JPH01194323A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
- Publication number
- JPH01194323A JPH01194323A JP1870288A JP1870288A JPH01194323A JP H01194323 A JPH01194323 A JP H01194323A JP 1870288 A JP1870288 A JP 1870288A JP 1870288 A JP1870288 A JP 1870288A JP H01194323 A JPH01194323 A JP H01194323A
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- JP
- Japan
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- substrate
- semiconductor substrate
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009987 spinning Methods 0.000 abstract 2
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- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程におけるフォトレジス
トの現像装置に関するものである。
トの現像装置に関するものである。
従来、半導体装置の製造工程におけるフォトレジストの
現像装置は、半導体基板の上部より薬液を滴下又は噴霧
させて現像を行なう構造となっていた。
現像装置は、半導体基板の上部より薬液を滴下又は噴霧
させて現像を行なう構造となっていた。
上述した従来構造の現像装置を用いると、半導体基板の
一定部分より薬液が滴下されるため、均一に広がりが得
られず、多くの薬液を使用していた。さらに薬液の滴下
点と広がりによって薬液がちられた面の処理の不均一さ
ができ、かつ半導体基板表面にゴミの付着が発生すると
いう欠点があった。
一定部分より薬液が滴下されるため、均一に広がりが得
られず、多くの薬液を使用していた。さらに薬液の滴下
点と広がりによって薬液がちられた面の処理の不均一さ
ができ、かつ半導体基板表面にゴミの付着が発生すると
いう欠点があった。
この発明の目的は、半導体基板の処理を均一に行ない、
かつ使用薬品の量を低減しうる現像装置を提供すること
である。
かつ使用薬品の量を低減しうる現像装置を提供すること
である。
この発明は、スピンモータを備え半導体基板を吸着する
基体と、この基体の下部に現像液を満たした貯液皿とを
有し、基体に半導体基板を吸着させ現像液に浸漬°して
回転させながら現像を行なう現像装置である。
基体と、この基体の下部に現像液を満たした貯液皿とを
有し、基体に半導体基板を吸着させ現像液に浸漬°して
回転させながら現像を行なう現像装置である。
次に、本発明について図面を参照して説明する、第1図
は、この発明の一実施例である現像装置の断面図である
。この実施例の現像装置は、半導体基板1を真空吸着し
スピンモータ3を介して回転運動させる基体2と、所定
の現像液11を現像液配管8、バルブ7を通して貯液し
、浸漬処理を行なう貯液皿4を有している。すなわち半
導体基板1の表面を下方向にむけ、基体2に支持しb方
向に移動する。貯液皿4にはあらかじめ定量の現像液1
1を貯液しておき、半導体基板1が液面に接した位置で
b方向への移動を停止させ浸漬した状態でスピンモータ
3により所定の回転を半導体基板1に与えて現像する。
は、この発明の一実施例である現像装置の断面図である
。この実施例の現像装置は、半導体基板1を真空吸着し
スピンモータ3を介して回転運動させる基体2と、所定
の現像液11を現像液配管8、バルブ7を通して貯液し
、浸漬処理を行なう貯液皿4を有している。すなわち半
導体基板1の表面を下方向にむけ、基体2に支持しb方
向に移動する。貯液皿4にはあらかじめ定量の現像液1
1を貯液しておき、半導体基板1が液面に接した位置で
b方向への移動を停止させ浸漬した状態でスピンモータ
3により所定の回転を半導体基板1に与えて現像する。
この方法により半導体基板には現像液が一面同時に分布
するため全面に統一された時間で平均した現像液の分布
となる。現像後現像液11を排水管1から流し出し、リ
ンス液配管9.バルブ6を通してリンス液を流してリン
スを行なう。
するため全面に統一された時間で平均した現像液の分布
となる。現像後現像液11を排水管1から流し出し、リ
ンス液配管9.バルブ6を通してリンス液を流してリン
スを行なう。
以上説明したように本発明の現像装置を使用することに
より、浸漬時に半導体基板全面に現像液を均一分布させ
ることが出来、従来の上部滴下ノズル方式に比べ、半導
体基板内での処理の不均一さをなくすことが出来る。さ
らに浸漬処理であるため、過剰の滴下とする必要がなく
現像液の使用量低下になる。また半導体基板表面が下向
きで処理されることによりゴミの付着、堆積を低減出来
る効果がある。
より、浸漬時に半導体基板全面に現像液を均一分布させ
ることが出来、従来の上部滴下ノズル方式に比べ、半導
体基板内での処理の不均一さをなくすことが出来る。さ
らに浸漬処理であるため、過剰の滴下とする必要がなく
現像液の使用量低下になる。また半導体基板表面が下向
きで処理されることによりゴミの付着、堆積を低減出来
る効果がある。
第1図は本発明の一実施例の断面図である91・・・半
導体基板、2・・・基体、3・・・スピンモータ、4・
・・貯液皿、5・・・排水バルブ、6・・・リンス液供
給バルブ、7・・・現像液供給バルブ、8・・・現像液
配管、9・・・リンス液配管、10・・・排水管、11
・・・現像液。
導体基板、2・・・基体、3・・・スピンモータ、4・
・・貯液皿、5・・・排水バルブ、6・・・リンス液供
給バルブ、7・・・現像液供給バルブ、8・・・現像液
配管、9・・・リンス液配管、10・・・排水管、11
・・・現像液。
Claims (1)
- スピンモータを備え半導体基板を吸着する基体と、こ
の基体の下部に現像液を満たした貯液皿とを有し、前記
基体に半導体基板を吸着させ現像液に浸漬して回転させ
ながら現像を行なうことを特徴とする現像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1870288A JPH01194323A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1870288A JPH01194323A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 現像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01194323A true JPH01194323A (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=11978972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1870288A Pending JPH01194323A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 現像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01194323A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0669642A2 (en) * | 1994-01-31 | 1995-08-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for processing substrates |
US5930549A (en) * | 1996-11-21 | 1999-07-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Developing device for semiconductor device fabrication and its controlling method |
CN116107156A (zh) * | 2023-04-11 | 2023-05-12 | 深圳市龙图光罩股份有限公司 | 掩模版刻蚀设备、方法、系统及计算机可读存储介质 |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP1870288A patent/JPH01194323A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0669642A2 (en) * | 1994-01-31 | 1995-08-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for processing substrates |
US5643366A (en) * | 1994-01-31 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum |
US5930549A (en) * | 1996-11-21 | 1999-07-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Developing device for semiconductor device fabrication and its controlling method |
CN116107156A (zh) * | 2023-04-11 | 2023-05-12 | 深圳市龙图光罩股份有限公司 | 掩模版刻蚀设备、方法、系统及计算机可读存储介质 |
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