JP2918986B2 - 円板状工作物のための工作物支持盤および真空処理チャンバー - Google Patents

円板状工作物のための工作物支持盤および真空処理チャンバー

Info

Publication number
JP2918986B2
JP2918986B2 JP2117006A JP11700690A JP2918986B2 JP 2918986 B2 JP2918986 B2 JP 2918986B2 JP 2117006 A JP2117006 A JP 2117006A JP 11700690 A JP11700690 A JP 11700690A JP 2918986 B2 JP2918986 B2 JP 2918986B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
support
plate
groove
work
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2117006A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0349839A (ja
Inventor
バグナー ルドルフ
ヒルシャー ハンス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BARUTSUERUSU AG
Original Assignee
BARUTSUERUSU AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BARUTSUERUSU AG filed Critical BARUTSUERUSU AG
Publication of JPH0349839A publication Critical patent/JPH0349839A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2918986B2 publication Critical patent/JP2918986B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/136—Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Furnace Charging Or Discharging (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Forging (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)
  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、工作物の支持面を形成する工作物支持具
と、加熱および／または冷却装置と、分配室および工作
物と工作物支持面の間に供給される熱媒体としての気体
により、該工作物と該工作物支持面の間にクッション類
似の気体層を形成するために給気管と接続した分配室と
連通し、多数の吹出し口が貫通する工作物支持台とを具
備する円板状工作物のための工作物支持盤、および該工
作物支持盤を具備する工作物を処理するための真空プロ
セスチャンバーに関する。
〔従来の技術〕
DE−Ａ−3633386により、冒頭に記載した種類の円板
状工作物、すなわち基板のための支持台が公知である。
このような円板状基板を真空処理プロセスで処理するた
めに、支持ブロックに概ね基板の寸法にあわせた凹部を
設け、この成形部が中央に配置した給気管と接続してい
る。
前記凹部に多数の穴をあけた円板を挿入し、その上に
処理せらるべき基板を載せる。これにより、前記円板と
ブロック凹部が気体分配室を形成するため、給気管、前
記分配室および前記円板の吹出し口を介して、熱媒体と
しての気体により、基板と円板によって形成された工作
物支持台との間にエアクッションが形成される。
〔発明が解決しようとする課題並びにその解決手段〕
公知の支持台では、エアクッションを形成する気体は
基板の周縁部から周囲に流出する。これは、特に基板の
真空処理プロセスにこのような支持台を使用する場合、
しばしば不利である。多くの真空処理プロセスでは、プ
ロセスチャンバーに特定の気体を所定量供給する。この
プロセス気体の供給を支持盤における熱伝導のための給
気と独立に行えることが多くの場合に望ましい。
本発明の課題は、前記の種類の支持盤において、熱媒
体として挿入する気体が支持盤の周囲からほとんど流出
せずしかも支持盤をできるだけ簡単な構造で形成するこ
とである。また、熱媒体として気体を使用することによ
り、極めて正確な温度で工作物の処理が可能となる。
この課題は、特許請求の範囲第１項記載の特徴を有す
る冒頭に記載した種類の支持盤によって解決される。
その際、特許請求の範囲第１項において前書き部およ
び諸特徴、特に支持面において吹出し口のほかに、吸気
管に接続した通気室と連通する吸込み口が開口している
という特徴により定義された本発明の一部は、本部分出
願の発明者とJ.Visser氏（フィリップス・リサーチ・ラ
ボラトリーズ、アイントホーフェン、オランダ）との個
人的かつ内密の会談の枠内で後者が行った部分出願番号
3943478の対象に関する通知に基づいている。本出願
は、特にプレートに作り付けた１または複数の溝による
分配室の改良された仕様に関するものである。この場
