DE19833227A1 - Vorrichtung zum Anordnen von Scheiben aus Halbleitermaterial - Google Patents

Vorrichtung zum Anordnen von Scheiben aus Halbleitermaterial

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DE19833227A1
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Adolf Trenker
Per-Ove Hansson
Hannes Hecht
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Siltronic AG
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Wacker Siltronic AG
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Abstract

Vorrichtung zum Anordnen einer Scheibe aus Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung Mittel zum Heben und Senken einer Scheibe aus Halbleitermaterial an ihren Kanten sowie eine Halterung für die Scheibe aufweist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Anordnen von Schei­ ben aus Halbleitermaterial und ein Verfahren zum Anordnen von Scheiben aus Halbleitermaterial.
Scheiben aus Halbleitermaterial werden in einem Reaktor behan­ delt. Durch diese Behandlung wird eine Epitaxieschicht auf der Scheibe aus Halbleitermaterial aufgetragen. Dazu muß diese Scheibe auf einer Halterung, einem Suszeptor angeordnet werden. Dieser Suszeptor wird erwärmt, um die Epitaxieschicht aufzutra­ gen. Um die Scheibe aus Halbleitermaterial auf dem Suszeptor anzuordnen, wurden sie bisher auf Stifte gelegt, die aus dem mittleren Teil des Suszeptors herausragen. Diese Stifte werden dann abgesenkt, so daß die Scheibe in einer Vertiefung des Sus­ zeptors zum Liegen kommt und nach der Behandlung heben die Stifte die Scheibe aus Halbleitermaterial wieder an. Diese Stifte sind aus Graphit, SiC, Quarz.
Nachteilig am Stand der Technik ist, daß die Schichtdicke, die auf der Scheibe aus Halbleitermaterial abgeschieden wurde, un­ regelmäßig ist. Des weiteren werden vermehrt Partikel auf der Oberfläche erzeugt und es kommt zu Abdrücken der Stifte auf der Scheibenoberfläche. Die Scheibenoberfläche wird zusätzlich zer­ kratzt und die Scheibe aus Halbleitermaterial wird auf dem Sus­ zeptor nicht richtig zentriert.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfah­ ren zum Anordnen einer Scheibe aus Halbleitermaterial bereit zu­ stellen, die die Nachteile des Standes der Technik verbessert und insbesondere die Scheiben aus Halbleitermaterial nicht be­ schädigt.
Diese Aufgabe wird durch die Erfindung gelöst.
Ein Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung zum Anordnen einer Scheibe aus Halbleitermaterial, wobei die Vorrichtung Mittel zum Heben und Senken einer Scheibe aus Halbleitermateri­ al an ihren Kanten sowie eine vorzugsweise erwärmte Halterung für die Scheibe aufweist.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung dient dazu eine Scheibe aus Halbleitermaterial auf einer Halterung, dem sogenannten Suszep­ tor anzuordnen, damit sie mit einer Epitaxieschicht versehen werden kann. Dazu wird die Scheibe zuerst von beispielsweise einem Roboter auf die erfindungsgemäße Vorrichtung gelegt. Die­ se Vorrichtung hat die Aufgabe die Scheibe auf dem Suszeptor optimal zu zentrieren, ohne sie in irgendeiner Weise zu beschä­ digen. Dazu wird die Scheibe, nachdem sie auf die Vorrichtung gelegt worden ist, an ihren vorzugsweise angeschrägten oder ge­ rundeten Kanten von zumindest zwei, bevorzugt drei Mitteln zum Heben und Senken angegriffen und auf den Suszeptor abgesenkt und nach der Behandlung wieder angehoben und von der Vorrich­ tung entfernt. Die Mittel zum Heben und Senken der Scheibe kön­ nen von oben seitlich oder bevorzugt von unten seitlich an der Scheibe angreifen.
Fig. 1 zeigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung als Schnittan­ sicht.
Ein Wafer (1) wird auf zumindest zwei, bevorzugt drei oder vier, fünf sechs oder mehr Mittel zum Heben und Senken (3) je nach Bauart des Wafers gelegt, die den Wafer zur Behandlung auf den Suszeptor (2) absenken können oder ihn nach der Behandlung wieder anheben können. Die Mittel zum Heben und Senken (3) sind vorzugsweise stiftförmig und können kreisförmig oder rechteckig sein. Sie sollen vorzugsweise so gebaut sein, daß sie den Wafer an seinem angeschrägten Rand formschlüssig angreifen können. Des weiteren sollten die Mittel zum Heben und Senken (3) eine konisch formschlüssige Form mit ihrer Führung aufweisen, wenn sie den Wafer auf den Suszeptor vertikal abgesenkt haben, so daß möglichst kein Gas zwischen dem Mittel zum Heben und Senken (3) und ihrer Führung in den Raum unter dem Suszeptor entwei­ chen kann und den Hebemechanismus angreifen kann. Dies ist not­ wendig, da zum Beispiel zum Epitaxieren gasförmiges SiHCl3, SiH2Cl2, SiH4 verwendet wird. Die Mittel zum Heben und Senken (3) sind vorzugsweise aus Quarz, Kunststoff, Graphit, SiC, AlO2, bevorzugt mit SiC beschichtetem Graphit.
Der Durchmesser der Mittel zum Heben und Senken beträgt vor­ zugsweise 1 bis 30 mm, besonders bevorzugt 5 bis 10 mm.
Die Mittel zum Heben und Senken sind um eine runde oder recht­ eckige Halterung, den Suszeptor angeordnet, der aus Graphit, SiC, SiC beschichtetem Graphit, Si oder Quarz besteht und auf Temperaturen von vorzugsweise 20°C bis 1200°C, bevorzugt 600°C bis 1200°C erwärmt wird. Während sie nach innen um einen Suszeptor angeordnet sind, werden sie nach außen von einem Füh­ rungsring (5) begrenzt.
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum An­ ordnen von Scheiben aus Halbleitermaterial, wobei Mittel zum Heben und Senken die Scheibe aus Halbleitermaterial an ihren Kanten angreifen und auf einer vorzugsweise erwärmten Halterung anordnen.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine Scheibe aus Halb­ leitermaterial auf die Mittel zum Heben und Senken von vorzugs­ weise einem Roboter angeordnet, die die Scheibe aus Halbleiter­ material an ihren Kanten angreifen und vertikal auf einen vor­ zugsweise erwärmten oder nicht erwärmten Suszeptor absenken und nach Beendigung der Behandlung wieder anheben, wonach sie dann wieder von vorzugsweise einem Roboter entfernt wird.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Ver­ fahren ist die Behandlung von Wafern bei Ofenprozessen wie zum Beispiel der Epitaxie, RTP (Rapid Thermal Processing), CVD (Chemical Vapor Deposition), PECVD (Plasma Enhanced CVD) Ab­ scheiden von Schichten etc. geeignet.
Die Erfindung hat die Vorteile, daß der Wafer nur an der Kante berührt wird und auf dem Suszeptor optimal zentriert wird, da er nicht verrutschen kann. Des weiteren wird die Scheibenober­ fläche nicht beschädigt, insbesondere zerkratzt. Die Epitaxie­ schicht ist gleichmäßig und es entstehen, durch die zentrierte Auflage auf der Scheibenoberfläche, keine Temperaturschwankun­ gen.

