KR100564006B1 - 터미널 랜드 프레임 및 그 제조방법과 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

터미널 랜드 프레임 및 그 제조방법과 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100564006B1
KR100564006B1 KR19990045714A KR19990045714A KR100564006B1 KR 100564006 B1 KR100564006 B1 KR 100564006B1 KR 19990045714 A KR19990045714 A KR 19990045714A KR 19990045714 A KR19990045714 A KR 19990045714A KR 100564006 B1 KR100564006 B1 KR 100564006B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
land
frame
frame body
resin
protruding
Prior art date
Application number
KR19990045714A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000029214A (ko
Inventor
미나미오마사노리
아다치오사무
노무라도루
Original Assignee
마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP29938898A external-priority patent/JP2986787B1/ja
Priority claimed from JP29938998A external-priority patent/JP2986788B1/ja
Priority claimed from JP10299390A external-priority patent/JP2997255B1/ja
Application filed by 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 filed Critical 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Publication of KR20000029214A publication Critical patent/KR20000029214A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100564006B1 publication Critical patent/KR100564006B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4828—Etching
    • H01L21/4832—Etching a temporary substrate after encapsulation process to form leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201—Structure
    • H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/32014—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being smaller than the bonding area, e.g. bond pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
    • H01L2224/49433—Connecting portions the connecting portions being staggered outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01066—Dysprosium [Dy]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 원가가 저렴하고 신뢰성이 높으면서 소형이고 두께가 얇은 수지봉입형 반도체 장치를 제공하기 위한 것이다.
프레임 본체 내에 배설되며, 슬림부에 의하여 프레임 본체와 접속되고 프레임 본체로부터 돌출된 랜드 구성체로 이루어지는 터미널 랜드 프레임을 설치한다. 랜드 구성체는 프레임 본체로부터 돌출된 방향으로 압력이 가해지면 슬림부가 파단되어 프레임 본체로부터 쉽게 분리된다. 이 터미널 랜드 프레임의 랜드 구성체 상에 반도체 칩을 탑재하고 반도체 칩 등을 봉입수지에 의하여 편면 봉입한다. 그 후 랜드 구성체의 저면에 압력을 가하면 터미널 랜드 프레임과 랜드 구성체가 분리된다. 랜드 구성체의 저부가 봉입수지의 하면보다 아래쪽으로 돌출된 구조를 얻을 수 있다. 이 돌출된 부분을 외부전극으로서 이용한다.

Description

터미널 랜드 프레임 및 그 제조방법과 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법{TERMINAL LAND FRAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND RESIN SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 관한 터미널 랜드 프레임의 평면도.
도 2는 도 1에 나타난 Ⅱ-Ⅱ선에서의 단면도.
도 3은 도 2의 랜드 구성체 부분을 확대하여 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 터미널 랜드 프레임의 제조 공정에 있어서의 반천공 공정을 실시하기 직전의 상태를 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 터미널 랜드 프레임의 제조 공정에 있어서의 반천공 공정의 실시 상태를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명의 반천공 가공에 있어서 금속판의 일부에 펀치 부재로 압력을 인가하여 반절단 상태를 형성하였을 때의 랜드 구성체와 금속판 및 슬림부의 상태를 도시한 단면도.
도 7은 도 8에 나타난 Ⅶ-Ⅶ선에서의 단면도.
도 8은 제 1 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 이면도.
도 9의 (a)∼(f)는 제 1 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법을 나타낸 공정별 단면도.
도 10은 제 2 실시예에 관한 터미널 랜드 프레임의 평면도.
도 11은 도 10에 나타난 XI-XI선에서의 단면도.
도 12는 도 13에 나타난 XII-XII선에서의 단면도.
도 13은 제 2 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 이면도.
도 14의 (a)∼(f)는 제 2 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법을 도시한 공정별 단면도.
도 15는 제 3 실시예의 터미널 랜드 프레임의 평면도.
도 16은 도 15에 나타난 XVI-XVI선에서의 단면도.
도 17은 도 16의 랜드 구성체 부분을 확대하여 도시한 단면도.
도 18은 제 3 실시예에서 사용되는 반도체 칩의 상면도.
도 19는 제 3 실시예 변형예에서 사용되는 반도체 칩의 상면도.
도 20은 도 19에 나타난 바와 같은 주변 패드 형상의 전극 패드 배열을 갖는 반도체 칩을 사용할 때 채용되는 터미널 랜드 프레임의 평면도.
도 21은 도 22에 나타난 XXI-XXI선에서의 단면도.
도 22는 제 3 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 이면도.
도 23의 (a)∼(e)는 제 3 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법을 도시한 공정별 단면도.
제 24는 종래의 리드 프레임의 평면도.
도 25는 종래의 수지봉입형 반도체 장치의 단면도.
도 25는 종래의 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법을 설명하기 위한 평면 도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 프레임 본체
11, 27 : 슬림부 12, 21, 28 : 랜드 구성체
12a : 저면 부분 12b : 상면 부분
13 : 금속판 14 : 다이부
15 : 압착 금형 16 : 개구부
17 : 펀치 부재 18 : 소성 변형부
19 : 전단부(剪斷部) 20 : 파단부
22, 29 : 도전성 접착제 26 : 프레임 본체
33, 37 : 수지봉입형 반도체 장치
34, 35, 36 : 다이패드
본 발명은 종래의 방사상 리드를 구비한 리드 프레임 대신, 외부 단자가 되는 랜드체를 구비한 프레임인 터미널 랜드 프레임 및 그 제조방법에 관한 것이 다.
최근 전자기기의 소형화에 대응하기 위하여 수지봉입형 반도체 장치 등의 반도체 부품의 고밀도 실장이 요구되며 이에 따라 반도체 부품의 소형화, 슬림형화가 추진되고 있다. 또 소형화 및 슬림형화와 함께 다핀화가 진행되고 있으므로 고밀 도이며 소형, 슬림형의 반도체 장치가 요구되고 있다.
이하 종래의 수지봉입형 반도체 장치에 사용되는 리드 프레임에 대하여 설명하기로 한다.
도 24는 종래의 리드 프레임의 구성을 도시한 평면도이다. 도 24에 도시된 바와 같이 종래의 리드 프레임은 프레임 틀(101) 내에 반도체 칩이 탑재되는 장방형의 다이패드(102)와, 다이패드(102)를 지지하는 현수식 리드(103)와, 반도체 칩을 탑재한 상태에서 금속세선 등의 접속수단에 의하여 반도체 칩과 전기적으로 접속되는 방사상의 내측 리드(104)와, 그 내측 리드(104)와 연속하여 설치되며, 외부 단자와 접속하기 위한 외측 리드(105)와, 외측 리드(105)끼리 연결하여 고정시켜 수지 봉입시의 수지를 저지하는 지지봉(106)으로 구성되어 있다.
그리고 리드 프레임은 도 24에 도시되는 패턴이 하나가 아닌 복수개가 상하좌우로 연속하여 배열된 것이다.
다음으로 종래의 수지봉입형 반도체 장치에 대하여 설명하기로 한다. 도 25는 도 24에 나타난 리드 프레임을 사용한 수지봉입형 반도체 장치를 도시한 단면도이다.
도 25에 도시된 바와 같이 리드 프레임의 다이패드(102) 상에 반도체 칩(107)이 탑재되고 그 반도체 칩(107)과 내측 리드(104)가 금속세선(108)에 의하여 서로 전기적으로 접속되어 있다. 그리고 다이패드(102) 상의 반도체 칩(107)과, 내측 리드(104)를 둘러싼 영역이 봉입수지(109)에 의하여 봉입되어 있다. 봉입수지(109)의 측면으로부터는 외측 리드(105)가 돌출해 있고 선단 부분은 구부러 져 있다.
다음으로 종래의 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법을 도 26을 참조하면서 설명하기로 한다. 먼저 리드 프레임의 다이패드(102) 상에 반도체 칩(107)을 접착제로 접합시킨 후(다이 본드 공정), 반도체 칩(107)과 내측 리드(104)의 선단 부분을 금속세선(108)으로 접속한다(와이어 본드 공정). 그 다음 반도체 칩(107), 내측 리드(104) 등 리드 프레임의 지지봉(106)으로 둘러싸인 영역 내를 봉입수지(109)에 의하여 봉입하고 외측 리드(105)를 외부로 돌출시킨 상태에서 봉입한다(수지봉입 공정). 그리고 지지봉(106)보다 약간 안쪽 부분을 절단하여 각 외측 리드(105)를 분리하고 프레임 틀(101)을 제거함과 동시에 외측 리드(105)의 선단 부분을 구부림으로써(지지봉 절단·절곡 공정), 도 25에 도시된 구조의 수지봉입형 반도체 장치를 제조할 수 있다. 여기서 도 26에 있어서 점선으로 나타난 영역이 봉입수지(109)로 봉입되는 영역이다.
그러나 종래의 리드 프레임으로는 반도체 칩이 고집적화되어 다핀, 즉 많은 외측 리드가 필요할 때, 내측 리드(외측 리드)의 폭을 축소시키는 데 한계가 있으므로, 다핀에 대응하고자 하는 경우에는 외측 리드와 연속하는 내측 리드의 개수가 많아져 리드 프레임 자체가 크게 될 수밖에 없다. 그 결과 수지봉입형 반도체 장치도 크게 되어, 요구되는 소형 슬림형의 봉입수지형 반도체 장치의 실현이 어려워진다는 문제점이 있었다. 한편 반도체 칩의 다핀화에 대응하기 위하여 리드 프레임의 사이즈를 변경하지 않고 내측 리드를 증가시키면, 1개당 내측 리드의 폭을 가 늘게 해야 되며 리드 프레임 형성을 위한 에칭 등의 가공이 어려워진다는 문제가 생긴다.
그리고 최근에는 저면에서 모기판에 직접 실장되는 반면실장형 반도체 장치로서, 저면에 외부 전극을 설치한 캐리어(배선 기판) 상에 반도체 칩을 탑재시켜 반도체 칩과 외부 전극의 전기적 접속을 한 후 그 캐리어 상면을 수지봉입한 반도체 장치가 있으며, 이는 볼 그리드 어레이(BGA)형 반도체 장치 또는 랜드 그리드 어레이(LGA)형 반도체 장치라고 불린다. 이러한 타입의 반도체 장치는 그 저면에서 모기판에 직접 실장되는 반도체 장치이며, 이제 이러한 면실장형 반도체 장치가 주류로 되어가고 있다. 따라서 이러한 동향에 대응하기 위하여 종래의 리드 프레임 및 그 리드 프레임을 이용한 수지봉입형 반도체 장치로는 대응할 수 없다는 것이 큰 과제로 부상하고 있다.
또한 종래의 수지봉입형 반도체 장치에서는 봉입수지의 측면으로부터 밖으로 돌출한 외측 리드로 이루어지는 외부 리드가 설치되며, 그 외부 리드와 기판 전극을 접합시켜 실장하는 것이므로, BGA형이나 LGA형 반도체 장치에 비하여 기판 실장의 신뢰성은 낮다. 한편 BGA형, LGA형 반도체 장치는 배선 기판을 사용하므로 원가가 높아진다. 즉 어떤 종류의 반도체 장치라도 높은 신뢰성과 낮은 원가를 동시에 실현하기 어렵다.
본 발명의 목적은 저면측에서 기판 실장이 가능한 반도체 장치를, 프레임체를 이용하여 구성할 수 있는 수단을 강구함으로써 수지봉입형 반도체 장치의 높은 신뢰성과 낮은 원가를 동시에 실현하는 데에 있다.
이를 위하여, 종래 고정되어 있던 리드 프레임의 구조와는 크게 발상을 전환하여 종래 채용되던 방사상 "리드" 대신, 외부 전극으로 되는 "랜드"를 프레임 상에서 형성한 구조(이를 터미널 랜드 프레임이라 함)에 주안점이 있다.
나아가 본 발명은 종래와 같이 리드 절단 공정이나 리드 절곡 공정을 없애, 쉽게 수지봉입형 반도체 장치를 얻을 수 있어, 수지봉입형 반도체 장치를 낮은 원가로 제조하는 것도 그 목적으로 하고 있다.
본 발명의 제 1 터미널 프레임은 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 분분을 갖도록 형성된 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 슬림부를 구비한 터미널 랜드 프레임으로서, 상기 각 랜드 구성체가 그 돌출된 방향으로의 압력을 받으면 상기 각 슬림부가 파단되어 상기 각 랜드 구성체가 상기 프레임 본체로부터 분리되는 것이 가능한 상태로 되어 있다.
이로써 랜드 구성체의 일부를 봉입수지의 하면에서부터 아래쪽으로 돌출시켜 외부 전극으로서 이용 가능한 수지봉입형 반도체 장치의 제조에 이용할 수 있는 터미널 랜드 프레임이 얻어진다.
상기 제 1 터미널 랜드 프레임에 있어서 상기 각 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분의 선단 부분은, 가로 방향으로 확대된 버섯 형상을 갖는 것이 바람직하다.
상기 제 1 터미널 랜드 프레임에 있어서 상기 프레임 본체와 복수의 랜드 구성체 및 복수의 슬림부는 하나의 금속판에서 일체적으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 제 2 터미널 랜드 프레임에 있어서 상기 각 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분의 선단면 면적은, 상기 각 랜드 구성체의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 크고 동시에 상기 선단면의 에지부는 곡면으로 되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 터미널 랜드 프레임은 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 가지며 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 1 부분을 갖는 다이패드와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 2 부분을 갖는 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 다이패드를 접속하고 상기 프레임 본체 및 다이패드보다 얇은 제 1 슬림부와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 제 2 슬림부를 구비하는 터미널 랜드 프레임으로서, 상기 다이패드 및 각 랜드 구성체가 그 돌출된 방향으로 압력을 받으면 상기 제 1 슬림부 및 상기 각 제 2 슬림부가 파단되어 상기 다이패드 및 각 랜드 구성체가 상기 프레임 본체로부터 분리 가능한 상태로 되어 있다.
이로써 다이패드부를 가지며 상기 제 1 터미널 랜드 프레임과 같은 효과를 발휘하는 터미널 랜드 프레임이 얻어진다.
상기 제 2 터미널 랜드 프레임에 있어서도 상기 제 1 터미널 랜드 프레임과 같은 바람직한 형태를 채용할 수 있다.
본 발명의 제 1 터미널 랜드 프레임의 제조방법은, 천공 금형의 다이부에 프레임 본체가 될 금속판을 탑재하고 상기 금속판의 위쪽에서부터 압착 금형으로 상기 금속판을 누르는 공정(a)과, 상기 금속판의 위쪽에서부터 펀치 부재로 상기 금속판의 복수 영역을 눌러, 상기 복수 영역의 각 부분을 상기 금속판 본체로부터 상기 다이부 측의 개구부 쪽으로 돌출시킴으로써 상기 복수의 영역으로 이루어지는 복수의 랜드 구성체와, 상기 복수의 랜드 구성체와 상기 금속판 본체를 접속하는 반절단 상태인 복수의 슬림부를 형성하는 공정(b)을 포함하고 있다.
이 방법에 의하여 상기 제 1 터미널 랜드 프레임을 쉽게 형성할 수 있다.
상기 제 1 터미널 랜드 프레임의 제조방법에 있어서, 상기 공정(a)에서는 상기 다이부의 개구 면적보다 작은 단면적을 갖는 펀치 부재를 사용하고, 상기 공정(b)은 상기 각 영역의 금속판 본체로부터 돌출된 상기 각 부분 선단면의 면적이, 상기 각 부분의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 크고, 동시에 상기 각 영역의 상기 각 부분 선단면의 에지부가 곡면을 갖도록 실행되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 터미널 랜드 프레임의 제조방법은 천공 금형의 다이부에 프레임 본체가 될 금속판을 탑재하고 상기 금속판의 위쪽에서부터 압착 금형으로 상기 금속판을 누르는 공정(a)과, 상기 금속판의 위쪽에서부터 펀치 부재로 상기 금속판의 제 1 영역 및 복수의 제 2 영역에 압력을 가하여, 상기 제 1 영역의 제 1 부분과 상기 복수의 제 2 영역 각각의 제 2 부분을 상기 금속판 본체로부터 상기 다이부 측의 개구부 쪽으로 돌출시킴으로써, 상기 제 1 영역으로 이루어지는 다이 패드와, 상기 다이패드와 상기 금속판 본체를 접속하는 반절단 상태인 제 1 슬림부와, 상기 제 2 영역으로 이루어지는 복수의 랜드 구성체와, 상기 복수의 랜드 구성체와 금속판 본체를 접속하는 반절단 상태인 복수의 제 2 슬림부를 형성하는 공정(b)을 포함하고 있다.
이 방법에 의하여 상기 제 2 터미널 랜드 프레임을 쉽게 형성할 수 있다.
