KR20020067428A - 리드프레임 및 그것을 이용한 수지봉함형 반도체장치 및그들의 제조방법 - Google Patents
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- H01L2924/01047—Silver [Ag]
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- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
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Abstract
Description
Claims (41)
- 프레임테두리부와,상기 프레임테두리부의 내측에 배치되어 그 상면에 반도체소자를 유지하는 다이패드부와,상기 다이패드부의 주변부에 배치되어 하면에 볼록부를 갖는 복수의 내측 이너리드부를 구비하고,상기 프레임테두리부와 상기 복수의 내측 이너리드부는 그 상면 또는 하면을 리드유지재에 의해 유지하고 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
- 제 1항에 있어서,상기 복수의 내측 이너리드부의 적어도 일부는 각 볼록부가 서로 절연되어 있고, 절연된 각 볼록부의 주변부에는 그 선단부가 상기 볼록부의 최상면을 넘지 않을 정도로 하면과 수직인 방향으로 연장되는 돌기부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 프레임테두리부와 상기 내측 이너리드부와의 사이에 배치되어 상기 프레임테두리부로부터 내측으로 연장되는 동시에 하면에 볼록부를 갖는 복수의 외측 이너리드부를 추가로 구비하고 있는 것을 특징으로 리드프레임.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 다이패드부는 그 하면에 오목부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
- 프레임테두리부와,상기 프레임테두리부의 내측에 배치되어 그 상면에 반도체소자를 유지하는 다이패드부와,상기 프레임테두리부와 상기 다이패드부와의 사이에 배치된 이너리드부를 구비하고,상기 프레임테두리부와 상기 이너리드부는 그 상면 또는 하면을 리드유지재에 의해 유지하고 있으며,상기 이너리드부는 하면에 서로 간격을 두고 설치된 복수의 볼록부를 갖고,상기 복수의 볼록부의 적어도 일부는 인접하는 볼록부끼리가 서로 절연되어, 그 잔여부는 인접하는 볼록부끼리 연결지지부에 의해 지지되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
- 제 5항에 있어서,절연된 상기 각 볼록부의 주변부에는 그 선단부가 상기 볼록부의 최상면을 넘지 않을 정도로 하면과 수직인 방향으로 연장되는 돌기부가 형성되어 있는 것을특징으로 하는 리드프레임.
- 제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 다이패드부는 그 하면에 오목부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
- 프레임테두리부와,상기 프레임테두리부의 내측에 배치되어 그 상면에 반도체소자를 유지하는 다이패드부와,상기 프레임테두리부와 상기 다이패드부와의 사이에 배치된 복수의 랜드부 및 그 복수의 랜드부 중의 일부를 전기적으로 접속하는 이너리드부를 구비하고,상기 프레임테두리부와 상기 랜드부는 그 상면 또는 하면을 리드유지재에 의해 유지하고 있으며,상기 이너리드부는 서로 인접하는 한 세트의 랜드부끼리의 사이에 다른 랜드부끼리를 접속하는 동시에 상면이 상기 한 세트의 랜드부의 최상면의 높이와 동등하면서 하면이 상기 한 세트의 랜드부끼리의 하면보다도 높아지도록 설치되고,상기 랜드부에서의 상기 이너리드부가 연장되는 방향에 대하여 수직인 방향의 단면형상은 상기 이너리드부의 측면과 대향하는 측면상부의 폭이 작은 단면볼록형상인 것을 특징으로 하는 리드프레임.
