JPS60245778A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS60245778A JPS60245778A JP10051884A JP10051884A JPS60245778A JP S60245778 A JPS60245778 A JP S60245778A JP 10051884 A JP10051884 A JP 10051884A JP 10051884 A JP10051884 A JP 10051884A JP S60245778 A JPS60245778 A JP S60245778A
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- Japan
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- substrate
- cooling
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
- C23C16/463—Cooling of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、成膜装置の基板電極構造に係り、特に真空中
で基板の表面に薄膜を形成させる成膜装置の基板電極構
造に関する。
で基板の表面に薄膜を形成させる成膜装置の基板電極構
造に関する。
基板上に薄膜を形成する方法の一つとして、真空中で基
板上に薄膜を気相成長させる化学蒸着を利用した方法が
あるが、そのための成膜装置は、真空室内に原料ガス制
御部と反応室部を備えており、反応室部では基板を加熱
する手段が採られている。
板上に薄膜を気相成長させる化学蒸着を利用した方法が
あるが、そのための成膜装置は、真空室内に原料ガス制
御部と反応室部を備えており、反応室部では基板を加熱
する手段が採られている。
従来、このような成膜装置の基板電極構造としては、第
１図に示すようなものが知られている。１は基板電極で
、フランジ９によって大気とシールされて真空容器壁４
に固定されることにより、真空容器内に配設されている
。基板電極１の内部には複数のヒータ２が埋設しである
。
１図に示すようなものが知られている。１は基板電極で
、フランジ９によって大気とシールされて真空容器壁４
に固定されることにより、真空容器内に配設されている
。基板電極１の内部には複数のヒータ２が埋設しである
。
このヒータ２は、真空用フランジ３を介して真空容器壁
４の外部の大気中で、電源５と接続している。基板電極
１上には、薄膜を形成すべき基板（図示せず）が配置さ
れており、この基板はヒータ２で加熱される。また、基
板電極１の内部には、基板の温度状態を検知するための
温度検出素子６が埋設しである。この温度検出素子６は
電線７ａ、７ｂにより真空用フランジ３を・通って温度
測定器８と接続している。
４の外部の大気中で、電源５と接続している。基板電極
１上には、薄膜を形成すべき基板（図示せず）が配置さ
れており、この基板はヒータ２で加熱される。また、基
板電極１の内部には、基板の温度状態を検知するための
温度検出素子６が埋設しである。この温度検出素子６は
電線７ａ、７ｂにより真空用フランジ３を・通って温度
測定器８と接続している。
このような基板電極構造において、電源５によってヒー
タ２に電圧を印加すると、ヒータ２は発熱し基板電極１
は加熱される。そして、基板電極１上に配置した基板も
加熱されることとなる。基板電極１の温度は、温度検出
素子６で検知されており、温度測定器８が所望の基準温
度Ｔを感知すると、ヒータ２に対する電圧供給を断つ様
になっている。
タ２に電圧を印加すると、ヒータ２は発熱し基板電極１
は加熱される。そして、基板電極１上に配置した基板も
加熱されることとなる。基板電極１の温度は、温度検出
素子６で検知されており、温度測定器８が所望の基準温
度Ｔを感知すると、ヒータ２に対する電圧供給を断つ様
になっている。
ところが、従来の基板電極構造では、基板電極１の１点
の温度しか監視しておらず、しかも基板電極１内部のヒ
ータ２からの熱放出率は一様でなく場所によって異なる
