-
Die vorliegende Erfindung betrifft
eine Halbleiterherstellungsvorrichtung, die insbesondere ein vertikales
Reaktionsrohr aufweist, das gleichzeitig eine Vielzahl von Halbleiterscheiben
verarbeiten kann.
-
Da thermische Prozesse während der
Halbleiterherstellung beträchtliche
Zeit in Anspruch nehmen, ist es bevorzugt, dass eine Vielzahl von
Halbleiterscheiben gleichzeitig verarbeitet wird. Im Allgemeinen
werden ein Scheibenladeschiffchen als Scheibenladeeinrichtung, an
dem Halbleiterscheiben horizontal angeordnet werden können, und
ein vertikales Reaktionsrohr in Röhrenform als Halbleiterherstellungsanordnung
während
der ther mischen Prozesse verwandt, da die Gleichförmigkeit
der thermischen Prozesse durch die Gleichförmigkeit des Reaktionsgasstromes
beeinflusst wird. Im Scheibenladeschiffchen sind Schlitze in regelmäßigen vertikalen Abständen zum
Halten der Halbleiterscheiben ausgebildet, wobei wenigstens eine
oder zwei Kanten der Halbleiterscheiben in die Schlitze eingepasst werden.
-
Da jedoch bei einer derartigen herkömmlichen
Halbleiterherstellungsvorrichtung die Halbleiterscheiben an ihren
Rändern
gehalten sind, die in den Schlitzen angeordnet sind, konzentriert
sich die Haltekraft am Randbereich der Halbleiterscheiben, der mit
den Schlitzen in Kontakt steht. Bei einem thermischen Prozess auf
hoher Temperatur konzentriert sich eine erhebliche Haltekraft an
den Rändern
der Halbleiterscheiben, da die Belastung aufgrund des Eigengewichtes
der Scheiben und die thermische Belastung aufgrund der verschiedenen
Wärmedehnungen
an den Halbleiterscheiben liegen, was letztendlich zu einer mechanischen
Verformung der Halbleiterscheiben in Form einer Verbiegung, einer
Rundung und einer Verwerfung führt.
Derartige mechanische Verformungen sind ein noch größeres Problem bei
großformatigen
Halbleiterscheiben, deren Durchmesser bei 300 mm (12 Inch) und mehr
liegt, was die Zuverlässigkeit
des Arbeitsprozesses herabsetzt. Um derartige mechanische Verformungen
der Scheiben aufgrund der thermischen Bearbeitung auf hoher Temperatur
zu vermeiden und die Gewichtsbelastungen und thermischen Belastungen
der Scheiben gleichmäßig zu verteilen,
wird ein Ladeschiffchen benötigt,
das in der Lage ist, die gesamte Unterseite oder einen Teil der
Fläche
der Halbleiterscheiben zu halten oder zu stützen. Eine Halbleiterherstellungsvorrichtung
mit einer zusätzlichen
Halteeinrichtung wird jedoch kompliziert sein und dennoch keine
vollständige
Lösung
hinsichtlich der Vermeidung mechanischer Verformungen trotz der
höheren
Prozesskosten liefern, wobei der Benutzer Schwierigkeiten beim Einladen
und Entladen der Halbleiterscheiben haben wird.
-
Um das oben beschriebene Problem
und die damit zusammenhängenden
Probleme zu lösen,
soll durch die vorliegende Erfindung eine Halbleiterherstellungsvorrichtung
geschaffen werden, die in der Lage ist, mechanische Verformungen
von Halbleiterscheiben mit großem
Durchmesser während
eines thermischen Prozesses zu vermeiden und bei der die Zeit zum
Laden und Entladen der Halbleiterscheiben auf eine Platte und von
einer Platte, die als Scheibenhalter dient, herabgesetzt werden
kann, was die Kosten der Halbleiterherstellung senkt.
-
Dazu umfasst die erfindungsgemäße Halbleiterherstellungsvorrichtung,
die in der Lage ist, eine Vielzahl von Halbleiterscheiben in. ein
vertikales Reaktionsrohr zu laden und einen thermischen Prozess durchzuführen, ein
erstes Scheibenladeschiffchen, das im Reaktionsrohr angebracht ist
und mehrere Halterstützen
aufweist, die Scheibenhalter in Form einer Platte stützen, wobei
die Scheibenhalter vertikal in bestimmten regelmäßigen Abständen eingeladen sind und die
Halbleiterscheiben darauf liegen, ein zweites Scheibenladeschiffchen,
das sich innerhalb oder außerhalb
des ersten Scheibenladeschiffchens befindet und Scheibenstützen aufweist,
die sich unter den Halbleiterscheiben befinden, um die Halbleiterscheiben,
die auf dem Scheibenhalter liegen, zu unterstützen, eine Plattenkappe, die
das erste Scheibenladeschiffchen und das zweite Scheibenladeschiffchen
an ihren unteren Teilen hält,
eine Türplatte,
die die Plattenkappe an ihrem unteren Teil hält, und eine Hubeinrichtung,
die das erste Scheibenladeschiffchen und/oder das Scheibenladeschiffchen
vertikal bewegt und die Halbleiterscheiben, die auf dem Scheibenhalter
liegen, vom Scheibenhalter auf eine bestimmte Höhe trennt.
