KR20220106046A

KR20220106046A - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR20220106046A
Application number: KR1020220003765A
Authority: KR
Inventors: 기요시 모리; 사토루 가와카미
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2021-01-21
Filing date: 2022-01-11
Publication date: 2022-07-28
Also published as: US20220230896A1; CN114823263A

Abstract

본 발명은, 진공 처리 용기의 중앙부에의 회전 암의 회전 기구의 설치와 배기 경로의 간략화를 양립할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 진공 처리 용기와, 진공 처리 용기의 중앙부에 회전축이 위치하는 회전 암을 갖고, 회전 암은, 내부가 중공인 회전 통이 회전축을 구성하고, 회전 통의 중공부가 진공 처리 용기의 배기 경로를 구성한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 개시는, 기판 처리 장치에 관한 것이다.

감압 건조 장치에 있어서, 사변형의 챔버 덮개부의 인접하는 연변부와 교차하는 방향으로 신장되도록 보강 리브를 접합함으로써, 감압 시의 챔버 덮개부의 변형을 억제하여, 용접 부분의 박리 등의 발생을 억제하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1). 또한, 기판 처리 시스템에서의 기판(이하, 웨이퍼라고도 함)에 대하여 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 4매의 웨이퍼를 동시에 1개의 챔버에서 처리하는 형태의 기판 처리 장치가 알려져 있다(특허문헌 2).

일본 특허 공개 제2009-41790호 공보 일본 특허 공개 제2019-220509호 공보

본 개시는, 진공 처리 용기의 중앙부에의 회전 암의 회전 기구의 설치와 배기 경로의 간략화를 양립할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 진공 처리 용기와, 진공 처리 용기의 중앙부에 회전축이 위치하는 회전 암을 갖고, 회전 암은, 내부가 중공인 회전 통이 회전축을 구성하고, 회전 통의 중공부가 진공 처리 용기의 배기 경로를 구성한다.

본 개시에 의하면, 진공 처리 용기의 중앙부에의 회전 암의 회전 기구의 설치와 배기 경로의 간략화를 양립할 수 있다.

도 1은 본 개시의 일 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 분해 사시도이다.
도 2는 대기 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 웨이퍼의 보유 지지 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치 내의 웨이퍼의 이동 경로의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 배기 경로의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 7은 변형예 1에서의 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 분해 사시도이다.
도 8은 변형예 2에서의 합류 배기구 근방의 단면의 일례를 도시하는 부분 확대도이다.

이하에, 개시하는 기판 처리 장치의 실시 형태에 대해서, 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태에 의해 개시 기술이 한정되는 것은 아니다.

상술한 4매의 웨이퍼를 동시에 1개의 챔버에서 처리하는 형태의 기판 처리 장치에서는, 당해 기판 처리 장치의 중앙부(중앙 영역)에, 각 웨이퍼의 처리 공간으로부터의 배기로가 합류하는 합류 배기로가 마련되어 있다. 이에 반해, 각 처리 공간의 사이에서 웨이퍼를 반송하기 위해서, 챔버의 중앙부에 회전 암을 설치하면, 각 처리 공간의 외주측에 배기로를 마련하여, 챔버의 하부에서 각 배기로가 합류하게 되어, 챔버가 대형화함과 함께 배기 경로가 복잡화하게 된다. 또한, 이와 같은 구성으로 한 경우, 챔버의 중앙부에 빔을 설치할 수 없기 때문에 진공 분위기인 중앙부가 대기압에 의해 변형하여, 각 처리 공간에서의 프로세스 성능에 영향을 줄 우려가 있다. 그래서, 진공 처리 용기(챔버)의 중앙부에의 회전 암의 회전 기구의 설치와 배기 경로의 간략화를 양립하는 것이 기대되고 있다. 또한, 진공 처리 용기의 변형을 억제하는 것이 기대되고 있다.

[기판 처리 장치의 구성]

도 1은, 본 개시의 일 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 분해 사시도이다. 본 실시 형태에서는, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치(2)를, 예를 들어 웨이퍼(W)에 플라스마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리를 행하는 성막 장치에 적용한 예에 대해서 설명한다. 또한, 기판 처리 장치(2)는, 프로세스 모듈 및 진공 처리 장치의 일례이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(2)는, 평면으로 보아 직사각형의 처리 용기(진공 용기)(20)를 구비하고 있다. 처리 용기(20)는, 내부를 진공 분위기로 유지 가능하게 구성된다. 즉, 처리 용기(20)는 진공 처리 용기의 일례이다. 처리 용기(20)는, 후술하는 가스 공급부(4) 및 매니폴드(36)로 상면의 개방부를 폐색해서 구성된다. 또한, 도 1에서는, 처리 공간(S1 내지 S4)과, 회전 암(3)의 관계를 알기 쉽도록, 내부의 격벽 등을 생략하고 있다. 처리 용기(20)는, 도시하지 않은 진공 반송실에 접속되는 측의 측면에는, Y 방향으로 배열되도록 2개의 반입출구(21)가 형성되어 있다. 반입출구(21)는, 도시하지 않은 게이트 밸브에 의해 개폐된다.

처리 용기(20)의 내부에는, 복수의 처리 공간(S1 내지 S4)이 마련되어 있다. 처리 공간(S1 내지 S4)에는 각각 적재대(22)가 배치되어 있다. 적재대(22)는, 상하 방향으로 이동 가능하여, 웨이퍼(W)의 처리 시에는 상부로 이동하고, 웨이퍼(W)의 반송 시에는 하부로 이동한다. 처리 공간(S1 내지 S4)의 하부에는, 처리 공간(S1 내지 S4)을 접속하여, 회전 암(3)에 의해 웨이퍼(W)의 반송이 행하여지는 반송 공간(T)이 마련되어 있다. 또한, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 반송 공간(T)은, 각 반입출구(21)와 접속되어, 도시하지 않은 기판 반송 기구에 의해 진공 반송실과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출이 행하여진다. 또한, 기판 반송 기구는, 기판 처리 장치(2)에 일괄적으로 2매의 웨이퍼(W)를 전달하도록, 기판 반송 기구의 기판 보유 지지부는 예를 들어 2매의 웨이퍼(W)를 동시에 보유 지지할 수 있도록 구성되어 있다.

