DE19810632A1 - Thermoschnellverarbeitungssusceptor - Google Patents

Description

Gegenstand der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft die Thermoschnellverarbeitung von Halbleitersubstraten und insbesondere Plattformen zum Tragen bzw. Halten wenigstens eines Substrats und zum Übertragen und/oder Transportieren von Wärme zu dem jeweiligen Substrat.

Hintergrund der Erfindung und Stand der Technik

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen ist die Temperaturbehandlung des Halbleitersubstrats (des im folgenden als Wafer bezeichnet wird) ein notwendiger Verfahrensschritt. Die Thermoschnellverarbeitung wird während der Verarbeitung von Halbleiterbauelementen oft zum Ausglühen, Tempern bzw. Annealen (das im folgenden als Annealen bezeichnet wird) von Materialien, zum Aushärten bzw. Härten von Schichten und zum Aktivieren von Verbindungen oder Mischungen, um ein paar zu nennen, benutzt und in einem thermischen Schnellverfahrensgerät bzw. Schnellverarbeitungsgerät ausgeführt. Während die Erwärmung bzw. Erhitzung des Wafers effektiv ist, rufen die Abstrahlungsmuster des Heizelements des Geräts Temperaturunterschiede in dem Wafermaterial hervor. Temperaturunterschiede in dem Wafer verursachen beispielsweise Phasendifferenzen im Material, uneinheitliche Dotierungen und Spannungsgradienten, die nachteilig für das Herstellungsverfahren sind.

Die Temperaturunterschiede werden durch Vorsehen einer Vorrichtung bzw. eines Susceptors, die bzw. der den Wafer trägt, verringert. Im folgenden wird der einheitliche Begriff Susceptor benutzt, der sich von dem englischen Begriff Susceptor herleitet und diesen Begriff in seiner allgemeinsten und umfassendsten Art beinhaltet. Insbesondere ist ein Thermoschnellverarbeitungssusceptor eine Thermoschnellverarbeitungs­ vorrichtung, eine Thermoschnellbehandlungsvorrichtung, eine Wärme­ schnellverarbeitungsvorrichtung, eine Wärmeschnellbehandlungs­ vorrichtung, eine thermische Schnellbehandlungsvorrichtung, ein Sekundärzylinder, ein Thermoschnellverarbeitungs- bzw. -behandlungs­ sekundärzylinder, ein Thermoschnellverarbeitungswaferträger, ein Thermoschnellverarbeitungsboot und ein Thermoschnellverarbeitungs­ aufnehmer. Ein üblicher Susceptor ist insbesondere ein Behälter und/oder Aufnehmer, der einen ebenen und/oder planen Boden aufweist, über dem der Wafer plaziert wird. Ein Deckel wird benutzt, um die Konvektionsströme in der Nähe des Wafers zu reduzieren dergestalt, daß der Wafer durch Wärmeübertragung von dem Boden des Susceptors geheizt wird. Die Benutzung eines Susceptors minimiert die Temperaturunterschiede in dem Substrat. Wie auch immer ist bei sehr empfindlichen Materialien, da Temperaturunterschiede Temperatur-unterschiede von dem mechanischen Kontakt zwischen dem Susceptor und dem Wafer abhängen, ein kritischer Faktor die Sicherstellung eines guten mechanischen Kontakts, der unter Berücksichtigung der Ebenheit des Susceptors in einer gleichmäßigen Wärmeverteilung resultiert. Jede Unebenheit in dem Susceptor oder dem Wafer resultiert in einem ungleichmäßigen thermischen Kontakt und Temperaturunterschieden.

Es wäre also sehr vorteilhaft, dem Vorangehenden und anderen Nachteilen, die dem Stand der Technik anhaften, abzuhelfen.

Demgemäß ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung einen neuen verbesserten Thermoschnellverarbeitungssusceptor zur Verfügung zu stellen.

Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Thermoschnellverarbeitungssusceptor anzugeben, der die thermische Gleichmäßigkeit und Reproduzierbarkeit der Temperatur in Wafern verbessert. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Thermoschnellverarbeitungssusceptor anzugeben, der die thermischen Kontaktbereiche zwischen Susceptor und Wafer minimiert. Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Thermoschnellverarbeitungssusceptor anzugeben, der die rückwärtige Verunreinigung bzw. Kontamination und durchgehende Kontamination (cross contamination) von Wafern zu minimieren. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Thermoschnellverarbeitungssusceptor anzugeben, in dem die Dimensionen bzw. Abmessungen in bestimmten Anwendungen verändert werden können, um Oberflächen eines Wafers unterschiedlich zu erhitzen. Eine weitere erhitzen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Thermoschnell­ verarbeitungssusceptor anzugeben, der die Gasströmung innerhalb des Susceptors verbessert. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Thermoschnellverarbeitungssusceptor anzugeben, der mit einem automatischen Thermoschnellverarbeitungsgerät angewandt werden kann.

Zusammenfassung der Erfindung

Im kurzen ist, um die Aufgaben der vorliegenden Erfindung zu erfüllen und in Übereinstimmung mit einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung, ein Thermoschnellverarbeitungssusceptor angegeben, der eine Basis mit einer ebenen bzw. planaren Oberfläche und eine insbesondere aufrechte Seitenwand aufweist, die sich um eine Peripherie davon erstreckt und einen Arbeitsbereich der planaren Oberfläche umgibt. Der Arbeitsbereich und die Seitenwand definieren einen Hohlraum. Eine Pluralität von Minimalkontaktpunkten erstrecken sich von dem Arbeitsbe­ reich in den Hohlraum und sind derart positioniert, daß darauf ein Halbleiterwafer aufgenommen werden kann. Eine Abdeckung ist durch die Seitenwand aufnehmbar, um den Hohlraum einzuschließen, zu schließen und/oder zu umgeben.

In Übereinstimmung mit einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein Thermoschnellverarbeitungssusceptor zur Benutzung in einem automatischen Thermoschnellverarbeitungsgerät vorgesehen. Der Susceptor umfaßt eine Basis, die eine aufrechte Seitenwand aufweist, die sich um die Peripherie davon erstreckt und einen Hohlraum definiert. Eine Pluralität von Hebungsmechanismen, die die Öffnungen aufnehmen und/oder von Öffnungen aufnehmbar sind, sind durch die Basis gebildet, und ein Verschlußstück ist in dem Hohlraum positioniert und hat eine obere Oberfläche. Ein Einlageteil und/oder Einsatz, das bzw. der einen Ausschnitt und eine obere Oberfläche aufweist, ist zwischen einer gehobenen Position und einer tiefen bzw. gesenkten Position bewegbar. In der tiefen Position ist der Einsatz in dem Hohlraum positioniert, wobei das Verschlußstück in dem Ausschnitt aufgenommen ist und die obere Oberfläche des Verschlußstücks und die obere Oberfläche des Einsatzes eine planare Oberfläche innerhalb des Hohlraums darstellen. Eine Pluralität von Minimalkontaktpunkten erstrecken sich von der oberen Oberfläche des Einsatzes und sind derart positioniert, daß darauf ein Halbleiterwafer aufgenommen werden kann. Eine Abdeckung ist durch die Seitenwand zum Schließen des Hohlraums bzw. zum Einschließen und/oder Umgeben des Hohlraums aufnehmbar.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Die vorangegangenen und weiteren und insbesondere spezifischeren Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden für diejenigen Fachleute, die auf dem einschlägigen Gebiet tätig sind, aus den folgenden detaillierten Beschreibungen der bevorzugten Ausführungsbeispiele, die in Verbindung mit den Zeichnungen dargestellt werden, deutlicher, wobei:

Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Teil eines Susceptors gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt;

Fig. 2 eine Schnittansicht, die entlang der Linie 2-2 der Fig. 1 durchgeführt wurde, ist;

Fig. 3 und 4 eine Draufsicht und eine vergrößerte Seitenansicht einer Abdeckung der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung ist;

