KR100733167B1 - 플라즈마 처리 시스템에서 개선된 배플판을 위한 장치 및방법 - Google Patents

플라즈마 처리 시스템에서 개선된 배플판을 위한 장치 및방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 상부면, 하부면, 안지름 가장자리, 및 바깥지름 가장자리를 구비한 링을 포함하는 배플판을 제공하는 데 있다. 상부면은 바깥지름 가장자 주위에 제 1 접촉면을 더 포함할 수 있다. 하부면은 바깥지름 가장자리 주위에 제 2 접촉면과 안지름 가장자리 주위에 복수의 고정 결합면을 더 포함할 수 있다. 배플판은 적어도 하나의 통로를 포함할 수 있는데, 통로는 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 내부 통로면을 구비한다.

Description

플라즈마 처리 시스템에서 개선된 배플판을 위한 장치 및 방법 {METHOD AND APPARATUS FOR AN IMPROVED BAFFLE PLATE IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 플라즈마 처리 시스템의 개선된 구성요소에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 홀더 주위를 둘러싸며 플라즈마 처리 시스템에 구비된 배플판에 관한 것이다.
[관련출원의 상호참조]
본 출원은 미국특허출원번호가 10/259,858이고, 대리인 파일번호가 226272US6YA이며, 이 출원과 동일자로 출원된 "플라즈마 처리 시스템에서 용착 실드가 구비된 개선된 상부 전극판을 위한 장치 및 방법", 미국특허출원번호가 10/259,757이고, 대리인 파일번호가 225277US6YA이며, 이 출원과 동일자로 출원된 "플라즈마 처리 시스템에서 개선된 상부 전극판을 위한 장치 및 방법", 미국특허출원번호가 10/259,380이고, 대리인 파일번호가 228411US6YA이며, 이 출원과 동일자로 출원된 "플라즈마 처리 시스템에서 개선된 배플판을 위한 장치 및 방법", 미국특허출원번호가 10/259,353이고, 대리인 관리번호가 226275US6YA이며, 이 출원과 동일자로 출원된 "플라즈마 처리 시스템에서 개선된 용착 실드를 위한 장치 및 방법", 이 출원과 동일자로 출원된 "플라즈마 처리 시스템에서 개선된 배플판을 위한 장치 및 방법", 미국특허출원번호가 10/259,352이고, 대리인 관리번호가 226276US6YA이며, 이 출원과 동일자로 출원된 "플라즈마 처리 시스템에서 개선된 광학 창 용착 실드를 위한 장치 및 방법", 미국특허출원번호가 10/259,306이고, 대리인 관리번호가 226277US6YA이며, 이 출원과 동일자로 출원된 "플라즈마 처리 시스템에서 개선된 주름 실드를 위한 장치 및 방법"과 관련이 있다. 이 모든 출원의 전체 내용은 본원에 참고로 포함된다.
[종래기술]
반도체 산업에서 집적회로(IC)의 제조는 일반적으로 기판으로부터 물질을 제거하거나 증착에 필요한 플라즈마 반응로내에서의 표면 화학반응을 일으키거나 돕도록 플라즈마를 사용한다. 일반적으로 플라즈마는 공급된 처리가스와의 이온화 충돌을 지탱하기 위한 충분한 에너지를 가지는 열전자에 의해 진공의 플라즈마 반응로내에서 형성된다. 또한, 열전자는 해리 충돌을 지탱할 만한 충분한 에너지를 가질 수 있고, 따라서 미리 정해진 조건(예를 들어 챔버 압력, 가스 유량 등)에서 특정한 일련의 가스가 챔버내에서 수행되는 특정 공정(예를 들어, 기판으로부터 물질을 제거하는 에칭 공정, 기판에 물질이 첨가되는 증착 공정)에 적합한 일단의 대전 분자 및 화학적 반응 분자를 생산하도록 선택된다.
비록 대전 입자(이온 등) 및 화학적 반응 입자 집단의 형성이 기판 표면에서의 플라즈마 처리 시스템의 기능(예를 들어, 물질 에칭, 물질 증착 등)을 수행하기 위해 필요하다고 할지라도, 공정 챔버 내부의 다른 구성요소 표면은 물리적으로 화학적으로 활성화된 플라즈마에 노출되고 침식될 수 있다.
플라즈마 처리 시스템에 노출된 구성요소의 침식은 플라즈마 처리 기능의 점차적인 열화를 초래하고 궁극적으로 시스템의 전반적인 고장을 일으킨다.
처리 플라즈마에의 노출에 따른 손상을 최소화하기 위해, 처리 플라즈마에 노출에 손상을 입는다고 알려진 플라즈마 처리 시스템의 구성요소는 보호층이 코팅된다. 예를 들어, 알루미늄 재질의 구성요소는 플라즈마에 보다 큰 저항을 가지는 산화 알루미늄 표면층을 형성하도록 양극산화 처리될 수 있다. 다른 예에서는, 실리콘, 석영, 알루미나, 카본, 또는 실리콘 카바이드 재질의 구성요소 처럼 소모되거나 대체 가능한 구성요소가 잦은 교체로 인한 비용 부담이 큰 보다 가치있는 구성요소의 표면을 보호하기 위해 처리 챔버내에 삽입될 수 있다.
또한, 원하는 않는 오염물, 불순물 등이 처리 플라즈마, 가능하다면 기판위에 형성된 소자로의 유입을 최소화하는 표면 재료를 선택하는 것이 바람직하다.