合、「溝」とは、縦方向の延長が断面の２つの延長に比
べて著しく長い、ある物体に作り付けた凹み、すなわ
ち、流路状の細溝を意味する。
〔実施例〕
以下に、本発明を図面を用いて説明する。
第１図に垂直断面図を示す支持構成（以下昇降盤１と
呼ぶ）は、階段状に形成されたケーシング２を具備す
る。ケーシング２において柱状体３が軸受４により上下
方向移動可能に支持されている。軸受には、柱状体３を
ケーシング２に回転不可能に支持するために、さねはぎ
原理に基づく図示しない装置を具備する玉軸受ブシュを
用いる。上端部において柱状体３が柱状体の軸と共軸に
取り付け、円板状工作物６を載せる工作物支持台５を担
持する。工作物支持台５の下方に距離をおいて、柱状体
３がリングフランジ７を担持する。リングフランジ７に
おいて、第１図に示すように円周上に分布しリングフラ
ンジを貫通する開口部８を設け、各々の３個の開口部に
軸受体９を取り付けている。各軸受体９は、下端部にお
いて結合部材11を介してマイクロモータ12と結合したシ
ャフト10を回転可能に支持している。マイクロモータは
リングフランジ７の下方でリングフランジ下側に固着し
たケーシング13に取り付けられている。上端部では、シ
ャフト10がシャフト軸に対し直角に伸びた２部分からな
るアーム14を担持している。アーム14は、シャフトに平
行な旋回軸17により互いに結合した２個のアーム部材15
および16をつかむ。外側アーム部材16は、シャフト10に
固定したアーム部材15と反対側に旋回可能である。アー
ム14は他端に、軸受体18を担持している。軸受体18にお
いて、玉軸受ブシュ19によりシャフト10の軸と平行な棒
体20が軸方向に移動可能に支持されている。棒体20は棒
体を包囲する圧縮ばね21に抗して、軸方向に移動可能に
保持されている。圧縮ばね21は圧縮された棒体20を再び
上方に移動させる。この目的のために圧縮ばね21は、下
端部で軸受体18に支持され、上端部で棒体に固着したフ
ランジ22に支持されている。それによって、金属蛇腹部
23およびこれに接続した下端部を閉じた軸受体18の内部
に、閉じた空間が生じる。この空間に、アーム14を介し
内側に貫入する可とう管が開口している。可とう管24は
弾力的であるため、アーム14の部分15および16は相互に
旋回可能である。シャフト10は中空であり、この中空部
に可とう管24が接続している。シャフト10のモータ側端
部で、中空部25は横方向穴26を介して、リングフランジ
７により半径方向に貫通する管路27に接続している。管
路27は、図示しない方法で真空源に接続しているため、
前記の互いに結合したすべての空間を廃気できる。万一
摩耗によって発生する粒子があったとしてもこの粒子は
吸い出され、昇降盤が作動する空間には到達しない。同
様に、軸受９および19においても不純物はこの空間に到
達しない。
第１図に、アームおよび図示の平面内においてこれに
接続する部分の縦断面図を示す。ただし、実際には、ア
ーム14は、第２図に示すように、縦断面に対し一定角度
で延びているため、前記棒体20は実際には工作物支持台
５の側方で終わり、端部に例えばころ軸受28として形成
された回転リングを担持し、ころ軸受上方に円板29を担
持する。円板29は、工作物支持台５に載せた円板状工作
物の縁部をつかみ、工作物を保持する。工作物台におけ
る工作物の位置を修正するために、マイクロモータ12に
より惹起された旋回運動において、棒体20がシャフト10
として形成された回転基部の旋回により工作物６に押し
付けられると、回転リング28は回動を可能にする。能動
部材としての棒体と、マイクロモータによる棒体の支持
および旋回運動に関与する前記のすべての部分は、以下
に保持部材30と称する。
第２図に示すように、合計３個の保持部材が存在し、
そのうち１個は棒体および上部円板29とともに工作物支
持台の対称軸29上にあり、他の２個の保持部材30は対称
軸の両側で対向している。第２図による平面図に示すよ
うに、円板支持台５とその上に載る円板上工作物６とは
同一の輪郭、すなわち片側で弦に沿った直線縁部32を有
する円形を有する。最初に、対称軸31の両側に位置する
２個の保持部材30を、モータ12によりシャフト10の軸を
中心に保持部材を旋回させて前記直線縁部に押し付け
る。円板状工作物６の場合、この直線縁32はフラットと
も呼ぶ。次いで、反対側の保持部材30を旋回させ、工作
物に押し付ける。工作物が最初に直線縁部32により、隣
合う２個の保持部材30と正確に平行に位置決めされない
場合、反対側の保持部材が工作物を２個の保持部材に密
接させる。工作物が例えば半導体基板の場合、それによ
って基板方位が修正されるが、これは次の加工段階にと
って非常に重要である。
第１図に、保持部材の係合位置を上下方向に移動する
昇降盤の下部及び中間部に示す。また、旋回運動によっ
て係合を離脱した位置を第１図の上部に示す。これによ
れば、保持部材は小さい角度でのみ旋回し、係合離脱位
置においてカバー34の下に入る。工作物支持台５が上昇
すると棒体20はカバー34に押し付けられるため、棒体は
ばね21の作用に抗し内側に押し付けられる。この上昇位
置において、工作物支持台５は真空チャンバー壁35内に
あるプロセスチャンバー36に進入する。このとき、保持
部材30はカバー34の下に保護されるため、プロセスチャ
ンバー36内で行われる工作物表面の処理、例えばアルミ
ニウム被覆や腐食プロセスは、保護された保持部材には
作用しない。それゆえ、保持部材に被覆が積み重なるこ
