JP3422276B2 - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに代えて、外部端子とな
るランド体を備えたフレームであるターミナルランドフ
レームに関するもので、それを用いて半導体素子を搭載
し、外囲を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置および
その製造方法に関するものである。
リードを備えたリードフレームに代えて、外部端子とな
るランド体を備えたフレームであるターミナルランドフ
レームに関するもので、それを用いて半導体素子を搭載
し、外囲を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置および
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。
するリードフレームについて説明する。
【０００４】図２５は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図２５に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。
示す平面図である。図２５に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。
【０００５】なお、リードフレームは、図２５に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図２６は、図２５に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
説明する。図２６は、図２５に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【０００７】図２６に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に導電性接着剤（図示せず）を介して半
導体素子７が搭載され、その半導体素子７とインナーリ
ード部４とが金属細線８により電気的に接続されてい
る。そしてダイパッド部２上の半導体素子７、インナー
リード部４の外囲は封止樹脂９により封止されている。
封止樹脂９の側面からはアウターリード部５が突出して
設けられ、先端部はベンディングされている。
イパッド部２上に導電性接着剤（図示せず）を介して半
導体素子７が搭載され、その半導体素子７とインナーリ
ード部４とが金属細線８により電気的に接続されてい
る。そしてダイパッド部２上の半導体素子７、インナー
リード部４の外囲は封止樹脂９により封止されている。
封止樹脂９の側面からはアウターリード部５が突出して
設けられ、先端部はベンディングされている。
【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図２７に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を導電性接着剤により接合した後
（ダイボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部
４の先端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボ
ンド工程）。その後、半導体素子７の外囲を封止する
が、封止領域はリードフレームのタイバー部６で包囲さ
れた領域内を封止樹脂９により封止し、アウターリード
部５を外部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そ
してタイバー部６で封止樹脂９の境界部をカッティング
し、各アウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除
去するとともに、アウターリード部５の先端部をベンデ
ィングすることにより（タイバーカット・ベンド工
程）、図２６に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製
造することができる。ここで図２７において、破線で示
した領域が封止樹脂９で封止する領域である。
は、図２７に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を導電性接着剤により接合した後
（ダイボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部
４の先端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボ
ンド工程）。その後、半導体素子７の外囲を封止する
が、封止領域はリードフレームのタイバー部６で包囲さ
れた領域内を封止樹脂９により封止し、アウターリード
部５を外部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そ
してタイバー部６で封止樹脂９の境界部をカッティング
し、各アウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除
去するとともに、アウターリード部５の先端部をベンデ
ィングすることにより（タイバーカット・ベンド工
程）、図２６に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製
造することができる。ここで図２７において、破線で示
した領域が封止樹脂９で封止する領域である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピン化に対応しようとする
場合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が
多くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果
として樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される
小型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないとい
う課題があった。また、半導体素子の多ピン対応として
リードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部
を増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の
幅を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッ
チング等の加工で課題が多くなってしまう。また、従来
はリードフレームは形成する樹脂封止型半導体装置の品
種ごとに設計され、１つのリードフレームからは１品種
の樹脂封止型半導体装置を得るに過ぎなかった。
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピン化に対応しようとする
場合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が
多くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果
として樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される
小型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないとい
う課題があった。また、半導体素子の多ピン対応として
リードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部
を増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の
幅を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッ
チング等の加工で課題が多くなってしまう。また、従来
はリードフレームは形成する樹脂封止型半導体装置の品
種ごとに設計され、１つのリードフレームからは１品種
の樹脂封止型半導体装置を得るに過ぎなかった。
【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。
【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。
【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレーム体
を用いて構成することを目的とするものである。そして
従来のリードフレームに着目した発想から転換し、ビー
ム状の「リード」に代え、外部電極となる「ランド」を
フレーム状で形成する点に主眼をおいたターミナルラン
ドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置および
その製造方法を提供するものである。さらに本発明は、
従来のようにリードカット工程やリードベンド工程をな
くし、容易に樹脂封止型半導体装置を得ることができ、
樹脂封止型半導体装置を低コストで製造できるものであ
る。
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレーム体
を用いて構成することを目的とするものである。そして
従来のリードフレームに着目した発想から転換し、ビー
ム状の「リード」に代え、外部電極となる「ランド」を
フレーム状で形成する点に主眼をおいたターミナルラン
ドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置および
その製造方法を提供するものである。さらに本発明は、
従来のようにリードカット工程やリードベンド工程をな
くし、容易に樹脂封止型半導体装置を得ることができ、
樹脂封止型半導体装置を低コストで製造できるものであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、金属板よ
りなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配
設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、か
つ前記フレーム本体よりも突出して形成された複数のラ
ンド構成体群とよりなり、前記ランド構成体群は前記フ
レーム本体から突出した方向への押圧力により、前記薄
厚部が破断されて前記ランド構成体群が前記フレーム本
体より分離される構成であるターミナルランドフレーム
を用いて形成された樹脂封止型半導体装置であって、前
記ランド構成体群の内、第１のランド構成体群上に搭載
された第１の半導体素子と、第２のランド構成体群上に
搭載された第２の半導体素子と、前記第１，第２の半導
体素子の周辺に配置され、前記第１，第２の半導体素子
と金属細線により電気的に接続された第３のランド構成
体群と、前記各ランド構成体群の底面を突出させて前記
第１，第２の半導体素子の外囲を一体封止した封止樹脂
とよりなる樹脂封止型半導体装置である。
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、金属板よ
りなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配
設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、か
つ前記フレーム本体よりも突出して形成された複数のラ
ンド構成体群とよりなり、前記ランド構成体群は前記フ
レーム本体から突出した方向への押圧力により、前記薄
厚部が破断されて前記ランド構成体群が前記フレーム本
体より分離される構成であるターミナルランドフレーム
を用いて形成された樹脂封止型半導体装置であって、前
記ランド構成体群の内、第１のランド構成体群上に搭載
された第１の半導体素子と、第２のランド構成体群上に
搭載された第２の半導体素子と、前記第１，第２の半導
体素子の周辺に配置され、前記第１，第２の半導体素子
と金属細線により電気的に接続された第３のランド構成
体群と、前記各ランド構成体群の底面を突出させて前記
第１，第２の半導体素子の外囲を一体封止した封止樹脂
とよりなる樹脂封止型半導体装置である。
【００１４】また、金属板よりなるフレーム本体と、前
記フレーム本体の領域内であって、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され第１の半導体素子が搭載される第１のダイ
パッド部と、前記フレーム本体の領域内であって、薄厚
部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム
本体よりも突出して形成され第２の半導体素子が搭載さ
れる第２のダイパッド部と、前記フレーム本体の領域内
であって前記第１，第２のダイパッド部の周囲に配設さ
れて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前
記フレーム本体よりも突出して形成された複数のランド
構成体と、前記ランド構成体および第１，第２のダイパ
ッド部は前記フレーム本体から突出した方向への押圧力
により、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体およ
び第１，第２のダイパッド部が前記フレーム本体より分
離される構成であるターミナルランドフレームを用いて
形成された樹脂封止型半導体装置であって、前記第１の
ダイパッド部上に搭載された第１の半導体素子と、前記
第２のダイパッド部上に搭載された第２の半導体素子
と、前記第１，第２の半導体素子の周辺に配置され、前
記第１，第２の半導体素子と金属細線により電気的に接
続されたランド構成体群と、前記ランド構成体群の底面
と第１，第２のダイパッド部の底面とを突出させて前記
第１，第２の半導体素子の外囲を一体封止した封止樹脂
とよりなる樹脂封止型半導体装置である。
記フレーム本体の領域内であって、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され第１の半導体素子が搭載される第１のダイ
パッド部と、前記フレーム本体の領域内であって、薄厚
部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム
本体よりも突出して形成され第２の半導体素子が搭載さ
れる第２のダイパッド部と、前記フレーム本体の領域内
であって前記第１，第２のダイパッド部の周囲に配設さ
れて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前
記フレーム本体よりも突出して形成された複数のランド
構成体と、前記ランド構成体および第１，第２のダイパ
ッド部は前記フレーム本体から突出した方向への押圧力
により、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体およ
び第１，第２のダイパッド部が前記フレーム本体より分
離される構成であるターミナルランドフレームを用いて
形成された樹脂封止型半導体装置であって、前記第１の
ダイパッド部上に搭載された第１の半導体素子と、前記
第２のダイパッド部上に搭載された第２の半導体素子
と、前記第１，第２の半導体素子の周辺に配置され、前
記第１，第２の半導体素子と金属細線により電気的に接
続されたランド構成体群と、前記ランド構成体群の底面
と第１，第２のダイパッド部の底面とを突出させて前記
第１，第２の半導体素子の外囲を一体封止した封止樹脂
とよりなる樹脂封止型半導体装置である。
【００１５】そして第１の半導体素子と第２の半導体素
子とは、機能が異なる種類の半導体素子である樹脂封止
型半導体装置である。
子とは、機能が異なる種類の半導体素子である樹脂封止
型半導体装置である。
【００１６】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム
本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム
本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形
成された複数のランド構成体群とよりなり、前記ランド
構成体群は前記フレーム本体から突出した方向への押圧
力により、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体群
が前記フレーム本体より分離される構成であるターミナ
ルランドフレームを用意する工程と、前記ターミナルラ
ンドフレームの前記ランド構成体群の一部のランド構成
体の突出した側に第１の半導体素子を搭載する工程と、
前記ターミナルランドフレームの前記ランド構成体群の
一部のランド構成体の突出した側に第２の半導体素子を
搭載する工程と、搭載した第１，第２の半導体素子と前
記第１，第２の半導体素子の周囲に配置したランド構成
体とを電気的に接続する工程と、少なくとも前記第１，
第２の半導体素子の外囲を封止樹脂により一体封止し、
樹脂封止型半導体装置を形成する工程と、前記ターミナ
ルランドフレームの前記フレーム本体を固定した状態で
前記フレーム本体の底面側から前記ランド構成体の底面
側に対して押圧力を印加し、ランド構成体群とフレーム
本体とを接続している薄厚部を破断させ、前記フレーム
本体から樹脂封止型半導体装置を分離する工程とを有す
る樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム
本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム
本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形
成された複数のランド構成体群とよりなり、前記ランド
構成体群は前記フレーム本体から突出した方向への押圧
力により、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体群
が前記フレーム本体より分離される構成であるターミナ
ルランドフレームを用意する工程と、前記ターミナルラ
ンドフレームの前記ランド構成体群の一部のランド構成
体の突出した側に第１の半導体素子を搭載する工程と、
前記ターミナルランドフレームの前記ランド構成体群の
一部のランド構成体の突出した側に第２の半導体素子を
搭載する工程と、搭載した第１，第２の半導体素子と前
記第１，第２の半導体素子の周囲に配置したランド構成
体とを電気的に接続する工程と、少なくとも前記第１，
第２の半導体素子の外囲を封止樹脂により一体封止し、
樹脂封止型半導体装置を形成する工程と、前記ターミナ
ルランドフレームの前記フレーム本体を固定した状態で
前記フレーム本体の底面側から前記ランド構成体の底面
側に対して押圧力を印加し、ランド構成体群とフレーム
本体とを接続している薄厚部を破断させ、前記フレーム
本体から樹脂封止型半導体装置を分離する工程とを有す
る樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００１７】また、金属板よりなるフレーム本体と、前
記フレーム本体の領域内であって、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され第１の半導体素子が搭載される第１のダイ
パッド部と、前記フレーム本体の領域内であって、薄厚
部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム
本体よりも突出して形成され第２の半導体素子が搭載さ
れる第２のダイパッド部と、前記フレーム本体の領域内
であって前記第１，第２のダイパッド部の周囲に配設さ
れて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前
記フレーム本体よりも突出して形成された複数のランド
構成体とよりなり、前記第１，第２のダイパッド部およ
び前記ランド構成体は、前記フレーム本体から突出した
方向への押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記ラ
ンド構成体が前記フレーム本体より分離される構成であ
るターミナルランドフレームを用意する工程と、前記タ
ーミナルランドフレームの前記第１のダイパッド部の突
出した側に第１の半導体素子を搭載する工程と、前記タ
ーミナルランドフレームの前記第２のダイパッド部の突
出した側に第２の半導体素子を搭載する工程と、搭載し
た第１，第２の半導体素子と前記第１，第２の半導体素
子の周囲に配置したランド構成体とを電気的に接続する
工程と、少なくとも前記第１，第２の半導体素子の外囲
を封止樹脂により一体封止し、樹脂封止型半導体装置を
形成する工程と、前記ターミナルランドフレームの前記
フレーム本体を固定した状態で前記フレーム本体の底面
側から前記ランド構成体の底面側に対して押圧力を印加
し、ランド構成体群とフレーム本体とを接続している薄
厚部を破断させ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導
体装置を分離する工程とを有する樹脂封止型半導体装置
の製造方法である。