-
Das zweite Scheibenladeschiffchen
liegt insbesondere innen neben dem ersten Scheibenladeschiffchen.
Das erste Scheibenladeschiffchen umfasst erste Stützen, die
so angeordnet sind, dass sie einen Aufnahmeraum in Form eines Zylinders
innen im ersten Scheibenladeschiffchen bilden, eine erste obere
Platte und eine erste untere Platte, an denen beide Enden der ersten
Stützen
befestigt sind, und Halterstützen,
die an den ersten Stützen
in einem bestimmten vertikalen Abstand ausgebildet sind, um die Scheibenhalter
horizontal zu halten. Die Halterstützen sind entweder Schlitze,
die dadurch gebildet sind, dass die ersten Stützen mit Nuten oder Rillen versehen
sind. Die Halterstützen
können
auch Vorsprünge
sein, die unter einem rechten Winkel bezüglich der ersten Stützen in
Richtung auf die Mitte des Aufnahmeraumes über eine bestimmte Strecke
vorstehen.
-
Das zweite Scheibenladeschiffchen
umfasst zweite Stützen,
die so angeordnet sind, dass sie einen Aufnahmeraum in Form eines
Zylinders im Inneren des zweiten Scheibenladeschiffchens bilden, eine
zweite obere Platte und eine zweite untere Platte, an denen die
beiden Enden der zweiten Stützen befestigt
sind, und Scheibenstützen,
die an den zweiten Stützen
in bestimmten vertikalen Abständen
ausgebildet sind, um die Halbleiterscheiben horizontal zu halten.
Die Scheibenstützen
sind Vorsprünge,
die von den zweiten Stützen über eine
bestimmte Strecke vorstehen. Die Vorsprünge können oder sollten schräg unter
einem bestimmten Winkel verlaufen.
-
Die Scheibenstützen weisen weiterhin Haltevorsprünge auf,
die von den Enden der Vorsprünge nach
oben auf eine bestimmte Höhe
verlaufen. Die Enden der Haltevorsprünge sind schräg nach innen oder
außen
zur Mitte des Aufnahmeraumes ausgebildet. Die Scheibenstützen können Schlitze
sein, die dadurch gebildet sind, dass die zweiten Stützen mit Nuten
oder Rillen versehen sind. Der Boden des Schlitzes, auf dem eine
Halbleiterscheibe aufliegt, ist unter einem bestimmten Winkel nach
unten geneigt. Der bestimmte Winkel ist ein Schrägwinkel im Bereich von 0,1° bis 45° gegenüber der
Horizontalen.
-
Ein Scheibenhalter umfasst eine Hauptplatte,
die eine Kreisplatte ist, wobei Öffnungsteile
am Rand der Kreisplatte ausgebildet sind, damit sich das zweite
Scheibenladeschiffchen und die Scheibenstützen, die Vorsprünge oder
die Stützen
frei hindurch bewegen können.
Die Öffnungsteile
verlaufen vom Außenumfang
der Hauptplatte zur Mitte der Hauptplatte über eine bestimmte Strecke
und in einer bestimmten Form.
-
Die Plattenkappe hält die unteren
Teile des ersten Scheibenladeschiffchens und des zweiten Scheibenladeschiffchens.
-
Die Hubeinrichtung bewegt sich elektrisch mittels
eines Verfahrens der Feinsteuerung eines Motors oder hydraulisch über einen
Fluiddruck. Die Hubeinrichtung ist entweder mit dem unteren Teil
des zweiten Scheibenladeschiffchens verbunden sein und das zweite
Scheibenladeschiffchen vertikal bewegen. Die Hubeinrichtung kann
auch mit dem unteren Teil des ersten Scheibenladeschiffchens verbunden
sein und das erste Scheibenladeschiffchen vertikal bewegen. Die
Hubeinrichtung weist eine Hubsteuerung auf, die die Höhe steuert,
auf die das erste Scheibenladeschiffchen und das zweite Scheibenladeschiffchen
im Zwischenraum jedes Schlitzes der Halterstützen bewegt werden.
-
Das zweite Scheibenladeschiffchen
befindet sich neben dem ersten Scheibenladeschiffchen und die Scheibenstützen des
zweiten Scheibenladeschiffchens können Vorsprünge sein.
-
Die erfindungsgemäße Halbleiterherstellungsvorrichtung
weist zwei Schiffchen, nämlich
ein erstes Scheibenladeschiffchen, in das Scheibenhalter geladen
werden, und ein zweites Scheibenladeschiffchen auf, das sich an
der Innenseite oder Außenseite
des ersten Scheibenladeschiffchens befindet und in das die Halbleiterscheiben
geladen werden können,
um die Halbleiterscheiben auf eine bestimmte Höhe von den Scheibenhaltern
anzuheben. Es ist daher möglich,
die Halbleiterscheiben zu laden oder zu entladen, ohne die Scheibenhalter
aus dem ersten Scheibenladeschiffchen zu entladen. Das Einladen
oder Entladen der Halbleiterscheiben kann daher in einer kürzeren Zeit
durchgeführt
werden.