양자의 경우에 있어서, 보호층의 순도 또는 보호층의 제조시의 순도 중 어느 하나로 인한 보호 코팅의 불가피한 파손과 대체 가능한 구성요소의 소모되는 성질은 플라즈마 처리 시스템의 잦은 유지보수를 요구한다. 이와 같은 잦은 유지보수는 플라즈마의 고장시간 및 새로운 플라즈마 처리 챔버 구성요소와 관련된 비용을 발생시킬 수 있고, 이는 과도할 수 있다.
본 발명은 플라즈마 처리 시스템을 위한 향상된 배플판을 제공하는 것에 관한 것으로, 상기 확인된 단점을 효과적으로 완화하기 위한 배플판의 제작과 설계에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 상부면, 하부면, 안지름 가장자리, 및 바깥지름 가장자리를 구비한 링을 포함하는 배플판을 제공하는 데 있다. 상부면은 바깥지름 가장자 주위에 제 1 접촉면을 더 포함할 수 있다. 하부면은 바깥지름 가장자리 주위에 제 2 접촉면과 안지름 가장자리 주위에 복수의 고정 결합면을 더 포함할 수 있다. 배플판은 적어도 하나의 통로를 포함할 수 있는데, 통로는 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 내부 통로면을 구비한다.
본 발명의 목적은 복수의 고정 리셉터를 포함하는 배플판을 제공하는 데 있으며, 각각의 고정 리셉터는 상부면과 하부면에 연결되어 배플판을 플라즈마 처리 시스템에 연결하는 고정장치를 수용하도록 구성된다. 각 고정 리셉터는 유입구, 유출구, 및 내부 리셉터 표면을 포함할 수 있다.
본 발명의 목적은 복수의 장착홀을 포함하는 배플판을 제공하는 데 있으며, 각각의 장착홀은 상부면과 하부면에 연결되어 배플판을 플라즈마 처리 시스템에 연결하는 고정장치를 수용하도록 구성된다.
본 발명의 목적은 처리 플라즈마로 향하는 배플판의 노출된 표면위에 형성된 보호층을 더 포함하는 배플판을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 노출된 표면이 제 1 결합면을 제외한 배플판의 상부면과, 복수의 고정 결합면과 제 2 결합면을 제외한 배플판의 하부면과, 그리고 상부면과 하부면에 접하는 내부 통로면을 포함하는 배플판을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명은 선택적으로 각 고정 리셉터의 제 1 유입면과 제 1 립 표면을 노출된 표면으로서 확인하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명은, 배플판을 제조하는 단계, 배플판위의 표면 양극 산화층을 형성하기 위해 배플판을 양극산화 처리하는 단계, 표면 양극 산화층을 제거하기 위해 배플판위의 노출된 표면을 기계 가공하는 단계, 및 노출된 표면위에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법을 제공한다.
본 발명은, 배플판을 제조하는 단계, 표면 양극 산화층의 형성을 방지하기 위해 배플판위에 노출된 표면을 마스크 하는 단계, 배플판위의 표면 양극 산화층을 형성하기 위해 배플판을 양극산화 처리하는 단계, 노출된 표면에 마스크를 제거하는 단계, 및 노출된 표면위에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 다른 생산방법을 제공한다.
본 발명은, 배플판을 제조하는 단계, 및 노출된 표면위에 복수의 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 또 다른 생산방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 노출된 표면이 보호층을 수용하도록 준비하는 기계 가공 및 마스크를 조합하는 공정, 그런 다음 노출된 표면위에 보호층을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 보호층이 형성될 수 있는 네 개의 노출된 표면을 생성하기 위해 양극산화 처리 전에 두 개의 표면이 마스크될 수 있고, 양극산화 처리 후에 두 개의 표면이 기계 가공될 수 있다.
또한, 상술한 방법 중 어느 방법에서도 노출된 표면은 아니지만 양극산화 처리된(또는, 그렇지 않으면 코팅된) 표면을 기계 가공하는 단계를 선택적으로 더 포함할 수 있다.
본 발명의 이것 및 다른 유리한 점은 첨부된 도면과 함께 다음의 본 발명의 실시에에 대한 상세한 설명으로부터 보다 명백하고 쉽게 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 배플판을 구비한 플라즈마 처리 시스템의 간략한 블럭 다이어그램.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템을 위한 배플판의 평면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템을 위한 배플판의 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템의 배플판내에 형성된 하나의 통로의 단축에 따른 확대 단면도.
도 5A는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 상부면내에 형성된 하나의 통로의 확대 단면도.
도 5B는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 상부면내에 형성된 하나의 통로의 장축에 따른 확대 단면도.
도 5C는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 하부면내에 형성된 하나의 통로의 확대 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 안지름 가장자리의 확대 단면도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 바깥지름 가장자리의 확대 단면도.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템을 위한 배플판의 생산방법.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템을 위한 배플판의 생산방법.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템을 위한 배플판의 생산방법.
