-
Die Erfindung betrifft eine Wafer-Haltevorrichtung
für einen
Silizium-Wafer gemäß dem Obergriff
des Anspruchs 1, die für
eine Wärmebehandlung von
Silizium-Wafern geeignet ist, und insbesondere geeignet isf für eine Hochtemperatur-Glühbehandlung
bei der Herstellung eines SIMOX-Wafers
(Wafer mit Trennung durch implantierten Sauerstoff).
-
Bisher war eine Wafer-Haltevorrichtung
bekannt, welche eine Mehrzahl von parallel vorgesehenen Tragsäulen und
an den Tragsäulen
befestigte Wafer-Trageplatten beinhaltet, wobei ein vertiefter ausgesparter
Abschnitt in jeder der Wafer-Trageplatten ausgebildet ist, bei welchem
ein Silizium-Wafer eingesetzt wird (offengelegte japanische Patentanmeldung
Nr. HEI-5-114645 (114645/1993)). In dieser Vorrichtung bestehen
die Wafer-Trageplatten aus hochschmelzenden keramischen Materialien,
wie etwa SiC-Sinterkörpern.
-
In der auf diese Weise aufgebauten
Wafer-Haltevorrichtung werden Wafer auf den an den Säulen angebrachten
Wafer-Trageplatten plaziert und in einen elektrischen Ofen eingebracht,
so daß die
Kontaktfläche
zwischen den Wafer-Trageplatten und den Wafern vergrößert wird.
Demzufolge wird die Belastung nicht auf eine Teilfläche eines
jeden Wafers konzentriert, wodurch eine plastische Deformation von
Wafern bei der Wärmebehandlung
vermieden wird.
-
Weiter ermöglicht die Ausbildung des vertieften
ausgesparten Abschnitts in jeder Wafer-Trageplatte eine Verminderung
des Gesamtgewichts der Vorrichtung und erlaubt, die Silizium-Wafer,
etwa durch Einklemmen der Wafer mittels einer Pinzette, in den elektrischen
Ofen hinein und aus diesem heraus zu bewegen.
-
Jedoch bewirkt die Ausbildung des
vertieften ausgesparten Abschnitts in den Wafer-Trageplatten in der Wafer-Haltevorrichtung,
die in der oben erwähnten
offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. HEI-5-114645 (114645/1993)
offenbart ist, daß die
Trageplatten bezüglich
ihrer eigenen Mittelpunkte jeweils nicht mehr punktsymmetrisch sind,
so daß sich
möglicherweise
der Wafer (richtig: die Wafer-Trageplatte)
bei der Herstellung der Trageplatte am vertieften ausgesparten Abschnitt
verzieht. Ebenso besteht die Möglichkeit,
daß der
Silizium-Wafer mit den Kanten des vertieften ausgesparten Abschnitts
in Kontakt kommt, wenn der Silizium-Wafer auf der Wafer-Trageplatte
plaziert ist, wodurch in den Kristallen des Wafers als "Abgleitungen" bezeichnete Kristalldefekte
verursacht werden, etwa bedingt durch thermische Spannungen bei
der Wärmebehandlung.
-
Um dieses Problem zu überwinden,
wurde eine für
einen vertikalen Halbleiter-Diffusionsofen dienende
Aufspannvorrichtung offenbart, welche aus Siliziumcarbid-Material bestehende
ringförmige
Wafer-Tragekörper
beinhaltet, die an zwischen einer oberen Platte und einer unteren
Platte vorgesehenen Säulen
montiert ist (offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. HEI-6-163440
(163440/1994)). Diese Aufspannvorrichtung dient dazu, mittels der
Wafer-Tragekörper
die Umfangsabschnitte von Wafern jeweils in horizontaler Richtung
zu unterstützen.
-
In der auf diese Weise aufgebauten
für einen vertikalen
Halbleiter-Diffusionsofen dienenden Aufspannvorrichtung sind die
Wafer-Tragekörper
relativ zum Außenumfang
der Wafer einheitlich angeordnet und die Fläche der Wafer-Tragekörper ist
ver größert, wodurch
ermöglicht
wird, daß der
auf die Wafer-Tragekörper
einwirkende spezifische Flächendruck
vermindert wird und die auf diese einwirkende Belastung verteilt
wird. Demzufolge wird es möglich,
das Auftreten von Abgleitungen in Wafern zu vermeiden.
-
Jedoch ist es bei der herkömmlichen
für einen
vertikalen Halbleiter-Diffusionsofen
dienenden Aufspannvorrichtung, welche in der offengelegten japanischen
Patentanmeldung Nr. HEI-6-163440 (163440/1994) offenbart ist, schwierig,
Wafer an ihrem Außenumfang
gleichmäßig zu haltern,
bedingt durch den Einfluß von
an den Außenumfangsabschnitten
von Wafern befindlichen, von der Oberfläche herabhängenden Tropfen, wenn der Außenumfang
der Wafer mit den Wafer-Tragekörpern
in Kontakt ist, was möglicherweise
zum Auftreten von Abgleitungen in Wafern führt.
-
Andererseits wurde zur Überwindung
dieses Problems eine Wafer-Tragevorrichtung
offenbart, bei der ein ringförmiges
Wafer-Trageelement einen sich nach oben erstreckenden ringförmigen Vorsprung aufweist,
der an einer Position vorgesehen ist, bei der das ringförmige Wafer-Trageelement
einen Teil im Inneren einer Außenumfangskante
des zu verarbeitenden Wafers trägt
(offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. HEI-10-050626 (050626/1998)
und US-Patent Nr.
5,820,367).
-
Jedoch ist es in den beiden in der
offengelegten japanischen Patenanmeldung Nr. HEI-10-050626 (050626/1998)
und dem US-Patent Nr. 5,820,367 offenbarten herkömmlichen Wafer-Tragevorrichtungen unmöglich, jeweilige
Wafer unterschiedlichen Durchmessers mittels des gleichen Haltevorrichtungskörpers sicher
ohne Verschieben aus einer entsprechenden vorbestimmten Position
festzuhalten.
-
Es ist daher ein erstes Ziel der
Erfindung, eine Wafer-Haltevorrichtung bereitzustellen, welche in
der Lage ist, das Auftreten von Abgleitungen in Wafern einzuschränken, indem
das Verziehen eines Haltevorrichtungskörpers bei der Herstellung des Haltevorrichtungskörpers verhindert
wird.
-
Es ist ein zweites Ziel der Erfindung,
eine Wafer-Haltevorrichtung bereitzustellen, die das Auftreten von
Abgleitungen in Wafern einschränken kann,
dadurch, daß der
Kontakt eines Außenumfangsabschnitts
eines Wafers mit dem Haltevorrichtungskörper verhindert wird.
-
Es ist ein drittes Ziel der Erfindung,
eine Wafer-Haltevorrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist,
Wafer unterschiedlichen Durchmessers sicher zu haltern, ohne daß sie aus
passenden vorbestimmten Positionen verschoben werden, und zwar mittels ebendieses
Haltevorrichtungskörpers.
-
Es ist ein viertes Ziel der Erfindung,
eine Wafer-Haltevorrichtung bereitzustellen, mit welcher Arbeitsgänge zum
Einlegen des Wafers in den Haltevorrichtungskörper und zum Entladen des Wafers aus
diesem problemlos durchgeführt
werden können.
-
OFFENBARUNG
DER ERFINDUNG
-
Wie in den 1, 3 und 5 gezeigt, handelt es sich
bei der Erfindung gemäß Anspruch
1 um eine Verbesserung einer Wafer-Haltevorrichtung, welche einen
Haltevorrichtungskörper 23 aufweist, der
einen Wafer 22 oder 27 trägt, wobei der Haltevorrichtungskörper 23 geeignet,
in eine Mehrzahl von zur Aufnahme einer Haltevorrichtung dienenden
konkaven Aussparungen 14, welche an in einem Wärmebehandlungsofen 10 untergebrachten
Trägern 12 ausgebildet
sind, eingesetzt zu werden, derart, daß der Haltevorrichtungskörper 23 horizontal
gehaltert wird.
-
Die Wafer-Haltevorrichtung ist dadurch
gekennzeichnet, daß:
der Haltevorrichtungskörper 23 scheibenförmig und
frei von vertieften ausgesparten Abschnitten ausgebildet ist; der
Haltevorrichtungskörper 23 an
seinem Außenumfang
mit einem nach oben vorstehendem konvexen Ring 26 ausgebildet ist;
der Haltevorrichtungskörper 23 innerhalb
des konvexen Rings 26 mit einer Mehrzahl von sich nach oben
erstreckenden ringartigen Vorsprüngen 24a und 24b unterschiedlicher
Durchmesser ausgebildet ist, die sich in Umfangsrichtung des Haltevorrichtungskörpers 23 um
die Achse des Haltevorrichtungskörpers 23 herum
erstrecken; alle von dieser Mehrzahl von Vorsprüngen 24a und 24b niedriger
als der konvexe Ring 26 ausgebildet sind und vom am weitesten
außen
liegenden Vorsprung 24a zu den inneren hin fortlaufend
niedriger werden, und dabei der am weitesten au ßen liegende Vorsprung 24a der höchste von
diesen ist; die Wafer-Haltevorrichtung derart
aufgebaut ist, daß der
Wafer 22 oder 27 mit der Oberseite eines der Mehrzahl
von Vorsprüngen 24a und 24b in
Kontakt kommen und auf dem Haltevorrichtungskörper 23 plaziert werden
soll; und die Wafer-Haltevorrichtung
derart aufgebaut ist, daß der
Außendurchmesser
eines der Mehrzahl von Vorsprüngen 24a und 24b in
einem Bereich von 0,5D bis 0,98D liegt, wobei D der Durchmesser
des Wafers 22 oder 27 ist, und derart, daß verhindert
wird, daß der Außenumfang
des Wafers 22 oder 27 mit den Vorsprüngen 24a oder 24b in
Kontakt kommt.