-
Darüber hinaus ist die Wärmeverteilung
in den Halbleiterscheiben gleichmäßig, da die Halbleiterscheiben
auf den Scheibenhaltern liegen, die gewöhnlich aus einem wärmeleitenden
Mate rial bestehen, wenn die Halbleiterscheiben eingeladen werden.
Die Gleichmäßigkeit
des Halbleiterherstellungsprozesses kann dadurch verbessert werden.
-
Wenn weiterhin eine Scheibe sich
während des
thermischen Prozesses auf hoher Temperatur durchbiegt, kann die
Mitte der Scheibe im idealen Fall die Mitte des Scheibenhalters
mit einem optimierten Kontaktbereich berühren, um die mechanische Verformung
so klein wie möglich
zu halten, indem der Zwischenraum zwischen dem ersten Scheibenladeschiffchen
und dem zweiten Scheibenladeschiffchen vor Prozessbeginn eingestellt
wird. Es ist möglich, den
Zwischenraum dynamisch selbst während
des Prozesses einzustellen.
-
Schließlich kann die Form der Scheibenhalter
verändert
werden, um den Kontaktbereich der Halbleiterscheiben mit den Scheibenhaltern
zu optimieren. Es kann damit vermieden werden, dass während des
thermischen Prozesses mechanische oder physikalische Defekte im
Kontaktbereich auftreten.
-
Im Folgenden werden anhand der zugehörigen Zeichnungen
besonders bevorzugte Ausführungsbeispiele
der Erfindung näher
beschrieben. Es zeigen.
-
1 in
einer Schnittansicht eine Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung,
-
2A eine
vergrößerte seitliche
Schnittansicht des Teils A in 1,
-
2B eine
seitliche Schnittansicht eines Doppelschiffchens, das bei einem
Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
vorgesehen ist,
-
3 eine
Draufsicht auf ein Doppelschiffchen, das bei einem Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
vorgesehen ist,
-
4 eine
Draufsicht auf ein Doppelschiffchen im auseinandergenommenen Zustand,
das bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung
vorgesehen ist,
-
5 eine
Draufsicht auf ein Doppelschiffchen bei einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung,
-
6 eine
Draufsicht auf einen Scheibenhalter, der bei dem in 5 dargestellten Ausführungsbeispiel verwandt wird,
-
7 eine
Draufsicht eines Doppelschiffchens bei dem Ausführungsbeispiel von 5,
-
8 eine
vergrößerte Draufsicht
auf den Teil B in Fig.
-
9A bis 9D Schnittansichten eines
Scheibenhalters eines zweiten Scheibenladeschiffchens eines Ausführungsbeispiels
der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
-
10A eine
Schnittansicht, eines Scheibenhalters eines zweiten Scheibenladeschiffchens eines
Ausführungsbeispiels
der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
-
10B eine
Schnittansicht einer gebogenen Halbleiterscheibe auf einem Scheibenhalter
des zweiten Scheibenladeschiffchens von 10A nach einem thermischen Prozess auf
hoher Temperatur,
-
11 eine
Schnittansicht eines Doppelschiffchens bei einem der Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
-
12A eine
seitliche Schnittansicht eines Doppelschiff chens bei einem Ausführungsbeispiel der
erfindungsgemäßen Vor
richtung in einem Reaktionsrohr,
-
12B eine
seitliche Schnittansicht eines Doppelschiffchens beim Laden und
Entladen einer Halbleiterscheibe und
-
12C in
einer seitlichen Schnittansicht die Handhabung einer Halbleiterscheibe
in einem Doppelschiffchen bei einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung.
-
1 zeigt
in einer Schnittansicht ein Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Halbleiterherstellungsvorrichtung. 2A zeigt eine vergrößerte Schnittansicht
des Teils A in 1. 2B zeigt eine seitliche
Schnittansicht des Doppelschiffchens bei dem Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
-
Wie es in 1 dargestellt ist, weist eine Vorrichtung
zum Herstellen von Halbleiterscheiben ein Reaktionsrohr 30 für einen
thermischen Prozess auf. Ein Doppelschiffchen mit einem ersten Scheibenladeschiffchen 10 und
einem zweiten Scheibenladeschiffchen 20, in die Halbleiterscheiben 100 geladen
sind, befindet sich im Reaktionsrohr 30. Das erste Scheibenladeschiffchen 10 weist
eine Vielzahl von Scheibenstützen,
die horizontal verlaufen, und eine Plattenkappe 40 auf,
die den unteren Teil des Doppelschiffchens stützt. Die Vorrichtung umfasst weiterhin
eine Türplatte 50,
die die Plattenkappe 40 von unten stützt, das Doppelschiffchen in
das Reaktionsrohr 30 eingibt und das Doppelschiffchen aus dem
Reaktionsrohr 30 herauszieht, sowie eine Hubeinrichtung 50,
die eine Platte des Doppelschiffchens vertikal innerhalb eines begrenzten
Höhenbereiches bewegt.
