CN110957242A - 基板处理装置 - Google Patents

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森川胜洋
饱本正巳
守田聪
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Abstract

本发明提供一种基板处理装置。相对于基板周围的腐蚀性的环境来保护用于向加热器的供电和加热器的控制的电气部件。基板处理装置具备：旋转驱动机构，其使保持着基板的旋转台绕旋转轴线旋转；处理液喷嘴，其向保持于旋转台的基板的上表面供给处理液；电加热器，其设置于顶板，隔着顶板对基板进行加热；电气部件，其设置于顶板的下表面侧，接收或发送用于向电加热器的供电和电加热器的控制的信号；以及周缘罩体，其与顶板的周缘部连接，与顶板一起旋转。在顶板的下方形成有收纳电气部件的收纳空间，收纳空间被包括顶板和周缘罩体的包围构造物包围，顶板的周缘部与周缘罩体之间被密封。

Description

基板处理装置
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置。
背景技术
在半导体装置的制造中，对半导体晶圆等基板实施化学溶液清洗处理、镀覆处理、显影处理等各种液处理。作为进行这样的液处理的装置，存在单片式的液处理装置，其一个例子记载于专利文献1。
专利文献1的基板处理装置具有能够将基板以水平姿势保持并使该基板绕铅垂轴线旋转的旋转卡盘。沿着圆周方向隔开间隔地设置于旋转卡盘的周缘部的多个保持构件用于保持基板。在保持于旋转卡盘的基板的上方和下方分别设置有内置有加热器的圆板状的上表面移动构件和下表面移动构件。在专利文献1的基板处理装置中，用以下的步骤进行处理。
首先，利用旋转卡盘保持基板，使下表面移动构件上升而在基板的下表面(背面)与下表面移动构件的上表面之间形成较小的第1间隙。接着，从在下表面移动构件的上表面的中心部开口的下表面供给路径向第1间隙供给调温后的化学溶液，第1间隙被表面处理用的化学溶液充满。化学溶液被下表面移动构件的加热器调温成预定的温度。另一方面，使上表面供给喷嘴位于基板的上表面(表面)的上方而供给表面处理用的化学溶液，在基板的上表面形成化学溶液的液团(puddle)。接着，上表面供给喷嘴从基板的上方退避，上表面移动构件下降，在上表面移动构件的下表面与化学溶液的液团的表面(上表面)之间形成较小的第2间隙。化学溶液的液团被内置于上表面移动构件的加热器调温成预定的温度。在该状态下，使基板以低速旋转、或者不使晶圆旋转地进行基板的表面和背面的化学溶液处理工序。在化学溶液处理工序的期间，根据需要，从在上表面移动构件的中心部开口的化学溶液供给路径和前述的下表面供给路径向基板的表面和背面补充化学溶液。
在专利文献1的基板处理装置中，基板借助介于基板与加热器之间的流体(处理液和/或气体)被加热。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-219424号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种相对于基板周围的腐蚀性的环境来保护用于向加热器的供电和加热器的控制的电气部件的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置具备：旋转台，其具有保持基板并使该基板旋转的顶板；旋转驱动机构，其使所述旋转台绕旋转轴线旋转；处理液喷嘴，其向保持于所述旋转台的所述基板的上表面供给处理液；电加热器，其设置于所述顶板，隔着所述顶板对所述基板进行加热；电气部件，其设置于所述顶板的下表面侧，接收或发送用于向所述电加热器的供电和所述电加热器的控制的信号；以及周缘罩体，其与所述顶板的周缘部连接，与所述顶板一起旋转，在所述顶板的下方形成有收纳所述电气部件的收纳空间，所述收纳空间被包括所述顶板和所述周缘罩体的包围构造物包围，所述顶板的周缘部与所述周缘罩体之间被密封。
发明的效果
根据本公开，能够相对于基板周围的腐蚀性的环境来保护用于向加热器的供电和加热器的控制的电气部件。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理装置的整体结构的概略俯视图。
图2是表示图1的基板处理装置所包含的处理单元的结构的一个例子的概略剖视图。
图3是用于说明在上述的处理单元设置的热板的加热器的配置的一个例子的概略俯视图。
图4是表示上述热板的上表面的概略俯视图。
图5是表示在上述的处理单元设置的吸附板的下表面的结构的一个例子的概略俯视图。
图6是表示上述吸附板的上表面的结构的一个例子的概略俯视图。
图7是表示在上述处理单元设置的第1电极部的结构的一个例子的概略俯视图。
图8是用于说明上述处理单元的各种构成零部件的动作的一个例子的时序图。
图9是表示上述处理单元的旋转台的周缘部附近的结构的一个例子的概略放大剖视图。
图10是表示上述处理单元的旋转台的周缘部附近的结构的另一个例子的概略放大剖视图。
图11是对疏水化处理的效果进行说明的图。
具体实施方式
以下，参照附图对基板处理装置(基板处理系统)的一实施方式进行说明。
图1是表示一实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂向上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。
输入输出站2具备载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置有多个载体C，该多个载体C用于以水平状态收纳多张基板，在本实施方式中是收纳多张半导体晶圆(以下晶圆W)。
输送部12与载体载置部11相邻地设置，在内部设置有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够沿着水平方向和铅垂方向移动、以及以铅垂轴线为中心回转，其使用晶圆保持机构在载体C与交接部14之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列设置于输送部15的两侧。
输送部15在内部设置有基板输送装置17。基板输送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够沿着水平方向和铅垂方向移动、以及以铅垂轴线为中心回转，其使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。
处理单元16对利用基板输送装置17输送的晶圆W进行预定的基板处理。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4是例如计算机，其具备控制部18和存储部19。在存储部19储存有对在基板处理系统1中要执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过将存储到存储部19的程序读出并执行，来控制基板处理系统1的动作。