-
Gemäß der in Anspruch 1 angeführten Wafer-Haltevorrichtung
ist der Haltevorrichtungskörper 23 scheibenförmig und
frei von vertieften ausgesparten Abschnitten ausgebildet, d. h.
der Haltevorrichtungskörper 23 ist
punktsymmetrisch bezüglich
der Achse des Haltevorrichtungskörpers 23 ausgebildet, so
daß sich
der Haltevorrichtungskörper 23 sogar
bei seiner Herstellung nicht verzieht. Demzufolge ist jeder Wafer 22 oder 27 gleichmäßig in Kontakt
mit der Oberseite des Vorsprungs 24a oder 24b,
derart, daß im
wesentlichen keine inneren Spannungen im Wafer 22 oder 27 hervorgerufen
werden. Weiter ist der Außenumfang
des Wafers 22 oder 27 nicht in Kontakt mit dem
Haltevorrichtungskörper 23,
und es ist möglich,
den Wafer 22 oder 27 gleichmäßig zu haltern, und zwar ohne
Beeinträchtigung
durch von der Oberfläche
des Außenumfangsabschnitts
des Wafers 22 oder 27 herabhängende Tropfen, so daß im Wafer 22 oder 27 keine
Abgleitungen verursacht werden.
-
Es sei hier angemerkt, daß in der
vorliegenden Beschreibung der Begriff "vertiefter ausgesparter Abschnitt" eine Kerbe oder
eine Aussparung bezeichnet, welche bis in die Nähe des Mittelpunktes des Haltevorrichtungskörpers reicht,
und daß ein
solcher Begriff niemals solche Aussparungen einschließt, die
mit geringer Tiefe am Außenumfang
des Haltevorrichtungskörpers
ausgebildet sind. Mit anderen Worten schließt der obenstehend verwendete Begriff "vertiefter ausgesparter
Abschnitt", wie
in der vorliegenden Beschreibung verwendet, niemals solche Aussparungen
ein, welche in einem solchen Ausmaß klein sind, daß sie kein
Verziehen des Haltevorrichtungskörpers
bei dessen Fertigung bewirken.
-
Gemäß der Wafer-Haltevorrichtung
wie angeführt
in Anspruch 1 kommt ebenfalls, wenn der Wafer 22 von größerem Durchmesser
auf dem Haltevorrichtungskörper 23 plaziert
wird, dieser Wafer 22 in Kontakt mit der Oberseite des
am weitesten außen liegenden
Vorsprungs 24a, und die horizontale Verschiebung der Außenumfangsfläche des
Wafers 22 wird durch die Innenumfangsfläche des konvexen Rings 26 blockiert.
Unterdessen kommt, wenn der Wafer 27 von kleinerem Durchmesser
auf dem Haltevorrichtungskörper 23 plaziert
wird, dieser Wafer 27 mit der Oberseite des inneren Vorsprungs 27b in Kontakt,
und die horizontale Verschiebung der Außenumfangsfläche des
Wafers 27 wird durch die Innenumfangsfläche des am weitesten außen liegenden
Vorsprungs 24a blockiert. Demzufolge ist es möglich, jeden
Wafer 22 und 27 unterschiedlichen Durchmessers
auf dem gleichen Haltevorrichtungskörper 23 zu haltern,
und zwar ohne von einer jeweiligen vorbestimmten Position abzuweichen.
-
Die Erfindung nach Anspruch 2, wie
dargestellt in 1, ist
die Erfindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine jede
Oberseite der Vorsprünge 24a und 24b geschlichtet
ist.
-
Gemäß der Wafer-Haltevorrichtung
nach Anspruch 2 wurden, da eine jede Oberseite der Vorsprünge 24a und 24b geschlichtet
wurde, solche Erhebungen, die auf einer jeden Oberseite der Vorsprünge 24a und 24b,
etwa bedingt durch Kornwachstum bei einer CVD-Behandlung verursacht wurden,
entfernt, so daß eine
jede Oberseite der Vorsprünge 24a und 24b geglättet wird.
Demzufolge bewirkt das Plazieren des Wafers 22 oder 27 auf
dem Vorsprung 24a oder 24b, daß der Wafer 22 oder 27 gleichmäßig in Kontakt
mit der Oberseite des Vorsprungs 24a oder 24b ist,
derart, daß im
Wesentlichen keine inneren Spannungen im Wafer 22 oder 27 bewirkt
werden, d. h. derart, daß der
spezifische Flächendruck
des Wafers 22 oder 27 verringert und die Belastung
des Wafers 22 oder 27 verteilt wird, so daß keine
Abgleitungen im Wafer 22 oder 27 hervorgerufen
werden.
-
Die Erfindung nach Anspruch 3,
wie dargestellt in 1,
entspricht der Erfindung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der
Umfang einer jeden Oberseite der Vorsprünge 24a und 24b mit
einer Fase versehen ist.
-
Gemäß der Wafer-Haltevorrichtung
wie angeführt
in Anspruch 3 werden, auch wenn beim Schlichten derartiger Umfänge diese
Umfänge
einer jeden Oberseite der Vorsprünge 24a und 24b zu scharfen
Kanten werden, diese scharfen Kanten entfernt, indem die Umfänge einer
jeden Oberseite der Vorsprünge 24a und 24b nach
dem Schlichten einer jeden Oberseite der Vorsprünge 24a und 24b mit
einer Fase versehen werden. Demzufolge werden keine durch die Umfänge der
Oberseite des Vorsprungs 24a oder 24b bedingten
Abgleitungen im Wafer 22 oder 27 verursacht, sogar
wenn der Wafer 22 oder 27 auf dem Vorsprung 24a oder 24b plaziert
ist.
-
Die Erfindung nach Anspruch 4, wie
dargestellt in 4, ist
die Erfindung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der Haltevorrichtungskörper 23 in
seinem Zentrum mit einem Durchgangsloch 23a ausgebildet
ist, durch welches ein Tauchkolben 28 eingeführt werden
kann, der dafür
sorgt, daß der
Wafer 22 auf dem Haltevorrichtungskörper 23 plaziert und
von diesem entfernt wird.
-
Gemäß der Wafer-Haltevorrichtung
wie angeführt
in Anspruch 4 bewirkt das lose Einsetzen des Tauchkolbens 28 in
das Durchgangsloch 23a des Haltevorrichtungskörpers 23 von
der Unterseite des Durchgangslochs 23a her, um dadurch
den Wafer 22 auf der Oberseite des Tauchkolbens 28 zu
plazieren, und das Absenken des Tauchkolbens 28 in diesem Zustand,
daß der
Wafer 22 auf dem Haltevorrichtungskörper 23 plaziert wird
und sich der Tauchkolben 28 vom Wafer 22 entfernt.
Umgekehrt zu dieser Operation bewirkt das Einführen des Tauchkolbens 28 in
das Durchgangsloch 23a des Haltevorrichtungskörpers 23,
welcher den Wafer 22 trägt,
und zwar von der Unterseite des Durchgangslochs 23a her,
daß der
Wafer 22 sich vom Haltevorrichtungskörper 23 entfernt und
auf der Oberseite des Tauchkolbens 28 plaziert wird. Auf
diese Weise können
relativ problemlos die Operationen zum Einsetzen des Wafers 22 auf
den Haltevorrichtungskörper 23 und
das Entfernen des Wafers 22 von diesem durchgeführt werden.
Im Falle des in 5 gezeigten
Haltevorrichtungskörpers 23 können relativ
problemlos in gleicher Weise die Operationen zum Einsetzen des Wafers 27 auf
dem Haltevorrichtungskörper 23 und das
Entfernen des Wafers 27 von diesem durchgeführt werden.
-
Die Erfindung nach Anspruch 5, wie
dargestellt in 6 und 7, entspricht der Erfindung
nach einem der Ansprüche
1 bis 3 und ist dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe H des Vorsprungs 74 2,0
bis 20 mm beträgt,
daß der
konvexe Ring 76 bei einem Abschnitt von diesem mit einer
zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparung 76a ausgebildet
ist, in welche eine Wafer-Transportgabel 77 eingesetzt werden
kann, und daß die
Bodenwandung der zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparung 76a so
ausgebildet ist, daß sie
in derselben Ebene wie der Haltevorrichtungskörper 73 im Bereich
des konvexen Rings 76 liegt.
-
Gemäß der Wafer-Haltevorrichtung
wie angeführt
in Anspruch 5 wird der Wafer 22, wenn er im Wärmebehandlungsofen
untergebracht werden soll, zuerst auf einer jeden Gabel 77 plaziert
und diese Gabel 77 bewegt, wodurch der jeweilige Wafer 22 auf die
Oberseite des jeweiligen Haltevorrichtungskörpers 73 transportiert
wird, derart, daß eine
jede Gabel 77 oberhalb der zur Aufnahme einer Gabel dienenden
Aussparungen 76a jedes Haltevorrichtungskörpers 73 positioniert
ist, und derart, daß der
Mittelpunkt eines jeden Wafers 22 mit dem Mittelpunkt des jeweiligen
Haltevorrichtungskörpers 73 übereinstimmt.