ために、基板電極１の全面に渡って基準温度Ｔである保
障は得られなかった。この為、基板の均一な加熱が期待
できないという欠点を有していた。
の温度しか監視しておらず、しかも基板電極１内部のヒ
ータ２からの熱放出率は一様でなく場所によって異なる
ために、基板電極１の全面に渡って基準温度Ｔである保
障は得られなかった。この為、基板の均一な加熱が期待
できないという欠点を有していた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、基板の全面に渡って高品質で均一な薄
膜を形成するために、基板を均一に加熱するとともに高
い精度で温度を制御することを可能ならしめる成膜装置
の基板電極構造を提供することにある。
膜を形成するために、基板を均一に加熱するとともに高
い精度で温度を制御することを可能ならしめる成膜装置
の基板電極構造を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、基板電極
１上に複数のヒータとそれらの一群と対をなす温度検出
体をそれぞれ分散して埋設するとともに、各ヒータと略
対を成す冷却溝を基板電極内部に設け、各ヒータの温度
並びに各冷却溝に流す冷却用媒体の流量をそれぞれ個別
に制御するようにした成膜装置の基板電極構造を提供す
る。
１上に複数のヒータとそれらの一群と対をなす温度検出
体をそれぞれ分散して埋設するとともに、各ヒータと略
対を成す冷却溝を基板電極内部に設け、各ヒータの温度
並びに各冷却溝に流す冷却用媒体の流量をそれぞれ個別
に制御するようにした成膜装置の基板電極構造を提供す
る。
以下、本発明の一実施例８−第２図及び第３図によって
説明する。
説明する。
真空室１１内には、基板電極１２と高周波電極２６が収
容され、基板電極１２はフランジ２０によって真空室１
１にシールして固着され、電極板３０ヲ備えた高周波電
極２６はフランジ２９によって真空室１１にシールして
固着されている。高周波電極２９と基板電極１２には、
便、８波％＃３３から高周波型。
容され、基板電極１２はフランジ２０によって真空室１
１にシールして固着され、電極板３０ヲ備えた高周波電
極２６はフランジ２９によって真空室１１にシールして
固着されている。高周波電極２９と基板電極１２には、
便、８波％＃３３から高周波型。
圧が印加されている。真壁室１１内は排気口３２ａ。
３２ｂを介して図示しない排気系によって排気され、高
真空状態になる構造になっている。
真空状態になる構造になっている。
基板電極１２内には、外１１１］ヒータ１３ａ、１３ｂ
、１３Ｃと内側ヒータ１４ａ、１４ｂが第３図に示す様
に埋設され、更には外側ヒータ１３ａと１３ｂの間に温
度検出素子１５ａが埋設され、内側ヒータト１ａと１４
ｂの間には温度検出素子１ｒｉｂが埋設されている。
、１３Ｃと内側ヒータ１４ａ、１４ｂが第３図に示す様
に埋設され、更には外側ヒータ１３ａと１３ｂの間に温
度検出素子１５ａが埋設され、内側ヒータト１ａと１４
ｂの間には温度検出素子１ｒｉｂが埋設されている。
又、基板電極１２内には、外側’ｃ −夕１３ａ、１．
３ｂ。
３ｂ。
１３Ｇと内側ヒータ１４１，１４ｂに対向して冷却ガス
導入溝］、６ａ 、 １６ｂ 、 １７ａ 、 １７ｂ
が設けられている。冷却ガス導入溝１６ａ、１６ｂ、は
互いに連通しており（図示せず）、ガス導入バイブ１８
ａによって冷却ガスを導入し、ガス排出バイブ１８ｂに
よって排出する構造になっている。同様に、冷却ガス導
入Ｉ￥＃１７ａ、１７ｂも互いに連通しており（図示せ
ず）ガス導入バイブ１９ａによって冷却ガスを導入し、
カス排出バイブ１９ｂによって排出する構造になってい
る。ガス導入バイブ１８ａ、１ｇａとカス導出バイブ１
８ｂ、１．９ｂは、第２図に示す様に真空用フランジ２
１を介して大気側に導出され、ガス導入バイブ１８ａ
、 １９ａに流ずガス流量はそれぞれガス流量調整器２
５ａ 、 ２５ｂによって鼎整される様になっている。
導入溝］、６ａ 、 １６ｂ 、 １７ａ 、 １７ｂ
が設けられている。冷却ガス導入溝１６ａ、１６ｂ、は
互いに連通しており（図示せず）、ガス導入バイブ１８