此外，上述程序被记录在能够由计算机读取的存储介质，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为能够由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13从载置到载体载置部11的载体C取出晶圆W，将取出来的晶圆W载置于交接部14。载置于交接部14的晶圆W被处理站3的基板输送装置17从交接部14取出而向处理单元16搬入。
搬入到处理单元16的晶圆W在被处理单元16处理了之后，被基板输送装置17从处理单元16搬出而被载置于交接部14。然后，被载置于交接部14的处理完毕的晶圆W利用基板输送装置13向载体载置部11的载体C返回。
接着，对处理单元16的一实施方式的结构进行说明。处理单元16构成为单片式的浸渍液处理单元。
如图2所示，处理单元16具备：旋转台100；处理液供给部700，其用于向晶圆W供给处理液；以及液体承接杯(处理杯)800，其用于回收从旋转的基板飞散开的处理液。旋转台100能够将晶圆W等圆形的基板以水平姿势保持并使该晶圆W等圆形的基板旋转。旋转台100、处理液供给部700、液体承接杯800等处理单元16的构成零部件收纳于外壳900(也被称为处理室)内。图2仅示出了处理单元16的左半部。
旋转台100具有：吸附板120、热板140、支承板170、周缘罩体180以及中空的旋转轴200。吸附板120将被载置于其上的晶圆W以水平姿势吸附。热板140是用于对吸附板120进行支承并且进行加热的、对吸附板120来说的底座。旋转台100的顶板(top plate)由吸附板120和热板140形成。支承板170用于支承吸附板120和热板140。旋转轴200从支承板170向下方延伸。旋转台100利用配设于旋转轴200的周围的电动驱动部102绕在铅垂方向上延伸的旋转轴线Ax旋转，由此，能够使所保持的晶圆W绕旋转轴线Ax旋转。电动驱动部102(详细情况未图示)能够设为将由电动马达产生的动力借助动力传递机构(例如带和带轮)向旋转轴200传递而驱动旋转轴200旋转。电动驱动部102也可以利用电动马达直接驱动旋转轴200旋转。
吸附板120是圆板状的构件，其具有比晶圆W的直径稍大的直径(根据结构，也可以是相同的直径)，也就是说具有比晶圆W的面积大或者与晶圆W的面积相等的面积。吸附板120具有吸附晶圆W的下表面(不是处理对象的面)的上表面120A和与热板140的上表面接触的下表面120B。吸附板120能够由导热性陶瓷等高导热系数材料，例如SiC来形成。优选形成吸附板120的材料的导热系数是150W/m·k以上。
热板140是具有与吸附板120的直径大致相等的直径的圆板状的构件。热板140具有板主体141和设置于板主体141的电式加热器(电加热器)142。板主体141由导热性陶瓷等高导热系数材料，例如SiC来形成。优选形成板主体141的材料的导热系数是150W/m·k以上。
加热器142能够由设置于板主体141的下表面的面状加热器，例如聚酰亚胺加热器来构成。优选的是，在热板140设定有图3所示那样的多个(例如10个)加热区域143-1～143-10。加热器142由分别分配到各加热区域143-1～143-10的多个加热器元件142E构成。各加热器元件142E由在各加热区域143-1～143-10内蜿蜒曲折地延伸的导电体形成。在图3中，仅示出了位于加热区域143-1内的加热器元件142E。
能够利用随后论述的供电部300向上述多个加热器元件142E相互独立地供电。因而，能够以不同的条件对晶圆W的不同的加热区域进行加热，能够控制晶圆W的温度分布。
如图4所示，在板主体141具有：1个以上(在图示例中，是两个)的板用抽吸口144P、1个以上的(在图示例中，是中心部的1个)基板用抽吸口144W以及1个以上(在图示例中，是外侧的两个)的吹扫气体供给口144G。板用抽吸口144P是为了传递用于使吸附板120吸附于热板140的抽吸力而使用的。基板用抽吸口144W是为了传递用于使晶圆W吸附于吸附板120的抽吸力而使用的。
在板主体141还形成有：多个(在图示例中，是3个)升降销孔145L，其供随后论述的升降销211穿过；和多个(在图示例中，是6个)检修孔145S，其用于使旋转台100的装配用的螺钉进入。在通常运行时，检修孔145S由盖145C封堵。
上述的加热器元件142E以避开上述的板用抽吸口144P、基板用抽吸口144W、吹扫气体供给口144G、升降销孔145L以及检修孔145S的方式配置。另外，也能够通过利用电磁体进行与旋转轴200之间的连结而消除检修孔。
如图5所示，在吸附板120的下表面120B形成有：板用的下表面抽吸流路槽121P、基板用的下表面抽吸流路槽121W以及下表面吹扫流路槽121G。在吸附板120以恰当的位置关系载置于热板140上时，板用的下表面抽吸流路槽121P的至少一部分与板用抽吸口144P连通。同样地，基板用的下表面抽吸流路槽121W的至少一部分与基板用抽吸口144W连通，下表面吹扫流路槽121G的至少一部分与吹扫气体供给口144G连通。板用的下表面抽吸流路槽121P、基板用的下表面抽吸流路槽122W以及下表面吹扫流路槽121G相互分离(未连通)。
如图6所示，在吸附板120的上表面120A形成有多个(在图示例中，是5个)较粗的环状的分隔壁124。较粗的分隔壁124在上表面120A划分形成相互分离的多个凹区域125W、125G(外侧的4个圆环状区域和最内侧的圆形区域)。
在基板用的下表面抽吸流路槽121W的多个部位形成有沿着厚度方向贯通吸附板120的多个贯通孔(未图示)，各贯通孔使基板用的下表面抽吸流路槽121W和多个(在图示例中，4个)凹区域125W中任一者连通。
另外，在下表面吹扫流路槽121G的多个部位形成有沿着厚度方向贯通吸附板120的贯通孔(未图示)，各贯通孔使下表面吹扫流路槽121G和最外侧的凹区域125G连通。最外侧的凹区域125G成为单一的圆环状的上表面吹扫流路槽。
在内侧的4个凹区域125W内分别呈同心圆状设置有多个较细的大致环状的分离壁127。较细的分离壁127在各凹区域125W内形成在该凹区域内蜿蜒曲折地延伸的至少1个上表面抽吸流路槽。也就是说，较细的分离壁127使抽吸力向各凹区域125W内均等地分散。
如图2所示，在旋转轴线Ax的附近设置有抽吸/吹扫部150。抽吸/吹扫部150具有设置到中空的旋转轴200的内部的旋转接头151。在旋转接头151的上方部分151A连接有：抽吸配管152W，其与热板140的板用抽吸口144P以及基板用抽吸口144W连通；和吹扫气体供给配管152G，其与吹扫气体供给口144G连通。
虽未图示，但也可以使抽吸配管152W分支而将分支抽吸配管在板用抽吸口144P和基板用抽吸口144W的正下方与热板140的板主体141连接。在该情况下，也可以在板主体141形成贯通板主体141并沿着上下方向延伸的贯通孔，将分支抽吸配管与各贯通孔连接。同样地，也可以使吹扫气体供给配管152G分支而将分支吹扫气体供给配管在吹扫气体供给口144G的正下方与热板140的板主体141连接。在该情况下，也可以在板主体141形成贯通板主体141并沿着上下方向延伸的贯通孔，将吹扫气体供给配管与各贯通孔连接。
