JP3449266B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに代えて、外部端子とな
るランド体を備えたフレームであるターミナルランドフ
レームに関するもので、それを用いて半導体素子を搭載
し、外囲を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。
【０００４】図１８は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図１８に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。
【０００５】なお、リードフレームは、図１８に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右・
上下に連続して配列されたものである。
【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図１９は、図１８に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【０００７】図１９に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。
【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図２０に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図１９
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図２０において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピン化
となった場合、インナーリード部（アウターリード部）
の幅の形成には限界があり、多ピン化に対応しようとす
る場合は、インナーリード部（アウターリード部）の数
が多くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結
果として樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望され
る小型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないと
いう課題があった。また、半導体素子の多ピン化対応と
してリードフレームのサイズを変更せず、インナーリー
ド部を増加させる場合は、１本当たりのインナーリード
部の幅を細くしなければならず、リードフレーム形成の
エッチング等の加工で課題が多くなってしまう。
【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。
【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。
【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレーム体
を用いて構成することを目的とするものである。そして
従来のリードフレームに着目した発想から転換し、ビー
ム状の「リード」に代え、外部電極となる「ランド」を
フレーム状で形成する点に主眼をおいたターミナルラン
ドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置および
その製造方法を提供するものである。さらに本発明は、
従来のようにリードカット工程やリードベンド工程をな
くし、容易に樹脂封止型半導体装置を得ることができ、
樹脂封止型半導体装置を低コストで製造できるものであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体
と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成さ
れた複数のランド構成体群とよりなり、前記ランド構成
体群は前記フレーム本体から突出した方向への押圧力に
より、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体群が前
記フレーム本体より分離される構成であるターミナルラ
ンドフレームを用意する工程と、前記ターミナルランド
フレームの前記ランド構成体群の一部のランド構成体の
突出した側に半導体素子を搭載する工程と、搭載した半
導体素子とランド構成体とを電気的に接続する工程と、
少なくとも前記半導体素子の外囲を封止樹脂により封止
し、樹脂封止型半導体装置を形成する工程と、前記ター
ミナルランドフレームの前記フレーム本体を固定した状
態で前記フレーム本体の底面側から前記ランド構成体の
底面側に対して押圧力を印加し、ランド構成体群とフレ
ーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、前記フレ
ーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する工程とを
有する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記
フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する工程
では、前記ランド構成体群のうちの一部のランド構成体
に対して押圧力を印加して分離するに際し、前記ランド
構成体群のうちの樹脂封止型半導体装置領域の中央部分
に配置されたランド構成体と、樹脂封止型半導体装置領
域の各辺の中央部付近に配置されたランド構成体とに対
して同時に押圧力を印加して分離する樹脂封止型半導体
装置の製造方法である。
【００１４】また、金属板よりなるフレーム本体と、前
記フレーム本体の領域内であって、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成された半導体素子が搭載されるダイパッド部
と、前記フレーム本体の領域内であって前記ダイパッド
部の周囲に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体
と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成さ
れた複数のランド構成体とよりなり、前記ダイパッド部
および前記ランド構成体は、前記フレーム本体から突出
した方向への押圧力により、前記薄厚部が破断されて前
記ランド構成体が前記フレーム本体より分離される構成
であるターミナルランドフレームを用意する工程と、前
記ターミナルランドフレームの前記ダイパッド部の突出
した側に半導体素子を搭載する工程と、搭載した半導体
素子とランド構成体とを電気的に接続する工程と、少な
くとも前記半導体素子の外囲を封止樹脂により封止する
工程と、前記ターミナルランドフレームの前記フレーム
本体を固定した状態で前記フレーム本体の底面側から前
記ランド構成体の底面側と前記ダイパッド部の底面側と
に対して押圧力を印加し、ランド構成体群およびダイパ
ッド部とフレーム本体とを接続している薄厚部を破断さ
せ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離
する工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法で
あって、前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を
分離する工程では、前記ダイパッド部と前記ランド構成
体群のうちの一部のランド構成体に対して押圧力を印加
して分離するに際し、前記ダイパッド部の中央部と前記
ランド構成体群のうちの樹脂封止型半導体装置領域の各
辺の中央部付近に配置されたランド構成体とに対して同
時に押圧力を印加して分離する樹脂封止型半導体装置の
製造方法である。
【００１５】さらに、フレーム本体から樹脂封止型半導
体装置を分離する工程では、ダイパッド部とランド構成
体群のうちの一部のランド構成体に対して押圧力を印加
して分離するに際し、前記ダイパッド部に押圧力を印加
するツールの接触面積が前記ランド構成体に押圧力を印
加するツールの接触面積よりも大きいツールを用いて押
圧力を印加する樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
【００１６】前記構成の通り、本発明のターミナルラン
ドフレームは、樹脂封止型半導体装置を構成した際、そ
の外部電極となるランド構成体を設けたものであり、そ
のランド構成体は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力
により、ランド構成体とフレーム本体とを接続している
部分である薄厚部を破断させることにより、フレーム本
体から分離することができるので、リードカット工程や
リードベンド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。これは比較的、精度
が要求された従来のリードフレームにおけるリードカッ
ト工程、リードベンド工程に比べて、工程自体が、突き
上げ処理により樹脂封止型半導体装置をフレームから分
離する、という比較的単純な処理であり、不良、破壊、
変形等が発生することがなくなるため、容易に樹脂封止
型半導体装置を得ることができるものである。
【００１７】また本発明のターミナルランドフレームを
用いることにより、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法においては、半導体素子を搭載し、樹脂封止した
後、ランド構成体、ダイパッド部分の下方からの突き上
げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型半
導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接続したラ
ンド電極を配列することができる。また、本発明のター
ミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を
製造する際、樹脂封止時において、ランド底面部分への
樹脂バリの進入を防止でき、加えて、ランド電極の外部
電極としてのスタンドオフが確保できるものである。
【００１８】そして、分離工程では、ターミナルランド
フレームの底面からその中央部に配置されたランド構成
体やダイパッド部と、周辺部に配置されたランド構成体
とに対して、均一にかつ同時に押圧力を付加することに
より、ランド構成体、ダイパッド部と封止樹脂との間に
応力を与えず、封止樹脂との食い込みを良くして密着性
を高め、信頼性よく、樹脂封止型半導体装置を分離する
ことができるものである。また、全てのランド構成体や
ダイパッド部に対して押圧力を均等にかつ同時に印加す