본 발명의 실시예에 따라, 도 1에 도시된 플라즈마 처리 시스템(1)은 플라즈마 처리 챔버(10), 상부 어셈블리(20), 상부 전극(22), 기판(35)을 지지하는 기판 홀더(30), 및 플라즈마 처리 챔버(10)내에 감소된 압력 분위기(11)를 제공하는 진공 펌프(도시하지 않음)에 연결되는 펌핑 덕트(40)를 포함한다. 플라즈마 처리 챔버(10)는 기판(35)에 인접한 처리 공간(12)내의 처리 플라즈마의 형성을 용이하게 한다. 플라즈마 처리 시스템(1)은 200mm 기판, 300mm 기판, 또는 더 큰 기판을 처리하도록 구성될 수 있다.
도시된 실시예에서, 상부 전극(22)은 용착 실드(26)(도1)가 구비된 전극판(24)(도1)을 포함한다. 다른 실시예에서, 상부 어셈블리(20)는 커버, 가스 분사 어셈블리, 및 상부 전극 임피던스 매치 네트워크 중 적어도 하나를 포함한다. 예를 들어, 상부 전극(22)은 RF 소스와 연결될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 상부 어셈블리(20)는 상부 전극(22)에 연결되는 커버를 포함하는데, 상부 전극(22)은 플라즈 마 처리 챔버(10)의 전위와 동일한 전위로 유지된다. 예를 들어, 플라즈마 처리 챔버(10), 상부 어셈블리(20), 및 상부 전극(22)은 전기적으로 그라운드 전위에 연결될 수 있다.
플라즈마 처리 챔버(10)는 예를 들어, 상부 전극(22)의 용착 실드(26)에 연결되는 광학 뷰포트(16)를 더 포함할 수 있다. 광학 뷰포트(16)는 광학 창 용착 실드(18)의 뒷면에 연결된 광학 창(17)과 광학 창(17)를 광학 창 용착 실드(18)에 연결토록 구성될 수 있는 광학 창 플랜지(19)를 포함할 수 있다. O링과 같은 밀폐수단은 광학 창 플랜지(19)와 광학 창(17) 사이, 광학 창(17)와 광학 창 용착 실드(18)사이, 및 광학 창 용착 실드(18)와 플라즈마 처리 챔버(10) 사이에 구비될 수 있다. 광학 뷰포트(16)를 통해 예를 들어, 처리 공간(12)내의 처리 플라즈마로부터의 광방출의 감시가 가능하다.
또한, 기판 홀더(30)는 예를 들어, 기판 홀더(30) 및 플라즈마 처리 챔버(10)에 연결되고, 플라즈마 처리 챔버(10)내의 감소된 압력 분위기(11)로부터 수직 병진 장치(50)를 밀폐하도록 구성된 벨로즈(52)에 의해 둘러싸여진 수직 병진 장치(50)를 더 포함할 수 있다. 부가적으로, 벨로즈 실드(54)는 예를 들어, 기판 홀더(30)에 연결되고 처리 플라즈마로부터 벨로즈(52)를 보호하도록 구성될 수 있다. 또한, 기판 홀더(30)는 예를 들어, 포커스 링(60) 및 실드 링(62) 중 적어도 하나에 연결될 수 있다. 또한, 배플판(64)은 기판 홀더(30)의 가장자리로부터 연장될 수 있다.
기판(35)은 예를 들어, 기판 홀더(30) 내의 장치에 의해 기계적으로 병진되 는 로봇 기판 이송 시스템에서, 기판 홀더(30) 내의 기판 리프트 핀(도시하지 않음)에 의해 제공되고, 슬롯 밸브(도시하지 않음) 및 챔버 관통홀(도시하지 않음)를 통해 플라즈마 처리 챔버(10)의 안팎으로 이송될 수 있다. 일단, 기판(35)이 기판 이송 이스템으로부터 제공되면 기판(35)은 기판 홀더(30)의 상부면까지 낮추어진다.
기판(35)은 예를 들어, 정전 클램핑 시스템에 의해 기판 홀더(30)에 부착될수 있다. 또한, 기판 홀더(30)는 예를 들어, 기판 홀더(30)로부터 열을 받아 열 교환 시스템(도시하지 않음)으로 열을 전달하거나, 발열시 열 교환 시스템으로부터 의 열을 전달하는 재순환 냉매 유량을 포함하는 냉각 시스템을 더 포함할 수 있다. 또한, 가스는 예를 들어, 기판(35)과 기판 홀더(30)사이의 가스 갭 열전도를 향상시키기 위해 후면 가스 시스템에 의해 기판(35)의 후면으로 공급될 수 있다. 그와 같은 시스템은 온도가 증가 또는 감소에 따른 기판의 열제어가 요구될 때 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 발열 소자 예를 들어, 저항 발열 소자, 또는 열전기 발열기/냉각기가 포함될 수 있다.
도 1에 도시된 실시예에서, 기판 홀더(30)는 전극을 포함할 수 있는데, 전극을 통해 RF 전력이 처리 공간(12)내의 처리 플라즈마로 연결된다. 예를 들어, 기판 홀더(30)는 RF 전원장치(도시되지 않음)로부터 임피던스 매치 네트워크(도시하지 않음)를 통해 기판 홀더(30)로 전달되는 RF 전력의 전달에 의해 전기적으로 RF 전압에 바이어스될 수 있다. RF 바이어스는 플라즈마를 생성하고 유지하도록 열전자를 제공한다. 이와 같은 구성에서, 시스템은 반응성 이온 에칭(RIE) 반응로로서 동 작할 수 있고, 여기에서 챔버와 상부 가스 분사 전극은 그라운드 표면으로서 제공된다. 전형적인 RF 바이어스를 위한 주파수는 1MHz로부터 100MHz에 이르고, 바람직하게는 13.56MHz이다. 플라즈마 처리를 위한 RF 시스템은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진자에게 잘 알려져 있다.