替代上述内容，也可以将抽吸配管152W以及吹扫气体供给配管152G与热板140的板主体141的中央部连接。在该情况下，在板主体141的内部设置有使抽吸配管152W与板用抽吸口144P以及基板用抽吸口144W分别连通的流路、以及使吹扫气体供给配管152G与吹扫气体供给口144G连通的流路。
在旋转接头151的下方部分151B连接有与抽吸配管152W连通的抽吸配管153W以及与吹扫气体供给配管151G连通的吹扫气体供给配管153G。旋转接头151构成为，维持抽吸配管152W、153W彼此的连通、以及吹扫气体供给配管152G、153G彼此的连通的状态不变，上方部分151A和下方部分151B能够相对旋转。具有这样的功能的旋转接头151其本身是公知的。
抽吸配管153W与真空泵等抽吸装置154连接。吹扫气体供给配管153G与吹扫气体供给装置155连接。抽吸配管153W也与吹扫气体供给装置155连接。另外，设置有使抽吸配管153W的连接对象在抽吸装置154与吹扫气体供给装置155之间切换的切换装置156(例如三通阀)。
在将晶圆W载置到吸附板120的上表面120A的状态下，利用抽吸/吹扫部150使吸引力作用于4个凹区域125W，从而使晶圆W被吸附于吸附板120的上表面120A。此时，利用抽吸/吹扫部150向吸附板120的上表面的最外侧的凹区域125G供给吹扫气体(例如N2气体)。由此，能够防止供给到晶圆W的处理液进入吸附板120的上表面120A与晶圆W的下表面之间的间隙。
除了向凹区域125G供给吹扫气体之外，或者说替代向凹区域125G供给吹扫气体，也可以对吸附板120的上表面120A的外周缘区域120P(参照图9)实施疏水化表面处理。能够通过在表面形成疏水性覆膜来进行疏水化处理。如图9所示，实施了疏水化处理的区域(以粗实线表示)延伸到比晶圆W的斜面部稍靠半径方向内侧的位置。
通过实施疏水化处理，如图11所示，由于表面张力，位于外周缘区域120P上的处理液L的液膜的端部的轮廓球状化，能够抑制处理液L进入晶圆W的斜面部与吸附板120的上表面120A之间的间隙。
处理液向晶圆W的下表面侧的进入也能够利用图10所示的结构来实现。在图10所示的结构中，周缘罩体180的上部181具有延伸到吸附板120所吸附着的晶圆W的周缘部的下方的环状的内侧延长部分194。内侧延长部分194的上表面的高度与吸附板120的上表面120A(最外侧的较粗的环状的分隔壁124的上表面)的高度相同。对内侧延长部分194的上表面实施了疏水化处理(以粗实线表示)。在图10所示的结构中，实施了疏水化处理的区域也延伸到比晶圆W的斜面部稍靠半径方向内侧的位置。在图10所示的结构中，也能够抑制处理液进入内侧延长部分194的上表面与晶圆W的下表面之间的间隙。
在热板140埋设有用于检测热板140的板主体141的温度的多个温度传感器146。温度传感器146能够在例如10个加热区域143-1～143-10各设置一个。另外，在接近热板140的加热器142的位置设置有用于检测加热器142的过热的至少1个热敏开关147。
在热板140与支承板170之间的空间S除了设置有上述温度传感器146和热敏开关147之外，还设置有：控制信号配线148A、148B，其用于发送温度传感器146和热敏开关147的检测信号；和供电配线149，其用于向加热器142的各加热器元件142E供电。
如图2所示，在旋转接头151的周围设置有开关机构160。开关机构160具有：在旋转轴线Ax的方向上固定的第1电极部161A、在旋转轴线Ax的方向上可动的第2电极部161B以及使第2电极部161B沿着旋转轴线Ax的方向移动(升降)的电极移动机构162(升降机构)。
如图7所示，第1电极部161A具有第1电极承载体163A和承载于第1电极承载体163A的多个第1电极164A。在多个第1电极164A中包括与控制信号配线148A、148B连接起来的控制信号通信用的第1电极164AC(在图7中以较小的“○”表示。)和与供电配线149连接起来的加热器供电用的第1电极164AP(在图7中以较大的“○”表示。)。
第1电极承载体163A是整体上呈圆板状的构件。在第1电极承载体163A的中心部形成有供旋转接头151的上方部分151A插入的圆形的孔167。旋转接头151的上方部分151A也可以固定于第1电极承载体163A。第1电极承载体163A的周缘部能够使用螺纹孔171而螺纹紧固于支承板170。
如在图2中概略地表示的那样，第2电极部161B具有第2电极承载体163B和承载到第2电极承载体163B的多个第2电极164B。第2电极承载体163B是与图7所示的第1电极承载体163A大致相同的直径的、整体上呈圆板状的构件。在第2电极承载体163B的中心部形成有旋转接头151的下方部分151B能够穿过的尺寸的圆形的孔。
由于相对于第1电极164A升降而相对于第1电极164A接触、分离的第2电极164B具有与第1电极164A相同平面的配置。此外，以下，也将与加热器供电用的第1电极164AP(受电电极)接触的第2电极164B(供电电极)称为“第2电极164BP”。另外，也将与控制信号通信用的第1电极164AC接触的第2电极164B称为“第2电极164BC”。第2电极164BP与供电装置(供电部)300的电力输出端子连接。第2电极164BC与供电部300的控制用输入输出端子连接。
将各第2电极164B与供电部300的电力输出端子以及控制用输入输出端子连接的导电路径168A、168B、169(参照图2)至少局部由挠性的电线形成。利用挠性的电线维持第2电极164B与供电部300之间导通的状态不变，第2电极部161B整体能够绕旋转轴线Ax从中立位置向正转方向和反转方向分别旋转预定角度。预定角度是例如180度，但并不限定于该角度。这意味着，维持着第1电极164A与第2电极164B之间连接的状态不变，也能够使旋转台100旋转大致±180度。
成对的第1电极164A和第2电极164B中的一者也可以构成为弹簧针(ポゴピン)。在图2中，第2电极164B全部形成为弹簧针。此外，“弹簧针”作为意味着内置有弹簧的可伸缩的棒状电极的用语被广泛应用。作为电极，也能够使用插座、磁性电极、感应电极等来替代弹簧针。
优选设置有锁定机构165，该锁定机构165在成对的第1电极164A和第2电极164B彼此恰当地接触着时将第1电极承载体163A和第2电极承载体163B锁定成无法相对旋转。例如，如图2所示，锁定机构165能够由设置于第1电极承载体163A的孔165A和设置于第2电极承载体且与孔嵌合的销165B构成。
也优选设置有用于检测成对的第1电极164A和第2电极164B之间恰当地接触的情况的器件172(概略地表示在图2中)。作为这样的器件，也可以设置对第1电极承载体163A与第2电极承载体163B之间的角度位置关系处于恰当的状态的情况进行检测的角度位置传感器166。另外，作为这样的器件，也可以设置对第1电极承载体163A与第2电极承载体163B之间在旋转轴线Ax方向上的距离处于恰当的状态的情况进行检测的距离传感器(未图示)。进而，也可以设置对销165B与上述锁定机构165的孔165A恰当地嵌合的情况进行检测的接触式的传感器(未图示)。