상기 제 2 터미널 랜드 프레임의 제조방법에 있어서 상기 공정(a)에서는 상기 다이부의 개구 면적보다 작은 단면적을 갖는 펀치 부재를 사용하고, 상기 공정(b)은 상기 제 1 영역의 제 1 부분 선단면의 면적이, 상기 제 1 부분의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 크고, 동시에 상기 제 1 부분 선단면의 에지부가 곡면으로 되어 있으며, 상기 각 제 2 영역의 제 2 부분 선단면의 면적이 상기 제 2 부분의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 크고 동시에 상기 제 2 부분 선단면의 에지부가 곡면으로 되도록 실행되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 수지봉입형 반도체 장치는 금속으로 이루어지는 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 갖도록 형성된 제 1 랜드 구성체군 및 제 2 랜드 구성체군을 포함하는 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 슬림부를 구비한 터미널 랜드 프레임을 사용하여 형성된 수지봉입형 반도체 장치로서, 상기 제 1 랜드 구성체군 상에 탑재되고 복수의 전극 패드를 갖는 반도체 칩과, 상기 제 2 랜드 구성체군의 각 랜드 구성체와 상기 각 전극 패드를 서로 전기적으로 접속하는 복수의 접 속 부재와, 상기 반도체 칩과 상기 복수의 접속 부재와 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분에 상당하는 상부를 봉입하는 봉입수지를 구비하며, 상기 랜드 구성체의 상기 상부를 제외한 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고 상기 봉입수지의 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있다.
이로써 봉입수지 하면으로부터 돌출된 랜드 구성체의 저부를 외부 전극으로서 사용하고 이 외부 전극을 수지봉입형 반도체 장치 하면의 임의 위치에 배치하는 것이 가능해져, 고밀도 실장형이며 얇고 작으면서 제조 원가가 저렴하고 신뢰성 높은 수지봉입형 반도체 장치를 얻을 수 있다.
상기 제 1 수지봉입형 반도체 장치에 있어서 상기 각 랜드 구성체의 상기 봉입수지 내에 봉입된 상부의 상단면 면적은 상기 저부의 하단면 면적보다 크고 동시에 상기 상부 상단면의 에지부는 곡면으로 되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 수지봉입형 반도체 장치는 금속으로 이루어지는 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 1 부분을 갖도록 형성된 다이패드와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 2 부분을 갖도록 형성된 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 다이패드를 접속하고 상기 프레임 본체 및 다이패드보다 얇은 복수의 제 1 슬림부와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 제 2 슬림부를 구비한 터미널 랜드 프레임을 사용하여 형성된 수지봉입형 반도체 장치로서, 상기 다이패드 상에 탑재되고 복수의 전극 패드를 갖는 반도체 칩과, 상기 각 랜드 구성체와 상기 반도체 칩의 각 전극 패드를 서로 전기적으로 접속하는 복수의 접속 부재와, 상기 반도체 칩과 상기 복수의 접속 부재와 상기 다이패드의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 1 부분에 상당하는 제 1 상부와 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 2 부분에 상당하는 제 2 상부를 봉입하는 봉입수지를 구비하며, 상기 다이패드의 상기 제 1 상부를 제외한 제 1 저부와 상기 각 랜드 구성체의 상기 제 2 상부를 제외한 제 2 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고 상기 봉입수지의 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있다.
이로써 다이패드에 의한 높은 방열기능을 가지면서 상기 제 1 수지봉입형 반도체장치와 마찬가지의 효과를 발휘할 수 있는 수지봉입형 반도체 장치가 얻어진다.
상기 제 2 수지봉입형 반도체 장치에 있어서 상기 다이패드의 상기 봉입수지 내에 봉입되어 있는 제 1 상부 상단면의 면적은 상기 제 1 저부 하단면의 면적보다 크고 동시에 상기 제 1 상부 상단면의 에지부는 곡면으로 되어 있으며, 상기 각 랜드 구성체의 상기 봉입수지 내에 봉입되어 있는 상기 제 2 상부 상단면 면적은 상기 제 2 저부 하단면의 면적보다 크고 동시에 상기 제 2 상부 상단면의 에지부는 곡면으로 되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 3 수지봉입형 반도체 장치는 금속으로 이루어지는 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 갖도록 형성된 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 슬림부를 구비한 터미널 랜드 프레임을 사용하여 형성된 수지봉입형 반도체 장치로서, 상기 복수의 랜드 구성체 상에 탑재되고 상기 복수의 랜드 구성체 각각에 접속되는 복수의 전극 패드를 갖는 반도체 칩과, 상기 반도체 칩과 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분에 상당하는 상부를 봉입하는 봉입수지를 구비하며, 상기 각 랜드 구성체의 상기 상부를 제외한 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고 상기 봉입수지의 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있다.
이로써 플립 칩 실장되면서 상기 제 1 수지봉입형 반도체 장치와 마찬가지 효과를 발휘할 수 있는 수지봉입형 반도체 장치가 얻어진다.
상기 제 3 수지봉입형 반도체 장치에 있어서, 상기 각 랜드 구성체의 상기 봉입수지 내에 봉입되어 있는 상부 상단면의 면적은 상기 저부 하단면의 면적보다 크고 동시에 상기 상부 상단면의 에지부는 곡면으로 되어 있는 것이 바람직하다.
상기 제 3 수지봉입형 반도체 장치에 있어서 상기 반도체 칩의 상기 복수의 전극 패드 상에 설치된 같은 수의 돌기 전극과, 상기 각 돌기 전극과 상기 각 랜드 구성체를 서로 전기적으로 접속하는 도전성 접착제를 추가로 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법은 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고, 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 갖도록 형성된 제 1 랜드 구성체군 및 제 2 랜드 구성체군을 포함하는 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 슬림부를 구비하고, 상기 각 랜 드 구성체가 그 돌출된 방향으로의 압력을 받으면 상기 각 슬림부가 파단되어 상기 각 랜드 구성체가 상기 프레임 본체로부터 분리 가능한 상태로 된 터미널 랜드 프레임을 준비하는 공정(a)과, 상기 제 1 랜드 구성체군의 상기 돌출된 부분의 선단면 상에 반도체 칩을 탑재하는 공정(b)과, 상기 제 2 랜드 구성체군의 각 랜드 구성체와 상기 각 전극 패드를 접속 부재로 서로 전기적으로 접속시키는 공정(c)과, 상기 반도체 칩과 상기 복수의 접속 부재와 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 포함하는 상기 터미널 랜드 프레임의 위쪽 영역을 봉입수지로 봉입하는 공정(d)과, 상기 복수의 랜드 구성체를 포함하는 상기 봉입수지로 봉입된 부분과 상기 프레임 본체를 분리시키는 방향으로 힘을 가함으로써 상기 각 랜드 구성체의 상기 돌출된 부분을 제외한 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고, 상기 봉입수지의 하면보다 아래쪽으로 돌출된 수지봉입형 반도체 장치를 상기 프레임 본체로부터 분리하는 공정(e)을 포함하고 있다.
이 방법으로써 수지봉입시 랜드 구성체의 저면 부분으로 수지버(resin burr)가 진입하는 것을 방지하면서 랜드 구성체를 외부 전극으로서 사용할 때의 스탠드 오프를 확보하여 상기 제 1 수지봉입형 반도체 장치를 쉽게 형성할 수 있다.
상기 제 1 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법에 있어서 상기 공정(e)에서는 상기 복수의 랜드 구성체 중 적어도 일부의 복수 랜드 구성체의 상기 돌출된 부분의 선단면에 대향하는 면에, 상기 선단면으로 향하는 압력을 인가하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법은 금속으로 이루어지는 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 1 부분을 갖도록 형성된 다이패드와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 2 부분을 갖도록 형성된 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 다이패드를 접속하고 상기 프레임 본체 및 다이패드보다 얇은 복수의 제 1 슬림부와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 제 2 슬림부를 구비한 터미널 랜드 프레임을 준비하는 공정(a)과, 상기 다이패드의 상기 돌출된 제 1 부분의 선단면 상에 반도체 칩을 탑재하는 공정(b)과, 상기 각 랜드 구성체와 상기 각 전극 패드를 접속 부재로 서로 전기적으로 접속시키는 공정(c)과, 상기 반도체 칩과 상기 복수의 접속 부재와 상기 다이패드의 상기 제 1 부분과 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 제 2 부분을 포함하는 상기 터미널 랜드 프레임의 위쪽 영역을 봉입수지로 봉입하는 공정(d)과, 상기 다이패드 및 복수의 랜드 구성체가 포함되는 상기 봉입수지로 봉입된 부분과 상기 프레임 본체를 분리시키는 방향으로 힘을 가함으로써, 상기 다이패드의 상기 제 1 부분을 제외한 제 1 저부와, 상기 각 랜드 구성체의 상기 제 2 부분을 제외한 제 2 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고, 상기 봉입수지 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있는 수지봉입형 반도체 장치를 상기 프레임 본체로부터 분리시키는 공정(e)을 포함하고 있다.
이 방법으로써 수지봉입시 랜드 구성체의 저면 부분으로 수지버가 진입하는 것을 방지하면서 랜드 구성체를 외부 전극으로서 사용할 때의 스탠드 오프를 확보 하여 상기 제 2 수지봉입형 반도체 장치를 쉽게 형성할 수 있다.
상기 제 2 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 공정(e)에서는, 상기 다이패드의 제 1 부분 선단면에 대향하는 면에, 상기 선단면으로 향하는 압력을 가하는 동시에 상기 복수의 랜드 구성체 중 적어도 일부 복수의 랜드 구성체의 상기 제 2 부분 선단면에 대향하는 면에, 상기 선단면으로 향하는 압력을 가하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 3 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법은 금속으로 이루어지는 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 갖도록 형성된 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 슬림부를 구비하며, 상기 각 랜드 구성체가 그 돌출된 방향으로의 압력을 받으면 상기 슬림부가 파단되어, 상기 각 랜드 구성체가 상기 프레임 본체로부터 분리 가능한 상태로 된 터미널 랜드 프레임을 준비하는 공정(a)과, 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 돌출된 부분의 선단면 상에 반도체 칩을 탑재하고, 상기 복수의 랜드 구성체 각각과 상기 반도체 칩의 복수의 전극 패드 각각을 서로 전기적으로 접속시키는 공정(b)과, 상기 반도체 칩과 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 포함하는 상기 터미널 랜드 프레임의 위쪽 영역을 봉입수지로 봉입하는 공정(c)과, 상기 복수의 랜드 구성체를 포함하는 상기 봉입수지로 봉입된 부분과 상기 프레임 본체를 분리시키는 방향으로 힘을 가함으로써, 상기 각 랜드 구성체의 상기 돌출된 부분을 제외한 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고, 상기 봉입수지 하면보다 아래쪽으로 돌출된 수지봉입형 반도체 장치를 상기 프레임 본체로부터 분리하는 공정(d)을 포함하고 있다.
이 방법으로써 수지봉입시, 랜드 구성체의 저면 부분으로 수지버가 진입하는 것을 방지하면서 랜드 구성체를 외부 전극으로서 사용할 때의 스탠드 오프를 확보하여 상기 제 3 수지봉입형 반도체 장치를 쉽게 형성할 수 있다.
상기 제 3 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 공정(b)에서는 상기 반도체 칩의 상기 각 전극 패드 상에 설치된 돌기 전극과, 상기 각 랜드 구성체를 도전성 접착제에 의하여 서로 전기적으로 접속하는 것이 바람직하다.
상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통해 보다 분명해 질 것이다.
(제 1 실시예)
도 1은 본 발명 제 1 실시예의 터미널 랜드 프레임의 평면도이다. 도 2 는 도 1에 나타난 Ⅱ-Ⅱ선에서의 단면도이다. 도 3은 도 2의 랜드 구성체 부분을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 1∼도 3에 도시된 바와 같이 본 실시예의 터미널 랜드 프레임은, 구리 부재 또는 42 합금재 등 리드 프레임에 범용되고 있는 금속판으로 이루어지는 프레임 본체(10)와, 그 프레임 본체(10) 내에 격자형으로 배설되며 슬림부(11)에 의하여 프레임 본체(10)와 접속되고 또 프레임 본체(10)보다 위쪽으로 돌출되어 형성된 복수의 랜드 구성체(12)로 구성된다. 즉 프레임 본체(10)와 랜드 구성체(12) 및 슬림부(11)가 1개의 금속판에서 일체적으로 형성되어 있다. 그리고 랜드 구성체(12) 의 저면 부분(12a)에 있어서 랜드 구성체(12)가 위쪽으로 압력을 받으면 슬림부(11)가 파단되어 랜드 구성체(12)가 프레임 본체(10)로부터 분리되도록 구성되어 있다. 또한 도 1에 도시된 바와 같이, 평면적으로 보면 다수의 랜드 구성체(12)가 격자형으로 배열되어 있다. 이 랜드 구성체(12)의 평면적 배열은 체스판 격자형, 바둑판 격자형이라도 되고 또는 랜덤이라도 된다. 이를테면 탑재되는 반도체 칩의 금속세선에 의한 접속에 적합한 배치를 채용할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이 랜드 구성체(12)의 저면 부분(12a)에, 랜드 구성체(12)를 위쪽으로 돌출시키는 방향으로 압력을 인가함으로써, 점선으로 도시된 슬림부(11)가 파단되게 되어, 프레임 본체(10)로부터 랜드 구성체(12)가 분리되는 구조로 되어 있다. 여기서 슬림부(11)는, 프레임 본체(10) 자체에 대하여 반천공 가공의 반절단 수단에 의하여 형성되는 연결 부분이다. 즉 프레임 본체(10)에서 랜드 구성체를 형성하고자 하는 부분을 펀치 부재를 사용하여 천공 가공할 때, 완전히 뚫어내지 않고 도중에서, 바람직하게는 절반 정도에서 뚫기를 멈춘다. 그러면 중간까지 뚫린 부분이 프레임 본체로부터 돌출되고 그 돌출된 부분이 랜드 구성체(12)이며, 프레임 본체에 접속된 연결 부분이 슬림부(11)이다. 따라서 슬림부(11)는, 그 후 랜드 구성체(12)의 저면 부분(12a)에서 랜드 구성체(12)를 돌출시키는 방향으로 압력이 인가되면 슬림부(11)가 쉽게 파단될 정도의 매우 얇은 두께를 갖는다.
그리고 프레임 본체(10)로부터 돌출된 랜드 구성체(12)의 돌출량은 프레임 본체(10) 자체 두께의 절반 이상이다. 즉 랜드 구성체(12)가 그 저면 부분(12a) 에, 도 2에서의 위쪽으로의 압력을 받으면, 슬림부(11)가 파단되어 랜드 구성체(12)가 프레임 본체(10)로부터 분리되는 것이 실현 가능하도록 프레임 본체(10)가 구성되어 있다.
예를 들어 본 실시예에서는 터미널 랜드 프레임 자체의 두께, 즉 프레임 본체(10)의 두께를 200[㎛]로 하고, 랜드 구성체(12)의 돌출량을 140[㎛]∼180[㎛](프레임 본체(10) 두께의 70[%]∼90[%])로 하고 있다. 여기서 프레임 본체의 두께는 200[㎛]에 한정되는 것이 아니고, 필요에 따라 400[㎛] 정도라도 좋다. 또한 랜드 구성체(12)의 돌출량에 관해서도 본 실시예에서는 프레임 본체 두께의 절반 이상의 두께, 예를 들어 프레임 본체 두께의 70[%]∼90[%] 돌출량으로 하였으나, 절반 이하의 돌출량으로 하여도 되고 압력에 의하여 슬림부(11)가 파단되는 범위에서 돌출량을 설정할 수 있다.
또한 본 실시예의 터미널 랜드 프레임은, 예를 들어 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 및 금(Au) 등의 금속이 적층되어 있으며, 이와 같이 필요에 따라 터미널 랜드 프레임을 도금할 수 있다. 터미널 랜드 프레임에 대한 도금 처리는 랜드 구성체(12)를 성형한 후에 실시하여도 되고, 금속판에 랜드 구성체를 형성하기 위한 가공 전에 실시하여도 된다. 또 본 실시예의 터미널 랜드 프레임의 표면 거칠기는 0.1[㎛] 이하이다. 터미널 랜드 프레임의 표면 거칠기는 수지봉입하였을 때의 수지와의 박리성에 영향을 미치므로, 랜드 구성체(12)에 의하여 요철이 생기는 것은 할 수 어쩔 수 없다 하더라도 그 밖의 요철은 작은 것이 바람직하다.
또한 본 실시예의 터미널 랜드 프레임에 있어서는 랜드 구성체(12)의 돌출된 부분의 최상부는 코이닝(coining:압인 가공)이라 불리는 프레스 성형에 의하여 양쪽으로 약간 확대되어 있으며, 랜드 구성체(12)는 상면이 평탄한 버섯 형상으로 되어 있다. 랜드 구성체(12)가 버섯 형상이므로 터미널 랜드 프레임 상에 반도체 칩을 탑재하고 수지봉입을 행하면 봉입수지의 랜드 구성체(12)에 대한 유지력이 높아진다. 그 결과 랜드 구성체(12)와 봉입수지의 밀착성이 높아져, 편면 봉입형 구조이면서도 높은 수지봉입의 신뢰성을 얻을 수 있다. 여기서 랜드 구성체(12) 돌출 부분의 형상은, 상면이 평탄한 버섯 형상이어야 할 필요는 없으며, 예를 들어 열쇠 형상 등 봉입수지에 대한 앵커(anchor) 작용을 얻을 수 있는 형상이면 된다.