ることで、ランド構成体、ダイパッド部と封止樹脂との
間に応力を与えず、封止樹脂との食い込みを良くして密
着性を高め、信頼性よく、樹脂封止型半導体装置を分離
することができるものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明のターミナルランド
フレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。
【００２０】図１は本実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナ
ルランドフレームを示す断面図であり、図１において、
Ａ−Ａ１箇所の断面を示している。図３は図２における
ランド構成体部分を拡大して示す断面図である。
【００２１】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体１２とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体１２がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体１２の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。
【００２２】図３に示すように、ランド構成体１２の底
面部分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、薄厚部１１の破線部分で破断されるこ
とになり、フレーム本体１０からランド構成体１２が分
離するものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のラン
ド構成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜
き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分
程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフ
レーム本体１０から突出し、その突出した部分がランド
構成体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切
断されずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成す
るものである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、
ランド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した
方向への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断す
る厚みを有するものである。
【００２３】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
ランド構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてランド構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。例えば本実施形態では、ター
ミナルランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本
体１０の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２
の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム
本体１０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としてい
る。なお、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限
定するものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の
厚型のフレームとしてもよい。また、ランド構成体１２
の突出量に関しても、実施形態では過半数以上のフレー
ム本体厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量とした
が、半数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が
破断される範囲で、突出量を設定できるものである。
【００２４】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、その表面がメッキ処理されたものであり、必要に
応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）
および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキさ
れているものである。メッキ処理については、ランド構
成体１２を成形した後に行ってもよく、または金属板へ
のランド構成体の成形前に行ってもよい。またターミナ
ルランドフレームの表面粗さについては、極めて平坦で
あって、０．１［μｍ］以下であり、封止樹脂との剥離
性に影響するものであり、ランド構成体１２以外の部分
には無用な凹凸がないようにする必要がある。
【００２５】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムにおいては、ランド構成体１２の突出した上面部分
は、コイニングと称されるプレス成形により、その突出
した上面形状が上面平坦なキノコ状を構成するものであ
る。このコイニングによる形状により、ターミナルラン
ドフレームに対して、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際、封止樹脂のランド構成体への食いつきを良好に
し、封止樹脂との密着性を向上させ、片面封止であって
も樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。ま
た形状は上面平坦なキノコ状に限定されるものではな
く、鍵状等の封止樹脂とのアンカー作用のある上面平坦
な形状であればよい。
【００２６】本実施形態のターミナルランドフレームで
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体１２の群の内、一部のランド構成体を
ダイパッド部として使用し、半導体素子の支持用のラン
ド構成体とすることができる。このことにより、品種の
違いにより、ターミナルランドフレーム上に搭載する半
導体素子の大きさに差があった場合でも、適宜、ランド
構成体１２の群の一部を支持用のランド構成体として使
用し、その他のランド構成体１２をその搭載した半導体
素子との電気的な接続用のランド構成体として使用する
ことにより、ターミナルランドフレームを共用すること
ができ、１枚のフレーム中で複数の大きさの異なる半導
体素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。
【００２７】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、ランド構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またランド構成体
１２の形状は円形としているが、角形や長方形でもよ
く、また大きさは、ターミナルランドフレーム内ですべ
て同一としてもよいし、樹脂封止型半導体装置を構成
し、ランド電極とした場合、基板実装の際の応力緩和の
ために、周辺部に位置するランド構成体１２を大きくす
るようにしてもよい。本実施形態では、ランド構成体１
２の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしている。
【００２８】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部、ダイパッド部などを有さず、ランド電極と
してランド構成体１２を有し、そのランド構成体１２を
半導体素子が搭載される面内に格子状、千鳥状に配列す
ることにより、このターミナルランドフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を構成した場合、底面にランド電
極を備えた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。また従来のように電極となる構成が、ビーム状のリ
ード構成ではなく、ランド構成体１２であるため、それ
らを面状に配置することができ、ランド構成体１２の配
置の自由度が向上し、多ピン化に対応することができ
る。勿論、搭載する半導体素子のピン数により、ランド
構成体１２の配置は設定するものであり、従来のような
一連の配置でもよい。
【００２９】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。図４および図５は、タ
ーミナルランドフレームの製造方法を示す断面図であ
り、ランド構成体部分を示す断面図である。
【００３０】まず図４に示すように、ターミナルランド
フレームのフレーム本体となる金属板１３を打ち抜き金
型のダイ部１４に載置し、金属板１３の上方から押え金
型１５により押さえる。ここで図４において、ダイ部１
４には、打ち抜き用の開口部１６が設けられている。ま
た、金属板１３に対して上方には、パンチ部材１７が設
けられており、パンチ部材１７により金属板１３が押圧
され打ち抜き加工された際、金属板１３の押圧された箇
所が開口部１６に打ち抜かれる構造を有している。
【００３１】次に図５に示すように、ダイ部１４上の所
定の位置に固定した金属板１３に対して、その上方から
パンチ部材１７により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１３の一部をダイ部１４側の開口部１６側に突出
するように押圧して、金属板１３の所定箇所を半切断状
態にし、ランド構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１３と接続されて残存し、かつ金属板１
３の本体部よりも突出して形成されたランド構成体１２
を形成するものである。
【００３２】本実施形態では、パンチ部材１７により金
属板１３の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１７の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１３の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１３の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１３のランド構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１７の接触面積は