처리 공간(S1 내지 S4)의 각 적재대(22)는, 상면측에서 보았을 때, 2행 2열로 레이아웃되어 있다. 당해 레이아웃은, 행 간격과 열 간격이 다른 치수로 되어 있다. 즉, 적재대(22)의 Y 방향 피치(행 간격)의 피치(Py)와, X 방향 피치(열 간격)의 피치(Px)를 비교하면, 피치(Py)>피치(Px)로 되어 있다.

도 2는, 대기 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 도 3은, 웨이퍼의 보유 지지 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 회전 암(3)은, 적재대(22) 각각에 적재하는 웨이퍼(W)를 보유 지지 가능한 4개의 엔드 이펙터(32)와, 2행 2열의 레이아웃의 중심 위치에 회전축이 위치하는 베이스 부재(33)를 갖는다. 4개의 엔드 이펙터(32)는, X 형상으로 되도록 베이스 부재(33)에 접속된다. 즉, 회전 암(3)은, 각 처리 공간(S1 내지 S4)과 동일수의 엔드 이펙터(32)를 갖는다. 회전 암(3)에서의 X 형상은, 도 3에 도시하는 웨이퍼(W)의 보유 지지 위치에 있어서, X 형상의 행 간격에 대응하는 Y 방향의 치수와, 상기 열 간격에 대응하는 X 방향의 치수가 다른 구성으로 되어 있다.

회전 암(3)은, 도 2에 도시하는 대기 위치에 있어서, 처리 공간(S1 내지 S4) 각각의 사이에 위치함으로써, 각 적재대(22)의 상하 방향의 이동을 방해하지 않는다. 도 2에서는, 각 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재된 상태이다. 이 상태에서 예를 들어 1열째와 2열째의 웨이퍼(W)를 교체하도록 반송하는 경우, 즉, 처리 공간(S1, S2)의 웨이퍼(W)를 처리 공간(S3, S4)에 반송하고, 처리 공간(S3, S4)의 웨이퍼(W)를 처리 공간(S1, S2)에 반송하는 경우의 회전 암(3)의 움직임에 대해서 설명한다.

먼저, 각 적재대(22)를 하측의 반송 공간(T)의 전달 위치까지 이동시키고, 각 적재대(22)에 마련된 후술하는 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 들어 올린다. 이어서, 회전 암(3)을 시계 방향으로 약 30° 회전시켜서, 도 3에 도시하는 바와 같이 각 엔드 이펙터(32)를 적재대(22)와 웨이퍼(W) 사이에 삽입한다. 계속해서, 리프트 핀(26)을 하강시켜서 각 엔드 이펙터(32)에 웨이퍼(W)를 적재한다. 이어서, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜서, 각 적재대(22) 상의 보유 지지 위치에 웨이퍼(W)를 반송한다. 각 적재대(22)가 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 수취하면, 회전 암(3)을 반시계 방향으로 약 30° 회전시켜서 대기 위치로 이동한다. 이와 같이, 회전 암(3)에 의해, 1열째와 2열째의 웨이퍼(W)를 교체하도록 반송할 수 있다. 이에 의해, 예를 들어 처리 공간(S1, S2)과, 처리 공간(S3, S4)에서 다른 처리를 반복하는 경우(예를 들어, 성막 처리와 어닐 처리를 반복하는 경우)에 있어서, 웨이퍼(W)의 반송에 관한 시간을 단축할 수 있다.

도 4는, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치 내의 웨이퍼의 이동 경로의 일례를 도시하는 도면이다. 도 4에서는, 도시하지 않은 진공 반송실로부터 기판 처리 장치(2)의 내부에 웨이퍼(W)를 반송하는 경우의 이동 경로를 설명한다. 먼저, 진공 반송실의 도시하지 않은 기판 반송 기구에 의해, 경로(F1)로 나타내는 바와 같이, 동일한 열의 적재대(22)에 대응하는 처리 공간(S1, S2)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 있어서, 각 적재대(22)에 2매 동시에 웨이퍼(W)가 반입된다. 처리 공간(S1, S2)의 각 적재대(22)가 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 수취한다.

이어서, 회전 암(3)을 대기 위치로부터 시계 방향으로 약 30° 회전시켜서, 엔드 이펙터(32)를 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)와 웨이퍼(W) 사이에 삽입하고, 리프트 핀(26)을 하강시켜서 각 엔드 이펙터(32)에 웨이퍼(W)를 적재한다. 웨이퍼(W)를 적재하면, 경로(F2)로 나타내는 바와 같이, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜서, 처리 공간(S3, S4)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 있는 적재대(22) 상(회전 암(3)의 보유 지지 위치)에 웨이퍼(W)를 반송한다. 처리 공간(S3, S4)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)가, 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 수취하면, 회전 암(3)을 반시계 방향으로 약 30° 회전시켜서 대기 위치로 이동한다. 이 상태에서, 처리 공간(S1, S2)의 적재대(22)에는 웨이퍼(W)가 적재되어 있지 않고, 처리 공간(S3, S4)의 적재대(22)에는 웨이퍼(W)가 적재되어 있다. 계속해서, 진공 반송실의 기판 반송 기구에 의해, 경로(F1)로 나타내는 바와 같이, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있어서, 각 적재대(22)에 2매 동시에 웨이퍼(W)가 반입되어, 처리 공간(S1, S2)의 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재됨으로써, 처리 공간(S1 내지 S4)의 모든 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재된다.

반출 시도 마찬가지로, 먼저, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)를, 기판 반송 기구에 의해 진공 반송실에 먼저 반출한다. 이어서, 처리 공간(S3, S4)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)를, 회전 암(3)에 의해 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 반송한다. 계속해서, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)를, 기판 반송 기구에 의해 진공 반송실에 반출한다. 이와 같이, 2매 동시에 웨이퍼(W)를 반입출 가능한 기판 반송 기구와, 회전 암(3)을 사용함으로써, 처리 공간(S1 내지 S4)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입출할 수 있다.