본 실시예의 터미널 랜드 프레임에서는 굳이 반도체 칩이 탑재되는 부재인 다이패드를 설치하지 않았으나, 프레임 본체(10)의 영역 내에 설치된 복수의 랜드 구성체(12) 중 일부의 랜드 구성체(12)를 다이패드로서 사용할 수 있다. 즉 몇 개의 랜드 구성체(12)에 의하여 반도체 칩을 지지할 수 있다. 이로써 반도체 장치의 품종 차이 등으로 인하여 터미널 랜드 프레임 상에 탑재되는 반도체 칩의 크기에 차이가 있는 경우에도, 경우에 따라 랜드 구성체(12)군의 일부를 지지용 랜드 구성체로서 이용하고, 그 밖의 랜드 구성체(12)를 그 탑재된 반도체 칩과의 전기적 접속용 랜드 구성체로서 사용할 수 있다. 즉 터미널 랜드 프레임을 복수 종류의 수지봉입형 반도체 장치에 공용할 수 있다. 또 1장의 프레임 중에서 서로 크기가 다른 복수의 반도체 칩을 탑재하여 동시에 수지봉입을 하여도 원하는 수지봉입형 반도체 장치를 각각 얻을 수 있다.
여기서 랜드 구성체(12)의 개수는 탑재되는 반도체 칩의 핀 수 등에 따라 임 의로 설정할 수 있다. 그리고 도 1에 도시한 바와 같이 랜드 구성체(12)는 프레임 본체(10)에 형성되지만 상하좌우로 연속하여 형성할 수 있다. 또 랜드 구성체(12)의 형상은 원형이 아니라도 다각형이나 장방형이라도 좋다. 또한 랜드 구성체(12)의 크기는 터미널 랜드 프레임 내에서 모두 같은 크기라도 된다. 그리고 터미널 랜드 프레임을 사용하여 수지봉입형 반도체 장치를 구성하였을 때에, 랜드 구성체(12)를 랜드 전극으로서 사용할 경우, 기판 실장시의 응력완화를 위하여 주변부에 위치하는 랜드 구성체(12)만을 다른 영역의 랜드 구성체(12)보다 크게 하여도 된다. 또한 랜드 구성체(12) 상면의 크기는 금선 등의 금속세선에 의하여 반도체 칩과 접속하는 데 본딩 가능한 크기면 되는데, 본 실시예에서는 100[㎛]Φ 이상의 크기로 하고 있다.
또 본 실시예에서 나타낸 터미널 랜드 프레임은 종래와 같은 내측 리드, 외측 리드, 다이패드 등으로 불리는 부분을 갖고 있지 않다. 그리고 랜드 전극으로서 기능하는 랜드 구성체(12)를 가지며, 그 랜드 구성체(12)가 평면적으로 격자형, 체스판 격자형으로 배열되어 있으므로 이 터미널 랜드 프레임을 사용하여 수지봉입형 반도체 장치를 구성하는 경우, 자세히 후술하는 바와 같이, 저면에 랜드 전극을 구비한 수지봉입형 반도체 장치를 쉽게 실현할 수 있다. 또 본 실시예에 있어서는 수지봉입형 반도체 장치의 외부 전극으로 되는 부재가, 종래의 리드 프레임과 같이 방사상으로 늘어난 리드가 아니라 점 형상의 랜드 구성체(12)이므로, 이들을 평면적으로 임의의 위치에 배치할 수 있다. 그 결과 랜드 구성체(12)로 구성되는 수지봉입형 반도체 장치의 외부 전극 배치의 자유도가 향상되어 다핀화에 대응할 수 있다. 물론 탑재하는 반도체 칩의 핀 수에 따라 랜드 구성체(12)의 배치 패턴을 임의로 설정할 수 있으므로 종래와 같이 일렬로 배치된 패턴이라도 좋다.
다음으로 본 실시예 터미널 랜드 프레임의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 4 및 도 5 는 터미널 랜드 프레임의 제조공정에서의 반천공 공정으로, 랜드 구성체(12)가 형성되는 과정을 나타내는 단면도이다.
먼저 도 4에 도시한 바와 같이 터미널 랜드 프레임의 프레임 본체로 되는 금속판(13)을 천공용 금형의 다이부(14)에 얹고 금속판(13)의 위쪽에서부터 압착용 금형으로써 누른다. 여기서 도 4에 있어서 다이부(14)에는 피천공부 및 펀치 부재를 아래쪽으로 보내주기 위한 개구부(16)가 설치되어 있다. 또한 금속판(13)의 위쪽에 펀치 부재(17)가 배치되어 있다.
다음으로 도 5에 도시한 바와 같이 다이부(14) 상의 소정 위치에 고정된 금속판(13)에 대하여 그 위쪽에서부터 펀치 부재(17)로써 금속판을 누르고, 금속판(13)의 일부를 다이부(14)의 개구부(16) 내로 돌출시켜 금속판(13) 중 펀치 부재(17)와 접촉되어 있는 부분을 반절단 상태로 하여 랜드 구성체(12)를 형성한다. 즉 슬림부(11)에 의하여 금속판(13)과 접속된 상태로 남겨지고, 금속판(13)의 본체부보다 돌출되어 형성된 랜드 구성체(12)가 형성된다. 여기서 펀치 부재(17)는 하나만으로 한정되는 것이 아니고 복수의 펀치 부재(17)에 의하여 복수의 랜드 구성체(12)를 동시에 형성하는 것이 일반적이다.
본 실시예에서는 펀치 부재(17)에 의하여 금속판(13)의 일부를 반천공 가공 할 때, 완전히 뚫어내지 않고 도중에서 펀치 부재(17)의 누름을 정지시킴으로써 금속판(13)의 일부를 반절단 상태로 하고 있다. 따라서 금속판(13) 중 펀치 부재(17)로 눌린 부분은 금속판으로부터 절리되지 않고 금속판(13) 본체에 접속된 상태로 남아 있게 된다. 그리고 금속판(13)의 랜드 구성체(12)가 형성되는 부분과 접촉하는 펀치 부재(17)의 접촉 면적은, 다이부(14)에 설치된 개구부(16)의 개구 면적보다 작다. 또한 펀치 부재(17)에 의하여 금속판(13)의 일부를 눌러 금속판(13)으로부터 돌출되는 랜드 구성체(12)를 형성하는 공정에 있어서는, 금속판(13)의 상면으로부터 돌출된 랜드 구성체(12) 상면 부분(12b)의 면적은 금속판(13)의 이면에 형성되는 랜드 구성체(12)의 저면 부분(12a) 면적보다 크며, 상면 부분(12b)의 에지부는 소성 변형부(둥글게 된 에지부)에 의한 곡면을 갖고 있다.
이러한 구조로 되어 있으므로, 형성된 랜드 구성체(12)는 그 후에, 랜드 구성체(12)가 돌출된 방향으로의 압력, 즉 랜드 구성체(12)의 저면 부분(12a)에 가해지는 압력에 의하여 금속판(13) 본체로부터 쉽게 분리되는 상태로 되어 있다. 한편 랜드 구성체(12)의 상면 부분(12b)으로 가해지는 압력에 따라서는 랜드 구성체(12)가 분리되기 어려운 상태로 되어 있다. 바꾸어 말하면 랜드 구성체(12)가 한 방향으로부터의 압력에 의해서만 쉽게 분리되는 상태로 되어 있다.
또 랜드 구성체(12)의 돌출된 상면 부분에 대하여 코이닝이라 불리는 프레스 성형을 행함으로써, 도 3에 도시된 바와 같이 랜드 구성체(12)의 돌출 부분의 상면을, 평탄하고 또 상단부가 양쪽으로 확대된 버섯 형상으로 할 수 있다. 랜드 구성 체(12)가 코이닝 가공에 의하여 버섯 형상으로 형성됨으로써, 터미널 랜드 프레임 상에 반도체 칩을 탑재하고 수지봉입을 하면 봉입수지의 랜드 구성체에 대한 유지력이 높아진다. 이와 같이 버섯 형상의 랜드 구성체(12)는 앵커 효과를 발휘함으로써 봉입수지와의 밀착성을 한층 더 향상시킬 수 있어, 편면 봉입형이라도 높은 수지봉입의 신뢰성을 얻을 수 있다.
본 실시예에 있어서 금속판(13)에 랜드 구성체(12)를 형성할 때, 랜드 구성체(12)의 돌출량(랜드 구성체(12) 상면과 금속판(13) 상면의 높이 위치의 차)으로는 금속판(13) 자체 두께의 절반 이상인 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 금속판(13) 두께가 200[㎛]이고 랜드 구성체(12)의 돌출량이 140[㎛]∼180[㎛](금속판 자체 두께의 70[%]∼90[%])로 하고 있다. 따라서 금속판(13)으로부터 돌출된 랜드 구성체(12)는 금속판(13) 본체에 대하여 매우 얇은 두께의 슬림부(11)로 접속되게 된다. 본 실시예에서 슬림부(11) 두께는 20[㎛]∼60[㎛](금속판 자체 두께의 10[%]∼30[%])이며, 슬림부(11) 두께가 이 범위일 때 랜드 구성체(12)가 그 돌출 방향으로의 압력을 받으면 랜드 구성체(12)가 금속판(13)으로부터 쉽게 분리된다.
또 터미널 랜드 프레임을 구성하는 금속판(13)의 두께는 200[㎛]에 한정되는 것이 아니라, 필요에 따라 400[㎛] 정도의 두께라도 좋다. 또한 본 실시예에서는 랜드 구성체(12)의 돌출량을 금속판(13) 두께의 절반 이상으로 하였으나, 금속판(13)의 절반 이하의 돌출량으로 하여도 된다. 이 돌출량은 반도체 칩 등을 수지봉입한 후, 압력에 의하여 슬림부(11)가 쉽게 파단되는 범위 내라면 된다.
여기서 본 실시예의 랜드 구성체(12) 형성 시의 반절단 가공에 대하여 설명 하기로 한다. 도 6은 금속판(13)의 일부에 펀치 부재로써 압력을 가하여 반절단 상태를 형성하였을 때의 랜드 구성체(12)와 금속판(13) 및 슬림부(11)의 상태를 나타낸 단면도이다.
도 6에 도시한 바와 같이 금속판(13)에 랜드 구성체(12)를 형성하였을 때, 금속판(13) 중의 랜드 구성체(12)는 그 두께 방향으로, 도 4 및 도 5에 도시된 펀치 부재(17)에 의한 반천공 가공에 의하여 발생된 소성 변형부(18)와, 펀치 부재(17)에 의하여 전단(剪斷) 변형된 전단부(19)와, 나중에 랜드 구성체(12)의 돌출 방향으로의 압력으로 랜드 구성체(12)가 쉽게 분리될 때 파단면으로 되는 파단부(20)로 구획된다.
랜드 구성체(12)의 형성 순서로서는 펀치 부재(17)로 반천공 가공을 할 때, 소성 변형부(18), 전단부(19), 파단부(20)의 순서로 형성되어 간다. 파단부(20)로 되는 부분은 슬림부(11)에 상당하며, 도면상은 모형적으로 나타낸 관계로 파단부(20)가 비교적 큰 두께를 갖고 있는 것처럼 도시되었으나, 실제로 이 파단부(20)는 극히 얇다. 또한 금속판(13)의 반천공 가공에 있어서는, 이상적인 상태는 도 6에 나타낸 치수 A, 및 B의 비율, A:B=1:1 일 때이며, 펀치 부재(17)가 금속판(13)을 뚫기 시작해, 금속판(13) 두께의 1/2을 뚫어 내린 시점에서 펀치 부재(17)를 정지시켜 반천공을 종료시킨 상태이다. 단 치수 A:B의 값은 금속판(13)의 두께 등을 고려하여 적절하게 설정된다.
또한 반천공 가공에 있어서 클리어런스의 값을 변경함으로써 전단부(19)와 파단부(20)의 치수를 조작할 수 있다. 여기서 클리어런스는 펀치 부재(17) 크기와 다이부(14)의 개구부(16) 크기와의 차이에 따라 형성되는 틈의 양을 나타낸다. 클리어런스를 작게 하면 전단부(19)의 치수를 파단부(20)보다 크게 할 수 있으며, 반대로 클리어런스를 크게 하면 전단부(19)의 치수를 파단부(20)보다 작게 할 수 있다. 따라서 클리어런스를 0으로 하여 파단부(20)의 치수를 짧게 억제함으로써 금속판(13)의 반천공 종료의 타이밍을 지연시켜 펀치 부재가 금속판(13)의 1/2 이상 들어가도 반천공이 종료되지 않도록 할 수 있다.
또 펀치 부재의 단면적을 다이부(14)의 개구부(16) 개구 면적보다 크게 하는 것도 가능하다. 이 경우에도 펀치 부재(17)와 다이부(14)의 상단면이 접촉하기 전에 펀치 부재(17)를 정지시킴으로써 반절단 상태의 슬림부를 형성할 수 있기 때문이다.
다음으로 본 발명의 수지봉입형 반도체 장치의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명하기로 한다. 도 7과 도 8은 각각 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 단면도 및 이면도이다. 도 7은 도8에 나타난 Ⅶ-Ⅶ선에서의 단면도이다. 또 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 상면 쪽으로부터 본 구조는 단순한 장방형의 평판 구조에 불과하므로 상면도 도시는 생략한다.
도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치는 전술한 바와 같은 터미널 랜드 프레임을 사용하여 반도체 칩을 탑재한 반도체 장치이다. 그리고 도 7에 도시한 랜드 구성체(21a∼21f) 중 제 1 랜드 구성체(21a, 21b) 상에 은 페이스트 등의 도전성 접착제(22)(또는 절연성 페이스트)를 개재시켜 반도체 칩(23)이 탑재되어 있다. 또 그 반도체 칩(23) 주변에 배치된 제 2 랜드 구성 체(21c, 21d, 21e, 21f)는 반도체 칩(23)과 금속세선(21)에 의하여 전기적으로 접속되어 있다. 또한 각 랜드 구성체(21a∼21f)의 저부는 봉입수지(25)의 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있다. 그리고 반도체 칩(23), 도전성 접착제(22), 금속세선(24), 및 각 랜드 구성체(21a∼21f)의 일부가 봉입수지(25)에 의하여 봉입되어 있다.
본 실시예에 있어서 랜드 구성체(21) 저부가 봉입수지(25) 하면으로부터 돌출되는 양은, 도 6에 도시한 파단부(20)의 두께 방향 치수(B)와 거의 같으며, 터미널 랜드 프레임 전체의 두께(C)에서 랜드 구성체(21)의 돌출량(A)을 뺀 양이다. 이 랜드 구성체(21) 저부의 돌출량이, 수지봉입형 반도체 장치를 모기판에 실장할 때의 스탠드 오프 높이로 된다.
본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치에 있어서는 복수의 랜드 구성체(21a∼21f)의 일부인 제 1 랜드 구성체(21a, 21b)가 반도체 칩(23)을 지지하는 다이패드로서 사용되고, 다른 부분인 제 2 랜드 구성체(21c∼21f)는 외부 전극으로서 사용된다. 그리고 랜드 구성체(21)가, 수지봉입형 반도체 장치의 저면에서는 랜드 그리드 어레이를 구성하도록 배열되어 있다. 또 탑재하는 반도체 칩의 크기와 핀수에 따라 복수의 랜드 구성체(21) 중 반도체 칩을 지지하기 위하여 사용하는 것과 외부 전극으로서 사용하는 것의 개수를 경우에 따라 설정할 수 있다.
또한 종래의 리드 프레임을 사용한 수지봉입형 반도체 장치와는 달리, 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치에서의 랜드 구성체의 면적은 와이어 본딩 할 수 있는 크기(바람직하게는 직경 100[㎛] 이상의 크기)이면 되고, 랜드 구성체(12)의 돌 출량(스탠드 오프 높이)도 20[㎛]∼60[㎛]정도이므로 반도체 칩의 상면에 고밀도 로 전극 패드(도시 생략)를 배열시킬 수 있으며, 소형이며 슬림형의 수지봉입형 반도체 장치를 실현할 수 있다. 나아가 본 실시예의 구조에 의하여 다핀화에 대응할 수 있고 고밀도 면실장형의 수지봉입형 반도체 장치를 실현할 수 있다. 또 수지봉입된 상태에서 1[㎜] 이하의 두께, 예를 들어 500[㎛] 정도의 매우 작은 두께를 갖는 슬림형의 수지봉입형 반도체 장치를 실현할 수 있다.