-
Wie es in den 2A und 2B dargestellt
ist, weist das Doppelschiffchen ein erstes Scheibenladeschiffchen 10 und
ein zweites Scheibenladeschiffchen 20 innen vom ersten
Scheibenladeschiffchen 10 auf.
-
Im ersten Scheibenladeschiffchen 10 ist
eine Anzahl von wenigstens drei ersten Stützen 11 parallel zueinander
so angeordnet, dass ein zylindrischer Raum zum Aufnehmen von Halbleiterscheiben 100 gebildet
ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel
sind vier erste Stützen 11 vorgesehen.
Eine erste obere Platte 12a und eine erste untere Platte 12b,
die dazu dienen, die ersten Stützen 11 jeweils
auf der gleichen Höhe
zu befestigen, sind mit den beiden Enden der ersten Stützen 11 verbunden.
Jede erste Stütze 11 weist
eine Halterstütze 11a auf,
indem ein Schlitz auf eine bestimmte Tiefe in jeder ersten Stütze 11 ausgebildet
ist, so dass eine. kreisförmige
Platte auf die Haltestütze 11a gesetzt
werden kann. Die Halterstütze 11a ist
in Form eines Schlitzes ausgebildet. Ein Scheibenhalter 25 in
Form einer kreisförmigen
Platte liegt auf der Halterstütze 11a.
Die Halterstütze 11a kann
ein Teil sein, der über
eine bestimmte Strecke von der inneren Mitte jeder ersten Stütze 11 vorsteht. Das
Intervall zwischen den Halterstützen 11a ist
groß genug,
damit ein Scheibenladeblatt (nicht dargestellt) unter die Halbleiterscheibe 100 eingesetzt
werden kann.
-
Im zweiten Scheibenladeschiffchen 20 ist
ein Anzahl von wenigstens drei zweiten Stützen 21 parallel zueinander
so angeordnet, dass ein zylindrischer Raum zum Aufnehmen der Halbleiterscheiben 100 gebildet
ist. Eine zweite obere Platte 22a und eine zweite untere
Platte 22b, die dazu dienen, die zweiten Stützen 21 jeweils
auf der gleichen Höhe
zu befestigen, sind mit beiden Enden der zweiten Stützen 21 verbunden.
An jeder zweiten Stütze 21 steht eine
Scheibenstütze 20a auf
eine bestimmte Länge von
der Innenseite jeder zweite Stütze 21 vor,
um beide Ränder
der Halbleiterscheiben 100 anzuheben. Die Scheibenstützen 20a befinden
sich an der Unterseite des Scheibenhalters 25 und ihre
Position ändert sich
in dem Teil zwischen den Halterstützen 11a, wenn die
Halbleiterscheibe angehoben wird.
-
Die ersten Stützen 11 und die zweiten
Stützen 21 sind
so angeordnet, dass sie einander nicht überlappen, so dass vermieden
werden kann, dass die Scheibenstützen 20a durch
einen überlappenden Öffnungsteil 25a des
Scheibenhalters 25 gehen und die Halbleiterscheibe 100 durch
den Scheibenhalter 25 nicht unterstützt ist.
-
Das erste Scheibenladeschiffchen 10 und das
zweite Scheibenladeschiffchen 20 werden durch eine darunterliegende
Plattenkappe 40 gehalten. Die Hubeinrichtung 70,
die sich durch die Plattenkappe 40 hindurch erstreckt,
ist mit dem unteren Teil des ersten Scheibenladeschiffchens 10 oder
des zweiten Scheibenladeschiffchens 20 verbunden und bewegt das
erste Scheibenladeschiffchen 10 oder das Scheibenladeschiffchen 20,
so dass sie die Halbleiterscheibe 100 auf eine bestimmte
Höhe vom
Scheibenhalter 25 anhebt.
-
Das erste Scheibenladeschiffchen 10 und das
zweite Scheibenladeschiffchen 20 sind aus Quarz oder Siliziumkarbid
SiC gebildet, die hochtemperaturfest sind. In ähnlicher Weise besteht der Scheibenhalter 25 aus
Quarz oder Siliziumkarbid SiC. Unter Berücksichtigung der Wärmeleitfähigkeit oder
der Wärmeabsorption
ist es jedoch wünschenswert,
dass der Scheibenhalter 25 aus Siliziumkarbid SiC besteht.
Insbesondere bei einem thermischen Prozess auf sehr hoher Temperatur
ist es wünschenswert,
dass das erste und das zweite Scheibenladeschiffchen und der Scheibenhalter 25 aus
Siliziumkarbid SiC gebildet sind.
-
3 zeigt
eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel
eines Doppelschiffchens bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung. 4 zeigt eine Draufsicht auf ein Doppelschiffchen
im auseinandergenommenen Zustand für ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
-
Wie es in den 3 und 4 dargestellt
ist, ist das erste Scheibenladeschiffchen 10 so angebracht, dass
es den Außenkreis
bildet und ist der Scheibenhalter 25 auf der Halterstütze 11a angeordnet,
die im ersten Scheibenladeschiffchen 10 enthalten ist.