- 판형상의 금속부재로부터 프레임테두리부와, 그 프레임테두리부의 내측으로부터 연장되는 연결지지부에 의해 지지되는 다이패드부와, 그 다이패드부의 둘레부와 접속된 복수의 내측 이너리드부와, 상기 프레임테두리부와 접속된 복수의 외측 이너리드부를 일체로 형성하는 제 1 공정과,상기 복수의 내측 이너리드부의 상기 다이패드부로부터 각각 간격을 둔 부분 및 상기 복수의 외측 이너리드부의 상기 프레임테두리부로부터 각각 간격을 둔 부분이면서 상기 다이패드부의 소자유지면측과 반대측의 면에 볼록부를 형성하는 제 2 공정과,적어도 상기 복수의 내측 이너리드부 및 상기 프레임테두리부의 소자유지면측 또는 그 소자유지면과 반대의 면측에 리드유지재를 설치함으로써, 상기 복수의 내측 이너리드부 및 프레임테두리부를 상기 리드유지재에 의해 유지하는 제 3 공정과,상기 복수의 내측 이너리드부의 적어도 일부의 상기 볼록부와 상기 다이패드부와의 사이의 영역을 제거함으로써, 상기 복수의 내측 이너리드부와 상기 다이패드부를 선택적으로 절연하는 제 4 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 제 2 공정은 상기 복수의 내측 이너리드부의 볼록부 형성영역과 상기 다이패드부와의 사이의 영역 및 상기 복수의 외측 이너리드부의 볼록부 형성영역과상기 프레임테두리부와의 사이의 영역에서의 소자유지면측과 반대측의 면에 대하여 에칭을 행함으로써, 상기 볼록부를 형성하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 제 2 공정은 상기 복수의 내측 이너리드부의 볼록부 형성영역과 상기 다이패드부와의 사이의 영역 및 상기 복수의 외측 이너리드부의 볼록부 형성영역과 상기 프레임테두리부와의 사이의 영역에서의 소자유지면측과 반대측의 면을 누름으로써, 상기 볼록부를 형성하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 4 공정은 상기 볼록부와 상기 다이패드부와의 사이의 영역을 절단수단을 이용하여 절단함으로써, 상기 볼록부와 상기 다이패드부를 절연하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 제 12항에 있어서,상기 절단수단은 상기 볼록부 및 다이패드부의 상면에 대하여 거의 평행한 절단면을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 판형상의 금속부재로부터 프레임테두리부와, 그 프레임테두리부의 내측으로부터 연장되는 제 1 연결지지부에 의해 지지되는 동시에 제 2 연결지지부에 의해 서로 연결된 복수의 이너리드부 및 다이패드부를 일체로 형성하는 제 1 공정과,상기 복수의 이너리드부에서의 상기 다이패드부의 소자유지면측과 반대측의 면에 서로 간격을 두도록 복수의 볼록부를 형성하는 제 2 공정과,상기 복수의 이너리드부 및 상기 프레임테두리부의 소자유지면측 또는 그 소자유지면과 반대의 면측에 리드유지재를 설치함으로써, 상기 이너리드부 및 프레임테두리부를 상기 리드유지재에 의해 유지하는 제 3 공정과,상기 복수의 이너리드부에서의 상기 제 2 연결지지부의 적어도 일부의 서로 인접하는 상기 볼록부끼리의 사이 또는 서로 인접하는 상기 볼록부와 다이패드부와의 사이의 영역을 제거함으로써, 상기 복수의 이너리드부를 선택적으로 절연하는 제 4 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 제 14항에 있어서,상기 제 2 공정은 상기 제 2 연결지지부의 볼록부 형성영역끼리의 사이 또는 볼록부 형성영역과 상기 다이패드부와의 사이의 영역에서의 소자유지면측과 반대측의 면에 대하여 에칭을 행함으로써, 상기 볼록부를 형성하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 제 14항에 있어서,상기 제 2 공정은 상기 제 2 연결지지부의 볼록부 형성영역끼리의 사이 또는볼록부 형성영역과 상기 다이패드부와의 사이의 영역에서의 소자유지면측과 반대측의 면을 누름으로써, 상기 볼록부를 형성하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 제 14항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 4 공정은 상기 제 2 연결지지부의 볼록부끼리의 사이 또는 상기 볼록부와 상기 다이패드부와의 사이의 영역을 절단수단을 이용하여 절단함으로써, 상기 볼록부끼리 또는 상기 볼록부와 상기 다이패드부를 절연하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 제 17항에 있어서,상기 절단수단은 상기 볼록부 및 다이패드부의 상면에 대하여 거의 평행한 절단면을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 판형상의 금속부재로부터 프레임테두리부와, 그 프레임테두리부의 내측으로부터 연장되는 연결지지부에 의해 지지되는 동시에 서로 간격을 두고 연결된 복수의 랜드부 및 그 복수의 랜드부 중의 일부를 전기적으로 접속하는 이너리드부와, 소자유지면을 갖는 다이패드부를 일체로 형성하는 제 1 공정과,상기 복수의 랜드부 및 상기 프레임테두리부의 소자유지면측 또는 그 소자유면과 반대의 면측에 리드유지재를 설치함으로써, 상기 랜드부 및 프레임테두리부를상기 리드유지재에 의해 유지하는 제 2 공정과,상기 연결지지부에서의 서로 인접하는 랜드부끼리의 사이의 영역의 적어도 일부를 제거함으로써, 상기 복수의 랜드부를 선택적으로 절연하는 제 3 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 제 19항에 있어서,상기 제 1 공정은,서로 인접하는 랜드부끼리 및 그 사이에 위치하는 연결지지부에서의 소자유지면측에서, 상기 랜드부끼리에서의 상기 연결지지부와 병행하는 중앙부 부분 및 그 사이의 상기 연결지지부를 마스크하여, 상기 랜드부의 소자유지면측에 대하여 그 두께의 거의 2분의 1을 에칭함으로써, 상기 랜드부끼리의 사이에 상기 연결지지부로부터 이너리드부를 형성하는 공정과,상기 복수의 랜드부의 소자유지면측과 반대측의 면을 마스크하여, 상기 랜드부의 소자유지면측과 반대측의 면에 대하여 상기 랜드부끼리 및 상기 이너리드부가 각각 분리하도록 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법.