그리고 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치는 랜드 구성체(21)에 있어서 봉입수지(25)로 피복된 부분(봉입된 부분)의 선단면 면적이, 봉입수지(25)로 피복되지 않고 돌출되어 있는 부분의 선단면 면적보다 크다는 것, 랜드 구성체(21)의 봉입된 부분의 선단면 에지부는 곡면을 갖는 것(소성 변형부)으로써, 도 7에 도시된 상태에서 랜드 구성체(21)는 거의 역 사다리꼴 형상의 단면 형상을 갖고 있다. 이 구조에 의하여 봉입수지(25)의 랜드 구성체(21)에 대한 유지력을 양호하게 하고 밀착성을 높일 수 있어, 모기판에 실장할 때 접속의 신뢰성을 높게 유지할 수 있다. 여기서 사용하는 터미널 랜드 프레임 자체의 판 두께를 크게 함으로써 랜드 구성체(21)와 봉입수지(25)가 접촉하는 영역을 확대시켜 앵커 효과를 증대시킬 수 있으므로 신뢰성을 한층 더 향상시킬 수가 있다.
다음으로 본 발명의 수지봉입형 반도체 장치 제조방법의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명하기로 한다. 도 9의 (a)∼(f)는 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법을 나타내는 공정별 단면도이다.
먼저 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이 프레임 본체(26)와, 그 프레임 본체(26) 내에 배설되고 슬림부(27)에 의하여 프레임 본체(26)와 접속되며 프레임 본체(26)보다 돌출되어 형성된 복수의 랜드 구성체(28)로 이루어지는 터미널 랜드 프레임을 준비한다. 이 때 터미널 랜드 프레임은, 랜드 구성체(28)에 프레임 본체로(26)부터 랜드 구성체(28)가 돌출되는 방향으로 압력이 가해지면 슬림부(27)가 파단되어 랜드 구성체(28)가 프레임 본체(26)로부터 쉽게 분리되도록 구성되어 있다.
다음으로 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이 랜드 구성체(28)의 돌출된 부분이 위쪽에 위치하도록 터미널 랜드 프레임을 설치하고, 복수의 랜드 구성체(28) 중 일부의 랜드 구성체인 제 1 랜드 구성체(28a, 28b) 상에 도전성 접착제(29)(또는 절연성 페이스트)를 개재시켜 반도체 칩(30)을 탑재하고, 도전성 접착제(29)에 의하여 반도체 칩(30)과 제 1 랜드 구성체(28a, 28b)를 서로 접합한다. 이 공정은 수지봉입형 반도체 장치 조립 공정에 있어서의 다이 본드 공정에 상당하는 것으로, 터미널 랜드 프레임에 대한 도전성 접착제(29)의 도포와, 반도체 칩(30)의 탑재, 가열처리라는 일련의 처리에 의하여 반도체 칩(30)을 터미널 랜드 프레임에 접합시키는 공정이다.
여기서 랜드 구성체(28)는 랜드 구성체(28)가 돌출하는 방향으로의 압력, 즉 랜드 구성체(28) 하면 쪽으로부터의 압력에 의하여 터미널 랜드 프레임으로부터 쉽게 분리되지만, 이 반대 방향으로의 압력, 즉 랜드 구성체(28) 상면 쪽으로부터의 압력에 의해서는 터미널 랜드 프레임으로부터 쉽게 분리되지 않는다는 분리의 방향성을 갖는다. 그 때문에 터미널 랜드 프레임 상에 반도체 칩(30)을 탑재할 때, 랜 드 구성체(28)를 아래쪽으로 누르는 압력이 작용하더라도 랜드 구성체(28)는 터미널 랜드 프레임으로부터 분리되지 않고 안정되게 다이 본드 공정을 실시할 수 있다.
다음으로 도 9의 (c)에 도시한 바와 같이 터미널 랜드 프레임 상에 접합된 반도체 칩(30)과, 랜드 구성체(28)의 내부 및 외부 랜드 전극으로 되는 제 2 랜드 구성체(28c, 28d, 28e, 28f)를 금속세선(31)에 의하여 서로 전기적으로 접속한다. 이 공정이 이른바 와이어 본드 공정이다. 랜드 구성체(28) 상면의 면적, 즉 금속세선(31)이 접속되는 면의 크기는 100[㎛]Φ 이상이므로 와이어 본딩을 쉽게 행할 수 있다. 또한 이 공정에서도 랜드 구성체(28)는 위쪽으로의 압력에 의해서만 프레임 본체(26)로부터 쉽게 분리되므로 금속세선(31)을 랜드 구성체(28) 상면에 접속할 때 아래쪽으로 압력이 작용하더라도 랜드 구성체(28)는 분리되지 않고 안정되게 와이어 본딩을 실행할 수 있다.
다음으로 도 9의 (d)에 도시한 바와 같이 터미널 랜드 프레임 상에 탑재된 반도체 칩(30)과 금속세선(31) 등을 봉입수지(32)로 봉입한다. 이 공정은 통상 상하로 분할된 봉입 금형을 사용한 트랜스퍼 성형에 의하여 편면 봉입법에 따라 실시된다. 여기서는 터미널 랜드 프레임의 반도체 칩(30)이 탑재된 면의 위쪽 영역만이 봉입수지(32)로 피복되는 이른바 편면 봉입 구조로 되어 있다. 그리고 각 랜드 구성체(28)는 터미널 랜드 프레임 본체에서 위쪽으로 돌출되어 있으므로 봉입수지(32)가 그 돌출부분을 강하게 유지하는 상태로 되어, 편면 봉입 구조라도 터미널 랜드 프레임과 봉입수지(32)의 밀착성을 높게 유지할 수 있다.
다음으로 도 9의 (e)에 도시한 바와 같이 터미널 랜드 프레임을 고정용 부재에 고정시킨 상태, 예를 들어 터미널 랜드 프레임의 단부를 고정시키고 봉입수지(32)로 봉입한 영역을 프리로 한 상태에서 터미널 랜드 프레임의 아래쪽으로부터 랜드 구성체(28)의 저면에 대하여, 위쪽으로 향하는 압력을 인가한다. 예를 들어 터미널 랜드 프레임의 단부를 고정하고 그 아래쪽으로부터 스러스트(thrust) 핀으로 치켜올려 압력을 인가한다. 이로써 랜드 구성체(28)와 프레임 본체(26)를 접속하고 있는 매우 얇은 슬림부(27)가, 치켜올려지는 압력으로 파단되어 랜드 구성체(28)와 터미널 랜드 프레임의 프레임 본체(26)가 서로 분리되게 된다. 또 이와 같이 치켜올릴 때는 일부의, 예를 들어 중앙부 부근의 반도체 칩(30) 아래쪽에 위치하는 랜드 구성체(28)를 치켜올려도 되고, 주변부의 랜드 구성체(28)를 치켜올려도 되며, 모든 랜드 구성체(28)를 치켜올려도 된다. 단 부분적으로 치켜올릴 때는, 치켜올리는 압력을 인가하지 않는 부분에 있어서 랜드 구성체(28) 자체가 봉입수지(32)로부터 박리되어 낙하되지 않는 범위에서 치켜올린다. 물론 치켜올리는 것 이외의 수단으로 분리시켜도 되며, 프레임 본체에 비틀림을 주거나 봉입수지(32)를 흡착하여 끌어올려도 랜드 구성체(28)와 터미널 랜드 프레임의 프레임 본체(26)를 분리시킬 수 있다.
상술한 랜드 구성체(28)를 터미널 랜드 프레임의 프레임 본체(26)로부터 분리시키는 공정을 행함으로써 도 9의 (f)에 도시한 수지봉입형 반도체 장치(33)가 얻어진다. 또 여기서 프레임 본체(26)의 랜드 구성체(28)가 형성되지 않은 영역과 봉입수지(32)의 밀착성은 약하므로, 랜드 구성체(28)가 프레임 본체(26)로부터 분 리됨으로써 프레임 본체(26)로부터 수지봉입형 반도체 장치(33)를 쉽게 분리시킬 수 있다. 그리고 도 9의 (f)에 도시된 바와 같이 수지봉입형 반도체 장치(33)는 랜드 구성체(28)가 그 저면에 배열되며, 랜드 구성체(28)가 봉입수지(32)의 저면보다 아래쪽으로 돌출되어 설치되고 기판 실장시의 스탠드 오프가 형성된 구조를 갖는다. 여기서 수지봉입형 반도체 장치(33)의 랜드 구성체(28)의 돌출량은, 프레임 본체의 전체 두께량(도 6에 도시된 치수(C))에서 랜드 구성체(28)의 돌출량(도 6에 도시된 치수(A))을 뺀 양이며, 랜드 구성체(28)의 외부 랜드전극으로서의 스탠드 오프가 형성되는 것이다. 본 실시예에서는 두께 200[㎛]의 프레임 본체에 대하여 랜드 구성체(28)를 140[㎛]∼180[㎛](프레임 본체 두께의 70[%]∼90[%]) 돌출시켰으므로 스탠드 오프 높이는 20[㎛]∼60[㎛](프레임 본체 두께의 10[%]∼30[%])로 되어, 기판 실장시의 스탠드 오프를 확보한 랜드 전극을 얻을 수 있다.
또한 프레임 본체(26)로부터 수지봉입형 반도체 장치를 분리시키는 공법으로서는, 상기한 바와 같은 랜드 구성체(28) 부분을 치켜올리는 방법 외에, 수지봉입형 반도체 장치 부분을 고정시킨 상태에서 프레임 본체 자체를 박리시킴으로써 분리하는 방법도 있으나, 제품의 신뢰성을 고려하여 본 실시예의 분리 방법을 채용하고 있다.
이상 본 실시예에서 나타낸 바와 같은 터미널 랜드 프레임을 사용함으로써, 반도체 칩을 탑재하고 수지봉입한 후 랜드 구성체의 아래쪽으로부터 치켜올려서 터미널 랜드 프레임을 제거하는 것만으로, 수지봉입형 반도체 장치의 저면 부분에 반도체 칩과 전기적으로 접속된 랜드 전극을 배열시킬 수 있다.
그 결과 면 실장형 반도체 장치가 얻어지며 종래와 같은 리드 접합에 의한 실장에 비하여 기판 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 나아가 수지봉입형 반도체 장치에 있어서 각 랜드 구성체의 봉입수지로부터의 돌출량은 사용한 터미널 랜드 프레임 본체의 두께량에서 각 랜드 구성체 자체가 그 프레임 본체로부터 돌출된 양을 뺀 양이며, 프레임 본체로부터 제품을 분리시킨 시점에서 기판 실장시의 스탠드 오프가 구성되는 것으로, 굳이 다른 공정으로 랜드 구성체의 스탠드 오프를 형성할 필요가 없다.
또한 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치는 BGA형 반도체 장치와 같이 랜드 전극을 설치한 기판을 사용하는 것이 아니라 터미널 랜드 프레임이라는 금속판으로 이루어지는 프레임 본체로부터 반도체 장치를 구성하므로, 대량생산이나 제조원가 면에서 종래의 BGA형 반도체 장치보다 유리하다. 뿐만 아니라 제품가공 공정에 있어서 상술한 바와 같이 프레임 본체의 분리만을 행하면 완성체를 쉽게 얻을 수 있으므로 종래와 같은 프레임으로부터의 분리에 필요했던 리드 절단 공정과 리드 절곡 공정을 없애, 리드 절단에 따른 제품에 대한 손상이나 절단 정밀도의 제약을 없앨 수 있어, 제조 공정 삭감에 따라 제조원가성을 강화한 획기적인 기술을 제공할 수 있는 것이다.
(제 2 실시예)
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 관한 터미널 랜드 프레임의 평면도이다. 도 11은 본 실시예의 터미널 랜드 프레임을 나타낸 단면도이며, 도 10에 도시한 XI-XI선에 있어서의 단면도이다. 본 실시예의 터미널 랜드 프레임에 있어서도 그 기본 개념은 제 1 실시예의 터미널 랜드 프레임과 마찬가지이다.
도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이 본 실시예의 터미널 랜드 프레임은 구리 부재 또는 42 합금재 등 리드 프레임에 범용되는 금속판으로 이루어지는 프레임 본체(10)와, 그 프레임 본체(10) 내에 격자형으로 배설되며 슬림부(11)에 의하여 프레임 본체(10)와 접속되고 또 프레임 본체(10)보다 위쪽으로 돌출되어 형성된 복수의 랜드 구성체(12)와, 다이패드(34)로 구성된다. 즉 프레임 본체(10), 랜드 구성체(12), 슬림부(11) 및 다이패드(34)가 1개의 금속판에서 일체적으로 형성되어 있다. 그리고 랜드 구성체(12)의 저면 부분(12a)에 있어서 랜드 구성체(12)가 위쪽으로의 압력을 받으면 슬림부(11)가 파단되어 랜드 구성체(12)가 프레임 본체(10)로부터 분리되도록 구성되어 있다.
여기서 본 실시예의 터미널 랜드 프레임은 전술한 도 1과 도 2 및 도 3에 도시한 터미널 랜드 프레임과 마찬가지 구성이지만, 반도체 칩을 탑재하는 다이패드(34)를 추가로 설치한 점에 그 특징이 있다.
따라서 랜드 구성체(12)의 저면 부분(12a) 및 다이패드(34)의 저면 부분(34a)에, 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)를 위쪽으로 돌출시키는 방향으로의 압력을 인가함으로써 점선으로 도시된 슬림부(11)가 파단되게 되어, 프레임 본체(10)로부터 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)가 분리되는 구조로 되어 있다. 여기서 슬림부(11)는, 프레임 본체(10) 자체에 대하여 반천공 가공의 반절단 수단에 의하여 형성되는 연결 부분이다. 즉 프레임 본체(10)의 랜드 구성체 및 다이패드를 형성하고자 하는 부분을, 펀치 부재를 사용하여 천공 가공할 때, 완전히 뚫어 내지 않고 도중에서, 바람직하게는 절반 정도에서 뚫기를 멈춘다. 그러면 중간까지 뚫려진 부분이 프레임 본체(10)로부터 돌출되고 그 돌출된 부분이 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)이며, 프레임 본체(10)에 접속된 연결 부분이 슬림부(11)이다.
또한 프레임 본체(10)로부터 돌출된 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)의 돌출량은 프레임 본체(10) 자체 두께의 절반 이상이다. 예를 들어 본 실시예에서는 터미널 랜드 프레임 자체의 두께, 즉 프레임 본체(10)의 두께를 200[㎛]로 하고, 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)의 돌출량을 140[㎛]∼180[㎛](프레임 본체(10) 두께의 70[%]∼90[%])로 하고 있다.
또한 본 실시예의 터미널 랜드 프레임은, 예를 들어 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 및 금(Au) 등의 금속이 적층되어 있으며, 이렇게 필요에 따라 터미널 랜드 프레임을 도금할 수 있다.
또 랜드 구성체(12)의 개수는 탑재하는 반도체 칩의 핀 수 등에 따라 그 개수를 임의로 설정할 수 있다. 그리고 도 10에 도시한 바와 같이 랜드 구성체(12)는 프레임 본체(10)에 형성되지만 상하좌우로 연속하여 형성할 수 있으며, 종래의 리드 프레임과 같이 개개의 칩 탑재 영역을 분리시킬 필요는 없고 지지봉을 설치할 필요도 없다. 또 랜드 구성체(12)의 형상은 원형으로 하고 있으나 다각형이나 장방형이라도 좋고, 그 크기는 터미널 랜드 프레임 내에서 모두 동일하게 하여도 된다.
그리고 터미널 랜드 프레임을 사용하여 수지봉입형 반도체 장치를 구성하였 을 때, 랜드 구성체(12)를 랜드 전극으로서 사용할 경우는 기판 실장시의 응력완화를 위하여 주변부에 위치하는 랜드 구성체(12)만을 다른 영역의 랜드 구성체(12)보다 크게 하여도 된다. 또 랜드 구성체(12) 상면의 크기는 금선 등의 금속세선에 의하여 반도체 칩과 접속할 때 본딩 가능한 크기면 되고, 본 실시예에서는 100[㎛]ø이상의 크기로 하고 있다.
또 본 실시예에서 나타낸 터미널 랜드 프레임은 종래와 같은 내측 리드, 외측 리드 등으로 불리는 부분을 갖고 있지 않다. 그리고 랜드 전극으로서 기능하는 랜드 구성체(12)를 가지며, 그 랜드 구성체(12)가 평면적으로 격자형, 체스판 격자형으로 배열되어 있으므로 이 터미널 랜드 프레임을 사용하여 수지봉입형 반도체 장치를 구성할 경우, 자세히 후술하는 바와 같이, 저면에 랜드 전극을 구비한 수지봉입형 반도체 장치를 쉽게 실현할 수 있다. 또한 본 실시예에 있어서는 수지봉입형 반도체 장치의 외부 전극으로 되는 부재가, 종래의 리드 프레임과 같이 방사상으로 늘어난 리드가 아니라 점 형상의 랜드 구성체(12)이므로, 이들을 평면적으로 임의의 위치에 배치할 수 있다. 그 결과 랜드 구성체(12)로 구성되는 수지봉입형 반도체 장치의 외부 전극 배치의 자유도가 향상되어 다핀화에 대응할 수 있다.