-
Der Scheibenhalter 25 weist
eine Hauptplatte 25b in Form einer Kreisplatte und einen Öffnungsteil 25a auf,
der vom Außenumfang
der Hauptplatte 25b zur Mitte verläuft. Der Öffnungsteil 25a ist
so ausgebildet, dass sich die zweiten Stützen 21 des zweiten
Scheibenladeschiffchens 20 vertikal über einen kleinen Raum durch
den Öffnungsteil 25a anheben.
Die Breite des Öffnungsteil 25a ist
größer als
die Größe des Scheibenhalters 20a.
-
Das zweite Scheibenladeschiffchen 20 ist
innen vom ersten Scheibenladeschiffchen 10 ausgebildet.
Die Halbleiterscheiben 100 befinden sich im Inneren des
zweiten Scheibenladeschiffchens 20. Ein Teil des Außenumfangs
der Halbleiterscheiben 100 wird somit durch die Scheibenhalter 20a des
zweiten Scheibenladeschiffchens 20 gehalten. Die Scheibenhalter 25 sind
daher nur durch die Halterstützen 11a des
ersten Scheibenladeschiffchens 10 gestützt und die Halbleiterscheiben 100 sind
sowohl durch die Halterstütze 11a des
ersten Scheibenladeschiffchens 10 als auch das zweite Scheibenladeschiffchen 20 gehalten.
Die Halbleiter scheiben 100 können vom Scheibenhalter 25 auf
eine gegebene Höhe
dadurch angehoben werden, dass entweder das erste Scheibenladeschiffchen 10 oder
das zweite Scheibenladeschiffchen 20 vertikal bewegt wird.
Dabei ist es bevorzugt, dass die Halbleiterscheiben 100 auf
die Mitte des Intervalls zwischen den Halterstützen 11a angehoben
werden. Die Halbleiterscheiben 100 haben daher oberhalb
und unterhalb freie Räume
und können ohne
Kontakt mit benachbarten Halbleiterscheiben eingeladen und entladen
werden.
-
5 zeigt
eine Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Doppelschiffchens
bei der erfindungsgemäßen Halbleiterherstellungsvorrichtung.
-
Wie es in 5 dargestellt ist, weist die erste Stütze 11 eine
Rille oder Nut in ihrer Mitte auf, die zur Mitte des Aufnahmeraumes
gewandt ist. Die zweite Stütze 21 ist
in einer ähnlichen
Position auf dem Umfang wie die erste Stütze 11 angeordnet.
In der zweiten Stütze 21 sind
Schlitze als Scheibenhalter 20a in bestimmten regelmäßigen Abständen ausgebildet. Die
Halterstütze 11a ist
so ausgebildet, dass der Scheibenhalter 25 durch das untere
Ende der ersten Stütze 11 gehalten
ist. Da es nicht notwendig ist, dafür zu sorgen, dass die ersten
Stützen 11 und
die zweiten Stützen 21 versetzt
sind, sind der Aufbau und die Herstellung eines derartigen Doppelschiffchens
einfach.
-
6 zeigt
die Draufsicht auf einen Scheibenhalter, der bei dem in 5 dargestellten Ausführungsbeispiel
verwandt wird. Wie es in 6 dargestellt
ist, ist der Öffnungsteil 25a in
Form eines Rechteckes in dem Bereich der Hauptplatte 25b ausgebildet,
um den herum eine zweite Stütze 21 angeordnet ist,
um für
den Fall vorbereitet zu sein, dass die zweite Stütze 21 einen Querschnitt
in Form eines Rechteckes hat. Es ist wünschenswert, dass die Form
des Öffnungsteils 25a gleich
der Form des Querschnittes der zweiten Stütze 21 ist.
-
7 zeigt
eine Draufsicht auf ein Doppelschiffchen, das aus dem Ausführungsbeispiel
von 5 entwickelt wurde. 8 zeigt eine Draufsicht auf
den Teil B in 7.
-
Wie es in den 7 und 8 dargestellt
ist, ist die erste Stütze 11 des
ersten Scheibenladeschiffchens 10 ähnlich der von 5. Der Scheibenhalter 20a der
zweiten Stütze 21 hat
jedoch die Form eines Vorsprungs und nicht eines Schlitzes.
-
Die 9A bis 9D zeigen in Schnittansichten ein
Ausführungsbeispiel
eines Scheibenhalters des zweiten Scheibenladeschiffchens bei der
erfindungsgemäßen Halbleiterherstellungsvorrichtung.
-
Wie es in 9A dargestellt ist, steht der Scheibenhalter 20a horizontal
unter einem rechten Winkel zur zweiten Stütze 21 vor. Die Oberfläche des Scheibenhalters 20a,
auf der die Halbleiterscheibe 100 liegt, ist eben, so dass
die Halbleiterscheibe 100 stabil gehalten werden kann.
Die obere Außenfläche des-Scheibenhalters 20a ist
insbesondere nahezu rechteckig bzw. quadratisch, so dass die Halbleiterscheibe 100 stabil
auf der Oberfläche
des Scheibenhalters 20a liegen kann.