ダイ部１４に設けた開口部１６の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１７により、金属板１３の一部を押
圧して金属板１３から突出したランド構成体１２を形成
する工程においては、金属板１３から突出したランド構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１３側に接
続したランド構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、ランド構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているランド構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたラ
ンド構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちランド構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。
【００３３】また、ランド構成体１２の突出した上面部
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、ターミナルランドフレームに対して、半導体
素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のランド構成
体への食いつきを良好にし、アンカー効果を得て、封止
樹脂との密着性をさらに向上させ、片面封止であっても
樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。
【００３４】本実施形態において、金属板１３に対して
ランド構成体１２を形成する際、金属板１３の一部を突
出させるその突出量については、金属板１３自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１３の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したランド構成体１２を形成している。し
たがって、突出して形成されたランド構成体１２は、金
属板１３の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、ランド構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、ランド構成体１２の突出量に関し
ても、実施形態では過半数以上の突出量としたが、半数
以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断され
る範囲で、突出量を設定できるものである。
【００３５】ここで本実施形態のランド構成体１２を形
成する際の半切断について説明する。図６は金属板１３
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のランド構成
体１２と金属板１３、および薄厚部１１の部分の構造図
である。
【００３６】図６に示すように、金属板１３に対してラ
ンド構成体１２を形成した際、金属板１３のランド構成
体１２部分は、図４，図５に示したパンチ部材１７によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１８と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部１９と、ランド構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にランド構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２０を有している。ランド構成体１２の形成として
は、パンチ部材１７により打ち抜き加工した際、抜きダ
レ部１８、せん断部１９、破断部２０の順に形成されて
いくものである。破断部２０となる部分は薄厚部１１で
あり、図面上はモデル的に示している関係上、相当の厚
みを有しているように示されているが、実質的には極め
て薄い状態である。また金属板１３の打ち抜き加工にお
いては、理想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パン
チ部材１７が金属板１３を打ち抜き、金属板１３の厚み
の１／２を打ち抜いた時点でパンチ部材１７を停止さ
せ、打ち抜きを完了させるものであるが、その条件は適
宜、設定するものである。
【００３７】また打ち抜き加工において、クリアランス
の値を変更することにより、せん断部１９と破断部２０
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部１９を破断部２０よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
１９を破断部２０よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２０の長さを
短く抑えることで、金属板１３の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１３の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１７の大きさとダイ部１４
の開口部１６の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。
【００３８】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図７，図８
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図７は断面図であり、図８は底面図である。なお、図７
の断面図は図８の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を示す図であり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す平面図については、いわゆる矩形状を示すのみ
であり省略する。
【００３９】図７，図８に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、前述したようなターミナルラン
ドフレームを用いて、半導体素子を搭載した半導体装置
であり、ランド構成体２１の内、第１のランド構成体２
１ａ，２１ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤２２、ま
たは絶縁性ペーストにより搭載、接合された半導体素子
２３と、その半導体素子２３の周辺に配置され、半導体
素子２３と金属細線２４により電気的に接続された第２
のランド構成体２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆと、各
ランド構成体２１の底面を突出させて半導体素子２３の
外囲を封止した封止樹脂２５とよりなる樹脂封止型半導
体装置である。そして本実施形態において、ランド構成
体２１の封止樹脂２５からの突出量は、使用したターミ
ナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体２１
がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量であ
り、基板実装時のスタンドオフを有しているものであ
る。
【００４０】本実施形態では、ランド構成体２１の一部
を半導体素子２３を支持するダイパッド部として使用し
た構造であり、他のランド構成体２１は電極として使用
し、底面配列においては、ランド・グリッド・アレイを
構成しているものである。そして、搭載する半導体素子
の大きさ、ピン数に応じて、半導体素子の支持用のラン
ド構成体２１を適宜、設定することができる。また、従
来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置とは
異なり、ランド構成体２１の面積は、１００［μｍ］以
上のワイヤーボンドができる大きさであればよく、また
高さも１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］程度であるた
め、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。
【００４１】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２５に封止された側のランド構成体２１の
上面の面積が、封止樹脂２５から露出、突出した側のラ
ンド構成体２１の底面の面積よりも大きく、封止された
側のランド構成体２１の上面のエッジ部は曲面を有して
おり、ランド構成体２１は略逆台形状の断面形状を有し
ているものである。この構造により、封止樹脂２５とラ
ンド構成体２１との食いつきを良好にし、密着性を向上
させることができ、基板実装の際の接続の信頼性を得る
ことができるものである。なお、用いるターミナルラン
ドフレーム自体の板厚を厚く設定することで、ランド構
成体２１と封止樹脂２５との食いつきエリアを拡大さ
せ、アンカー効果が増大するため、一層の信頼性向上が
図れる。
【００４２】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
【００４３】まず図９（ａ）に示すように、フレーム本
体２６と、そのフレーム本体２６の領域内に配設され
て、薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続し、かつ
フレーム本体２６よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体２８とよりなり、ランド構成体２８はフレーム
本体２６からそれが突出した方向への押圧力により、薄
厚部２７が破断されてランド構成体２８がフレーム本体
２６より分離される構成を有するターミナルランドフレ
ームを用意する。
【００４４】次に図９（ｂ）に示すように、ターミナル
ランドフレームのランド構成体２８が突出した面側であ
って、ランド構成体２８の内、所定の第１のランド構成
体２８ａ，２８ｂ上に導電性接着剤２９、または絶縁性
ペーストにより半導体素子３０を載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着材２９の塗布、半導体素子３０の載置、加熱処