とはない。
工作物支持台５と真空チャンバー壁35の間に、軸受に
付随する可動リング38によって覆われた環状空隙部37が
存在する。リング38の内周に複数のフック39を設け、工
作物支持台５が上昇位置にあるとき、リング38は工作物
６の縁部に懸装される。リングは同時に重量体の働きを
し、工作物を固定する。
柱状体３に固着したリングフランジ７は、外縁部で柱
状体と共軸の円筒体40と結合している。工作物支持台５
と反対側で下方に位置する円筒体40の上部端面41が弁閉
鎖部材として形成され、昇降盤が加工位置に上昇する
と、真空チャンバー壁35において弁座として形成された
リング面42と接触する。そして、この位置で工作物支持
台５は加工またはプロセスチャンバー36に突出し、同時
にチャンバーは隣接空間に対して密閉される。柱状体３
とリングフランジ43に固定した円筒体40の間に環状空間
43が存在し、ここに保持部材30の主要部分を収容する。
そのうち棒体20のみが環状空間から上方に突出する。
上端部がリングフランジ７の下側に、下端部がケーシ
ング２の底部に固定された金属蛇腹部44により、同様に
減圧され、リングフランジ７の下方の空間と結合し、従
って下方に接続する他の空間から遮断せらるべき空間に
おいて、工作物支持台５の上下方向の運動が可能とな
る。
第１図に示す昇降盤により、プロセスチャンバー36に
おいて、温度もしくは温度分布を非常に正確に制御し、
たとえば一定に保持しながら工作物６の特定の処理を実
施することが可能となる。
処理を高温で実施できるように、工作物支持台５の上
方部分に電気加熱装置50を装備している。第３図に、こ
の電気加熱装置の垂直断面図を拡大して示す。この電気
加熱装置はプレート51を具備する。第４図に示すように
プレート51では、プレート表面に均等に分布して、階段
状断面を有する円形溝52が形成されている。
互いに隣接する円が接続部54によって結合している同
心円53上の溝52の低部は、第４図に示すようにプレート
中心から外側に向かって連続的に延びる加熱用コイル56
を収容するための細溝を形成する。第４図の半分には、
プレート51の平面図を示す。第４図の他の半分には、プ
レート51に覆われ、これと結合したプレート55の平面図
を示す。プレート表面全体に分布して配置され、半径方
向に互いに結合した溝52をプレート55によって覆うこと
により、気体分配のための管路が形成される。
第３図に示すように、すべての溝52は断面が階段状に
形成され、広い上部と狭い下部からなる。下部には、プ
レート中心部からプレート縁部に延びる電気加熱用コイ
ル56が配置されている。広い溝上部は、プレート中心部
で、溝52に開口する給気管路57と接続された分配室を形
成する。カバープレート55は表面に分布して、たとえば
規則的に分布して、プレートを貫通し溝52に開口する多
数の小さい孔58を具備する。これらの孔58を介して溝52
を流れる気体が流出しプレート55の表面とその上に位置
する工作物との間に気体層を形成する。その際、この気
体はプレート55の表面から工作物の裏面への熱伝導を高
める働きをする。さらに、この気体は、工作物が全表面
にわたり制御して、たとえば完全に均等に加熱されるこ
とを保証する。この方法により、工作物はたとえば500
℃に加熱することができる。気体を再び吸入するために
プレート51およびカバープレート55に全表面に分布し
て、たとえば規則的に分布して溝52の脇に溝52に沿って
２枚のプレートを直線上に貫通する大きい孔59を具備す
る。これらの孔59は、プレート51の下方で気体吸入室60
に開口し、ここから気体が排出される。プレート周縁部
に沿ったスリット状開口部61も気体吸入の働きをし、気
体が処理室に到達しないことを保証する。
工作物６を均等に加熱するのに役立つ動的エアクッシ
ョンは、昇降盤によって上方に移動した工作物が第１図
に示すプロセスチャンバー36に位置するとき機能する。
工作物６がエアクッションもしくは気体層によって工作
物支持台５から下降しないように、リングに固定したフ
ック39により工作物６の縁部に懸装された可動リング38
によって工作物６に重量を加える。
加熱用コイルを運転しない場合は、エアクッションと
気体の吹出しおよび吸込みは、特に工作物の冷却もしく
は排熱の働きをする。
必要に応じ、加熱装置に代えて、たとえば加熱用コイ
ルの代わりに、または支持盤を形成するプレート内部に
冷媒管を具備する冷却装置を設けることもできる。さら
に、集気室または２つの室を前記溝構造物内に形成する
ことも可能であろう。
【図面の簡単な説明】
第１図は、装入される処理チャンバーに対する円板状工
作物の種々の位置を破線で示し、発明による支持盤を包
含する支持構成の第２図II−IIによる垂直断面図を表
す。 第２図は、保持部材を具備する支持構成の主要部分の平
面図を表す。 第３図は、第１図による支持構成における発明による工
作物支持盤の第４図III−IIIによる拡大垂直断面図を表
す。 第４図は、カバープレートを省略した第３図による支持