또한, 회전 암(3)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 시에, 반송처의 적재대(22)에 대한 웨이퍼(W)의 어긋남을 검지하여, 적재대(22)를 XY 평면 내에서 미소하게 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 어긋남을 보정하도록 해도 된다. 이 경우, 기판 처리 장치(2)는, 회전 암(3)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 회전 궤적 상이며, 행 간격 내 또는 열 간격 내의 회전 대칭의 위치 각각에, 웨이퍼(W)의 어긋남을 검지하는 어긋남 검지 센서를 갖는다. 도 4의 예에서는, 행 간격 내인, 처리 공간(S1과 S2)의 사이, 및 처리 공간(S3과 S4)의 사이에 각각 센서(31a, 31b)를 갖는다.

센서(31a, 31b)는 각각, 예를 들어 2개의 광학 센서의 조이며, 기판 처리 장치(2)의 중심, 즉 2행 2열의 레이아웃의 중심 위치를 통과하는 X 방향의 직선 상에 배치된다. 이것은, 처리 용기(20)의 열팽창에 의한 팽창 방향을 2개의 센서에서 동일한 방향으로 함으로써, 오차를 적게 하기 위함이다. 또한, 센서(31a, 31b)의 배치 위치는, 기판 처리 장치(2)의 중심을 통과하는 직선 상이라면, X 방향에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치(2)는, 센서(31a, 31b)에서 검출된 웨이퍼(W)의 전후의 에지와, 회전 암(3)에 마련된 도시하지 않은 인코더의 출력 결과를 비교함으로써, 웨이퍼(W)의 어긋남양을 검지한다.

도 4의 예에서는, 포지션(P24)이, 처리 공간 S2로부터 S4로의 반송 시에 웨이퍼(W)의 후방측 에지가 센서(31b)를 통과한 상태를 나타내고, 포지션(P42)이, 처리 공간 S4로부터 S2로의 반송 시에 웨이퍼(W)의 후방측 에지가 센서(31a)를 통과한 상태를 나타내고 있다. 기판 처리 장치(2)는, 검지한 어긋남양에 따라서 적재대(22)를 XY 평면 내에서 미소하게 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 어긋남을 보정할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(2)는, 적재대(22)가 상승했을 때, 웨이퍼(W)가 처리 공간(S1 내지 S4)의 중심에 위치하도록 어긋남을 조정한다. 또한, 여기에서 말하는 미소란, 5mm 이내 정도이다.

도 5는, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 배기 경로의 일례를 도시하는 도면이다. 도 5에서는, 후술하는 가스 공급부(4)를 제거한 상태에서 처리 용기(20)를 상면에서 본 경우를 나타내고 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(2)의 중심에는 매니폴드(36)가 배치된다. 매니폴드(36)는, 처리 공간(S1 내지 S4)에 접속되는 복수의 배기로(361)를 갖는다. 각 배기로(361)는, 매니폴드(36)의 중심 하부에서, 후술하는 스러스트 너트(35)의 구멍(351)에 접속된다. 각 배기로(361)는, 처리 공간(S1 내지 S4)의 상부에 마련된 각 가이드 부재(362) 내의 환상의 유로(363)에 접속된다. 즉, 처리 공간(S1 내지 S4) 내의 가스는, 유로(363), 배기로(361), 구멍(351)을 경유하여, 후술하는 합류 배기구(205)로 배기된다. 또한, 매니폴드(36)는 배기 매니폴드의 일례이다.

도 6은, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 도 6의 단면은, 도 5에 도시하는 기판 처리 장치(2)의 A-A선에서의 단면에 상당한다. 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)은 서로 마찬가지로 구성되며, 각각 웨이퍼(W)가 적재되는 적재대(22)와, 적재대(22)와 대향해서 배치된 가스 공급부(4) 사이에 형성된다. 바꾸어 말하면, 처리 용기(20) 내에는, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4) 각각에 대해서, 적재대(22) 및 가스 공급부(4)가 마련되어 있다. 도 6에는 처리 공간(S1과 S3)을 도시하고 있다. 이하, 처리 공간(S1)을 예로 해서 설명한다.

적재대(22)는, 하부 전극을 겸용하는 것이며, 예를 들어 금속, 혹은 금속 메쉬 전극을 매립한 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 편평한 원주상으로 형성된다. 적재대(22)는, 지지 부재(23)에 의해 하방으로부터 지지되어 있다. 지지 부재(23)는 원통상으로 형성되고, 연직 하방으로 연신되어, 처리 용기(20)의 저부(27)를 관통하고 있다. 지지 부재(23)의 하단부는, 처리 용기(20)의 외부에 위치하고, 회전 구동 기구(600)에 접속되어 있다. 지지 부재(23)는, 회전 구동 기구(600)에 의해 회전된다. 적재대(22)는, 지지 부재(23)의 회전에 따라서 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 지지 부재(23)의 하단부에는, 적재대(22)의 위치 및 기울기를 조정하는 조정 기구(700)가 마련되어 있다. 적재대(22)는, 조정 기구(700)에 의해 지지 부재(23)를 개재하여 처리 위치와 전달 위치의 사이에서 승강 가능하게 구성되어 있다. 도 6에는, 실선으로 전달 위치에 있는 적재대(22)를 도시하고, 파선으로 처리 위치에 있는 적재대(22)를 각각 나타내고 있다. 또한, 전달 위치에서는, 엔드 이펙터(32)를 적재대(22)와 웨이퍼(W) 사이에 삽입하여, 리프트 핀(26)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하는 상태를 나타내고 있다. 또한, 처리 위치란, 기판 처리(예를 들어, 성막 처리)를 실행할 때의 위치이며, 전달 위치란, 도시하지 않은 기판 반송 기구 또는 엔드 이펙터(32) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치이다.