Fig. 5 eine Draufsicht auf einen Teil eines anderen Ausführungsbeispiels eines Susceptors in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 6 eine Schnittansicht ist, die entlang der Linie 6-6 der Fig. 5 genommen wurde;

Fig. 7 eine Draufsicht eines anderen Teils der Ausführungsform des Susceptors von Fig. 5 darstellt;

Fig. 8 eine vergrößerte Seitenansicht des Teils von Fig. 7 zeigt;

Fig. 9 eine Schnittansicht ist, die die Teile der Fig. 5 und 7 mit dem Teil der Fig. 7 in der unteren Position darstellt;

Fig. 10 und 11 Draufsichten und vergrößerte Seitenansichten einer Abdeckung für die Vorrichtung der Fig. 5 sind; und

Fig. 12 eine Schnittansicht der Ausführungsform von Fig. 5, die in der gehobenen Position dargestellt ist, zeigt.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele

Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen, in denen entsprechende Bezugsziffern korrespondierende Elemente in den verschiedenen Ansichten indizieren, wird zunächst die Aufmerksamkeit auf die Fig. 1 und 2 gerichtet. Die Fig. 1 und 2 stellen eine Basis 10 eines Thermoschnell­ verarbeitungssusceptors gemäß der vorliegenden Erfindung dar. Basis 10 umfaßt eine ebene bzw. planare Oberfläche 12 und eine aufrechte Seitenwand 13, die sich um eine Peripherie davon erstreckt und einen Arbeitsbereich 14 der planaren Oberfläche 12 umgibt. Der Arbeitsbereich 14 und die Seitenwand 13 definieren einen Hohlraum 15. In diesem Ausführungsbeispiel sind in der Seitenwand 13 eine Pluralität von Scheitelöffnungen und/oder Lüftungsöffnungen 16 gebildet, die im wesent­ lichen über die Peripherie der Basis 10 gleich beabstandet sind, um in bestimmten Anwendungen einen adäquaten Gasstrom und eine gleichmäßige Wärmeverteilung innerhalb des Hohlraums 15, wie klar sein sollte, zur Verfügung zu stellen.

Eine Pluralität von Minimalkontaktpunkten 20 erstrecken sich von dem Arbeitsbereich 14 in den Hohlraum 15. Die Minimalkontaktpunkte 20 sind derart angeordnet, daß diese einen Halbleiterwafer über der planaren Oberfläche 12 aufnehmen und tragen, wie grundsätzlich durch die gestrichelte Linie 21 in Fig. 2 dargestellt ist. Die Minimalkontaktpunkte 20 haben vorzugsweise eine Basis mit einem Querschnitt, der nicht größer als 0,025 Inches und eine Höhe von ungefähr 0,02 Inches und können Zylinder, Kegel und Vorsprünge sein. In diesem speziellen Ausführungsbeispiel sind die Minimalkontaktpunkte 20 45°-Kegel.

Unabhängig von der bestimmten Form bzw. Ausgestaltung der Kontaktpunkte 20 ist deren Funktion diejenige einen Wafer einen bestimmten Abstand von der planaren Oberfläche 12 zu tragen und zwar mit einem Minimum an mechanischem Kontakt dazwischen, um dadurch den thermischen Kontaktbereich zu minimieren. Durch Minimierung des mechanischen Kontakts zwischen dem Wafer und dem Susceptor wird Wärme gleichmäßig durch Strahlungstransfer übertragen anstelle von nicht gleichmäßigen Mustern aufgrund von Wärmeleitung. Durch Minimierung des Kontaktes zwischen dem Susceptor und dem Wafer ist die rückseitige Kontaminierung und die durchgehende Kontaminierung der Wafer reduziert. Außerdem wird die Oberflächenbehandlung von einigen Materialien durch Benutzung von Minimalkontaktpunkten 20 verbessert, da Schwarzkörperstrahlung oder Strahlungsheizung derart beeinflußt werden kann, daß der Wafer mehr von oben (Wafer-Vorderseite) als von unten (Wafer-Rückseite) geheizt wird und die Aktivierung von Dotierungen ver­ stärkt werden kann, während die Steuerung der Diffusion unterstützt wird.