- 다이패드부와,상기 다이패드부 상에 유지된 반도체소자와,상기 다이패드부의 주변부이면서 상기 다이패드부와 일측부와의 사이에 3열이상의 행렬형상으로 배치되어 적어도 그 일부가 고립된 복수의 이너리드부와,상기 반도체소자, 다이패드부 및 복수의 이너리드부를 그 이너리드부에서의 상기 다이패드부의 소자유지면과 반대측의 면을 노출하도록 일체로 봉함하는 봉함수지부를 구비하고,상기 다이패드부 및 복수의 이너리드부는 동일한 금속판으로부터 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치.
- 제 21항에 있어서,상기 복수의 이너리드부는 하면에 그 최상면이 상기 봉함수지부로부터 노출하는 볼록부를 갖고, 그 볼록부의 주변부에는 그 선단부가 상기 최상면을 넘지 않을 정도로 하면과 수직인 방향으로 연장되는 돌기부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치.
- 제 21항 또는 제 22항에 있어서,상기 다이패드부는 그 하면에 오목부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치.
- 제 21항 또는 제 22항에 있어서,상기 복수의 이너리드부는 상기 봉함수지부의 측면으로부터 노출하고 있지 않은 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치.
- 다이패드부와,상기 다이패드부 상에 유지된 반도체소자와,상기 다이패드부의 주변부에 배치되어 적어도 그 일부가 고립된 복수의 랜드부와,상기 다이패드부의 주변부에 배치되어, 상기 복수의 랜드부 중의 일부를 전기적으로 접속하는 이너리드부와,상기 반도체소자, 다이패드부, 복수의 랜드부 및 이너리드부를 그 랜드부에서의 상기 다이패드부의 소자유지면과 반대측의 면을 노출하도록 일체로 봉함하는 봉함수지부를 구비하고,상기 이너리드부는 서로 인접하는 한 세트의 랜드부끼리의 사이에 다른 랜드부끼리를 접속하는 동시에 상면이 상기 한 세트의 랜드부의 최상면의 높이와 동등하면서 하면이 상기 한 세트의 랜드부끼리의 하면보다도 높아지도록 설치되며,상기 랜드부에서의 상기 이너리드부가 연장되는 방향에 대하여 수직인 방향의 단면형상은 상기 이너리드부의 측면과 대향하는 측면상부의 폭이 작은 단면볼록형상인 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치.
- 판형상의 금속부재로부터 프레임테두리부와, 그 프레임테두리부의 내측으로부터 연장되는 연결지지부에 의해 각각 지지되는 복수의 다이패드부와, 상기 각 다이패드부의 둘레부와 접속된 복수의 내측 이너리드부와, 상기 프레임테두리부와 접속된 복수의 외측 이너리드부를 일체로 형성하는 제 1 공정과,상기 복수의 내측 이너리드부의 상기 각 다이패드부로부터 각각 간격을 둔 부분 및 상기 복수의 외측 이너리드부의 상기 프레임테두리부로부터 각각 간격을 둔 부분이면서 상기 다이패드부의 소자유지면측과 반대측의 면에 볼록부를 형성하는 제 2 공정과,적어도 상기 복수의 내측 이너리드부 및 상기 프레임테두리부에서의 소자유지면측 또는 그 소자유지면과 반대의 면측에 리드유지재를 설치함으로써, 상기 복수의 내측 이너리드부 및 프레임테두리부를 상기 리드유지재에 의해 유지하는 제 3 공정과,상기 복수의 내측 이너리드부의 적어도 일부에서의 상기 볼록부와 상기 각 다이패드부와의 사이의 영역을 제거하여, 상기 복수의 내측 이너리드부와 상기 각 다이패드부를 선택적으로 절연함으로써, 리드유지재가 부착된 리드프레임을 형성하는 제 4 공정과,상기 리드프레임의 각 다이패드부의 상면에 복수의 반도체소자를 각각 유지하는 제 5 공정과,금속세선에 의해 상기 각 반도체소자와, 절연된 상기 복수의 내측 이너리드부 및 상기 복수의 외측 이너리드부를 각각 전기적으로 접속하는 제 6 공정과,상기 리드유지재가 상기 리드프레임의 소자유지면측에 설치되어 있는 경우에, 소자유지면측에 설치된 리드유지재를 제거하는 제 7 공정과,상기 내측 이너리드부의 각 볼록부 및 외측 이너리드부의 각 볼록부의 최상면을 노출하도록 상기 복수의 반도체소자, 복수의 다이패드부, 복수의 내측 이너리드부 및 복수의 외측 이너리드부를 봉함용수지재에 의해 봉함하는 제 8 공정과,상기 리드유지재가 상기 리드프레임의 소자유지면과 반대의 면측에 설치되어 있는 경우에, 그 소자유지면과 반대의 면측에 설치된 리드유지재를 제거하는 제 9 공정과,상기 리드프레임을 상기 복수의 반도체소자 