적재대(22)에는 히터(24)가 매설되어 있다. 히터(24)는, 적재대(22)에 적재된 각 웨이퍼(W)를 예를 들어 60℃ 내지 600℃ 정도로 가열한다. 또한, 적재대(22)는 접지 전위에 접속되어 있다.

또한, 적재대(22)에는, 복수(예를 들어 3개)의 핀용 관통 구멍(26a)이 마련되어 있고, 이들 핀용 관통 구멍(26a)의 내부에는, 각각 리프트 핀(26)이 배치되어 있다. 핀용 관통 구멍(26a)은, 적재대(22)의 적재면(상면)으로부터 적재면에 대한 이면(하면)까지 관통하도록 마련되어 있다. 리프트 핀(26)은, 핀용 관통 구멍(26a)에 슬라이드 가능하게 삽입되어 있다. 리프트 핀(26)의 상단은, 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측에 현수되어 있다. 즉, 리프트 핀(26)의 상단은, 핀용 관통 구멍(26a)보다도 큰 직경을 갖고 있으며, 핀용 관통 구멍(26a)의 상단에는, 리프트 핀(26)의 상단보다도 직경 및 두께가 크고 또한 리프트 핀(26)의 상단을 수용 가능한 오목부가 형성되어 있다. 이에 의해, 리프트 핀(26)의 상단은, 적재대(22)에 걸려서 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측에 현수된다. 또한, 리프트 핀(26)의 하단은, 적재대(22)의 이면으로부터 처리 용기(20)의 저부(27)측으로 돌출되어 있어, 도시하지 않은 승강 기구에 맞닿음 가능하게 마련되어 있다.

적재대(22)를 처리 위치까지 상승시킨 상태에서는, 리프트 핀(26)의 상단이 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측의 오목부에 수납된다. 이 상태에서 적재대(22)를 전달 위치로 하강시킴과 함께, 리프트 핀(26)을 도시하지 않은 승강 기구에 의해 상승시키면, 리프트 핀(26)의 상단이 적재대(22)의 적재면으로부터 돌출된다.

가스 공급부(4)는, 처리 용기(20)의 천장부에서의, 적재대(22)의 상방에, 절연 부재로 이루어지는 가이드 부재(362)를 개재해서 마련되어 있다. 가스 공급부(4)는 상부 전극으로서의 기능을 갖는다. 가스 공급부(4)는, 덮개(42)와, 적재대(22)의 적재면과 대향하도록 마련된 대향면을 이루는 샤워 플레이트(43)와, 덮개(42)와 샤워 플레이트(43) 사이에 형성된 가스의 통류실(44)을 갖는다. 덮개(42)에는, 가스 공급관(51)이 접속됨과 함께, 샤워 플레이트(43)에는, 두께 방향으로 관통하는 가스 토출 구멍(45)이 예를 들어 종횡으로 배열되어, 가스가 샤워 형상으로 적재대(22)를 향해서 토출된다.

각 가스 공급부(4)는, 가스 공급관(51)을 통해서 가스 공급계(50)에 접속되어 있다. 가스 공급계(50)는, 예를 들어 처리 가스인 반응 가스(성막 가스)나, 퍼지 가스, 클리닝 가스의 공급원이나, 배관, 밸브(V), 유량 조정부(M) 등을 구비하고 있다. 가스 공급계(50)는, 예를 들어 클리닝 가스 공급원(53)과, 반응 가스 공급원(54)과, 퍼지 가스 공급원(55)과, 각각의 공급원의 배관에 마련된 밸브(V1 내지 V3), 및 유량 조정부(M1 내지 M3)를 갖는다.

클리닝 가스 공급원(53)은, 유량 조정부(M1), 밸브(V1), 리모트 플라스마 유닛(RPU: Remote Plasma Unit)(531)을 통해서, 클리닝 가스 공급로(532)에 접속된다. 클리닝 가스 공급로(532)는, RPU(531)의 하류측에서 4계통으로 분기하여, 각각 가스 공급관(51)에 접속되어 있다. RPU(531)의 하류측에는 분기된 분기관마다 밸브(V11 내지 V14)가 마련되어, 클리닝 시에는 대응하는 밸브(V11 내지 V14)를 개방한다. 또한, 도 6에서는, 편의상 밸브(V11, V14)만이 도시되어 있다.

반응 가스 공급원(54) 및 퍼지 가스 공급원(55)은, 각각 유량 조정부(M2, M3), 및 밸브(V2, V3)를 통해서 가스 공급로(52)에 접속된다. 가스 공급로(52)는, 가스 공급관(510)을 통해서 가스 공급관(51)에 접속된다. 또한, 도 6 중, 가스 공급로(52) 및 가스 공급관(510)은, 각 가스 공급부(4)에 대응하는 각 공급로 및 각 공급관을 통합해서 나타낸 것이다.

샤워 플레이트(43)에는, 정합기(40)를 통해서 고주파 전원(41)이 접속되어 있다. 샤워 플레이트(43)는, 적재대(22)에 대향하는 상부 전극으로서의 기능을 갖는다. 상부 전극인 샤워 플레이트(43)와 하부 전극인 적재대(22) 사이에 고주파 전력을 인가하면, 용량 결합에 의해, 샤워 플레이트(43)로부터 처리 공간(S1)에 공급된 가스(본 예에서는 반응 가스)를 플라스마화할 수 있다.

계속해서, 처리 공간(S1 내지 S4)으로부터 합류 배기구(205)로의 배기 경로에 대해서 설명한다. 도 5 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 배기 경로는, 처리 공간(S1 내지 S4)의 상부에 마련된 각 가이드 부재(362) 내의 환상의 유로(363)로부터 각 배기로(361)를 통하여, 매니폴드(36)의 중심 하부의 합류부, 구멍(351)을 경유해서 합류 배기구(205)를 향한다. 또한, 배기로(361)는, 단면이 예를 들어 원 형상으로 형성되어 있다.

