宁波聚士捷机械股份有限公司 一种高精度精密加工用数控雕铣机

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3717439A (en) * 1970-11-18 1973-02-20 Tokyo Shibaura Electric Co Vapour phase reaction apparatus
US4139051A (en) * 1976-09-07 1979-02-13 Rockwell International Corporation Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces
US4183545A (en) * 1978-07-28 1980-01-15 Advanced Simiconductor Materials/America Rotary vacuum-chuck using no rotary union
US4242038A (en) * 1979-06-29 1980-12-30 International Business Machines Corporation Wafer orienting apparatus
US4680061A (en) * 1979-12-21 1987-07-14 Varian Associates, Inc. Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4909314A (en) * 1979-12-21 1990-03-20 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4448404A (en) * 1980-11-18 1984-05-15 Nippon Kogaku K. K. Device for holding a sheet-like sample
US4512391A (en) * 1982-01-29 1985-04-23 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet
US4508161A (en) * 1982-05-25 1985-04-02 Varian Associates, Inc. Method for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer
JPS6060060A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 株式会社日立製作所 鉄道車両の扉開閉装置
US4603466A (en) * 1984-02-17 1986-08-05 Gca Corporation Wafer chuck
US4548699A (en) * 1984-05-17 1985-10-22 Varian Associates, Inc. Transfer plate rotation system
JPS60245778A (ja) * 1984-05-21 1985-12-05 Hitachi Ltd 薄膜形成装置
JPS61239624A (ja) * 1985-04-16 1986-10-24 Toshiba Mach Co Ltd ロ−デイング装置およびロ−デイング方法
DE3750734T2 (de) * 1986-04-04 1995-03-09 Materials Research Corp Verfahren und Vorrichtung zur Handhabung und Behandlung von scheibenartigen Materialien.
US4705951A (en) * 1986-04-17 1987-11-10 Varian Associates, Inc. Wafer processing system
EP0250064A2 (en) * 1986-06-20 1987-12-23 Varian Associates, Inc. Wafer processing chuck using multiple thin clamps
DE3633386A1 (de) * 1986-10-01 1988-04-14 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten im vakuum
US4721462A (en) * 1986-10-21 1988-01-26 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Active hold-down for heat treating
JPS6411320A (en) * 1987-07-06 1989-01-13 Toshiba Corp Photo-cvd device
US4816732A (en) * 1987-08-17 1989-03-28 Sgs Thomson Microelectronics, Inc. Robotic hand for transporting semiconductor wafer carriers
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US4949783A (en) * 1988-05-18 1990-08-21 Veeco Instruments, Inc. Substrate transport and cooling apparatus and method for same
US4944860A (en) * 1988-11-04 1990-07-31 Eaton Corporation Platen assembly for a vacuum processing system

Also Published As

Publication number Publication date
DD298435A5 (de) 1992-02-20
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DE3915039A1 (de) 1990-11-15
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US5033538A (en) 1991-07-23
DE3943478C2 (de) 1995-11-16
KR920701534A (ko) 1992-08-12
ATE85658T1 (de) 1993-02-15
EP0397029A3 (en) 1990-12-12
KR900017726A (ko) 1990-12-19

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