ａによって冷却ガスを導入し、ガス排出バイブ１８ｂに
よって排出する構造になっている。同様に、冷却ガス導
入Ｉ￥＃１７ａ、１７ｂも互いに連通しており（図示せ
ず）ガス導入バイブ１９ａによって冷却ガスを導入し、
カス排出バイブ１９ｂによって排出する構造になってい
る。ガス導入バイブ１８ａ、１ｇａとカス導出バイブ１
８ｂ、１．９ｂは、第２図に示す様に真空用フランジ２
１を介して大気側に導出され、ガス導入バイブ１８ａ
、 １９ａに流ずガス流量はそれぞれガス流量調整器２
５ａ 、 ２５ｂによって鼎整される様になっている。
又、缶外側ヒータ１３ａ、１３ｂ、１３ｃは外側ヒータ
用の電源２２ａからの電力により加熱され、各内側ヒー
タ１４ａ、１４ｂは内側ヒータ用の電源２２ｂからの電
力により加熱ざ・ｔｌ、る。又、各温度検出素子１５ａ
、１５ｂの１．ｔｌ力は、それぞれ第２図に示す温間検
出器２３ａ、２３１〕に入力される。各外側ヒータ１３
ａ、１３ｂ、１３Ｃと電源２２ａを結ぶ電力線及び内側
ヒータ１４ａ、１４ｂと電源２２ｂを結ぶ電力線及び各
温度検出素子１５ａ、１５ｂと温度検出器２３ａ 、
２３ｂを結ぶ信号線は、それぞれ第２図及び第３図に示
す様に、真空用フランジ２１を介して大気側に導出され
ている。温度検出器２３ａ 、 ２３ｂの出力信号は、
温度制御器２４に入力され、温度制御器２４は電源２２
ａ 、 ２２ｂとカス流量調整器２５ａ。
用の電源２２ａからの電力により加熱され、各内側ヒー
タ１４ａ、１４ｂは内側ヒータ用の電源２２ｂからの電
力により加熱ざ・ｔｌ、る。又、各温度検出素子１５ａ
、１５ｂの１．ｔｌ力は、それぞれ第２図に示す温間検
出器２３ａ、２３１〕に入力される。各外側ヒータ１３
ａ、１３ｂ、１３Ｃと電源２２ａを結ぶ電力線及び内側
ヒータ１４ａ、１４ｂと電源２２ｂを結ぶ電力線及び各
温度検出素子１５ａ、１５ｂと温度検出器２３ａ 、
２３ｂを結ぶ信号線は、それぞれ第２図及び第３図に示
す様に、真空用フランジ２１を介して大気側に導出され
ている。温度検出器２３ａ 、 ２３ｂの出力信号は、
温度制御器２４に入力され、温度制御器２４は電源２２
ａ 、 ２２ｂとカス流量調整器２５ａ。
２５ｂに制御信号を出力する。
一方、高周波電極２６には、反応ガス用ポンベ２８から
反応ガス導入管２７を介して反応カスが導入され、電極
板３０に設けられた多数のガス噴出口３１から噴出され
る。
反応ガス導入管２７を介して反応カスが導入され、電極
板３０に設けられた多数のガス噴出口３１から噴出され
る。
以−ヒの構成より成る成膜装置において、排気口３２ａ
、 ３２１）から排気して真空室１１・と所定の気圧
にした後、反応カスボンベ２８から反応カス導入管２７
す通して反応ガスを供給１”ると、反応ガスは電極板３
０のカス噴出口３１から一様な原石となって基板電極１
２に遅する。ここて高ｒ−波電源３３により高周波電１
圧を印加すると、高周波電極２６と基板電極１２との間
にプラズマが発生し、励起された反応カスの一部が基板
電極１２上の基板（図示せず）表面に付着して薄膜を形
成する。その際、本実施例によれば、基板（図示せず）
は基板電極１２に埋設された外側ヒータ１３ａ、１３ｂ
。
、 ３２１）から排気して真空室１１・と所定の気圧
にした後、反応カスボンベ２８から反応カス導入管２７
す通して反応ガスを供給１”ると、反応ガスは電極板３
０のカス噴出口３１から一様な原石となって基板電極１
２に遅する。ここて高ｒ−波電源３３により高周波電１
圧を印加すると、高周波電極２６と基板電極１２との間
にプラズマが発生し、励起された反応カスの一部が基板
電極１２上の基板（図示せず）表面に付着して薄膜を形
成する。その際、本実施例によれば、基板（図示せず）
は基板電極１２に埋設された外側ヒータ１３ａ、１３ｂ
。
１３Ｃ及び内側ヒータ１４ａ、１４ｂにより加熱され、
温度検出素子１５ａ、１５ｂにより温度が検出される。
温度検出素子１５ａ、１５ｂにより温度が検出される。
外側ヒータ１３ａ、１３ｂ、１３Ｃと内（）ｂｌ ヒー
タ１４ａ 、 １４ｂとはそれぞれ別個の電源２２ａ及
び２２ｂとにより加熱され、湿度検出器２３ａ、２３ｂ
の検出値か所定の値となるように温度制（財）器２４か