각 처리 공간(S1 내지 S4)의 주위에는, 각 처리 공간(S1 내지 S4)을 각각 둘러싸도록 배기용 가이드 부재(362)가 마련되어 있다. 가이드 부재(362)는, 예를 들어 처리 위치에 있는 적재대(22)의 주위 영역을, 당해 적재대(22)에 대하여 간격을 두고 둘러싸도록 마련된 환상체이다. 가이드 부재(362)는, 내부에 예를 들어 종단면이 직사각 형상이며, 평면으로 보아 환상의 유로(363)를 형성하도록 구성되어 있다. 도 5에서는, 처리 공간(S1 내지 S4), 가이드 부재(362), 배기로(361) 및 매니폴드(36)를 개략적으로 도시하고 있다.

가이드 부재(362)는, 처리 공간(S1 내지 S4)을 향해서 개구되는 슬릿상의 슬릿 배기구(364)를 형성한다. 이와 같이 하여, 각각의 처리 공간(S1 내지 S4)의 측 주위부에 슬릿 배기구(364)가 둘레 방향을 따라 형성되게 된다. 유로(363)에는 배기로(361)가 접속되어, 슬릿 배기구(364)로부터 배기된 처리 가스를 매니폴드(36)의 중심 하부의 합류부, 구멍(351)을 향해서 통류시킨다.

처리 공간(S1-S2, S3-S4)의 조는, 도 5에 도시한 바와 같이, 상면측에서 보았을 때, 매니폴드(36)를 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 배치되어 있다. 이에 의해, 각 처리 공간(S1 내지 S4)으로부터 슬릿 배기구(364), 가이드 부재(362)의 유로(363), 배기로(361)를 통해서 구멍(351)에 이르는 처리 가스의 통류로는, 구멍(351)을 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 형성되어 있게 된다.

구멍(351)은, 처리 용기(20)의 중심부에 배치된 2축 진공 시일(34)의 스러스트 배관(341)의 내측인 합류 배기구(205)를 통해서 배기관(61)에 접속되어 있다. 배기관(61)은, 밸브 기구(7)를 통해서 진공 배기 기구를 이루는 진공 펌프(62)에 접속되어 있다. 진공 펌프(62)는, 예를 들어 하나의 처리 용기(20)에 하나 마련되어 있고, 각 진공 펌프(62)의 하류측의 배기관은 합류하여, 예를 들어 공장 배기계에 접속된다.

밸브 기구(7)는, 배기관(61) 내에 형성된 처리 가스의 통류로를 개폐하는 것이며, 예를 들어 케이싱(71)과, 개폐부(72)를 갖는다. 케이싱(71)의 상면에는, 상류측의 배기관(61)과 접속되는 제1 개구부(73), 케이싱(71)의 측면에는 하류측의 배기관과 접속되는 제2 개구부(74)가 각각 형성되어 있다.

개폐부(72)는, 예를 들어 제1 개구부(73)를 막는 크기로 형성된 개폐 밸브(721)와, 케이싱(71)의 외부에 마련되어, 개폐 밸브(721)를 케이싱(71) 내에서 승강시키는 승강 기구(722)를 갖는다. 개폐 밸브(721)는, 도 6에 일점쇄선으로 나타내는 제1 개구부(73)를 막는 폐지 위치와, 도 6에 실선으로 나타내는 제1 및 제2 개구부(73, 74)보다도 하방측으로 퇴피하는 개방 위치의 사이에서 승강 가능하게 구성된다. 개폐 밸브(721)가 폐지 위치에 있을 때는, 합류 배기구(205)의 하류단이 폐쇄되어, 처리 용기(20) 내의 배기가 정지된다. 또한, 개폐 밸브(721)가 개방 위치에 있을 때는, 합류 배기구(205)의 하류단이 열려서, 처리 용기(20) 내가 배기된다.

계속해서, 2축 진공 시일(34) 및 스러스트 너트(35)에 대해서 설명한다. 2축 진공 시일(34)은, 스러스트 배관(341)과, 베어링(342, 344)과, 로터(343)와, 본체부(345)와, 자성 유체 시일(346, 347)과, 다이렉트 드라이브 모터(348)를 갖는다.

스러스트 배관(341)은, 회전하지 않는 중심축이며, 스러스트 너트(35)를 통해서, 기판 처리 장치(2)의 중심 상부에 걸리는 스러스트 하중을 받아 들인다. 즉, 스러스트 배관(341)은, 처리 공간(S1 내지 S4)을 진공 분위기로 했을 때, 기판 처리 장치(2)의 중심부에 걸리는 진공 하중을 받아 들임으로써, 기판 처리 장치(2)의 상부의 변형을 억제한다. 또한, 스러스트 배관(341)은 중공 구조이며, 그 내부는 합류 배기구(205)로 되어 있다. 스러스트 배관(341)의 상면은, 스러스트 너트(35)의 하면과 맞닿아진다. 또한, 스러스트 배관(341)의 상부의 내면과, 스러스트 너트(35)의 내주측의 볼록부의 외면 사이는, 도시하지 않은 O링에 의해 밀봉되어 있다. 또한, 스러스트 배관(341)의 하면은, 본체부(345)에 도시하지 않은 볼트에 의해 고정된다.

스러스트 너트(35)의 외주측면은, 나사 구조로 되어 있어, 스러스트 너트(35)는, 처리 용기(20)의 중심부의 격벽에 나사 결합되어 있다. 처리 용기(20)의 중심부는, 그 상부에 매니폴드(36)가 마련되어 있다. 스러스트 하중은, 매니폴드(36), 처리 용기(20)의 중심부의 격벽, 스러스트 너트(35) 및 스러스트 배관(341)에서 받아 들이게 된다. 또한, 매니폴드(36)의 하면은, 그 일부가 스러스트 너트(35)의 상면과 접하고 있다.