Die Pluralität von Minimalkontaktpunkten 20 sind in einer Pluralität von Gruppen angeordnet, um eine Pluralität von Wafern aufzunehmen. Als ein Beispiel sind vier Gruppen 22 von drei Minimalkontaktpunkten 20 jeweils derart angeordnet, daß diese einen Kreis 23 mit einem Durchmesser von 0,75 Inches darstellen, um gleichzeitig vier Wafer mit einem Durchmesser von einem Inch (one inch Wafers) aufzunehmen. Diese Anordnung sieht auch eine einfache Gruppe 25 von Minimalkontaktpunkten 20 vor, die konzentrisch zu einem Zentrum des Arbeitsbereichs 14 liegen. Die einfache Gruppe 25 ist derart angeordnet, daß diese einen Kreis 26 mit einem Durchmesser von 2,70 Inches definiert, um einen 3-Inch-Wafer aufzunehmen. Außerdem sieht diese Anordnung eine weitere einfache Gruppe 28 von Minimalkontaktpunkten 20 vor, die konzentrisch zu einem Zentrum des Arbeitsbereichs 14 angeordnet sind. Die Einfachgruppe 28 ist derart angeordnet, daß diese einen Kreis 29 mit einem Durchmesser von 3,50 Inches aufweist, um einen 4-Inch-Wafer oder einen noch größeren Wafer aufzunehmen. Es sollte verstanden werden, daß diese Anordnung lediglich Beispielszwecken dient und daß auch andere Anordnungen verwandt werden können.

Eine Abdeckung (cover) 30, wie in Fig. 3 und 4 dargestellt, ist durch die Seitenwände 13 aufnehmbar, um den Hohlraum 15 zu schließen, einzuschließen und/oder zu umgeben. Die Abdeckung 30 ist derart ausgebildet, daß diese mit der Seitenwand 13 der Basis 10 ineinanderpaßt bzw. eingreift und mit der Basis 10 derart zusammenarbeitet, daß eine gleichmäßige Erwärmung des Hohlraums 15 ermöglicht wird. Die Höhe der Minimalkontaktpunkte 20 ist derart ausgewählt, daß diese einen Wafer in einem festgelegten Abstand über der Arbeitsoberfläche 14 tragen können und um die Raumlücke zur Abdeckung 30 zu kontrollieren.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 5 und 6 wird eine Basis 40 eines anderen Ausführungsbeispiels eines Susceptors zur Benutzung in einem automatischen Thermoschnellverarbeitungsgerät gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Basis 40 umfaßt eine aufrechte Seitenwand 42, die sich um die Peripherie davon erstreckt und einen Hohlraum 43 festlegt. In diesem Ausführungsbeispiel ist eine Pluralität von Lüftungsöffnungen 46 in der Seitenwand 42 ausgebildet, die im wesentlichen gleich beabstandet um die Peripherie der Basis 40 angeordnet sind, um einen angemessenen Gasstrom in bestimmten Anwendungen und eine gleichmäßige Wärmeverteilung innerhalb des Hohlraums 43, wie verstanden werden wird, zur Verfügung zu stellen.