선택적으로, 처리 공간(12)내에서 형성되는 처리 플라즈마는 평행판, 축전 결합형 플라즈마(CCP) 소스, 유도 결합형 플라즈마(ICP) 소스, 그것의 어떤 조합, 및 마그네트 시스템을 구비하거나 구비하지 않은 것을 이용하여 생성될 수 있다. 선택적으로, 처리 공간(12)내의 처리 플라즈마는 전자 사이클로트론 공명(ECR)을 이용하여 생성될 수 있다. 또 다른 실시예에서는, 처리 공간(12)내의 처리 플라즈마는 헬리콘파의 발생으로부터 생성될 수 있다. 또 다른 실시예에서는, 처리 공간(12)내의 처리 플라즈마는 전파 표면파로부터 형성된다.
도 2(평면도)와 도 3(단면도)에 도시된 본 발명의 실시예를 참조하면, 배플판(64)는 상부면(82), 하부면(84), 안지름 가장자리(86), 및 바깥지름 가장자리(88)를 구비한 링을 형성할 수 있다. 배플판(64)은 상부면(82)과 하부면(84)을 연결하는 최소한 하나의 통로(90)를 가지며, 상기 통로에서 가스의 흐름이 이루어진다.
도 4 는 통로(90) 중 하나의 확대된 모습을 나타내고 있으며, 상기 확대도는 통로(90)의 단축을 따라 횡단면도를 나타낸다. 각각의 통로(90)는 배플판(64)의 상부면(82)과 하부면(84)에 인접한 내부 통로면(92)을 구비하고 있다. 예를 들면, 상부면(82)과 하부면(84)의 사이의 거리로 규정되는 내부 통로면(92)의 길이는 1mm 에서 50mm의 범위이다. 바람직하게는, 길이가 1mm에서 10mm의 범위이며, 보다 바람직하게는 길이가 적어도 5mm이어야 한다.
도 5A, 5B, 5C 는 각각 배플판(64) 상부면(82)의 통로(90)의 바람직한 단면도와, 통로(90)의 장축에 따른 부가적인 확대 단면도와, 배플판(64)의 하부면(84)의 바람직한 단면도를 도시한다.
도 1 및 도 5B에 도시된 실시예에서, 적어도 하나의 통로(90)는 지름방향으로 배열된 슬롯을 구비한다. 본 발명의 다른 실시예에서 슬롯은 방위각방향으로 배열될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 슬롯은 경사를 이룰 수 있으며, 이에 따라 지름방향과 방위각방향으로 부분적으로 배열될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 통로(90)는 배열 방법적인 결합을 포함한다. 선택적으로, 통로는 적어도 하나의 오리피스(Orifice)를 포함할 수 있다.
부가적으로, 도 5A 및 도 5B를 다시 참조하면, 상부면(82) 통로(90)의 단면도는 하부면(84) 통로(90)의 단면도에 도시된 각각의 단면 출구 영역(91b)보다 면적이 큰 단면 입구 영역(91a) 단면을 포함한다.
부가적으로, 단면 영역은 예를 들어 상부면(82)으로부터 하부면(84)에 걸쳐 통로(90)의 길이가 일정하다.
부가적으로, 하부면(84) 통로(90)의 단면 출구 영역(91b)은 예를 들어, 상부면(82) 통로(90)의 각각의 단면 입구 영역(91a)보다 면적이 큰 단면 영역을 포함한다.
도 5B와 도 2를 다시 참조하면, 배플판(64)은 예를 들어, 복수의 고정 리셉 터(100)를 더 포함할 수 있다. 각각의 고정 리셉터(100)는 상부면(82)과 하부면(84)에 연결되고, 배플판(64)을 기판 홀더(30)에 부착시키기 위해 고정 장치(도시하지 않음)(예를 들어, 볼트)를 수용하도록 구성될 수 있다. 고정 리셉터(100)는 제 1 유입구(102), 제 2 유입구(103), 및 유출구(104)를 구비할 수 있다. 선택적으로, 제 2 유입구(103)는 반드시 필요하지는 않다. 배플판(64)내에 형성된 고정 리셉터(100)의 수는 예를 들어, 0개에서 100개까지 이를 수 있다. 바람직하게, 고정 리셉터(100)의 갯수는 5개에서 20개까지이며, 보다 바람직하게는 고정 리셉터(100)의 갯수는 12개이다.
도 6은 복수의 고정 리셉터(100)를 구비하는 배플판(64)의 안지름 가장자리(86)의 확대 단면도이다. 안지름 가장자리(86)는 안지름 가장자리면(112)과 복수의 고정 결합면(113)을 더 포함할 수 있다. 안지름 가장자리면(112)은 배플판(64)의 상부면(82)와 하부면(84)에 연결될 수 있다. 적어도 하나의 고정 결합면(113)은 배플판(64)의 하부면(84)에 연결되어 일치하고 배플판(64)을 기판 홀더(30)에 연결되도록 구성될 수 있다. 또한, 도 6에 도시한 바와 같이 고정 리셉터(100)는 제 1 유입면(107), 제 1 립 면(108), 제 2 유입면(109), 제 2 립 면(110), 및 유출면(111)을 더 구비할 수 있는 내부 리셉터 표면(106)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 안지름 가장자리(86)에 근접한 상부면(82)과 하부면(84)의 사이의 거리인 안지름 가장자리(86)의 최소 두께는 1mm에서 50mm의 범위이다. 바람직하게는, 최소 두께가 1mm에서 10mm의 범위이며, 보다 바람직하게는 최소 두께가 적어도 2mm이어야 한다.