베어링(342)은, 로터(343)를 스러스트 배관(341)측에서 보유 지지하는 레이디얼 베어링이다. 베어링(344)은, 로터(343)를 본체부(345)측에서 보유 지지하는 레이디얼 베어링이다. 로터(343)는, 스러스트 배관(341)과 동심원에 배치되고, 회전 암(3)의 중심에서의 회전축이다. 또한, 로터(343)에는, 베이스 부재(33)가 접속되어 있다. 로터(343)가 회전함으로써, 회전 암(3), 즉 엔드 이펙터(32) 및 베이스 부재(33)가 회전한다.

본체부(345)는, 그 내부에 베어링(342, 344)과, 로터(343)와, 자성 유체 시일(346, 347)과, 다이렉트 드라이브 모터(348)를 격납한다. 자성 유체 시일(346, 347)은, 로터(343)의 내주측 및 외주측에 배치되어, 처리 공간(S1 내지 S4)을 외부에 대하여 밀봉한다. 다이렉트 드라이브 모터(348)는 로터(343)와 접속되어, 로터(343)를 구동함으로써 회전 암(3)을 회전시킨다. 또한, 본체부(345)는, 도시하지 않은 볼트에 의해 처리 용기(20)의 저부(27)(저면)에 고정되고, 스러스트 배관(341)에 걸리는 스러스트 하중은, 본체부(345)를 통해서 처리 용기(20)에서 받아 들이게 된다.

바꾸어 말하면, 로터(343)는, 내부가 중공인 회전 통의 일례이며, 동축 자성 유체 시일의 일례인 2축 진공 시일(34)의 외통에 대응한다. 또한, 로터(343)는, 각 처리 공간(S1 내지 S4) 각각으로부터 등거리의 장소에 위치하게 된다. 한편, 스러스트 배관(341)은, 로터(343)의 내주측의 중공부에 위치하고, 그 내부의 합류 배기구(205)는 배기 경로의 일례이며, 2축 진공 시일(34)의 내통에 대응한다. 또한, 스러스트 배관(341)의 상면은, 스러스트 너트(35)를 통해서, 처리 용기(20)의 중심부의 격벽, 즉 처리 용기(20)의 상벽에 고정되어 있다. 즉, 스러스트 배관(341)은, 처리 용기(20)의 중심부의 격벽, 및 스러스트 너트(35)를 통해서, 매니폴드(36)를 처리 용기(20)의 저벽(저부(27))에 대하여 지지한다.

이와 같이, 2축 진공 시일(34)은, 1축째의 회전하지 않는 중심축인 스러스트 배관(341)이 처리 용기(20)의 상부의 하중을 지지하면서, 가스 배기 배관의 역할을 담당하고, 2축째의 로터(343)가 회전 암(3)을 회전시키는 역할을 담당한다.

[변형예 1]

상기 실시 형태에서는, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜서, 처리 공간(S1)의 웨이퍼(W)를 처리 공간(S3)에 반송하고, 처리 공간(S2)의 웨이퍼(W)를 처리 공간(S4)에 반송했지만, 회전 암(3)을 2개로 분할하여 각각 독립적으로 회전시켜도 되며, 이와 같은 형태를 변형예 1로서 설명한다.

도 7은, 변형예 1에서의 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 분해 사시도이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 변형예 1의 기판 처리 장치(2a)에서는, 실시 형태의 회전 암(3) 대신에 회전 암(3a, 3b)을 갖는다. 또한, 도시는 하지 않지만, 2축 진공 시일(34) 대신에 3축 진공 시일을 갖는다. 또한, 변형예 1의 기판 처리 장치(2a)는, 회전 암(3a, 3b) 및 회전 암(3a, 3b)을 구동하는 3축 진공 시일 이외의 구성은, 실시 형태의 기판 처리 장치(2)와 마찬가지이므로 그 설명을 생략한다.

회전 암(3a)은, 적재대(22) 중, 2행 2열의 레이아웃의 중심 위치를 중심으로 회전 대칭인 2개의 적재대(22)(처리 공간(S1-S3 또는 S2-S4)의 조) 각각에 적재하는 웨이퍼(W)를 보유 지지 가능한 2개의 엔드 이펙터(32a)와, 2행 2열의 레이아웃의 중심 위치에 회전축이 위치하는 베이스 부재(33a)를 갖는다. 2개의 엔드 이펙터(32a)는, 회전 대칭이 되도록, 즉 직선상이 되도록 베이스 부재(33a)에 접속된다.

회전 암(3b)은 회전 암(3a)과 마찬가지로, 적재대(22) 중, 2행 2열의 레이아웃의 중심 위치를 중심으로 회전 대칭인 2개의 적재대(22)(처리 공간(S1-S3 또는 S2-S4)의 조) 각각에 적재하는 웨이퍼(W)를 보유 지지 가능한 2개의 엔드 이펙터(32b)와, 2행 2열의 레이아웃의 중심 위치에 회전축이 위치하는 베이스 부재(33b)를 갖는다. 2개의 엔드 이펙터(32b)는, 회전 대칭이 되도록, 즉 직선상이 되도록 베이스 부재(33b)에 접속된다.

3축 진공 시일은, 2축 진공 시일(34)의 로터(343)에 대응하는 회전축을 제1 회전 통과 제2 회전 통의 2개로 해서, 각각 독립적으로 회전 가능하게 하고 있는 동축 자성 유체 시일의 일례이다. 제1 회전 통과 제2 회전 통은, 스러스트 배관(341)과 동심원에 배치된다. 제2 회전 통은, 제1 회전 통보다 외측에 위치한다. 즉, 제1 회전 통은, 3축 진공 시일의 제1 외통이며, 제2 회전 통은, 3축 진공 시일의 제2 외통의 일례이다.

기판 처리 장치(2a)에서는, 예를 들어 회전 암(3a)이 제1 회전 통에 접속되고, 회전 암(3b)이 제2 회전 통에 접속된다. 이에 의해, 회전 암(3a)과 회전 암(3b)은, 각각 독립적으로 회전 가능하게 된다. 즉, 회전 암(3a)과 회전 암(3b)을 각각 다른 회전각으로 회전시킴으로써, 적재대(22)의 피치(Px)와 피치(Py)가 다른 경우에도, 인접하는 처리 공간(리액터)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(2a)에서는, 처리 공간 S1로부터 S2, 처리 공간 S2로부터 S3, 처리 공간 S3으로부터 S4, 처리 공간 S4로부터 S1과 같은 웨이퍼(W)의 반송이 가능하다.