Als nächstes
bewirkt das Absenken der Gabel 77, daß der Wafer 22 in
Kontakt mit der Oberseite des Vorsprungs 74 kommt, und
ein weiteres Absenken der Gabel 77 führt dazu, daß sich die
Gabel 77 vom Wafer 22 entfernt. Das Herausnehmen
der Gabel 77 aus den zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparungen 76a bei
diesem Zustand bewirkt, daß die
jeweilige Wafer-Haltevorrichtung 63, welche den jeweiligen
Wafer 22 trägt,
in den Wärmebehandlungsofen
eingesetzt wird.
-
Unterdessen wird, wenn ein jeder
Wafer 22 aus dem Wärmebehandlungsofen
entnommen werden soll, die jeweilige Gabel 77 zuerst in
die zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparung 76a eingeführt. Als
nächstes
wird durch Anheben einer jeden Gabel 77 bewirkt, daß die Gabel 77 in
Kontakt mit der Unterseite des jeweiligen Wafers 22 kommt,
und durch weiteres Anheben dieser Gabel 77 wird bewirkt,
daß der
jeweilige Wafer 22 sich vom jeweiligen Vorsprung 74 entfernt
und auf dieser Gabel 77 plaziert wird. Eine jede Gabel 77 wird
in diesem Zustand aus dem Wärmebehandlungsofen
herausgezogen, wodurch der jeweilige Wafer 22 aus dem Wärmebehandlungsofen
entnommen wird.
-
Die Erfindung nach Anspruch 6, wie
dargestellt in den 8 und 9, entspricht der Erfindung nach
einem der Ansprüche
1 bis 3 und ist dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe H des Vorsprungs 94 2,0
bis 20 mm beträgt,
daß der
konvexe Ring 96 und der Vorsprung 94 bei Abschnitten
des konvexen Rings 96 und des Vorsprungs 94 jeweils
mit einer Mehrzahl von zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparungen 96a, 93a, 93b ausgebildet
sind, in welche eine Wafer-Transportgabel 97 eingesetzt werden
kann, und daß die
Bodenwandungen der zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparungen 96a, 93a, 93b so
ausgebildet sind, daß sie
in derselben Ebene wie der Haltevorrichtungskörper im Bereich des konvexen
Rings 96 und des Vorsprungs 94 liegen.
-
Gemäß der Wafer-Haltevorrichtung
wie angeführt
in Anspruch 6 wird ein jeder Wafer 27, wenn er im Wärmebehandlungsofen
untergebracht werden soll, zuerst auf der jeweiligen Wafer-Transportgabel 97 plaziert
und diese Gabel 97 bewegt, wodurch der jeweilige Wafer 27 auf
die Oberseite des jeweiligen Haltevorrichtungskörpers 93 transportiert
wird, derart, daß die
Gabel 97 oberhalb der zur Aufnahme einer Gabel dienenden
Aussparungen 96a, 93a, 93b, 98a des
Haltevorrichtungskörpers 93 positioniert
ist und der Mittelpunkt eines jeden Wafers 27 mit dem Mittelpunkt
des jeweiligen Haltevorrichtungskörpers 93 übereinstimmt.
Als nächstes
bewirkt das Absenken einer jeden Gabel 97, daß der jeweilige
Wafer 27 in Kontakt mit der Oberseite des jeweiligen Vorsprungs 94 kommt,
und ein weiteres Absenken der Gabel 97 führt dazu,
daß sich
die Gabel 97 vom jeweiligen Wafer 27 entfernt.
Das Herausnehmen einer jeden Gabel 97 aus den zur Aufnahme
einer Gabel dienenden Vorsprüngen 96a, 93a, 93b bei
diesem Zustand bewirkt, daß die
Wafer-Haltevorrichtung 83, welche den Wafer 27 trägt, im Wärmebehandlungsofen
untergebracht wird.
-
Unterdessen wird, wenn ein jeder
Wafer 27 aus dem Wärmebehandlungsofen
entnommen werden soll, die jeweilige Gabel 97 zuerst in
die zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparungen 96a, 93a, 93b eingeführt. Als
nächstes
wird durch Anheben einer jeden Gabel 97 bewirkt, daß die Gabel 97 in
Kontakt mit der Unterseite des jeweiligen Wafers 27 kommt,
und durch weiteres Anheben der Gabel 97 wird bewirkt, daß der Wafer 27 sich
vom Vorsprung 94 entfernt und auf der Gabel 97 plaziert
wird. Eine jede Gabel 97 wird in diesem Zustand aus dem Wärmebehandlungsofen
herausgezogen, wodurch der jeweilige Wafer 27 aus dem Wärmebehandlungsofen entnommen
wird.
-
Die Erfindung nach Anspruch 7, wie
dargestellt in den 10 und 11, entspricht der Erfindung nach
Anspruch 6, und ist dadurch gekennzeichnet, daß beide Enden des Vorsprungs 94 mit
einer Fase versehen sind.
-
Gemäß der Wafer-Haltevorrichtung,
wie angeführt
in Anspruch 7, werden, auch wenn beide Enden der zur Aufnahme einer
Gabel dienenden Aussparungen 93a, 93b, d. h. beide
Enden des Vorsprungs 94 beim Schlichten der Oberseite des
Vorsprungs 94 zu scharfen Kanten werden, diese scharfen
Kanten durch Abfasen beider Enden des Vorsprungs 94 nach
dem Schlichten der Oberseite des Vorsprungs 94 beseitigt,
so daß keine
Abgleitungen im Wafer 27, sogar wenn der Wafer 27 auf
dem Vorsprung 94 plaziert ist, verursacht werden.
-
1 ist
ein Querschnitt entlang Linie A-A in 2,
welcher eine Wafer-Haltevorrichtung
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung beinhaltet;
-
2 ist
ein Querschnitt entlang Linie B-B von 3;
-
3 ist
ein Querschnitt, welcher den Aufbau eines Wärmebehandlungsofens einschließlich der
Wafer-Haltevorrichtung zeigt;
-
4 ist
eine Arbeitsablauf-Darstellung, welche die Vorgehensweise zum Plazieren
eines Wafers auf dem Haltevorrichtungskörper und zum Unterbringen des
Wafers im Wärmebehandlungsofen
zeigt;
-
5 ist
ein Querschnitt, welcher einen Zustand zeigt, bei dem Wafer kleineren
Durchmessers auf Haltevorrichtungskörpern plaziert sind, und zwar entsprechend 1;
-
6 ist
ein Querschnitt entlang Linie C-C in 7,
welcher einen Haltevorrichtungskörper
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung darstellt;
-
7 ist
eine Ansicht in Richtung des Pfeils D von 6;
-
8 ist
ein Querschnitt entlang Linie E-E in 9,
welche einen Haltevorrichtungskörper
gemäß einer
dritten Ausführungsform
der Erfindung darstellt;
-
9 ist
eine Ansicht in Richtung des Pfeils F von 8;
-
10 ist
ein Querschnitt entlang Linie G-G von 9;
und
-
11 ist
ein Querschnitt entlang H-H von 9.
-
BESTER MODUS
ZUR AUSFÜHRUNG
DER ERFINDUNG
-
Nachfolgend wird eine erste Ausführungsform
der Erfindung mit Bezug auf die anliegenden Zeichnungen beschrieben.
-
Wie in den 1 bis 3 dargestellt,
ist ein vertikaler Wärmebehandlungsofen 10 mit
einem sich in vertikaler Richtung erstreckenden Reaktionsrohr 11 aus
SiC ausgerüstet.
Eine Mehrzahl stangenartiger Träger 12 aus
SiC ist aufrechtstehend in vorbestimmten Abständen im Reaktionsrohr 11 untergebracht. Eine
Vielzahl von zur Aufnahme einer Haltevorrichtung dienenden Aussparungen 14 ist
in der Mehrzahl der Träger 12 in
deren Längsrichtung
in vorbestimmten Abständen
ausgebildet, um jeweils den Außenumfang
der Wafer-Haltevorrichtungen 13 lose aufzunehmen. Die Außenumfangsfläche des
Reaktionsrohrs 11 ist von einer zylindrischen Heizeinrichtung 17 über ein
gleichmäßig heizendes
Rohr 16 umschlossen (3).
Die Träger 12 sind
aufrechtstehend auf einer Kappe 21 montiert, und zwar über einen
So ckel 18 und ein wärmeisolierendes
Formstück 19.
Die Anzahl der Träger 12 beträgt in dieser
Ausführungsform
vier, und diese Träger 12 sind
mit gleichen Abständen
entlang eines Halbkreises angeordnet (2).
Diese Träger 12 bestehen
aus SiC, damit eine durch die hohen Temperaturen bei der Wärmebehandlung
bedingte Deformierung der Träger 12 selber
vermieden wird und um eine Verunreinigung im Inneren des Reaktionsrohrs 11,
etwa durch das Auftreten von Partikeln, zu verhindern. Jede Wafer-Haltevorrichtung 13 ruht
auf den unteren horizontalen Flächen
dieser vier zur Aufnahme der Haltevorrichtungen dienenden konkaven
Aussparungen 14 der vier Träger 12, wobei die
Aussparungen in derselben Horizontalebene liegen, und die Oberseite
der Wafer-Haltevorrichtung 13 ist so aufgebaut, daß sie einen
200 mm Silizium-Wafer 22 tragen kann (1 und 2).