理により半導体素子３０を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体２８が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
２８の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体２８の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子３０を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体２８は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。
【００４５】次に図９（ｃ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド構
成体２８の内、外部ランド電極となる第２のランド構成
体２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ，２８ｆとを金属細線３１に
より電気的に接続する。したがって、ランド構成体２８
は上面の金属細線３１が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体２８は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線３１をランド構成体２８の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
２８は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。
【００４６】次に図９（ｄ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０、および電
気的接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３２
により封止する。通常は上下封止金型を用いたトランス
ファーモールドにより片面封止を行う。ここではターミ
ナルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面の
みが封止樹脂３２により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各ランド構成体２８は突出
して設けられているため、封止樹脂３２がその段差構造
に対して食いつくため、片面封止構造であっても、ター
ミナルランドフレームと封止樹脂３２との密着性を得る
ことができる。
【００４７】次に図９（ｅ）に示すように、ターミナル
ランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した領
域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体２８の底面に対して、押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体２８とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体２６とが分離するも
のである。ランド構成体２８とフレーム本体２６とを接
続している極薄の薄厚部２７が突き上げによる押圧力で
破断されることにより分離されるものである。また、突
き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導体素子
３０の下方に位置するランド構成体２８のみを突き上げ
てもよく、または周辺部のランド構成体２８を突き上げ
てもよく、またはすべてのランド構成体２８を突き上げ
てもよい。ただし、部分的な突き上げによりランド構成
体２８が封止樹脂３２から剥離しない範囲で突き上げを
行う。また突き上げ以外の手段により、ランド構成体２
８が分離できるものであればよく、例えばフレーム本体
２６に対してひねりを加えても分離させることができる
が、信頼性を考慮して行う。
【００４８】図９（ｆ）に示すように、ランド構成体２
８とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部２７が
突き上げによる押圧力で破断されることにより分離され
て、樹脂封止型半導体装置３３を得ることができる。な
お、ここで封止樹脂３２とフレーム本体との剥離は、フ
レーム本体のランド構成体２８を形成した部分以外の領
域と封止樹脂との密着性が弱く、ランド構成体２８が分
離されることにより、樹脂封止型半導体装置を取り出す
ことができるものである。ランド構成体２８部分はその
凹凸形状が封止樹脂３２に食い込むため、剥離せずに封
止樹脂３２内に形成されるものである。図示するよう
に、樹脂封止型半導体装置３３は、ランド構成体２８が
その底面に配列され、またランド構成体２８が封止樹脂
３２の底面よりも突出して設けられ、基板実装時のスタ
ンドオフが形成されているものである。ここで樹脂封止
型半導体装置３３のランド構成体２８の突出量は、フレ
ーム本体の厚み量からランド構成体２８が突出した量を
差し引いた量となり、ランド構成体２８の外部ランド電
極としてのスタンドオフが形成されるものである。本実
施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレーム本体に対
して、ランド構成体２８を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
突出させているため、スタンドオフ高さの量は、２０
［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚みの１０
［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタンドオ
フを有したランド電極を得ることができる。
【００４９】なお、フレーム本体から樹脂封止型半導体
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体２８部分に対する突き上げ法の他、フレーム本体自
体を引き剥がすことにより、分離できるものであるが、
製品の信頼性を考慮して分離方法を採用するものであ
る。
【００５０】次に本発明のターミナルランドフレームの
別の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００５１】図１０は本実施形態のターミナルランドフ
レームを示す平面図である。図１１は本実施形態のター
ミナルランドフレームを示す断面図であり、図１０にお
いて、Ｃ−Ｃ１箇所の断面を示している。また基本概念
は前記した実施形態のターミナルランドフレームと同様
である。
【００５２】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設さ
れて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、か
つフレーム本体１０よりも突出して形成された複数のラ
ンド構成体１２と、ダイパッド部３４よりなるものであ
る。すなわち、フレーム本体１０、ランド構成体１２、
ダイパッド部３４および薄厚部１１は同一の金属板より
一体で形成されているものである。そしてランド構成体
１２はフレーム本体１０から突出した方向への押圧力に
より、薄厚部１１が破断されてランド構成体１２がフレ
ーム本体１０より分離される構成を有するものである。
【００５３】ここで本実施形態のターミナルランドフレ
ームは、前述した図１，図２および図３に示したターミ
ナルランドフレームと同様な構成を有するものの、半導
体素子を搭載するダイパッド部３４を設けたものであ
る。
【００５４】したがって、ランド構成体１２およびダイ
パッド部３４の底面部分１２ａ，３４ａに対して、突出
した方向への押圧力を印加することにより、薄厚部１１
の破線部分で破断されることになり、フレーム本体１０
からランド構成体１２とダイパッド部３４とが分離する
ものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体１０自
体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形成され
る「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のランド構成
体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜き加工
し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分程度の
打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフレーム
本体１０から突出し、その突出した部分がランド構成体
１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切断され
ずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成するもの
である。
【００５５】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２、ダイパッド部３４は、その
突出量はフレーム本体１０自体の厚みの過半数以上の突
出量を有しており、例えば本実施形態では、ターミナル
ランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本体１０
の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２、ダイ
パッド部３４の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
としている。
【００５６】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、必要に応じてメッキ処理されたものであり、ニッ
ケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金（Ａｕ）な
どの金属が積層されて適宜メッキされているものであ
る。
【００５７】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１０に示すように、ランド構成
体１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・
上下に連続して形成できるものであり、従来のように個
々の分離は必要なく、またタイバーを設ける必要もな
い。またランド構成体１２の形状は円形としているが、
角形や長方形でもよく、また大きさは、ターミナルラン