-
Die 9B bis 9D zeigen Änderungen
im Scheibenhalter 20a von 9A,
bei denen der Scheibenhalter 20a einen gegebenen Winkel
nach oben oder nach unten aus der horizontalen Position heraus hat.
Wenn der Scheibenhalter 20a nach oben geneigt ist, wie
es in 9B dargestellt
ist, ist das Ende, auf dem die Halbleiterscheibe 100 liegt,
abgerundet oder abgeflacht, um zu verhindern, dass Kratzer im Kontaktbereich
der Halbleiterscheibe 100 mit dem Scheibenhalter 20a auftreten.
-
Ein derartiger Scheibenhalter 20a kann
vermeiden, dass Fehler, wie beispielsweise Verwerfungen oder Kratzer
auftreten, wenn die Halbleiterscheibe 100 den Scheibenhalter 20a kontaktiert,
indem der Kontaktflächenbereich
der Halbleiterscheibe 100 mit dem Scheibenhalter 20a so
klein wie möglich
gehalten wird.
-
Wie es in 9D dargestellt ist, weist der Scheibenhalter 20a einen
Stützvorsprung 201a auf, der
von einem Ende des Scheibenhalters 20a nach oben vorsteht.
Bei einem derartigen Scheibenhalter 20a ist die Halbleiterscheibe 100 nicht
von der Oberfläche
des Scheibenhalters 20a sondern von einem Ende des Stütz vorsprungs 201a gehalten.
Das Ende des Stützvorsprunges 201a kann
horizontal oder schräg
nach oben oder nach unten geneigt ausgebildet sein. Der Stützvorsprung 201a mit
einem abgeschrägtem
Ende kann während
thermischer Prozesse auf hoher Temperatur verwandt werden, während der
Stützvorsprung 201a mit
abgeflachtem Ende bei Prozessen im mittleren Temperaturbereich verwandt werden
kann.
-
10A zeigt
eine Schnittansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Scheibenhalters des
zweiten Scheibenladeschiffchens der erfindungsgemäßen Halbleiterherstellungsvorrichtung. 10B zeigt in einer Schnittansicht
eine gewölbte Halbleiterscheibe
auf einem Scheibenhalter des zweiten Scheibenladeschiffchens von 10A nach einem thermischen
Prozess auf hoher Temperatur.
-
Wie es in 10A dargestellt ist, ist der Scheibenhalter 20a in
Form eines Schlitzes ausgebildet, in dem die zweite Stütze 21 mit
einer Rille oder Nut versehen ist. Der untere Teil des Scheibenhalters 20a verläuft schräg unter
einem bestimmten Winkel im Bereich von 0,1° bis 45° nach unten, um den Kontaktflächenbereich
der Halbleiterscheibe 100 mit dem Scheibenhalter 20a so
klein wie möglich
zu halten, so dass nur ein kleiner Teil des Endes der Halbleiterscheibe 100 auf
dem Scheibenhalter 20a aufliegt.
-
Wie es 10B dargestellt
ist, wird im thermischen Prozess auf hoher Temperatur die Halbleiterscheibe 100 erwärmt, so
dass der mittlere Teil der Halbleiterscheibe 100 sich durch
die Schwerkraft nach unten durchbiegt. Diese mechanische Verformung
führt dazu,
dass sich auch die Ränder
der Halbleiterscheibe 100 biegen und somit der Kontaktbereich
der Halbleiterscheibe 100 mit dem Scheibenhalter 20a zunimmt.
Der Stützpunkt
bewegt sich dann zur Mitte der Halbleiterscheibe 100 und
die Haltekraft der Halbleiterscheibe 100, die durchgebogen
ist, wirkt auf eine Fläche
und nicht auf einen Stützpunkt, was
die Beanspruchung oder Spannung in der Halbleiterscheibe 100 herabsetzt.
-
11 zeigt
eine geschnittene Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel
eines Doppelschiffchens für
die erfindungsgemäße Halbleiterherstellungsvorrichtung.
-
Wie es in 11 dargestellt ist, weist jede erste
Stütze 11 zwei
Stützteile
auf, die parallel zueinander angeordnet sind und voneinander um
eine bestimmte Strecke getrennt sind. Die Breite dieser bestimmten
Strecke ist größer als
die Breite des Querschnittes der zweiten Stütze 21. Es kann daher
vermieden werden, dass der Öffnungsteil 25a des Scheibenhalters 25 und
die Haltestütze 11a der
ersten Stütze 11 einander überlappen
und somit der Scheibenhalter 25 nicht gestützt ist.
Eine derartige erste Stütze 11 hat
darüber
hinaus den Vorteil, dass die erste Stütze 11 und die zweite
Stütze 21 symmetrisch
angeordnet werden können.
Dabei können
die erste und die zweite Stütze 11 und 21 zylindrisch oder
mit einem rechteckigen Querschnitt oder einem anderen polygonalen
Querschnitt ausgebildet sein.
-
12A zeigt
eine seitliche Schnittansicht eines Doppelschiffchens gemäß eines
Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung in einem Reaktionsrohr. 12B zeigt eine seitliche Schnittansicht des
Doppelschiffchens beim Einladen und Entladen von Halbleiterscheiben
gemäß eines
Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung.