Claims (5)

1. Vorrichtung zum Anordnen einer Scheibe aus Halbleitermateri­ al, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung Mittel zum He­ ben und Senken einer Scheibe aus Halbleitermaterial an ihren Kanten sowie eine Halterung für die Scheibe aufweist.
2. Vorrichtung zum Anordnen einer Scheibe aus Halbleitermateri­ al nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Heben und Senken der Scheibe stiftförmig ausgebildet sind.
3. Vorrichtung zum Anordnen einer Scheibe aus Halbleitermateri­ al nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mit­ tel zum Heben und Senken formschlüssig in ihrer Führung ange­ ordnet sind.
4. Vorrichtung zum Anordnen einer Scheibe aus Halbleitermateri­ al nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Mittel zum Heben und Senken, nachdem sie abgesenkt sind, in ihre Führung nach unten gasdicht sind.
5. Verfahren zum Anordnen von Scheiben aus Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß Scheiben aus Halbleitermaterial mit Mitteln zum Heben und Senken die Scheibe aus Halbleitermaterial an ihren Kanten angreifen und auf einer Halterung anordnen.
DE1998133227 1998-07-23 1998-07-23 Vorrichtung zum Anordnen von Scheiben aus Halbleitermaterial Ceased DE19833227A1 (de)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD256589A1 (de) * 1986-12-31 1988-05-11 Akad Wissenschaften Ddr Vorrichtung fuer beschickungseinrichtungen in trockenaetzanlagen
EP0396923A1 (de) * 1989-05-08 1990-11-14 Balzers Aktiengesellschaft Hubtisch und Transportverfahren

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD256589A1 (de) * 1986-12-31 1988-05-11 Akad Wissenschaften Ddr Vorrichtung fuer beschickungseinrichtungen in trockenaetzanlagen
EP0396923A1 (de) * 1989-05-08 1990-11-14 Balzers Aktiengesellschaft Hubtisch und Transportverfahren

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 6-97266 A. In: Patents Abstr. of Japan, Sect. E, Vol. 18 (1994), Nr. 359 (E-1574) *

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