ドフレーム内ですべて同一としてもよいし、樹脂封止型
半導体装置を構成し、ランド電極とした場合、基板実装
の際の応力緩和のために、周辺部に位置するランド構成
体１２を大きくするようにしてもよい。本実施形態で
は、ランド構成体１２の上面の大きさは、半導体素子を
搭載し、電気的接続手段として、金線等の金属細線によ
り接続する際、ボンディング可能な大きさであればよ
く、１００［μｍ］φ以上の大きさとしている。
【００５８】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部を有さず、ランド電極としてランド構成体１
２を有し、そのランド構成体１２を半導体素子が搭載さ
れる面内に格子状、千鳥状に配列することにより、この
ターミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装
置を構成した場合、底面にランド電極を面配置で備えた
樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また従
来のように電極となる構成が、ビーム状のリード構成で
はなく、ランド構成体１２であるため、それらを面状に
配置することができ、ランド構成体１２の配置の自由度
が向上し、多ピン化に対応することができる。
【００５９】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。製造方法についても前
述したターミナルランドフレームの製造方法と同様であ
り、基本概念は前記した実施形態のターミナルランドフ
レームの製造方法と同様であるが、ランド構成体を形成
すると同時にダイパッド部も形成するものである。
【００６０】すなわち、打ち抜き金型のダイ部上の所定
の位置に固定した金属板に対して、その上方からパンチ
部材により押圧による打ち抜き加工を行い、金属板の一
部をダイ部側の開口部側に突出するように押圧して、金
属板の所定箇所を半切断状態にし、ランド構成体および
ダイパッド部を形成する。ここで薄厚部により金属板と
接続されて残存し、かつ金属板の本体部よりも突出して
形成されたランド構成体とダイパッド部とを形成するも
のである。また、金属板のランド構成体およびダイパッ
ド部を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面積は
ダイ部に設けた開口部の各開口面積よりも小さく、その
パンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板から
突出したランド構成体とダイパッド部とを形成する工程
においては、金属板から突出したランド構成体、ダイパ
ッド部の各上面部分の面積が、金属板側に接続したラン
ド構成体、ダイパッド部の各底面部分の面積よりも大き
く、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は抜き
ダレによる曲面を有しているランド構成体、ダイパッド
部を形成するものである。この構造により、形成された
ランド構成体、ダイパッド部は、それらが突出した方向
に対しての押圧力、すなわちランド構成体、ダイパッド
部の各底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであり、またそれが突出した方向、すなわちラン
ド構成体、ダイパッド部の各上面部分からの押圧力によ
っては分離しないものであり、一方向からの押圧力にの
み分離する構造となる。
【００６１】本実施形態において、金属板に対してラン
ド構成体、ダイパッド部を形成する際、突出させるその
突出量については、金属板自体の厚みの過半数以上と
し、本実施形態では、２００［μｍ］の金属板の厚みに
対して、１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（金属板自体
の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出したランド構成
体、ダイパッド部を形成している。したがって、突出し
て形成されたランド構成体、ダイパッド部は、金属板の
本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部により接続され
ていることになる。本実施形態では、薄厚部の厚みとし
ては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（金属板自体の厚み
の１０［％］〜３０［％］）であり、ランド構成体、ダ
イパッド部が突出した方向に対しての押圧力により、容
易に分離されるものである。
【００６２】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。図１２，図１３は本実施形態の樹脂封
止型半導体装置を示す図であり、図１２は断面図であ
り、図１３は底面図である。なお、図１２の断面図は図
１３の底面図において、Ｄ−Ｄ１箇所の断面を示す図で
あり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す平
面図については、いわゆる矩形状を示すのみであり省略
する。また基本概念は前記した実施形態のターミナルラ
ンドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の構造と同
様である。
【００６３】図１２，図１３に示すように、本実施形態
の樹脂封止型半導体装置は、前述したような図１０，図
１１に示したターミナルランドフレームを用いて、半導
体素子を搭載した半導体装置であり、ダイパッド部３５
上に銀ペースト等の導電性接着剤２２により搭載、接合
された半導体素子２３と、その半導体素子２３の周辺に
配置され、半導体素子２３と金属細線２４により電気的
に接続されたランド構成体２１と、各ランド構成体２１
の底面を突出させて半導体素子２３の外囲を封止した封
止樹脂２５とよりなる樹脂封止型半導体装置である。そ
して本実施形態において、ランド構成体２１、ダイパッ
ド部３５の封止樹脂２５からの突出量は、使用したター
ミナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体２
１、ダイパッド部がそのフレーム本体から突出した量を
差し引いた量であり、基板実装時のスタンドオフを有し
ているものである。
【００６４】本実施形態では、ダイパッド部３５により
半導体素子２３を支持する構造であるが、ランド構成体
２１は電極として使用し、底面配列においては、ランド
・グリッド・アレイを構成しているものである。
【００６５】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２５に封止された側のランド構成体２１、
ダイパッド部３５の上面の面積が、封止樹脂２５から露
出、突出した側のランド構成体２１、ダイパッド部３５
の底面の面積よりも大きく、封止された側のランド構成
体２１、ダイパッド部３５の上面のエッジ部は曲面を有
しており、略逆台形状の断面形状を有しているものであ
る。この構造により、封止樹脂２５とランド構成体２
１、ダイパッド部３５との食いつきを良好にし、密着性
を向上させることができ、基板実装の際の接続の信頼性
を得ることができるものである。またこの構造により、
底面側で基板実装することができ、従来のようなビーム
状のリードによる基板実装に比べて、実装の信頼性を向
上させることができ、ＢＧＡ型半導体装置と同等以上の
信頼性を有するものである。
【００６６】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
本実施形態においても、基本概念は前記した実施形態の
ターミナルランドフレームを用いた樹脂封止型半導体装
置の製造方法と同様である。図１４（ａ）〜（ｆ）は本
実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程
ごとの断面図である。
【００６７】まず図１４（ａ）に示すように、フレーム
本体２６と、そのフレーム本体２６の領域内に配設され
て、薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続し、かつ
フレーム本体２６よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体２８とダイパッド部３６とよりなり、ランド構
成体２８、ダイパッド部３６はフレーム本体２６からそ
れが突出した方向への押圧力により、薄厚部２７が破断
されてランド構成体２８、ダイパッド部３６がフレーム
本体２６より分離される構成を有するターミナルランド
フレームを用意する。
【００６８】次に図１４（ｂ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームのランド構成体２８、ダイパッド部３
６が突出した面側であって、ダイパッド部３６上に導電
性接着剤２９により半導体素子３０を載置、接合する。
この工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工
程に相当する工程であり、ターミナルランドフレームへ
の導電性接着剤２９の塗布、半導体素子３０の載置、加
熱処理により半導体素子３０を接合するものである。こ
こで、ターミナルランドフレームは、ダイパッド部３６
が突出した方向に対しての押圧力、すなわちダイパッド
部３６の底面部分側からの押圧力により、容易に分離さ
れるものであるが、それが突出した方向、すなわちダイ
パッド部３６の上面部分からの押圧力によっては分離し
ないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構
造であるため、半導体素子３０を搭載する際、フレーム
に対して下方の押圧力が作用しても、ダイパッド部３６
は分離せず、安定してダイボンドできるものである。
【００６９】次に図１４（ｃ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド
構成体２８とを金属細線３１により電気的に接続する。
したがって、ランド構成体２８は上面の金属細線３１が
接続される面の面積は１００［μｍ］以上である。ま
た、この工程においても、ランド構成体２８は一方向か
らの押圧力にのみ分離する構造であるため、金属細線３
１をランド構成体２８の上面に接続する際、下方に押圧
力が作用しても、ランド構成体２８は分離せず、安定し
てワイヤーボンドできるものである。
【００７０】次に図１４（ｄ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子３０、および
電気的接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３
２により封止する。通常は上下封止金型を用いたトラン