-
Wie es in 12A dargestellt ist, werden dann, wenn
ein thermischer Prozess durchgeführt wird,
während
Halbleiterscheiben 100 in das Doppelschiffchen eingeladen
sind, die Scheibenhalter 20a des zweiten Scheibenladeschiffchens 20 parallel
zu den Halterstützen 11a des
ersten Scheibenladeschiffchens 10 angeordnet. Die Halbleiterscheiben 100 werden
somit von den Scheibenhaltern 25 gehalten, während sie
diese kontaktieren. Dann wird ein Reaktionsgas in das Reaktionsrohr 30 eingeführt und werden
die Halbleiterscheiben 100 thermische bearbeitet.
-
Wenn gemäß 12B die Halbleiterscheiben 100 be-
oder entladen werden, bevor oder nachdem der thermische Prozess
durchgeführt
ist, wird die Türplatte 50 in 1 abgesenkt und wird das Doppelschiffchen
aus dem Reaktionsrohr 30 in eine Position herausgezogen,
in der die Halbleiterscheiben 100 be- oder entladen werden
können.
Dann hebt die Hubeinrichtung 70 entweder das erste Scheibenladeschiffchen 10 oder
das zweite Scheibenladeschiffchen 20 auf eine bestimmte
Höhe an, um
die Halbleiterscheiben 100 vom Scheibenhalter 25 auf
eine bestimmte Höhe
anzuheben. Die Halbleiterscheiben 100 befinden sich dann
zwischen den Halterstützen 11a und
weisen freie Räume
oberhalb und unterhalb auf.
-
12C zeigt
die Phase der Entladung der Halbleiterscheiben 100 vom
Doppelschiffchen unter Verwendung einer Scheibenhandhabungseinrichtung 150.
-
Wie es 12C dargestellt
ist, wird dann, wenn die Halbleiterscheibe 100 freie Räume oberhalb
und unterhalb aufweist, wie es in 12B dargestellt
ist, eine Klinge oder ein Blatt 151 der Scheibenhandhabungseinrichtung 150 unter
die Halbleiterscheibe 100 eingeführt und wird die Halbleiterscheibe
100 vom zweiten Scheibenladeschiffchen 20 herausgezogen
und in einer Kassette angeordnet, die im Außenraum (nicht dargestellt)
angeordnet ist.
-
Die Halbleiterscheiben 100 könne aus
der Außenkassette
herausgezogen und in den Scheibenhalter 20a des zweiten
Scheibenladeschiffchens 20 geladen werden.
-
Die Hubeinrichtung 70 ist
in der Plattenkappe 40 und der Türplatte 50 unter dem
Doppelschiffchen angebracht. Die Hubeinrichtung 70 hat
die Form eines Zylinders, dessen eines Ende mit der zweiten unteren
Platte 22b verbunden ist, während das andere Ende durch
die Türplatte 50 gehalten
ist. Die Halbleiterscheiben 100 werden somit dadurch angehoben, dass
das zweite Scheibenladeschiffchen 20 etwas angehoben wird.
Um zu verhindern, dass die Halbleiterscheibe 100 am Scheibenhalter 25 aufschlägt, ist es
bevorzugt, dass die Bewegungsbreite oder -strecke der Hubeinrichtung 70 kleiner
als die Breite der Zwischenräume
zwischen den Halterstützen 11a ist. Die
Hubeinrichtung 70 kann elektrisch über ein Verfahren der Feinsteuerung
eines Motors oder fluidhydraulisch durch Druck oder Unterdruck bewegt
werden, wodurch gleichmäßig und
ruckfrei eine große Hubkraft
erzeugt werden kann.
-
Die Hubeinrichtung 70 kann
mit der ersten unteren Platte 12b des ersten Scheibenladeschiffchens 10 verbunden
sein. Die Halbleiterscheiben 100 können somit vom Scheibenhalter 25 abgehoben
werden, indem das erste Scheibenladeschiffchen 10 vertikal
bewegt wird. In diesem Fall muss das erste Scheibenladeschiffchen 10 nach
unten bewegt werden.
-
Wie es oben beschrieben wurde, weist
die erfindungsgemäße Halbleiterherstellungsvorrichtung
ein Doppelschiffchen auf, das dadurch gebildet ist, dass das erste
Scheibenladeschiffchen 10 und das Scheibenladeschiffchen 20 einander überlappen,
wobei die Halbleiterscheiben 100 unter Verwendung der Scheibenhalter 25 gehalten
sind. Halbleiterscheiben mit einem Durchmesser von mehr als 12 Inch,
das heißt
300 mm, können
damit thermisch behandelt werden, ohne dass sie sich bei hoher Temperatur
verbiegen. Darüber
hinaus dient der Scheibenhalter 25 unter den Halbleiterscheiben 100 als
Wärmesenke
in einem Prozess der Ausbildung eines dünnen Filmes durch thermische
Oxidation oder durch chemisches Aufdampfen und bei der Wärmevergütungsbehandlung
und wird die Wärme
gleichmäßig in den
Halbleiterscheiben 100 verteilt. Die Gleichmäßigkeit
des Halbleiterherstellungsprozesses kann daher verbessert werden.