記フレーム本体の領域内であって、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され第１の半導体素子が搭載される第１のダイ
パッド部と、前記フレーム本体の領域内であって、薄厚
部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム
本体よりも突出して形成され第２の半導体素子が搭載さ
れる第２のダイパッド部と、前記フレーム本体の領域内
であって前記第１，第２のダイパッド部の周囲に配設さ
れて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前
記フレーム本体よりも突出して形成された複数のランド
構成体とよりなり、前記第１，第２のダイパッド部およ
び前記ランド構成体は、前記フレーム本体から突出した
方向への押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記ラ
ンド構成体が前記フレーム本体より分離される構成であ
るターミナルランドフレームを用意する工程と、前記タ
ーミナルランドフレームの前記第１のダイパッド部の突
出した側に第１の半導体素子を搭載する工程と、前記タ
ーミナルランドフレームの前記第２のダイパッド部の突
出した側に第２の半導体素子を搭載する工程と、搭載し
た第１，第２の半導体素子と前記第１，第２の半導体素
子の周囲に配置したランド構成体とを電気的に接続する
工程と、少なくとも前記第１，第２の半導体素子の外囲
を封止樹脂により一体封止し、樹脂封止型半導体装置を
形成する工程と、前記ターミナルランドフレームの前記
フレーム本体を固定した状態で前記フレーム本体の底面
側から前記ランド構成体の底面側に対して押圧力を印加
し、ランド構成体群とフレーム本体とを接続している薄
厚部を破断させ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導
体装置を分離する工程とを有する樹脂封止型半導体装置
の製造方法である。
【００１８】そして第１の半導体素子と第２の半導体素
子とは、機能が異なる種類の半導体素子である樹脂封止
型半導体装置の製造方法である。
子とは、機能が異なる種類の半導体素子である樹脂封止
型半導体装置の製造方法である。
【００１９】前記構成の通り、本発明のターミナルラン
ドフレームは、樹脂封止型半導体装置を構成した際、そ
の外部電極となるランド構成体を設けたものであり、そ
のランド構成体は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力
により、ランド構成体とフレーム本体とを接続している
部分である薄厚部を破断させることにより、フレーム本
体から分離することができるので、リードカット工程や
リードベンド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。これは比較的、精度
が要求された従来のリードフレームにおけるリードカッ
ト工程、リードベンド工程に比べて、工程自体が、突き
上げ処理により樹脂封止型半導体装置をフレームから分
離する、という比較的単純な処理であり、不良、破壊、
変形等が発生することがなくなるため、容易に樹脂封止
型半導体装置を得ることができるものである。
ドフレームは、樹脂封止型半導体装置を構成した際、そ
の外部電極となるランド構成体を設けたものであり、そ
のランド構成体は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力
により、ランド構成体とフレーム本体とを接続している
部分である薄厚部を破断させることにより、フレーム本
体から分離することができるので、リードカット工程や
リードベンド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。これは比較的、精度
が要求された従来のリードフレームにおけるリードカッ
ト工程、リードベンド工程に比べて、工程自体が、突き
上げ処理により樹脂封止型半導体装置をフレームから分
離する、という比較的単純な処理であり、不良、破壊、
変形等が発生することがなくなるため、容易に樹脂封止
型半導体装置を得ることができるものである。
【００２０】そして本発明のターミナルランドフレーム
を用いることにより、本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法においては、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た後、ランド構成体、ダイパッド部分の下方からの突き
上げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型
半導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接続した
ランド電極を配列することができる。また、本発明のタ
ーミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置
を製造する際、樹脂封止時において、ランド底面部分へ
の樹脂バリの進入を防止でき、加えて、ランド電極の外
部電極としてのスタンドオフが確保できるものである。
を用いることにより、本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法においては、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た後、ランド構成体、ダイパッド部分の下方からの突き
上げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型
半導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接続した
ランド電極を配列することができる。また、本発明のタ
ーミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置
を製造する際、樹脂封止時において、ランド底面部分へ
の樹脂バリの進入を防止でき、加えて、ランド電極の外
部電極としてのスタンドオフが確保できるものである。
【００２１】そして、分離工程では、ターミナルランド
フレームの底面から配置されたランド構成体やダイパッ
ド部に対して、均一に押圧力を付加することにより、ラ
ンド構成体、ダイパッド部と封止樹脂との間に応力を与
えず、封止樹脂との食い込みを良くして密着性を高めた
状態を維持して信頼性よく、樹脂封止型半導体装置を分
離することができるものである。
フレームの底面から配置されたランド構成体やダイパッ
ド部に対して、均一に押圧力を付加することにより、ラ
ンド構成体、ダイパッド部と封止樹脂との間に応力を与
えず、封止樹脂との食い込みを良くして密着性を高めた
状態を維持して信頼性よく、樹脂封止型半導体装置を分
離することができるものである。
【００２２】また本発明のターミナルランドフレームを
用いることにより、第１の半導体素子と第２の半導体素
子とを封止樹脂により一体封止し、同一パッケージ内に
複数の半導体素子を有したマルチチップ型の半導体装置
を得ることができるものであり、従来のように半導体素
子の品種の違いによるリードフレームの設計上の規制を
低減し、複数の半導体素子を１つのパッケージ中に有し
たマルチチップ型の半導体装置を容易に実現することが
できるものである。
用いることにより、第１の半導体素子と第２の半導体素
子とを封止樹脂により一体封止し、同一パッケージ内に
複数の半導体素子を有したマルチチップ型の半導体装置
を得ることができるものであり、従来のように半導体素
子の品種の違いによるリードフレームの設計上の規制を
低減し、複数の半導体素子を１つのパッケージ中に有し
たマルチチップ型の半導体装置を容易に実現することが
できるものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明のターミナルランド
フレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。
フレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。
【００２４】図１は本実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナ
ルランドフレームを示す断面図であり、図１において、
Ａ−Ａ１箇所の断面を示している。図３は図２における
ランド構成体部分を拡大して示す断面図である。
ームを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナ
ルランドフレームを示す断面図であり、図１において、
Ａ−Ａ１箇所の断面を示している。図３は図２における
ランド構成体部分を拡大して示す断面図である。
【００２５】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体１２とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体１２がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体１２の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体１２とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体１２がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体１２の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。
【００２６】図３に示すように、ランド構成体１２の底
面部分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、薄厚部１１の破線部分で破断されるこ
とになり、フレーム本体１０からランド構成体１２が分
離するものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のラン
ド構成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜
き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分
程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフ
レーム本体１０から突出し、その突出した部分がランド
構成体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切
断されずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成す
るものである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、
ランド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した
方向への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断す
る厚みを有するものである。
面部分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、薄厚部１１の破線部分で破断されるこ
とになり、フレーム本体１０からランド構成体１２が分
離するものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のラン
ド構成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜
き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分
程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフ
レーム本体１０から突出し、その突出した部分がランド
構成体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切
断されずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成す
るものである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、
ランド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した
方向への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断す
る厚みを有するものである。
【００２７】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
ランド構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてランド構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。例えば本実施形態では、ター
ミナルランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本
体１０の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２
の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム
本体１０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としてい
る。なお、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限
定するものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の
厚型のフレームとしてもよい。また、ランド構成体１２
の突出量に関しても、実施形態では過半数以上のフレー
ム本体厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量とした
が、半数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が
破断される範囲で、突出量を設定できるものである。
成されたランド構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
ランド構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてランド構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。例えば本実施形態では、ター
ミナルランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本
体１０の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２
の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム
本体１０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としてい
る。なお、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限
定するものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の
厚型のフレームとしてもよい。また、ランド構成体１２
の突出量に関しても、実施形態では過半数以上のフレー
ム本体厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量とした
が、半数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が
破断される範囲で、突出量を設定できるものである。
【００２８】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、その表面がメッキ処理されたものであり、必要に
応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）
および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキさ
れているものである。メッキ処理については、ランド構
成体１２を成形した後に行ってもよく、または金属板へ
のランド構成体の成形前に行ってもよい。またターミナ
ルランドフレームの表面粗さについては、極めて平坦で
あって、０．１［μｍ］以下であり、封止樹脂との剥離
性に影響するものであり、ランド構成体１２以外の部分
には無用な凹凸がないようにする必要がある。
ムは、その表面がメッキ処理されたものであり、必要に
応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）
および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキさ
れているものである。メッキ処理については、ランド構
成体１２を成形した後に行ってもよく、または金属板へ
のランド構成体の成形前に行ってもよい。またターミナ
ルランドフレームの表面粗さについては、極めて平坦で
あって、０．１［μｍ］以下であり、封止樹脂との剥離
性に影響するものであり、ランド構成体１２以外の部分
には無用な凹凸がないようにする必要がある。
【００２９】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムにおいては、ランド構成体１２の突出した上面部分
は、コイニングと称されるプレス成形により、その突出
した上面形状が上面平坦なキノコ状を構成するものであ
る。このコイニングによる形状により、ターミナルラン
ドフレームに対して、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際、封止樹脂のランド構成体への食いつきを良好に
し、封止樹脂との密着性を向上させ、片面封止であって
も樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。ま
た形状は上面平坦なキノコ状に限定されるものではな
く、鍵状等の封止樹脂とのアンカー作用のある上面平坦
な形状であればよい。
ムにおいては、ランド構成体１２の突出した上面部分
は、コイニングと称されるプレス成形により、その突出
した上面形状が上面平坦なキノコ状を構成するものであ
る。このコイニングによる形状により、ターミナルラン
ドフレームに対して、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際、封止樹脂のランド構成体への食いつきを良好に
し、封止樹脂との密着性を向上させ、片面封止であって
も樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。ま
た形状は上面平坦なキノコ状に限定されるものではな
く、鍵状等の封止樹脂とのアンカー作用のある上面平坦
な形状であればよい。
【００３０】本実施形態のターミナルランドフレームで
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体１２の群の内、一部のランド構成体を
ダイパッド部として使用し、半導体素子の支持用のラン
ド構成体とすることができる。このことにより、品種の
違いにより、ターミナルランドフレーム上に搭載する半
導体素子の大きさに差があった場合でも、適宜、ランド
構成体１２の群の一部を支持用のランド構成体として使
用し、その他のランド構成体１２をその搭載した半導体
素子との電気的な接続用のランド構成体として使用する
ことにより、ターミナルランドフレームを共用すること
ができ、１枚のフレーム中で複数の大きさの異なる半導
体素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体１２の群の内、一部のランド構成体を
ダイパッド部として使用し、半導体素子の支持用のラン
ド構成体とすることができる。このことにより、品種の
違いにより、ターミナルランドフレーム上に搭載する半
導体素子の大きさに差があった場合でも、適宜、ランド
構成体１２の群の一部を支持用のランド構成体として使
用し、その他のランド構成体１２をその搭載した半導体
素子との電気的な接続用のランド構成体として使用する
ことにより、ターミナルランドフレームを共用すること
ができ、１枚のフレーム中で複数の大きさの異なる半導
体素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。
【００３１】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、ランド構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またランド構成体
１２の形状は円形としているが、角形や長方形でもよ