スファーモールドにより片面封止を行う。ここではター
ミナルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面
のみが封止樹脂３２により封止されるものであり、片面
封止構造となっている。そして各ランド構成体２８、ダ
イパッド部３６は突出して設けられているため、封止樹
脂３２がその段差構造に対して食いつくため、片面封止
構造であっても、ターミナルランドフレームと封止樹脂
３２との密着性を得ることができる。
【００７１】次に図１４（ｅ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラ
ンドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した
領域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体２８およびダイパッド部３６の
底面に対して、押圧力を印加する。この場合、ターミナ
ルランドフレームの端部を固定し、その下方から突き上
げピンにより突き上げて押圧力を印加することにより、
ランド構成体２８、ダイパッド部３６とターミナルラン
ドフレームのフレーム本体２６とが分離するものであ
る。これはランド構成体２８、ダイパッド部３６とフレ
ーム本体２６とを接続している極薄の薄厚部２７が突き
上げによる押圧力で破断されることにより分離されるも
のである。
【００７２】図１４（ｆ）に示すように、ランド構成体
２８、ダイパッド部３６とフレーム本体とを接続してい
る極薄の薄厚部２７が突き上げによる押圧力で破断され
ることにより分離されて、樹脂封止型半導体装置３７を
得ることができる。図示するように、樹脂封止型半導体
装置３７は、ランド構成体２８がその底面に配列され、
またランド構成体２８が封止樹脂３２の底面よりも突出
して設けられ、基板実装時のスタンドオフが形成されて
いるものである。ここで樹脂封止型半導体装置３７のラ
ンド構成体２８の突出量は、フレーム本体の厚み量から
ランド構成体２８が突出した量を差し引いた量となり、
ランド構成体２８の外部ランド電極としてのスタンドオ
フが形成されるものである。本実施形態では、２００
［μｍ］の厚みのフレーム本体に対して、ランド構成体
２８を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体
の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出させているた
め、スタンドオフ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）
となり、基板実装時のスタンドオフを有したランド電極
を得ることができる。
【００７３】次に本発明のターミナルランドフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法の他の実施形態
について図面を参照しながら説明する。
【００７４】図１５（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、工程ごと
に示した断面図である。
【００７５】まず図１５（ａ）に示すように、フレーム
本体３８と、そのフレーム本体３８の領域内に配設され
て、薄厚部３９によりフレーム本体３８と接続し、かつ
フレーム本体３８よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体４０とよりなり、ランド構成体４０はフレーム
本体３８からそれが突出した方向への押圧力により、薄
厚部３９が破断されてランド構成体４０がフレーム本体
３８より分離される構成を有するターミナルランドフレ
ームを用意する。
【００７６】次に図１５（ｂ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームのランド構成体４０が突出した面側で
あって、ランド構成体４０の内、所定の第１のランド構
成体４０ａ，４０ｂ上に導電性接着剤４１、または絶縁
性ペーストにより半導体素子４２を載置、接合する。こ
の工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程
に相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの
導電性接着剤４１の塗布、半導体素子４２の載置、加熱
処理により半導体素子４２を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体４０が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
４０の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体４０の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子４２を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体４０は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。
【００７７】次に図１５（ｃ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子４２とランド
構成体４０の内、外部ランド電極となる第２のランド構
成体４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，４０ｆとを金属細線４３
により電気的に接続する。したがって、ランド構成体４
０は上面の金属細線４３が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体４０は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線４３をランド構成体４０の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
４０は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。
【００７８】次に図１５（ｄ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子４２、および
電気的接続手段である金属細線４３の領域を封止樹脂４
４により封止する。通常は上下封止金型を用いたトラン
スファーモールドにより片面封止を行う。ここではター
ミナルランドフレームの半導体素子４２が搭載された面
のみが封止樹脂４４により封止されるものであり、片面
封止構造となっている。そして各ランド構成体４０は突
出して設けられているため、封止樹脂４４がその段差構
造に対して食いつくため、片面封止構造であっても、タ
ーミナルランドフレームと封止樹脂４４との密着性を得
ることができる。
【００７９】次に図１５（ｅ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラ
ンドフレームの端部を固定し、封止樹脂４４で封止した
領域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体４０の底面に対して、押圧力を
印加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部
を固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて
押圧力を印加することにより、ランド構成体４０とター
ミナルランドフレームのフレーム本体３８とが分離する
ものである。これはランド構成体４０とフレーム本体３
８とを接続している極薄の薄厚部３９が突き上げによる
押圧力で破断されることにより分離されるものである。
【００８０】図１５（ｆ）に示すように、ランド構成体
４０とフレーム本体３８とを接続している極薄の薄厚部
３９が突き上げによる押圧力で破断されることにより分
離されて、樹脂封止型半導体装置４５を得ることができ
る。なお、ここでフレーム本体３８のランド構成体４０
が形成されていない領域と封止樹脂４４との密着性は弱
く、ランド構成体４０が分離することにより、フレーム
本体３８から樹脂封止型半導体装置４５を得ることがで
きるものである。図示するように、樹脂封止型半導体装
置４５は、ランド構成体４０がその底面に配列され、ま
たランド構成体４０が封止樹脂４４の底面よりも突出し
て設けられ、基板実装時のスタンドオフが形成されてい
るものである。ここで樹脂封止型半導体装置４５のラン
ド構成体４０の突出量は、フレーム本体の厚み量からラ
ンド構成体４０が突出した量を差し引いた量となり、ラ
ンド構成体４０の外部ランド電極としてのスタンドオフ
が形成されるものである。本実施形態では、２００［μ
ｍ］の厚みのフレーム本体に対して、ランド構成体４０
を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体の厚
みの７０［％］〜９０［％］）突出させているため、ス
タンドオフ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（フレーム本体３８の厚みの１０［％］〜３０［％］）
となり、基板実装時のスタンドオフを有したランド電極
を得ることができる。
【００８１】本実施形態では、ターミナルランドフレー
ムのフレーム本体３８からランド構成体４０を分離して
樹脂封止型半導体装置４５を構成する際、フレーム本体
３８を固定した状態で、フレーム本体３８の領域内のラ
ンド構成体４０のうち、中央部分に配置されたランド構
成体と、樹脂封止型半導体装置としての周辺部に配置さ
れたランド構成体とを同時に突き上げて、信頼性よく分
離することを特徴とするものである。ランド構成体に対
する押圧力の印加は、ランド構成体と封止樹脂との界面
に対する応力等のダメージを避けて実施する必要があ
り、ランド構成体に対する押圧力の印加自体が重要な工
程要素を有するものである。
【００８２】以下、図１６を参照して説明する。図１６
はフレーム本体のランド構成体を突き上げる際のランド
構成体の突き上げ位置の構成を示す図であり、フレーム
本体の底面を示す底面図である。
【００８３】図１５に示したように、半導体素子が搭載
され、ランド構成体と電気的に金属細線により接続さ
れ、封止樹脂で外囲を封止したターミナルランドフレー
ムのフレーム本体から薄厚部を破断することによりラン
ド構成体を分離して樹脂封止型半導体装置を構成する
際、フレーム本体を固定した状態で、図１６に示すよう
に、フレーム本体４６の領域内のランド構成体４７のう
ち、半導体素子を搭載したランド構成体である中央部分
に配置されたランド構成体４７ａ，４７ｂと、樹脂封止