Jede Wafer-Haltevorrichtung 13 beinhaltet:
Einen Haltevorrichtungskörper 23,
der scheibenförmig
und frei von vertieften ausgesparten Abschnitten ausgebildet ist;
und eine Mehrzahl von sich nach oben erstreckenden ringartigen Vorsprüngen 24,
die so auf dem Haltevorrichtungskörper 23 ausgebildet sind,
daß sie
sich in Umfangsrichtung des Haltevorrichtungskörpers 23 um die Achse
des Haltevomchtungskörpers 23 herum
erstrecken. Jeder Haltevorrichtungskörper 23 besteht aus
SiC.
-
Beispielsweise ist der Haltevorrichtungskörper 23 in
einer vorbestimmten Form ausgebildet, indem man mittels eines CVD-Verfahrens
einen SiC-Niederschlag auf einem Kohlenstoff Substrat, welches in
gleicher Form wie der Haltevorrichtungskörper 23 ausgebildet
ist, erzeugt und das Kohlenstoff Substrat ausbrennt, wenn der SiC-Niederschlag eine
vorbestimmte Dicke erreicht hat. Weiter werden die Oberseiten derjenigen
Abschnitte des Haltevorrichtungskörpers 23, welche zu
den Vorsprüngen 24 werden,
durch Schlichten geglättet
(etwa durch Schleifen oder Polieren der Oberfläche), und die Außenumfänge der
Oberseiten der Vorsprünge 24 werden
nach dem Schlichten der Oberseiten der Vorsprünge 24 abgefast oder
mit einer Fase versehen (1).
In der vorliegenden Beschreibung bedeutet der Begriff "abfasen", daß die Ecke,
welche eine Schnittstelle zwischen einer Fläche und einer anderen bildet,
mit einer geneigten Fläche
oder einem Radius versehen wird, und in dieser Ausführungsform wird
eine Ecke, welche eine Schnittfläche
zwischen einer Fläche und
einer anderen bildet, mit einem Radius versehen. Es sei angemerkt,
daß der
Haltevorrichtungskörper 23 scheibenförmig und
frei von vertieften ausgesparten Abschnitten ausgebildet ist, d.h. der
Haltevorrichtungskörper 23 ist
so ausgebildet, daß er
punktsymmetrisch bezüglich
seiner Achse ist, so daß sich
der Haltevorrichtungskörper 23 sogar
bei seiner Fertigung nicht verzieht.
-
Am Außenumfang des Haltevorrichtungskörpers 23 ist
ein sich nach oben erstreckender konvexer Ring 26 ausgebildet,
der so aufgebaut ist, daß er auf
den unteren horizontalen Flächen
der zusammenarbeitenden zur Aufnahme der Haltevorrichtungen dienenden
konkaven Aussparungen 14 der Träger 12 plaziert werden
kann. Die Mehrzahl der ringartigen Vorsprünge 24 ist auf dem
Haltevorrichtungskörper 23 innerhalb
des konvexen Rings so ausgebildet, daß sie unterschiedliche Durchmesser
haben, und diese Vorsprünge 24 sind
so ausgebildet, daß sie tiefer
liegen als der konvexe Ring 26 und, von dem am weitesten
außen
liegenden Vorsprung 24a zu den inneren Vorsprüngen hin,
fortschreitend tiefer werden, wobei der am weitesten außen liegende
Vorsprung 24a der höchste
von diesen ist. In dieser Ausführungsform
weist die Mehrzahl von ringartigen Vorsprüngen 24 einen ersten
Vorsprung 24a größeren Durchmessers
und einen zweiten Vorsprung 24b kleineren Durchmessers
auf, und die Oberseite des ersten. Vorsprungs 24a ist so
ausgebildet, daß sie tiefer
liegt als die des konvexen Rings 26 und höher als
die des zweiten Vorsprungs 24b. Der Haltevorrichtungskörper 23 ist
mit einem ersten konkaven Ring 31 ausgebildet, der zwischen
dem konvexen Ring 26 und dem ersten Vorsprung 24a positioniert ist,
sowie einem zweiten konkaven Ring 32, der zwischen dem
ersten Vorsprung 24a und dem zweiten Vorsprung 24b positioniert
ist. Der Innendurchmesser des konvexen Rings 26 ist geringfügig größer als der
Außendurchmesser
des 200 mm Silizium-Wafers 22 (1 und 2),
und der Innendurchmesser des ersten Vorsprungs 24a ist
geringfügig
größer als der
Außendurchmesser
eines 150 mm Silizium-Wafers 27 (5). Weiter weist der Haltevorrichtungskörper 23 in
seiner Mitte ein kreisförmiges
Durchgangsloch 23a auf, durch welches ein später noch beschriebener
Tauchkolben 28 lose eingeführt werden kann. Bezugszeichen 33 in
den 1 und 2 bezeichnet einen dritten
konkaven Ring. Weiter bezeichnet Bezugszeichen 22a 2 eine Ausrich tungsflachstelle,
welche die Kristallorientierung anzeigt und bei einer vorbestimmten
Position des Außenumfangs
des Silizium-Wafers 22 ausgebildet ist.
-
Nimmt man an, daß der Durchmesser des Wafers
D beträgt,
so sind die Außendurchmesser
der Vorsprünge 24 so
ausgebildet, daß sie
in einem Bereich von 0,5D bis 0,98D, vorzugsweise 0,6D bis 0,8D
liegen. Konkret ist im Fall des Wafers 22 mit 8-Inch (200
mm) Durchmesser der Außendurchmesser
des ersten Vorsprungs im Bereich von 100 bis 196 mm, und vorzugsweise
120 bis 160 mm ausgebildet, und im Fall des Wafers 27 mit
6-Inch (150 mm) Durchmesser ist der Außendurchmesser des zweiten Vorsprungs 24b in
einem Bereich von 75 bis 147 mm, und vorzugsweise von 90 bis 120
mm ausgebildet. Der Grund dafür,
daß die
Außendurchmesser
der Vorsprünge 24 auf
einen Bereich von 0,5D bis 0,98D begrenzt sind, liegt darin, daß: Außendurchmesser von
weniger als 0,5D zu geringeren Breiten der Vorsprünge führen, wenn
ein einzelner Haltevorrichtungskörper
so ausgebildet ist, daß er
in der Lage ist, Wafer unterschiedlichen Durchmessers zu haltern, so
daß der
auf den Vorsprung ausgeübte
spezifische Oberflächendruck
groß wird,
wodurch möglicherweise
Abgleitungen im Wafer hervorgerufen werden; und Außendurchmesser
von mehr als 0,98D dazu führen
können,
daß der
Außenumfang
des Wafers mit dem Haltevorrichtungskörper in Kontakt kommt.
-
Nachfolgend wird mit Bezug auf 4 eine Prozedur zum Plazieren
des Wafers 22 mit 200 mm Durchmesser auf dem auf diese
Weise aufgebauten Haltevorrichtungskörper 13 und zum Unterbringen des
Wafers 22 im Wärmebehandlungsofen 10 erläutert.
-
Zuerst wird der Haltevorrichtungskörper 23 auf
einem temporären
Haltevorrichtungsgestell 33 plaziert, das in der Nähe des Wärmebehandlungsofens 10 installiert
ist. In diesem Zustand wird der Tauchkolben 28 mit horizontal
ausgebildeter Oberseite, der nach oben und unten bewegt werden kann, angehoben
und von unten her in das Durchgangsloch 23a lose eingesetzt
(4(a)). Als nächstes wird
der Wafer 22 vor der Wärmebehandlung
mittels eines ersten Schlittens 41 aus einer (nicht darge stellten)
Wafer-Kassette entnommen und auf der Oberseite des Tauchkolbens 28 plaziert.
Die Oberseite dieses ersten Schlittens 41 ist mit einer
Mehrzahl von (nicht dargestellten) Sauglöchern versehen, die mit einer
Vakuumpumpe in Verbindung stehen, derart, daß das Inkontaktkommen der Oberseite
des ersten Schlittens 41 mit der Unterseite des Wafers 22 bewirkt,
daß der
Wafer 22 durch die Saugkraft der Vakuumpumpe am ersten
Schlitten 41 festgesaugt wird, hingegen das Umschalten
eines (nicht dargestellten) Ventils, um dadurch die Saugöffnungen
mit der Umgebung zu verbinden, bewirkt, daß der erste Schlitten 41 vom
Wafer 22 getrennt wird. Und zwar wird, dadurch, daß die Sauglöcher mit
der Umgebung in Verbindung gebracht werden, indem das (nicht dargestellte)
Ventil umgeschaltet wird, nachdem der Wafer 22 in der durch
einen Pfeil mit durchgehender Linie in 4(a) dargestellten Richtung auf den Tauchkolben 28 (auf
die durch eine Zweipunkt-Kettenlinie in 4(a) angegebene Position) abgesenkt wurde, der
erste Schlitten 41 vom Wafer 22 getrennt und dabei
der Wafer 22 auf dem Tauchkolben 28 plaziert,
indem der erste Schlitten 41 in der durch einen Pfeil mit unterbrochener
Linie angegebenen Richtung bewegt wird.