Eine Pluralität von Hebemechanismen, die Öffnungen aufnehmen und/oder durch Öffnungen aufnehmbar sind, sind durch die Basis 40 gebildet. Eine erste Gruppe 47 eines Hebemechanismus, der Öffnungen aufnimmt und/oder durch Öffnungen aufnehmbar ist, wird durch die Basis 40 in Bezug auf den Hohlraum 43 zum Eingriff mit einem Einsatz gebildet, der nun erläutert werden wird, und eine zweite Gruppe 48 eines Hebemechanismus, der Öffnungen aufnimmt und/oder durch Öffnungen aufnehmbar ist, wird durch Basis 40 gebildet und erstreckt sich durch die Seitenwand 42 zur Verbindung mit einer Abdeckung, wie nun beschrieben wird. Ein Verschlußstück 50, das eine Oberfläche 52 aufweist, ist an der Oberfläche der Basis 40 im Hohlraum 43 angeordnet. Es soll verstanden werden, daß das Verschlußstück 50 integral mit der Basis 40 ausgebildet sein kann oder aber separat ausgebildet ist und an die Basis 40 fixiert bzw. angebracht werden kann. Das Verschlußstück 50 erstreckt sich vom Rand bzw. Umfang der Basis 40 etwas über das Zentrum zu Zwecken, die nun beschrieben werden.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 7 und 8 wird ein Einsatz 60 bzw. Einsatzteil 60 mit einem Ausschnitt 62 und einer oberen Oberfläche 63 dargestellt. Eine Pluralität von Minimalkontaktpunkten 65 erstrecken sich von der Oberfläche 63 zu dem Einsatz 60. Die Minimalkontaktpunkte 65 sind derart angeordnet, daß diese einen Halbleiterwafer über der Oberfläche 63 aufnehmen und tragen können, wie grundsätzlich durch die gestrichelte Linie 66 in Fig. 8 dargestellt ist. Die Minimalkontaktpunkte 65 haben bevorzugterweise eine Basis mit einem Querschnitt von nicht mehr als 0,025 Inches und eine Höhe von ungefähr 0,020 Inches und können Zylinder, Kegel oder Erhebungen sein. In diesem speziellen Ausführungsbeispiel sind die Minimalkontaktpunkte 65 45°-Kegel. Unabhängig von der besonderen Form der Kontaktpunkte 65 ist deren Funktion diejenige, Wafer einen festen Abstand von der Oberfläche 63 zu tragen, wobei dazwischen ein Minimum eines mechanischen Kontaktes herrscht, wodurch der thermische Kontaktbereich minimiert wird. Durch Minimierung des mechanischen Kontakts zwischen dem Wafer und dem Susceptor wird Wärme gleichmäßig durch Strahlungstransfer anstelle von ungleichmäßigen Mustern einer Wärmeleitung übertragen.

Unter zusätzlicher Bezugnahme auf Fig. 9 ist der Einsatz 60 zwischen einer gesenkten Position, wie dargestellt, und einer gehobenen Position bewegbar. In der gesenkten Position ist der Einsatz 60 in dem Hohlraum 43 derart angeordnet, daß das Verschlußstück 50 in dem Ausschnitt 62 aufgenommen ist. Die obere Oberfläche 52 des Verschlußstücks 50 und die obere Oberfläche 63 des Einsatzes 60 stellen eine ebene Oberfläche 68 innerhalb des Hohlraums 43 dar. Das Verschlußstück 50 hat abgeschrägte und/oder angekehlte Seiten, um deren Ineinandergreifen bzw. Zusammenpassen mit dem Ausschnitt 62 zu erleichtern.

Eine Abdeckung 70, wie in den Fig. 10 und 11 dargestellt, ist durch Seitenwand 42 aufnehmbar, um den Hohlraum 43 zu schließen bzw. einzuschließen. Die Abdeckung 70 ist derart ausgebildet, um mit der Seitenwand 42 der Basis 40 zusammenzupassen und/oder ineinan­ derzugreifen und arbeitet mit der Basis 40 derart zusammen, daß eine gleichmäßige Erhitzung des Hohlraums 43 ermöglicht wird. Die Höhe der Minimalkontaktpunkte 65 ist derart ausgewählt, daß diese einen Wafer in einem festen Abstand oberhalb der ebenen Oberfläche 68 tragen und um die Raumlücke zur Abdeckung 70 zu kontrollieren und/oder einzustellen.