型半導体装置としての周辺部である各コーナー部に配置
されたランド構成体４７ｃ，４７ｄ，４７ｅ，４７ｆと
を同時に突き上げて、信頼性よく分離するものである。
本実施形態のように、ランド構成体４７をフレーム本体
４６から分離させる際、中央部のランド構成体４７ａ，
４７ｂと各コーナー部のランド構成体４７ｃ，４７ｄ，
４７ｅ，４７ｆとに同時に押圧力を印加させ、ランド構
成体４７とフレーム本体４６との接続部分である薄厚部
を破断させるため、封止樹脂に埋没したランド構成体に
対して、無理に応力が付加されず、ランド構成体と封止
樹脂との間の密着性に対する悪影響をなくして分離する
ことが可能になるものである。ランド構成体に対する無
理な応力とは、ランド構成体が応力により封止樹脂と剥
離、または封止樹脂に対してクラックの誘発、または封
止樹脂と剥離限界に達するような応力である。
【００８４】確かに全てのランド構成体に対して同時に
押圧力を付加して分離することが、ランド構成体に対す
るダメージ低減の点では望ましいが、押圧力を付加する
ための突き上げツールの設計、精度等の制約が厳しくな
り、製造コスト上、問題があるため、本実施形態のよう
に部分的ではあるが、ランド構成体に対して無理な応力
が印加されないように均等に押圧力を印加することで、
局部的なランド構成体への応力付加を回避できるもので
ある。しかも同時に押圧力を均等に印加することで、封
止樹脂に埋没したランド構成体に対して、無理に応力が
付加されず、ランド構成体と封止樹脂との間の密着性に
対する悪影響をなくして分離することができる。
【００８５】本実施形態では、中央部のランド構成体と
して、図１６に示すように、ランド構成体４７ａ，４７
ｂの２箇所と、樹脂封止型半導体装置としての周辺部の
ランド構成体として各コーナー部のランド構成体４７
ｃ，４７ｄ，４７ｅ，４７ｆの４箇所の計６箇所を同時
に突き上げる構成を示したが、中央部はランド構成体４
７ａ，４７ｂの２箇所でなくとも、１箇所でもよく、ま
たその２箇所の周囲を含む４箇所、６箇所でもよく、ラ
ンド構成体に対して無理な応力が印加されない箇所であ
ればよい。また、周辺部のランド構成体は、各コーナー
部でなくとも、各辺の略中央部に配置（略中央線状に配
置）されたランド構成体４７ｇ，４７ｈ，４７ｉ，４７
ｊでもよい。また各コーナー部と各辺部の中央部との両
方のランド構成体に対して押圧力、突き上げ力を印加し
てもよい。
【００８６】本実施形態では、配置されたランド構成体
４７に対して、各コーナー部どうしの略対角線状にラン
ド構成体に対して、押圧力を同時に印加することによ
り、均等な力でランド構成体４７とフレーム本体４６と
の接続部分である薄厚部を破断させるため、封止樹脂に
埋没したランド構成体に対して、無理に応力が付加され
ず、ランド構成体と封止樹脂との間の密着性に対する悪
影響をなくして分離することができるものである。
【００８７】また、本実施形態では、ランド構成体の配
置に対して、各辺の中央部付近の略中央線状に押圧力を
同時に印加することにより、均等な力でランド構成体４
７とフレーム本体４６との接続部分である薄厚部を破断
させるため、封止樹脂に埋没したランド構成体に対し
て、無理に応力が付加されず、ランド構成体と封止樹脂
との間の密着性に対する悪影響をなくして分離すること
ができるものである。
【００８８】次に同様に、ダイパッド部を有したターミ
ナルランドフレームを用いた場合について説明する。図
１７はフレーム本体のダイパッド部、ランド構成体を突
き上げる際の突き上げ位置の構成を示す図であり、フレ
ーム本体の底面を示す底面図である。
【００８９】図１５に示した場合と同様に、半導体素子
がダイパッド部上に搭載され、ランド構成体と電気的に
金属細線により接続され、封止樹脂で外囲を封止したタ
ーミナルランドフレームのフレーム本体から薄厚部を破
断することによりダイパッド部、ランド構成体を分離し
て樹脂封止型半導体装置を構成する際、フレーム本体を
固定した状態で、図１７に示すように、フレーム本体４
８の領域内のランド構成体４９のうち、樹脂封止型半導
体装置としての周辺部である各コーナー部に配置された
ランド構成体４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄと、ダイ
パッド部５０とを同時に突き上げて、信頼性よく分離す
るものである。本実施形態のように、ランド構成体４
９、ダイパッド部５０をフレーム本体４８から分離させ
る際、各コーナー部のランド構成体４９ａ，４９ｂ，４
９ｃ，４９ｄとダイパッド部とに同時に押圧力を印加さ
せ、ランド構成体４９、ダイパッド部５０とフレーム本
体４８との接続部分である薄厚部を破断させるため、封
止樹脂に埋没したランド構成体４９、ダイパッド部５０
に対して、無理に応力が付加されず、ランド構成体４
９、ダイパッド部５０と封止樹脂との間の密着性に対す
る悪影響をなくして分離することが可能になるものであ
る。ランド構成体、ダイパッド部に対する無理な応力と
は、ランド構成体、ダイパッド部が応力により封止樹脂
と剥離、または封止樹脂に対してクラックの誘発、また
は封止樹脂と剥離限界に達するような応力である。
【００９０】確かにダイパッド部とすべてのランド構成
体に対して同時に押圧力を付加して分離することが望ま
しいが、押圧力を付加するための突き上げツールの設
計、精度等の制約が厳しくなり、製造コスト上、問題が
あるため、本実施形態のように部分的ではあるが、ダイ
パッド部とランド構成体に対して無理な応力が印加され
ないように均等に押圧力を印加することで、局部的なラ
ンド構成体への応力付加を回避できるものである。しか
も同時に押圧力を印加することで、封止樹脂に埋没した
ランド構成体、ダイパッド部に対して、無理に応力が付
加されず、ランド構成体、ダイパッド部と封止樹脂との
間の密着性に対する悪影響をなくして分離することがで
きる。
【００９１】本実施形態では、図１７に示すように、樹
脂封止型半導体装置としての周辺部のランド構成体とし
て各コーナー部のランド構成体４９ａ，４９ｂ，４９
ｃ，４９ｄの４箇所と、ダイパッド部５０の計５箇所を
同時に突き上げる構成を示したが、周辺部のランド構成
体は、各コーナー部でなくとも、各辺の中央部に配置さ
れたランド構成体４９ｅ，４９ｆ，４９ｇ，４９ｈでも
よい。また各コーナー部と各辺部の中央部との両方のラ
ンド構成体に対して押圧力、突き上げ力を印加してもよ
い。さらにダイパッド部５０に対しては、押圧力を印加
するための突き上げピンの大きさ、例えば接触面積をラ
ンド構成体４９に対して押圧力を印加するための突き上
げピンの大きさ、例えば接触面積よりも大きくし、ダイ
パッド部５０領域内で押圧力がバラつかず、安定した押
圧力を印加できるようにすることが望ましい。
【００９２】本実施形態では、ランド構成体４９の配置
に対して、樹脂封止型半導体装置としての各コーナー部
という略対角線状に配置されたランド構成体に対して、
押圧力を同時に印加するとともに、ダイパッド部５０に
も同時に押圧力を印加することにより、均等な力でラン
ド構成体、ダイパッド部とフレーム本体との接続部分で
ある薄厚部を破断させるため、封止樹脂に埋没したラン
ド構成体、ダイパッド部に対して、無理に応力が付加さ
れず、ランド構成体、ダイパッド部と封止樹脂との間の
密着性に対する悪影響をなくして分離することができる
ものである。
【００９３】また、本実施形態では、ランド構成体の配
置に対して、樹脂封止型半導体装置としての各辺の中央
部という略中央線状に押圧力を同時に印加するととも
に、ダイパッド部５０にも同時に押圧力を印加すること
により、均等な力でランド構成体、ダイパッド部とフレ
ーム本体との接続部分である薄厚部を破断させるため、
封止樹脂に埋没したランド構成体、ダイパッド部に対し
て、無理に応力が付加されず、ランド構成体、ダイパッ
ド部と封止樹脂との間の密着性に対する悪影響をなくし
て分離することができるものである。
【００９４】さらに本実施形態では、フレーム本体から
樹脂封止型半導体装置の分離は、突き上げ力の印加を例
としたが、フレーム本体の底面側を上面にして、ランド
構成体に対して突き下げ力の印加によって分離してもよ
い。この突き下げの場合は、特に製品の回収を効率よく
できるものであり、突き上げの場合は、コレット等で突
き上げた製品を吸着して個別に回収する必要があるが、
突き下げの場合は、下方に回収トレーを用意し、そのト
レー中に分離した製品を一括で回収できるため、分離後
の製品回収を効率よくできるものである。従来、このよ
うな分離のみで製品を回収する手段は、半導体装置の組
立工程では、リード変形等の外観不良発生の面から採用
されなかった手段であるが、本実施形態ではターミナル
ランドフレームというリードレス構造のフレームを用い
ているため、リード変形等の外観不良の問題をなくすこ
とができるため、突き下げによる分離のみで、下方のト
レー等で一括で回収するという回収手段を実現できるも
のである。
【００９５】以上、本実施形態で示したようなターミナ
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、ランド構成体、ダイパッド部分
の下方からの突き上げによりフレーム自体を除去するだ
けで、樹脂封止型半導体装置の底面部分に半導体素子と
電気的に接続したランド電極を配列することができる。
その結果、面実装タイプの半導体装置が得られ、従来の
ようなリード接合による実装に比べて、基板実装の信頼
性を向上させることができる。さらに樹脂封止型半導体
装置において、各ランド構成体の封止樹脂からの突出量
は、使用したターミナルランドフレーム本体の厚み量か
ら各ランド構成体自体がそのフレーム本体から突出した
量を差し引いた量であり、フレーム本体から製品を分離
した時点で基板実装時のスタンドオフが構成されるもの
であり、あえて別工程でランドのスタンドオフを形成す
る必要がないものである。
【００９６】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、ターミナルランドフレ
ームという金属板からなるフレーム本体から半導体装置
を構成するので、量産性、コスト性などの面において
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも有利とな
る。さらに製品加工工程において、上述のごとく、フレ
ーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を得ること
ができるので、従来のようなフレームからの分離におい
て必要であったリードカット工程、リードベンド工程を
なくし、リードカットによる製品へのダメージやカット
精度の制約をなくすことができ、製造工程の削減によっ
てコスト力の強めた画期的な技術を提供できるものであ
る。
【００９７】
【発明の効果】以上、本発明のターミナルランドフレー
ムにより、従来のようなビーム状のリード電極に代え