く、また大きさは、ターミナルランドフレーム内ですべ
て同一としてもよいし、樹脂封止型半導体装置を構成
し、ランド電極とした場合、基板実装の際の応力緩和の
ために、周辺部に位置するランド構成体１２を大きくす
るようにしてもよい。本実施形態では、ランド構成体１
２の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしている。
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、ランド構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またランド構成体
１２の形状は円形としているが、角形や長方形でもよ
く、また大きさは、ターミナルランドフレーム内ですべ
て同一としてもよいし、樹脂封止型半導体装置を構成
し、ランド電極とした場合、基板実装の際の応力緩和の
ために、周辺部に位置するランド構成体１２を大きくす
るようにしてもよい。本実施形態では、ランド構成体１
２の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしている。
【００３２】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部、ダイパッド部などを有さず、ランド電極と
してランド構成体１２を有し、そのランド構成体１２を
半導体素子が搭載される面内に格子状、千鳥状に配列す
ることにより、このターミナルランドフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を構成した場合、底面にランド電
極を備えた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。また従来のように電極となる構成が、ビーム状のリ
ード構成ではなく、ランド構成体１２であるため、それ
らを面状に配置することができ、ランド構成体１２の配
置の自由度が向上し、多ピン化に対応することができ
る。勿論、搭載する半導体素子のピン数により、ランド
構成体１２の配置は設定するものであり、従来のような
一連の配置でもよい。
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部、ダイパッド部などを有さず、ランド電極と
してランド構成体１２を有し、そのランド構成体１２を
半導体素子が搭載される面内に格子状、千鳥状に配列す
ることにより、このターミナルランドフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を構成した場合、底面にランド電
極を備えた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。また従来のように電極となる構成が、ビーム状のリ
ード構成ではなく、ランド構成体１２であるため、それ
らを面状に配置することができ、ランド構成体１２の配
置の自由度が向上し、多ピン化に対応することができ
る。勿論、搭載する半導体素子のピン数により、ランド
構成体１２の配置は設定するものであり、従来のような
一連の配置でもよい。
【００３３】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。
ムの製造方法について説明する。
【００３４】図４および図５は、ターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図であり、ランド構成体部分
を示す断面図である。
ームの製造方法を示す断面図であり、ランド構成体部分
を示す断面図である。
【００３５】まず図４に示すように、ターミナルランド
フレームのフレーム本体となる金属板１３を打ち抜き金
型のダイ部１４に載置し、金属板１３の上方から押え金
型１５により押さえる。ここで図４において、ダイ部１
４には、打ち抜き用の開口部１６が設けられている。ま
た、金属板１３に対して上方には、パンチ部材１７が設
けられており、パンチ部材１７により金属板１３が押圧
され打ち抜き加工された際、金属板１３の押圧された箇
所が開口部１６に打ち抜かれる構造を有している。
フレームのフレーム本体となる金属板１３を打ち抜き金
型のダイ部１４に載置し、金属板１３の上方から押え金
型１５により押さえる。ここで図４において、ダイ部１
４には、打ち抜き用の開口部１６が設けられている。ま
た、金属板１３に対して上方には、パンチ部材１７が設
けられており、パンチ部材１７により金属板１３が押圧
され打ち抜き加工された際、金属板１３の押圧された箇
所が開口部１６に打ち抜かれる構造を有している。
【００３６】次に図５に示すように、ダイ部１４上の所
定の位置に固定した金属板１３に対して、その上方から
パンチ部材１７により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１３の一部をダイ部１４側の開口部１６側に突出
するように押圧して、金属板１３の所定箇所を半切断状
態にし、ランド構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１３と接続されて残存し、かつ金属板１
３の本体部よりも突出して形成されたランド構成体１２
を形成するものである。
定の位置に固定した金属板１３に対して、その上方から
パンチ部材１７により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１３の一部をダイ部１４側の開口部１６側に突出
するように押圧して、金属板１３の所定箇所を半切断状
態にし、ランド構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１３と接続されて残存し、かつ金属板１
３の本体部よりも突出して形成されたランド構成体１２
を形成するものである。
【００３７】本実施形態では、パンチ部材１７により金
属板１３の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１７の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１３の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１３の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１３のランド構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１７の接触面積は
ダイ部１４に設けた開口部１６の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１７により、金属板１３の一部を押
圧して金属板１３から突出したランド構成体１２を形成
する工程においては、金属板１３から突出したランド構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１３側に接
続したランド構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、ランド構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているランド構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたラ
ンド構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちランド構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。
属板１３の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１７の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１３の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１３の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１３のランド構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１７の接触面積は
ダイ部１４に設けた開口部１６の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１７により、金属板１３の一部を押
圧して金属板１３から突出したランド構成体１２を形成
する工程においては、金属板１３から突出したランド構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１３側に接
続したランド構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、ランド構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているランド構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたラ
ンド構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちランド構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。
【００３８】また、ランド構成体１２の突出した上面部
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、ターミナルランドフレームに対して、半導体
素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のランド構成
体への食いつきを良好にし、アンカー効果を得て、封止
樹脂との密着性をさらに向上させ、片面封止であっても
樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、ターミナルランドフレームに対して、半導体
素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のランド構成
体への食いつきを良好にし、アンカー効果を得て、封止
樹脂との密着性をさらに向上させ、片面封止であっても
樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。
【００３９】本実施形態において、金属板１３に対して
ランド構成体１２を形成する際、金属板１３の一部を突
出させるその突出量については、金属板１３自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１３の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したランド構成体１２を形成している。し
たがって、突出して形成されたランド構成体１２は、金
属板１３の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、ランド構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、ランド構成体１２の突出量に関し
ても、実施形態では過半数以上の突出量としたが、半数
以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断され
る範囲で、突出量を設定できるものである。
ランド構成体１２を形成する際、金属板１３の一部を突
出させるその突出量については、金属板１３自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１３の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したランド構成体１２を形成している。し
たがって、突出して形成されたランド構成体１２は、金
属板１３の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、ランド構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、ランド構成体１２の突出量に関し
ても、実施形態では過半数以上の突出量としたが、半数
以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断され
る範囲で、突出量を設定できるものである。
【００４０】ここで本実施形態のランド構成体１２を形
成する際の半切断について説明する。図６は金属板１３
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のランド構成
体１２と金属板１３、および薄厚部１１の部分の構造図
である。
成する際の半切断について説明する。図６は金属板１３
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のランド構成
体１２と金属板１３、および薄厚部１１の部分の構造図
である。
【００４１】図６に示すように、金属板１３に対してラ
ンド構成体１２を形成した際、金属板１３のランド構成
体１２部分は、図４，図５に示したパンチ部材１７によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１８と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部１９と、ランド構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にランド構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２０を有している。ランド構成体１２の形成として
は、パンチ部材１７により打ち抜き加工した際、抜きダ
レ部１８、せん断部１９、破断部２０の順に形成されて
いくものである。破断部２０となる部分は薄厚部１１で
あり、図面上はモデル的に示している関係上、相当の厚
みを有しているように示されているが、実質的には極め
て薄い状態である。また金属板１３の打ち抜き加工にお
いては、理想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パン
チ部材１７が金属板１３を打ち抜き、金属板１３の厚み
の１／２を打ち抜いた時点でパンチ部材１７を停止さ
せ、打ち抜きを完了させるものであるが、その条件は適
宜、設定するものである。
ンド構成体１２を形成した際、金属板１３のランド構成
体１２部分は、図４，図５に示したパンチ部材１７によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１８と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部１９と、ランド構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にランド構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２０を有している。ランド構成体１２の形成として
は、パンチ部材１７により打ち抜き加工した際、抜きダ
レ部１８、せん断部１９、破断部２０の順に形成されて
いくものである。破断部２０となる部分は薄厚部１１で
あり、図面上はモデル的に示している関係上、相当の厚
みを有しているように示されているが、実質的には極め
て薄い状態である。また金属板１３の打ち抜き加工にお
いては、理想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パン
チ部材１７が金属板１３を打ち抜き、金属板１３の厚み
の１／２を打ち抜いた時点でパンチ部材１７を停止さ
せ、打ち抜きを完了させるものであるが、その条件は適
宜、設定するものである。
【００４２】また打ち抜き加工において、クリアランス
の値を変更することにより、せん断部１９と破断部２０
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部１９を破断部２０よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
１９を破断部２０よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２０の長さを
短く抑えることで、金属板１３の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１３の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１７の大きさとダイ部１４
の開口部１６の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。
の値を変更することにより、せん断部１９と破断部２０
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部１９を破断部２０よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
１９を破断部２０よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２０の長さを
短く抑えることで、金属板１３の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１３の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１７の大きさとダイ部１４
の開口部１６の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。
【００４３】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図７，図８
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図７は断面図であり、図８は底面図である。なお、図７
の断面図は図８の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を示す図であり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す平面図については、いわゆる矩形状を示すのみ
であり省略する。
形態について図面を参照しながら説明する。図７，図８
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図７は断面図であり、図８は底面図である。なお、図７
の断面図は図８の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を示す図であり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す平面図については、いわゆる矩形状を示すのみ
であり省略する。
【００４４】図７，図８に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、前述したようなターミナルラン
ドフレームに対して半導体素子を搭載した半導体装置で
あり、ランド構成体２１の内、第１のランド構成体２１
ａ，２１ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤２２、また
は絶縁性ペーストにより搭載、接合された半導体素子２
３と、その半導体素子２３の周辺に配置され、半導体素
子２３と金属細線２４により電気的に接続された第２の
ランド構成体２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆと、各ラ
ンド構成体２１の底面を突出させて半導体素子２３の外
囲を封止した封止樹脂２５とよりなる樹脂封止型半導体
装置である。そして本実施形態において、ランド構成体
２１の封止樹脂２５からの突出量は、使用したターミナ
ルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体２１が
そのフレーム本体から突出した量を差し引いた量であ
り、基板実装時のスタンドオフを有しているものであ
る。
脂封止型半導体装置は、前述したようなターミナルラン
ドフレームに対して半導体素子を搭載した半導体装置で
あり、ランド構成体２１の内、第１のランド構成体２１
ａ，２１ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤２２、また
は絶縁性ペーストにより搭載、接合された半導体素子２
３と、その半導体素子２３の周辺に配置され、半導体素
子２３と金属細線２４により電気的に接続された第２の
ランド構成体２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆと、各ラ
ンド構成体２１の底面を突出させて半導体素子２３の外
囲を封止した封止樹脂２５とよりなる樹脂封止型半導体
装置である。そして本実施形態において、ランド構成体
２１の封止樹脂２５からの突出量は、使用したターミナ
ルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体２１が