虽未图示，但在图2中概略地示出的电极移动机构162能够具备将第2电极承载体163B上推的推杆和使推杆升降的升降机构(汽缸、滚珠丝杠等)来构成(结构例1)。在采用该结构的情况下，例如，能够将永磁体设置于第1电极承载体163A，并且将电磁体设置于第2电极承载体163B。由此，根据需要能够将第1电极部161A和第2电极部161B结合成无法沿着上下方向相对移动并且能够使第1电极部161A和第2电极部161B分离。
在采用了第1结构例的情况下，只要在旋转台100的相同的角度位置处进行第1电极部161A与第2电极部161B之间的结合和断开，第2电极部161B就可以不被支承成能够绕旋转轴线Ax旋转。即，在第1电极部161A与第2电极部161B分开时，存在支承第2电极部161B的构件(例如上述的推杆或者别的支承台)即可。
也能够采用另一结构例2来替代上述的第1结构例。虽然未详细地图示，但电极移动机构162的第2结构例具备：第1环状构件，其具有以旋转轴线Ax为中心的圆环的形状；第2环状构件，其用于支承第1环状构件；轴承，其夹设于第1环状构件与第2环状构件之间，且能够使两者相对旋转；以及升降机构(汽缸、滚珠丝杠等)，其使第2环状构件升降。
在采用了上述结构例1、2中任一者的情况下，能够在保持使成对的第1电极164A和第2电极164B恰当地接触的状态下，使第1电极部161A和第2电极部161B在某限定的范围内联动地旋转。
旋转台100的旋转驱动机构(包括电动马达102)具有使旋转台100停止在任意的旋转角度位置的定位功能。定位功能能够通过基于由附设到旋转台100(或被旋转台100旋转的构件)的回转式编码器的检测值使电动马达102旋转来实现。在使旋转台100停止到预先确定好的旋转角度位置的状态下，利用电极移动机构162使第2电极部161B上升，从而能够使第1电极部161A和第2电极部161B的相对应的电极彼此恰当地接触。优选的是，在第2电极部161B与第1电极部161A分离时，也在使旋转台100停止到上述的预先确定好的旋转角度位置的状态下进行分离。
如上述这样，在吸附板120与支承板170之间的空间S内和面对空间S的位置配置有多个电气部件(加热器、配线、传感器类)。空间S从收纳这些电气部件等的空间这样的意义上来说也被称为“收纳空间S”。周缘罩体180与吸附板120、热板140以及支承板170一起构成包围空间S的包围构造物。包括周缘罩体180在内的包围构造物防止向晶圆W供给的处理液，特别是腐蚀性的化学溶液进入空间S内，而保护电气部件。
优选设置向空间S供给吹扫气体(非活性气体例如N2气体)的吹扫气体供给部。如图9中概略地表示的那样，空间S用的吹扫气体供给部能够由吹扫气体供给装置155、吹扫气体供给配管152G(参照图2)以及分支配管152GB构成。分支配管152GB从吹扫气体供给配管152G分支而向空间S内供给吹扫气体。通过设置这样的吹扫气体供给部，能够防止源自化学溶液的腐蚀性的气体从空间S的外部向空间S内进入，并能够将空间S内维持在非腐蚀性的气氛。空间S用的吹扫气体供给部也可以是与吹扫气体供给装置155以及吹扫气体供给配管152G独立的吹扫气体供给部。
如图2所示，周缘罩体180具有：上部181、侧周部182以及下部183。上部181向吸附板120的上方伸出，并与吸附板120连接。周缘罩体180的下部183与支承板170连结。周缘罩体180的上部181(构成随后论述的围堰的部分)覆盖在吸附板120的周缘部，从而也具有将吸附板120固定于热板140的作用。
解除吸附板120向热板140的吸附，将周缘罩体180从旋转台100拆卸，从而能够将吸附板120从旋转台100容易地拆卸。因此，在维护时，被污染或已损伤的吸附板120的更换较容易。
周缘罩体180的上部181的内周缘位于比吸附板120的外周缘靠半径方向内侧的位置。上部181具有：圆环状的下表面184，其与吸附板120的上表面接触；倾斜的圆环状的内周面185，其从下表面184的内周缘立起；以及圆环状的外周面186，其从内周面185的外周缘向半径方向外侧大致水平地延伸。内周面185以随着靠近吸附板120的中心部而变低的方式倾斜。
优选的是，为了防止液的进入，对吸附板120的上表面120A与周缘罩体180的上部181的下表面184之间实施了密封。密封能够设为配置于上表面120A与下表面184之间的O形密封圈192(参照图9和图10)。
如图5所示，板用的下表面抽吸流路槽121P的一部分在吸附板120的最外周部分沿着圆周方向延伸。另外，如图6所示，在吸附板120的上表面120A的最外周部分，凹槽193沿着圆周方向连续地延伸。如图9所示，最外周的下表面抽吸流路槽121P和凹槽193借助多个贯通孔(未图示)连通，该多个贯通孔129P沿着厚度方向贯通吸附板120，并沿着圆周方向隔开间隔地设置。在凹槽193之上载置有周缘罩体180的上部181的下表面184。因而，由于作用于板用的下表面抽吸流路槽121P的负压，周缘罩体180的上部181的下表面184被吸附于吸附板120的上表面120A。由于该吸附，O形密封圈192被压扁，而实现可靠的密封。
此外，在图9和图10中，为了防止附图的烦杂化，省略了设置于吸附板120的下表面的最外周的下表面抽吸流路槽121P以及使流路槽121P和凹槽193连通的贯通孔的图示。取而代之，以虚线表示经由下表面抽吸流路槽121P到达凹槽193的吸引力的流动。另外，在图9和图10中，也省略了设置于吸附板120的下表面的全部的槽以及全部的贯通孔的图示。
在采用图9的结构的情况下，优选将对吸附板120的上表面120A的外周缘区域120P实施了的疏水化处理延伸到周缘罩体180的上部181(也就是随后论述的围堰)的下表面184的下方。由此，也能够期待防止处理液进入周缘罩体180的上部181的下表面184与吸附板120的上表面120A的外周缘区域120P之间的间隙。
优选利用上述的3个手段(O形密封圈192、借助凹槽193的吸附、疏水化处理)来进行防止向吸附板120的上表面120A与周缘罩体180的上部181的下表面184之间的液体进入。然而，也能够省略上述的3个手段中的至少1者。
外周面186即周缘罩体180的顶部的高度比保持到吸附板120的晶圆W的上表面的高度高。因而，若在晶圆W保持于吸附板120的状态下向晶圆W的上表面供给处理液，则能够形成以使晶圆W的上表面位于比液面LS靠下的位置的方式可浸渍晶圆W的积液(液团)。也就是说，周缘罩体180中的、作为与吸附板120连接的连接部的上部181从吸附板120的周缘部的上表面120A立起，形成包围被保持在吸附板120的晶圆W的周围的围堰。利用该围堰和吸附板120来划分形成能够积存处理液的凹处。
在使旋转台100高速旋转时，周缘罩体180的上部181的内周面185的倾斜使位于上述的槽内的处理液容易向外侧顺畅地飞散。也就是说，由于具有该倾斜，能够防止在使旋转台100高速旋转时使液体积存在周缘罩体180的上部181的内周面。
在周缘罩体180的半径方向外侧设置有与周缘罩体180一起旋转的旋转套筒188(旋转液体承接构件)。旋转套筒188经由多个连结构件189与旋转台100的构成零部件、在图示例中是周缘罩体180连结，该多个连结构件189沿着圆周方向隔开间隔地设置。旋转套筒188的上端位于能接住从晶圆W飞散的处理液的高度。具体而言，例如，旋转杯188的上端位于比周缘罩体180的上部181的内周面185的向外方的假想延长面至少靠上方的位置。在周缘罩体180的侧周部182的外周面182A(参照图9和图10)与旋转杯188的内周面之间形成有供从晶圆W飞散的处理液流下的通路190。