In Fig. 12 ist ein Susceptor 75 dargestellt, der eine Basis 40, einen Einsatz 60 und eine Abdeckung 70, wie vorher beschrieben, umfaßt wobei der Susceptor 75 in der gehobenen Position dargestellt ist und durch einen Hebemechanismus 76 transportiert und/oder getragen wird. Der Hebemechanismus umfaßt eine erste Pluralität von Hebestiften 78 und eine zweite Pluralität von Hebestiften 79. Die Stifte 78 und 79 sind durch den Hebemechanismus aufnehmbar, der durch Öffnungen 47 und 48 jeweils aufgenommen wird. Die Stifte 79 sind länger als die Stifte 78 und heben die Abdeckung 70 um einen ausreichenden Abstand, um es den Stiften 78 zu ermöglichen, den Einsatz 60 in die gehobene Position zu bewegen. In der gehobenen Position ist der Ausschnitt 62 aus dem Eingriff mit dem Verschlußstück 50 entfernt. Ausschnitt 62 ermöglicht das Einfügen eines automatischen Eingriffsgeräts unterhalb eines Wafers 80. Die Positionierung des Geräts ermöglicht die automatische Einbringung und Entfernung des Wafers 80 auf die Minimalkontaktpunkte 65. Die Stifte 78 und 79 können dann zurückgezogen werden, um den Einsatz 60 und die Abdeckung 70 für die Thermoschnellverarbeitung zu erniedrigen.

Demgemäß wurde ein Thermoschnellverarbeitungssusceptor offenbart, der die Wärmegleichmäßigkeit und Reproduzierbarkeit der Temperatur in Wafern während der Thermobehandlung durch Minimierung der thermischen Kontaktbereiche zwischen Susceptor und Wafer verbessert. Durch Minimierung des mechanischen Kontakts zwischen dem Wafer und dem Susceptor wird Hitze gleichmäßig durch Strahlungstransfer übertragen anstelle von ungleichmäßigen Mustern aufgrund der Wärmeleitung. Durch Minimierung der Kontakte zwischen dem Susceptor und dem Wafer wird die rückseitige Kontaminierung und die durchgehende Kontaminierung des Wafers reduziert. Außerdem wird durch Benutzung von Minimalkontaktpunkten 20 die Oberflächenbehandlung von einigen Materialien verbessert, da die Schwarzkörperstrahlung oder die Strahlungsheizung derart manipuliert werden kann, daß der Wafer mehr von oben (Wafer-Oberseite) als von unten (Wafer-Unterseite) erhitzt werden kann und zudem die Aktivierung von Dotierstoffen erhöht, während die Steuerung der Diffusion unterstützt wird. Außerdem wird der Gasstrom innerhalb des Thermoschnellverarbeitungssusceptors verbessert und ein bestimmtes Ausführungsbeispiel des Thermoschnellverarbeitungssu­ sceptors kann in einem automatischen Thermoschnellverarbeitungsgerät verwandt werden.

Während bestimmte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung dargestellt und beschrieben wurden, sind weitere Modifikationen und Verbesserungen für einen auf den einschlägigen Gebiet tätigen Fachmann ohne weiteres klar. Es ist gewünscht, daß aus diesem Grunde diese Erfindung nicht auf die bestimmten Ausführungsbeispiele, die gezeigt wurden, beschränkt ist und es ist beabsichtigt, daß die beigefügten Ansprüche alle Modifikationen, die nicht über den Geist und Geltungsbereich dieser Erfindung reichen, umfassen.

Claims (10)

1. Thermoschnellverarbeitungssusceptor gekennzeichnet durch:
eine Basis (10), die eine ebene Oberfläche (12) aufweist und eine aufrechte Seitenwand (13), die sich um die Peripherie davon erstreckt und einen Arbeitsbereich (14) der ebenen Oberfläche (12) umgibt, wobei der Arbeitsbereich (14) und die Seitenwand (13) einen Hohlraum (15) bestimmen;
eine Pluralität von Minimalkontaktpunkten (20), die sich von dem Arbeitsbereich (14) in den Hohlraum (15) erstrecken und derart angeordnet sind, daß diese darauf ein Halbleiterwafer (21) aufnehmbar ist; und
eine Abdeckung (30), die durch die Seitenwand (13) zum Verschließen und/oder Umschließen des Hohlraums (15) aufnehmbar ist.

2. Thermoschnellverarbeitungssusceptor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Minimalkontaktpunkte (20) eine Basis mit einem Querschnitt von nicht mehr als 0,025 Inches aufweist.