다음으로 본 실시예의 터미널 랜드 프레임의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다. 제조방법에 대하여도 전술한 터미널 랜드 프레임의 제조방법과 마찬가지이며, 기본 개념은 상기한 실시예의 터미널 랜드 프레임의 제조방법과 마찬가지지만 랜드 구성체(12)를 형성하는 동시에 다이패드(34)도 형성하는 점만이 다르다.
즉 도 4 및 도 5에 도시한 상태와 마찬가지로 다이부 상의 소정 위치에 고정 된 금속판에 대하여, 그 위쪽에서부터 펀치 부재로써 금속판을 누르는 반천공 가공을 실시하고 금속판의 일부를 다이부의 개구부 내에 돌출시켜 금속판 중 펀치 부재(17)와 접촉되어 있는 부분을 반절단 상태로 하여 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)를 형성한다. 즉 슬림부에 의하여 금속판과 접속된 상태로 남겨지고, 금속판의 본체 부분보다 돌출되어 형성된 랜드 구성체 및 다이패드가 형성된다. 여기서 펀치 부재는 하나만으로 한정되지 않고 복수의 펀치 부재에 의하여 복수의 랜드 구성체 및 다이패드를 동시에 형성하는 것이 일반적이다.
또 금속판의 랜드 구성체 및 다이패드가 형성되는 부분과 접촉하는 펀치 부재의 접촉 면적은 다이부에 설치된 개구부의 개구 면적보다 작다. 또한 펀치 부재로 금속판의 일부를 눌러 금속판으로부터 돌출한 랜드 구성체 및 다이패드를 형성하는 공정에 있어서는, 금속판의 상면으로부터 돌출된 랜드 구성체 및 다이패드의 상면 부분의 면적은 금속판의 이면에 형성되는 랜드 구성체 및 다이패드의 저면 부분의 면적보다 크며, 상면 부분의 에지부는 소성 변형부에 의한 곡면을 갖고 있다.
이러한 구조로 되어 있으므로 형성된 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)는, 그 후에 그것이 돌출된 방향으로의 압력, 즉 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)의 저면 부분(12a, 34a)에 가해지는 압력에 의하여 쉽게 금속판 본체로부터 분리되는 상태로 되어 있다. 한편 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)의 상면 부분(12b, 34b)에 가해지는 압력에 따라서는 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)는 분리되기 어려운 상태로 되어 있다. 바꾸어 말하면 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)가 한 방향으로부터의 압력만에 의해서만 쉽게 분리되는 상태로 되어 있다.
본 실시예에 있어서 금속판에 반천공 가공을 실시하여 랜드 구성체(12)와 다이패드(34)를 형성할 때, 양자의 돌출량에 대해서는 금속판 자체의 두께의 절반 이상으로 하고, 본 실시예에서는 금속판의 두께 200[㎛]에 대하여 140[㎛]∼180[㎛](금속판 자체 두께의 70[%]∼90[%])만 돌출된 랜드 구성체(12)와 다이패드(34)를 형성하고 있다. 따라서 돌출되어 형성된 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)는 금속판 본체의 두께에 비하여 매우 얇은 두께의 슬림부(11)로써 접속되게 된다. 본 실시예에서, 슬림부(11) 두께는 20[㎛]∼60[㎛](금속판 자체 두께의 10[%]∼30[%])이며, 랜드 구성체(12) 및 다이패드(34)가 돌출되는 방향으로의 압력에 의하여 금속판으로부터 쉽게 분리된다.
본 실시예에 있어서의 반천공 가공에 대하여, 상술한 설명에서 생략한 부분의 상세 내용은 이미 설명한 제 1 실시예에서의 반천공 가공과 마찬가지이다.
다음으로 본 실시예의 터미널 랜드 프레임을 사용한 수지봉입형 반도체 장치에 대하여 도면을 참조하면서 설명하기로 한다.
도 12 및 도 13은 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 단면도 및 이면도이다. 단 도 12는 도 13에 도시된 XII-XII선에 있어서의 단면도이다. 여기서 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 상면 쪽에서 본 구조는 단순한 장방형의 평판 구조에 불과하므로 상면도의 도시는 생략한다.
도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치는 전술한 바와 같은 터미널 랜드 프레임을 사용하여 반도체 칩을 탑재한 반도체 장치이다. 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같은 터미널 랜드 프레임의 다이패드(35) 상 에 은 페이스트 등의 도전성 접착제(22)를 개재시켜 반도체 칩(23)이 탑재되어 있다. 또 그 반도체 칩(23)의 주변에 배치된 랜드 구성체(21)는 반도체 칩(23)과 금속세선(24)으로써 전기적으로 접속되어 있다. 또한 각 랜드 구성체(21) 및 다이패드(35)의 저부는 봉입수지(25)의 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있다. 그리고 반도체 칩(23), 도전성 접착제(22), 금속세선(24), 다이패드(35)의 일부 및 각 랜드 구성체(21)의 일부가 봉입수지(25)에 의하여 봉입되어 있다.
본 실시예에 있어서 랜드 구성체(21) 및 다이패드(35)의 저부가 봉입수지(25) 하면으로부터 돌출되는 양은, 도 6에 도시한 구조와 같이 생각하면, 파단부(20) 두께 방향의 치수(B)와 거의 같으며, 터미널 랜드 프레임 전체의 두께(C)에서 랜드 구성체(21)의 돌출량(A)을 뺀 양이다. 이 랜드 구성체(21) 저부의 돌출량이, 수지봉입형 반도체 장치를 모기판에 실장할 때의 스탠드 오프 높이로 된다.
본 실시예에서는 다이패드(35)에 의하여 반도체 칩(23)이 지지되며, 랜드 구성체(21)는 외부 전극으로서 사용된다. 그리고 랜드 구성체(21)가, 수지봉입형 반도체 장치의 저면에서는 랜드 그리드 어레이를 구성하도록 배열되어 있다.
그리고 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치는 랜드 구성체(21) 및 다이패드(35)에 있어서 봉입수지(25)로 피복된 부분(봉입된 부분)의 상단면 면적이, 봉입수지(25)로 피복되지 않고 돌출되어 있는 부분의 하단면 면적보다 크다는 것, 랜드 구성체(21) 및 다이패드(34)의 봉입된 부분의 상단면의 에지부는 곡면을 갖는 것(소성 변형부)으로부터, 도 12에 도시된 상태에서는 랜드 구성체(21) 및 다 이패드(35)는 거의 역 사다리꼴 형상의 단면 형상을 갖고 있다. 이 구조에 의하여 봉입수지(25)의 랜드 구성체(21) 및 다이패드(35)에 대한 유지력을 양호하게 하고 밀착성을 높일 수 있어, 모기판에 실장할 때의 접속의 신뢰성을 높게 유지할 수 있다. 여기서, 사용하는 터미널 랜드 프레임 자체의 판 두께를 두껍게 함으로써 랜드 구성체(21) 및 다이패드(35)가 봉입수지(25)와 접촉하는 영역을 확대시켜 앵커 효과를 증대시킬 수 있으므로 더 한층 신뢰성의 향상을 도모할 수가 있다. 또한 이러한 구조에 의하여 반도체 장치의 저면 측에서 모기판 상에 실장할 수 있으며, 종래와 같이 방사상 리드에 의하여 모기판 상에 실장하는 것에 비하여 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있어 BGA형 반도체 장치와 동등 이상의 신뢰성을 갖는다.
다음으로 본 발명의 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명하기로 한다. 본 실시예에 있어서도 기본 개념은 상기한 제 1 실시예에서의 터미널 랜드 프레임을 사용한 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법과 마찬가지이다. 도 14의 (a)∼(f)는 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법을 나타내는 공정별 단면도이다.
먼저 도 14의 (a)에 도시한 바와 같이 프레임 본체(26)와, 그 프레임 본체(26) 내에 배설되고 슬림부(27)에 의하여 프레임 본체(26)와 접속되며 프레임 본체(26)보다 돌출되어 형성된 복수의 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)로 이루어지는 터미널 랜드 프레임을 준비한다. 이 때 터미널 랜드 프레임은, 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)에 프레임 본체(26)로부터 랜드 구성체(28)가 돌출하는 방향으로 압력이 가해지면 슬림부(27)가 파단되어, 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)가 프레임 본체(26)로부터 쉽게 분리되도록 구성되어 있다.
다음으로 도 14의 (b)에 도시한 바와 같이 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)의 돌출된 부분이 위쪽에 위치하도록 터미널 랜드 프레임을 설치하고, 다이패드(36) 상에 도전성 접착제(29)(또는 절연성 페이스트)를 개재시켜 반도체 칩(30)을 탑재하고, 도전성 접착제(29)에 의하여 반도체 칩(30)과 다이패드(36)를 서로 접합시킨다. 이 공정은 수지봉입형 반도체 장치 조립 공정에 있어서의 다이 본드 공정에 상당하는 것으로, 터미널 랜드 프레임에 대한 도전성 접착제(29)의 도포, 반도체 칩(30)의 탑재, 가열처리라는 일련의 처리에 의하여 반도체 칩(30)을 터미널 랜드 프레임에 접합시키는 공정이다.
여기서 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)는, 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)가 돌출하는 방향으로의 압력, 즉 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36) 하면 쪽으로부터의 압력에 의하여 터미널 랜드 프레임으로부터 쉽게 분리되지만, 그 반대 방향으로의 압력, 즉 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36) 상면 쪽으로부터의 압력에 의해서는 터미널 랜드 프레임으로부터 쉽게 분리되지 않는다는 분리의 방향성을 갖는다. 그 때문에 터미널 랜드 프레임 상에 반도체 칩(30)을 탑재할 때, 다이패드(36)를 아래쪽으로 누르는 압력이 작용하더라도 다이패드(36)는 터미널 랜드 프레임으로부터 분리되지 않아 안정적으로 다이 본드 공정을 실시할 수 있다.
다음으로 도 14의 (c)에 도시한 바와 같이 터미널 랜드 프레임 상에 접합된 반도체 칩(30)과 랜드 구성체(28)를 금속세선(31)에 의하여 서로 전기적으로 접속한다. 이 공정이 이른바 와이어 본딩 공정이다. 랜드 구성체(28) 상면의 면적, 즉 금속세선(31)이 접속되는 면의 크기는 100[㎛]ø 이상이므로 와이어 본딩을 쉽게 행할 수 있다. 또한 이 공정에서도 랜드 구성체(28)는 위쪽으로의 압력에 의해서만 프레임 본체(26)로부터 쉽게 분리되므로 금속세선(31)을 랜드 구성체(28) 상면에 접속할 때 아래쪽으로 압력이 작용하라도 랜드 구성체(28)는 분리되지 않아 안정적으로 와이어 본딩을 실행할 수 있다.
다음으로 도 14의 (d)에 도시한 바와 같이 터미널 랜드 프레임 상에 탑재된 반도체 칩(30)과 금속세선(31) 등을 봉입수지(32)로 봉입한다. 이 공정은 통상, 상하로 분할된 봉입 금형을 사용한 트랜스퍼 성형에 의하여 편면 봉입법에 따라 실시된다. 여기서는 터미널 랜드 프레임의 반도체 칩(30)이 탑재된 면의 위쪽 영역만이 봉입수지(32)로 피복되는 이른바 편면 봉입 구조로 되어 있다. 그리고 각 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)가 터미널 랜드 프레임 본체로부터 위쪽으로 돌출되어 있으므로 봉입수지(32)가 그 돌출부분을 강하게 유지하는 상태로 되어, 편면 봉입 구조라도 터미널 랜드 프레임과 봉입 수지(32)의 밀착성을 높게 유지할 수 있다.
다음으로 도 14의 (e)에 도시한 바와 같이 터미널 랜드 프레임을 고정용 부재로 고정시킨 상태, 예를 들어 터미널 랜드 프레임의 단부를 고정시키고 봉입수지(32)로 봉입한 영역을 프리로 한 상태에서 터미널 랜드 프레임의 아래쪽으로부터 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36) 저면에 대하여, 위쪽으로 향하는 압력을 인가한다. 예를 들어 터미널 랜드 프레임의 단부를 고정시키고 그 아래쪽에서부터 스러스트(thrust) 핀으로 치켜올려 압력을 인가한다. 이로써 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)와 프레임 본체(26)를 접속하는 매우 얇은 슬림부(27)가, 치켜올려지는 압력으로 파단되어 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)와 터미널 랜드 프레임의 프레임 본체(26)가 서로 분리되게 된다.
상술한 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)를 터미널 랜드 프레임의 프레임 본체(26)로부터 분리시키는 공정을 행함으로써 도 14의 (f)에 도시한 수지봉입형 반도체 장치(37)가 얻어진다. 그리고 도 14의 (f)에 도시된 바와 같이 수지봉입형 반도체 장치(37)는 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)가 그 저면에 배열되며, 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)가 봉입수지(32)의 저면보다 아래쪽으로 돌출되어 설치되고 기판 실장 시의 스탠드 오프가 형성된 구조를 갖는다. 여기서 수지봉입형 반도체 장치(37)의 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)의 돌출량은, 프레임 본체의 모든 두께량(도 6에 도시된 치수(C))에서 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)의 돌출량(도 6에 도시된 치수(A))을 뺀 양이 되며, 랜드 구성체(28) 및 다이패드(36)의 외부 랜드 전극으로서의 스탠드 오프가 형성되는 것이다. 본 실시예에서는 두께 200[㎛]의 프레임 본체에 대하여 랜드 구성체(28)를 140[㎛]∼180[㎛](프레임 본체 두께의 70[%]∼90[%])을 돌출시키고 있으므로 스탠드 오프 높이는 20[㎛]∼60[㎛](프레임 본체 두께의 10[%]∼30[%])으로 되어, 기판 실장시의 스탠드 오프를 확보한 랜드 전극을 얻을 수 있다. 또한 다이패드(36)는 모기판의 방열용 전극 등에 접속되므로 반도체 칩(30) 내에서 발생한 열을 효과적으로 방출할 수 있다.
이상, 본 실시예에서 나타낸 바와 같은 터미널 랜드 프레임을 사용함으로써 상기 제 1 실시예와 마찬가지 효과를 발휘할 수 있다.
뿐만 아니라 제 1 실시예와는 달리 랜드 구성체와 따로 다이패드를 설치하므로 이 다이패드를 모기판의 방열용 적극 등에 접속시킴으로써 반도체 칩(30) 내에서 발생한 열을 효과적으로 방출할 수 있다.
(제 3 실시예)
도 15는 본 실시예의 터미널 랜드 프레임을 나타낸 평면도이다. 도 16은 도 15에 나타난 XVI-XVI에 있어서의 단면도이다. 도 17은 도 16의 랜드 구성체 부분을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 15∼도 17에 도시된 바와 같이 본 실시예의 터미널 랜드 프레임은, 구리 부재 또는 42 합금재 등의 리드 프레임에 범용되고 있는 금속판으로 이루어지는 프레임 본체(10)와, 그 프레임 본체(10) 내에 반도체 칩의 본딩 패드 배열에 대응하여 격자형으로 배설되며, 슬림부(11)에 의하여 프레임 본체(10)와 접속되고 또 프레임 본체(10)보다 위쪽으로 돌출되어 형성된 복수의 랜드 구성체(12)로 구성된다. 즉 프레임 본체(10)와 랜드 구성체(12) 및 슬림부(11)가 1개의 금속판에서 일체적으로 형성되어 있다. 그리고 랜드 구성체(12)의 저면 부분(12a)에서 랜드 구성체(12)가 위쪽으로 압력을 받으면 슬림부(11)가 파단되어 랜드 구성체(12)가 프레임 본체(10)로부터 분리되도록 구성되어 있다.
또한 도 15에 도시된 바와 같이, 평면적으로 보면 다수의 랜드 구성체(12)가 격자형으로 배열되어 있다. 이 랜드 구성체(12)의 평면적 배열은 체스판 격자형 배치나 바둑판 격자형 배치 또는 랜덤 배치를 생각할 수 있으며, 탑재되는 반도체 칩의 전극 패드 배열에 대응한 배열을 채용한다.