そのフレーム本体から突出した量を差し引いた量であ
り、基板実装時のスタンドオフを有しているものであ
る。
【００４５】本実施形態では、ランド構成体２１の一部
を半導体素子２３を支持するダイパッド部として使用し
た構造であり、他のランド構成体２１は電極として使用
し、底面配列においては、ランド・グリッド・アレイを
構成しているものである。そして、搭載する半導体素子
の大きさ、ピン数に応じて、半導体素子の支持用のラン
ド構成体２１を適宜、設定することができる。また、従
来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置とは
異なり、ランド構成体２１の面積は、１００［μｍ］以
上のワイヤーボンドができる大きさであればよく、また
高さも１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］程度であるた
め、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。
を半導体素子２３を支持するダイパッド部として使用し
た構造であり、他のランド構成体２１は電極として使用
し、底面配列においては、ランド・グリッド・アレイを
構成しているものである。そして、搭載する半導体素子
の大きさ、ピン数に応じて、半導体素子の支持用のラン
ド構成体２１を適宜、設定することができる。また、従
来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置とは
異なり、ランド構成体２１の面積は、１００［μｍ］以
上のワイヤーボンドができる大きさであればよく、また
高さも１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］程度であるた
め、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。
【００４６】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２５に封止された側のランド構成体２１の
上面の面積が、封止樹脂２５から露出、突出した側のラ
ンド構成体２１の底面の面積よりも大きく、封止された
側のランド構成体２１の上面のエッジ部は曲面を有して
おり、ランド構成体２１は略逆台形状の断面形状を有し
ているものである。この構造により、封止樹脂２５とラ
ンド構成体２１との食いつきを良好にし、密着性を向上
させることができ、基板実装の際の接続の信頼性を得る
ことができるものである。なお、用いるターミナルラン
ドフレーム自体の板厚を厚く設定することで、ランド構
成体２１と封止樹脂２５との食いつきエリアを拡大さ
せ、アンカー効果が増大するため、一層の信頼性向上が
図れる。
は、封止樹脂２５に封止された側のランド構成体２１の
上面の面積が、封止樹脂２５から露出、突出した側のラ
ンド構成体２１の底面の面積よりも大きく、封止された
側のランド構成体２１の上面のエッジ部は曲面を有して
おり、ランド構成体２１は略逆台形状の断面形状を有し
ているものである。この構造により、封止樹脂２５とラ
ンド構成体２１との食いつきを良好にし、密着性を向上
させることができ、基板実装の際の接続の信頼性を得る
ことができるものである。なお、用いるターミナルラン
ドフレーム自体の板厚を厚く設定することで、ランド構
成体２１と封止樹脂２５との食いつきエリアを拡大さ
せ、アンカー効果が増大するため、一層の信頼性向上が
図れる。
【００４７】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
【００４８】まず図９（ａ）に示すように、フレーム本
体２６と、そのフレーム本体２６の領域内に配設され
て、薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続し、かつ
フレーム本体２６よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体２８とよりなり、ランド構成体２８はフレーム
本体２６からそれが突出した方向への押圧力により、薄
厚部２７が破断されてランド構成体２８がフレーム本体
２６より分離される構成を有するターミナルランドフレ
ームを用意する。
体２６と、そのフレーム本体２６の領域内に配設され
て、薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続し、かつ
フレーム本体２６よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体２８とよりなり、ランド構成体２８はフレーム
本体２６からそれが突出した方向への押圧力により、薄
厚部２７が破断されてランド構成体２８がフレーム本体
２６より分離される構成を有するターミナルランドフレ
ームを用意する。
【００４９】次に図９（ｂ）に示すように、ターミナル
ランドフレームのランド構成体２８が突出した面側であ
って、ランド構成体２８の内、所定の第１のランド構成
体２８ａ，２８ｂ上に導電性接着剤２９、または絶縁性
ペーストにより半導体素子３０を載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着剤２９の塗布、半導体素子３０の載置、加熱処
理により半導体素子３０を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体２８が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
２８の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体２８の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子３０を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体２８は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。
ランドフレームのランド構成体２８が突出した面側であ
って、ランド構成体２８の内、所定の第１のランド構成
体２８ａ，２８ｂ上に導電性接着剤２９、または絶縁性
ペーストにより半導体素子３０を載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着剤２９の塗布、半導体素子３０の載置、加熱処
理により半導体素子３０を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体２８が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
２８の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体２８の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子３０を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体２８は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。
【００５０】次に図９（ｃ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド構
成体２８の内、外部ランド電極となる第２のランド構成
体２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ，２８ｆとを金属細線３１に
より電気的に接続する。したがって、ランド構成体２８
は上面の金属細線３１が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体２８は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線３１をランド構成体２８の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
２８は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド構
成体２８の内、外部ランド電極となる第２のランド構成
体２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ，２８ｆとを金属細線３１に
より電気的に接続する。したがって、ランド構成体２８
は上面の金属細線３１が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体２８は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線３１をランド構成体２８の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
２８は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。
【００５１】次に図９（ｄ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０、および電
気的接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３２
により封止する。通常は上下封止金型を用いたトランス
ファーモールドにより片面封止を行う。ここではターミ
ナルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面の
みが封止樹脂３２により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各ランド構成体２８は突出
して設けられているため、封止樹脂３２がその段差構造
に対して、食いつくため片面封止構造であっても、ター
ミナルランドフレームと封止樹脂３２との密着性を得る
ことができる。
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０、および電
気的接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３２
により封止する。通常は上下封止金型を用いたトランス
ファーモールドにより片面封止を行う。ここではターミ
ナルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面の
みが封止樹脂３２により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各ランド構成体２８は突出
して設けられているため、封止樹脂３２がその段差構造
に対して、食いつくため片面封止構造であっても、ター
ミナルランドフレームと封止樹脂３２との密着性を得る
ことができる。
【００５２】次に図９（ｅ）に示すように、ターミナル
ランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した領
域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体２８の底面に対して、押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体２８とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体２６とが分離するも
のである。ランド構成体２８とフレーム本体２６とを接
続している極薄の薄厚部２７が突き上げによる押圧力で
破断されることにより分離されるものである。また、突
き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導体素子
３０の下方に位置するランド構成体２８のみを突き上げ
てもよく、または周辺部のランド構成体２８を突き上げ
てもよく、またはすべてのランド構成体２８を突き上げ
てもよい。ただし、部分的な突き上げによりランド構成
体２８が封止樹脂３２から剥離しない範囲で突き上げを
行う。また突き上げ以外の手段により、ランド構成体２
８が分離できるものであればよく、例えばフレーム本体
２６に対してひねりを加えても分離させることができる
が、信頼性を考慮して行う。
ランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した領
域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体２８の底面に対して、押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体２８とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体２６とが分離するも
のである。ランド構成体２８とフレーム本体２６とを接
続している極薄の薄厚部２７が突き上げによる押圧力で
破断されることにより分離されるものである。また、突
き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導体素子
３０の下方に位置するランド構成体２８のみを突き上げ
てもよく、または周辺部のランド構成体２８を突き上げ
てもよく、またはすべてのランド構成体２８を突き上げ
てもよい。ただし、部分的な突き上げによりランド構成
体２８が封止樹脂３２から剥離しない範囲で突き上げを
行う。また突き上げ以外の手段により、ランド構成体２
８が分離できるものであればよく、例えばフレーム本体
２６に対してひねりを加えても分離させることができる
が、信頼性を考慮して行う。
【００５３】図９（ｆ）に示すように、ランド構成体２
８とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部２７が
突き上げによる押圧力で破断されることにより分離され
て、樹脂封止型半導体装置３３を得ることができる。な
お、ここで封止樹脂３２とフレーム本体との剥離は、フ
レーム本体のランド構成体２８を形成した部分以外の領
域と封止樹脂との密着性が弱く、ランド構成体２８が分
離されることにより、樹脂封止型半導体装置を取り出す
ことができるものである。ランド構成体２８部分はその
凹凸形状が封止樹脂３２に食い込むため、剥離せずに封
止樹脂３２内に形成されるものである。図示するよう
に、樹脂封止型半導体装置３３は、ランド構成体２８が
その底面に配列され、またランド構成体２８が封止樹脂
３２の底面よりも突出して設けられ、基板実装時のスタ
ンドオフが形成されているものである。ここで樹脂封止
型半導体装置３３のランド構成体２８の突出量は、フレ
ーム本体の厚み量からランド構成体２８が突出した量を
差し引いた量となり、ランド構成体２８の外部ランド電
極としてのスタンドオフが形成されるものである。本実
施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレーム本体に対
して、ランド構成体２８を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
突出させているため、スタンドオフ高さの量は、２０
［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚みの１０
［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタンドオ
フを有したランド電極を得ることができる。
８とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部２７が
突き上げによる押圧力で破断されることにより分離され
て、樹脂封止型半導体装置３３を得ることができる。な
お、ここで封止樹脂３２とフレーム本体との剥離は、フ
レーム本体のランド構成体２８を形成した部分以外の領
域と封止樹脂との密着性が弱く、ランド構成体２８が分
離されることにより、樹脂封止型半導体装置を取り出す
ことができるものである。ランド構成体２８部分はその
凹凸形状が封止樹脂３２に食い込むため、剥離せずに封
止樹脂３２内に形成されるものである。図示するよう
に、樹脂封止型半導体装置３３は、ランド構成体２８が
その底面に配列され、またランド構成体２８が封止樹脂
３２の底面よりも突出して設けられ、基板実装時のスタ
ンドオフが形成されているものである。ここで樹脂封止
型半導体装置３３のランド構成体２８の突出量は、フレ
ーム本体の厚み量からランド構成体２８が突出した量を
差し引いた量となり、ランド構成体２８の外部ランド電
極としてのスタンドオフが形成されるものである。本実
施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレーム本体に対
して、ランド構成体２８を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
突出させているため、スタンドオフ高さの量は、２０
［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚みの１０
［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタンドオ
フを有したランド電極を得ることができる。
【００５４】なお、フレーム本体から樹脂封止型半導体
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体２８部分に対する突き上げ法の他、フレーム本体自
体を引き剥がすことにより、分離できるものであるが、
製品の信頼性を考慮して分離方法を採用するものであ
る。
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体２８部分に対する突き上げ法の他、フレーム本体自
体を引き剥がすことにより、分離できるものであるが、
製品の信頼性を考慮して分離方法を採用するものであ
る。
【００５５】次に本発明のターミナルランドフレームの
別の実施形態について図面を参照しながら説明する。
別の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００５６】図１０は本実施形態のターミナルランドフ
レームを示す平面図である。図１１は本実施形態のター
ミナルランドフレームを示す断面図であり、図１０にお
いて、Ｃ−Ｃ１箇所の断面を示している。また基本概念
は前記した実施形態のターミナルランドフレームと同様
である。
レームを示す平面図である。図１１は本実施形態のター
ミナルランドフレームを示す断面図であり、図１０にお
いて、Ｃ−Ｃ１箇所の断面を示している。また基本概念
は前記した実施形態のターミナルランドフレームと同様
である。
【００５７】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設さ
れて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、か
つフレーム本体１０よりも突出して形成された複数のラ
ンド構成体１２と、ダイパッド部３４よりなるものであ
る。すなわち、フレーム本体１０、ランド構成体１２、
ダイパッド部３４および薄厚部１１は同一の金属板より
一体で形成されているものである。そしてランド構成体
１２はフレーム本体１０から突出した方向への押圧力に
より、薄厚部１１が破断されてランド構成体１２がフレ
ーム本体１０より分離される構成を有するものである。
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設さ
れて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、か
つフレーム本体１０よりも突出して形成された複数のラ
ンド構成体１２と、ダイパッド部３４よりなるものであ
る。すなわち、フレーム本体１０、ランド構成体１２、
ダイパッド部３４および薄厚部１１は同一の金属板より
一体で形成されているものである。そしてランド構成体
１２はフレーム本体１０から突出した方向への押圧力に
より、薄厚部１１が破断されてランド構成体１２がフレ
ーム本体１０より分離される構成を有するものである。
【００５８】ここで本実施形態のターミナルランドフレ
ームは、前述した図１，図２および図３に示したターミ
ナルランドフレームと同様な構成を有するものの、半導
体素子を搭載するダイパッド部３４を設けたものであ
る。
ームは、前述した図１，図２および図３に示したターミ
ナルランドフレームと同様な構成を有するものの、半導
体素子を搭載するダイパッド部３４を設けたものであ
る。
【００５９】したがって、ランド構成体１２およびダイ
パッド部３４の底面部分１２ａ，３４ａに対して、突出
した方向への押圧力を印加することにより、薄厚部１１
の破線部分で破断されることになり、フレーム本体１０
からランド構成体１２とダイパッド部３４とが分離する
ものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体１０自
体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形成され
る「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のランド構成