3. Thermoschnellverarbeitungssusceptor gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Minimalkontaktpunkte (20) Zylinder, Kegel, Ausbuchtungen und/oder Erhebungen sind.

4. Thermoschnellverarbeitungssusceptor gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Minimalkontaktpunkte (20) 45°-Kegel sind.

5. Thermoschnellverarbeitungssusceptor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Minimalkontaktpunkte (20) in einer Pluralität von Gruppen (22, 25, 28) positioniert sind, die derart angeordnet sind, daß eine Pluralität von Wafergrößen (23, 26, 29) aufnehmbar ist.

6. Thermoschnellverarbeitungssusceptor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Minimalkontaktpunkte (20) in einer Pluralität von Gruppen (22, 25, 28) positioniert sind und derart angeordnet sind, daß es ermöglicht ist, eine Pluralität von Wafer von verschiedenen Querschnitten (23, 26, 29) aufzunehmen.

7. Thermoschnellverarbeitungssusceptor gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Pluralität von Gruppen (22, 25, 28) ein Minimum von drei Minimalkontaktpunkten (20) umfaßt.

8. Thermoschnellverarbeitungssusceptor gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Minimalkontaktpunkte (20) in konzentrischen Kreisen (26, 29) um ein Zentrum des Arbeitsbereichs (14) angeordnet sind.

9. Thermoschnellverarbeitungssusceptor zur Benutzung in einem automatischen Thermoschnellverarbeitungsgerät, wobei der Susceptor gekennzeichnet ist durch:
eine Basis (40), die eine aufrechte Seitenwand (42), die sich um die Peripherie davon erstreckt und einen Hohlraum (43) definiert, eine Pluralität von Hebemechanismus oder Hebemechanismen aufnehmenden Öffnungen (47), die durch die Basis (40) gebildet sind, und ein Verschlußstück (50), das in dem Hohlraum (43) angeordnet ist und eine obere Oberfläche (52) aufweist, umfaßt;
ein Einsatz (60), der einen Ausschnitt (62) und eine obere Oberfläche (63) aufweist, wobei der Einsatz (60) zwischen einer angehobenen Position und einer abgesenkten Position bewegbar ist, wobei in der abgesenkten Position der Einsatz (60) in dem Hohlraum (43) derart angeordnet ist, daß das Verschlußstück (50) in dem Ausschnitt (62) aufgenommen ist, wobei die obere Oberfläche (52) des Verschlußstücks (50) und die obere Oberfläche (63) des Einsatzes (60) eine planare Oberfläche in dem Hohlraum (43) definieren;
eine Pluralität von Minimalkontaktpunkten (65), die sich von der oberen Oberfläche (63) des Einsatzes (60) erstrecken und derart angeordnet sind, daß darauf ein Halbleiterwafer (66) aufnehmbar ist; und
eine Abdeckung (70), die durch die Seitenwand (42) aufnehmbar ist, um den Hohlraum (43) zu schließen und/oder einzuschließen.

10. Thermoschnellverarbeitungssusceptor zur Benutzung in einem automatischen Thermoschnellverarbeitungsgerät nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Gruppe der Hebemechanismus aufnehmenden Öffnungen (47) durch die Basis (40) in Verbindung und/oder Kommunikation mit dem Hohlraum (43) gebildet sind, um mit dem Einsatz (60) in Eingriff zu stehen und/oder zu kommunizieren und daß eine zweite Gruppe der Hebemechanismus aufnehmenden Öffnungen durch die Basis gebildet sind und sich durch die Seitenwand zur Kommunikation bzw. zum Eingriff mit der Abdeckung erstrecken, und daß ein Hebemechanismus (76, 78, 79) in Bezug, in Kommunikation und/oder im Eingriff mit dem und/oder den Hebemechanismus und/oder Hebemechanismen aufnehmenden Öffnungen steht, um den Einsatz (60) und die Abdeckung (70) zwischen der angehobenen Position und der abgesenkten Position zu bewegen.