盤の２分された層平面図を表す。 １……昇降盤、２……ケーシング、 ３……柱状体、５……工作物支持台、 ６……工作物、７……リングフランジ、 ８……開口部、９……軸受体、 10……シャフト、12……マイクロモータ、 13……ケーシング、14……アーム、 15……アーム部材、16……外側アーム部材、 20……棒体、21……ばね、 30……保持部材、34……カバー、 35……真空チャンバー壁、 36……プロセスチャンバー、 38……可動リング、39……フック、 40……円筒体、42……リング面、 43……リングフランジ、44……金属製蛇腹部、 50……電気加熱装置、51,55……プレート、 52……円形溝、56……加熱用コイル、 57……吸気管路、58……多数の孔、 60……気体吸入室、61……スリット状開口部。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−163035（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−49248（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−73724（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23Q 3/08

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】工作物の支持面を形成する工作物支持台
    と、 分配室と連通し、支持面に分布して開口する多数の吹出
    し口と、 支持面と工作物の間に熱を伝導するクッション類似の気
    体層を形成するために、分配室および吹出し口を介して
    気体を供給するための分配室に接続した給気管と、 供給気体の加熱および／または冷却装置と、を具備す
    る、真空設備において表面処理を施される円板状工作物
    のための工作物支持盤において、 支持面に吹出し口（58）のほかに多数の吹込み口（59）
    が開口し、 該吹込み口が、給気管と同時作動する排気管と接続した
    排気室（60）と連通していること、および少なくとも１
    つの室がプレート（51）に設けた少なくとも１個の溝
    （52）によって形成されていることを特徴とする工作物
    支持盤。
  2. 【請求項２】分配室が、工作物支持台を形成するカバー
    プレート（55）に覆われた溝によって形成されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の工作物支持
    盤。
  3. 【請求項３】溝（52）が実質的に同心円として延びてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
    記載の工作物支持盤。
  4. 【請求項４】円が接続部（54）によって実質的に半径方
    向に互いに接続していることを特徴とする特許請求の範
    囲第３項記載の工作物支持盤。
  5. 【請求項５】溝が工作物支持台（５）の中心部で排気管
    （57）と接続していることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項から第４項までのいずれか一に記載の工作物支持
    盤。
  6. 【請求項６】プレート（51）および溝のカバープレート
    （55）が互いに結合していることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項から第５項までのいずれか一に記載の工作
    物支持盤。
  7. 【請求項７】プレート（51）に加熱用コイル（56）を設
    けていることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第
    ６項までのいずれか一に記載の工作物支持盤。
  8. 【請求項８】溝（52）に加熱用コイル（56）を設けてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の工作物
    支持盤。
  9. 【請求項９】プレート（51）の下方に排気室（60）を配
    置し、溝の脇に吸込み口（59）を設けていることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項から第８項までのいずれか
    一に記載の工作物支持盤。
  10. 【請求項１０】工作物支持台（５）の周縁部において、
    吸込み口が該周縁部に沿ったスリット（61）として形成
    されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項から
    第９項までのいずれか一に記載の工作物支持盤。
  11. 【請求項１１】工作物を支持台（５）に保持するため
    に、工作物の周縁部に係合する保持リング（38）を設け
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第10
    項までのいずれか一に記載の工作物支持盤。
  12. 【請求項１２】リング（38）が工作物の周縁部に係合す
    る複数のフック（39）を具備することを特徴とする特許
    請求の範囲第11項記載の工作物支持盤。
  13. 【請求項１３】リングが可動であり、工作物の周縁部に
    重量を加えることを特徴とする特許請求の範囲第11項ま
    たは第12項記載の工作物支持盤。
  14. 【請求項１４】特許請求の範囲第１項から第13項までの
    いずれか一に記載の工作物支持盤を具備する工作物
    （６）を処理するための真空プロセスチャンバー（3
    6）。
