CN102764740A - 适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤：步骤一、半导体芯片提取；步骤二、半导体芯片背面泡酸；步骤三、半导体芯片背面去酸；步骤四、半导体芯片去离子水清洗。本发明用镊子或者吸笔提取半导体芯片不容易造成碎片，将半导体芯片背面氧化层能够去除干净又保证芯片正面不与酸液接触，使二种目的都能实现，与后期加工工艺达到最佳匹配，全面提高产品稳定性及可靠性。该适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺具有既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的优点。

Description

适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺

技术领域

本发明涉及一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。

背景技术

长期以来，半导体芯片封装时打线一直采用金线，随着近年来市场竞争的白热化，产品的成本降低、产品的可靠性已经成为各个封装厂家产品竞争力的主要标准。各封装厂家为了降低生产成本，逐渐由目前的金线改为铜线或铝线，对半导体芯片正面压点铝层有了更高要求。而作为分立器件制造中的最后一道工序——背面金属化，由于该工序为了保证芯片的可靠性，降低背面接触电阻，需对背面进行去氧化层的泡酸处理，泡酸过程中对正面铝层的保护成为一道难道。

在本发明作出以前，常用的适用于半导体芯片背面金属化前处理的泡酸工艺主要采用以下两个技术：

现行工艺一、将需要进行泡酸处理的芯片全部浸入酸液中一段时间。其不足之处在于：

1、半导体芯片正面压点铝层存在一定的腐蚀，半导体芯片正面压点铝层质量下降，影响后期制程；

2、背面氧化层不能完全去除干净，造成背面金属化工艺不稳定，易造成致命失效；

3、与后续工艺配合不佳。

现行工艺二、将半导体芯片的正面用胶膜进行保护，再进行泡酸作业。其不足之处在于：

1、成本较高；

2、操作复杂，硅片较薄时不易加工。

综上所述：现行的两种工艺无法达成既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的要求。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺。

本发明的目的是这样实现的：

一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤：

步骤一、半导体芯片提取

采用镊子夹取或者吸笔吸取半导体芯片，

当半导体芯片厚度小于100微米时，采用镊子夹取半导体芯片边缘；

当半导体芯片厚度不小于100微米时，采用吸笔吸取半导体芯片1/3~1/2半径处的偏心位置；

步骤二、半导体芯片背面泡酸

将镊子夹取或者吸笔吸取的半导体芯片放入到泡酸容器中进行背面泡酸，所述泡酸容器中设置有衬垫，所述衬垫上浸满酸液，所述酸液的液位比衬垫高出0~2mm，所述半导体芯片正面向上放置于衬垫的上表面，所述衬垫为耐酸多孔衬垫；

步骤三、半导体芯片背面去酸

采用镊子夹取或者吸笔吸取背面泡酸完成的半导体芯片，对半导体芯片的背面进行去离子水冲洗；

步骤四、半导体芯片去离子水清洗

将背面去酸完成的半导体芯片浸在去离子水的片架中进行半导体芯片去离子水清洗，去离子水清洗时间为5~10min。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明用镊子或者吸笔提取半导体芯片不容易造成碎片，将半导体芯片背面氧化层能够去除干净又保证芯片正面不与酸液接触，使二种目的都能实现，与后期加工工艺达到最佳匹配，全面提高产品稳定性及可靠性。该适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺具有既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的优点。

附图说明

图1为本发明适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺的半导体芯片背面泡酸步骤示意图。

其中：

半导体芯片1

泡酸容器2 

衬垫3

酸液4。

具体实施方式

本发明涉及的一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，它包括以下工艺步骤：

步骤一、半导体芯片提取

采用镊子夹取或者吸笔吸取半导体芯片1，

当半导体芯片厚度小于100微米时，采用镊子夹取半导体芯片边缘；

当半导体芯片厚度不小于100微米时，采用吸笔吸取半导体芯片1/3~1/2半径处的偏心位置。

步骤二、半导体芯片背面泡酸

将镊子夹取或者吸笔吸取的半导体芯片1放入到泡酸容器2中进行背面泡酸，所述泡酸容器2中设置有衬垫3，所述衬垫3上浸满酸液4，所述酸液4的液位比衬垫3高出0~2mm，所述半导体芯片1正面向上放置于衬垫3的上表面，所述衬垫3为耐酸多孔衬垫。保证半导体芯片背面泡酸完成后半导体芯片背面呈“疏水”状，“疏水”状主要指半导体芯片从酸液取出后，大部分酸液立即从半导体芯片背面滑落，半导体芯片背面干燥。

步骤三、半导体芯片背面去酸

采用镊子夹取或者吸笔吸取背面泡酸完成的半导体芯片，对半导体芯片的背面进行去离子水冲洗。保证半导体芯片背面全部用去离子水冲洗到。

步骤四、半导体芯片去离子水清洗

将背面去酸完成的半导体芯片浸在去离子水的片架中进行半导体芯片去离子水清洗，去离子水清洗时间为5~10min。

Claims (1)

1.一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤：

步骤一、半导体芯片提取

采用镊子夹取或者吸笔吸取半导体芯片，

当半导体芯片厚度小于100微米时，采用镊子夹取半导体芯片边缘；

当半导体芯片厚度不小于100微米时，采用吸笔吸取半导体芯片1/3~1/2半径处的偏心位置；

步骤二、半导体芯片背面泡酸

将镊子夹取或者吸笔吸取的半导体芯片放入到泡酸容器中进行背面泡酸，所述泡酸容器中设置有衬垫，所述衬垫上浸满酸液，所述酸液的液位比衬垫高出0~2mm，所述半导体芯片正面向上放置于衬垫的上表面，所述衬垫为耐酸多孔衬垫；

步骤三、半导体芯片背面去酸

采用镊子夹取或者吸笔吸取背面泡酸完成的半导体芯片，对半导体芯片的背面进行去离子水冲洗；

步骤四、半导体芯片去离子水清洗

将背面去酸完成的半导体芯片浸在去离子水的片架中进行半导体芯片去离子水清洗，去离子水清洗时间为5~10min。

Images