优选对周缘罩体180的外周面182A实施了疏水化处理(参照在图9和图10中以粗线表示的区域182P)。疏水化处理能够通过在表面形成疏水性覆膜来进行。通过使外周面182A具有较高的疏水性，从而能够防止处理液残留于由于其倾斜角度而难以由离心力进行排液的外周面182A上。因此，能够防止源自干燥的处理液而导致的微粒的产生。也可以是，也对旋转杯188的与周缘罩体180的外周面182A面对的内周面实施同样的疏水化处理(未图示)。
优选的是，用于防止处理液向周缘罩体180与旋转杯188之间的通路190内倒流的回流件191(在图9和图10中以点划线表示)设置于周缘罩体180的外周面182A和旋转杯188的内周面中的至少一者。通过设置这样的回流件191，能够防止从晶圆W飞散出的处理液在通路190内朝向晶圆W倒流而污染晶圆W。
液体承接杯800包围旋转台100的周围，用于回收从晶圆W飞散出的处理液。在图示的实施方式中，液体承接杯800具有：固定外侧杯元件801；可升降的第1可动杯元件802和第2可动杯元件803；以及固定内侧杯元件804。在彼此相邻的两个杯元件之间(801与802之间、802与803之间、803与804之间)分别形成有第1排出通路806、第2排出通路807、第3排出通路808。通过变更第1可动杯元件802和第2可动杯元件803的位置，能够将从周缘罩体180与旋转套筒188之间的通路190流出的处理液向3个排出通路806、807、808中的任意选择出的1个引导。第1排出通路806、第2排出通路807以及第3排出通路808分别与设置于半导体制造工厂的酸系排液通路、碱系排液通路以及有机系排液通路(均未图示)中的任一者连接。在第1排出通路806、第2排出通路807以及第3排出通路808内设置有未图示的气液分离构造。第1排出通路806、第2排出通路807以及第3排出通路808经由喷射器等排气装置(未图示)与工厂排气系统连接，而被抽吸。这样的液体承接杯800根据与本案申请人的特许出愿相关联的公开公报、日本特开2012-129462号、日本特开2014-123713号等而成为公知，对于详细情况，要参照上述公开公报。
以在旋转轴线Ax的方向上与热板140的3个升降销孔145L并列的方式在吸附板120和支承板170也分别形成有3个升降销孔128L、171L。
在旋转台100以贯穿升降销孔145L、128L、171L的方式设置有多个(在图示例中，3个)升降销211。各升降销211能够在升降销211的上端从吸附板120的上表面120A向上方突出的交接位置(上升位置)和升降销211的上端位于吸附板120的上表面120A的下方的处理位置(下降位置)之间移动。
在各升降销211的下方设置有推杆212。能够利用升降机构213例如汽缸使推杆212升降。利用推杆212将升降销211的下端上推，从而能够使升降销211向交接位置上升。也可以是，将多个推杆212设置于以旋转轴线Ax为中心的环状支承体(未图示)，通过利用通用的升降机构使环状支承体升降，来使多个推杆212升降。
载置于处于交接位置的升降销211之上的晶圆W位于比固定外侧杯元件801的上端809高的高度位置，而能够与进入到处理单元16的内部的基板输送装置17的臂(参照图1)之间进行晶圆W的交接。
若升降销211与推杆212分离，则由于复位弹簧214的弹性力，升降销211向处理位置下降，并被保持在该处理位置。在图2中，附图标记215是对升降销211的升降进行引导的引导构件，附图标记216是承接复位弹簧214的弹簧承接部。此外，在固定内侧杯元件804形成有用于使弹簧承接部216能够绕旋转轴线Ax旋转的圆环状的凹处810。
优选在前述的旋转的包围构造物(包括构件120、140、170、180)与不旋转的液体承接杯800之间设置有迷宫密封构造。例如，如图9和图10所示，迷宫密封构造能够设置于周缘罩体180的下部183与固定内侧杯元件804之间。在图9和图10中示出有迷宫密封构造820(以虚线包围)的一个例子。迷宫密封构造820由设置于固定内侧杯元件804的凹部和插入所述凹部的设置于周缘罩体180的下部183的向下方延伸的突起构成。通过设置迷宫密封构造820，能够防止或大幅度地抑制升降销211及其升降机构、或者电动马达102等零部件暴露于处理液气氛。
处理液供给部700具备多个喷嘴。在多个喷嘴中包括化学溶液喷嘴701、冲洗喷嘴702、干燥促进液喷嘴703。化学溶液从化学溶液供给源701A经由化学溶液供给机构701B向化学溶液喷嘴701供给，该化学溶液供给机构701B包括设置于化学溶液供给管线(配管)701C途中的开闭阀、流量控制阀等流动控制设备(未图示)。冲洗液被从冲洗液供给源702A经由冲洗液供给机构702B供给，该冲洗液供给机构702B包括设置于冲洗液供给管线(配管)702C途中的开闭阀、流量控制阀等流动控制设备(未图示)。干燥促进液，例如IPA(异丙醇)被从干燥促进液供给源703A经由干燥促进液供给机构703B供给，该干燥促进液供给机构703B包括设置于干燥促进液供给管线(配管)703C途中的开闭阀、流量控制阀等流动控制设备(未图示)。
能够在化学溶液供给管线701C设置有加热器701D作为用于对化学溶液进行调温的调温机构。而且，也可以在构成化学溶液供给管线701C的配管设置用于对化学溶液进行调温的带式加热器(未图示)。也可以是，也在冲洗液供给管线702C设置这样的加热器类。
化学溶液喷嘴701、冲洗喷嘴702以及干燥促进液喷嘴703由喷嘴臂704的顶端支承。喷嘴臂704的基端由使喷嘴臂704升降和回转的喷嘴臂驱动机构705支承。利用喷嘴臂驱动机构705，能够使化学溶液喷嘴701、冲洗喷嘴702以及干燥促进液喷嘴703位于晶圆W的上方的任意的半径方向位置(晶圆W的半径方向上的位置)。
在外壳900的顶部设置有：晶圆传感器901，其检测晶圆W是否存在于旋转台100上；和1个或多个红外线温度计902(仅图示有1个)，其检测晶圆W的温度(或者位于晶圆W上的处理液的温度)。在设置有多个红外线温度计902的情况下，优选各红外线温度计902检测晶圆W的与各加热区域143-1～143-10分别相对应的区域的温度。
接着，对于处理单元16的动作，也参照图8的时序图说明利用处理单元16进行化学溶液清洗处理的情况。能够通过利用图1所示的控制装置4(控制部18)而控制处理单元16的各种构成零部件的动作来进行以下说明的动作。
在图8的时序图中，横轴表示时间经过。项目从上起依次如以下这样。
PIN：表示升降销211的高度位置，UP表示处于交接位置，DOWN表示处于处理位置。
EL2：表示第2电极部161B的高度位置，UP表示处于与第1电极部161A接触的位置，DOWN表示处于与第1电极部161A分离开的位置。
POWER：表示从供电部300向加热器142供电的状态，ON表示处于供电状态，OFF表示处于供电停止状态。
DISPENSE：表示化学溶液处理时的化学溶液喷嘴701和冲洗处理时的冲洗喷嘴702的喷出状态，ON表示供给，OFF表示供给停止。
VAC：表示从抽吸装置154向吸附板120的下表面抽吸流路槽121W的抽吸力施加状态，ON表示抽吸中，OFF表示抽吸停止中。