도 7는 배플판(64)의 바깥지름 가장자리(88)의 확대 단면도이다. 바깥지름 가장자리(88)는 바깥지름 가장자리면(114)과 제 1 결합면(116), 및 제 2 결합면(118)을 더 포함할 수 있다. 바깥지름 가장자리면(114)은 배플판(64)의 상부면(82)와 하부면(84)에 연결될 수 있다. 제 1 결합면(116)은 배플판(64)의 상부면(82)에 연결되어 일치하고 플라즈마 처리 시스템(1)과 연결되도록 구성될 수 있다. 제 2 결합면(118)은 하부면(84) 부위에 연결되어 일치하고 플라즈마 처리 시스템(1)에 연결되도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 결합면은 배플판(64)을 용착 실드(14)와 플라즈마 처리 챔버(10) 중 적어도 하나와 연결되도록 사용될 수 있다. 부가적으로 예를 들어, 바깥지름 가장자리(88)에 근접한 상부면(82)과 하부면(84)의 사이의 거리인 바깥 가장자리면(86)의 두께는 1mm에서 50mm의 범위이다. 바람직하게는, 두께가 1mm에서 10mm의 범위이며, 보다 바람직하게는 두께가 적어도 7mm이어야 한다.
부가적으로, 도 2에 도시된 바와 같이 배플판(64)은 예를 들어 복수의 장착홀(101)을 더 포함할 수 있다. 각각의 장착홀(101)은 상부면(82)와 하부면(84)에 연결되어 배플판(64)을 플라즈마 처리 챔버(10)와 상부 전극(22)의 용착 실드(26) 중 적어도 하나에 연결하는 고정 장치(도시하지 않음)(볼트와 같은)를 수용하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 배플판(64)내에 형성되는 장착홀(101)의 갯수는 0개에서 100개까지 이를 수 있다. 바람직하게는, 장착홀(101)의 갯수는 5개에서 20개까지이며, 보다 바람직하게는 장착홀(101)의 갯수는 적어도 10개이다.
도 2 내지 도 7을 다시 참조하면, 배플판(64)은 복수의 노출된 표면(145)위에 형성된 보호층(150)을 더 포함한다. 본 발명의 실시예에서 노출된 표면(145)은 제 1 결합면(116)을 제외한 배플판(64)의 상부면(82), 복수의 고정 결합면(113)과 제 2 결합면(118)을 제외한 배플판(64)의 하부면(84), 및 상부면(82)과 하부면(84)에 접하는 내부 통로면(92)을 포함할 수 있다. 부가적으로, 노출된 표면(145)은 각 고정 리셉터(100)의 제 1 유입면(107), 각각의 고정 리셉터(100)의 제 1 립 면(108)을 포함할 수 있다. 선택적으로, 노출된 표면은 배플판(64)위의 모든 표면을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 보호층(150)은 Al2O3와 같이 산화 알루미늄을 포함하는 화합물을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 보호층(150)은 Al2O3 및 Y2O3 의 혼합물을 포함할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 보호층(150)은 3족 원소(주기율표의 3족)와 란탄족 원소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 3족 원소는 이트륨, 스칸듐, 및 란탄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 란탄족 원소는 세륨, 디스프로슘, 및 유로퓸 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 보호층(150)을 형성하는 화합물은 이트리아(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3, 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 배플판(64)위에 형성된 보호층(150)은 최소 두께로 이루어진 열 스프레이 코팅을 포함할 수 있는데, 최소 두께는 복수의 노출된 표면(145)를 가로질러서 두께가 변할 수 있다. 즉, 규정된 두께는 복수의 노출된 표면 (145)를 가로질러 변한다. 예를 들어, 최소 두께는 노출된 표면(145)의 제 1 영역에 걸쳐서는 일정하나 노출된 표면(145)의 제 2 영역에 걸쳐서는 변할 수 있다. 예를 들어, 곡선 표면, 모퉁이, 또는 구멍내에서 두께가 변할 수 있다. 최소 두께는 0 미크론에서 550 미크론이다. 바람직하게는 최소 두께는 50 미크론에서 250 미크론이고, 보다 바람직하게는 최소 두께는 150 미크론에서 250 미크론이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 도 1에 도시된 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법을 도시하고 있다. 배플판(64)을 제조하는 것(310)(예를 들어, 도 2-7을 참조하여 설명된 판의 특성을 가진 배플판)에서 시작한다. 배플판을 제조하는 것은 기계 가공, 주조, 연마, 단조, 및 연삭 중 적어도 하나를 포함한다. 예를 들어, 상술한 구성요소의 각각은 분쇄기, 선반 등을 포함하는 종래의 기술을 사용하여 기계제도상에 설명된 규격에 따라 기계 가공될 수 있다. 예를 들어, 분쇄기 또는 선반을 사용하여 구성요소를 기계 가공하는 기술은 기계 가공에 관한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 잘 알려져 있다. 배플판은 예를 들어, 알루미늄으로부터 제조될 수 있다.