-
Als nächstes wird durch Absenken
des Tauchkolbens 28 in der durch einen Pfeil mit strichpunktierter
Linie in 4(b) angegebenen
Richtung bewirkt, daß der
Wafer 22 bei einem Zustand, in dem er mit der Oberseite
des ersten Vorsprungs 24a in Kontakt ist, auf dem Haltevorrichtungskörper 23 plaziert
wird, und ein weiteres Absenken des Tauchkolbens 28 führt zu einem
Entfernen des Tauchkolbens 28 vom Wafer 22. Dabei
wird eine Verschiebung des Außenumfangs
des Wafers 22 in horizontaler Richtung durch die Innenumfangsfläche des
konvexen Rings 26 verhindert. In diesem Zustand bewirkt
das Heranführen
des zweiten Schlittens 42 von unten her und das Anheben
von diesem, daß der
Haltevorrichtungskörper 23 auf
dem zweiten Schlitten 42 plaziert wird, und ein weiteres
Anheben des zweiten Schlittens 42 in der durch einen Pfeil
mit doppeltpunktierter Linie von 4(c) angegebenen
Richtung bewirkt, daß der
Haltevorrichtungskörper 23 vom
temporären Haltevorrichtungsgestell 33 entfernt
wird. Die Wafer-Haltevorrichtung 13, zusammen mit dem Silizium-Wafer 22,
werden weiter mittels des zweiten Schlittens 42 zu den
Trägern 12 trans portiert,
so daß der
Außenumfang
des Haltevorrichtungskörpers 23 in
diese vier zur Aufnahme der Haltevorrichtung dienenden konkaven
Aussparungen 14 der Träger 12 eingesetzt
wird wobei die Aussparungen in derselben Horizontalebene liegen,
wodurch der Haltevorrichtungskörper 23 auf
den unteren horizontalen Flächen dieser
zur Aufnahme der Haltevorrichtung dienenden konkaven Aussparungen 14 plaziert
wird. Das Einsetzen dieser Wafer-Haltevorrichtungen 13 in
das Reaktionsrohr 11, etwa zusammen mit den Trägern 12,
vervollständigt
den Arbeitsvorgang des Unterbringens der Wafer im Wärmebehandlungsofen 10.
-
Wenn der Wärmebehandlungsofen 10 in dem
Zustand betrieben wird, bei dem die Silizium-Wafer 22 im
Wärmebehandlungsofen 10 untergebracht
sind, wird die Temperatur im Wärmebehandlungsofen 10 durch
die Heizeinrichtung 17 auf 1300°C oder mehr erhöht. Dabei
verzieht sich der Haltevorrichtungskörper 23 nicht, sogar
wenn der Haltevorrichtungskörper 23 in
der obigen Weise erwärmt
wird, da der Haltevorrichtungskörper 23 scheibenförmig und
frei von vertieften ausgesparten Abschnitten ist. Da weiter die
Oberseiten der ersten und zweiten Vorsprünge 24a, 24b geschlichtet
wurden, wurden Erhebungen, die auf der Oberseite der Vorsprünge 24a, 24b,
etwa bedingt durch Kornwachstum bei der CVD-Behandlung, verursacht
wurden. entfernt, so daß dadurch
die Oberseiten der Vorsprünge 24a, 24b geglättet wurden.
Weiter wurden, durch Abfasen der Umfänge der Oberseiten der Vorsprünge 24a, 24b nach
dem Schlichten der Oberseiten dieser Vorsprünge 24a, 24b,
die Umfänge
der Oberseiten der Vorsprünge 24a, 24b mit
Radien versehen. Daher bewirkt ein Plazieren des Wafers 22 auf
dem ersten Vorsprung 24a, daß der Wafer 22 gleichmäßig in Kontakt
mit der Oberseite des ersten Vorsprungs 24a ist, derart,
daß im
Wesentlichen keine inneren Spannungen im Wafer 22 verursacht
werden, d.h. derart, daß der
spezifische Oberflächendruck
des Wafers 22 vermindert und die Belastung des Wafers 22 verteilt
wird, so daß im
Wafer 22 keine Abgleitungen verursacht werden. Weiter ist
der Außenumfang
des Wafers 22 nicht in Kontakt mit dem Haltevorrichtungskörper 23,
und es ist möglich,
den Wafer 22 ohne eine Beeinträchtigung durch von der Oberfläche herabhängende Tropfen
des Außenumfangsab schnitts
des Wafers 22 gleichmäßig zu haltern,
so daß im
Wafer 22 keine Abgleitungen verursacht werden.
-
Bei Abschluß der Wärmebehandlung eines jeden Wafers 22 im
Wärmebehandlungsofen 10 wird jeder
Haltevorrichtungskörper 23 zusammen
mit den Trägern 12 durch
eine umgekehrt zu obigem erfolgende Prozedur aus dem Wärmebehandlungsofen 10 entnommen
und auf dem temporären
Haltevorrichtungsgestell 33 plaziert, und der Wafer 22 wird wieder
in die Wafer-Kassette zurück
transferiert.
-
Auch wenn in dieser Ausführungsform
der Wafer 22 mit 200 mm Durchmesser auf dem Haltevorrichtungskörper 23 plaziert
wurde, ist es möglich, auf
diesem einen Wafer 27 mit einem Durchmesser von 150 mm
zu plazieren, wie dargestellt in 5. Dabei
wird der Wafer 27 von 150 mm Durchmesser auf dem Haltevorrichtungskörper 23 plaziert,
indem er mit der Oberseite des zweiten Vorsprungs 24b in Kontakt
gebracht wird, welcher unterhalb des ersten Vorsprungs 24a liegt,
und der Innendurchmesser des ersten Vorsprungs 24a ist
geringfügig
größer als
der Außendurchmesser
des Wafers 27, so daß eine
Verschiebung des Wafers 27 in horizontaler Richtung durch
die Innenumfangsfläche
des ersten Vorsprungs 24a blockiert wird. Demzufolge wird
der Wafer 27 von 150 Durchmesser in einem im Zentrum des
Haltevorrichtungskörpers 23 positionierten
Zustand festgehalten.
-
Die 6 und 7 zeigen eine zweite Ausführungsform
der Erfindung. Gleiche Bezugszeichen wie in den 1 und 2 werden
zur Bezeichnung entsprechender Elemente in den 6 und 7 verwendet.
-
In dieser Ausführungsform beträgt die Höhe H eines
auf dem Haltevorrichtungskörper 73 ausgebildeten
Vorsprungs 74 2,0 bis 20 mm, und vorzugsweise 3 bis 10
mm, ein konvexer Ring 76 weist Abschnitte auf, die mit
zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparungen 76a, 76a ausgebildet
sind, in welche eine Wafer-Transportgabel 77 eingesetzt werden
kann, und diese zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparungen 76a, 76a weisen
Bodenwandungen auf, die so ausgebildet sind, daß sie in derselben Ebene wie
der Haltevorrichtungskörper 73 im
Bereich des konvexen Rings 76 liegen. Dieser Haltevorrichtungskörper 73 soll
dazu dienen, den Silizium-Wafer 22 mit 200 mm Durchmesser
zu tragen, und der Vorsprung 74 ist so ausgebildet, daß er einen im
Wesentlichen winkligen Querschnitt aufweist. Der Grund dafür, daß die Höhe H des
Vorsprungs 74 auf einen Bereich von 2,0 bis 20 mm beschränkt ist,
liegt darin, daß:
Höhen von
weniger als 2,0 mm möglicherweise
bewirken, daß die
Gabel 77 in Kontakt mit dem Wafer 22 oder dem
Haltevorrichtungskörper 73 kommt,
wenn die Gabel 77 in die zur Aufnahme der Gabel dienenden
Aussparungen 76a, 76a lose eingeführt oder
aus diesen entnommen wird; und Höhen,
welche 20 mm überschreiten,
zu übermäßig erhöhten Abständen zwischen
Haltevorrichtungskörpern 73 führen, welche
in (nicht dargestellte) zur Aufnahme von Haltevorrichtungen dienende
konkave Aussparungen eingesetzt sind, wodurch die Anzahl der im
(nicht dargestellten) Wärmebehandlungsofen unterzubringenden
Wafer 22 vermindert wird. Es sei angemerkt, daß die Oberseite
des Vorsprungs 74 geschlichtet wurde (beispielsweise durch
Schleifen oder Polieren der Oberfläche) und der Umfang der Oberseite
des Vorsprungs 74 nach dem Schlichten abgefast wurde (6).
-
Die Gabel 77 beinhaltet
eine Basis 77a und ein Paar Aufnahmeabschnitte 77b, 77b,
die sich von der Spitze der Basis 77a gabelförmig verzweigen. Die
Oberseiten des Paares der Aufnahmeabschnitte 77b, 77b weisen
Oberseiten auf, die mit einer Mehrzahl von (nicht dargestellten)
Sauglöchern
ausgebildet sind und mit einer (nicht dargestellten) Vakuumpumpe
in Verbindung stehen, in ähnlicher
Weise wie in der ersten Ausführungsform.