らの９；１」両信号によりヒータｍ源２２ａ）Ｊ／ひ２
２ｂが制御される。
タ１４ａ 、 １４ｂとはそれぞれ別個の電源２２ａ及
び２２ｂとにより加熱され、湿度検出器２３ａ、２３ｂ
の検出値か所定の値となるように温度制（財）器２４か
らの９；１」両信号によりヒータｍ源２２ａ）Ｊ／ひ２
２ｂが制御される。
更に外側ヒータ１３ａ、１３ｂ、１３Ｃに対応する位置
にある冷却ガス導入溝１６ａ、１６ｂと内側ヒータ】４
ａ。
にある冷却ガス導入溝１６ａ、１６ｂと内側ヒータ】４
ａ。
１４ｂに対応する位置にある冷却ガス導入溝１７ａ。
１．７ｂとには別個に冷却カスが導入される。流量調整
器２５ａ及び２５ｂはぞれぞれ温度制御器２４からの制
御信号を受け、冷却ガスの流量を調整して、７暢板電極
１２の冷却を・制御ゴ玉）。
器２５ａ及び２５ｂはぞれぞれ温度制御器２４からの制
御信号を受け、冷却ガスの流量を調整して、７暢板電極
１２の冷却を・制御ゴ玉）。
以上のように、分割した外側ヒータ１．３．ｌ］、１３
ｂ。
ｂ。
１３ｃと内側ピークｉ４ａ 、 １４ｂ−＼の印加前１
圧及び冷却か；（導入ｔｌｌ １６ ａ ＋ １６ ｂ
＋ １７ ａ 、 １７ ’ｂ ヘの冷却カス導入量
を、温度検出素子１５ａ、１５ｂで検出した値に基き、
そイ１ぞれ個別に制御することにより、基板′％ｆｆ１
１２上に取付けた基板の表面温度を、より均一にしかも
精吸良く保つことが可能になる。
圧及び冷却か；（導入ｔｌｌ １６ ａ ＋ １６ ｂ
＋ １７ ａ 、 １７ ’ｂ ヘの冷却カス導入量
を、温度検出素子１５ａ、１５ｂで検出した値に基き、
そイ１ぞれ個別に制御することにより、基板′％ｆｆ１
１２上に取付けた基板の表面温度を、より均一にしかも
精吸良く保つことが可能になる。
尚、本実施例では、反応カスを用いた例を示したが、本
発明は基板を加熱して成膜する方法には全でに適用する
ことができ、才たヒータ及び冷却カス溝の分割数を多く
することにより、高精度の温度制御が得られる。
発明は基板を加熱して成膜する方法には全でに適用する
ことができ、才たヒータ及び冷却カス溝の分割数を多く
することにより、高精度の温度制御が得られる。
本発明Ｇ（よれば、真空成膜装闘において、薄膜を形成
する基板面の温度イ七高精度で制御できるとともに広範
囲にわたり温度分布を均一にできるので、膜質の向上、
広範囲にわたる膜特性の均−住方よひ膜厚分布の均一性
をはかることができる。
する基板面の温度イ七高精度で制御できるとともに広範
囲にわたり温度分布を均一にできるので、膜質の向上、
広範囲にわたる膜特性の均−住方よひ膜厚分布の均一性
をはかることができる。
第１図は従来のｅ、膜装置の基板電、険構造を示す断面
図、第２図は本発明の−（施例に係る基板輩析を装備し
た成膜装置０基本構取を示す構成図、第３図（：を第２
１図の基板電極部の構造を示す拡大断面図である。 １２・基板電極、 １３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１４ａ、］、４ｂ ・ｅ−タ
１ｓａ、 １５１） −）’ｈＡ ＩＩ検出素子１６ａ
、１６ｂ、１７ａ、］、７ｂ ・−・冷却カス４人溝２
２ａ、 ２２ｂ ＝−電源 ２３ａ 、 ２３ｂ・・・温度検出器 ２４・・・温度制御器
図、第２図は本発明の−（施例に係る基板輩析を装備し
た成膜装置０基本構取を示す構成図、第３図（：を第２
１図の基板電極部の構造を示す拡大断面図である。 １２・基板電極、 １３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１４ａ、］、４ｂ ・ｅ−タ
１ｓａ、 １５１） −）’ｈＡ ＩＩ検出素子１６ａ
、１６ｂ、１７ａ、］、７ｂ ・−・冷却カス４人溝２
２ａ、 ２２ｂ ＝−電源 ２３ａ 、 ２３ｂ・・・温度検出器 ２４・・・温度制御器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空室内で基板の表面に薄膜を形成させる成膜装置
の基板電極構造において、複数のヒータと、このヒータ
の一群とそれぞれ対をなす温度検出体とを、基板電極内
部に分散し埋設するとともに、前記基板電極を冷却する