320에서, 배플판(64)은 표면 양극산화층을 형성하기 위해 양극산화 처리 된다. 예를 들어, 알루미늄으로부터 배플판을 제조할 때, 표면 양극산화층은 산화 알루미늄(Al2O3)을 포함한다. 알루미늄 원소를 양극산화 처리하는 방법은 표면 양극산화 처리 기술분야의 통상의 지식을 가진자에게 잘 알려져 있다.
330에서, 표면 양극산화층은 통상적인 기계 가공 기술을 사용하여 노출된 표 면(145)으로부터 제거된다. 동일한 기계 가공 단계 또는 별도의 기계 가공 단계 동안 다른 표면(예를 들어, 상부면의 제 1 결합면, 하부면의 제 2 결합면. 및 하부면의 복수의 고정 결합면) 또한 기계 가공될 수 있다(예를 들어, 기계 가공된 표면에 우수한 기계적 또는 전기적 접촉 중 적어도 하나를 제공하는 편평한 또는 노출된 표면을 위해).
340에서, 보호층(150)이 노출된 표면(145) 위에 형성된다. 예를 들어, 이트리아(yttria)를 포함하는 보호층은 세라믹 스프레이 코팅 기술분야의 통상의 지식을 가진자에게 잘 알려진 (열) 스프레이 코팅 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 보호층의 형성은 열 스프레이 코팅을 연마하는 것을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 열 스프레이 코팅을 연마하는 것은 스프레이된 표면에 샌드 페이퍼의 사용하는 것을 포함할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법을 도시하고 있다. 흐름도(400)는 배플판(64)(예를 들어, 도 2-7을 참조하여 설명된 판의 특성을 가진 배플판)을 기계 가공하는 것(410)에서 시작한다. 배플판을 제조하는 것은 기계 가공, 주조, 연마, 단조, 및 연삭 중 적어도 하나를 포함한다. 예를 들어, 상술한 구성요소의 각각은 분쇄기, 선반 등을 포함하여 종래의 기술을 사용하여 기계제도상에 설명된 규격에 따라 기계 가공될 수 있다. 예를 들어, 분쇄기 또는 선반을 사용하여 구성요소를 기계 가공하는 기술은 기계 가공에 관한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 잘 알려져 있다. 배플판은 예를 들어, 알루미늄으로부터 제조될 수 있다.
420에서, 노출된 표면(145)은 그위에 표면 양극산화층의 형성을 방지하기 위해 마스크된다. 표면 마스크 및 마스크 제거 기술은 표면 코팅과 표면 양극산화 처리 기술에 속하는 분야의 통상의 지식을 가진자에게 잘 알려져 있다. 동일한 마스크 단계 또는 별도의 마스크 단계 동안 다른 표면(예를 들어, 상부면의 제 1 결합면, 하부면의 제 2 결합면, 및 하부면의 복수의 고정 결합면) 또한 마스크될 수 있다(예를 들어, 기계 가공된 표면에 우수한 기계적 또는 전기적 접촉 중 적어도 하나를 제공하는 편평한 또는 노출 표면을 위해).
430에서, 배플판(64)은 남겨진 마스크가 제거된 표면위에 표면 양극산화층을 형성하기 위해 양극산화 처리된다. 예를 들어, 알루미늄으로부터 배플판을 제조할 때, 표면 양극산화층은 산화 알루미늄(Al2O3)을 포함한다. 알루미늄 원소를 양극산화 처리하는 방법은 표면 양극산화 처리하는 기술분야의 통상의 지식을 가진자에게 잘 알려져 있다.
440에서, 보호층(150)은 노출된 표면(145)위에 형성된다. 예를 들어, 이트리아를 포함하는 보호층은 세라믹 스프레이 코팅 기술분야의 통상의 지식을 가진자에게 잘 알려진 (열) 스프레이 코팅 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 보호층의 형성은 열 스프레이 코팅을 연마하는 것을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 열 스프레이 코팅을 연마하는 것은 스프레이된 표면에 샌드 페이퍼의 사용하는 것을 포함할 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 플라즈마 처리 시 스템의 배플판의 생산방법을 도시하고 있다. 흐름도(500)는 배플판(64)(예를 들어, 도 2-7을 참조하여 설명된 판의 특성을 가진 배플판)을 제조하는 것(510)에서 시작한다. 배플판을 제조하는 것은 기계 가공, 주조, 연마, 단조, 및 연삭 중 적어도 하나를 포함한다. 예를 들어, 상술한 구성요소의 각각은 분쇄기, 선반 등을 포함하여 종래의 기술을 사용하여 기계제도상에 설명된 규격에 따라 기계 가공될 수 있다. 예를 들어, 분쇄기 또는 선반을 사용하여 구성요소를 기계 가공하는 기술은 기계 가공에 관한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 잘 알려져 있다. 배플판은 예를 들어, 알루미늄으로부터 제조될 수 있다.
520에서, 보호층(150)이 배플판(64)의 노출된 표면(145) 위에 형성된다. 예를 들어, 이트리아를 포함하는 보호층은 세라믹 스프레이 코팅 기술분야의 통상의 지식을 가진자에게 잘 알려진 (열) 스프레이 코팅 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 보호층의 형성은 열 스프레이 코팅을 연마하는 것을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 열 스프레이 코팅을 연마하는 것은 스프레이된 표면에 샌드 페이퍼의 사용하는 것을 포함할 수 있다.