[변형예 2]

상기 실시 형태에서는, 스러스트 배관(341)의 내벽이 합류 배기구(205)의 벽면으로 되어 있었지만, 스러스트 배관(341)의 내측에, 또한 히터를 갖는 가스 배관을 마련해도 되며, 이와 같은 형태를 변형예 2로서 설명한다.

도 8은, 변형예 2에서의 합류 배기구 근방의 단면의 일례를 도시하는 부분 확대도이다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 변형예 2에서는, 스러스트 배관(341)의 내측에 가스 배관(352)을 갖는다. 즉, 가스 배관(352)은, 동축 자성 유체 시일의 내통에 상당하는 스러스트 배관(341)보다 더 내측에 위치하는 최내통이다. 가스 배관(352)은 중공 구조이며, 그 내부는 합류 배기구(205)로 되어 있다. 가스 배관(352)의 외측의 측면에는, 시트상의 히터(353)가 마련되어 있다. 가스 배관(352)은, 스러스트 배관(341)과 마찬가지로 회전하지 않고, 가스 배관(352)의 상부의 외주측은, 스러스트 너트(35)의 내주측과 맞닿아진다. 또한, 가스 배관(352)의 상부의 외면과, 스러스트 너트(35)의 내주측의 면 사이는, 도시하지 않은 O링에 의해 밀봉되어 있다. 가스 배관(352)의 하부는, 도시하지 않은 단열재를 개재해서 배기관(61)의 상부와 맞닿아지고, 도시하지 않은 O링에 의해 밀봉되어 있다.

히터(353)는, 예를 들어 180℃와 같은 온도로 되도록, 가스 배관(352)을 균일하게 가열한다. 히터(353)에 의해 가스 배관(352)의 가열 제어를 행함으로써, 가스 배관(352)의 내벽(합류 배기구(205)측)에의 데포지션의 부착을 억제할 수 있다. 또한, 히터(353)는, 복수의 제어 영역을 마련함으로써, 승온시키고자 하는 개소만을 가열 가능하게 되어 있다. 또한, 히터(353)는, 가스 배관(352)을 가열할 때, 스러스트 배관(341)에 대해서도 복사에 의해 가열을 행한다. 스러스트 배관(341)은, 히터(353)에 의한 복사 가열에 의해 온도가 상승하므로, 처리 공간(S1 내지 S4)측의 면(외측의 면)에 대한 데포지션의 부착을 억제할 수 있다.

즉, 변형예 2에서는, 처리 용기(20)의 중심부에 있어서, 3축 중, 로터(343)의 1축이 회전 가능하고, 스러스트 배관(341) 및 가스 배관(352)의 2축이 고정되어 있다. 또한, 변형예 2에서의 가스 배관(352) 및 히터(353)는, 변형예 1의 3축 진공 시일과 조합해서 4축으로 해도 된다. 이 경우, 처리 용기(20)의 중심부에 있어서, 4축 중, 회전 암(3a, 3b)에 대응하는 제1 회전 통과 제2 회전 통의 2축이 회전 가능하고, 스러스트 배관(341) 및 가스 배관(352)의 2축이 고정되어 있다.

또한, 상기한 실시 형태에서는, 2축 진공 시일(34)에서의 로터(343)의 구동 방법으로서 다이렉트 드라이브 모터(348)를 사용했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 로터(343)에 풀리를 마련하여, 2축 진공 시일(34)의 외부에 마련한 모터로부터 타이밍 벨트로 구동해도 된다. 또한, 외통인 로터(343)에 마련한 기어와 외부에 마련한 모터의 기어의 끼워 맞춤에 의한 기어 구동으로 해도 된다. 또한, 마찬가지로, 3축 진공 시일에서의 제1 회전 통 및 제2 회전 통의 구동 방법에서도, 다이렉트 드라이브 모터에 의한 구동, 타이밍 벨트에 의한 구동, 및 기어에 의한 구동의 어느 것을 사용해도 된다.