冷却媒体の通る冷却溝を、前記ヒータの各々に略対応し
て前記基板電極内部に設け、各ヒータの温度並びに各冷
却溝に流す冷却媒体の流量をそれぞれ個別に制御するよ
うにした成膜装置の基板電極構造。 ２、冷却溝を隣り合うヒータ間に位置するように設けた
特許請求の範囲第１項記載の成膜装置の基板電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10051884A JPS60245778A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10051884A JPS60245778A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245778A true JPS60245778A (ja) | 1985-12-05 |
| JPH0565589B2 JPH0565589B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=14276170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10051884A Granted JPS60245778A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245778A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0397029A2 (de) * | 1989-05-08 | 1990-11-14 | Balzers Aktiengesellschaft | Werkstückträger für ein scheibenförmiges Werkstück sowie Vakuumprozesskammer |
| WO1990013687A2 (en) * | 1989-05-08 | 1990-11-15 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Apparatus and method for treating flat substrates under reduced pressure |
| FR2646861A1 (fr) * | 1989-05-09 | 1990-11-16 | Philips Nv | Appareil de traitement de substrats plans sous vide partiel |
| EP0776988A2 (en) * | 1995-12-01 | 1997-06-04 | Teisan Kabushiki Kaisha | Temperature regulation apparatus |
| WO2001029873A1 (en) * | 1999-10-20 | 2001-04-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling wafer uniformity using spatially resolved sensors |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10051884A patent/JPS60245778A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0397029A2 (de) * | 1989-05-08 | 1990-11-14 | Balzers Aktiengesellschaft | Werkstückträger für ein scheibenförmiges Werkstück sowie Vakuumprozesskammer |
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| Publication number | Publication date |
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