体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜き加工
し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分程度の
打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフレーム
本体１０から突出し、その突出した部分がランド構成体
１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切断され
ずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成するもの
である。
パッド部３４の底面部分１２ａ，３４ａに対して、突出
した方向への押圧力を印加することにより、薄厚部１１
の破線部分で破断されることになり、フレーム本体１０
からランド構成体１２とダイパッド部３４とが分離する
ものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体１０自
体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形成され
る「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のランド構成
体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜き加工
し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分程度の
打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフレーム
本体１０から突出し、その突出した部分がランド構成体
１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切断され
ずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成するもの
である。
【００６０】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２、ダイパッド部３４は、その
突出量はフレーム本体１０自体の厚みの過半数以上の突
出量を有しており、例えば本実施形態では、ターミナル
ランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本体１０
の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２、ダイ
パッド部３４の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
としている。
成されたランド構成体１２、ダイパッド部３４は、その
突出量はフレーム本体１０自体の厚みの過半数以上の突
出量を有しており、例えば本実施形態では、ターミナル
ランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本体１０
の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２、ダイ
パッド部３４の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
としている。
【００６１】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、必要に応じてメッキ処理されたものであり、ニッ
ケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金（Ａｕ）な
どの金属が積層されて適宜メッキされているものであ
る。
ムは、必要に応じてメッキ処理されたものであり、ニッ
ケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金（Ａｕ）な
どの金属が積層されて適宜メッキされているものであ
る。
【００６２】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１０に示すように、ランド構成
体１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・
上下に連続して形成できるものであり、従来のように個
々の分離は必要なく、またタイバーを設ける必要もな
い。またランド構成体１２の形状は円形としているが、
角形や長方形でもよく、また大きさは、ターミナルラン
ドフレーム内ですべて同一としてもよいし、樹脂封止型
半導体装置を構成し、ランド電極とした場合、基板実装
の際の応力緩和のために、周辺部に位置するランド構成
体１２を大きくするようにしてもよい。本実施形態で
は、ランド構成体１２の上面の大きさは、半導体素子を
搭載し、電気的接続手段として、金線等の金属細線によ
り接続する際、ボンディング可能な大きさであればよ
く、１００［μｍ］φ以上の大きさとしている。
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１０に示すように、ランド構成
体１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・
上下に連続して形成できるものであり、従来のように個
々の分離は必要なく、またタイバーを設ける必要もな
い。またランド構成体１２の形状は円形としているが、
角形や長方形でもよく、また大きさは、ターミナルラン
ドフレーム内ですべて同一としてもよいし、樹脂封止型
半導体装置を構成し、ランド電極とした場合、基板実装
の際の応力緩和のために、周辺部に位置するランド構成
体１２を大きくするようにしてもよい。本実施形態で
は、ランド構成体１２の上面の大きさは、半導体素子を
搭載し、電気的接続手段として、金線等の金属細線によ
り接続する際、ボンディング可能な大きさであればよ
く、１００［μｍ］φ以上の大きさとしている。
【００６３】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部を有さず、ランド電極としてランド構成体１
２を有し、そのランド構成体１２を半導体素子が搭載さ
れる面内に格子状、千鳥状に配列することにより、この
ターミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装
置を構成した場合、底面にランド電極を面配置で備えた
樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また従
来のように電極となる構成が、ビーム状のリード構成で
はなく、ランド構成体１２であるため、それらを面状に
配置することができ、ランド構成体１２の配置の自由度
が向上し、多ピン化に対応することができる。
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部を有さず、ランド電極としてランド構成体１
２を有し、そのランド構成体１２を半導体素子が搭載さ
れる面内に格子状、千鳥状に配列することにより、この
ターミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装
置を構成した場合、底面にランド電極を面配置で備えた
樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また従
来のように電極となる構成が、ビーム状のリード構成で
はなく、ランド構成体１２であるため、それらを面状に
配置することができ、ランド構成体１２の配置の自由度
が向上し、多ピン化に対応することができる。
【００６４】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。製造方法についても前
述したターミナルランドフレームの製造方法と同様であ
り、基本概念は前記した実施形態のターミナルランドフ
レームの製造方法と同様であるが、ランド構成体を形成
すると同時にダイパッド部も形成するものである。
ムの製造方法について説明する。製造方法についても前
述したターミナルランドフレームの製造方法と同様であ
り、基本概念は前記した実施形態のターミナルランドフ
レームの製造方法と同様であるが、ランド構成体を形成
すると同時にダイパッド部も形成するものである。
【００６５】すなわち、打ち抜き金型のダイ部上の所定
の位置に固定した金属板に対して、その上方からパンチ
部材により押圧による打ち抜き加工を行い、金属板の一
部をダイ部側の開口部側に突出するように押圧して、金
属板の所定箇所を半切断状態にし、ランド構成体および
ダイパッド部を形成する。ここで薄厚部により金属板と
接続されて残存し、かつ金属板の本体部よりも突出して
形成されたランド構成体とダイパッド部とを形成するも
のである。また、金属板のランド構成体およびダイパッ
ド部を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面積は
ダイ部に設けた開口部の各開口面積よりも小さく、その
パンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板から
突出したランド構成体とダイパッド部とを形成する工程
においては、金属板から突出したランド構成体、ダイパ
ッド部の各上面部分の面積が、金属板側に接続したラン
ド構成体、ダイパッド部の各底面部分の面積よりも大き
く、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は抜き
ダレによる曲面を有しているランド構成体、ダイパッド
部を形成するものである。この構造により、形成された
ランド構成体、ダイパッド部は、それらが突出した方向
に対しての押圧力、すなわちランド構成体、ダイパッド
部の各底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであり、またそれが突出した方向、すなわちラン
ド構成体、ダイパッド部の各上面部分からの押圧力によ
っては分離しないものであり、一方向からの押圧力にの
み分離する構造となる。
の位置に固定した金属板に対して、その上方からパンチ
部材により押圧による打ち抜き加工を行い、金属板の一
部をダイ部側の開口部側に突出するように押圧して、金
属板の所定箇所を半切断状態にし、ランド構成体および
ダイパッド部を形成する。ここで薄厚部により金属板と
接続されて残存し、かつ金属板の本体部よりも突出して
形成されたランド構成体とダイパッド部とを形成するも
のである。また、金属板のランド構成体およびダイパッ
ド部を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面積は
ダイ部に設けた開口部の各開口面積よりも小さく、その
パンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板から
突出したランド構成体とダイパッド部とを形成する工程
においては、金属板から突出したランド構成体、ダイパ
ッド部の各上面部分の面積が、金属板側に接続したラン
ド構成体、ダイパッド部の各底面部分の面積よりも大き
く、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は抜き
ダレによる曲面を有しているランド構成体、ダイパッド
部を形成するものである。この構造により、形成された
ランド構成体、ダイパッド部は、それらが突出した方向
に対しての押圧力、すなわちランド構成体、ダイパッド
部の各底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであり、またそれが突出した方向、すなわちラン
ド構成体、ダイパッド部の各上面部分からの押圧力によ
っては分離しないものであり、一方向からの押圧力にの
み分離する構造となる。
【００６６】本実施形態において、金属板に対してラン
ド構成体、ダイパッド部を形成する際、突出させるその
突出量については、金属板自体の厚みの過半数以上と
し、本実施形態では、２００［μｍ］の金属板の厚みに
対して、１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（金属板自体
の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出したランド構成
体、ダイパッド部を形成している。したがって、突出し
て形成されたランド構成体、ダイパッド部は、金属板の
本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部により接続され
ていることになる。本実施形態では、薄厚部の厚みとし
ては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（金属板自体の厚み
の１０［％］〜３０［％］）であり、ランド構成体、ダ
イパッド部が突出した方向に対しての押圧力により、容
易に分離されるものである。
ド構成体、ダイパッド部を形成する際、突出させるその
突出量については、金属板自体の厚みの過半数以上と
し、本実施形態では、２００［μｍ］の金属板の厚みに
対して、１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（金属板自体
の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出したランド構成
体、ダイパッド部を形成している。したがって、突出し
て形成されたランド構成体、ダイパッド部は、金属板の
本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部により接続され
ていることになる。本実施形態では、薄厚部の厚みとし
ては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（金属板自体の厚み
の１０［％］〜３０［％］）であり、ランド構成体、ダ
イパッド部が突出した方向に対しての押圧力により、容
易に分離されるものである。
【００６７】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。図１２，図１３は本実施形態の樹脂封
止型半導体装置を示す図であり、図１２は断面図であ
り、図１３は底面図である。なお、図１２の断面図は図
１３の底面図において、Ｄ−Ｄ１箇所の断面を示す図で
あり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す平
面図については、いわゆる矩形状を示すのみであり省略
する。また基本概念は前記した実施形態のターミナルラ
ンドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の構造と同
様である。
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。図１２，図１３は本実施形態の樹脂封
止型半導体装置を示す図であり、図１２は断面図であ
り、図１３は底面図である。なお、図１２の断面図は図
１３の底面図において、Ｄ−Ｄ１箇所の断面を示す図で
あり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す平
面図については、いわゆる矩形状を示すのみであり省略
する。また基本概念は前記した実施形態のターミナルラ
ンドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の構造と同
様である。
【００６８】図１２，図１３に示すように、本実施形態
の樹脂封止型半導体装置は、前述したような図１０，図
１１に示したターミナルランドフレームを用いて、半導
体素子を搭載した半導体装置であり、ダイパッド部３５
上に銀ペースト等の導電性接着剤２２により搭載、接合
された半導体素子２３と、その半導体素子２３の周辺に
配置され、半導体素子２３と金属細線２４により電気的
に接続されたランド構成体２１と、各ランド構成体２１
の底面を突出させて半導体素子２３の外囲を封止した封
止樹脂２５とよりなる樹脂封止型半導体装置である。そ
して本実施形態において、ランド構成体２１、ダイパッ
ド部３５の封止樹脂２５からの突出量は、使用したター
ミナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体２
１、ダイパッド部がそのフレーム本体から突出した量を
差し引いた量であり、基板実装時のスタンドオフを有し
ているものである。
の樹脂封止型半導体装置は、前述したような図１０，図
１１に示したターミナルランドフレームを用いて、半導
体素子を搭載した半導体装置であり、ダイパッド部３５
上に銀ペースト等の導電性接着剤２２により搭載、接合
された半導体素子２３と、その半導体素子２３の周辺に
配置され、半導体素子２３と金属細線２４により電気的
に接続されたランド構成体２１と、各ランド構成体２１
の底面を突出させて半導体素子２３の外囲を封止した封
止樹脂２５とよりなる樹脂封止型半導体装置である。そ
して本実施形態において、ランド構成体２１、ダイパッ
ド部３５の封止樹脂２５からの突出量は、使用したター
ミナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体２
１、ダイパッド部がそのフレーム本体から突出した量を
差し引いた量であり、基板実装時のスタンドオフを有し
ているものである。
【００６９】本実施形態では、ダイパッド部３５により
半導体素子２３を支持する構造であるが、ランド構成体
２１は電極として使用し、底面配列においては、ランド
・グリッド・アレイを構成しているものである。
半導体素子２３を支持する構造であるが、ランド構成体
２１は電極として使用し、底面配列においては、ランド
・グリッド・アレイを構成しているものである。
【００７０】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２５に封止された側のランド構成体２１、
ダイパッド部３５の上面の面積が、封止樹脂２５から露
出、突出した側のランド構成体２１、ダイパッド部３５
の底面の面積よりも大きく、封止された側のランド構成
体２１、ダイパッド部３５の上面のエッジ部は曲面を有
しており、略逆台形状の断面形状を有しているものであ
る。この構造により、封止樹脂２５とランド構成体２
１、ダイパッド部３５との食いつきを良好にし、密着性
を向上させることができ、基板実装の際の接続の信頼性
を得ることができるものである。またこの構造により、
底面側で基板実装することができ、従来のようなビーム
状のリードによる基板実装に比べて、実装の信頼性を向
上させることができ、ＢＧＡ型半導体装置と同等以上の
信頼性を有するものである。
は、封止樹脂２５に封止された側のランド構成体２１、
ダイパッド部３５の上面の面積が、封止樹脂２５から露
出、突出した側のランド構成体２１、ダイパッド部３５
の底面の面積よりも大きく、封止された側のランド構成
体２１、ダイパッド部３５の上面のエッジ部は曲面を有
しており、略逆台形状の断面形状を有しているものであ
る。この構造により、封止樹脂２５とランド構成体２
１、ダイパッド部３５との食いつきを良好にし、密着性
を向上させることができ、基板実装の際の接続の信頼性
を得ることができるものである。またこの構造により、
底面側で基板実装することができ、従来のようなビーム
状のリードによる基板実装に比べて、実装の信頼性を向
上させることができ、ＢＧＡ型半導体装置と同等以上の
信頼性を有するものである。
【００７１】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
本実施形態においても、基本概念は前記した実施形態の
ターミナルランドフレームを用いた樹脂封止型半導体装
置の製造方法と同様である。図１４（ａ）〜（ｆ）は本
実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程
ごとの断面図である。
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
本実施形態においても、基本概念は前記した実施形態の
ターミナルランドフレームを用いた樹脂封止型半導体装
置の製造方法と同様である。図１４（ａ）〜（ｆ）は本
実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程
ごとの断面図である。
【００７２】まず図１４（ａ）に示すように、フレーム
本体２６と、そのフレーム本体２６の領域内に配設され
て、薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続し、かつ
フレーム本体２６よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体２８とダイパッド部３６とよりなり、ランド構
成体２８、ダイパッド部３６はフレーム本体２６からそ
れが突出した方向への押圧力により、薄厚部２７が破断
されてランド構成体２８、ダイパッド部３６がフレーム
本体２６より分離される構成を有するターミナルランド
フレームを用意する。
本体２６と、そのフレーム本体２６の領域内に配設され