중의 적어도 하나가 포함되도록 칩형상으로 분할하는 제 10 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 26항에 있어서,상기 제 2 공정은 상기 복수의 내측 이너리드부의 볼록부 형성영역과 상기 각 다이패드부와의 사이의 영역, 및 상기 복수의 외측 이너리드부의 볼록부 형성영역과 상기 프레임테두리부와의 사이의 영역에서의 소자유지면측과 반대측의 면에 대하여 에칭을 행함으로써, 상기 볼록부를 형성하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 26항에 있어서,상기 제 2 공정은 상기 복수의 내측 이너리드부의 볼록부 형성영역과 상기 각 다이패드부와의 사이의 영역 및 상기 복수의 외측 이너리드부의 볼록부 형성영역과 상기 프레임테두리부와의 사이의 영역에서의 소자유지면측과 반대측의 면을누름으로써, 상기 볼록부를 형성하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 26항 내지 제 28항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 4 공정은 상기 볼록부와 상기 다이패드부와의 사이의 영역을 절단수단을 이용하여 절단함으로써, 상기 볼록부와 상기 다이패드부를 절연하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 29항에 있어서,상기 절단수단은 상기 볼록부 및 다이패드부의 상면에 대하여 거의 평행한 절단면을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치.
- 제 26항 내지 제 28항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 7 공정 또는 상기 제 9 공정은 상기 리드유지재를 화학적으로 용해하여 제거하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 26항 내지 제 28항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 10 공정은 상기 리드프레임을 다이싱블레이드를 이용하여 절단하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 판형상의 금속부재로부터 프레임테두리부와, 그 프레임테두리부의 내측으로부터 연장되는 제 1 연결지지부에 의해 각각 지지되는 동시에 제 2 연결지지부에 의해 서로 연결된 복수의 이너리드부 및 복수의 다이패드부를 일체로 형성하는 제 1 공정과,상기 복수의 이너리드부에서의 상기 각 다이패드부의 소자유지면측과 반대측의 면에 서로 간격을 두도록 복수의 볼록부를 형성하는 제 2 공정과,상기 복수의 이너리드부 및 상기 프레임테두리부에서의 소자유지면측 또는 그 소자유지면과 반대의 면측에 리드유지재를 설치함으로써, 상기 이너리드부 및 프레임테두리부를 상기 리드유지재에 의해 유지하는 제 3 공정과,상기 복수의 이너리드부에서의 상기 제 2 연결지지부의 적어도 일부에서의 서로 인접하는 상기 볼록부끼리의 사이 또는 서로 인접하는 상기 볼록부와 다이패드부와의 사이의 영역을 제거하여, 상기 복수의 이너리드부를 선택적으로 절연함으로써, 리드유지재가 부착된 리드프레임을 형성하는 제 4 공정과,상기 리드프레임의 각 다이패드부의 상면에 복수의 반도체소자를 각각 유지하는 제 5 공정과,금속세선에 의해 상기 각 반도체소자와, 절연된 상기 복수의 이너리드부를 각각 전기적으로 접속하는 제 6 공정과,상기 리드유지재가 상기 리드프레임의 소자유지면측에 설치되어 있는 경우에, 소자유지면측에 설치된 리드유지재를 제거하는 제 7 공정과,상기 이너리드부의 각 볼록부의 최상면을 노출하도록 상기 복수의 반도체소자, 복수의 다이패드부 및 복수의 이너리드부를 봉함용수지재에 의해 봉함하는 제 8 공정과,상기 리드유지재가 상기 리드프레임의 소자유지면과 반대의 면측에 설치되어 있는 경우에, 그 소자유지면과 반대의 면측에 설치된 리드유지재를 제거하는 제 9 공정과,상기 리드프레임을 상기 복수의 반도체소자 중의 적어도 하나가 포함되도록 칩형상으로 분할하는 제 10 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 33항에 있어서,상기 제 2 공정은 상기 제 2 연결지지부의 볼록부 형성영역끼리의 사이 또는 볼록부 형성영역과 상기 다이패드부와의 사이의 영역에서의 소자유지면측과 반대측의 면에 