JP2117006A 1989-05-08 1990-05-08 円板状工作物のための工作物支持盤および真空処理チャンバー Expired - Lifetime JP2918986B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3915039A DE3915039A1 (de) 1989-05-08 1989-05-08 Hubtisch
DE3915039.9 1989-05-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0349839A JPH0349839A (ja) 1991-03-04
JP2918986B2 true JP2918986B2 (ja) 1999-07-12

Family

ID=6380264

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2115925A Pending JPH02308547A (ja) 1989-05-08 1990-05-07 昇降盤と運搬方法
JP2117006A Expired - Lifetime JP2918986B2 (ja) 1989-05-08 1990-05-08 円板状工作物のための工作物支持盤および真空処理チャンバー

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2115925A Pending JPH02308547A (ja) 1989-05-08 1990-05-07 昇降盤と運搬方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US5051054A (ja)
EP (2) EP0396923B1 (ja)
JP (2) JPH02308547A (ja)
KR (3) KR900017725A (ja)
AT (2) ATE85589T1 (ja)
DD (2) DD298435A5 (ja)
DE (5) DE3915039A1 (ja)
ES (2) ES2038012T3 (ja)

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5180000A (en) * 1989-05-08 1993-01-19 Balzers Aktiengesellschaft Workpiece carrier with suction slot for a disk-shaped workpiece
JP2911997B2 (ja) * 1989-10-20 1999-06-28 日本電気株式会社 半導体ウェハーへのテープ貼付装置
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
US5578532A (en) * 1990-07-16 1996-11-26 Novellus Systems, Inc. Wafer surface protection in a gas deposition process
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5230741A (en) * 1990-07-16 1993-07-27 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
JP2728766B2 (ja) * 1990-07-18 1998-03-18 株式会社東芝 半導体の処理方法およびその装置
JP2625310B2 (ja) * 1991-01-08 1997-07-02 シマテク，インコーポレイテッド シリコンウェハーの製造方法および装置
US5186238A (en) * 1991-04-25 1993-02-16 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling chuck for semiconductor wafer processing
US5267607A (en) * 1991-05-28 1993-12-07 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JPH05121543A (ja) * 1991-08-09 1993-05-18 Teikoku Seiki Kk ウエハーマウンタのウエハー支持方法、その装置及びその装置を備えるウエハーマウンタ
DE4235676C2 (de) * 1992-10-22 1997-08-28 Balzers Hochvakuum Vakuumkammer zum Transport scheibenförmiger Werkstücke in einer Vakuumanlage
JPH06158361A (ja) * 1992-11-20 1994-06-07 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
KR960006956B1 (ko) * 1993-02-06 1996-05-25 현대전자산업주식회사 이시알(ecr) 장비
EP0611273B1 (de) * 1993-02-08 1998-09-16 SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG Träger für scheibenförmige Gegenstände
NL9300389A (nl) * 1993-03-04 1994-10-03 Xycarb Bv Substraatdrager.