이상, 본 실시 형태에 따르면, 기판 처리 장치(2)는, 진공 처리 용기(처리 용기(20))와, 진공 처리 용기의 중앙부(중앙 영역)에 회전축이 위치하는 회전 암(3)을 갖는다. 회전 암(3)은, 내부가 중공인 회전 통(로터(343))이 회전축을 구성하고, 회전 통의 중공부가 진공 처리 용기의 배기 경로(합류 배기구(205))를 구성한다. 그 결과, 진공 처리 용기의 중앙부에의 회전 암(3)의 회전 기구(로터(343), 다이렉트 드라이브 모터(348))의 설치와 배기 경로의 간략화를 양립할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 회전 통은, 동축 자성 유체 시일(2축 진공 시일(34))의 외통(로터(343))으로 구성되고, 배기 경로는, 동축 자성 유체 시일의 내통(스러스트 배관(341))으로 구성된다. 그 결과, 진공 처리 용기의 중앙부에의 회전 암(3)의 회전 기구의 설치와 배기 경로의 간략화를 양립할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 회전 통은, 동축 자성 유체 시일의 외통으로 구성되고, 배기 경로는, 동축 자성 유체 시일의 내통보다 더 내측에 위치하는 최내통(가스 배관(352))으로 구성된다. 그 결과, 동축 자성 유체 시일의 내통에의 데포지션의 부착을 억제할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 회전 통은, 제1 회전 통과 제2 회전 통을 구비하고, 외통은, 제1 외통과, 제1 외통보다 외측에 위치하는 제2 외통을 구비하고, 제1 회전 통은 제1 외통으로 구성되고, 제2 회전 통은 제2 외통으로 구성된다. 그 결과, 복수의 처리 공간(리액터)의 피치(Px)와 피치(Py)가 다른 경우에도, 인접하는 처리 공간의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 제1 외통과, 제2 외통은, 각각 독립적으로 회전 가능하다. 그 결과, 복수의 처리 공간(리액터)의 피치(Px)와 피치(Py)가 다른 경우에도, 인접하는 처리 공간의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 내통의 하단은, 진공 처리 용기의 저벽에 고정되고, 내통의 상단은, 진공 처리 용기의 상벽에 고정된다. 그 결과, 진공 처리 용기의 변형을 억제할 수 있다. 또한, 내통이 고정되는 저벽 및 상벽은, 엄밀한 저벽과 상벽에 한정되지 않는다. 예를 들어, 내통이 직접적으로 저벽과 상벽에 고정되는 경우는 물론, 상벽의 하중을 내통을 통해서 저벽에서 지지하는 형태라면, 내통과의 사이에 중간 부재를 개재해서 간접적으로 저벽과 상벽에 고정되는 경우도 포함하는 개념이다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 진공 처리 용기 내에는 복수의 처리 공간(S1 내지 S4)이 형성되고, 회전축은, 복수의 처리 공간(S1 내지 S4) 각각으로부터 등거리의 장소에 위치한다. 그 결과, 회전 암(3)을 사용해서 각 처리 공간(S1 내지 S4)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 회전 암(3)은, 복수의 처리 공간(S1 내지 S4)과 동일수의 웨이퍼(W)를 보유 지지 가능한 엔드 이펙터(32)를 구비한다. 그 결과, 각 처리 공간(S1 내지 S4)의 웨이퍼(W)를 동시에 반송할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 진공 처리 용기는, 복수의 처리 공간(S1 내지 S4)을 배기 경로에 접속하는 배기 매니폴드(매니폴드(36))를 구비하고, 동축 자성 유체 시일의 내통은, 배기 매니폴드를 저벽에 대하여 지지한다. 그 결과, 진공 처리 용기의 변형을 억제할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 회전 통은, 동축 자성 유체 시일의 외통이 다이렉트 드라이브 모터(348)로 구동됨으로써 회전한다. 그 결과, 회전 암(3)의 구동부를 소형화할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 최내통은 히터(353)에 의해 가열된다. 그 결과, 가스 배관(352)의 내벽에의 데포지션의 부착을 억제할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 내통은 히터(353)에 의해 복사 가열된다. 그 결과, 내통(스러스트 배관(341))의 처리 공간(S1 내지 S4)측의 면에 대한 데포지션의 부착을 억제할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 최내통의 하단은, 배기 경로의 배기관(61)에 고정되고, 최내통의 상단은, 진공 처리 용기의 상벽에 고정된다. 그 결과, 배기관(61)까지의 배기 경로(합류 배기구(205)) 내에의 데포지션의 부착을 억제할 수 있다.

금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태에서 생략, 치환, 변경되어도 된다.

예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(2)가 기판 처리로서 플라스마 CVD 처리를 행하는 장치인 예를 설명했지만, 플라스마 에칭 등의 다른 기판 처리를 행하는 임의의 장치에 개시 기술을 적용해도 된다.

Claims

진공 처리 용기와,
상기 진공 처리 용기의 중앙부에 회전축이 위치하는 회전 암
을 포함하고,
상기 회전 암은, 내부가 중공인 회전 통이 상기 회전축을 구성하고, 상기 회전 통의 중공부가 상기 진공 처리 용기의 배기 경로를 구성하는, 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 회전 통은, 동축 자성 유체 시일의 외통으로 구성되고,
상기 배기 경로는, 상기 동축 자성 유체 시일의 내통으로 구성되는, 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 회전 통은, 동축 자성 유체 시일의 외통으로 구성되고,
상기 배기 경로는, 상기 동축 자성 유체 시일의 내통보다 더 내측에 위치하는 최내통으로 구성되는, 기판 처리 장치.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 회전 통은, 제1 회전 통과 제2 회전 통을 포함하고,
상기 외통은, 제1 외통과, 상기 제1 외통보다 외측에 위치하는 제2 외통을 포함하고,
상기 제1 회전 통은, 상기 제1 외통으로 구성되고,
상기 제2 회전 통은, 상기 제2 외통으로 구성되는, 기판 처리 장치.
제4항에 있어서, 상기 제1 외통과, 상기 제2 외통은, 각각 독립적으로 회전 가능한, 기판 처리 장치.
제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 내통의 하단은, 상기 진공 처리 용기의 저벽에 고정되고,
상기 내통의 상단은, 상기 진공 처리 용기의 상벽에 고정되는, 기판 처리 장치.
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공 처리 용기 내에는 복수의 처리 공간이 형성되고,
상기 회전축은, 상기 복수의 처리 공간 각각으로부터 등거리의 장소에 위치하는, 기판 처리 장치.
제7항에 있어서, 상기 회전 암은, 상기 복수의 처리 공간과 동일수의 웨이퍼를 보유 지지 가능한 엔드 이펙터를 포함하는, 기판 처리 장치.
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 진공 처리 용기는, 상기 복수의 처리 공간을 상기 배기 경로에 접속하는 배기 매니폴드를 포함하고,
상기 동축 자성 유체 시일의 내통은, 상기 배기 매니폴드를 저벽에 대하여 지지하는, 기판 처리 장치.
제2항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 회전 통은, 상기 동축 자성 유체 시일의 외통이 다이렉트 드라이브 모터 또는 기어로 구동됨으로써 회전하는, 기판 처리 장치.
제3항에 있어서, 상기 최내통은, 히터에 의해 가열되는, 기판 처리 장치.
제11항에 있어서, 상기 내통은, 상기 히터에 의해 복사 가열되는, 기판 처리 장치.
제3항, 제11항, 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 최내통의 하단은, 상기 배기 경로의 배기관에 고정되고,
상기 최내통의 상단은, 상기 진공 처리 용기의 상벽에 고정되는, 기판 처리 장치.