도 8-10을 참조하여 설명된 노출된 표면(145)위에 보호층(150)을 형성하는 공정은 기계가공 및 마스크 공정의 조합을 이용하는 것으로 변경될 수 있다. 그와 같이 변경된 공정에서, 적어도 하나의 노출된 표면은 다른 노출된 표면이 양극산화 처리되는 동안 그위의 표면 양극산화층의 형성을 방지하도록 마스크된다. 마스크된 노출된 표면은 마스크가 제거된다. 보호층(150)은 그때 노출된 모든 표면위에 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 노출되지 않은 부가적인 표면도 또한 그 위에 양극 산화층이 형성된 것 보다 우수한 기계적 또는 전기적 접촉을 제공하기 위해 공정 중에 기계가공될 수 있다.
비록 위에서 본 발명의 단지 특정한 실시예가 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 신규한 기술 및 잇점으로부터 근본적으로 이탈하는 것 없이 용이하게 실시예내에서 많은 변형예가 가능하고 이해할 수 있다. 따라서, 그와 같은 모든 변형예는 본 발명의 범위내에 속하도록 의도된다.

Claims (55)

  1. 상부면, 하부면, 상기 상부면과 하부면에 연결되는 안지름 가장자리, 상기 상부면과 하부면에 연결되는 바깥지름 가장자리, 및 상기 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 구성된 적어도 하나의 통로를 포함하되, 상기 상부면은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 1 결합면을 포함하고, 상기 하부면은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 2 결합면과 상기 안지름 가장자리에 근접한 복수의 고정 결합면을 포함하고, 상기 각각의 통로는 내부 통로면을 구비하는 링;및
    상기 제 1 결합면을 제외한 상기 상부면과, 상기 제 2 결합면과 상기 복수의 고정 결합면을 제외한 상기 하부면과, 그리고 상기 각 통로의 상기 내부 통로면을 포함하는 복수의 상기 배플판의 노출된 표면에 연결되는 보호층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 통로는, 슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 슬롯은, 유입영역과 유출영역을 구비하며 상기 유입영역은 상기 유출영역보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나의 통로는, 오리피스를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 링은, 상기 배플판의 상기 상부면 및 하부면에 연결되어 상기 배플판을 상기 플라즈마 처리 시스템에 연결하기 위해 고정장치를 수용하도록 구성되는 복수의 고정 리셉터와 복수의 장착홀 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 고정 리셉터는, 유입구, 유출구, 및 내부 리셉터 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 각 고정 리셉터의 상기 내부 리셉터 표면은, 제 1 유입면, 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수의 노출된 표면은, 상기 제 1 유입면과 상기 제 1 립 면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 배플판은, 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속은, 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 .
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호층은, 3족 원소와 란탄족 원소 중 적어도 하나를 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 3족 원소는, 이트륨, 스칸듐, 및 란탄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 란탄족 원소는, 세륨, 디스프로슘, 및 유로퓸 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 보호층은, 이트리아(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3, 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 복수의 노출된 표면 중 적어도 어느 하나의 표면에 걸쳐서 일정한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 복수의 노출된 표면 중 적어도 어느 하나의 표면에 걸쳐서 두께가 변하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판.
  17. 상부면, 하부면, 안지름 가장자리, 상기 상부면과 하부면에 연결되는 바깥지름 가장자리, 및 상기 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 구성된 적어도 하나의 통로를 포함하되, 상기 상부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 1 결합면을 포함하고, 상기 하부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 2 결합면과 상기 안지름 가장자리에 근접한 복수의 고정 결합면을 포함하고, 상기 각각의 통로는 내부 통로면을 구비하는 배플판을 제조하는 단계;및
    상기 제 1 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 상부면과, 상기 제 2 결합면과 상기 복수의 고정 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 하부면과, 그리고 상기 상부면과 하부면에 연결되는 상기 내부 통로면을 포함하는 복수의 노출된 표면에 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 개선된 배플판의 생산방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 배플판위의 표면 양극산화층을 형성하기 위해 상기 배플판을 양극산화 처리하는 단계;및
    상기 표면 양극산화층을 제거하기 위해 상기 배플판위의 상기 노출된 표면을 기계 가공하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    표면 양극산화층의 형성을 방지하기 위해 상기 노출된 표면을 마스크하는 단계;
    상기 배플판위의 표면 양극산화층을 형성하기 위해 상기 배플판을 양극산화 처리하는 단계;및
    상기 배플판위의 상기 노출된 표면에서 마스크를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 제조하는 단계는, 기계 가공, 주조, 연마, 단조, 및 연삭 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 보호층을 형성하는 단계는, 상기 노출된 표면 중 어느 하나위에 상기 보호층을 연마하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 배플판은, 상기 상부면과 하부면에 연결되어 상기 배플판을 상기 플라즈마 처리 시스템에 연결하기 위해 고정장치를 수용하도록 구성된 복수의 고정 리셉터와, 복수의 장착홀 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈 마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 각 고정 리셉터는, 유입구, 유출구, 및 내부 리셉터 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 각 고정 리셉터의 상기 내부 리셉터 표면은, 상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 기계가공 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 1 유입면과 상기 제 1 립 면위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  27. 제 17 항에 있어서,
    상기 배플판은, 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 금속은, 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  29. 제 17 항에 있어서,