て、薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続し、かつ
フレーム本体２６よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体２８とダイパッド部３６とよりなり、ランド構
成体２８、ダイパッド部３６はフレーム本体２６からそ
れが突出した方向への押圧力により、薄厚部２７が破断
されてランド構成体２８、ダイパッド部３６がフレーム
本体２６より分離される構成を有するターミナルランド
フレームを用意する。
【００７３】次に図１４（ｂ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームのランド構成体２８、ダイパッド部３
６が突出した面側であって、ダイパッド部３６上に導電
性接着剤２９により半導体素子３０を載置、接合する。
この工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工
程に相当する工程であり、ターミナルランドフレームへ
の導電性接着剤２９の塗布、半導体素子３０の載置、加
熱処理により半導体素子３０を接合するものである。こ
こで、ターミナルランドフレームは、ダイパッド部３６
が突出した方向に対しての押圧力、すなわちダイパッド
部３６の底面部分側からの押圧力により、容易に分離さ
れるものであるが、それが突出した方向、すなわちダイ
パッド部３６の上面部分からの押圧力によっては分離し
ないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構
造であるため、半導体素子３０を搭載する際、フレーム
に対して下方の押圧力が作用しても、ダイパッド部３６
は分離せず、安定してダイボンドできるものである。
ルランドフレームのランド構成体２８、ダイパッド部３
６が突出した面側であって、ダイパッド部３６上に導電
性接着剤２９により半導体素子３０を載置、接合する。
この工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工
程に相当する工程であり、ターミナルランドフレームへ
の導電性接着剤２９の塗布、半導体素子３０の載置、加
熱処理により半導体素子３０を接合するものである。こ
こで、ターミナルランドフレームは、ダイパッド部３６
が突出した方向に対しての押圧力、すなわちダイパッド
部３６の底面部分側からの押圧力により、容易に分離さ
れるものであるが、それが突出した方向、すなわちダイ
パッド部３６の上面部分からの押圧力によっては分離し
ないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構
造であるため、半導体素子３０を搭載する際、フレーム
に対して下方の押圧力が作用しても、ダイパッド部３６
は分離せず、安定してダイボンドできるものである。
【００７４】次に図１４（ｃ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド
構成体２８とを金属細線３１により電気的に接続する。
したがって、ランド構成体２８は上面の金属細線３１が
接続される面の面積は１００［μｍ］以上である。ま
た、この工程においても、ランド構成体２８は一方向か
らの押圧力にのみ分離する構造であるため、金属細線３
１をランド構成体２８の上面に接続する際、下方に押圧
力が作用しても、ランド構成体２８は分離せず、安定し
てワイヤーボンドできるものである。
ルランドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド
構成体２８とを金属細線３１により電気的に接続する。
したがって、ランド構成体２８は上面の金属細線３１が
接続される面の面積は１００［μｍ］以上である。ま
た、この工程においても、ランド構成体２８は一方向か
らの押圧力にのみ分離する構造であるため、金属細線３
１をランド構成体２８の上面に接続する際、下方に押圧
力が作用しても、ランド構成体２８は分離せず、安定し
てワイヤーボンドできるものである。
【００７５】次に図１４（ｄ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子３０、および
電気的接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３
２により封止する。通常は上下封止金型を用いたトラン
スファーモールドにより片面封止を行う。ここではター
ミナルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面
のみが封止樹脂３２により封止されるものであり、片面
封止構造となっている。そして各ランド構成体２８、ダ
イパッド部３６は突出して設けられているため、封止樹
脂３２がその段差構造に対して、食いつくため片面封止
構造であっても、ターミナルランドフレームと封止樹脂
３２との密着性を得ることができる。
ルランドフレーム上に接合した半導体素子３０、および
電気的接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３
２により封止する。通常は上下封止金型を用いたトラン
スファーモールドにより片面封止を行う。ここではター
ミナルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面
のみが封止樹脂３２により封止されるものであり、片面
封止構造となっている。そして各ランド構成体２８、ダ
イパッド部３６は突出して設けられているため、封止樹
脂３２がその段差構造に対して、食いつくため片面封止
構造であっても、ターミナルランドフレームと封止樹脂
３２との密着性を得ることができる。
【００７６】次に図１４（ｅ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラ
ンドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した
領域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体２８およびダイパッド部３６の
底面に対して、押圧力を印加する。この場合、ターミナ
ルランドフレームの端部を固定し、その下方から突き上
げピンにより突き上げて押圧力を印加することにより、
ランド構成体２８、ダイパッド部３６とターミナルラン
ドフレームのフレーム本体２６とが分離するものであ
る。これはランド構成体２８、ダイパッド部３６とフレ
ーム本体２６とを接続している極薄の薄厚部２７が突き
上げによる押圧力で破断されることにより分離されるも
のである。
ルランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラ
ンドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した
領域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体２８およびダイパッド部３６の
底面に対して、押圧力を印加する。この場合、ターミナ
ルランドフレームの端部を固定し、その下方から突き上
げピンにより突き上げて押圧力を印加することにより、
ランド構成体２８、ダイパッド部３６とターミナルラン
ドフレームのフレーム本体２６とが分離するものであ
る。これはランド構成体２８、ダイパッド部３６とフレ
ーム本体２６とを接続している極薄の薄厚部２７が突き
上げによる押圧力で破断されることにより分離されるも
のである。
【００７７】図１４（ｆ）に示すように、ランド構成体
２８、ダイパッド部３６とフレーム本体とを接続してい
る極薄の薄厚部２７が突き上げによる押圧力で破断され
ることにより分離されて、樹脂封止型半導体装置３７を
得ることができる。図示するように、樹脂封止型半導体
装置３７は、ランド構成体２８がその底面に配列され、
またランド構成体２８が封止樹脂３２の底面よりも突出
して設けられ、基板実装時のスタンドオフが形成されて
いるものである。ここで樹脂封止型半導体装置３７のラ
ンド構成体２８の突出量は、フレーム本体の厚み量から
ランド構成体２８が突出した量を差し引いた量となり、
ランド構成体２８の外部ランド電極としてのスタンドオ
フが形成されるものである。本実施形態では、２００
［μｍ］の厚みのフレーム本体に対して、ランド構成体
２８を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体
の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出させているた
め、スタンドオフ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）
となり、基板実装時のスタンドオフを有したランド電極
を得ることができる。
２８、ダイパッド部３６とフレーム本体とを接続してい
る極薄の薄厚部２７が突き上げによる押圧力で破断され
ることにより分離されて、樹脂封止型半導体装置３７を
得ることができる。図示するように、樹脂封止型半導体
装置３７は、ランド構成体２８がその底面に配列され、
またランド構成体２８が封止樹脂３２の底面よりも突出
して設けられ、基板実装時のスタンドオフが形成されて
いるものである。ここで樹脂封止型半導体装置３７のラ
ンド構成体２８の突出量は、フレーム本体の厚み量から
ランド構成体２８が突出した量を差し引いた量となり、
ランド構成体２８の外部ランド電極としてのスタンドオ
フが形成されるものである。本実施形態では、２００
［μｍ］の厚みのフレーム本体に対して、ランド構成体
２８を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体
の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出させているた
め、スタンドオフ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）
となり、基板実装時のスタンドオフを有したランド電極
を得ることができる。
【００７８】次に複数の半導体素子を有したマルチチッ
プ型の樹脂封止型半導体装置の実施形態について図面を
参照しながら説明する。
プ型の樹脂封止型半導体装置の実施形態について図面を
参照しながら説明する。
【００７９】まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置で
用いるターミナルランドフレームについて説明する。図
１５は本実施形態のターミナルランドフレームを示す平
面図であり、図１５のＥ−Ｅ１箇所の断面について、拡
大した構造を図１６に示す。
用いるターミナルランドフレームについて説明する。図
１５は本実施形態のターミナルランドフレームを示す平
面図であり、図１５のＥ−Ｅ１箇所の断面について、拡
大した構造を図１６に示す。
【００８０】図示するように、本実施形態で用いるター
ミナルランドフレームは、フレーム本体３８と、そのフ
レーム本体３８の領域内に配設されて、薄厚部３９によ
りフレーム本体３８と接続し、かつフレーム本体３８よ
りも突出して形成された複数のランド構成体４０とより
なり、ランド構成体４０はフレーム本体３８からそれが
突出した方向への押圧力により、薄厚部３９が破断され
てランド構成体４０がフレーム本体３８より分離される
構成を有するターミナルランドフレームである。そして
本実施形態のターミナルランドフレームは、ランド構成
体４０を格子状に配置したものであり、図１に示したよ
うな個々の半導体素子を搭載するスペースを分離した構
成のものとは異なり、搭載する半導体素子の品種、サイ
ズに拘わらず任意に半導体素子を搭載して電気的に接続
し、樹脂封止後に分離することにより、１つのターミナ
ルランドフレームから複数品種の樹脂封止型半導体装置
を製造することができるものである。
ミナルランドフレームは、フレーム本体３８と、そのフ
レーム本体３８の領域内に配設されて、薄厚部３９によ
りフレーム本体３８と接続し、かつフレーム本体３８よ
りも突出して形成された複数のランド構成体４０とより
なり、ランド構成体４０はフレーム本体３８からそれが
突出した方向への押圧力により、薄厚部３９が破断され
てランド構成体４０がフレーム本体３８より分離される
構成を有するターミナルランドフレームである。そして
本実施形態のターミナルランドフレームは、ランド構成
体４０を格子状に配置したものであり、図１に示したよ
うな個々の半導体素子を搭載するスペースを分離した構
成のものとは異なり、搭載する半導体素子の品種、サイ
ズに拘わらず任意に半導体素子を搭載して電気的に接続
し、樹脂封止後に分離することにより、１つのターミナ
ルランドフレームから複数品種の樹脂封止型半導体装置
を製造することができるものである。
【００８１】図１７，図１８は前記したターミナルラン
ドフレームにより構成した樹脂封止型半導体装置を示す
図であり、図１７は断面図であり、図１８は底面図であ
る。図１７の断面図は図１８のＦ−Ｆ１箇所の断面を示
す。
ドフレームにより構成した樹脂封止型半導体装置を示す
図であり、図１７は断面図であり、図１８は底面図であ
る。図１７の断面図は図１８のＦ−Ｆ１箇所の断面を示
す。
【００８２】図示するように、本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は、ランド構成体４１の内の半導体素子支持
用のランド構成体４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ上に
導電性接着剤４２により搭載された半導体素子４３ａ，
４３ｂと、半導体素子４３ａ，４３ｂの電極パッド（図
示せず）と金属細線４４により電気的に接続されたラン
ド構成体４１ｅ，４１ｆ，４１ｇ，４１ｈと、半導体素
子４３ａ，４３ｂの外囲と各ランド構成体の一部を封止
した封止樹脂４５により構成されている。ここで本実施
形態の樹脂封止型半導体素子は、１つのパッケージ中に
半導体素子が２つ搭載され、マルチチップ型を構成して
いるものであり、半導体素子４３ａ，４３ｂは、機能の
異なる半導体素子であっても、同一機能の半導体素子で
あってもよく、例えば、半導体素子４３ａはマイコンチ
ップであり、半導体素子４３ｂはメモリーチップであ
る。また本実施形態では、１つの半導体素子は６つのラ
ンド構成体により支持されているが、支持するランド構
成体の数は、半導体素子の大きさ、電極パッド数によ
り、適宜設定できるものである。
半導体装置は、ランド構成体４１の内の半導体素子支持
用のランド構成体４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ上に
導電性接着剤４２により搭載された半導体素子４３ａ，
４３ｂと、半導体素子４３ａ，４３ｂの電極パッド（図
示せず）と金属細線４４により電気的に接続されたラン
ド構成体４１ｅ，４１ｆ，４１ｇ，４１ｈと、半導体素
子４３ａ，４３ｂの外囲と各ランド構成体の一部を封止
した封止樹脂４５により構成されている。ここで本実施
形態の樹脂封止型半導体素子は、１つのパッケージ中に
半導体素子が２つ搭載され、マルチチップ型を構成して
いるものであり、半導体素子４３ａ，４３ｂは、機能の
異なる半導体素子であっても、同一機能の半導体素子で
あってもよく、例えば、半導体素子４３ａはマイコンチ
ップであり、半導体素子４３ｂはメモリーチップであ
る。また本実施形態では、１つの半導体素子は６つのラ
ンド構成体により支持されているが、支持するランド構
成体の数は、半導体素子の大きさ、電極パッド数によ
り、適宜設定できるものである。
【００８３】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図
１５，図１６に示したターミナルランドフレームを用い
ているため、フレームの設計上の制約を低減させ、半導
体素子を任意に設定してランド構成体上に搭載し、樹脂
封止することにより、小型、薄型のマルチチップ型の半
導体装置を容易に得ることができるものである。
１５，図１６に示したターミナルランドフレームを用い
ているため、フレームの設計上の制約を低減させ、半導
体素子を任意に設定してランド構成体上に搭載し、樹脂
封止することにより、小型、薄型のマルチチップ型の半
導体装置を容易に得ることができるものである。
【００８４】なお、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
においても、前記同様、封止樹脂４５からのランド構成
体４１の突出量は、フレーム本体の厚み量からランド構
成体４１が上方に突出した量を差し引いた量となり、ラ
ンド構成体４１の外部ランド電極としてのスタンドオフ
が形成されるものである。本実施形態では、２００［μ
ｍ］の厚みのフレーム本体に対して、ランド構成体４１
を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体の厚
みの７０［％］〜９０［％］）突出させているため、ス
タンドオフ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（フレーム本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）とな
り、基板実装時のスタンドオフを有したランド電極を得
ることができる。
においても、前記同様、封止樹脂４５からのランド構成
体４１の突出量は、フレーム本体の厚み量からランド構
成体４１が上方に突出した量を差し引いた量となり、ラ
ンド構成体４１の外部ランド電極としてのスタンドオフ
が形成されるものである。本実施形態では、２００［μ
ｍ］の厚みのフレーム本体に対して、ランド構成体４１
を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体の厚
みの７０［％］〜９０［％］）突出させているため、ス
タンドオフ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（フレーム本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）とな
り、基板実装時のスタンドオフを有したランド電極を得
ることができる。
【００８５】次に本発明のターミナルランドフレームを
用い、複数の半導体素子を有したマルチチップ型の樹脂
封止型半導体装置の製造方法の実施形態について図面を
参照しながら説明する。
用い、複数の半導体素子を有したマルチチップ型の樹脂
封止型半導体装置の製造方法の実施形態について図面を
参照しながら説明する。
【００８６】図１９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、工程ごと
に示した断面図である。
封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、工程ごと
に示した断面図である。
【００８７】まず図１９（ａ）に示すように、フレーム
本体４６と、そのフレーム本体４６の領域内に配設され
て、薄厚部４７によりフレーム本体４６と接続し、かつ
フレーム本体４６よりも上方に突出して形成された複数
のランド構成体４８とよりなり、ランド構成体４８はフ
レーム本体４６からそれが突出した方向への押圧力によ
り、薄厚部４７が破断されてランド構成体４８がフレー
ム本体４６より分離される構成を有するターミナルラン
ドフレームを用意する。
本体４６と、そのフレーム本体４６の領域内に配設され
て、薄厚部４７によりフレーム本体４６と接続し、かつ
フレーム本体４６よりも上方に突出して形成された複数
のランド構成体４８とよりなり、ランド構成体４８はフ
レーム本体４６からそれが突出した方向への押圧力によ
り、薄厚部４７が破断されてランド構成体４８がフレー
ム本体４６より分離される構成を有するターミナルラン
ドフレームを用意する。
【００８８】次に図１９（ｂ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームのランド構成体４８が突出した面側で
あって、ランド構成体４８の内、半導体素子搭載用ラン
ドとして、第１のランド構成体４８ａ，４８ｂ，４８
ｃ，４８ｄ上に導電性接着剤４９、または絶縁性ペース
トにより半導体素子５０ａ，５０ｂを載置、接合する。
この工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工
程に相当する工程であり、ターミナルランドフレームへ
の導電性接着剤４９の塗布、半導体素子５０ａ，５０ｂ
の載置、加熱処理という工程により半導体素子５０ａ，
５０ｂを接合するものである。ここで、ターミナルラン
ドフレームは、ランド構成体４８が突出した方向に対し
ての押圧力、すなわちランド構成体４８の底面部分側か
らの押圧力により、容易に分離されるものであるが、そ
れが突出した方向、すなわちランド構成体４８の上面部
分からの押圧力によっては分離しないものであり、一方
向からの押圧力にのみ分離する構造であるため、半導体
素子５０ａ，５０ｂを搭載する際、フレームに対して下
方の押圧力が作用しても、ランド構成体４８は分離せ
ず、安定してダイボンドできるものである。
ルランドフレームのランド構成体４８が突出した面側で
あって、ランド構成体４８の内、半導体素子搭載用ラン
