KR20050067405A - 플라즈마 처리 시스템에서 개선된 배플판을 위한 장치 및방법 - Google Patents
플라즈마 처리 시스템에서 개선된 배플판을 위한 장치 및방법 Download PDFInfo
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- H01J37/32834—Exhausting
Abstract
Description
Claims (55)
- 상부면, 하부면, 상기 상부면과 하부면에 연결되는 안지름 가장자리, 상기 상부면과 하부면에 연결되는 바깥지름 가장자리, 및 상기 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 구성된 적어도 하나의 통로를 포함하되, 상기 상부면은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 1 결합면을 포함하고, 상기 하부면은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 2 결합면과 상기 안지름 가장자리에 근접한 복수의 고정 결합면을 포함하고, 상기 각각의 통로는 내부 통로면을 구비하는 링;및상기 제 1 결합면을 제외한 상기 상부면과, 상기 제 2 결합면과 상기 복수의 고정 결합면을 제외한 상기 하부면과, 그리고 상기 각 통로의 상기 내부 통로면을 포함하는 복수의 상기 배플판의 노출된 표면에 연결되는 보호층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 통로는, 슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 2 항에 있어서,상기 슬롯은, 유입영역과 유출영역을 구비하며 상기 유입영역은 상기 유출영역보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 1 항에 있어서,상기 하나의 통로는, 오리피스를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 1 항에 있어서,상기 링은, 상기 배플판의 상기 상부면 및 하부면에 연결되어 상기 배플판을 상기 플라즈마 처리 시스템에 연결하기 위해 고정장치를 수용하도록 구성되는 복수의 고정 리셉터와 복수의 장착홀 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 5 항에 있어서,상기 적어도 하나의 고정 리셉터는, 유입구, 유출구, 및 내부 리셉터 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 6 항에 있어서,상기 각 고정 리셉터의 상기 내부 리셉터 표면은, 제 1 유입면, 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 7 항에 있어서,상기 복수의 노출된 표면은, 상기 제 1 유입면과 상기 제 1 립 면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 1 항에 있어서,상기 배플판은, 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 9 항에 있어서,상기 금속은, 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 .
- 제 1 항에 있어서,상기 보호층은, 3족 원소와 란탄족 원소 중 적어도 하나를 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 11 항에 있어서,상기 3족 원소는, 이트륨, 스칸듐, 및 란탄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 11 항에 있어서,상기 란탄족 원소는, 세륨, 디스프로슘, 및 유로퓸 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 11 항에 있어서,상기 보호층은, 이트리아(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3, 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 1 항에 있어서,상기 보호층은 최소 두께로 이루어지며, 상기 최소 두께는 상기 복수의 노출된 표면 중 적어도 어느 하나를 일정하게 가로지르는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 제 1 항에 있어서,상기 보호층은 최소 두께로 이루어지며, 상기 최소 두께는 상기 복수의 노출된 표면 중 적어도 어느 하나를 가변하며 가로지르는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
- 상부면, 하부면, 안지름 가장자리, 상기 상부면과 하부면에 연결되는 바깥지름 가장자리, 및 상기 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 구성된 적어도 하나의 통로를 포함하되, 상기 상부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 1 결합면을 포함하고, 상기 하부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 2 결합면과 상기 안지름 가장자리에 근접한 복수의 고정 결합면을 포함하고, 상기 각각의 통로는 내부 통로면을 구비하는 배플판을 제조하는 단계;및상기 제 1 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 상부면과, 상기 제 2 결합면과 상기 복수의 고정 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 하부면과, 그리고 상기 상부면과 하부면에 연결되는 상기 내부 통로면을 포함하는 복수의 노출된 표면에 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판의 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 배플판위의 표면 양극산화층을 형성하기 위해 상기 배플판을 양극산화 처리하는 단계;및상기 표면 양극산화층을 제거하기 위해 상기 배플판위의 상기 노출된 표면을 기계 가공하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,표면 양극산화층의 형성을 방지하기 위해 상기 노출된 표면을 마스크하는 단계;상기 배플판위의 표면 양극산화층을 형성하기 위해 상기 배플판을 양극산화 처리하는 단계;및상기 배플판위의 상기 노출된 표면에서 마스크를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 제조하는 단계는, 기계 가공, 주조, 연마, 단조, 및 연삭 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계는, 상기 노출된 표면 중 어느 하나위에 상기 보호층을 연마하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 배플판은, 상기 상부면과 하부면에 연결되어 상기 배플판을 상기 플라즈마 처리 시스템에 연결하기 위해 고정장치를 수용하도록 구성된 복수의 고정 리셉터와, 복수의 장착홀 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 각 고정 리셉터는, 유입구, 유출구, 및 내부 리셉터 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 각 고정 리셉터의 상기 내부 리셉터 표면은, 상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 기계가공 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 제 1 유입면과 상기 제 1 립 면위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 배플판은, 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 금속은, 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 보호층은, 3족 원소와 란탄족 원소 중 적어도 