대하여 에칭을 행함으로써, 상기 볼록부를 형성하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 33항에 있어서,상기 제 2 공정은 상기 제 2 연결지지부의 볼록부 형성영역끼리의 사이 또는 볼록부 형성영역과 상기 다이패드부와의 사이의 영역에서의 소자유지면측과 반대측의 면을 누름으로써, 상기 볼록부를 형성하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 33항 내지 제 35항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 4 공정은 상기 제 2 연결지지부의 볼록부끼리의 사이 또는 상기 볼록부와 상기 다이패드부와의 사이의 영역을 절단수단을 이용하여 절단함으로써, 상기 볼록부끼리 또는 상기 볼록부와 상기 다이패드부를 절연하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 36항에 있어서,상기 절단수단은 상기 볼록부 및 다이패드부의 상면에 대하여 거의 평행한 절단면을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치.
- 제 33항 내지 제 35항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 7 공정 또는 상기 제 9 공정은 상기 리드유지재를 화학적으로 용해하여 제거하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 33항 내지 제 35항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 10 공정은 상기 리드프레임을 다이싱블레이드를 이용하여 절단하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 판형상의 금속부재로부터 프레임테두리부와, 그 프레임테두리부의 내측으로부터 연장되는 연결지지부에 의해 지지되는 동시에 서로 간격을 두고 연결된 복수의 랜드부 및 그 복수의 랜드부 중의 일부를 전기적으로 접속하는 이너리드부와, 소자유지면을 갖는 다이패드부를 일체로 형성하는 제 1 공정과,상기 복수의 랜드부 및 상기 프레임테두리부의 소자유지면측 또는 그 소자유지면과 반대의 면측에 리드유지재를 설치함으로써, 상기 랜드부 및 프레임테두리부를 상기 리드유지재에 의해 유지하는 제 2 공정과,상기 연결지지부에서의 서로 인접하는 랜드부끼리사이의 영역의 적어도 일부를 제거하여, 상기 복수의 랜드부를 선택적으로 절연함으로써, 리드유지재가 부착된 리드프레임을 형성하는 제 3 공정과,상기 리드프레임의 각 다이패드부의 상면에 복수의 반도체소자를 각각 유지하는 제 4 공정과,금속세선에 의해 상기 각 반도체소자와, 절연된 상기 복수의 이너리드부를 각각 전기적으로 접속하는 제 5 공정과,상기 리드유지재가 상기 리드프레임의 소자유지면측에 설치되어 있는 경우에, 소자유지면측에 설치된 리드유지재를 제거하는 제 6 공정과,상기 이너리드부의 각 볼록부의 최상면을 노출하도록 상기 복수의 반도체소자, 복수의 다이패드부 및 복수의 이너리드부를 봉함용수지재에 의해 봉함하는 제 7 공정과,상기 리드유지재가 상기 리드프레임의 소자유지면과 반대의 면측에 설치되어 있는 경우에, 그 소자유지면과 반대의 면측에 설치된 리드유지재를 제거하는 제 8공정과,상기 리드프레임을 상기 복수의 반도체소자 중의 적어도 하나가 포함되도록 칩형상으로 분할하는 제 9 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
- 제 40항에 있어서,상기 제 1 공정은,서로 인접하는 랜드부끼리 및 그 사이에 위치하는 연결지지부에서의 소자유지면측에서, 상기 랜드부끼리에서의 상기 연결지지부와 병행하는 중앙부 부분 및 그 사이의 상기 연결지지부를 마스크하여, 상기 랜드부의 소자유지면측에 대하여 그 두께의 거의 2분의 1을 에칭함으로써, 상기 랜드부끼리의 사이에 상기 연결지지부로부터 이너리드부를 형성하는 공정과,상기 복수의 랜드부의 소자유지면측과 반대측의 면을 마스크하여, 상기 랜드부의 소자유지면측과 반대측의 면에 대하여 상기 랜드부끼리 및 상기 이너리드부가 각각 분리하도록 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지봉함형 반도체장치의 제조방법.
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