N2-1：表示从吹扫气体供给装置155向吸附板120的下表面抽吸流路槽121W的吹扫气体供给状态，ON表示供给中，OFF表示供给停止中。
N2-2：表示从吹扫气体供给装置155向吸附板120的下表面吹扫流路槽121G的吹扫气体供给状态，ON表示供给中，OFF表示供给停止中。
WSC：表示晶圆传感器901的动作状态，ON表示检测着吸附板120上的晶圆W的有无的状态，OFF表示未进行检测的状态。“On Wafer Check”是用于确认晶圆W存在于吸附板120上的情况的检测动作。“Off Wafer Check”是用于确认晶圆W从吸附板120k上可靠地去除了的情况的检测动作。
[晶圆W搬入工序(保持工序)]
基板输送装置17的臂(参照图1)进入处理单元16内，位于吸附板120的正上方。另外，升降销211位于交接位置(以上时间点t0～t1)。在该状态下，基板输送装置17的臂下降，由此，晶圆W载置于升降销211的上端之上，晶圆W远离臂。接下来，基板输送装置17的臂从处理单元16退出。升降销211下降到处理位置，在该过程中，晶圆W载置于吸附板120的上表面120A(时间点t1)。
接下来，抽吸装置154工作，吸附板120被吸附于热板140，另外，晶圆W被吸附于吸附板120(时间点t1)。之后，利用晶圆传感器901开始晶圆W是否被恰当地吸附于吸附板120的检查(时间点t2)。
从吹扫气体供给装置155始终向吸附板120的上表面的最外侧的凹区域125G供给吹扫气体(例如N2气体)。由此，能够防止处理液进入晶圆W的下表面的周缘部与吸附板120的上表面的周缘部之间的间隙。
从晶圆W的搬入开始之前的时间点(时间点t0之前)起，第2电极部161B位于上升位置，第1电极部161A的多个第1电极164A与第2电极部161B的多个第2电极164B相互接触。从供电部300向热板140的加热器142供电，热板140的加热器142成为预加热状态。
[晶圆加热工序]
晶圆W一吸附到吸附板120，就对向热板140的加热器142供给的电力进行调节，以使热板140的温度升温到预先确定好的温度(吸附板120上的晶圆W被加热到适于之后的处理的温度那样的温度)(时间点t1～t3)。
[化学溶液处理工序(包括液团形成工序和搅拌工序)]
接下来，利用处理液供给部700的喷嘴臂使化学溶液喷嘴701位于晶圆W的中心部的正上方。在该状态下，调温后的化学溶液从化学溶液喷嘴701向晶圆W的表面(上表面)供给(时间点t3～t4)。化学溶液的供给持续到化学溶液的液面LS位于比晶圆W的上表面靠上的位置。此时，周缘罩体180的上部181作为围堰发挥作用，防止化学溶液向旋转台100的外侧洒落。
在化学溶液的供给中，或者在化学溶液的供给后，使旋转台100以低速交替地进行正转和反转(例如各180度左右)。由此，化学溶液被搅拌，能够使晶圆W面内的晶圆W表面与化学溶液之间的反应均匀化。
一般而言，存在如下倾向：由于向液体承接杯内抽吸的气流的影响，晶圆W的周缘部的温度变低。也可以使向加热器142的多个加热器元件142E中的、负责晶圆W的周缘部区域(图3的加热区域143-1～143-4)的加热的加热器元件142E供给的电力增大。由此，晶圆W在晶圆W面内的温度被均匀化，能够使晶圆W面内的晶圆W表面与化学溶液之间的反应均匀化。
在该化学溶液处理中，能够根据设置于热板140的温度传感器146的检测值进行向加热器142供给的电力的控制。取而代之，也可以基于检测晶圆W的表面温度的红外线温度计902的检测值进行向加热器142供给的电力的控制。使用了红外线温度计902的检测值的情况能够更精确地控制晶圆W的温度。也可以在化学溶液处理的前期基于温度传感器146的检测值进行向加热器142供给的电力的控制，在后期基于红外线温度计902的检测值进行向加热器142供给的电力的控制。
[化学溶液分离工序(化学溶液去除工序)]
化学溶液处理一结束，首先，停止从供电部300向加热器142供电(时间点t4)，接下来，使第2电极部161B向下降位置下降(时间点t5)。通过先停止供电，能够防止在第2电极部161B的下降时于电极间产生火花。
接下来，使旋转台100高速旋转，利用离心力使晶圆W上的化学溶液向外侧飞散(时间点t5～t6)。周缘罩体180的上部181的内周面185倾斜，因此，存在于比上部181靠半径方向内侧的区域的全部的化学溶液(也包含晶圆W上的化学溶液)被顺利地去除。飞散了的化学溶液在旋转套筒188与周缘罩体180之间的通路190穿过而流下，并被液体承接杯800回收。此外，此时，第1可动杯元件802和第2可动杯元件803位于恰当的位置，以使飞散的化学溶液被向与化学溶液的种类相适应的排出通路(第1排出通路806、第2排出通路807以及第3排出通路808中的任一者)引导。
[冲洗工序]
接着，将旋转台100设为低速旋转，使冲洗喷嘴702位于晶圆W的中心部的正上方，从冲洗喷嘴702供给冲洗液(时间点t6～t7)。由此，利用冲洗液冲洗残留在比上部181靠半径方向内侧的区域的全部的化学溶液(也包含残留在晶圆W上的化学溶液)。
从冲洗喷嘴702供给的冲洗液既可以是常温的冲洗液，也可以是加热后的冲洗液。在供给加热后的冲洗液的情况下，能够防止吸附板120和热板140的温度降低。加热后的冲洗液能够从工厂公用工程系统接受供给。取而代之，也可以是，为了对常温的冲洗液进行加热，而在连接冲洗液供给源702A和冲洗喷嘴702的冲洗液供给管线设置加热器(未图示)。
[甩干工序]
接着，将旋转台100设为高速旋转，并停止来自冲洗喷嘴702的冲洗液的喷出，利用离心力使残留在比上部181靠半径方向内侧的区域的全部的冲洗液(也包含残留在晶圆W上的冲洗液)向外侧飞散(时间点t7～t8)。由此，使晶圆W干燥。
也可以是，在冲洗处理与干燥处理之间，向晶圆W供给干燥促进液，而将残留在比上部181靠半径方向内侧的区域的全部的冲洗液(也包含残留在晶圆W上的冲洗液)置换成干燥促进液。优选干燥促进液的挥发性比冲洗液的挥发性高，且干燥促进液的表面张力比冲洗液的表面张力低。干燥促进液能够设为例如IPA(异丙醇)。
也可以在甩干工序之后进行加热晶圆W的加热干燥。在该情况下，首先，使旋转台100的旋转停止。接着，使第2电极部161B向上升位置上升(时间点t8)，接下来，从供电部300向加热器142供电(时间点t9)，使晶圆W升温(优选高速升温)，通过使少量残留在晶圆的周缘部及其附近的冲洗液(或干燥促进液)蒸发，从而去除该冲洗液(或干燥促进液)。通过进行使用了上述的IPA的甩干工序，使晶圆W的表面充分地干燥，因此，也可以不进行利用加热器142的加热干燥。也就是说，图8的时序图中，也可以省略从时间点t7与t8之间的时间点到时间点t10与t11之间的时间点的动作。
[晶圆搬出工序]
接着，对切换装置(三通阀)156进行切换而将抽吸配管153W的连接对象从抽吸装置154变更成吹扫气体供给装置155。由此，向板用的下表面抽吸流路槽121P供给吹扫气体，并且，经由基板用的下表面抽吸流路槽121W向吸附板120的上表面120A的凹区域125W供给吹扫气体。由此，晶圆W相对于吸附板120的吸附被解除(时间点t10)。
随着上述的操作，吸附板120相对于热板140的吸附也被解除。由于也可以在每次1张晶圆W的处理结束时不解除吸附板120相对于热板140的吸附，因此，即使变更成不进行该吸附解除这样的配管系统，也没有问题。
接下来，使升降销211上升到交接位置(时间点t11)。由于上述的吹扫而使晶圆W相对于吸附板120的吸附被解除，因此，能够使晶圆W容易地远离吸附板120。因此，能够防止晶圆W的损伤。
接下来，利用基板输送装置17的臂(参照图1)将载置于升降销211上的晶圆W抬起，而向处理单元16的外部搬出(时间点t12)。之后，利用晶圆传感器901进行晶圆W不存在于吸附板120上的情况的确认。根据以上内容，对1张晶圆W进行的一系列的处理结束。
作为在化学溶液清洗处理中所使用的化学溶液，可例示SC1、SPM(硫酸双氧水)、H3PO4(磷酸水溶液)等。作为一个例子，SC1的温度是常温～70℃，SPM的温度是100℃～120℃，H3PO4的温度是100℃～165℃。如此，在以比常温高的温度供给化学溶液的情况下，上述实施方式是有益的。
在上述实施方式中，在顶板(板120+140)的下方形成有用于收纳电气部件(加热器142、配线148A、148B、149和温度传感器146、热敏开关147等)的收纳空间S。收纳空间S被包括顶板120、140和周缘罩体180的包围构造物包围，顶板的周缘部与周缘罩体180之间被密封。因此，能够相对于基板周围的腐蚀性的环境来保护用于向加热器的供电和加热器的控制用的电气部件。
也能够使用上述的处理单元16进行镀敷处理(特别是化学镀处理)来作为液处理。在进行化学镀处理的情况下，依次进行预清洁工序(化学溶液清洗工序)、镀敷工序、冲洗工序、后清洁工序(化学溶液清洗工序)、IPA置换工序、甩干工序(根据情况，接下来进行加热干燥工序)。其中，在镀敷工序中，使用例如50℃～70℃的碱性化学溶液(化学镀敷液)作为处理液。在预清洁工序、冲洗工序、后清洁工序、IPA置换工序中所使用的处理液(化学溶液或冲洗液)是常温。因而，在镀敷工序时，进行与上述的晶圆加热工序以及化学溶液处理工序同样的工序即可。在预清洁工序、冲洗工序、后清洁工序、IPA置换工序中，在使第1电极164A与第2电极164B分开了的状态下，一边使旋转台旋转，一边将需要的处理液向吸附于吸附板120的晶圆W的上表面供给即可。当然，在处理液供给部700设置有足够供给需要的处理液的喷嘴和处理液供给源。
应该认为此次所公开的实施方式在全部的点都是例示，而非是限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，也可以以各种形态进行省略、置换、变更。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置具备：
旋转台，其具有保持基板并使该基板旋转的顶板；
旋转驱动机构，其使所述旋转台绕旋转轴线旋转；
处理液喷嘴，其向保持于所述旋转台的所述基板的上表面供给处理液；
电加热器，其设置于所述顶板，隔着所述顶板对所述基板进行加热；
电气部件，其设置于所述顶板的下表面侧，接收或发送用于向所述电加热器的供电和所述电加热器的控制的信号；以及
周缘罩体，其与所述顶板的周缘部连接，与所述顶板一起旋转，
在所述顶板的下方形成有收纳所述电气部件的收纳空间，所述收纳空间被包括所述顶板和所述周缘罩体的包围构造物包围，所述顶板的周缘部与所述周缘罩体之间被密封。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备非活性气体供给部，该非活性气体供给部为了使所述收纳空间为非活性气体气氛而向所述收纳空间供给非活性气体。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述周缘罩体中的、与所述顶板连接的连接部形成围堰，该围堰从所述顶板的周缘部的上表面立起，并且包围被保持在所述顶板的所述基板的周围，所述围堰的高度比保持到所述顶板的所述基板的上表面的高度高，利用所述顶板和所述围堰，能够积存可浸渍被保持到所述顶板的所述基板的量的处理液。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述围堰具有以随着靠近所述顶板的中心部而变低的方式倾斜的朝向斜上方的内周面。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述周缘罩体的外周面以随着朝向下侧去而去往半径方向外侧的方式倾斜。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
对所述周缘罩体的所述外周面实施了疏水化处理。
7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备旋转杯，该旋转杯固定于所述旋转台并与所述周缘罩体一起旋转，所述旋转杯的上端位于能够接住从所述基板经由所述围堰飞散的处理液的高度，在所述周缘罩体的外周面与所述旋转杯的内周面之间形成有供从所述基板经由所述围堰飞散的处理液经过的通路，所述旋转杯的内周面以随着朝向下侧去而去往半径方向外侧的方式倾斜。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
用于防止所述处理液在所述通路内倒流的回流件设置于所述周缘罩体的所述外周面和所述旋转杯的所述内周面中的至少一者。
9.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述周缘罩体构成为能够从所述顶板拆卸，
在所述周缘罩体的所述围堰的部分与所述顶板之间设置有密封构件。
10.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述顶板具有：底座，其设置有所述电加热器；和吸附板，其以能够拆装的方式载置于所述底座的上表面，且具有用于吸附所述基板的上表面，所述周缘罩体的所述围堰覆盖在所述吸附板的所述上表面的周缘部而将所述吸附板固定于所述底座。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述吸附板的上表面具有环状的外周缘区域，对所述吸附板的所述上表面的所述外周缘区域中的、从位于至少所述周缘罩体的所述围堰的下方的部分到位于吸附于所述吸附板的所述基板的周缘部的下方的部分之间的部分实施了疏水化处理。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述周缘罩体还具有环状的内侧延长部分，该环状的内侧延长部分从所述围堰延伸到吸附于所述吸附板的所述基板的周缘部的下方，对所述内侧延长部分的上表面实施了疏水处理。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备包围所述顶板的周围的、不旋转的液体承接杯，在所述液体承接杯连接有排气配管和排液配管。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，