US5738165A (en) * 1993-05-07 1998-04-14 Nikon Corporation Substrate holding apparatus
US5540821A (en) * 1993-07-16 1996-07-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for adjustment of spacing between wafer and PVD target during semiconductor processing
US5588827A (en) * 1993-12-17 1996-12-31 Brooks Automation Inc. Passive gas substrate thermal conditioning apparatus and method
US5791895A (en) * 1994-02-17 1998-08-11 Novellus Systems, Inc. Apparatus for thermal treatment of thin film wafer
KR970005686B1 (ko) * 1994-04-28 1997-04-18 한국베리안 주식회사 박막열처리 장치
DE4425874A1 (de) * 1994-07-09 1996-01-11 Ges Zur Foerderung Angewandter Optik Optoelektronik Quantenelektronik & Spektroskopie Ev Substratträger
US6053982A (en) * 1995-09-01 2000-04-25 Asm America, Inc. Wafer support system
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US5697427A (en) * 1995-12-22 1997-12-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cooling a substrate
US5828070A (en) * 1996-02-16 1998-10-27 Eaton Corporation System and method for cooling workpieces processed by an ion implantation system
US5844205A (en) * 1996-04-19 1998-12-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated substrate support structure
DE19620234A1 (de) * 1996-05-20 1997-11-27 Holtronic Technologies Ltd Verfahren und Vorrichtung zum Positionieren eines Substrats
US5772773A (en) * 1996-05-20 1998-06-30 Applied Materials, Inc. Co-axial motorized wafer lift
US6183565B1 (en) * 1997-07-08 2001-02-06 Asm International N.V Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
DE19700839C2 (de) * 1997-01-13 2000-06-08 Siemens Ag Chuckanordnung
US5985115A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Novellus Systems, Inc. Internally cooled target assembly for magnetron sputtering
TW589391B (en) * 1997-07-08 2004-06-01 Unaxis Trading Ag Process for vacuum treating workpieces, and corresponding process equipment
DE19754390A1 (de) * 1997-12-08 1999-06-10 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Verkleben zweier flacher, kreisscheibenförmiger Substrate aus einem Kunststoff zu einer digital video disc
EP0908876A3 (de) 1997-10-08 2002-02-13 Leybold Systems GmbH Verfahren zum Verkleben eines flachen, kreisscheibenförmigen ersten Substrats aus einem Kunststoff mit einem ebensolchen zweiten Substrat zu einer digital video disc und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6073681A (en) * 1997-12-31 2000-06-13 Temptronic Corporation Workpiece chuck
US6328096B1 (en) 1997-12-31 2001-12-11 Temptronic Corporation Workpiece chuck
DE19833227A1 (de) * 1998-07-23 2000-02-03 Wacker Siltronic Halbleitermat Vorrichtung zum Anordnen von Scheiben aus Halbleitermaterial
DE19853605A1 (de) * 1998-11-20 2000-05-25 Philips Corp Intellectual Pty Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer Leuchtschicht
US7002744B2 (en) * 1999-11-22 2006-02-21 Younger Mfg. Co. Dba Younger Optics Polarized optical part using high impact polyurethane-based material
US6583638B2 (en) * 1999-01-26 2003-06-24 Trio-Tech International Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system
US6271676B1 (en) * 1999-03-02 2001-08-07 Tsk America, Inc. Spiral chuck
US6464795B1 (en) * 1999-05-21 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member for a processing chamber
US6187134B1 (en) 1999-07-09 2001-02-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Reusable wafer support for semiconductor processing
KR100351049B1 (ko) * 1999-07-26 2002-09-09 삼성전자 주식회사 웨이퍼 가열 방법 및 이를 적용한 장치
US6196532B1 (en) 1999-08-27 2001-03-06 Applied Materials, Inc. 3 point vacuum chuck with non-resilient support members
MY120869A (en) * 2000-01-26 2005-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment apparatus and method
WO2004011953A1 (en) * 2000-03-15 2004-02-05 Tsk America, Inc. Spiral chuck
US7037797B1 (en) * 2000-03-17 2006-05-02 Mattson Technology, Inc. Localized heating and cooling of substrates