Diese Sauglöcher sind
vorgesehen, um: Den Silizium-Wafer 22 mittels der Saugkraft
der Vakuumpumpe fest am Paar der Aufnahmeabschnitte 77b, 77b festzusaugen,
wenn die Oberseiten des Paares der Aufnahmeabschnitte 77b, 77b mit
der Unterseite des Silizium-Wafers 22 in Kontakt sind;
und um zu bewirken, daß sich
das Paar von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b beim
Umschalten eines (nicht dargestellten) Ventils ohne weiteres vom
Wafer 22 entfernt, um die Sauglöcher mit der Umgebungsluft
zu verbinden.
-
Weiter ist der konvexe Ring 76 so
ausgebildet, daß er
sich am Außenumfang
des Haltevorrichtungskörpers 73 nach
oben erstreckt, und die Anzahl der im konvexen Ring 76 ausgebildeten,
zur Aufnahme der Gabel dienenden Aussparungen 76a, 76a beträgt zwei.
Konkret sind die beiden zur Aufnahme der Gabel dienenden Aussparungen 76a, 76a so
ausgebildet, daß sie
voneinander im gleichen Abstand liegen wie das Paar von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b und
daß sie
jeweils geringfügig
breiter als das Paar von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b sind.
Der Haltevorrichtungskörper 73 ist
mit einem ersten konkaven Ring 71 zwischen dem konvexen
Ring 76 und dem Vorsprung 74 ausgebildet, und
die Bodenwandung der zur Aufnahme der Gabel dienenden Aussparung 76a ist
so ausgebildet, daß sie
in derselben Ebene wie der erste konkave Ring 71 liegt.
Es sei angemerkt, daß das
Bezugszeichen 73a in den 6 und 7 ein kreisförmiges Durchgangsloch
bezeichnet, welches im Mittelpunkt des Haltevorrichtungskörpers 73 ausgebildet
ist. Abgesehen von den obigen Punkten entspricht der Aufbau dem
der zuerst erwähnten ersten
Ausführungsform.
-
Nachfolgend wird die Prozedur zum
Plazieren des Silizium-Wafers 22 mit 200 mm Durchmesser auf
der auf diese Weise aufgebauten Wafer-Haltevorrichtung 63 und
zum Unterbringen des Wafers 22 im Wärmebehandlungsofen beschrieben.
-
Jeder Haltevorrichtungskörper 73 wird
vorab auf unteren horizontalen Flächen der zur Aufnahme der Haltevorrichtungen
dienenden konkaven Aussparungen plaziert, indem der Außenumfang
des Haltevorrichtungskörpers 73 in
vier (nicht dargestellte) zur Aufnahme der Haltevorrichtung dienende
konkave Aussparungen eingelegt wird, welche in derselben Horizontalebene
wie die (nicht dargestellten) Träger
liegen. Zuerst wird die Vakuumpumpe betätigt und die Sauglöcher des
Paares von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b werden
mit der Vakuumpumpe verbunden, und ein jeder in der (nicht dargestellten) Wafer-Kassette
befindliche Wafer 22 wird auf einem Paar von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b plaziert. Jede
Gabel 77 wird bei diesem Zustand bewegt, um dadurch jeden
Wafer 22 über
den Haltevorrichtungskörper 73 zu
bewegen, derart, daß das
Paar von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b jeweils
oberhalb der zwei zur Aufnahme der Gabel dienenden Aussparungen 76a, 76a jedes Haltevorrichtungskörpers 73 liegt,
und derart, daß der
Mittelpunkt jedes Wafers 22 mit dem Mittelpunkt des jeweiligen
Haltevomchtungskörpers 73 übereinstimmt.
Als nächstes
wird, durch Absenken der Gabel 77, nachdem die Sauglöcher des
Paares von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b mit der
Umgebungsluft in Verbindung gebracht wurden, bewirkt, daß der Wafer 22 mit
der Oberseite des Vorsprungs 74 in Kontakt kommt, und durch
weiteres Absenken der Gabel 77 wird bewirkt, daß sich das
Paar von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b vom Vorsprung 74 entfernt.
Durch Herausnehmen des Paars von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b aus
den zur Aufnahme der Gabel dienenden Aussparungen 76a, 76a bei diesem
Zustand und durch Einsetzen der Wafer-Haltevorrichtung 63,
etwa gemeinsam mit den Trägern, in
das (nicht dargestellte) Reaktionsrohr, wird der Arbeitsvorgang
des Unterbringens der Silizium-Wafer 22 im Wärmebehandlungsofen
abgeschlossen.
-
Ein Betreiben des Wärmebehandlungsofens in
dem Zustand. bei dem jeder Silizium-Wafer 22 im Wärmebehandlungsofen
untergebracht ist, bewirkt, daß der
Wafer 22 mit der Oberseite des Vorsprungs 74 gleichmäßig in Kontakt
ist, in ähnlicher
Weise wie bei der ersten Ausführungsform,
so daß im
Wafer 22 im Wesentlichen keine inneren Spannungen auftreten,
wodurch ermöglicht
wird, daß das
Auftreten von Abgleitungen im Wafer 22 verhindert wird.
-
Unterdessen wird, bei Beendigung
der Wärmebehandlung
des Wafers 22 im Wärmebehandlungsofen,
jede Wafer-Haltevorrichtung 63 zuerst aus dem Wärmebehandlungsofen
entnommen, etwa zusammen mit den Trägern, und dann wird das Paar von
Aufnahmeabschnitten 77b, 77b jeweils in die zwei
zur Aufnahme der Gabel dienenden Aussparungen 76a, 76a eingeführt, und
zwar in dem Zustand, bei dem die Vakuumpumpe betätigt ist und die Sauglöcher des
Paares von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b mit der
Vakuumpumpe in Verbindung stehen. Als nächstes wird durch Anheben der
jeweiligen Gabel 77 bewirkt, daß das Paar von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b mit
der Unterseite des jeweiligen Wafers 22 in Kontakt kommt,
und durch weiteres Anheben der Gabel 77 wird bewirkt, daß der Wafer 22 vom
Vorsprung 74 entfernt wird und auf dem Paar von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b pla ziert
wird. Bei diesem Zustand wird die jeweilige Gabel 77 in
horizontaler Richtung bewegt, und zwar in Richtung aus dem Paar
von Aufnahmeabschnitten 77b, 77b heraus. Ein weiteres
Bewegen einer jeden Gabel 77, um dadurch den jeweiligen
Wafer 22 in der Wafer-Kassette unterzubringen, beendet
den Arbeitsvorgang des Entnehmens der Wafer 22 aus dem
Wärmebehandlungsofen.
Auf diese Weise können
der Arbeitsvorgang des Unterbringens des Wafers 22 im Wärmebehandlungsofen
und das Entnehmen des Wafers 22 aus diesem schneller und
problemloser durchgeführt werden
als bei der ersten Ausführungsform.
-
Die 8 bis 11 zeigen eine dritte Ausführungsform
der Erfindung.
-
In dieser Ausführungsform ist der untere Vorsprung 94b von
auf einem Haltevorrichtungskörper 93 ausgebildeten
ersten und zweiten Vorsprüngen 94a, 94b so
ausgebildet. daß seine
Höhe H
2,0 bis 20 mm, vorzugsweise 3 bis 10 nun beträgt, eine Mehrzahl von zur Aufnahme
von Gabeln dienenden Aussparungen 96a, 93a, 93b sind
bei Abschnitten eines konvexen Rings 96 und Vorsprüngen 94 ausgebildet und
in diese läßt sich
eine Wafer-Transportgabel 97 einsetzen, und die Bodenwandungen
dieser zur Aufnahme von Gabeln dienenden Aussparungen 96a, 93a, 93b sind
so ausgebildet, daß sie
im Bereich des konvexen Rings 96 und der Vorsprünge 94 in
derselben Ebene wie der Haltevorrichtungskörper 93 liegen. Dieser
Haltevorrichtungskörper 93 ist
so ausgebildet, daß er
sowohl entweder den (nicht dargestellten) Silizium-Wafer mit 200
mm Durchmesser oder den Silizium-Wafer 27 mit 150 mm Durchmesser
tragen kann. Weiter ist der konvexe Ring 96 so ausgebildet,
daß er
sich am Außenumfang
des Haltevomchtungskörpers 93 nach
oben erstreckt. Die ersten und zweiten Vorsprünge 94a, 94b sind
so ausgebildet, daß sie
tiefer liegen als der konvexe Ring 96, und der innere zweite
Vorsprung 94b ist so ausgebildet, daß er tiefer liegt als der äußere erste
Vorsprung 94a. Innerhalb des zweiten Vorsprungs 94b ist
eine konvexe Rippe 98 ausgebildet, die tiefer liegt als
der zweite Vorsprung 94b.
-
Der Innendurchmesser des konvexen
Rings 96 ist geringfügig
größer als
der Außendurchmesser eines
(nicht dargestellten) Silizium-Wafers von 200 mm Durchmesser, und
der Innendurchmesser des ersten Vorsprungs 94a ist in der
Nähe seines
oberen Endes so ausgebildet, daß er
geringfügig
größer ist als
der Außendurchmesser
des Silizium-Wafers 27 von 150 mm Durchmesser. Die ersten
und zweiten Vorsprünge 94a, 94b sind
so beschaffen, daß sie
den 200 mm Wafer bzw. den 150 mm Wafer 27 tragen können. Diese
Vorsprünge 94a, 94b sind
so ausgebildet, daß sie
im Wesentlichen jeweils winklige Querschnitte aufweisen.