    상기 보호층은, 3족 원소와 란탄족 원소 중 적어도 하나를 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 3족 원소는, 이트륨, 스칸듐, 및 란탄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  31. 제 29 항에 있어서,
    상기 란탄족 원소는, 세륨, 디스프로슘, 및 유로퓸 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  32. 제 17 항에 있어서,
    상기 보호층은, 이트리아(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3, 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  33. 제 17 항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 복수의 노출된 표면 중 적어도 어느 하나의 표면에 걸쳐서 일정한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  34. 제 17 항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 복수의 노출된 표면 중 적어도 어느 하나의 표면에 걸쳐서 두께가 변하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  35. 제 17 항에 있어서,
    상기 노출된 표면은, 상기 배플판위에 남겨진 모든 표면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  36. 상부면, 하부면, 안지름 가장자리, 상기 상부면과 하부면에 연결되는 바깥지름 가장자리, 및 상기 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 구성된 적어도 하나의 통로를 포함하되, 상기 상부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 1 결합면을 포함하고, 상기 하부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 2 결합면과 상기 안지름 가장자리에 근접한 복수의 고정 결합면을 포함하고, 상기 각각의 통로는 내부 통로면을 구비하는 배플판을 제조하는 단계;
    상기 배플판위의 표면 양극산화층을 형성하기 위해 상기 배플판을 양극산화 처리하는 단계;
    상기 표면 양극산화층을 제거하기 위해, 상기 제 1 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 상부면과, 상기 복수의 고정 결합면 및 상기 제 2 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 하부면과, 그리고 상기 상부면 및 하부면에 연결되는 상기 내부 통로면을 포함하는 상기 배플판의 노출된 표면을 기계 가공하는 단계;및
    상기 노출된 표면위에 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 배플판은, 상기 상부면과 하부면에 연결되어 상기 배플판을 상기 플라즈마 처리 시스템에 연결하기 위해 고정장치를 수용하도록 구성된 복수의 고정 리셉터와, 복수의 장착홀 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
  38. 제 37 항에 있어서,
    상기 각 고정 리셉터는, 유입구, 유출구, 및 내부 리셉터 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 각 고정 리셉터의 상기 내부 리셉터 표면은, 상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 상기 제 2 유입면, 상기 제 2 립 면, 및 상기 유출면을 기계가공 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  41. 제 39 항에 있어서,
    상기 제 1 유입면과 상기 제 1 립 면위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  42. 제 36 항에 있어서,
    상기 보호층은, 3족 원소와 란탄족 원소 중 적어도 하나를 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  43. 제 42 항에 있어서,
    상기 3족 원소는, 이트륨, 스칸듐, 및 란탄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  44. 제 42 항에 있어서,
    상기 란탄족 원소는, 세륨, 디스프로슘, 및 유로퓸 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법..
  45. 제 36 항에 있어서,
    상기 보호층은, 이트리아(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3, 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  46. 상부면, 하부면, 안지름 가장자리, 상기 상부면과 하부면에 연결되는 바깥지름 가장자리, 및 상기 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 구성된 적어도 하나의 통로를 포함하되, 상기 상부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근 접한 제 1 결합면을 포함하고, 상기 하부면 부분은 상기 바깥지름 가장자리에 근접한 제 2 결합면과 상기 안지름 가장자리에 근접한 복수의 고정 결합면을 포함하고, 상기 각각의 통로는 내부 통로면을 구비하는 배플판을 제조하는 단계;
    표면 양극산화층의 형성을 방지하기 위해, 상기 제 1 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 상부면과, 상기 복수의 고정 결합면 및 상기 제 2 결합면을 제외한 상기 배플판의 상기 하부면과, 그리고 상기 상부면 및 하부면에 연결되는 상기 내부 통로면을 포함하는 상기 배플판의 노출된 표면을 마스크하는 단계;
    상기 배플판위의 상기 표면 양극산화층을 형성하기 위해 상기 상기 배플판을 양극산화 처리하는 단계;
    상기 노출된 표면에 마스크를 제거하는 단계;및
    상기 노출된 표면에 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  47. 제 46 항에 있어서,
    상기 배플판은, 상기 상부면과 하부면에 연결되어 연결되어 상기 배플판을 상기 플라즈마 처리 시스템에 연결하기 위해 고정장치를 수용하도록 구성된 복수의 고정 리셉터와, 복수의 장착홀 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판의 생산방법.
  48. 제 47 항에 있어서,
    상기 각 고정 리셉터는, 유입구, 유출구, 및 내부 리셉터 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  49. 제 48 항에 있어서,
    상기 각 고정 리셉터의 상기 내부 리셉터 표면은, 상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  50. 제 49 항에 있어서,
    상기 제 1 유입면, 상기 제 1 립 면, 제 2 유입면, 제 2 립 면, 및 유출면을 기계가공 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  51. 제 49 항에 있어서,
    상기 제 1 유입면과 상기 제 1 립 면위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  52. 제 46 항에 있어서,
    상기 보호층은, 3족 원소와 란탄족 원소 중 적어도 하나를 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  53. 제 52 항에 있어서,
    상기 3족 원소는, 이트륨, 스칸듐, 및 란탄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  54. 제 52 항에 있어서,
    상기 란탄족 원소는, 세륨, 디스프로슘, 및 유로퓸 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
  55. 제 46 항에 있어서,
    상기 보호층은, 이트리아(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3, 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템의 배플판 생산방법.
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