도 17에 도시된 바와 같이 랜드 구성체(12)의 저면 부분(12a)에, 랜드 구성체(12)를 위쪽으로 돌출시키는 방향의 압력을 인가함으로써 점선으로 도시된 슬림부(11)가 파단되게 되어, 프레임 본체(10)로부터 랜드 구성체(12)가 분리되는 구조로 되어 있다. 여기서 슬림부(11)는, 프레임 본체(10) 자체에 대하여 반천공 가공의 반절단 수단에 의하여 형성되는 연결 부분이다. 즉 프레임 본체(10)의 랜드 구성체를 형성하고자 하는 부분을, 펀치 부재를 사용하여 천공 가공할 때, 완전히 뚫어내지 않고 도중에서, 바람직하게는 절반 정도에서 뚫기를 멈춘다. 그러면 중간까지 뚫려진 부분이 프레임 본체로부터 돌출되고, 그 돌출된 부분이 랜드 구성체(12)이며, 프레임 본체(10)에 접속된 연결 부분이 슬림부(11)이다. 따라서 슬림부(11)는, 그 후 랜드 구성체(12)의 저면 부분(12a)에서 랜드 구성체(12)를 돌출시키는 방향으로 압력이 인가되면 슬림부(11)가 쉽게 파단되는 매우 얇은 두께를 갖는다.
그리고 프레임 본체(10)로부터 돌출된 랜드 구성체(12)의 돌출량은 프레임 본체(10) 자체 두께의 절반 이상이다. 즉 랜드 구성체(12)가 그 저면 부분(12a)에, 도 17에서와 같이 위쪽으로 압력을 받으면, 슬림부(11)가 파단되어 랜드 구성체(12)가 프레임 본체(10)로부터 분리되는 것이 실현 가능하게 프레임 본체(10)가 구성되어 있다.
예를 들어 본 실시예에서는 터미널 랜드 프레임 자체의 두께, 즉 프레임 본체(10)의 두께를 200[㎛]로 하고, 랜드 구성체(12)의 돌출량을 140[㎛]∼180[㎛]( 프레임 본체(10) 두께의 70[%]∼90[%])로 하고 있다. 여기서 프레임 본체의 두께는 200[㎛]에 한정되지 않고, 필요에 따라 400[㎛] 정도라도 좋다. 또한 랜드 구성체(12)의 돌출량에 관해서도 본 실시예에서는 프레임 본체 두께의 절반 이상의 두께, 예를 들어 프레임 본체 두께 70[%]∼90[%]의 돌출량으로 하였으나, 절반 이하의 돌출량으로 하여도 되고 압력에 의하여 슬림부(11) 부분이 파단되는 범위에서 돌출량을 설정할 수 있다.
또한 본 실시예의 터미널 랜드 프레임에 있어서는 랜드 구성체(12)의 돌출된 부분의 최상부는 코이닝이라 불리는 프레스 성형에 의하여 양쪽으로 약간 확대되어, 랜드 구성체(12)는 상면이 평탄한 버섯 형상으로 되어 있다. 랜드 구성체(12)가 버섯 형상이므로 터미널 랜드 프레임 상에 반도체 칩을 탑재하고 수지봉입을 행하면 봉입수지의 랜드 구성체(12)에 대한 유지력이 높아진다. 그 결과 랜드 구성체(12)와 봉입수지의 밀착성이 높아져, 편면 봉입형 구조이면서도 높은 수지봉입의 신뢰성을 얻을 수 있다. 여기서 랜드 구성체(12) 돌출 부분의 형상은, 상면이 평탄한 버섯 형상으로 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 열쇠 형상 등 봉입수지에 대한 앵커 작용을 얻을 수 있는 형상이라면 된다.
또한 본 실시예의 터미널 랜드 프레임은, 예를 들어 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 및 금(Au) 등의 금속이 적층되어 있으며, 이처럼 필요에 따라 터미널 랜드 프레임을 도금할 수 있다. 터미널 랜드 프레임에 대한 도금 처리는 랜드 구성체(12)를 성형한 후에 실시하여도 되고, 금속판에 랜드 구성체를 형성하기 위한 가공 전에 실시하여도 된다. 또 본 실시예의 터미널 랜드 프레임의 표면 거칠기는 0.1[㎛] 이하이다. 터미널 랜드 프레임의 표면 거칠기는 수지봉입하였을 때의 수지와의 박리성에 영향을 미치므로, 랜드 구성체(12)에 의하여 요철이 생기는 것은 어쩔 수 없다 하더라도 그 이외의 요철은 작은 것이 바람직하다.
또한 랜드 구성체(12)의 개수는 탑재되는 반도체 칩의 핀 수(전극 패드 수) 등에 따라 적절히 설정할 수 있다. 그리고 도 15에 도시한 바와 같이 랜드 구성체(12)는 프레임 본체(10)의 영역에 형성되지만 상하좌우로 연속하여 형성할 수 있다. 또 랜드 구성체(12)의 형상은 원형이 아니라, 다각형이나 장방형이라도 좋다. 또한 랜드 구성체(12)의 크기는 터미널 랜드 프레임 내에서 모두 동일 크기라도 된다. 그리고 터미널 랜드 프레임을 사용하여 수지봉입형 반도체 장치를 구성하였을 때, 랜드 구성체(12)를 랜드 전극으로서 사용할 경우는 기판 실장시의 응력완화를 위하여, 주변부에 위치하는 랜드 구성체(12)만을 다른 영역의 랜드 구성체(12)보다 크게 하여도 된다. 또한 랜드 구성체(12) 상면의 크기는, 금선 등의 금속세선에 의하여 반도체 칩과 접속할 때 본딩 가능한 크기이면 되고, 본 실시예에서는 100[㎛]ø 이상의 크기로 하고 있다.
또 본 실시예에서 나타낸 터미널 랜드 프레임은 종래와 같은 내측 리드, 외측 리드, 다이패드 등으로 불리는 부분을 갖지 않는다. 그리고 랜드 전극으로서 기능하는 랜드 구성체(12)를 가지며, 그 랜드 구성체(12)가 평면적으로 격자형, 체스판 격자형으로 배열되어 있으므로 이 터미널 랜드 프레임을 사용하여 수지봉입형 반도체 장치를 구성한 경우, 자세히 후술하는 바와 같이, 저면에 랜드 전극을 구비한 수지봉입형 반도체 장치를 쉽게 실현할 수 있다. 또 본 실시예에 있어서는 수 지봉입형 반도체 장치의 외부 전극으로 되는 부재가, 종래의 리드 프레임과 같이 방사상으로 늘어난 리드가 아니라 점 형상의 랜드 구성체(12)이므로, 이들을 평면적으로 임의의 위치에 배치할 수 있다. 그 결과 랜드 구성체(12)로 구성되는 수지봉입형 반도체 장치의 외부 전극 배치의 자유도가 향상되어 다핀화에 대응할 수 있다. 물론 탑재되는 반도체 칩의 핀 수에 따라 랜드 구성체(12)의 배치 패턴을 임의로 설정할 수 있으므로 종래와 같이 일렬로 배치된 패턴이어도 좋다.
여기서 본 실시예에서의 터미널 랜드 프레임의 특징은, 제 1 실시예와는 달리 랜드 구성체(12)의 배열이 탑재해야 할 반도체 칩의 전극 패드 배열과 일치한다는 점이다.
도 18은 본 실시예에서 사용되는 반도체 칩(44)의 상면도이다. 도 18에 도시한 바와 같이 반도체 칩(44) 상면에는 주변패드(area pad) 형상의 전극 패드(43)가 설치되어 있다. 그리고 도 15에 나타난 터미널 랜드 프레임의 구성은 도 18에 나타난 바와 같은 주변 패드 형상의 전극 패드(43)의 배열을 갖는 반도체 칩(44)을 사용할 때 채용된다.
도 19는 본 실시예의 변형예에서 사용되는 반도체 칩(45)의 상면도이다. 도 19에 도시한 바와 같이 반도체 칩(45)의 상면에는 주변 패드 형상의 전극 패드(43)가 설치되어 있다.
도 20은 도 19에 나타난 바와 같은 주변 패드 형상 전극 패드(43)의 배열을 갖는 반도체 칩(45)을 사용할 때 채용되는 터미널 랜드 프레임의 평면도이다. 즉 이 변형예에서의 터미널 랜드 프레임은 주변 전극 패드(43)의 배열에 일치하도록 프레임 본체(10)에 있어서 랜드 구성체(12)가 사각형의 각 변상에 일렬로 배열되어 있다.
이하 본 실시예의 설명에 있어서는 대표적으로 도 15에 도시된 터미널 랜드 프레임에 대하여 도 18에 도시된 반도체 칩(44)을 채용하는 것을 전제로 한다.
다음으로 본 실시예의 터미널 랜드 프레임의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
단 본 실시예에 있어서도 터미널 랜드 프레임 제조공정에서의 반천공 공정에서, 랜드 구성체(12)가 형성되는 과정 및 각 부의 두께 방향의 치수 등은 제 1 실시예의 도 4∼도 6에 대하여 설명한 바와 마찬가지이므로 반천공 공정의 도시 및 설명은 생략한다.
다음으로 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치에 대하여 도면을 참조하면서 설명하기로 한다.
도 21 및 도 22는 본 실시예 수지봉입형 반도체 장치의 단면도 및 저면도이다. 단 도 21은 도 22에 도시된 XXI-XXI선에서의 단면도이다. 여기서 본 실시예 수지봉입형 반도체 장치의 상면 측에서 본 구조는 단순한 장방형의 평판 구조에 불과하므로 상면도의 도시는 생략한다.
도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치는 상술한 바와 같은 터미널 랜드 프레임을 사용하여 반도체 칩을 탑재한 반도체 장치이다. 그리고 도 21에 도시된 바와 같이 랜드 구성체(21) 상에 은 페이스트 등의 도전성 접착제(22)(또는 절연성 접착제)를 개재시켜 반도체 칩(44)이 탑재되어 있 다. 또한 각 랜드 구성체(21)의 저부는 봉입수지(25)의 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있다. 그리고 반도체 칩(44), 도전성 접착제(22) 및 각 랜드 구성체(21)의 일부가 봉입수지(25)에 의하여 봉입되어 있다.
본 실시예에 있어서 랜드 구성체(21)의 저부가 봉입수지(25) 하면으로부터 돌출되는 양은, 도 6에 도시한 파단부(20)의 두께 방향의 치수(B)와 거의 같으며, 터미널 랜드 프레임 전체의 두께(C)에서 랜드 구성체(21)의 돌출량(A)을 뺀 양이다. 이 랜드 구성체(21) 저부의 돌출량이, 수지봉입형 반도체 장치를 모기판에 실장할 때의 스탠드 오프 높이로 된다.
여기서 본 실시예 수지봉입형 반도체 장치의 특징은, 랜드 구성체(21) 상에 반도체 칩(44)을 페이스다운 실장하여 반도체 칩(44)의 전극 패드와 랜드 구성체(21)를 전기적으로 접속하는 점이다. 즉 본 실시예에 있어서는 제 1 및 제 2 실시예에서처럼 금속세선을 사용하지 않는다.
또한 각 랜드 구성체(21)는 수지봉입형 반도체 장치의 저면에서 랜드 그리드 어레이를 구성함과 동시에, 수지봉입형 반도체 장치 전체의 면적은 반도체 칩(44)의 면적과 마찬가지이다. 바꾸어 말하면, 이른바 칩 사이즈 패키지로 되어 있다. 또 종래의 리드 프레임을 사용한 수지봉입형 반도체 장치와는 달리 랜드 구성체(21) 상면의 크기는 반도체 칩(44)의 전극 패드(43)와 같은 정도의 크기, 즉 100[㎛]ø 정도이면 되고, 또 높이도 140[㎛]∼180[㎛]정도이므로 고밀도로 전극 패드(43)를 배열하는 것이 가능하며, 소형, 슬림형의 수지봉입형 반도체 장치를 실현할 수 있다. 뿐만 아니라 본 실시예의 구조에 의하여 다핀화에 대응할 수 있고 고밀도의 면실장형 수지봉입형 반도체 장치를 실현할 수 있다. 또 수지봉입된 상태에서 1[㎜] 이하의 두께, 예를 들어 500[㎛] 정도의 매우 얇은 두께를 갖는 슬림형의 수지봉입형 반도체 장치를 실현할 수 있다.
그리고 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치는 랜드 구성체(21)에 있어서 봉입수지(25)로 피복된 부분(봉입된 부분)의 상단면 면적이, 봉입수지(25)로 피복되지 않고 돌출되어 있는 부분의 하단면 면적보다 크다는 것, 랜드 구성체(21)의 봉입된 부분의 상단면의 에지부는 곡면을 갖는 것(소성 변형부)으로부터, 도 21에 도시된 상태에서 랜드 구성체(21)는 역 사다리꼴 형상의 단면 형상을 갖고 있다. 이 구조에 의하여 봉입수지(25)의 랜드 구성체(21)에 대한 유지력을 양호하게 하여 밀착성을 높일 수 있어, 모기판에 실장할 때, 접속의 신뢰성을 높게 유지할 수 있다. 또한, 사용하는 터미널 랜드 프레임 자체의 판 두께를 두껍게 함으로써 랜드 구성체(21)와 봉입수지(25)가 접촉하는 영역을 확대시켜 앵커효과를 증대시킬 수 있으므로 더 한층 신뢰성 향상을 도모할 수가 있다.
그리고 본 실시예에서는 봉입수지(25)에 의한 반도체 칩(44)의 봉입 구조를 풀 몰딩 구조로 하였으나, 반도체 칩(44)과 랜드 구성체(21)와의 틈 부분에만 봉입수지를 주입하여 봉입하고, 반도체 칩(44)의 배면을 노출시키는 구조로 하여도 좋다. 또 반도체 칩(44)과 랜드 구성체(21)의 접속은 도전성 접착제(22)를 개재시켜 접속한 구조이지만 반도체 칩(44)의 전극 패드(43) 상에 미리 금 범프 등의 돌기전극, 바람직하게는 이단 돌기전극을 형성하고, 그 돌기전극에 대하여 도전성 접착제를 부설하며, 이를 이용하여 전극 패드(43)와 랜드 구성체(21)를 서로 전기적으로 접속하여도 좋다. 이 경우 돌기전극이 단(段)구조를 가지기 때문에 돌기전극이 도전성 접착제를 유지하는 기능이 높아지고, 전극 패드간에서의 도전성 접착제의 누출을 방지할 수 있어 접속의 신뢰성을 얻을 수 있다.
다음으로 본 발명 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법에 대하여 도면을 참조하면서 설명하기로 한다. 도 23의 (a)∼(e)는 본 실시예 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법을 나타내는 공정별 단면도이다.
먼저 도 23의 (a)에 도시한 바와 같이 프레임 본체(26)와, 그 프레임 본체(26) 내에 배설되고 슬림부(27)에 의하여 프레임 본체(26)와 접속되며 프레임 본체(26)보다 돌출되어 형성된 복수의 랜드 구성체(28)로 이루어지는 터미널 랜드 프레임을 준비한다. 이 때 터미널 랜드 프레임은, 랜드 구성체(28)에 프레임 본체로(26)부터 랜드 구성체(28)가 돌출하는 방향으로 압력이 가해지면 슬림부(27)가 파단되어, 랜드 구성체(28)가 프레임 본체(26)로부터 쉽게 분리되도록 구성되어 있다.
다음으로 도 23의 (b)에 도시한 바와 같이 랜드 구성체(28)의 돌출된 부분이 위쪽에 위치하도록 터미널 랜드 프레임을 설치함과 동시에, 그 위쪽에 전극패드(도시 생략)가 형성된 면을 아래쪽으로 향하도록 (즉 페이스다운) 반도체 칩(30)을 배치한다. 그리고 각 랜드 구성체(28) 상에 도전성 접착제(29)를 개재시켜 반도체 칩(30)을 탑재하고, 도전성 접착제(29)에 의하여 반도체 칩(30)의 전극 패드와 랜드 구성체(28)를 서로 접합한다. 이 공정은 반도체 장치 조립 공정에 있어서의 플립 칩 본딩 공정에 상당하는 것으로, 터미널 랜드 프레임에 대한 도전성 접착제(29)의 도포, 반도체 칩(30)의 탑재, 가열처리라는 일련의 처리에 의하여 반도체 칩(30)과 터미널 랜드 프레임을 접합시키는 공정이다.
여기서 랜드 구성체(28)는, 랜드 구성체(28)가 돌출하는 방향으로의 압력, 즉 랜드 구성체의 하면 쪽으로부터의 압력에 의하여 터미널 랜드 프레임으로부터 쉽게 분리되지만, 그 반대 방향으로의 압력, 즉 랜드 구성체(28) 상면 쪽으로부터의 압력에 의해서는 터미널 랜드 프레임으로부터 쉽게 분리되지 않다는 분리의 방향성을 갖는다. 그 때문에 터미널 랜드 프레임 상에 반도체 칩(30)을 탑재할 때, 랜드 구성체(28)를 아래쪽으로 누르는 압력이 작용하더라도 랜드 구성체(28)는 터미널 랜드 프레임으로부터 분리되지 않고 안정적으로 플립 칩 본딩 공정을 실시할 수 있다.