US6444027B1 (en) * 2000-05-08 2002-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process
US20010035403A1 (en) 2000-05-18 2001-11-01 Albert Wang Method and structure for producing flat wafer chucks
JP2004505443A (ja) 2000-07-10 2004-02-19 テンプトロニック　コーポレイション 交互配置された加熱および冷却要素と交換可能な上面アセンブリと硬膜層表面とをもつ熱プレートを有するウェーハチャック
US6394440B1 (en) 2000-07-24 2002-05-28 Asm America, Inc. Dual orientation leveling platform for semiconductor apparatus
US6628503B2 (en) 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications
DE60106577T8 (de) * 2001-05-31 2006-04-27 Alcatel Abnehmbare Schirmvorrichtung für Plasmareaktoren
KR100411297B1 (ko) * 2002-01-17 2003-12-24 미래산업 주식회사 반도체 소자 테스트 핸들러의 소자 이송장치
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
DE10319379A1 (de) 2003-04-30 2004-11-25 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Transportieren eines flachen Substrats in einer Vakuumkammer
EP1719167B1 (en) 2004-02-13 2011-10-26 ASM America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
EP1738251A2 (en) * 2004-04-16 2007-01-03 Cascade Basic Research Corp. Modelling relationships within an on-line connectivity universe
US7462246B2 (en) * 2005-04-15 2008-12-09 Memc Electronic Materials, Inc. Modified susceptor for barrel reactor
US7185412B2 (en) * 2005-05-02 2007-03-06 Precision Spherical Corp. Multi-axis, processor-controlled, toolhead positioner
US7429718B2 (en) * 2005-08-02 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Heating and cooling of substrate support
DE102007026348A1 (de) * 2007-06-06 2008-12-11 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor
US8092606B2 (en) 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
US8336188B2 (en) * 2008-07-17 2012-12-25 Formfactor, Inc. Thin wafer chuck
JP2011035022A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Murata Machinery Ltd 天井搬送車
DE102009044276A1 (de) 2009-10-16 2011-05-05 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit auf einem mehrere Zonen aufweisenden Gaspolster liegenden Substrathalter
US8519729B2 (en) 2010-02-10 2013-08-27 Sunpower Corporation Chucks for supporting solar cell in hot spot testing
CN103293862B (zh) * 2012-02-22 2015-04-15 上海微电子装备有限公司 硅片边缘保护装置
CN103014650B (zh) * 2012-12-28 2014-12-03 无锡中微高科电子有限公司 蒸发台用的圆片放置夹具
CN105370357B (zh) * 2015-09-30 2018-09-18 河南飞龙(芜湖)汽车零部件有限公司 一种排气歧管夹持盘架
US10501844B2 (en) * 2016-07-25 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Fine leveling of large carousel based susceptor
US10468290B2 (en) 2016-11-02 2019-11-05 Ultratech, Inc. Wafer chuck apparatus with micro-channel regions
CN106586648B (zh) * 2017-02-08 2019-04-05 三明市普诺维机械有限公司 一种负压配气盘
CN107190245B (zh) * 2017-05-23 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 用于蒸镀装置的载板及其蒸镀装置
CN107499905A (zh) * 2017-09-25 2017-12-22 广州启盈机电设备有限公司 一种定位装置
CN108098623A (zh) * 2017-11-30 2018-06-01 江门市兆业科技有限公司 一种电子产品外壳加工夹持装置
AT521222B1 (de) * 2018-05-07 2020-04-15 Engel Austria Gmbh Vorrichtung zum Handhaben und lokalen Fixieren
CN108544365A (zh) * 2018-07-05 2018-09-18 潘真清 一种零件加工用夹紧装置
CN114619080A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 宁波聚士捷机械股份有限公司 一种高精度精密加工用数控雕铣机

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3717439A (en) * 1970-11-18 1973-02-20 Tokyo Shibaura Electric Co Vapour phase reaction apparatus
US4139051A (en) * 1976-09-07 1979-02-13 Rockwell International Corporation Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces
US4183545A (en) * 1978-07-28 1980-01-15 Advanced Simiconductor Materials/America Rotary vacuum-chuck using no rotary union
US4242038A (en) * 1979-06-29 1980-12-30 International Business Machines Corporation Wafer orienting apparatus
US4909314A (en) * 1979-12-21 1990-03-20 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4680061A (en) * 1979-12-21 1987-07-14 Varian Associates, Inc. Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4448404A (en) * 1980-11-18 1984-05-15 Nippon Kogaku K. K. Device for holding a sheet-like sample