-
Der Grund dafür, daß die Höhe H des zweiten Vorsprungs 94b auf
einen Bereich von 2,0 bis 20 mm beschränkt ist, liegt darin, daß: Höhen von
weniger als 2,0 mm möglicherweise
bewirken, daß die Gabel 97 in
Kontakt mit dem Wafer 27 oder dem Haltevorrichtungskörper 93 kommt,
wenn die Gabel 97 in die zur Aufnahme der Gabel dienenden
Aussparungen 96a, 93a, 93b lose eingeführt oder
aus diesen entnommen wird; und Höhen,
welche 20 mm überschreiten,
zu übermäßig erhöhten Abständen zwischen
Haltevorrichtungskörpern 93 führen, welche
in (nicht dargestellte) zur Aufnahme von Haltevorrichtungen dienende
konkave Aussparungen eingesetzt sind, wodurch die Anzahl der im
(nicht dargestellten) Wärmebehandlungsofen
unterzubringenden Wafer 27 vermndert wird. Es sei angemerkt,
daß die
Oberseite der Vorsprünge 94 geschlichtet
wurde (beispielsweise durch Schleifen oder Polieren der Oberfläche) und
die Umfänge
der Oberseite der Vorsprünge 94 nach
dem Schlichten abgefast wurden (8).
-
Die Gabel 97 ist zu einer
sich in gerader Richtung erstreckenden flachen Form ausgebildet und
an der Oberseite in der Nähe
ihrer Spitze mit einer Mehrzahl von (nicht dargestellten) Sauglöchern versehen,
die mit der (nicht dargestellten) Vakuumpumpe in Verbindung stehen,
in ähnlicher
Weise wie in der ersten Ausführungsform.
Diese Sauglöcher sind
vorgesehen, um: Den Silizium-Wafer 27 mittels der Saugkraft
der Vakuumpumpe an der Gabel 97 festzusaugen, wenn die
Oberseite an der Gabel 97 mit der Unterseite des Silizium-Wafers 27 in
Kontakt ist; und zu bewirken, daß sich die Gabel 97 beim
Umschalten eines (nicht dargestellten) Ventils ohne weiteres vom
Wafer 27 entfernt, um die Sauglöcher mit der Umgebungsluft
zu verbinden.
-
Unterdessen ist die zur Aufnahme
einer Gabel dienende Aussparung 98a bei einem Abschnitt der
konvexen Rippe 98 vorgesehen, zusätzlich zu den Abschnitten des
konvexen Rings 96, dem ersten Vorsprung 94a und
dem zweiten Vorsprung 94b. Diese zur Aufnahme einer Gabel
dienenden Vorsprünge 96a, 93a, 93b, 98a sind
so ausgebildet, daß sie
vom Mittelpunkt des Haltevorrichtungskörpers 93 in radialer
Richtung fluchtend ausgerichtet sind und geringfügig breiter als die Gabel 97 sind.
Der Haltevorrichtungskörper 93 ist
jeweils mit einem ersten konkaven Ring 101, der zwischen
dem konvexen Ring 96 und dem ersten Vorsprung 94a positioniert
ist, einem zweiten konkaven Ring 102, der zwischen dem
ersten Vorsprung 94a und dem zweiten Vorsprung 94b positioniert
ist, einem dritten konkaven Ring 103, der zwischen dem
zweiten Vorsprung. 94b und der konvexen Rippe 98 positioniert
ist, und einer konkaven Platte 104, die innerhalb der konvexen
Rippe 98 positioniert ist, ausgebildet. Der erste konkave
Ring 101, der zweite konkave Ring 102, der dritte
konkave Ring 103 und die konkave Scheibe 104 sind
so ausgebildet, daß sie
in derselben Ebene liegen, und auch in derselben Ebene liegen wie
die Bodenwandungen der zur Aufnahme einer Gabel dienenden Vorsprünge 96a, 93a, 93b, 98a.
-
Weiter werden, wie in den 10 und 11 dargestellt, beide Enden des ersten
und des zweiten Vorsprungs 94a, 94b, in welchen
durch Ausbilden von zur Aufnahme einer Gabel dienenden Vorsprüngen 93a, 93b Ausnehmungen
angebracht wurden, abgefast, d.h. beide Enden der zur Aufnahme einer Gabel
dienenden Aussparungen 93a, 93b werden mit einer
Fase versehen. Abgesehen von den obigen Punkten entspricht der Aufbau
dem der zuvor erwähnten
ersten Ausführungsform.
-
Nachfolgend wird die Prozedur zum
Plazieren des Silizium-Wafers 27 mit 150 mm Durchmesser auf
der auf diese Weise aufgebauten Wafer-Haltevorrichtung 83 und
zum Unterbringen des Wafers 22 im Wärmebehandlungsofen beschrieben.
-
Jeder Haltevorrichtungskörper 93 wird
vorab auf unteren horizontalen Flächen der zur Aufnahme der Haltevorrichtungen
dienenden konkaven Aussparungen plaziert, indem der Außenumfang
des Haltevorrichtungskörpers 93 in
vier (nicht dargestellte) zur Aufnahme der Haltevorrichtung dienende
konkave Aussparungen eingelegt wird, welche in derselben Horizontalebene
wie die (nicht dargestellten) Träger
liegen. Zuerst wird die Vakuumpumpe betätigt und die Sauglöcher einer
jeden Gabel 97 werden mit der Vakuumpumpe verbunden, und
ein jeder in der (nicht dargestellten) Wafer-Kassette befindliche
Wafer 27 wird auf einer jeden Gabel 97 plaziert.
Jede Gabel 97 wird bei diesem Zustand bewegt, um dadurch
jeden Wafer 27 über
den Haltevorrichtungskörper 93 zu
bewegen, derart, daß die
Gabel 97 oberhalb der zwei zur Aufnahme der Gabel dienenden Aussparungen 96a, 93a, 93b, 98a des
Haltevorrichtungskörpers 93 liegt
und der Mittelpunkt jedes Wafers 27 mit dem Mittelpunkt
des jeweiligen Haltevorrichtungskörpers 93 übereinstimmt.
Als nächstes wird,
durch Absenken einer jeden Gabel 97, nachdem die Sauglöcher einer
jeden Gabel 97 mit der Umgebungsluft in Verbindung gebracht
wurden, bewirkt, daß der
jeweilige Silizium-Wafer 27 mit der Oberseite jedes zweiten
Vorsprungs 94b in Kontakt kommt, und durch weiteres Absenken
der Gabel 97 wird bewirkt, daß sich die Gabel 97 von
jedem Wafer 27 entfernt. Durch Herausnehmen einer jeden
Gabel 97 aus den zur Aufnahme der Gabel dienenden Aussparungen 96a, 93a, 93b, 98a bei
diesem Zustand und durch Einsetzen der jeweiligen Wafer-Haltevorrichtung 83,
etwa gemeinsam mit den Trägern,
in das (nicht dargestellte) Reaktionsrohr, wird der Arbeitsvorgang
des Unterbringens des Wafers 27 im Wärmebehandlungsofen vervollständigt.
-
Wenn der Wärmebehandlungsofen in dem Zustand
betrieben wird, bei dem die Silizium-Wafer 27 im Wärmebehandlungsofen
untergebracht sind, wird die Temperatur im Wärmebehandlungsofen durch die
(nicht dargestellte) Heizeinrichtung auf 1300°C oder mehr erhöht. Dabei
verzieht sich der Haltevorrichtungskörper 93 nicht, sogar
wenn der Haltevorrichtungskörper 93 in
der obigen Weise erwärmt
wird, da der Haltevorrichtungskörper 93 scheibenförmig und
frei von vertieften ausgesparten Abschnitten ist. Da weiter die
Oberseiten der ersten und zweiten Vorsprünge 94a, 94b geschlichtet
wurden, wurden Erhebungen, die auf der Oberseite der Vorsprünge 94a, 94b,
etwa bedingt durch Kornwachstum bei der CVD-Behandlung, verursacht
wurden, entfernt, so daß dadurch
die Oberseiten der Vorsprünge 94a, 94b geglättet wurden.
Weiter wurden, durch Abfasen der Umfänge der Oberseiten der Vorsprünge 94a, 94b und
beider Enden der Vorsprünge 94a, 94b (d.h.
beider Enden der zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparungen 93a, 93b)
nach dem Schlichten der Oberseiten dieser Vorsprünge 94a, 94b die
Umfänge
der Oberseiten der Vorsprünge 94a, 94b und
beide Enden der Vorsprünge 94a, 94b mit
Radien versehen. Daher bewirkt ein Plazieren des Wafers 27 auf
dem zweiten Vorsprung 94b, daß der Wafer 27 gleichmäßig in Kontakt
mit der Oberseite des zweiten Vorsprungs 94b ist, derart,
daß im
Wesentlichen keine inneren Spannungen im Wafer 27 verursacht
werden, d.h. derart, daß der
spezifische Oberflächendruck
des Wafers 27 vermindert und die Belastung des Wafers 27 verteilt
wird, so daß im
Wafer 27 keine Abgleitungen verursacht werden. Weiter ist
der Außenumfang
des Wafers 27 nicht in Kontakt mit dem Haltevorrichtungskörper 93,
und es ist möglich,
den Wafer 27 ohne eine Beeinträchtigung durch von der Oberfläche herabhängende Tropfen
des Außenumfangsabschnitts
des Wafers 27 gleichmäßig zu haltern,
so daß im
Wafer 27 keine Abgleitungen verursacht werden.