ドとして、第１のランド構成体４８ａ，４８ｂ，４８
ｃ，４８ｄ上に導電性接着剤４９、または絶縁性ペース
トにより半導体素子５０ａ，５０ｂを載置、接合する。
この工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工
程に相当する工程であり、ターミナルランドフレームへ
の導電性接着剤４９の塗布、半導体素子５０ａ，５０ｂ
の載置、加熱処理という工程により半導体素子５０ａ，
５０ｂを接合するものである。ここで、ターミナルラン
ドフレームは、ランド構成体４８が突出した方向に対し
ての押圧力、すなわちランド構成体４８の底面部分側か
らの押圧力により、容易に分離されるものであるが、そ
れが突出した方向、すなわちランド構成体４８の上面部
分からの押圧力によっては分離しないものであり、一方
向からの押圧力にのみ分離する構造であるため、半導体
素子５０ａ，５０ｂを搭載する際、フレームに対して下
方の押圧力が作用しても、ランド構成体４８は分離せ
ず、安定してダイボンドできるものである。
【００８９】次に図１９（ｃ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子５０ａ，５０
ｂとランド構成体４８の内、外部ランド電極となる第２
のランド構成体４８ｅ，４８ｆ，４８ｇ，４８ｈとを金
属細線５１により電気的に接続する。したがって、ラン
ド構成体４８ｅ，４８ｆ，４８ｇ，４８ｈは上面の金属
細線５１が接続される面の面積は１００［μｍ］以上で
ある。また、この工程においても、ランド構成体４８は
一方向からの押圧力にのみ分離する構造であるため、金
属細線５１をランド構成体４８の上面に接続する際、下
方に押圧力が作用しても、ランド構成体４８は分離せ
ず、安定してワイヤーボンドできるものである。
ルランドフレーム上に接合した半導体素子５０ａ，５０
ｂとランド構成体４８の内、外部ランド電極となる第２
のランド構成体４８ｅ，４８ｆ，４８ｇ，４８ｈとを金
属細線５１により電気的に接続する。したがって、ラン
ド構成体４８ｅ，４８ｆ，４８ｇ，４８ｈは上面の金属
細線５１が接続される面の面積は１００［μｍ］以上で
ある。また、この工程においても、ランド構成体４８は
一方向からの押圧力にのみ分離する構造であるため、金
属細線５１をランド構成体４８の上面に接続する際、下
方に押圧力が作用しても、ランド構成体４８は分離せ
ず、安定してワイヤーボンドできるものである。
【００９０】次に図１９（ｄ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子５０ａ，５０
ｂ、および電気的接続手段である金属細線５１の領域を
封止樹脂５２により封止する。通常は上下封止金型を用
いたトランスファーモールドにより片面封止を行う。こ
こではターミナルランドフレームの半導体素子５０ａ，
５０ｂが搭載された面のみが封止樹脂５２により封止さ
れるものであり、片面封止構造となっている。そして各
ランド構成体４８は突出して設けられているため、封止
樹脂５２がその段差構造に対して、食いつくため片面封
止構造であっても、ターミナルランドフレームと封止樹
脂５２との密着性を得ることができる。
ルランドフレーム上に接合した半導体素子５０ａ，５０
ｂ、および電気的接続手段である金属細線５１の領域を
封止樹脂５２により封止する。通常は上下封止金型を用
いたトランスファーモールドにより片面封止を行う。こ
こではターミナルランドフレームの半導体素子５０ａ，
５０ｂが搭載された面のみが封止樹脂５２により封止さ
れるものであり、片面封止構造となっている。そして各
ランド構成体４８は突出して設けられているため、封止
樹脂５２がその段差構造に対して、食いつくため片面封
止構造であっても、ターミナルランドフレームと封止樹
脂５２との密着性を得ることができる。
【００９１】次に図１９（ｅ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラ
ンドフレームの端部を固定し、封止樹脂５２で封止した
領域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体４８の底面に対して押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体４８とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体４６とが分離するも
のである。これはランド構成体４８とフレーム本体４６
とを接続している極薄の薄厚部４７が突き上げによる押
圧力で破断されることにより分離されるものである。ま
た本実施形態では、ターミナルランドフレームのフレー
ム本体４６からランド構成体４８を分離して樹脂封止型
半導体装置を構成する際、フレーム本体４６を固定した
状態で、フレーム本体４６の領域内のランド構成体４８
のうち、中央部分に配置されたランド構成体と、樹脂封
止型半導体装置としての周辺部に配置されたランド構成
体とを同時に突き上げて、信頼性よく分離するものであ
るが、すべてのランド構成体に対して押圧力を印加でも
よい。ここでランド構成体に対する押圧力の印加は、ラ
ンド構成体と封止樹脂との界面に対する応力等のダメー
ジを避けて実施する必要があり、ランド構成体に対する
押圧力の印加自体が重要な工程要素を有するものであ
る。
ルランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラ
ンドフレームの端部を固定し、封止樹脂５２で封止した
領域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体４８の底面に対して押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体４８とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体４６とが分離するも
のである。これはランド構成体４８とフレーム本体４６
とを接続している極薄の薄厚部４７が突き上げによる押
圧力で破断されることにより分離されるものである。ま
た本実施形態では、ターミナルランドフレームのフレー
ム本体４６からランド構成体４８を分離して樹脂封止型
半導体装置を構成する際、フレーム本体４６を固定した
状態で、フレーム本体４６の領域内のランド構成体４８
のうち、中央部分に配置されたランド構成体と、樹脂封
止型半導体装置としての周辺部に配置されたランド構成
体とを同時に突き上げて、信頼性よく分離するものであ
るが、すべてのランド構成体に対して押圧力を印加でも
よい。ここでランド構成体に対する押圧力の印加は、ラ
ンド構成体と封止樹脂との界面に対する応力等のダメー
ジを避けて実施する必要があり、ランド構成体に対する
押圧力の印加自体が重要な工程要素を有するものであ
る。
【００９２】図１９（ｆ）に示すように、前工程の突き
上げにより分離されて、２つの半導体素子５０ａ，５０
ｂをパッケージ中に有したマルチチップ型の樹脂封止型
半導体装置５３を得ることができる。図示するように、
樹脂封止型半導体装置５３は、ランド構成体４８がその
底面に配列され、またランド構成体４８が封止樹脂５２
の底面よりも突出して設けられ、基板実装時のスタンド
オフが形成されているものである。
上げにより分離されて、２つの半導体素子５０ａ，５０
ｂをパッケージ中に有したマルチチップ型の樹脂封止型
半導体装置５３を得ることができる。図示するように、
樹脂封止型半導体装置５３は、ランド構成体４８がその
底面に配列され、またランド構成体４８が封止樹脂５２
の底面よりも突出して設けられ、基板実装時のスタンド
オフが形成されているものである。
【００９３】次に複数の半導体素子を有したマルチチッ
プ型の樹脂封止型半導体装置の別の実施形態について図
面を参照しながら説明する。
プ型の樹脂封止型半導体装置の別の実施形態について図
面を参照しながら説明する。
【００９４】まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置で
用いるターミナルランドフレームについて説明する。図
２０は本実施形態のターミナルランドフレームを示す平
面図であり、図２０のＧ−Ｇ１箇所の断面について、拡
大した構造を図２１に示す。
用いるターミナルランドフレームについて説明する。図
２０は本実施形態のターミナルランドフレームを示す平
面図であり、図２０のＧ−Ｇ１箇所の断面について、拡
大した構造を図２１に示す。
【００９５】図示するように、本実施形態で用いるター
ミナルランドフレームは、フレーム本体５４と、そのフ
レーム本体５４の領域内に配設されて、薄厚部５５によ
りフレーム本体５４と接続し、かつフレーム本体５４よ
りも突出して形成された複数のランド構成体５６とダイ
パッド部５７とよりなり、ランド構成体５６、ダイパッ
ド部５７はフレーム本体５４からそれが突出した方向へ
の押圧力により、薄厚部５５が破断されてランド構成体
５６、ダイパッド部５７がフレーム本体５４より分離さ
れる構成を有するターミナルランドフレームである。す
なわち図１５，図１６に示したターミナルランドフレー
ムに対して、半導体素子支持用のランド構成体の代わり
にダイパッド部５７を設けたものである。そして本実施
形態のターミナルランドフレームは、ランド構成体５
６、ダイパッド部５７を密接させて配置したものであ
る。
ミナルランドフレームは、フレーム本体５４と、そのフ
レーム本体５４の領域内に配設されて、薄厚部５５によ
りフレーム本体５４と接続し、かつフレーム本体５４よ
りも突出して形成された複数のランド構成体５６とダイ
パッド部５７とよりなり、ランド構成体５６、ダイパッ
ド部５７はフレーム本体５４からそれが突出した方向へ
の押圧力により、薄厚部５５が破断されてランド構成体
５６、ダイパッド部５７がフレーム本体５４より分離さ
れる構成を有するターミナルランドフレームである。す
なわち図１５，図１６に示したターミナルランドフレー
ムに対して、半導体素子支持用のランド構成体の代わり
にダイパッド部５７を設けたものである。そして本実施
形態のターミナルランドフレームは、ランド構成体５
６、ダイパッド部５７を密接させて配置したものであ
る。
【００９６】図２２，図２３は前記したターミナルラン
ドフレームにより構成した樹脂封止型半導体装置を示す
図であり、図２２は断面図であり、図２３は底面図であ
る。図２３の断面図は図２２のＨ−Ｈ１箇所の断面を示
す。
ドフレームにより構成した樹脂封止型半導体装置を示す
図であり、図２２は断面図であり、図２３は底面図であ
る。図２３の断面図は図２２のＨ−Ｈ１箇所の断面を示
す。
【００９７】図示するように、本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は、ダイパッド部５８ａ，５８ｂ上に導電性
接着剤５９によりそれぞれ搭載された半導体素子６０
ａ，６０ｂと、半導体素子６０ａ，６０ｂの電極パッド
（図示せず）と金属細線６１により電気的に接続された
ランド構成体６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄと、半導
体素子６０ａ，６０ｂの外囲と各ランド構成体の一部を
封止した封止樹脂６３により構成されている。ここで本
実施形態の樹脂封止型半導体素子は、１つのパッケージ
中に半導体素子が２つ搭載され、マルチチップ型を構成
しているものであり、半導体素子６０ａ，６０ｂは、機
能の異なる半導体素子であっても、同一機能の半導体素
子であってもよく、例えば、半導体素子６０ａはマイコ
ンチップであり、半導体素子６０ｂはメモリーチップで
ある。
半導体装置は、ダイパッド部５８ａ，５８ｂ上に導電性
接着剤５９によりそれぞれ搭載された半導体素子６０
ａ，６０ｂと、半導体素子６０ａ，６０ｂの電極パッド
（図示せず）と金属細線６１により電気的に接続された
ランド構成体６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄと、半導
体素子６０ａ，６０ｂの外囲と各ランド構成体の一部を
封止した封止樹脂６３により構成されている。ここで本
実施形態の樹脂封止型半導体素子は、１つのパッケージ
中に半導体素子が２つ搭載され、マルチチップ型を構成
しているものであり、半導体素子６０ａ，６０ｂは、機
能の異なる半導体素子であっても、同一機能の半導体素
子であってもよく、例えば、半導体素子６０ａはマイコ
ンチップであり、半導体素子６０ｂはメモリーチップで
ある。
【００９８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図
２０，図２１に示したターミナルランドフレームを用い
ているため、フレームの設計上の制約を低減させ、半導
体素子を任意に設定してランド構成体上に搭載し、樹脂
封止することにより、マルチチップ型の半導体装置を容
易に得ることができるものである。
２０，図２１に示したターミナルランドフレームを用い
ているため、フレームの設計上の制約を低減させ、半導
体素子を任意に設定してランド構成体上に搭載し、樹脂
封止することにより、マルチチップ型の半導体装置を容
易に得ることができるものである。
【００９９】次に本発明のターミナルランドフレームを
用い、複数の半導体素子を有したマルチチップ型の樹脂
封止型半導体装置の製造方法の実施形態について図面を
参照しながら説明する。
用い、複数の半導体素子を有したマルチチップ型の樹脂
封止型半導体装置の製造方法の実施形態について図面を
参照しながら説明する。
【０１００】図２４（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、工程ごと
に示した断面図である。
封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、工程ごと
に示した断面図である。
【０１０１】まず図２４（ａ）に示すように、フレーム
本体６４と、そのフレーム本体６４の領域内に配設され
て、薄厚部６５によりフレーム本体６４と接続し、かつ
フレーム本体６４よりも上方に突出して形成された複数
のランド構成体６６とダイパッド部６７ａ，６７ｂとよ
りなり、ランド構成体６６、ダイパッド部６７ａ，６７
ｂはフレーム本体６４からそれが突出した方向への押圧
力により、薄厚部６５が破断されてランド構成体６６、
ダイパッド部６７がフレーム本体６４より分離される構
成を有するターミナルランドフレームを用意する。
本体６４と、そのフレーム本体６４の領域内に配設され
て、薄厚部６５によりフレーム本体６４と接続し、かつ
フレーム本体６４よりも上方に突出して形成された複数
のランド構成体６６とダイパッド部６７ａ，６７ｂとよ
りなり、ランド構成体６６、ダイパッド部６７ａ，６７
ｂはフレーム本体６４からそれが突出した方向への押圧
力により、薄厚部６５が破断されてランド構成体６６、
ダイパッド部６７がフレーム本体６４より分離される構
成を有するターミナルランドフレームを用意する。
【０１０２】次に図２４（ｂ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームのダイパッド部６７ａ，６７ｂの突出
した面上に導電性接着剤６８、または絶縁性ペーストに
より半導体素子６９ａ，６９ｂを載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着剤６８の塗布、半導体素子６９ａ，６９ｂの載
置、加熱処理という工程により半導体素子６９ａ，６９
ｂを接合するものである。
ルランドフレームのダイパッド部６７ａ，６７ｂの突出
した面上に導電性接着剤６８、または絶縁性ペーストに
より半導体素子６９ａ，６９ｂを載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着剤６８の塗布、半導体素子６９ａ，６９ｂの載
置、加熱処理という工程により半導体素子６９ａ，６９
ｂを接合するものである。
【０１０３】次に図２４（ｃ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子６９ａ，６９
ｂと外部ランド電極となるランド構成体６６とを金属細
線７０により電気的に接続する。
ルランドフレーム上に接合した半導体素子６９ａ，６９
ｂと外部ランド電極となるランド構成体６６とを金属細
線７０により電気的に接続する。
【０１０４】次に図２４（ｄ）に示すように、ターミナ
ルランドフレーム上に接合した半導体素子６９ａ，６９
ｂ、および電気的接続手段である金属細線７０の領域を
封止樹脂７１により封止する。通常は上下封止金型を用
いたトランスファーモールドにより片面封止を行う。こ
こではターミナルランドフレームの半導体素子６９ａ，
６９ｂが搭載された面のみが封止樹脂７１により封止さ
れるものであり、片面封止構造となっている。そしてラ
ンド構成体６６、ダイパッド部６７は突出して設けられ
ているため、封止樹脂７１がその段差構造に対して、食
いつくため片面封止構造であっても、封止樹脂７１との
密着性を得ることができる。
ルランドフレーム上に接合した半導体素子６９ａ，６９
ｂ、および電気的接続手段である金属細線７０の領域を
封止樹脂７１により封止する。通常は上下封止金型を用
いたトランスファーモールドにより片面封止を行う。こ
こではターミナルランドフレームの半導体素子６９ａ，
６９ｂが搭載された面のみが封止樹脂７１により封止さ
れるものであり、片面封止構造となっている。そしてラ
ンド構成体６６、ダイパッド部６７は突出して設けられ
ているため、封止樹脂７１がその段差構造に対して、食
いつくため片面封止構造であっても、封止樹脂７１との
密着性を得ることができる。
【０１０５】次に図２４（ｅ）に示すように、ターミナ
ルランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラ
ンドフレームの端部を固定し、封止樹脂７１で封止した
領域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体６６、ダイパッド部６７ａ，６
７ｂの底面に対して押圧力を印加する。この場合、ター
ミナルランドフレームの端部を固定し、その下方から突
き上げピンにより突き上げて押圧力を印加することによ
り、ランド構成体６６、ダイパッド部６７ａ，６７ｂと
ターミナルランドフレームのフレーム本体６４とが分離
するものである。これはランド構成体６６、ダイパッド
部６７ａ，６７ｂとフレーム本体６４とを接続している
極薄の薄厚部６５が突き上げによる押圧力で破断される
ことにより分離されるものである。
ルランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラ
ンドフレームの端部を固定し、封止樹脂７１で封止した
領域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレーム
の下方からランド構成体６６、ダイパッド部６７ａ，６
７ｂの底面に対して押圧力を印加する。この場合、ター
ミナルランドフレームの端部を固定し、その下方から突
き上げピンにより突き上げて押圧力を印加することによ
り、ランド構成体６６、ダイパッド部６７ａ，６７ｂと
ターミナルランドフレームのフレーム本体６４とが分離
するものである。これはランド構成体６６、ダイパッド
部６７ａ，６７ｂとフレーム本体６４とを接続している
極薄の薄厚部６５が突き上げによる押圧力で破断される
ことにより分離されるものである。
【０１０６】図２４（ｆ）に示すように、前工程の突き
上げにより分離されて、２つの半導体素子６９ａ，６９
ｂを１つのパッケージ中に有したマルチチップ型の樹脂
封止型半導体装置７２を得ることができる。図示するよ
うに、樹脂封止型半導体装置７２は、ランド構成体６６
がその底面に配列され、ダイパッド部６７ａ，６７ｂが
露出し、それらランド構成体６６、ダイパッド部６７
ａ，６７ｂが封止樹脂７１の底面よりも突出して設けら
れ、基板実装時のスタンドオフが形成されているもので
ある。
上げにより分離されて、２つの半導体素子６９ａ，６９
ｂを１つのパッケージ中に有したマルチチップ型の樹脂
封止型半導体装置７２を得ることができる。図示するよ
うに、樹脂封止型半導体装置７２は、ランド構成体６６
がその底面に配列され、ダイパッド部６７ａ，６７ｂが
露出し、それらランド構成体６６、ダイパッド部６７
ａ，６７ｂが封止樹脂７１の底面よりも突出して設けら
れ、基板実装時のスタンドオフが形成されているもので
ある。
【０１０７】以上、本実施形態で示したようなターミナ
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、ランド構成体、ダイパッド部分
の下方からの突き上げによりフレーム自体を除去するだ
けで、樹脂封止型半導体装置の底面部分に半導体素子と
電気的に接続したランド電極を配列することができる。
その結果、面実装タイプの半導体装置が得られ、従来の
ようなリード接合による実装に比べて、基板実装の信頼
性を向上させることができる。さらに樹脂封止型半導体
装置において、各ランド構成体の封止樹脂からの突出量
は、使用したターミナルランドフレーム本体の厚み量か
ら各ランド構成体自体がそのフレーム本体から突出した
量を差し引いた量であり、フレーム本体から製品を分離
した時点で基板実装時のスタンドオフが構成されるもの
であり、あえて別工程でランドのスタンドオフを形成す