US4512391A (en) * 1982-01-29 1985-04-23 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet
US4508161A (en) * 1982-05-25 1985-04-02 Varian Associates, Inc. Method for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer
JPS6060060A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 株式会社日立製作所 鉄道車両の扉開閉装置
US4603466A (en) * 1984-02-17 1986-08-05 Gca Corporation Wafer chuck
US4548699A (en) * 1984-05-17 1985-10-22 Varian Associates, Inc. Transfer plate rotation system
JPS60245778A (ja) * 1984-05-21 1985-12-05 Hitachi Ltd 薄膜形成装置
JPS61239624A (ja) * 1985-04-16 1986-10-24 Toshiba Mach Co Ltd ロ−デイング装置およびロ−デイング方法
CA1300357C (en) * 1986-04-04 1992-05-12 Materials Research Corporation Method and apparatus for handling and processing wafer-like materials
US4705951A (en) * 1986-04-17 1987-11-10 Varian Associates, Inc. Wafer processing system
EP0250064A2 (en) * 1986-06-20 1987-12-23 Varian Associates, Inc. Wafer processing chuck using multiple thin clamps
DE3633386A1 (de) * 1986-10-01 1988-04-14 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten im vakuum
US4721462A (en) * 1986-10-21 1988-01-26 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Active hold-down for heat treating
JPS6411320A (en) * 1987-07-06 1989-01-13 Toshiba Corp Photo-cvd device
US4816732A (en) * 1987-08-17 1989-03-28 Sgs Thomson Microelectronics, Inc. Robotic hand for transporting semiconductor wafer carriers
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US4949783A (en) * 1988-05-18 1990-08-21 Veeco Instruments, Inc. Substrate transport and cooling apparatus and method for same
US4944860A (en) * 1988-11-04 1990-07-31 Eaton Corporation Platen assembly for a vacuum processing system

Also Published As

Publication number Publication date
US5033538A (en) 1991-07-23
EP0396923B1 (de) 1993-02-10
EP0397029A2 (de) 1990-11-14
KR920701534A (ko) 1992-08-12
DE3943478C2 (de) 1995-11-16
DE3915039A1 (de) 1990-11-15
ES2038016T3 (es) 1993-07-01
ATE85589T1 (de) 1993-02-15
KR0132665B1 (ko) 1998-04-13
DE59000868D1 (de) 1993-03-25
DE3915039C2 (ja) 1992-01-09
US5051054A (en) 1991-09-24
DE3943482A1 (de) 1990-11-15
KR900017725A (ko) 1990-12-19
EP0397029A3 (en) 1990-12-12
DE3943482C2 (de) 1994-07-07
EP0397029B1 (de) 1993-02-10
DE59000869D1 (de) 1993-03-25
KR0166973B1 (ko) 1999-01-15
DD298435A5 (de) 1992-02-20
ES2038012T3 (es) 1993-07-01
DD298450A5 (de) 1992-02-20
JPH0349839A (ja) 1991-03-04
EP0396923A1 (de) 1990-11-14
ATE85658T1 (de) 1993-02-15
JPH02308547A (ja) 1990-12-21
DE3943478A1 (de) 1990-11-15
KR900017726A (ko) 1990-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2918986B2 (ja) 円板状工作物のための工作物支持盤および真空処理チャンバー
US8715418B2 (en) Semiconductor processing system; a semiconductor processing chamber; and a method for loading, unloading and exchanging semiconductor work pieces from a semiconductor processing chamber
JPH0236276Y2 (ja)
JP2642005B2 (ja) 基板支持装置
JP3178824B2 (ja) 複合形単一ウエーハ用の高生産性形マルチステーシヨン方式処理装置
US5180000A (en) Workpiece carrier with suction slot for a disk-shaped workpiece
US5199483A (en) Method and apparatus for cooling wafers
JPH01252770A (ja) 工作物を保持する装置
TWI847817B (zh) 減少背側基板接觸的基板傳送機制
JP2002313709A (ja) 基板の処理装置及び搬送アーム
JPH10154739A (ja) 超高スループット・ウェハ真空処理システム
US20020094260A1 (en) Apparatus and methods for manipulating semiconductor wafers
JPH08339948A (ja) 真空処理装置
TW201538784A (zh) 在半導體腔室中的晶圓旋轉
JPH10163185A (ja) 遠隔プラズマ源
JPH10275848A (ja) デュアル・ブレード・ロボット
JPH10154705A (ja) タンデム型処理室
JPH10154738A (ja) ウェハ・カセット回転台及びオンザフライ・ウェハ・センタ・ファインディングを有する前置ウェハ・ステージング
JP2005167270A (ja) 真空処理装置および真空処理方法
JPH06283431A (ja) 基板支持装置、基板支持・運搬装置、及び基板裏側への被着防止方法
JPH1041253A (ja) ウェハ表面上にシャドウリング及びパージを有するヒータ
US10361104B2 (en) Ambient controlled transfer module and process system
US6547559B1 (en) Clamping of a semiconductor substrate for gas-assisted heat transfer in a vacuum chamber
TW201349377A (zh) 獨立晶圓處理的方法及設備
JPH10154704A (ja) 処理室排気システム

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423

Year of fee payment: 12