다음으로 도 23의 (c)에 도시한 바와 같이 터미널 랜드 프레임 상에 페이스다운 접합된 반도체 칩(30)이나 접합 부분을 봉입수지(32)로 봉입한다. 이 공정은 통상, 상하로 분할된 봉입 금형을 사용한 트랜스퍼 성형에 따라 편면 봉입을 한다. 여기서는 터미널 랜드 프레임의 반도체 칩(30)이 탑재된 면의 위쪽 영역만이 봉입수지(32)로 피복되는, 이른바 편면 봉입 구조로 되어있다. 그리고 각 랜드 구성체(28)는 터미널 랜드 프레임 본체로부터 위쪽으로 돌출되어 있으므로 봉입수지(32)가 그 돌출부분을 강하게 유지하는 상태로 되어, 편면 봉입 구조이어도 터미널 랜드 프레임과 봉입 수지(32)의 밀착성을 높게 유지할 수 있다.
또한 여기서 반도체 칩(30)과 터미널 랜드 프레임의 랜드 구성체(28)와의 틈 부분에, 노즐이나 실린더로 봉입수지(32)를 주입하여 부분적으로 충전 봉입하여도 된다. 이 경우에 얻어지는 반도체 장치에 있어서는 반도체 칩(30)의 배면이 봉입수지(32)에 의하여 피복되지 않고 밖으로 노출되어 있으므로, 방열성이 뛰어난 패키지 구조를 얻을 수 있다.
다음으로 도 23의 (d)에 도시한 바와 같이 터미널 랜드 프레임을 고정용 부재로 고정시킨 상태, 예를 들어 터미널 랜드 프레임의 단부를 고정하고 봉입수지(32)로 봉입한 영역을 프리로 한 상태에서 터미널 랜드 프레임 아래쪽으로부터 랜드 구성체(28) 저면에 대하여, 위쪽으로 향하는 압력을 인가한다. 예를 들어 터미널 랜드 프레임의 단부를 고정시키고 그 아래쪽으로부터 스러스트 핀으로 치켜올려 압력을 인가한다. 이로써 랜드 구성체(28)와 프레임 본체(26)를 접속하는 매우 얇은 슬림부(27)가, 치켜올려짐에 따른 압력으로 파단되어 랜드 구성체(28)와 터미널 랜드 프레임의 프레임 본체(26)가 서로 분리되게 된다. 또 이와 같이 치켜올릴 때는 일부의, 예를 들어 중앙부 부근의 반도체 칩(30) 아래쪽에 위치하는 랜드 구성체(28)만을 치켜올려도 되고, 주변부의 랜드 구성체(28)를 치켜올려도 되며, 모든 랜드 구성체(28)만을 치켜올려도 된다. 단 부분적으로 치켜올릴 때는, 치켜올리는 압력을 가하지 않는 부분에 있어서 랜드 구성체(28) 자체가 봉입수지로부터 박리되어 낙하되지 않는 범위에서 치켜올린다. 물론 치켜올리는 것 이외의 수단으로 분리시켜도 되며, 프레임 본체(26)에 비틀림을 주거나 봉입수지(32)를 흡착하여 끌어올려도 랜드 구성체(28)와 터미널 랜드 프레임의 프레임 본체(26)를 분리할 수 있다.
상술한 랜드 구성체(28)를 터미널 랜드 프레임의 프레임 본체(26)로부터 분 리시키는 공정을 행함으로써 도 23의 (e)에 도시한 수지봉입형 반도체 장치(33)가 얻어진다. 또 여기서 프레임 본체(26)의 랜드 구성체(28)가 형성되지 않은 영역과 봉입수지(32)의 밀착성은 약하므로, 랜드 구성체(28)가 프레임 본체(26)로부터 분리함으로써 프레임 본체(26)로부터 수지봉입형 반도체 장치(33)를 쉽게 분리시킬 수 있다. 그리고 도 23의 (f)에 도시된 바와 같이 수지봉입형 반도체 장치(33)는 랜드 구성체(28)가 그 저면에 배열되며, 랜드 구성체(28)가 봉입수지(32)의 저면보다 아래쪽으로 돌출되어 설치되고 기판 실장시의 스탠드 오프가 형성된 구조를 갖는다. 여기서 수지봉입형 반도체 장치(33)의 랜드 구성체(28)의 돌출량은, 프레임 본체의 모든 두께량(도 6에 도시된 치수(C))에서 랜드 구성체(28)의 돌출량(도 6에 도시된 치수(A))을 뺀 양으로 되며, 랜드 구성체(28)의 외부 랜드 전극으로서의 스탠드 오프가 형성되는 것이다. 본 실시예에서는 두께 200[㎛]의 프레임 본체에 대하여 랜드 구성체(28)를 140[㎛]∼180[㎛](프레임 본체 두께의 70%∼90%) 돌출시키고 있으므로 스탠드 오프 높이는 20[㎛]∼60[㎛](프레임 본체 두께의 10%∼30%)으로 되어, 기판 실장 시의 스탠드 오프를 확보한 랜드 전극을 얻을 수 있다.
이상, 본 실시예에서 나타낸 바와 같은 터미널 랜드 프레임을 사용함으로써, 반도체 칩을 플립 칩 실장하고 수지봉입한 후, 랜드 구성체 아래쪽으로부터 치켜올려서 터미널 랜드 프레임을 제거하는 것만으로, 수지봉입형 반도체 장치의 저면 부분에 반도체 칩과 전기적으로 접속된 랜드 전극을 배열할 수 있다.
그 결과, 면실장형 반도체 장치가 얻어져, 종래와 같은 리드 접합에 의한 실장에 비하여 기판 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 나아가 수지봉입형 반도체 장치에 있어서 각 랜드 구성체의 봉입수지로부터의 돌출량은 사용하는 터미널 랜드 프레임 본체의 두께량에서 각 랜드 구성체 자체가 그 프레임 본체로부터 돌출된 양을 뺀 양이며, 프레임 본체로부터 제품을 분리시킨 시점에서 기판 실장시의 스탠드 오프가 구성되는 것으로, 굳이 별도의 공정으로 랜드 구성체의 스탠드 오프를 형성할 필요가 없다.
또한 본 실시예의 수지봉입형 반도체 장치는 BGA형 반도체 장치와 같이 랜드 전극을 설치한 기판을 사용하는 것이 아니라 터미널 랜드 프레임이라 불리는 금속판으로 이루어지는 프레임 본체에 의하여 반도체 장치를 구성하므로, 대량생산이나 윈가 면에서 종래의 BGA형 반도체 장치보다 유리하다. 뿐만 아니라 제품가공 공정에 있어서 상술한 바와 같이 프레임 본체의 분리만을 행하면 쉽게 완성체를 얻을 수 있으므로 종래와 같이 프레임으로부터의 분리에 있어서 필요했던 리드 절단 공정과 리드 절곡 공정을 없애고 리드 절단으로 인한 제품에 대한 손상이나 절단 정밀도의 제약을 없앨 수 있어, 제조 공정 삭감에 따라 제조원가성을 강화한 획기적인 기술을 제공할 수 있는 것이다.
뿐만 아니라 본 실시예에서는 랜드 구성체에 치켜올리는 등의 압력을 가함으로써 프레임 본체와 분리시키는 점을 설명하였으나, 치켜올림에 한정되지 않아도 수지봉입형 반도체 장치측을 고정시키고 프레임 본체측을 박리시켜도, 랜드 구성체 부분이 그 슬림부에서 프레임 본체로부터 절단되므로 분리 가능하며, 분리 수단에 대해서는 랜드 구성체와 프레임 본체를 접속하는 슬림부를 효과적으로 절단하는 수단에 따라 여러 수단이 존재한다.
이상, 본 발명의 터미널 랜드 프레임에 의하여 종래와 같은 방사상 리드 전극 대신에 랜드 전극을 갖는 수지봉입형 반도체 장치를 실현할 수 있다. 그리고 본 발명에 의하여 수지봉입형 반도체 장치 저면의 랜드 전극을, 기판 등을 사용하는 일이 없이 프레임 상태에서 형성할 수 있으며, 또 자기정합적으로 랜드 전극의 스탠드 오프를 형성할 수 있어, 종래에 없었던 프레임 구조나 공법에 따라, 랜드 전극을 갖는 리드레스 패키지형의 수지봉입형 반도체 장치를 실현할 수 있다.
또 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법에 있어서는 종래와 같이 프레임 제작 상의 선과 스페이스, 설계스펙 등의 제약을 없애고, 리드가 없는 만큼 리드절단 공정 및 리드절곡 공정이 불필요하다. 그리고 수지 봉입후는 치켜올림 처리에 따라 쉽게 프레임 본체를 분리시키고 수지봉입 후의 반도체 장치를 얻을 수 있어, 공정수 삭감에 따른 저렴한 원가의 제조를 실현할 수 있다. 뿐만 아니라 수지봉입시의 수지 누출이 없고 또 랜드 구성체 상에서의 수지버 발생도 없으므로 수지버 제거 공정 등의 뒷공정이 불필요하다.
또한 본 발명은 플립 칩 실장을 이용한 수지봉입형 반도체 장치 및 그 제조방법에도 적용할 수 있다.

Claims (26)

  1. 프레임 본체와,
    상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 가지며, 상기 프레임 본체로부터 돌출된 분분을 갖고, 상기 돌출한 부분의 선단면의 면적이 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 큰 복수의 랜드 구성체와,
    상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 상기 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 슬림부를 구비한 터미널 랜드 프레임으로서,
    상기 각 랜드 구성체가 그 돌출하는 방향으로의 압력을 받으면 상기 각 슬림부가 파단되어 상기 각 랜드 구성체가 상기 프레임 본체로부터 분리 가능한 상태로 되어 있는 터미널 랜드 프레임.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 각 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분의 선단 부분은, 가로 방향으로 확대된 버섯 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 터미널 랜드 프레임.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 프레임 본체와 복수의 랜드 구성체 및 복수의 슬림부는 하나의 금속판에서 일체적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 터미널 랜드 프레임.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 각 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분의 선단면의 에지부는 곡면으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 터미널 랜드 프레임.
  5. 프레임 본체와,
    상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 가지며, 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 1 부분을 갖고, 상기 제 1 부분의 선단면의 면적이 상기 제 1 부분의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 큰 다이패드와,
    상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 가지며, 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 2 부분을 갖고, 상기 제 2 부분의 선단면의 면적이 상기 제 2 부분의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 큰 복수의 랜드 구성체와,
    상기 프레임 본체와 상기 다이패드를 접속하고 상기 프레임 본체 및 다이패드보다 얇은 제 1 슬림부와,
    상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 제 2 슬림부를 구비하는 터미널 랜드 프레임으로서,
    상기 다이패드 및 각 랜드 구성체가 그 돌출된 방향으로의 압력을 받으면 상기 제 1 슬림부 및 상기 각 제 2 슬림부가 파단되어 상기 다이패드 및 각 랜드 구성체가 상기 프레임 본체로부터 분리 가능한 상태로 되어 있는 터미널 랜드 프레임.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 다이패드 제 1 부분의 선단 부분 및 상기 각 랜드 구성체 제 2 부분의 선단 부분은, 가로 방향으로 확대된 버섯 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 터미널 랜드 프레임.
  7. 제 5항 또는 제 6항에 있어서,
    상기 프레임 본체, 다이패드, 복수의 제 1 슬림부, 복수의 랜드 구성체 및 복수의 제 2 슬림부는 하나의 금속판에서 일체적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 터미널 랜드 프레임.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 다이패드의 상기 제 1 부분의 선단면의 에지부는 곡면을 가지며,
    상기 각 랜드 구성체의 상기 제 2 부분의 선단면의 에지부는 곡면으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 터미널 랜드 프레임.
  9. 천공 금형의 다이부에 프레임 본체가 될 금속판을 탑재하고 상기 금속판의 위쪽에서부터 압착 금형으로 상기 금속판을 누르는 공정(a)과,
    상기 금속판의 위쪽에서부터 펀치 부재로 상기 금속판의 복수 영역을 눌러서, 상기 복수 영역 각각의 부분을 상기 금속판 본체로부터 상기 다이부 측의 개구부 쪽으로 돌출시켜서, 상기 복수 영역의 각각의 부분의 선단면의 면적을 상기 각 부분의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 크게 함으로써, 상기 복수의 영역으로 이루어지는 복수의 랜드 구성체와, 상기 복수의 랜드 구성체와 상기 금속판 본체를 접속하는 반절단 상태의 복수 슬림부를 형성하는 공정(b)을 포함하는 터미널 랜드 프레임의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 공정(a)에서는 상기 다이부의 개구 면적보다 작은 단면적을 갖는 펀치 부재를 사용하고,
    상기 공정(b)은 상기 각 영역의 금속판 본체로부터 돌출된 상기 각 부분의 선단면의 에지부가 곡면을 갖도록 실행되는 것을 특징으로 하는 터미널 랜드 프레임의 제조방법.
  11. 천공 금형의 다이부에 프레임 본체가 될 금속판을 탑재하고 상기 금속판의 위쪽에서부터 압착 금형으로 상기 금속판을 누르는 공정(a)과,
    상기 금속판의 위쪽에서부터 펀치 부재로 상기 금속판의 제 1 영역 및 복수의 제 2 영역을 눌러서, 상기 제 1 영역의 제 1 부분과 상기 복수의 제 2 영역 각각의 제 2 부분을 상기 금속판 본체로부터 상기 다이부 측의 개구부 쪽으로 돌출시켜서, 상기 제 1 영역의 제 1 부분의 선단면의 면적이 상기 제 1 부분의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 크게 하고, 또한, 상기 각 제 2 영역의 제 2 부분의 선단면의 면적이 상기 제 2 부분의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 크게 함으로써, 상기 제 1 영역으로 이루어지는 다이패드와, 상기 다이패드와 상기 금속판 본체를 접속하는 반절단 상태의 제 1 슬림부와, 상기 제 2 영역으로 이루어지는 복수의 랜드 구성체와, 상기 복수의 랜드 구성체와 금속판 본체를 접속하는 반절단 상태인 복수의 제 2 슬림부를 형성하는 공정(b)을 포함하는 터미널 랜드 프레임의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 공정(a)에서는 상기 다이부의 개구 면적보다 작은 단면적을 갖는 펀치 부재를 사용하고,
    상기 공정(b)은 상기 제 1 영역의 상기 제 1 부분의 선단면의 에지부가 곡면으로 되어 있으며,
    상기 각 제 2 영역의 상기 제 2 부분의 선단면의 에지부가 곡면으로 되도록 실행되는 것을 특징으로 하는 터미널 랜드 프레임의 제조방법.
  13. 금속으로 이루어지는 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 갖도록 형성된 제 1 랜드 구성체군 및 제 2 랜드 구성체군을 포함하는 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 슬림부를 구비한 터미널 랜드 프레임을 사용하여 형성된 수지봉입형 반도체 장치로서,
    상기 제 1 랜드 구성체군 상에 탑재되고 복수의 전극 패드를 갖는 반도체 칩과,
    상기 제 2 랜드 구성체군의 각 랜드 구성체와 상기 각 전극 패드를 서로 전기적으로 접속하는 복수의 접속 부재와,
    상기 반도체 칩과 상기 복수의 접속 부재와 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분에 상당하는 상부를 봉입하는 봉입수지를 구비하며,
    상기 랜드 구성체의 상기 상부를 제외한 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고 상기 봉입수지의 하면보다 아래쪽으로 돌출되고, 상기 각 랜드 구성체의 상기 봉입수지 내에 봉입되어 있는 상부의 상단면의 면적은 상기 저부의 하단면의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 수지봉입형 반도체 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 각 랜드 구성체의 상기 봉입수지 내에 봉입되어 있는 상부의 상단면의 에지부가 곡면으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉입형 반도체 장치.
  15. 금속으로 이루어지는 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 1 부분을 갖도록 형성된 다이패드와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 2 부분을 갖도록 형성된 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 다이패드를 접속하고 상기 프레임 본체 및 다이패드보다 얇은 복수의 제 1 슬림부와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 제 2 슬림부를 구비한 터미널 랜드 프레임을 사용하여 형성된 수지봉입형 반도체 장치로서,
    상기 다이패드 상에 탑재되고 복수의 전극 패드를 갖는 반도체 칩과,
    상기 각 랜드 구성체와 상기 반도체 칩의 각 전극 패드를 서로 전기적으로 접속하는 복수의 접속 부재와,
    상기 반도체 칩과 상기 복수의 접속 부재와 상기 다이패드의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 1 부분에 상당하는 제 1 상부와 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 2 부분에 상당하는 제 2 상부를 봉입하는 봉입수지를 구비하며,
    상기 다이패드의 상기 제 1 상부를 제외한 제 1 저부와 상기 각 랜드 구성체의 상기 제 2 상부를 제외한 제 2 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고 상기 봉입수지의 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있고, 상기 각 다이패드 상의 상기 봉입수지 내에 봉입되어 있는 제 1 상부의 상단면의 면적은 상기 제 1 저부의 하단면의 면적보다 크고, 또한, 상기 각 랜드 구성체의 상기 봉입수지 내에 봉입되어 있는 상기 제 2 상부의 상단면의 면적은 상기 제 2 저부의 하단면의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 수지봉입형 반도체 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 다이패드의 상기 봉입수지 내에 봉입되어 있는 제 1 상부의 상단면의 에지부는 곡면으로 되어 있으며,
    상기 각 랜드 구성체의 상기 봉입수지 내에 봉입되어 있는 상기 제 2 상부의 상단면의 에지부는 곡면으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉입형 반도체 장치.