-
Es ist darüber hinaus möglich, direkt
die Halbleiterscheiben in das Doppelschiffchen zu laden oder vom
Doppelschiffchen zu entladen, ohne die Scheibenhalter 25 vom
Doppelschiffchen zu entladen, indem das erste Scheibenladeschiffchen 10 oder
das zweite Scheibenladeschiffchen 20 so ausgebildet sind,
dass es auf eine bestimmte Höhe
angehoben werden kann. Die Halbleiterscheiben 100 können daher
eingeladen oder entladen werden, während sich die Scheibenhalter 25 im
Doppelschiffchen befinden.
-
Was die Arbeitssicherheit anbetrifft,
ist es bevorzugt, dass das jeweils leichtere Schiffchen 10 oder 20 angehoben
wird, wenn die Halbleiterscheiben 100 eingeladen oder entladen
werden.
-
Die Hubeinrichtung 70 kann
unter Plattenkappe 40 oder in der Türplatte 50 vorgesehen
sein, um das erste Scheibenladeschiffchen 10 oder das zweite
Scheibenladeschiffchen 20 anzuheben. Ohne die zusätzliche
Hubeinrichtung 70 kann das zweite Scheibenladeschiffchen 20 in
einer höheren
Position als das erste Scheibenladeschiffchen 10 angeordnet werden,
indem die Türplatte 50 aus
dem Reaktionsrohr 30 abgesenkt wird und die Türplatte 50 auf
dem Boden aufliegt. Da das Doppelschiffchen durch die Schwerkraft
beeinflusst wird, wird dann das zweite Scheibenladeschiffchen 20 auf
eine bestimmte Höhe bezüglich des
ersten Scheibenladeschiffchens 10 angehoben. Die Halbleiterscheiben 100 werden
dadurch vom Scheibenhalter 25 getrennt. Um dabei genau
die Hubhöhe
zu steuern, weist die Hubeinrichtung 70 eine Hubsteuerung
(nicht dargestellt) auf, in der sich ein Motor zum Steuern der Höhe, wie
beispielsweise ein Schrittmotor befindet. Die Hubsteuerung (nicht
dargestellt) kann somit genau die Höhe steuern, auf die die Halbleiterscheiben 100 vom Scheibenhalter 25 angehoben
werden.
-
Die Steuerung (nicht dargestellt)
ist auch mit einer zentralen Steuereinheit (nicht dargestellt) Halbleiterherstellungsvorrichtung
verbunden und kann zur Erzeugung eines Rezeptes für einen
Einheitsprozess gesteuert werden. Dann ist es möglich, die Vorrichtung so zu
programmieren, dass die Höhe
der Halbleiterscheiben 100 gegenüber dem Scheibenhalter 25 während des
thermischen Prozesses entsprechend gesteuert wird.
-
Gemäß der Erfindung ist das erste
Scheibenladeschiffchen 10 außen vom zweiten Scheibenladeschiffchen 20 angeordnet.
Das zweite Scheibenladeschiffchen 20 kann aber auch außen vom
ersten Scheibenladeschiffchen 10 angeordnet sein. In diesem
Fall können
die obigen Ausführungsbeispiele verwandt
werden. Es ist jedoch bevorzugt, dass der Scheibenhalter 20a die
Form eines Vorsprun ges, der von der zweiten Stütze 21 unter der Halbleiterscheibe 100 vorsteht,
und nicht die Form eines Schlitzes hat, der dadurch gebildet ist,
dass die zweite Stütze 21 mit
einer Nut oder einer Rille versehen ist.
-
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung
werden die Halbleiterscheiben durch den Scheibenhalter gehalten,
der sich darunter befindet und können
somit Halbleiterscheiben mit großem Durchmesser ohne mechanische
Verformung gehalten werden.
-
Da darüber hinaus der Scheibenhalter
als Wärmesenke
während
eines thermischen Prozesses dient, kann die Temperatur gleichmäßig kontrolliert und
gesteuert werden, was die Zuverlässigkeit
des Arbeitsvorganges verbessert.
-
Die erfindungsgemäße Halbleiterherstellungsvorrichtung
umfasst ein Doppelschiffchen mit einem Scheibenladeschiffchen, das
die Scheibenhalter hält,
und mit einem Scheibenladeschiffchen, das die Halbleiterscheiben
vom Scheibenhalter auf eine bestimmte Höhe anhebt. Die Halbleiterscheiben
können
daher eingeladen oder ausgeladen werden, ohne die Scheibenhalter
zu entladen. Die für
das Einladen oder Ausladen der Halbleiterscheiben notwendige Zeit
kann dadurch herabgesetzt werden.
-
Darüber hinaus kann die Form des
Scheibenhalters so geändert
werden, dass der Kontaktflächenbereich
zwischen der Halbleiterscheibe und dem Scheibenhalter so klein wie
möglich
ist. In dieser Weise kann verhindert werden, dass mechanische oder
physikalische Fehler im Kontaktbereich während des thermischen Prozesses
auftreten.