하나를 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 3족 원소는, 이트륨, 스칸듐, 및 란탄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 란탄족 원소는, 세륨, 디스프로슘, 및 유로퓸 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 보호층은, 이트리아(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3, 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 보호층은, 최소 두께로 이루어지며, 상기 최소 두께는 상기 복수의 노출된 표면 중 적어도 어느 하나를 일정하게 가로지르는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 보호층은 최소 두께로 이루어지며, 상기 최소 두께는 상기 복수의 노출된 표면 중 적어도 어느 하나를 가변하며 가로지르는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 노출된 표면은, 상기 배플판위에 남겨진 모든 표면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 상부면, 하부면, 안지름 가장자리, 상기 상부면과 하부면에 연결되는 바깥지름 가장자리, 및 상기 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 구성된 적어도 하나의 통로를 포함하되, 상기 상부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 1 결합면을 포함하고, 상기 하부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 2 결합면과 상기 안지름 가장자리에 근접한 복수의 고정 결합면을 포함하고, 상기 각각의 통로는 내부 통로면을 구비하는 배플판을 제조하는 단계;상기 배플판위의 표면 양극산화층을 형성하기 위해 상기 배플판을 양극산화 처리하는 단계;상기 표면 양극산화층을 제거하기 위해, 상기 제 1 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 상부면과, 상기 복수의 고정 결합면 및 상기 제 2 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 하부면과, 그리고 상기 상부면 및 하부면에 연결되는 상기 내부 통로면을 포함하는 상기 배플판의 노출된 표면을 기계 가공하는 단계;및상기 노출된 표면위에 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 36 항에 있어서,상기 배플판은, 상기 상부면과 하부면에 연결되어 상기 배플판을 상기 플라즈마 처리 시스템에 연결하기 위해 고정장치를 수용하도록 구성된 복수의 고정 리셉터와, 복수의 장착홀 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 각 고정 리셉터는, 유입구, 유출구, 및 내부 리셉터 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 38 항에 있어서,상기 각 고정 리셉터의 상기 내부 리셉터 표면은, 상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 상기 제 2 유입면, 상기 제 2 립 면, 및 상기 유출면을 기계가공 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 제 1 유입면과 상기 제 1 립 면위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 36 항에 있어서,상기 보호층은, 3족 원소와 란탄족 원소 중 적어도 하나를 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 42 항에 있어서,상기 3족 원소는, 이트륨, 스칸듐, 및 란탄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 42 항에 있어서,상기 란탄족 원소는, 세륨, 디스프로슘, 및 유로퓸 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법..
- 제 36 항에 있어서,상기 보호층은, 이트리아(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3, 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 상부면, 하부면, 안지름 가장자리, 상기 상부면과 하부면에 연결되는 바깥지름 가장자리, 및 상기 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 구성된 적어도 하나의 통로를 포함하되, 상기 상부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 1 결합면을 포함하고, 상기 하부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 2 결합면과 상기 안지름 가장자리에 근접한 복수의 고정 결합면을 포함하고, 상기 각각의 통로는 내부 통로면을 구비하는 배플판을 제조하는 단계;표면 양극산화층의 형성을 방지하기 위해, 상기 제 1 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 상부면과, 상기 복수의 고정 결합면 및 상기 제 2 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 하부면과, 그리고 상기 상부면 및 하부면에 연결되는 상기 내부 통로면을 포함하는 상기 배플판의 노출된 표면을 마스크하는 단계;상기 배플판위의 상기 표면 양극산화층을 형성하기 위해 상기 상기 배플판을 양극산화 처리하는 단계;상기 노출된 표면에 마스크를 제거하는 단계;및상기 노출된 표면에 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 46 항에 있어서,상기 배플판은, 상기 상부면과 하부면에 연결되어 연결되어 상기 배플판을 상기 플라즈마 처리 시스템에 연결하기 위해 고정장치를 수용하도록 구성된 복수의 고정 리셉터와, 복수의 장착홀 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
- 제 47 항에 있어서,상기 각 고정 리셉터는, 유입구, 유출구, 및 내부 리셉터 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 48 항에 있어서,상기 각 고정 리셉터의 상기 내부 리셉터 표면은, 상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 49 항에 있어서,상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 기계가공 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 49 항에 있어서,상기 제 1 유입면과 상기 제 1 립 면위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 46 항에 있어서,상기 보호층은, 3족 원소와 란탄족 원소 중 적어도 하나를 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 52 항에 있어서,상기 3족 원소는, 이트륨, 스칸듐, 및 란탄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 52 항에 있어서,상기 란탄족 원소는, 세륨, 디스프로슘, 및 유로퓸 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
- 제 46 항에 있어서,상기 보호층은, 이트리아(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3, 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
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