て、ランド電極を有した樹脂封止型半導体装置を実現す
ることができる。そして本発明により、樹脂封止型半導
体装置の底面のランド電極を基板等を用いることなく、
フレーム状態から形成でき、また自己整合的にランド電
極のスタンドオフを形成できるものであり、従来にない
フレーム構造、工法によりランド電極を有したリードレ
スパッケージ型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができるものである。
【００９８】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、従来のようにフレーム製作上のラインアンドス
ペース、設計仕様などの制約をなくし、リードがない
分、リードカット工程、リードベンド工程が不要であっ
て、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレーム
本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得ることが
でき、工程削減による低コスト製造を実現できるもので
ある。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、またラ
ンド構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂バリ
除去工程等の後工程が不要である。
【００９９】また本発明においては、ターミナルランド
フレームの底面からその中央部に配置されたランド構成
体やダイパッド部と、周辺部に配置されたランド構成体
とに対して、均一にかつ同時に押圧力を付加することに
より、底面に高密度配置のランド電極を有した小型、薄
型の樹脂封止型半導体装置を信頼性よく分離することが
できる。また、全てのランド構成体やダイパッド部に対
して押圧力を均等にかつ同時に印加することで、ランド
構成体、ダイパッド部と封止樹脂との間に応力を与え
ず、封止樹脂との食い込みを良くして密着性を高め、信
頼性よく、樹脂封止型半導体装置を分離することができ
るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図
【図２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図
【図３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図
【図４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図
【図１１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す底面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す底面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す底面図
【図１８】従来のリードフレームを示す平面図
【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【図２０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図
【符号の説明】
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ タイバー部 ７ 半導体素子 ８ 金属細線 ９ 封止樹脂 １０ フレーム本体 １１ 薄厚部 １２ ランド構成体 １２ａ 底面部分 １２ｂ 上面部分 １３ 金属板 １４ ダイ部 １５ 押え金型 １６ 開口部 １７ パンチ部材 １８ 抜きダレ部 １９ せん断部 ２０ 破断部 ２１ ランド構成体 ２２ 導電性接着剤 ２３ 半導体素子 ２４ 金属細線 ２５ 封止樹脂 ２６ フレーム本体 ２７ 薄厚部 ２８ ランド構成体 ２９ 導電性接着剤 ３０ 半導体素子 ３１ 金属細線 ３２ 封止樹脂 ３３，３７ 樹脂封止型半導体装置 ３４，３５，３６ ダイパッド部 ３８ フレーム本体 ３９ 薄厚部 ４０ ランド構成体 ４１ 導電性接着剤 ４２ 半導体素子 ４３ 金属細線 ４４ 封止樹脂 ４５ 樹脂封止型半導体装置 ４６ フレーム本体 ４７ ランド構成体 ４８ フレーム本体 ４９ ランド構成体 ５０ ダイパッド部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−250641（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−261732（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−256460（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−271652（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−80750（ＪＰ，Ａ) 特開2000−124383（ＪＰ，Ａ) 特開2000−124382（ＪＰ，Ａ) 特開2000−124381（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12,23/50

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
    レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
    して形成された複数のランド構成体群とよりなり、前記
    ランド構成体群は前記フレーム本体から突出した方向へ
    の押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記ランド構
    成体群が前記フレーム本体より分離される構成であるタ
    ーミナルランドフレームを用意する工程と、前記ターミ
    ナルランドフレームの前記ランド構成体群の一部のラン
    ド構成体の突出した側に半導体素子を搭載する工程と、
    搭載した半導体素子とランド構成体とを電気的に接続す
    る工程と、少なくとも前記半導体素子の外囲を封止樹脂
    により封止し、樹脂封止型半導体装置を形成する工程
    と、前記ターミナルランドフレームの前記フレーム本体
    を固定した状態で前記フレーム本体の底面側から前記ラ
    ンド構成体の底面側に対して押圧力を印加し、ランド構
    成体群とフレーム本体とを接続している薄厚部を破断さ
    せ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離
    する工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法で
    あって、前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を
    分離する工程では、前記ランド構成体群のうちの一部の
    ランド構成体に対して押圧力を印加して分離するに際
    し、前記ランド構成体群のうちの樹脂封止型半導体装置
    領域の中央部分に配置されたランド構成体と、樹脂封止
    型半導体装置領域の各辺の中央部付近に配置されたラン
    ド構成体とに対して同時に押圧力を印加して分離するこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の領域内であって、薄厚部により前記フレー
    ム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して
    形成された半導体素子が搭載されるダイパッド部と、前
    記フレーム本体の領域内であって前記ダイパッド部の周
    囲に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続
    し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成された複
    数のランド構成体とよりなり、前記ダイパッド部および
    前記ランド構成体は、前記フレーム本体から突出した方
    向への押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記ラン
    ド構成体が前記フレーム本体より分離される構成である
    ターミナルランドフレームを用意する工程と、前記ター
    ミナルランドフレームの前記ダイパッド部の突出した側
    に半導体素子を搭載する工程と、搭載した半導体素子と
    ランド構成体とを電気的に接続する工程と、少なくとも
    前記半導体素子の外囲を封止樹脂により封止する工程
    と、前記ターミナルランドフレームの前記フレーム本体
    を固定した状態で前記フレーム本体の底面側から前記ラ
    ンド構成体の底面側と前記ダイパッド部の底面側とに対
    して押圧力を印加し、ランド構成体群およびダイパッド
    部とフレーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、
    前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する
    工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
    て、前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離
    する工程では、前記ダイパッド部と前記ランド構成体群
    のうちの一部のランド構成体に対して押圧力を印加して
    分離するに際し、前記ダイパッド部の中央部と前記ラン
    ド構成体群のうちの樹脂封止型半導体装置領域の各辺の
    中央部付近に配置されたランド構成体とに対して同時に
    押圧力を印加して分離することを特徴とする樹脂封止型
    半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 フレーム本体から樹脂封止型半導体装置
    を分離する工程では、ダイパッド部とランド構成体群の
    うちの一部のランド構成体に対して押圧力を印加して分
    離するに際し、前記ダイパッド部に押圧力を印加するツ
    ールの接触面積が前記ランド構成体に押圧力を印加する
    ツールの接触面積よりも大きいツールを用いて押圧力を
    印加することを特徴とする請求項２に記載の樹脂封止型
    半導体装置の製造方法。
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