る必要がないものである。
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、ランド構成体、ダイパッド部分
の下方からの突き上げによりフレーム自体を除去するだ
けで、樹脂封止型半導体装置の底面部分に半導体素子と
電気的に接続したランド電極を配列することができる。
その結果、面実装タイプの半導体装置が得られ、従来の
ようなリード接合による実装に比べて、基板実装の信頼
性を向上させることができる。さらに樹脂封止型半導体
装置において、各ランド構成体の封止樹脂からの突出量
は、使用したターミナルランドフレーム本体の厚み量か
ら各ランド構成体自体がそのフレーム本体から突出した
量を差し引いた量であり、フレーム本体から製品を分離
した時点で基板実装時のスタンドオフが構成されるもの
であり、あえて別工程でランドのスタンドオフを形成す
る必要がないものである。
【０１０８】また本実施形態では、ターミナルランドフ
レームを用いることにより、従来のように半導体素子の
品種の違いによるリードフレームの設計上の規制を低減
し、複数の半導体素子を１つのパッケージ中に有したマ
ルチチップ型の半導体装置を容易に実現することができ
るものである。
レームを用いることにより、従来のように半導体素子の
品種の違いによるリードフレームの設計上の規制を低減
し、複数の半導体素子を１つのパッケージ中に有したマ
ルチチップ型の半導体装置を容易に実現することができ
るものである。
【０１０９】さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、ターミナルランドフレ
ームという金属板からなるフレーム本体から半導体装置
を構成するので、量産性、コスト性などの面において
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも有利とな
る。さらに製品加工工程において、上述のごとく、フレ
ーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を得ること
ができるので、従来のようなフレームからの分離におい
て必要であったリードカット工程、リードベンド工程を
なくし、リードカットによる製品へのダメージやカット
精度の制約をなくすことができ、製造工程の削減によっ
てコスト力の強めた画期的な技術を提供できるものであ
る。
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、ターミナルランドフレ
ームという金属板からなるフレーム本体から半導体装置
を構成するので、量産性、コスト性などの面において
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも有利とな
る。さらに製品加工工程において、上述のごとく、フレ
ーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を得ること
ができるので、従来のようなフレームからの分離におい
て必要であったリードカット工程、リードベンド工程を
なくし、リードカットによる製品へのダメージやカット
精度の制約をなくすことができ、製造工程の削減によっ
てコスト力の強めた画期的な技術を提供できるものであ
る。
【０１１０】
【発明の効果】以上、本発明のターミナルランドフレー
ムにより、従来のようなビーム状のリード電極に代え
て、ランド電極を有した小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置を実現することができる。そして本発明により、樹
脂封止型半導体装置の底面のランド電極を基板等を用い
ることなく、フレーム状態から形成でき、また自己整合
的にランド電極のスタンドオフを形成できるものであ
り、従来にないフレーム構造、工法によりランド電極を
有したリードレスパッケージ型の樹脂封止型半導体装置
を実現することができるものである。
ムにより、従来のようなビーム状のリード電極に代え
て、ランド電極を有した小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置を実現することができる。そして本発明により、樹
脂封止型半導体装置の底面のランド電極を基板等を用い
ることなく、フレーム状態から形成でき、また自己整合
的にランド電極のスタンドオフを形成できるものであ
り、従来にないフレーム構造、工法によりランド電極を
有したリードレスパッケージ型の樹脂封止型半導体装置
を実現することができるものである。
【０１１１】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、従来のようにフレーム製作上のラインアンドス
ペース、設計仕様などの制約をなくし、リードがない
分、リードカット工程、リードベンド工程が不要であっ
て、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレーム
本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得ることが
でき、工程削減による低コスト製造を実現できるもので
ある。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、またラ
ンド構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂バリ
除去工程等の後工程が不要である。
いては、従来のようにフレーム製作上のラインアンドス
ペース、設計仕様などの制約をなくし、リードがない
分、リードカット工程、リードベンド工程が不要であっ
て、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレーム
本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得ることが
でき、工程削減による低コスト製造を実現できるもので
ある。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、またラ
ンド構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂バリ
除去工程等の後工程が不要である。
【０１１２】また本発明においては、ターミナルランド
フレームの底面からその中央部に配置されたランド構成
体やダイパッド部と、周辺部に配置されたランド構成体
とに対して、均一にかつ同時に押圧力を付加することに
より、底面に高密度配置のランド電極を有した小型、薄
型の樹脂封止型半導体装置を信頼性よく分離することが
できる。また、全てのランド構成体やダイパッド部に対
して押圧力を均等にかつ同時に印加することで、ランド
構成体、ダイパッド部と封止樹脂との間に応力を与え
ず、封止樹脂との食い込みを良くして密着性を高め、信
頼性よく、樹脂封止型半導体装置を分離することができ
るものである。
フレームの底面からその中央部に配置されたランド構成
体やダイパッド部と、周辺部に配置されたランド構成体
とに対して、均一にかつ同時に押圧力を付加することに
より、底面に高密度配置のランド電極を有した小型、薄
型の樹脂封止型半導体装置を信頼性よく分離することが
できる。また、全てのランド構成体やダイパッド部に対
して押圧力を均等にかつ同時に印加することで、ランド
構成体、ダイパッド部と封止樹脂との間に応力を与え
ず、封止樹脂との食い込みを良くして密着性を高め、信
頼性よく、樹脂封止型半導体装置を分離することができ
るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図
ムを示す平面図
【図２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図
ムを示す断面図
【図３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図
ムを示す断面図
【図４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
ムの製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
ムの製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
ムの製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図
示す底面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図
ームを示す平面図
【図１１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す底面図
を示す底面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図
ームを示す平面図
【図１６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す底面図
を示す底面図
【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図
ームを示す平面図
【図２１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図２２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図２３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す底面図
を示す底面図
【図２４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２５】従来のリードフレームを示す平面図
【図２６】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【図２７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図
す平面図
１ フレーム枠
２ ダイパッド部
３ 吊りリード部
４ インナーリード部
５ アウターリード部
６ タイバー部
７ 半導体素子
８ 金属細線
９ 封止樹脂
１０ フレーム本体
１１ 薄厚部
１２ ランド構成体
１２ａ 底面部分
１２ｂ 上面部分
１３ 金属板
１４ ダイ部
１５ 押え金型
１６ 開口部
１７ パンチ部材
１８ 抜きダレ部
１９ せん断部
２０ 破断部
２１ ランド構成体
２２ 導電性接着剤
２３ 半導体素子
２４ 金属細線
２５ 封止樹脂
２６ フレーム本体
２７ 薄厚部
２８ ランド構成体
２９ 導電性接着剤
３０ 半導体素子
３１ 金属細線
３２ 封止樹脂
３３，３７ 樹脂封止型半導体装置
３４，３５，３６ ダイパッド部
３８ フレーム本体
３９ 薄厚部
４０ ランド構成体
４１ ランド構成体
４２ 導電性接着剤
４３ 半導体素子
４４ 金属細線
４５ 封止樹脂
４６ フレーム本体
４７ 薄厚部
４８ ランド構成体
４９ 導電性接着剤
５０ 半導体素子
５１ 金属細線
５２ 封止樹脂
５３ 樹脂封止型半導体装置
５４ フレーム本体
５５ 薄厚部
５６ ランド構成体
５７ ダイパッド部
５８ ダイパッド部
５９ 導電性接着剤
６０ 半導体素子
６１ 金属細線
６２ ランド構成体
６３ 封止樹脂
６４ フレーム本体
６５ 薄厚部
６６ ランド構成体
６７ ダイパッド部
６８ 導電性接着剤
６９ 半導体素子
７０ 金属細線
７１ 封止樹脂
７２ 樹脂封止型半導体装置
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−329660（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−232196（ＪＰ，Ａ)
特開2000−124381（ＪＰ，Ａ)
特開2000−124382（ＪＰ，Ａ)
特開2000−124383（ＪＰ，Ａ)
特開2000−150760（ＪＰ，Ａ)
特開2000−208691（ＪＰ，Ａ)
特開2000−228478（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/50
Claims (6)
- 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成された複数のランド構成体群とよりなり、前記
ランド構成体群は前記フレーム本体から突出した方向へ
の押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記ランド構
成体群が前記フレーム本体より分離される構成であるタ
ーミナルランドフレームを用いて形成された樹脂封止型
半導体装置であって、前記ランド構成体群の内、第１の
ランド構成体群上に搭載された第１の半導体素子と、第
２のランド構成体群上に搭載された第２の半導体素子
と、前記第１，第２の半導体素子の周辺に配置され、前
記第１，第２の半導体素子と金属細線により電気的に接
続された第３のランド構成体群と、前記各ランド構成体
群の底面を突出させて前記第１，第２の半導体素子の外
囲を一体封止した封止樹脂とよりなることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内であって、薄厚部により前記フレー
ム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して
形成され第１の半導体素子が搭載される第１のダイパッ
ド部と、前記フレーム本体の領域内であって、薄厚部に
より前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体
よりも突出して形成され第２の半導体素子が搭載される
第２のダイパッド部と、前記フレーム本体の領域内であ
って前記第１，第２のダイパッド部の周囲に配設され
て、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記
フレーム本体よりも突出して形成された複数のランド構
成体と、前記ランド構成体および第１，第２のダイパッ
ド部は前記フレーム本体から突出した方向への押圧力に
より、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体および
第１，第２のダイパッド部が前記フレーム本体より分離
される構成であるターミナルランドフレームを用いて形
成された樹脂封止型半導体装置であって、前記第１のダ
イパッド部上に搭載された第１の半導体素子と、前記第
２のダイパッド部上に搭載された第２の半導体素子と、
前記第１，第２の半導体素子の周辺に配置され、前記第
１，第２の半導体素子と金属細線により電気的に接続さ
れたランド構成体群と、前記ランド構成体群の底面と第
１，第２のダイパッド部の底面とを突出させて前記第
１，第２の半導体素子の外囲を一体封止した封止樹脂と
よりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 第１の半導体素子と第２の半導体素子と
は、機能が異なる種類の半導体素子であることを特徴と
する請求項１または請求項２に記載の樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項４】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成された複数のランド構成体群とよりなり、前記
ランド構成体群は前記フレーム本体から突出した方向へ
の押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記ランド構
成体群が前記フレーム本体より分離される構成であるタ
ーミナルランドフレームを用意する工程と、前記ターミ
ナルランドフレームの前記ランド構成体群の一部のラン
ド構成体の突出した側に第１の半導体素子を搭載する工
程と、前記ターミナルランドフレームの前記ランド構成
体群の一部のランド構成体の突出した側に第２の半導体
素子を搭載する工程と、搭載した第１，第２の半導体素
子と前記第１，第２の半導体素子の周囲に配置したラン
ド構成体とを電気的に接続する工程と、少なくとも前記
第１，第２の半導体素子の外囲を封止樹脂により一体封
止し、樹脂封止型半導体装置を形成する工程と、前記タ
ーミナルランドフレームの前記フレーム本体を固定した
状態で前記フレーム本体の底面側から前記ランド構成体
の底面側に対して押圧力を印加し、ランド構成体群とフ
レーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、前記フ
レーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する工程と
を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法。 - 【請求項５】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内であって、薄厚部により前記フレー
ム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して
形成され第１の半導体素子が搭載される第１のダイパッ
ド部と、前記フレーム本体の領域内であって、薄厚部に
より前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体
よりも突出して形成され第２の半導体素子が搭載される
第２のダイパッド部と、前記フレーム本体の領域内であ
って前記第１，第２のダイパッド部の周囲に配設され
て、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記
フレーム本体よりも突出して形成された複数のランド構
成体とよりなり、前記第１，第２のダイパッド部および
前記ランド構成体は、前記フレーム本体から突出した方
向への押圧力により、前記薄厚部が破断されて前記ラン
ド構成体が前記フレーム本体より分離される構成である
ターミナルランドフレームを用意する工程と、前記ター
ミナルランドフレームの前記第１のダイパッド部の突出
した側に第１の半導体素子を搭載する工程と、前記ター
ミナルランドフレームの前記第２のダイパッド部の突出
した側に第２の半導体素子を搭載する工程と、搭載した
第１，第２の半導体素子と前記第１，第２の半導体素子
の周囲に配置したランド構成体とを電気的に接続する工
程と、少なくとも前記第１，第２の半導体素子の外囲を
封止樹脂により一体封止し、樹脂封止型半導体装置を形
成する工程と、前記ターミナルランドフレームの前記フ
レーム本体を固定した状態で前記フレーム本体の底面側
から前記ランド構成体の底面側に対して押圧力を印加
し、ランド構成体群とフレーム本体とを接続している薄
厚部を破断させ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導
体装置を分離する工程とを有することを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 第１の半導体素子と第２の半導体素子と
は、機能が異なる種類の半導体素子であることを特徴と
する請求項４または請求項５に記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02754299A JP3422276B2 (ja) | 1999-02-04 | 1999-02-04 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02754299A JP3422276B2 (ja) | 1999-02-04 | 1999-02-04 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228479A JP2000228479A (ja) | 2000-08-15 |
| JP3422276B2 true JP3422276B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=12223986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02754299A Expired - Fee Related JP3422276B2 (ja) | 1999-02-04 | 1999-02-04 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3422276B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100521171C (zh) * | 2004-10-21 | 2009-07-29 | 财团法人工业技术研究院 | 一种元件的封装接合结构 |
-
1999
- 1999-02-04 JP JP02754299A patent/JP3422276B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2000228479A (ja) | 2000-08-15 |
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