  17. 금속으로 이루어지는 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 가지며, 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 갖고, 상기 돌출한 부분의 선단면의 면적이 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 큰 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 슬림부를 구비한 터미널 랜드 프레임을 사용하여 형성된 수지봉입형 반도체 장치로서,
    상기 복수의 랜드 구성체 상에 탑재되고 상기 복수의 랜드 구성체 각각에 접속되는 복수의 전극 패드를 갖는 반도체 칩과,
    상기 반도체 칩과 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분에 상당하는 상부를 봉입하는 봉입수지를 구비하며,
    상기 각 랜드 구성체의 상기 상부를 제외한 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고 상기 봉입수지의 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있는 수지봉입형 반도체 장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 각 랜드 구성체의 상기 봉입수지 내에 봉입되어 있는 상부의 상단면의 에지부는 곡면으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 수지봉입형 반도체 장치.
  19. 제 17항 또는 제 18항에 있어서,
    상기 반도체 칩의 상기 복수의 전극 패드 상에 설치된 같은 수의 돌기 전극과,
    상기 각 돌기 전극과 상기 각 랜드 구성체를 서로 전기적으로 접속하는 도전성 접착제를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 수지봉입형 반도체 장치.
  20. 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고, 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 가지며, 상기 돌출한 부분의 선단면의 면적이 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 큰 제 1 랜드 구성체군 및 제 2 랜드 구성체군을 포함하는 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 슬림부를 구비하고, 상기 각 랜드 구성체가 그 돌출되는 방향으로의 압력을 받으면 상기 각 슬림부가 파단되어 상기 각 랜드 구성체가 상기 프레임 본체로부터 분리 가능한 상태로 되어 있는 터미널 랜드 프레임을 준비하는 공정(a)과,
    상기 제 1 랜드 구성체의 상기 돌출된 부분의 선단면 상에 전극패드를 갖는 반도체 칩을 탑재하는 공정(b)과,
    상기 제 2 랜드 구성체군의 각 랜드 구성체와 상기 각 전극 패드를 접속 부재로 서로 전기적으로 접속하는 공정(c)과,
    상기 반도체 칩과 상기 복수의 접속 부재와 상기 복수 랜드 구성체의 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 포함하는 상기 터미널 랜드 프레임의 위쪽 영역을 봉입수지로 봉입하는 공정(d)과,
    상기 복수의 랜드 구성체를 포함하는 상기 봉입수지로 봉입된 부분과 상기 프레임 본체를 분리시키는 방향으로 압력을 가함으로써, 상기 각 랜드 구성체의 상기 돌출된 부분을 제외한 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고, 상기 봉입수지의 하면보다 아래쪽으로 돌출된 수지봉입형 반도체 장치를 상기 프레임 본체로부터 분리시키는 공정(e)을 포함하는 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 공정(e)에서는 상기 복수의 랜드 구성체 중 적어도 일부의 복수 랜드 구성체의 상기 돌출된 부분의 선단면에 대향하는 면에, 상기 선단면으로 향하는 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법.
  22. 금속으로 이루어지는 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 1 부분을 가지며, 상기 제 1 부분의 선단면의 면적이 상기 제 1 부분의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 큰 다이패드와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 가지며, 상기 프레임 본체로부터 돌출된 제 2 부분을 갖고, 상기 제 2 부분의 선단면의 면적이 상기 제 2 부분의 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 큰 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 다이패드를 접속하고 상기 프레임 본체 및 다이패드보다 얇은 복수의 제 1 슬림부와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 상기 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 제 2 슬림부를 구비한 터미널 랜드 프레임을 준비하는 공정(a)과,
    상기 다이패드의 상기 돌출된 제 1 부분의 선단면 상에 전극패드를 갖는 반도체 칩을 탑재하는 공정(b)과,
    상기 각 랜드 구성체와 각 전극 패드를 접속 부재로 서로 전기적으로 접속하는 공정(c)과,
    상기 반도체 칩과 상기 복수의 접속 부재와 상기 다이패드의 상기 제 1 부분과 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 제 2 부분을 포함하는 상기 터미널 랜드 프레임의 위쪽 영역을 봉입수지로 봉입하는 공정(d)과,
    상기 다이패드 및 복수의 랜드 구성체를 포함하는 상기 봉입수지로 봉입된 부분과 상기 프레임 본체를 분리시키는 방향으로 압력을 가함으로써, 상기 다이패드의 상기 제 1 부분을 제외한 제 1 저부와, 상기 각 랜드 구성체의 상기 제 2 부분을 제외한 제 2 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고, 상기 봉입수지 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있는 수지봉입형 반도체 장치를 상기 프레임 본체로부터 분리시키는 공정(e)을 포함하는 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 공정(e)에서는, 상기 다이패드의 제 1 부분 선단면에 대향하는 면에, 상기 선단면으로 향하는 압력을 가하는 동시에 상기 복수의 랜드 구성체 중 적어도 일부의 복수 랜드 구성체의 상기 제 2 부분 선단면에 대향하는 면에, 상기 선단면으로 향하는 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 수지봉입형 반도체 장치의 제조방 법.
  24. 금속으로 이루어지는 프레임 본체와, 상기 프레임 본체와 실질적으로 같은 두께를 갖고, 상기 프레임 본체로부터 돌출된 부분을 가지며, 상기 돌출한 부분의 선단면의 면적이 상기 선단면에 대향하는 면의 면적보다 큰 복수의 랜드 구성체와, 상기 프레임 본체와 상기 복수의 랜드 구성체를 접속하고 상기 프레임 본체 및 복수의 랜드 구성체보다 얇은 복수의 슬림부를 구비하고, 상기 각 랜드 구성체가 그 돌출하는 방향으로의 압력을 받으면 상기 각 슬림부가 파단되어, 상기 각 랜드 구성체가 프레임본체로부터 분리 가능한 상태로 되어 있는 터미널 랜드 프레임을 준비하는 공정(a)과,
    상기 복수의 랜드 구성체의 상기 돌출된 부분의 선단면 상에 반도체 칩을 탑재하고, 상기 복수의 랜드 구성체 각각과 상기 반도체 칩의 복수의 전극 패드의 각각을 서로 전기적으로 접속하는 공정(b)과,
    상기 반도체 칩과 상기 복수의 랜드 구성체의 상기 본체로부터 돌출된 부분을 포함하는 상기 터미널 랜드 프레임의 위쪽 영역을 봉입수지로 봉입하는 공정(c)과,
    상기 복수의 랜드 구성체가 포함되는 상기 봉입수지로 봉입된 부분과 상기 프레임 본체를 분리시키는 방향으로 압력을 가함으로써, 상기 각 랜드 구성체의 상기 돌출된 부분을 제외한 저부가 상기 봉입수지로 피복되지 않고, 상기 봉입수지 하면보다 아래쪽으로 돌출되어 있는 수지봉입형 반도체 장치를 상기 프레임 본체로부터 분리시키는 공정(d)을 포함하는 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 공정(d)에서는 상기 복수의 랜드 구성체 중 적어도 일부의 복수 랜드 구성체의 상기 돌출된 부분의 선단면에 대향하는 면에, 상기 선단면으로 향하는 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 수지봉입형 반도체 장치의 제조방법.
  26. 제 24항 또는 제 25항에 있어서,
    상기 공정(b)에서는, 상기 반도체 칩의 상기 각 전극 패드 상에 설치된 돌기 전극과, 상기 각 랜드 구성체를 도전성 접착에 의하여 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 수지봉입형 반도체의 제조방법.
KR19990045714A 1998-10-21 1999-10-21 터미널 랜드 프레임 및 그 제조방법과 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법 KR100564006B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP???10-299390 1998-10-21
JP29938898A JP2986787B1 (ja) 1998-10-21 1998-10-21 ターミナルランドフレームおよびその製造方法
JP29938998A JP2986788B1 (ja) 1998-10-21 1998-10-21 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP???10-299389 1998-10-21
JP10299390A JP2997255B1 (ja) 1998-10-21 1998-10-21 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP???10-299388 1998-10-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000029214A KR20000029214A (ko) 2000-05-25
KR100564006B1 true KR100564006B1 (ko) 2006-03-23

Family

ID=27338300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR19990045714A KR100564006B1 (ko) 1998-10-21 1999-10-21 터미널 랜드 프레임 및 그 제조방법과 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6667541B1 (ko)
KR (1) KR100564006B1 (ko)
CN (1) CN1190839C (ko)
TW (1) TW432661B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100923869B1 (ko) * 2008-02-04 2009-10-27 에스티에스반도체통신 주식회사 몰딩후 연결단자가 분리되는 반도체 패키지 제조방법 및이에 의한 반도체 패키지

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6667541B1 (en) * 1998-10-21 2003-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Terminal land frame and method for manufacturing the same
JP2001338947A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Nec Corp フリップチップ型半導体装置及びその製造方法
JP4034073B2 (ja) * 2001-05-11 2008-01-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
KR100445072B1 (ko) * 2001-07-19 2004-08-21 삼성전자주식회사 리드 프레임을 이용한 범프 칩 캐리어 패키지 및 그의제조 방법
US20070108609A1 (en) * 2001-07-19 2007-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Bumped chip carrier package using lead frame and method for manufacturing the same
US6825108B2 (en) * 2002-02-01 2004-11-30 Broadcom Corporation Ball grid array package fabrication with IC die support structures
SG105544A1 (en) * 2002-04-19 2004-08-27 Micron Technology Inc Ultrathin leadframe bga circuit package
US8129222B2 (en) * 2002-11-27 2012-03-06 United Test And Assembly Test Center Ltd. High density chip scale leadframe package and method of manufacturing the package
CN2617039Y (zh) * 2003-02-21 2004-05-19 游尚桦 粘着型led引线架
JP4372508B2 (ja) * 2003-10-06 2009-11-25 ローム株式会社 リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置ならびにそれを備えた携帯機器および電子装置
JP4255842B2 (ja) * 2004-01-09 2009-04-15 パナソニック株式会社 半導体装置
US20060006510A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Koduri Sreenivasan K Plastic encapsulated semiconductor device with reliable down bonds
JPWO2007057954A1 (ja) * 2005-11-17 2009-04-30 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8461694B1 (en) 2006-04-28 2013-06-11 Utac Thai Limited Lead frame ball grid array with traces under die having interlocking features
US8487451B2 (en) 2006-04-28 2013-07-16 Utac Thai Limited Lead frame land grid array with routing connector trace under unit
US8460970B1 (en) 2006-04-28 2013-06-11 Utac Thai Limited Lead frame ball grid array with traces under die having interlocking features
US8492906B2 (en) 2006-04-28 2013-07-23 Utac Thai Limited Lead frame ball grid array with traces under die
US8310060B1 (en) * 2006-04-28 2012-11-13 Utac Thai Limited Lead frame land grid array
JP4270282B2 (ja) * 2007-01-23 2009-05-27 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
CN101241890B (zh) * 2007-02-06 2012-05-23 百慕达南茂科技股份有限公司 芯片封装结构及其制作方法
JP4489094B2 (ja) * 2007-04-27 2010-06-23 株式会社東芝 半導体パッケージ
US8957515B2 (en) * 2007-11-07 2015-02-17 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with array of external interconnects
US8115285B2 (en) * 2008-03-14 2012-02-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Advanced quad flat no lead chip package having a protective layer to enhance surface mounting and manufacturing methods thereof
DE102008024704A1 (de) * 2008-04-17 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
US20100044850A1 (en) 2008-08-21 2010-02-25 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Advanced quad flat non-leaded package structure and manufacturing method thereof
DE102009008738A1 (de) * 2009-02-12 2010-08-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
JP5136458B2 (ja) * 2009-02-20 2013-02-06 ヤマハ株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法
US8124447B2 (en) 2009-04-10 2012-02-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Manufacturing method of advanced quad flat non-leaded package
US8133759B2 (en) * 2009-04-28 2012-03-13 Macronix International Co., Ltd. Leadframe
CN101618413A (zh) * 2009-07-27 2010-01-06 江苏银河电子股份有限公司 一种金属薄板的打凸方法
CN102834942B (zh) 2010-04-09 2016-04-13 罗姆股份有限公司 Led模块
CN102259413B (zh) * 2011-06-24 2013-11-06 阳恒 普通注塑机模内冷扯自动切水口模具
US8816512B2 (en) * 2011-07-28 2014-08-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
US8623708B1 (en) * 2012-07-05 2014-01-07 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with grid-array mechanism and method of manufacture thereof
CN103978348A (zh) * 2014-05-28 2014-08-13 福清泳贸塑胶有限公司 一种电脑显示器背板左侧基板的加工方法及其结构
US9570381B2 (en) 2015-04-02 2017-02-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages and related manufacturing methods
DE102018128109A1 (de) * 2018-11-09 2020-05-14 Infineon Technologies Ag Ein clip mit einem diebefestigungsabschnitt, der konfiguriert ist, um das entfernen von hohlräumen beim löten zu fördern
JP7154202B2 (ja) * 2019-10-21 2022-10-17 三菱電機株式会社 非絶縁型パワーモジュール

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06275764A (ja) * 1993-03-19 1994-09-30 Fujitsu Miyagi Electron:Kk リードフレーム及びそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JPH08115989A (ja) * 1994-08-24 1996-05-07 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR19980043351A (ko) * 1996-12-03 1998-09-05 김무 반도체 패키지용 리드 프레임
KR20010009350A (ko) * 1999-07-09 2001-02-05 윤종용 기판이 없는 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법
US6667541B1 (en) * 1998-10-21 2003-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Terminal land frame and method for manufacturing the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5780750A (en) 1980-11-06 1982-05-20 Nec Kyushu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPH02271652A (ja) 1989-04-13 1990-11-06 Orient Watch Co Ltd 樹脂封止型半導体装置用リードフレームとその製造方法及び半導体装置の製造方法
JPH04162765A (ja) 1990-10-26 1992-06-08 Hitachi Cable Ltd Ｉｃ用リードフレーム
JPH05129473A (ja) 1991-11-06 1993-05-25 Sony Corp 樹脂封止表面実装型半導体装置
US5656550A (en) * 1994-08-24 1997-08-12 Fujitsu Limited Method of producing a semicondutor device having a lead portion with outer connecting terminal
US5892290A (en) * 1995-10-28 1999-04-06 Institute Of Microelectronics Highly reliable and planar ball grid array package
JP3292082B2 (ja) 1997-03-10 2002-06-17 松下電器産業株式会社 ターミナルランドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH10275764A (ja) 1997-03-28 1998-10-13 N T T Advance Technol Kk Ｘ線露光用装置
US6258630B1 (en) * 1999-02-04 2001-07-10 Nec Corporation Resin-sealed semiconductor device having island for mounting semiconductor element coupled to heat spreader
US6348726B1 (en) * 2001-01-18 2002-02-19 National Semiconductor Corporation Multi row leadless leadframe package

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06275764A (ja) * 1993-03-19 1994-09-30 Fujitsu Miyagi Electron:Kk リードフレーム及びそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JPH08115989A (ja) * 1994-08-24 1996-05-07 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR19980043351A (ko) * 1996-12-03 1998-09-05 김무 반도체 패키지용 리드 프레임
US6667541B1 (en) * 1998-10-21 2003-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Terminal land frame and method for manufacturing the same
KR20010009350A (ko) * 1999-07-09 2001-02-05 윤종용 기판이 없는 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100923869B1 (ko) * 2008-02-04 2009-10-27 에스티에스반도체통신 주식회사 몰딩후 연결단자가 분리되는 반도체 패키지 제조방법 및이에 의한 반도체 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
CN1251943A (zh) 2000-05-03
CN1190839C (zh) 2005-02-23
US6667541B1 (en) 2003-12-23
US20020160552A1 (en) 2002-10-31
US7026192B2 (en) 2006-04-11
TW432661B (en) 2001-05-01
KR20000029214A (ko) 2000-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100564006B1 (ko) 터미널 랜드 프레임 및 그 제조방법과 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법
JP3062192B1 (ja) リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2000307045A (ja) リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3460646B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH10256460A (ja) ターミナルランドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2001024133A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3921880B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2986788B1 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3921885B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2997255B1 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP4266429B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3965813B2 (ja) ターミナルランドフレームの製造方法
JP2001077283A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3928286B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3823651B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP4013452B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2001077275A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3422276B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3890822B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3928284B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2986787B1 (ja) ターミナルランドフレームおよびその製造方法
JP4045718B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2001077136A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2001077273A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2001077271A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130219

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150226

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160219

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee