KR850005059A - 스위칭 잡음을 감소시킨 lsi 게이트 어레이 - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- H01L27/118—Masterslice integrated circuits
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- H01L27/11807—CMOS gate arrays
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9도는 본 발명에 의한 출력버퍼의 회로도, 제10도는 본 발명에 의한 칩의 평면도로서, (a)는 칩의 개략평면도이며, (b)는 I/O 지역의 일부분을 보이는 확대평면도. 제11도는 본 발명을 실시하는 출력버퍼회로의구성도로서, (a)는 배선전의칩상에 나타난 CMIS FET 패턴의 평면도이며, (b)는 제11도 (a)에서 선 AA를 취한 장치의 횡단면도이며, (c)는 제11도9a)에서 선 BB를 취한 장치의 횡단면도이며, (d)는 등가회로도이다.
Claims (12)
- 다수의 출력회로들을 갖는 반도체집적회로에서, 상기 출력회로는 외부하에 출력신호를 제공하는 출력버퍼와, 상기 출력버퍼회로에 신호들을 제공하는 구동버퍼회로를 포함하되, 상기 구동버퍼회로의 스위칭 속도는 예정된 비에 의해 상기 출력버퍼회로의 스위칭 속도를 초과하지 않도록 제어되는 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI게이트 어레이.
- 제1항에서, 상기 출력회로는 예정된 표준패턴을 갖는 다수의 표준 게이트회로들을 더 포함하고, 상기 구동버퍼회로는 표준게이트회로들을 조합하여 구성되며, 상기 구동버퍼회로의 스위칭 속도는 구동버퍼회로에 조합될 상기 표준게이트회로의 크기를 선택하고 그리고 또는 수를 조정하여 조정되는 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI게이트 어레이.
- 제1항에서, 상기 출력회로는 콤프리멘타리들에 의해 구성되는 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI 게이트 어레이.
- 제1항에서, 상기 출력버퍼회로와 구동버퍼회로는 실리콘 콤프리멘타리 회로에 의해 구성되는 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI게이트 어레이.
- 제1항에서, 상기 구동버퍼회로의 스위칭속도와 상기 출력버퍼회로의 것의 예정된 비는5이하인 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI게이트 어레이.
- 제2항에서, 상기 구동버퍼회로의 스위칭속도와 상기 출력버퍼회로의 것의 상기 예정된 비는 5이하인 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI게이트 어레이.
- 제4항에서, 상기 구동버퍼회로의 스위칭소도와 상기 출력버퍼회로의 것의 상기 예정된 비는 5이하인 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI게이트 어레이.
- 제2항에서, 상기 표준게이트회로는 각종 크기의 FET들을 더 포함하며, 상기 출력버퍼회로와 구동버퍼회로는 각종 크기의 FET들로 구성되는 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI 게이트 어레이.
- 제6항에서, 구동버퍼회로를 구성하는 FET들의 수는 출력버퍼를 구성하는 FET들의 수보다 작은 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI 게이트어레이.
- 다수의 출력버퍼 회로들을 갖는 집적회로에서, 상기 출력버퍼 회로는 출력단자에 연결된 상기 출력버퍼회로의 최종단들에 다수의 유니트들과, 상기 최종단을 구동시키기 위한 상기 최종단에 연결된 구동버퍼회로들의 다수의 유니트들과, 그리고 상기 구동버퍼회로들중 선택된 것과 상기 최종단들중 선택된것을 연결하기 위한 배선수단을 포함하되, 출력버퍼회로의 적어도 하나는 버퍼회로를 구동시키기 위한하나이상의 상기 유니트들을 사용한것이며, 구동버퍼회로용 유니트들의 수는 상기 출력버퍼회로으 최종단에 사용된 유니트들이 수보다 작은 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI게이트 어레이.
- 출력단자 패드에서 출력버퍼회로를 통하여 내부회로의 출력신호를 출력시키는 반도체 집적회로에서, 출력버퍼회로들은 상응하는 출력단자 패드에 제공되며, 그리고 상기 출력버퍼 회로는 상기 내부회로에 연결된 구동게이트와 상기 출력단자패드에 상기 신호를 출력시키면 상기 구동게이트에 연결된 최종 출력버퍼단을 포함하되, 상기 구동게이트는 예정된 게이트폭과 게이트 길이를 각각 갖는 다수의 트랜지스터들을 포함하며 상기 최종출력버퍼단은 상기 구동게이트의 상기 예정된 게이트 폭보다 더 큰 게이트 길이와 게이트폭을 각각 갖는 다수의 트랜지스터들을 포함하는 개량된 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI 게이트 어레이.
- 제11항에서, 상기 최종출력 버퍼단내듸 트랜지스터들의 예정된 수는 병렬로 연결되며, 상기 구동게이트에 사용된 트랜지스터들의 수는 상기 최종출력 데버퍼단내의 트랜지스터들의 상기 예정된 수보다 작은 스위칭 잡음을 감소시킨 LSI 게이트어레이.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58-243432 | 1983-12-23 | ||
JP58243432A JP2564787B2 (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | ゲートアレー大規模集積回路装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR850005059A true KR850005059A (ko) | 1985-08-19 |
KR900006786B1 KR900006786B1 (ko) | 1990-09-21 |
Family
ID=17103781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019840008112A KR900006786B1 (ko) | 1983-12-23 | 1984-12-19 | 스위칭 잡음을 감소시킨 lsi 게이트 어레이 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4727266A (ko) |
EP (1) | EP0147998B1 (ko) |
JP (1) | JP2564787B2 (ko) |
KR (1) | KR900006786B1 (ko) |
DE (1) | DE3482694D1 (ko) |
IE (1) | IE56987B1 (ko) |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1983
- 1983-12-23 JP JP58243432A patent/JP2564787B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-12-19 KR KR1019840008112A patent/KR900006786B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-12-19 EP EP84308891A patent/EP0147998B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-19 DE DE8484308891T patent/DE3482694D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-21 IE IE3335/84A patent/IE56987B1/en not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-02-24 US US07/018,846 patent/US4727266A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-08-14 US US07/746,158 patent/US5132563A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IE843335L (en) | 1985-06-23 |
JPS60136238A (ja) | 1985-07-19 |
US4727266A (en) | 1988-02-23 |
EP0147998A2 (en) | 1985-07-10 |
EP0147998B1 (en) | 1990-07-11 |
EP0147998A3 (en) | 1987-01-14 |
IE56987B1 (en) | 1992-02-26 |
DE3482694D1 (de) | 1990-08-16 |
US5132563A (en) | 1992-07-21 |
JP2564787B2 (ja) | 1996-12-18 |
KR900006786B1 (ko) | 1990-09-21 |
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