在旋转的所述包围构造物与不旋转的所述液体承接杯之间设置有迷宫密封构造。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115244227A (zh) * 2021-02-22 2022-10-25 株式会社荏原制作所 镀覆装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7485561B2 (ja) * 2020-07-14 2024-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
CN116438633A (zh) * 2020-11-05 2023-07-14 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读取的记录介质
KR20230050871A (ko) * 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
CN117026220B (zh) * 2023-10-09 2023-12-15 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 压力调节装置及包含其的沉积设备、系统及压力控制方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020096196A1 (en) * 2001-01-23 2002-07-25 Takayuki Toshima Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN101996914A (zh) * 2009-08-07 2011-03-30 东京毅力科创株式会社 基板的液体处理装置和液体处理方法
TW201218299A (en) * 2010-09-13 2012-05-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium
TW201318102A (zh) * 2011-09-09 2013-05-01 Lam Res Ag 晶圓形物件之液體處理方法與設備
TW201322308A (zh) * 2011-08-05 2013-06-01 Tokyo Electron Ltd 液體處理裝置
JP2014135501A (ja) * 2014-03-04 2014-07-24 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
CN105845603A (zh) * 2015-02-03 2016-08-10 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置
CN106158704A (zh) * 2015-05-15 2016-11-23 东京毅力科创株式会社 基板处理装置以及基板处理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57178328A (en) * 1981-04-27 1982-11-02 Hitachi Ltd Wafer dryer
JP3866012B2 (ja) * 2000-06-02 2007-01-10 株式会社荏原製作所 無電解めっき方法及び装置
JP3837026B2 (ja) 2001-01-23 2006-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2002368066A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2004296532A (ja) 2003-03-25 2004-10-21 Ibiden Co Ltd ホットプレートユニット
JP5413016B2 (ja) 2008-07-31 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
JP2010087197A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 M Setek Co Ltd レジスト塗布装置
EP2660860B8 (en) 2010-12-27 2020-12-09 Creative Technology Corporation Work heating device and work treatment device
JP6356207B2 (ja) 2016-12-15 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板乾燥方法及び基板処理装置
JP7175118B2 (ja) * 2018-07-25 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7160624B2 (ja) * 2018-10-17 2022-10-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020096196A1 (en) * 2001-01-23 2002-07-25 Takayuki Toshima Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN101996914A (zh) * 2009-08-07 2011-03-30 东京毅力科创株式会社 基板的液体处理装置和液体处理方法
TW201218299A (en) * 2010-09-13 2012-05-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium
TW201322308A (zh) * 2011-08-05 2013-06-01 Tokyo Electron Ltd 液體處理裝置
US20130180659A1 (en) * 2011-08-05 2013-07-18 Tokyo Electron Limited Liquid treatment apparatus
TW201318102A (zh) * 2011-09-09 2013-05-01 Lam Res Ag 晶圓形物件之液體處理方法與設備
JP2014135501A (ja) * 2014-03-04 2014-07-24 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
CN105845603A (zh) * 2015-02-03 2016-08-10 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置
CN106158704A (zh) * 2015-05-15 2016-11-23 东京毅力科创株式会社 基板处理装置以及基板处理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115244227A (zh) * 2021-02-22 2022-10-25 株式会社荏原制作所 镀覆装置

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