-
Bei Beendigung der Wärmebehandlung
der Wafer 27 im Wärmebehandlungsofen
werden die Wafer-Haltevorrichtungen 83, und zwar etwa gemeinsam
mit Trägern,
zuerst aus dem Wärmebehandlungsofen
entnommen, und dann wird jede Gabel 97 in die zur Aufnahme
einer Gabel dienenden Aussparungen 96a, 93a, 93b, 98a eingesetzt,
und zwar in einem Zustand, bei dem die Vakuumpumpe in Betrieb ist
und die Sauglöcher
der Gabel 97 mit der Vakuumpumpe in Verbindung stehen.
Als nächstes wird
durch Anheben einer jeden Gabel 97 bewirkt, daß diese
Gabel 97 mit der Unterseite des jeweiligen Wafers 27 in
Kontakt kommt, und ein weiteres Anheben der Gabel 97 bewirkt,
daß sich
der Wafer 27 vom zweiten Vorsprung 94b entfernt
und auf der Gabel 97 plaziert wird. Eine jede Gabel 97 wird
in diesem Zustand in horizontaler Richtung gezogen. Durch weiteres
Bewegen einer jeden Gabel 97, um den jeweiligen Wafer 27 in
der Wafer-Kassette unterzubringen, wird der Arbeitsgang des Entnehmens
der Wafer 27 aus dem Wärmebehandlungsofen
abgeschlossen. Auf diese Weise können
der Arbeitsgang des Unterbringens der Wafer 27 im Wärmebe handlungsofen und
des Entnehmens der Wafer 27 aus diesem schneller und problemloser
als in der ersten Ausführungsform
durchgeführt
werden.
-
In der ersten und der dritten Ausführungsform
waren zwei ringartige Vorsprünge
auf dem Haltevorrichtungskörper
ausgebildet und in der zweiten Ausführungsform war nur ein einziger
ringartiger Vorsprung auf dem Haltevorrichtungskörper ausgebildet. Jedoch ist
es möglich,
drei oder mehr dieser ringartigen Vorsprünge mit unterschiedlichem Durchmesser vorzusehen.
-
Weiter wurden als Wafer in der ersten
bis dritten Ausführungsform
Silizium-Wafer erwähnt.
Jedoch kann auch beispielsweise ein GaP-Wafer oder ein GaAs-Wafer
verwendet werden. Der Außendurchmesser
eines Wafers ist nicht auf 200 mm und 150 mm eingeschränkt und
es läßt sich
auch ein Wafer mit anderem Außendurchmesser
verwenden.
-
In der Wafer-Haltevorrichtung gemäß der Erfindung
wie oben beschrieben ist der Haltevorrichtungskörper scheibenförmig und
frei von vertieften ausgesparten Abschnitten ausgebildet, der Haltevorrichtungskörper ist
mit einem ringartigen Vorsprung ausgebildet, welcher sich in Umfangsrichtung
des Haltevorrichtungskörpers
um die Achse des Haltevomchtungskörpers herum erstreckt und nach
oben hervorsteht, und die Wafer-Haltevorrichtung ist derart aufgebaut,
daß der
Wafer mit der Oberseite des Vorsprungs derart in Kontakt kommt und
auf dem Haltevorrichtungskörper
plaziert wird, daß der
Außenumfang
des Wafers nicht mit dem Vorsprung in Kontakt kommt. Auf diese Weise
wird der Haltevorrichtungskörper
punktsymmetrisch bezüglich
seiner Achse, und ein Verziehen des Haltevorrichtungskörpers bei dessen
Fertigung kann vermieden werden. Als Ergebnis ist jeder Wafer mit
der Oberseite des Vorsprungs derart in Kontakt, daß im Wafer
im Wesentlichen keine inneren Spannungen verursacht werden, wodurch
das Auftreten von Abgleitungen im Wafer eingeschränkt wird.
Weiter ist der Außenumfang
des Wafers nicht in Kontakt mit dem Haltevorrichtungskörper, und
es ist möglich,
den Wafer ohne eine Beeinträchtigung
durch von der Oberfläche
herabhängende
Tropfen des Außenumfangs abschnitts
des Wafers gleichmäßig zu haltern,
so daß im
Wafer keine Abgleitungen bewirkt werden.
-
Weiter ist es möglich, Wafer verschiedener Durchmesser
auf dem gleichen Haltevorrichtungskörper sicher zu haltern, ohne
daß dieser
von einer entsprechenden vorbestimmten Position abweicht, dadurch,
daß am
Außenumfang
des Haltevorrichtungskörpers
ein sich nach oben erstreckender konvexer Ring ausgebildet ist,
eine Mehrzahl von ringartigen Vorsprüngen unterschiedlichen Durchmessers auf
dem Haltevorrichtungskörper
innerhalb des konvexen Rings ausgebildet sind und diese ringartigen Vorsprünge tiefer
als der konvexe Ring ausgebildet sind, derart, daß diese
ringartigen Vorsprünge
von dem am weitesten außen
liegenden Vorsprung zu den inneren hin aufeinanderfolgend tiefer
liegen, wobei der am weitesten außen liegende Vorsprung der höchste von
diesen ist.
-
Weiter werden durch Schlichten der
Oberseite des Vorsprungs die Erhebungen, die auf der Oberseite des
Vorsprungs, etwa bedingt durch Kornwachstum bei einer CVD-Behandlung,
verursacht werden, entfernt, wodurch die Oberseite des Vorsprungs
geglättet
wird. Demzufolge wird beim Plazieren eines Wafers auf dem Vorsprung
bewirkt, daß dieser
mit der Oberseite des Vorsprungs gleichmäßig in Kontakt ist, derart,
daß im
Wafer im Wesentlichen keine inneren Spannungen verursacht werden,
d.h. derart, daß der
spezifische Flächendruck
des Wafers vermindert und die Belastung des Wafers verteilt wird,
so daß im
Wafer keine Abgleitungen bewirkt werden.
-
Das Abfasen des Umfangs der Oberseite des
Vorsprungs nach deren Schlichten entfernt die scharfen Kanten, welche
am Umfang der Oberseite des Vorsprungs durch das Schlichten von
dieser verursacht wurden, so daß keine
Abgleitungen, welche durch den Umfang der Oberseite des Vorsprungs
bedingt sind, im Wafer hervorgerufen werden, sogar wenn der Wafer
auf dem Vorsprung plaziert ist.
-
Dadurch, daß im Mittelpunkt des Haltevorrichtungskörpers ein
Durchgangsloch ausgebildet ist, durch welches ein Tauchkolben lose
eingeführt
wird, wird durch Einführen
und Verschieben des Tauchkolbens in das Durchgangsloch hinein und
aus diesem heraus ermöglicht,
daß der
Wafer vom Haltevorrichtungskörper
entnommen oder auf diesen aufgelegt werden kann. Demzufolge können die
Arbeitsgänge zum
Auflegen des Wafers auf den Haltevorrichtungskörper und zum Abnehmen des Wafers
von diesem relativ problemlos durchgeführt werden.
-
Weiter können die Arbeitsgänge zum
Unterbringen der Wafer im Wärmebehandlungsofen
und zum Entnehmen der Wafer aus diesem in kurzer Zeit problemlos
durchgeführt
werden, und zwar dadurch, daß die
Höhe des
Vorsprungs zwischen 2,0 bis 20 mm beträgt, eine zur Aufnahme einer
Gabel dienende Aussparung, in welche die jeweilige Wafer-Transportgabel
eingesetzt werden kann, in einem Abschnitt des konvexen Rings ausgebildet
ist, und dadurch, daß die
Bodenwandung der zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparung so
ausgebildet ist, daß sie
in derselben Ebene wie der Haltevorrichtungskörper im Bereich des konvexen
Rings liegt.
-
Ebenso können, ähnlich wie in obigem Beispiel,
die Arbeitsgänge
zum Unterbringen der Wafer im Wärmebehandlungsofen
und zum Entnehmen der Wafer aus diesem in kurzer Zeit problemlos
durchgeführt
werden, und zwar dadurch, daß die
Höhe des Vorsprungs
zwischen 2,0 bis 20 mm beträgt,
eine Mehrzahl von zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparungen,
in welche die jeweilige Wafer-Transportgabel eingesetzt werden kann,
in Abschnitten des konvexen Rings und den Vorsprüngen ausgebildet ist, und dadurch,
daß die
Bodenwandungen dieser zur Aufnahme einer Gabel dienenden Aussparungen
so ausgebildet sind, daß sie
in derselben Ebene wie der Haltevorrichtungskörper im Bereich des konvexen
Rings und der Vorsprünge
liegen.
-
Durch Abfasen beider Enden der Vorsprünge nach
dem Schlichten der Oberseiten der Vorsprünge werden die scharfen Kanten
entfernt, welche bei den beiden Enden der Vorsprünge durch das Schlichten der
Oberseiten der Vorsprünge
verursacht wur den, so daß im
Wafer keine Abgleitungen verursacht werden, sogar wenn der Wafer
auf den Vorsprüngen
plaziert ist.
-
INDUSTRIELLE
VERWENDBARKEIT
-
Die Wafer-Haltevorrichtung der Erfindung läßt sich
für eine
Wärmebehandlung
eines Silizium-Wafers verwenden, und insbesondere für eine Hochtemperatur-Glühbehandlung
bei der Fertigung eines SIMOX-Wafers.